JPH0567449A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH0567449A JPH0567449A JP22712491A JP22712491A JPH0567449A JP H0567449 A JPH0567449 A JP H0567449A JP 22712491 A JP22712491 A JP 22712491A JP 22712491 A JP22712491 A JP 22712491A JP H0567449 A JPH0567449 A JP H0567449A
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- ion
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 イオンビーム７の軌道ズレをイオン密度の分
布状態を基にして修正するイオン注入装置は、設置状態
を変更可能な引出電極２と、磁束密度を変更可能な質量
分析器４と、イオンビーム７が照射される所定領域のイ
オン密度を検出するキャッチプレート５と、イオン密度
の分布状態からイオンビーム７の軌道ズレの有無を判定
して引出電極２の設置状態および質量分析器４の磁束密
度を調整する制御手段３とを有している。 【効果】 制御手段３は、イオン密度の分布状態からイ
オンビーム７の軌道ズレの有無を判定し、判定結果に基
づいて引出電極２および質量分析器４を調整する。従っ
て、軌道ズレの判定に基づく軌道ズレの調整は、人手を
介さずに行われることになる。これにより、イオン注入
装置は、軌道ズレの修正時の操作者の負担を解消するこ
とが可能であると共に、制御手段３による調整時間の短
縮化から生産性を向上させることが可能である。
布状態を基にして修正するイオン注入装置は、設置状態
を変更可能な引出電極２と、磁束密度を変更可能な質量
分析器４と、イオンビーム７が照射される所定領域のイ
オン密度を検出するキャッチプレート５と、イオン密度
の分布状態からイオンビーム７の軌道ズレの有無を判定
して引出電極２の設置状態および質量分析器４の磁束密
度を調整する制御手段３とを有している。 【効果】 制御手段３は、イオン密度の分布状態からイ
オンビーム７の軌道ズレの有無を判定し、判定結果に基
づいて引出電極２および質量分析器４を調整する。従っ
て、軌道ズレの判定に基づく軌道ズレの調整は、人手を
介さずに行われることになる。これにより、イオン注入
装置は、軌道ズレの修正時の操作者の負担を解消するこ
とが可能であると共に、制御手段３による調整時間の短
縮化から生産性を向上させることが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンビームの軌道ズ
レに起因したイオン照射対象物へのイオンビームの不均
一な照射を引出電極の設置状態および質量分析器の磁束
密度を制御することによって均一化するイオン注入装置
に関するものである。
レに起因したイオン照射対象物へのイオンビームの不均
一な照射を引出電極の設置状態および質量分析器の磁束
密度を制御することによって均一化するイオン注入装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入装置は、図８に示すように、
イオン源３１において形成したイオンを引出電極３２に
より引き出し、質量分析器３４によって特定のイオン種
からなるイオンビーム３７とし、このイオンビーム３７
をイオン照射対象物へ照射することによってイオン照射
対象物内に不純物を注入するものである。
イオン源３１において形成したイオンを引出電極３２に
より引き出し、質量分析器３４によって特定のイオン種
からなるイオンビーム３７とし、このイオンビーム３７
をイオン照射対象物へ照射することによってイオン照射
対象物内に不純物を注入するものである。
【０００３】この際、軌道ズレを生じたイオンビーム３
７がイオン照射対象物へ照射された場合には、イオン照
射対象物へ照射されるイオン密度の分布状態が不均一に
なるため、イオン照射対象物への不純物の注入量にバラ
ツキを生じさせることになると共に、イオン照射対象物
の特定部分に過剰な電荷を堆積させてチャージアップを
生じさせることにもなる。
７がイオン照射対象物へ照射された場合には、イオン照
射対象物へ照射されるイオン密度の分布状態が不均一に
なるため、イオン照射対象物への不純物の注入量にバラ
ツキを生じさせることになると共に、イオン照射対象物
の特定部分に過剰な電荷を堆積させてチャージアップを
生じさせることにもなる。
【０００４】イオンビーム３７の軌道ズレは、引出電極
３２の設置状態や質量分析器３４の磁束密度が変化する
ことによって生じることがあるため、従来のイオン注入
装置は、引出電極３２の設置状態および質量分析器３４
の磁束密度を軌道ズレを生じない所定の状態および値に
固定することによって、イオンビーム３７の軌道ズレを
防止し、この軌道ズレに起因したイオン照射対象物への
不均一な照射を防止するようになっている。
３２の設置状態や質量分析器３４の磁束密度が変化する
ことによって生じることがあるため、従来のイオン注入
装置は、引出電極３２の設置状態および質量分析器３４
の磁束密度を軌道ズレを生じない所定の状態および値に
固定することによって、イオンビーム３７の軌道ズレを
防止し、この軌道ズレに起因したイオン照射対象物への
不均一な照射を防止するようになっている。
【０００５】また、イオンビーム３７の軌道ズレは、例
えばイオン源３１の交換や長時間の使用等による引出電
極３２や質量分析器３４以外の要素の変化によって生じ
ることもある。そこで、従来のイオン注入装置は、イオ
ン照射対象物へ照射する前段階として、Ｘ方向およびＹ
方向に複数の測定子を備えたキャッチプレート３５にイ
オンビーム３７を照射させ、各測定子から得られたビー
ム電流をビーム電流密度測定器３６に入力させることに
よってイオン密度の分布状態を表示させるようになって
いる。そして、分布状態の確認による軌道ズレの有無の
判定結果から、軌道ズレが確認された場合には、引出電
極３２の設置状態や質量分析器３４の磁束密度を調整す
ることによって軌道ズレを修正するようになっている。
えばイオン源３１の交換や長時間の使用等による引出電
極３２や質量分析器３４以外の要素の変化によって生じ
ることもある。そこで、従来のイオン注入装置は、イオ
ン照射対象物へ照射する前段階として、Ｘ方向およびＹ
方向に複数の測定子を備えたキャッチプレート３５にイ
オンビーム３７を照射させ、各測定子から得られたビー
ム電流をビーム電流密度測定器３６に入力させることに
よってイオン密度の分布状態を表示させるようになって
いる。そして、分布状態の確認による軌道ズレの有無の
判定結果から、軌道ズレが確認された場合には、引出電
極３２の設置状態や質量分析器３４の磁束密度を調整す
ることによって軌道ズレを修正するようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のイオン注入装置では、ビーム電流密度測定器３６に
よる軌道ズレの判定と、引出電極３２および質量分析器
３４による軌道ズレの調整とが独立して行われるため、
軌道ズレが確認された場合、操作者がビーム電流密度測
定器３６に表示された分布状態を確認しながら引出電極
３２および質量分析器３４を調整する必要がある。これ
により、従来のイオン注入装置では、ビーム電流密度測
定器３６を確認しながらの引出電極３２および質量分析
器３４の調整が操作者の負担を増大させるという問題を
有していると共に、手作業による調整時間の遅延から生
産性を低下させるという問題を有している。
来のイオン注入装置では、ビーム電流密度測定器３６に
よる軌道ズレの判定と、引出電極３２および質量分析器
３４による軌道ズレの調整とが独立して行われるため、
軌道ズレが確認された場合、操作者がビーム電流密度測
定器３６に表示された分布状態を確認しながら引出電極
３２および質量分析器３４を調整する必要がある。これ
により、従来のイオン注入装置では、ビーム電流密度測
定器３６を確認しながらの引出電極３２および質量分析
器３４の調整が操作者の負担を増大させるという問題を
有していると共に、手作業による調整時間の遅延から生
産性を低下させるという問題を有している。
【０００７】従って、本発明においては、軌道ズレの判
定と軌道ズレの調整とを連動させることによって、上記
の問題を解決することができるイオン注入装置を提供す
ることを目的としている。
定と軌道ズレの調整とを連動させることによって、上記
の問題を解決することができるイオン注入装置を提供す
ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、上記課題を解決するために、イオンビームの軌道ズ
レをイオン密度の分布状態を基にして修正するものであ
り、下記の特徴を有している。
は、上記課題を解決するために、イオンビームの軌道ズ
レをイオン密度の分布状態を基にして修正するものであ
り、下記の特徴を有している。
【０００９】即ち、イオン注入装置は、設置状態を変更
可能な引出電極と、磁束密度を変更可能な質量分析器
と、上記イオンビームが照射される所定領域のイオン密
度を検出するイオン密度検出手段であるキャッチプレー
トと、上記イオン密度の分布状態からイオンビームの軌
道ズレの有無を判定して引出電極の設置状態および質量
分析器の磁束密度を調整する制御手段とを有しているこ
とを特徴としている。
可能な引出電極と、磁束密度を変更可能な質量分析器
と、上記イオンビームが照射される所定領域のイオン密
度を検出するイオン密度検出手段であるキャッチプレー
トと、上記イオン密度の分布状態からイオンビームの軌
道ズレの有無を判定して引出電極の設置状態および質量
分析器の磁束密度を調整する制御手段とを有しているこ
とを特徴としている。
【００１０】
【作用】上記の構成によれば、制御手段は、イオン密度
の分布状態からイオンビームの軌道ズレの有無を判定
し、判定結果に基づいて引出電極の設置状態および質量
分析器の磁束密度を調整するようになっている。従っ
て、イオン注入装置は、軌道ズレの判定と引出電極およ
び質量分析器による軌道ズレの調整とが人手を介さずに
行われるため、軌道ズレの修正時の操作者の負担を解消
することが可能になっていると共に、制御手段による調
整時間の短縮化から生産性を向上させることが可能にな
っている。
の分布状態からイオンビームの軌道ズレの有無を判定
し、判定結果に基づいて引出電極の設置状態および質量
分析器の磁束密度を調整するようになっている。従っ
て、イオン注入装置は、軌道ズレの判定と引出電極およ
び質量分析器による軌道ズレの調整とが人手を介さずに
行われるため、軌道ズレの修正時の操作者の負担を解消
することが可能になっていると共に、制御手段による調
整時間の短縮化から生産性を向上させることが可能にな
っている。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図７に基づい
て説明すれば、以下の通りである。
て説明すれば、以下の通りである。
【００１２】本実施例に係るイオン注入装置は、図１に
示すように、ボロンイオン（Ｂ+ ）や砒素イオン（Ａｓ
+ ）等のイオンを発生するイオン源１を有しており、イ
オン源１には、発生したイオンを外部へ放出する開口部
１ａが形成されている。イオン源１の開口部１ａの前方
には、負電圧の引出し電圧を印加された引出電極２が配
設されており、引出電極２は、負電圧によりイオン源１
内の正電荷のイオンを開口部１ａから外部へ引き出すよ
うになっている。
示すように、ボロンイオン（Ｂ+ ）や砒素イオン（Ａｓ
+ ）等のイオンを発生するイオン源１を有しており、イ
オン源１には、発生したイオンを外部へ放出する開口部
１ａが形成されている。イオン源１の開口部１ａの前方
には、負電圧の引出し電圧を印加された引出電極２が配
設されており、引出電極２は、負電圧によりイオン源１
内の正電荷のイオンを開口部１ａから外部へ引き出すよ
うになっている。
【００１３】上記の引出電極２は、図２に示すように、
板状体に形成されており、引出電極２の中心部には、引
出電極２によって引き出されたイオンをイオンビーム７
として通過させる引出孔２ａが形成されている。また、
この引出電極２には、後述の制御手段３によって引出電
極２の設置状態を変更可能な図示しないギャップ変更手
段と水平移動手段と角度変更手段とが設けられており、
ギャップ変更手段は、引出電極２をイオン源１方向とな
るＧＬ方向に往復移動させてイオン源１と引出電極２と
の間隔ＧＬを調整するようになっている。また、水平移
動手段は、引出電極２を水平方向となるＨ方向に往復移
動させるようになっており、角度変更手段は、引出電極
２をＡ方向に回動させて引出電極２とイオン源１との角
度を変更させるようになっている。
板状体に形成されており、引出電極２の中心部には、引
出電極２によって引き出されたイオンをイオンビーム７
として通過させる引出孔２ａが形成されている。また、
この引出電極２には、後述の制御手段３によって引出電
極２の設置状態を変更可能な図示しないギャップ変更手
段と水平移動手段と角度変更手段とが設けられており、
ギャップ変更手段は、引出電極２をイオン源１方向とな
るＧＬ方向に往復移動させてイオン源１と引出電極２と
の間隔ＧＬを調整するようになっている。また、水平移
動手段は、引出電極２を水平方向となるＨ方向に往復移
動させるようになっており、角度変更手段は、引出電極
２をＡ方向に回動させて引出電極２とイオン源１との角
度を変更させるようになっている。
【００１４】上記の引出電極２により引き出されたイオ
ンの進行方向には、図１に示すように、磁束密度を任意
に変更可能な質量分析器４が配設されている。この質量
分析器１には、定電流電源を有したＭＰＳ（Magnet Pow
erSupply)８が接続されており、ＭＰＳ８は、質量分析
器１の分析マグネットコイルに流れる電流量を制御する
ようになっている。これにより、質量分析器１は、ＭＰ
Ｓ８によって磁束密度を任意に変更可能になっており、
この磁束密度によって引出電極によりイオン源から引き
出されたイオンの進行方向をイオンの質量に対応した軌
道に曲折させるようになっている。
ンの進行方向には、図１に示すように、磁束密度を任意
に変更可能な質量分析器４が配設されている。この質量
分析器１には、定電流電源を有したＭＰＳ（Magnet Pow
erSupply)８が接続されており、ＭＰＳ８は、質量分析
器１の分析マグネットコイルに流れる電流量を制御する
ようになっている。これにより、質量分析器１は、ＭＰ
Ｓ８によって磁束密度を任意に変更可能になっており、
この磁束密度によって引出電極によりイオン源から引き
出されたイオンの進行方向をイオンの質量に対応した軌
道に曲折させるようになっている。
【００１５】上記の質量分析器４質量分析器４によって
進行方向が曲折されたイオンは、質量に対応した各軌道
に分離して特定のイオン種からなるイオンビーム７とし
て進行するようになっており、質量分析器１の中心部の
軌道を進行するイオンビーム７は、図示しない分析スリ
ットを通過するようになっている。
進行方向が曲折されたイオンは、質量に対応した各軌道
に分離して特定のイオン種からなるイオンビーム７とし
て進行するようになっており、質量分析器１の中心部の
軌道を進行するイオンビーム７は、図示しない分析スリ
ットを通過するようになっている。
【００１６】上記の分析スリットを通過したイオンビー
ム７の進行方向には、イオンビーム７を加速する図示し
ない加速管および静電レンズ等が配設されており、さら
に、イオンビーム７の進行方向には、イオン照射対象物
の背面側等に位置されたキャッチプレート５が配設され
ている。このキャッチプレート５には、図３に示すよう
に、イオンビーム７の照射によりビーム電流を生じる複
数の測定子５ａ…・５ｂ…が設けられている。これらの
測定子５ａ…・５ｂ…は、Ｘ方向およびＹ方向に配設さ
れており、Ｙ方向に配設された測定子５ａ…がイオンビ
ーム７によって照射された所定領域のＹ方向の密度分布
を測定するようになっている一方、Ｘ方向に配設された
測定子５ｂ…がイオンビーム７によって照射された所定
領域のＸ方向の密度分布を測定するようになっている。
ム７の進行方向には、イオンビーム７を加速する図示し
ない加速管および静電レンズ等が配設されており、さら
に、イオンビーム７の進行方向には、イオン照射対象物
の背面側等に位置されたキャッチプレート５が配設され
ている。このキャッチプレート５には、図３に示すよう
に、イオンビーム７の照射によりビーム電流を生じる複
数の測定子５ａ…・５ｂ…が設けられている。これらの
測定子５ａ…・５ｂ…は、Ｘ方向およびＹ方向に配設さ
れており、Ｙ方向に配設された測定子５ａ…がイオンビ
ーム７によって照射された所定領域のＹ方向の密度分布
を測定するようになっている一方、Ｘ方向に配設された
測定子５ｂ…がイオンビーム７によって照射された所定
領域のＸ方向の密度分布を測定するようになっている。
【００１７】上記の各測定子５ａ…・５ｂ…は、図１に
示すように、オシロスコープ等のビーム電流密度測定器
６に接続されており、ビーム電流密度測定器６は、例え
ば図４および図５に示すように、測定子５ａ…・５ｂ…
から入力されたビーム電流を基にしてＸ方向およびＹ方
向のイオン密度の分布状態を表示するようになってい
る。そして、ビーム電流密度測定器６は、制御手段３に
接続されており、制御手段３は、上述の引出電極２の設
置状態を設定するギャップ変更手段と水平移動手段と角
度変更手段とに制御する制御手段３に接続されていると
共に、質量分析器４の磁束密度を設定するＭＰＳ８に接
続されている。
示すように、オシロスコープ等のビーム電流密度測定器
６に接続されており、ビーム電流密度測定器６は、例え
ば図４および図５に示すように、測定子５ａ…・５ｂ…
から入力されたビーム電流を基にしてＸ方向およびＹ方
向のイオン密度の分布状態を表示するようになってい
る。そして、ビーム電流密度測定器６は、制御手段３に
接続されており、制御手段３は、上述の引出電極２の設
置状態を設定するギャップ変更手段と水平移動手段と角
度変更手段とに制御する制御手段３に接続されていると
共に、質量分析器４の磁束密度を設定するＭＰＳ８に接
続されている。
【００１８】上記の制御手段３は、ビーム電流密度測定
器６を介して入力されたビーム電流をデジタル化してビ
ーム電流データとして処理するＣＰＵ（Central Proces
singUnit)等の演算部およびＲＡＭ（Random Access Mem
ory）やＲＯＭ（Read OnlyMemory) 等の記憶部を有して
おり、記憶部のＲＡＭには、ビーム電流データを記憶す
るビーム電流データ記憶領域が形成されている。
器６を介して入力されたビーム電流をデジタル化してビ
ーム電流データとして処理するＣＰＵ（Central Proces
singUnit)等の演算部およびＲＡＭ（Random Access Mem
ory）やＲＯＭ（Read OnlyMemory) 等の記憶部を有して
おり、記憶部のＲＡＭには、ビーム電流データを記憶す
るビーム電流データ記憶領域が形成されている。
【００１９】また、記憶部のＲＯＭには、ビーム電流デ
ータを基にしてイオンビーム７の軌道ズレを修正する軌
道ズレ修正ルーチンが記憶されており、この軌道ズレ修
正ルーチンは、ビーム電流データによるイオン密度の分
布状態を基にしてギャップ変更手段と水平移動手段と角
度変更手段とＭＰＳ８との少なくとも一つを制御し、イ
オン密度の分布状態が最も均一化するように引出電極２
の設置状態および質量分析器４の磁束密度を調整するよ
うになっている。
ータを基にしてイオンビーム７の軌道ズレを修正する軌
道ズレ修正ルーチンが記憶されており、この軌道ズレ修
正ルーチンは、ビーム電流データによるイオン密度の分
布状態を基にしてギャップ変更手段と水平移動手段と角
度変更手段とＭＰＳ８との少なくとも一つを制御し、イ
オン密度の分布状態が最も均一化するように引出電極２
の設置状態および質量分析器４の磁束密度を調整するよ
うになっている。
【００２０】上記の構成において、イオン注入装置の動
作について説明する。
作について説明する。
【００２１】イオン源１が正電荷のイオンを形成する
と、このイオンは、負電圧を印加された引出電極２方向
に引き寄せられ、開口部１ａから質量分析器４方向へ所
定の速度で引き出されることになる。質量分析器４内に
導入されたイオンは、質量分析器４内の磁界の影響によ
って進行方向が曲折され、質量に対応した軌道に分離し
て進行することになる。
と、このイオンは、負電圧を印加された引出電極２方向
に引き寄せられ、開口部１ａから質量分析器４方向へ所
定の速度で引き出されることになる。質量分析器４内に
導入されたイオンは、質量分析器４内の磁界の影響によ
って進行方向が曲折され、質量に対応した軌道に分離し
て進行することになる。
【００２２】質量分析器４の中心部の軌道を進行するイ
オンは、分析スリットを介してキャッチプレート５方向
へイオンビーム７として進行することになり、キャッチ
プレート５に照射されたイオンビーム７は、図３の測定
子５ａ…・５ｂ…にビーム電流を生じさせることにな
る。そして、各測定子５ａ…・５ｂ…のビーム電流は、
ビーム電流密度測定器６に入力されることになり、ビー
ム電流密度測定器６は、測定子５ａ…・５ｂ…のビーム
電流からＸ方向およびＹ方向のイオン密度の分布状態を
表示することになる。
オンは、分析スリットを介してキャッチプレート５方向
へイオンビーム７として進行することになり、キャッチ
プレート５に照射されたイオンビーム７は、図３の測定
子５ａ…・５ｂ…にビーム電流を生じさせることにな
る。そして、各測定子５ａ…・５ｂ…のビーム電流は、
ビーム電流密度測定器６に入力されることになり、ビー
ム電流密度測定器６は、測定子５ａ…・５ｂ…のビーム
電流からＸ方向およびＹ方向のイオン密度の分布状態を
表示することになる。
【００２３】即ち、図３に示すように、例えば実線の位
置にイオンビーム７が照射されている場合には、図４お
よび図５に示すように、ビーム電流密度測定器６がＸ方
向およびＹ方向に略左右対象のイオン密度を表示するこ
とになる。また、例えば破線の位置にイオンビーム７が
照射されている場合には、図６および図７に示すよう
に、Ｘ方向の一方に偏ったイオン密度の分布状態を表示
することになる。これにより、操作者は、ビーム電流密
度測定器６に表示された分布状態を確認することによっ
て、イオンビーム７の軌道ズレの有無を認識できること
になる。
置にイオンビーム７が照射されている場合には、図４お
よび図５に示すように、ビーム電流密度測定器６がＸ方
向およびＹ方向に略左右対象のイオン密度を表示するこ
とになる。また、例えば破線の位置にイオンビーム７が
照射されている場合には、図６および図７に示すよう
に、Ｘ方向の一方に偏ったイオン密度の分布状態を表示
することになる。これにより、操作者は、ビーム電流密
度測定器６に表示された分布状態を確認することによっ
て、イオンビーム７の軌道ズレの有無を認識できること
になる。
【００２４】また、各測定子５ａ…・５ｂ…のビーム電
流は、図１に示すように、ビーム電流密度測定器６を介
して制御手段３にも入力されている。制御手段３に入力
されたビーム電流は、ビーム電流データに変換された
後、記憶手段のビーム電流データ記憶領域に記憶される
ことになり、これらのビーム電流データは、軌道ズレ修
正ルーチンの実行時に使用されることになる。
流は、図１に示すように、ビーム電流密度測定器６を介
して制御手段３にも入力されている。制御手段３に入力
されたビーム電流は、ビーム電流データに変換された
後、記憶手段のビーム電流データ記憶領域に記憶される
ことになり、これらのビーム電流データは、軌道ズレ修
正ルーチンの実行時に使用されることになる。
【００２５】即ち、軌道ズレ修正ルーチンは、先ず、ビ
ーム電流データからイオン密度の分布状態を確認するこ
とになる。この分布状態の確認によって、例えば図６お
よび図７に示すように、イオン密度の分布状態がＸ方向
の一方にのみ偏っていると判定した場合には、イオンビ
ーム７の照射面をＸ方向の他方に移動させるように、例
えば水平移動手段を制御して引出電極２を移動させると
共にＭＰＳ８を制御して質量分析器４の磁束密度を変更
し、イオンビーム７の軌道を変化させることになる。
ーム電流データからイオン密度の分布状態を確認するこ
とになる。この分布状態の確認によって、例えば図６お
よび図７に示すように、イオン密度の分布状態がＸ方向
の一方にのみ偏っていると判定した場合には、イオンビ
ーム７の照射面をＸ方向の他方に移動させるように、例
えば水平移動手段を制御して引出電極２を移動させると
共にＭＰＳ８を制御して質量分析器４の磁束密度を変更
し、イオンビーム７の軌道を変化させることになる。
【００２６】この際、制御手段３は、測定子５ａ…・５
ｂ…からのビーム電流データを基にした分布状態の確認
を常時実行しており、図４に示すように、イオン密度の
分布状態が最も左右対象になったと判定したときに、引
出電極２の移動および質量分析器４の磁束密度の変更を
停止させることになる。これにより、イオンビーム７
は、図３に示すように、照射面が破線の位置から実線の
位置へ移動することによって、軌道ズレが修正されるこ
とになる。
ｂ…からのビーム電流データを基にした分布状態の確認
を常時実行しており、図４に示すように、イオン密度の
分布状態が最も左右対象になったと判定したときに、引
出電極２の移動および質量分析器４の磁束密度の変更を
停止させることになる。これにより、イオンビーム７
は、図３に示すように、照射面が破線の位置から実線の
位置へ移動することによって、軌道ズレが修正されるこ
とになる。
【００２７】このように、本実施例のイオン注入装置
は、制御手段３がイオン密度の分布状態からイオンビー
ム７の軌道ズレの有無を判定し、判定結果に基づいて引
出電極２の設置状態および質量分析器４の磁束密度を調
整するようになっている。従って、このイオン注入装置
は、軌道ズレの判定に基づく引出電極２および質量分析
器４による軌道ズレの調整が人手を介さずに行われるた
め、軌道ズレの修正時の操作者の負担を解消することが
可能になっていると共に、制御手段３による調整時間の
短縮化から生産性を向上させることが可能になってい
る。
は、制御手段３がイオン密度の分布状態からイオンビー
ム７の軌道ズレの有無を判定し、判定結果に基づいて引
出電極２の設置状態および質量分析器４の磁束密度を調
整するようになっている。従って、このイオン注入装置
は、軌道ズレの判定に基づく引出電極２および質量分析
器４による軌道ズレの調整が人手を介さずに行われるた
め、軌道ズレの修正時の操作者の負担を解消することが
可能になっていると共に、制御手段３による調整時間の
短縮化から生産性を向上させることが可能になってい
る。
【００２８】
【発明の効果】本発明のイオン注入装置は、以上のよう
に、イオンビームの軌道ズレを引出電極の設置状態を調
整することによって修正するものであり、設置状態を変
更可能な引出電極と、上記イオンビームが照射される所
定領域のイオン密度を検出するイオン密度検出手段と、
上記イオン密度の分布状態からイオンビームの軌道ズレ
の有無を判定して引出電極の設置状態を調整する制御手
段とを有している構成である。
に、イオンビームの軌道ズレを引出電極の設置状態を調
整することによって修正するものであり、設置状態を変
更可能な引出電極と、上記イオンビームが照射される所
定領域のイオン密度を検出するイオン密度検出手段と、
上記イオン密度の分布状態からイオンビームの軌道ズレ
の有無を判定して引出電極の設置状態を調整する制御手
段とを有している構成である。
【００２９】これにより、制御手段がイオン密度の分布
状態からイオンビームの軌道ズレの有無を判定し、判定
結果に基づいて引出電極の設置状態および質量分析器の
磁束密度を調整するため、軌道ズレの判定と引出電極お
よび質量分析器による軌道ズレの調整とが人手を介さず
に行われることになり、軌道ズレの修正時の操作者の負
担を解消することが可能になると共に、制御手段による
調整時間の短縮化から生産性を向上させることが可能に
なるという効果を奏する。
状態からイオンビームの軌道ズレの有無を判定し、判定
結果に基づいて引出電極の設置状態および質量分析器の
磁束密度を調整するため、軌道ズレの判定と引出電極お
よび質量分析器による軌道ズレの調整とが人手を介さず
に行われることになり、軌道ズレの修正時の操作者の負
担を解消することが可能になると共に、制御手段による
調整時間の短縮化から生産性を向上させることが可能に
なるという効果を奏する。
【図１】本発明のイオン注入装置の概略構成図である。
【図２】引出電極の斜視図である。
【図３】キャッチプレートにイオンビームが照射された
状態を示す説明図である。
状態を示す説明図である。
【図４】ビーム電流密度測定器がＸ方向のイオン密度の
分布状態を表示した状態を示す説明図である。
分布状態を表示した状態を示す説明図である。
【図５】ビーム電流密度測定器がＹ方向のイオン密度の
分布状態を表示した状態を示す説明図である。
分布状態を表示した状態を示す説明図である。
【図６】ビーム電流密度測定器がＸ方向のイオン密度の
分布状態を表示した状態を示す説明図である。
分布状態を表示した状態を示す説明図である。
【図７】ビーム電流密度測定器がＹ方向のイオン密度の
分布状態を表示した状態を示す説明図である。
分布状態を表示した状態を示す説明図である。
【図８】従来例を示すものであり、イオン注入装置の概
略構成図である。
略構成図である。
１ イオン源 ２ 引出電極 ２ａ 引出孔 ３ 制御手段 ４ 質量分析器 ５ キャッチプレート（イオン密度検出手段） ５ａ 測定子 ５ｂ 測定子 ６ ビーム電流密度測定器 ７ イオンビーム ８ ＭＰＳ
Claims (1)
- 【請求項１】イオンビームの軌道ズレをイオン密度の分
布状態を基にして修正するイオン注入装置において、 設置状態を変更可能な引出電極と、磁束密度を変更可能
な質量分析器と、上記イオンビームが照射される所定領
域のイオン密度を検出するイオン密度検出手段と、上記
イオン密度の分布状態からイオンビームの軌道ズレの有
無を判定して引出電極の設置状態および質量分析器の磁
束密度を調整する制御手段とを有していることを特徴と
するイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22712491A JPH0567449A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22712491A JPH0567449A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567449A true JPH0567449A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16855859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22712491A Pending JPH0567449A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567449A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153401A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Nec Corp | イオン注入装置 |
| US7462847B2 (en) | 2005-10-28 | 2008-12-09 | Panasonic Corporation | Ion implanter and ion implantation control method thereof |
| JP2009031339A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 配向処理装置 |
| WO2009122555A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法、イオンビームの調整方法及びイオン注入装置 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22712491A patent/JPH0567449A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153401A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Nec Corp | イオン注入装置 |
| US7462847B2 (en) | 2005-10-28 | 2008-12-09 | Panasonic Corporation | Ion implanter and ion implantation control method thereof |
| JP2009031339A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 配向処理装置 |
| WO2009122555A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法、イオンビームの調整方法及びイオン注入装置 |
| JP5212465B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法、イオンビームの調整方法及びイオン注入装置 |
| US8581216B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-11-12 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method of semiconductor device, method for controlling ion beam, and ion implantation apparatus |
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