JPS63152844A - イオンビ−ムスキヤン制御装置 - Google Patents
イオンビ−ムスキヤン制御装置Info
- Publication number
- JPS63152844A JPS63152844A JP30077386A JP30077386A JPS63152844A JP S63152844 A JPS63152844 A JP S63152844A JP 30077386 A JP30077386 A JP 30077386A JP 30077386 A JP30077386 A JP 30077386A JP S63152844 A JPS63152844 A JP S63152844A
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- JP
- Japan
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- ion beam
- ion
- wafer
- slit
- disk
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路等の製造の一工程に用いられ
るイオン注入装置に関し、特にイオンビームのスキャン
位置と幅を決定する為のスキャン制御装置に関する。
るイオン注入装置に関し、特にイオンビームのスキャン
位置と幅を決定する為のスキャン制御装置に関する。
従来のイオン注入装置では、第３図に断面図、第４図に
概略図を示すように目的とするイオンビーム４ｄをスキ
ャン部で被処理物の大きさ以上の範囲で走査させ、被処
理物の表面に均一にイオンビーム、が注入されるような
手段がとられてお）、均一な注入が得られるよう、スキ
ャン原点となるスキャン幅の端部９とスキャン幅８の設
定を行なっている。この種のイオンビーム４ｄ 、４ｃ
のスキャン位置の設定は、スキャン端に設けたたった１
つのスリット３ｄ、３ｃを通過したイオンビーム量の最
大値を検出部５ｄ、５ｃ、測定部６ｄ。
概略図を示すように目的とするイオンビーム４ｄをスキ
ャン部で被処理物の大きさ以上の範囲で走査させ、被処
理物の表面に均一にイオンビーム、が注入されるような
手段がとられてお）、均一な注入が得られるよう、スキ
ャン原点となるスキャン幅の端部９とスキャン幅８の設
定を行なっている。この種のイオンビーム４ｄ 、４ｃ
のスキャン位置の設定は、スキャン端に設けたたった１
つのスリット３ｄ、３ｃを通過したイオンビーム量の最
大値を検出部５ｄ、５ｃ、測定部６ｄ。
６Ｃで見つけることによシ、スキャン端を求めてスキャ
ン原点９とし、スキャン幅８は装置に内菫された固有値
を用い、スキャン位置を決定していた。
ン原点９とし、スキャン幅８は装置に内菫された固有値
を用い、スキャン位置を決定していた。
上述した従来のイオンビームスキャン制御装置は、図４
に示す通シスリットが１つであシ、また図３に示すよう
にスリットの大きさよシ大幅に異なった大きさのイオン
ビームの最大値を見つける時、スリット上をビームを何
回か往復させ、スリットを通過したビーム量が最大とな
る位置をスキャン原点と設定するものとなっている為、
ビームの密度分布がどうなっているか求めることが出来
ず、イオンビームの中心位置を正確に検出することが困
難であり、スキャン原点の設定に多大な時間を費さねば
ならない。
に示す通シスリットが１つであシ、また図３に示すよう
にスリットの大きさよシ大幅に異なった大きさのイオン
ビームの最大値を見つける時、スリット上をビームを何
回か往復させ、スリットを通過したビーム量が最大とな
る位置をスキャン原点と設定するものとなっている為、
ビームの密度分布がどうなっているか求めることが出来
ず、イオンビームの中心位置を正確に検出することが困
難であり、スキャン原点の設定に多大な時間を費さねば
ならない。
半導体ウェハ上をある計算式に基づいて変速しなカラ、
イオンビームをスキャンする装置では、計算式上でのビ
ームの位置と実際の位置を一致させることが必要である
が、ビームのウェハ上での位置は、ビームに印加する磁
場または電場の強さにより間接的にしか検出する方法が
無く、この誤差がイオン注入の均一性をそこなう大きな
要因となっている。
イオンビームをスキャンする装置では、計算式上でのビ
ームの位置と実際の位置を一致させることが必要である
が、ビームのウェハ上での位置は、ビームに印加する磁
場または電場の強さにより間接的にしか検出する方法が
無く、この誤差がイオン注入の均一性をそこなう大きな
要因となっている。
上述した従来のイオンビームスキャン制御装置に対し、
本発明はディスクにディスク半径方向に複数のスリット
を設け、ディスクに固定された半導体ウェハにイオンを
注入している間に同時に各スリットを通過した分割され
たイオンビームを検出、 ６１１１定、比較することに
よシ、イオンビームのウェハへの注入位置を正確に検出
することが出来、今まで注入前に多大な時間を費してい
た、スキャン原点の設定を省略し、注入中に正確なビー
ムの位置を直接検出出来る為、計算式上でのビームの位
置と、実際にスキャンされているビームの位置を容易に
一致させることが出来、半導体ウェハへのイオンの注入
均一性を向上させることが出来る。
本発明はディスクにディスク半径方向に複数のスリット
を設け、ディスクに固定された半導体ウェハにイオンを
注入している間に同時に各スリットを通過した分割され
たイオンビームを検出、 ６１１１定、比較することに
よシ、イオンビームのウェハへの注入位置を正確に検出
することが出来、今まで注入前に多大な時間を費してい
た、スキャン原点の設定を省略し、注入中に正確なビー
ムの位置を直接検出出来る為、計算式上でのビームの位
置と、実際にスキャンされているビームの位置を容易に
一致させることが出来、半導体ウェハへのイオンの注入
均一性を向上させることが出来る。
すなわち本発明のイオンビームスキャン制御装置は、イ
オンビームを分割し、通過させる為の複数のスリットと
それぞれのスリットを通過したイオンビームを受ける為
の検出部、受けたビーム量をカウントする為のビーム量
測定部及びそれぞれのスリットを通過したビーム量の比
較を行ない、ビームのウェハ上での正確な位置を決定す
る演算部を有している。
オンビームを分割し、通過させる為の複数のスリットと
それぞれのスリットを通過したイオンビームを受ける為
の検出部、受けたビーム量をカウントする為のビーム量
測定部及びそれぞれのスリットを通過したビーム量の比
較を行ない、ビームのウェハ上での正確な位置を決定す
る演算部を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は平面図で、ディスク１ａに複数の被処理物であ
る半導体ウェハー２が設置され、ディスクには複数のス
リット３ａが形成されている。第２図は本発明の一実施
例の断面図である。図中でイオンビーム４ｂは半導体ウ
ェハを並置し固定するディスク１ｂに設けられた複数に
分割されたスリン）３ｂを通過し、それぞれのスリン）
３ｂに対応したイオンビーム検出部５ｂに入る。イオン
ビーム検出部５ｂに入った分割されたイオンビームは、
イオンビーム測定部６ｂにより測定され演算部７により
、ディスク中心からの位置によ）入射ビーム量に換算さ
れる。各スリットを通過したビーム量を比較することに
よシイオンビームの密度分布を求め、スリッ°トの位置
とイオンビームの密度分布の関係よシ、正確にディスク
中心からのビームの位置、すなわちウェハ上でのビーム
の位置を検出することが出来る。
る半導体ウェハー２が設置され、ディスクには複数のス
リット３ａが形成されている。第２図は本発明の一実施
例の断面図である。図中でイオンビーム４ｂは半導体ウ
ェハを並置し固定するディスク１ｂに設けられた複数に
分割されたスリン）３ｂを通過し、それぞれのスリン）
３ｂに対応したイオンビーム検出部５ｂに入る。イオン
ビーム検出部５ｂに入った分割されたイオンビームは、
イオンビーム測定部６ｂにより測定され演算部７により
、ディスク中心からの位置によ）入射ビーム量に換算さ
れる。各スリットを通過したビーム量を比較することに
よシイオンビームの密度分布を求め、スリッ°トの位置
とイオンビームの密度分布の関係よシ、正確にディスク
中心からのビームの位置、すなわちウェハ上でのビーム
の位置を検出することが出来る。
以上説明したように本発明は、ディスク上に設けられた
複数に分割されたスリットを通過した複数に分割された
イオンビームを検出測定し、ビーム量の比較によシビー
ムの密度分布を知シ、ビームの中心位置をディスクの中
心位置からの距離として正確に決定し、ディスクに固定
されているウェハ上でのビームの正確な位置を検出する
ことにより、今まで多大な時間を費していたスキャン原
点の設定を省略し、ウェハ全面にイオンを注入するのに
必要な最小限のスキャン幅を設定し、正確なウェハ上の
位置に対応した正確なスキャンスピードで、イオン注入
することが出来、注入均一性を同上させ注入時間をも減
少させる効果がある。
複数に分割されたスリットを通過した複数に分割された
イオンビームを検出測定し、ビーム量の比較によシビー
ムの密度分布を知シ、ビームの中心位置をディスクの中
心位置からの距離として正確に決定し、ディスクに固定
されているウェハ上でのビームの正確な位置を検出する
ことにより、今まで多大な時間を費していたスキャン原
点の設定を省略し、ウェハ全面にイオンを注入するのに
必要な最小限のスキャン幅を設定し、正確なウェハ上の
位置に対応した正確なスキャンスピードで、イオン注入
することが出来、注入均一性を同上させ注入時間をも減
少させる効果がある。
第１図は本発明の平面図、第２図は本発明の断面図、第
３図は従来の装置の断面図、第４図は従来の装置の概略
図である。 ｌａ、ｌｂ・・・・・・ディスク、２・・・・・・ウェ
ハ、３ａ。 ３ｂ 、３Ｃ，３ｄ・−・・−スリット、４ｂ 、４ｃ
、４ｄ・−・・・イオンビーム、５ｂ、５ｃ、５ｄ・
・・・・・ビーム検出部、６ｂ、６Ｃ，６ｄ・・・・・
・ビーム測定部、７・・・・・・演算部、８・・・・・
・スキャン幅、９・・・・・・スキャン端子。
３図は従来の装置の断面図、第４図は従来の装置の概略
図である。 ｌａ、ｌｂ・・・・・・ディスク、２・・・・・・ウェ
ハ、３ａ。 ３ｂ 、３Ｃ，３ｄ・−・・−スリット、４ｂ 、４ｃ
、４ｄ・−・・・イオンビーム、５ｂ、５ｃ、５ｄ・
・・・・・ビーム検出部、６ｂ、６Ｃ，６ｄ・・・・・
・ビーム測定部、７・・・・・・演算部、８・・・・・
・スキャン幅、９・・・・・・スキャン端子。
Claims (1)
- 半導体集積回路等のウエハへの不純物注入に用いられて
いるイオン注入装置に於て、ウェハを固定する為のディ
スク上にウェハの径よりやや広い範囲にディスク半径方
向に一定間隔で複数のスリットを設け、ディスク後方に
各スリットを通過した分割されたイオンビームを受ける
為の複数のビーム検出部、ビーム計測部及びビーム量比
較部を設け、イオンビームのウェハ上での正確な位置を
検出することにより最小のスキャン幅と、ウェハの位置
に対応した正確なスキャンスピードを設定出来るように
したことを特徴としたイオンビームスキャン制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30077386A JPS63152844A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | イオンビ−ムスキヤン制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30077386A JPS63152844A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | イオンビ−ムスキヤン制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63152844A true JPS63152844A (ja) | 1988-06-25 |
Family
ID=17888914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30077386A Pending JPS63152844A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | イオンビ−ムスキヤン制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63152844A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277843U (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-14 | ||
| EP0457321A2 (en) * | 1990-05-17 | 1991-11-21 | Nissin Electric Company, Limited | Method and apparatus for measuring ion beam collimation, shaping the ion beam and controlling scanning thereof |
| JP2001185072A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-06 | Applied Materials Inc | イオン注入装置およびそれに用いるビームストップ |
| JP2003504820A (ja) * | 1999-07-08 | 2003-02-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ビーム電流センサを使用してイオンビーム装置を位置合わせするための方法及び装置 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP30077386A patent/JPS63152844A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277843U (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-14 | ||
| EP0457321A2 (en) * | 1990-05-17 | 1991-11-21 | Nissin Electric Company, Limited | Method and apparatus for measuring ion beam collimation, shaping the ion beam and controlling scanning thereof |
| JP2003504820A (ja) * | 1999-07-08 | 2003-02-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ビーム電流センサを使用してイオンビーム装置を位置合わせするための方法及び装置 |
| JP2001185072A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-06 | Applied Materials Inc | イオン注入装置およびそれに用いるビームストップ |
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