KR100752451B1 - 빔 전류 센서를 사용하여 이온 빔 시스템을 정렬하기 위한방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (34)
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- 이온 빔을 센싱하기 위한 방법이며,이온 빔을 발생시키고 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하는 단계와, 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서로 이온 빔을 센싱하는 단계를 포함하며,상기 빔 전류 센서는 빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지고,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,센싱된 이온 빔 위치가 소정의 이온 빔 경로와 다른 경우 이온 빔 위치를 조절하는 단계를 추가로 포함하고,이온 빔 위치를 조절하는 단계는 최대 센싱된 이온 빔 전류로 이온 빔 위치를 조절하는 단계를 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
- 이온 빔을 센싱하기 위한 방법이며,이온 빔을 발생시키고 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하는 단계와, 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서로 이온 빔을 센싱하는 단계를 포함하며,상기 빔 전류 센서는 빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지고,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,센싱된 이온 빔 위치가 소정의 이온 빔 경로와 다른 경우 이온 빔 위치를 조절하는 단계를 추가로 포함하고,자기장을 이온 빔에 인가하는 단계를 추가로 포함하며, 이온 빔 위치를 조절하는 단계는 이온 빔에 인가된 자기장을 조절하는 단계를 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
- 제4항에 있어서, 이온 빔을 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 자기장을 결정하는 단계를 추가로 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
- 이온 빔을 센싱하기 위한 방법이며,이온 빔을 발생시키고 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하는 단계와, 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서로 이온 빔을 센싱하는 단계를 포함하며,상기 빔 전류 센서는 빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지고,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,센싱된 이온 빔 위치가 소정의 이온 빔 경로와 다른 경우 이온 빔 위치를 조절하는 단계를 추가로 포함하고,전기장을 이온 빔에 인가하는 단계를 추가로 포함하고, 이온 빔 위치를 조절하는 단계는 이온 빔에 인가된 전기장을 조절하는 단계를 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
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- 이온 빔을 센싱하기 위한 방법이며,이온 빔을 발생시키고 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하는 단계와, 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서로 이온 빔을 센싱하는 단계를 포함하며,상기 빔 전류 센서는 빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지고,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,빔 전류 센서를 사용하며, 이온 빔을 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 시스템 요소의 파라미터(Y)와 이온 빔의 특성(X) 사이의 관계식 Y=f(X)를 결정하는 단계를 추가로 포함하며, 시스템 요소가 이온 빔의 특성(X)과 시스템 요소의 파라미터(Y)에 의해 결정되는 소정의 이온 경로에 대해 이온 빔의 위치를 변화시키고,특성(X)은 이온 빔의 자기 강도를 포함하고 시스템 요소의 파라미터(Y)는 시스템 요소에 의해 생성된 자기장을 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
- 이온 빔을 센싱하기 위한 방법이며,이온 빔을 발생시키고 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하는 단계와, 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서로 이온 빔을 센싱하는 단계를 포함하며,상기 빔 전류 센서는 빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지고,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,빔 전류 센서를 사용하며, 이온 빔을 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 시스템 요소의 파라미터(Y)와 이온 빔의 특성(X) 사이의 관계식 Y=f(X)를 결정하는 단계를 추가로 포함하며, 시스템 요소가 이온 빔의 특성(X)과 시스템 요소의 파라미터(Y)에 의해 결정되는 소정의 이온 경로에 대해 이온 빔의 위치를 변화시키고,특성(X)은 이온 빔의 대전 상태와 에너지를 포함하고 시스템 요소의 파라미터(Y)는 시스템 요소에 의해 생성된 전기장을 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
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- 이온 빔을 센싱하기 위한 방법이며,이온 빔을 발생시키고 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하는 단계와, 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서로 이온 빔을 센싱하는 단계를 포함하며,상기 빔 전류 센서는 빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지고,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,제1 자기 강도(R1)를 갖는 제1 이온 빔을 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 제1 자기장(B1)을 결정하도록 빔 전류 센서를 사용하는 단계와, 제2 자기 강도(R2)를 갖는 제2 이온 빔을 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 제2 자기장(B2)을 결정하도록 빔 전류 센서를 사용하는 단계와, B1, B2, R1 및 R2의 값으로부터 식 B=a1R+a0의 a1 및 a0의 값을 계산하여, 자기장(B) 과 이온 빔의 자기강도(R) 사이의 관계를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
- 제15항에 있어서, 제1 자기장(B1)을 결정하는 단계와 제2 자기장(B2)을 결정하는 단계는 각각 이온 빔을 발생시키는 단계와, 빔 전류 센서로 이온 빔의 위치를 센싱하는 단계와, 빔 전류 센서가 이온 빔이 소정의 경로를 따라 유도되는 것을 나타낼 때까지 이온 빔에 인가된 자기장을 조절하는 단계와, 이온 빔을 소정의 경로를 따라 유도되는데 필요한 자기장의 값을 기록하는 단계를 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
- 제16항에 있어서, 자기장을 조절하는 단계는 최대 센싱된 전류로 자기장을 조절하는 단계를 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
- 이온 빔을 센싱하기 위한 방법이며,이온 빔을 발생시키고 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하는 단계와, 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서로 이온 빔을 센싱하는 단계를 포함하며,상기 빔 전류 센서는 빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지고,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,이온 빔에 대해 횡방향으로 이온 빔에 대해 빔 전류 센서를 변경하는 단계를 추가로 포함하고, 센싱된 이온 빔 전류는 횡방향의 이온 빔 크기를 나타내는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
- 제18항에 있어서, 이온 빔에 대해 빔 전류 센서를 변경하는 단계는 고정된 이온 빔에 대해 빔 전류 센서를 변경하는 단계를 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
- 제18항에 있어서, 이온 빔에 대해 빔 전류 센서를 변경하는 단계는 고정된 빔 전류 센서에 대해 이온 빔을 편향시키는 단계를 포함하는 이온 빔을 센싱하기 위한 방법.
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- 이온 빔을 발생시키고 타겟 위치로 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하기 위한 이온 공급원과,상기 빔 라인에 대해 상기 이온 빔을 편향시키기 위해 상기 빔 라인을 따라 배치된 이온 빔 편향 요소와,이온 빔 전류를 센싱하기 위해 상기 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서와,상기 이온 빔이 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도되도록 센싱된 이온 빔 위치에 반응하여 상기 이온 빔 편향 요소를 조절하기 위한 수단을 포함하며,상기 빔 전류 센서는 상기 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지며,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,상기 이온 빔 편향 요소는 이온 빔에 자기장을 인가하기 위한 자기 편향 요소를 포함하고 상기 이온 빔 편향 요소를 조절하기 위한 상기 수단이 상기 편향 요소에 의해 이온 빔에 인가된 자기장을 조절하기 위한 수단을 포함하는 이온 주입기.
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- 이온 빔을 발생시키고 타겟 위치로 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하기 위한 이온 공급원과,상기 빔 라인에 대해 상기 이온 빔을 편향시키기 위해 상기 빔 라인을 따라 배치된 이온 빔 편향 요소와,이온 빔 전류를 센싱하기 위해 상기 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서와,상기 이온 빔이 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도되도록 센싱된 이온 빔 위치에 반응하여 상기 이온 빔 편향 요소를 조절하기 위한 수단을 포함하며,상기 빔 전류 센서는 상기 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지며,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,상기 이온 빔 편향 요소는 편향 요소의 파라미터(Y)와 이온 빔의 특성(X)에 의거하여 소정의 이온 빔의 경로에 대해 상기 이온 빔의 위치를 변화시키고, 상기 장치는 이온 빔이 소정의 이온 빔의 경로를 따라 유도되는데 필요한 편향 요소의 파라미터(Y)와 이온 빔의 특성(X) 사이의 관계식 Y=f(X)를 결정하기 위해 빔 전류 센서를 사용하는 수단을 추가로 포함하고,상기 편향 요소는 자기 요소를 포함하고, 특성(X)은 이온 빔의 자기 강도를 포함하며 파라미터(Y)는 자기 요소에 의해 생성된 자기장을 포함하는 이온 주입기.
- 이온 빔을 발생시키고 타겟 위치로 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하기 위한 이온 공급원과,상기 빔 라인에 대해 상기 이온 빔을 편향시키기 위해 상기 빔 라인을 따라 배치된 이온 빔 편향 요소와,이온 빔 전류를 센싱하기 위해 상기 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서와,상기 이온 빔이 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도되도록 센싱된 이온 빔 위치에 반응하여 상기 이온 빔 편향 요소를 조절하기 위한 수단을 포함하며,상기 빔 전류 센서는 상기 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지며,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,상기 이온 빔 편향 요소는 편향 요소의 파라미터(Y)와 이온 빔의 특성(X)에 의거하여 소정의 이온 빔의 경로에 대해 상기 이온 빔의 위치를 변화시키고, 상기 장치는 이온 빔이 소정의 이온 빔의 경로를 따라 유도되는데 필요한 편향 요소의 파라미터(Y)와 이온 빔의 특성(X) 사이의 관계식 Y=f(X)를 결정하기 위해 빔 전류 센서를 사용하는 수단을 추가로 포함하고,상기 편향 요소는 정전 요소를 포함하고, 특성(X)은 이온 빔의 대전 상태와 빔 에너지를 포함하며 파라미터(Y)는 정전 요소에 의해 생성된 전기장을 포함하는 이온 주입기.
- 이온 빔을 발생시키고 타겟 위치로 빔 라인을 따라 이온 빔을 유도하기 위한 이온 공급원과,상기 빔 라인에 대해 상기 이온 빔을 편향시키기 위해 상기 빔 라인을 따라 배치된 이온 빔 편향 요소와,이온 빔 전류를 센싱하기 위해 상기 빔 라인 상에 또는 그에 인접하여 위치설정된 빔 전류 센서와,상기 이온 빔이 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도되도록 센싱된 이온 빔 위치에 반응하여 상기 이온 빔 편향 요소를 조절하기 위한 수단을 포함하며,상기 빔 전류 센서는 상기 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 가지며,센싱된 이온 빔 전류는 소정의 이온 빔 경로에 대한 이온 빔 위치를 나타내고,제1 자기 강도(R1)를 갖는 제1 이온 빔을 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 제1 자기장(B1)을 결정하도록 빔 전류 센서를 사용하는 수단과, 제2 자기 강도(R2)를 갖는 제2 이온 빔을 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 제2 자기장(B2)을 결정하도록 빔 전류 센서를 사용하는 수단과, B1, B2, R1 및 R2의 값으로부터 식 B=a1R+a0의 a1 및 a0의 값을 계산하여, 이온 주입기에 대한 이온 빔과 자기장(B)의 자기 강도(R) 사이의 관계식을 제공하는 수단을 추가로 포함하는 이온 주입기.
- 이온 빔을 이온 주입기 내의 소정의 경로를 따라 유도하는데 필요한 자기장(B)과 이온 빔의 자기 강도(R) 사이의 관계를 결정하기 위한 방법이며,빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 갖는 빔 전류 센서를 소정의 경로 상에 또는 그에 인접하여 위치설정하는 단계와,제1 자기 강도(R1)를 갖는 제1 이온 빔을 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 제1 자기장(B1)을 결정하도록 빔 전류 센서를 사용하는 단계와,제2 자기 강도(R2)를 갖는 제2 이온 빔을 소정의 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 제2 자기장(B2)을 결정하도록 빔 전류 센서를 사용하는 단계와,B1, B2, R1 및 R2의 값으로부터 식 B=a1R+a0의 a1 및 a0의 값을 계산하여, 이온 주입기에 대한 자기장(B)과 이온 빔의 자기 강도(R) 사이의 관계식을 제공하는 단계를 포함하는 자기장(B)과 이온 빔의 자기 강도(R) 사이의 관계를 결정하기 위한 방법.
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- 시스템 요소가 이온 빔의 특성(X)과 시스템 요소의 파라미터(Y)에 의거하여 이온 빔 경로에 대해 이온 빔의 위치를 변화시키는 이온 빔 시스템 내의 시스템 요소를 교정하기 위한 방법이며,빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 갖는 빔 전류 센서를 이온 빔 경로 상에 또는 그에 인접하여 위치설정하는 단계와,빔 전류 센서를 사용하여 이온 빔을 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 시스템 요소의 파라미터(Y)와 이온 빔의 특성(X) 사이의 관계식 Y=f(X)를 결정하는 단계를 포함하고,특성(X)은 이온 빔의 자기 강도를 포함하고, 파라미터(Y)가 시스템 요소에 의해 생성된 자기장을 포함하는 시스템 요소를 교정하기 위한 방법.
- 시스템 요소가 이온 빔의 특성(X)과 시스템 요소의 파라미터(Y)에 의거하여 이온 빔 경로에 대해 이온 빔의 위치를 변화시키는 이온 빔 시스템 내의 시스템 요소를 교정하기 위한 방법이며,빔 전류 센서에서의 이온 빔의 단면 치수보다 작은 센싱 구멍을 갖는 빔 전류 센서를 이온 빔 경로 상에 또는 그에 인접하여 위치설정하는 단계와,빔 전류 센서를 사용하여 이온 빔을 이온 빔 경로를 따라 유도하는데 필요한 시스템 요소의 파라미터(Y)와 이온 빔의 특성(X) 사이의 관계식 Y=f(X)를 결정하는 단계를 포함하고,특성(X)은 이온 빔의 대전 상태와 에너지를 포함하고 파라미터(Y)는 시스템 요소에 의해 생성된 전기장을 포함하는 시스템 요소를 교정하기 위한 방법.
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