JP2017510024A - 画定アパーチャの浸食検出方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- イオンビームを発生するイオン源と、
2つの異なるサイズのアパーチャを有する画定アパーチャ板と、
前記2つの異なるサイズのアパーチャの各々の背後にそれぞれ配置された2つの電荷収集器と、
前記画定アパーチャ板を前記イオンビームの一部分を通して動かすアクチュエータと、
前記2つの電荷収集器と通信して前記イオンビームのイオンビーム電流を監視する制御システムと、
を備える、イオン注入システム。 - 前記制御システムは、
前記2つの異なるサイズのアパーチャの幅の比に基づいて初期アパーチャ比を決定し、
前記2つの電荷収集器により測定された電荷に基づいて最新のアパーチャ比を計算し、
前記最新のアパーチャ比と前記初期アパーチャ比とに基づいて補正係数を決定し、
前記2つの電荷収集器により収集された電荷と前記補正係数とに基づいて前記イオンビーム電流を計算し、且つ
前記イオンビーム電流に基づいて前記イオン注入システムのパラメータを設定する、
ように構成されている、請求項1記載のイオン注入システム。 - 前記制御システムは、
前記2つの異なるサイズのアパーチャの幅の比に基づいて初期アパーチャ比を計算し、
前記2つの電荷収集器により測定された電荷に基づいて最新のアパーチャ比を計算し、
前記初期アパーチャ比と前記最新のアパーチャ比とに基づいて前記2つの異なるサイズのアパーチャの浸食の量を決定する、
ように構成されている、請求項1記載のイオン注入システム。 - 前記浸食の量が所定の閾値より小さい場合に前記イオン注入システムはワークピースにイオン注入する、請求項3記載のイオン注入システム。
- 前記浸食の量が所定の閾値より大きい場合に前記制御システムはワークピースへのイオン注入を停止する、請求項3記載のイオン注入システム。
- 前記制御システムは、前記2つの電荷収集器により測定された電荷に基づいて前記イオンビーム内の異常を決定する、請求項1記載のイオン注入システム。
- 前記異常は前記イオンビーム内の空間的異常又は一時的異常を含む、請求項6記載のイオン注入システム。
- イオンビームを用いてワークピースにイオン注入するステップであって、前記イオン注入のパラメータは前記イオンビームのイオンビーム電流に基づくものである、ステップと、
前記イオンビームの一部分の前に、イオンが通過し得る2つの異なるサイズのアパーチャを有する板を通過させるステップと、
前記2つのアパーチャの初期幅の比に基づいて初期アパーチャ比を決定するステップと、
前記2つのアパーチャの各々の背後で第1の電荷収集器及び第2の電荷収集器により受け取られた電荷を収集するステップであって、収集された電荷がそれぞれのアパーチャを通過するイオンビーム電流を表す、ステップと、
前記第1の電荷収集器により収集された電荷と前記第2の電荷収集器により収集された電荷との比に基づいて最新のアパーチャ比を決定するステップと、
を備える、イオンビームを用いてワークピースを処理する方法。 - 前記最新のアパーチャ比が前記初期アパーチャ比から所定の量より大きく偏位しない場合に前記イオン注入を継続するステップを更に備える、請求項8記載の方法。
- 前記最新のアパーチャ比が前記初期アパーチャ比から所定の量より大きく偏位する場合に前記イオン注入を停止するステップを更に備える、請求項8記載の方法。
- 前記初期アパーチャ比と前記最新のアパーチャ比との偏差に基づいて補正係数を決定するステップと、
前記補正係数を用いて前記アパーチャの浸食を補正してイオンビーム電流を計算するステップと、
前記イオン注入中に使用される前記パラメータを前記計算されたイオンビーム電流に基づいて調整するステップと、
を更に備える、請求項8記載の方法。 - 前記イオンビーム内の空間的異常と一時的異常を識別し、前記識別した空間的異常及び一時的異常に基づいて前記パラメータを調整するステップを更に備える、請求項8記載の方法。
- イオンビームを用いてワークピースにイオン注入するステップと、
前記イオンビームの一部分の前に、イオンが通過し得る2つの異なるサイズのアパーチャを有する板を通過させるステップと、
前記2つの異なるサイズのアパーチャのうちの第1のアパーチャの幅と前記2つの異なるサイズのアパーチャのうちの第2のアパーチャの幅との比として定義される初期アパーチャ比を決定するステップと、
前記2つのそれぞれのアパーチャの背後に配置された第1の電荷収集器及び第2の電荷収集器により受け取られた電荷を収集するステップと、
前記第1の電荷収集器により収集された電荷と前記第2の電荷収集器により収集された電荷との比に基づいて最新のアパーチャ比を計算するステップと、
前記最新のアパーチャ比と前記初期アパーチャ比との比較に基づいて前記2つの異なるサイズのアパーチャの浸食を決定するステップと、
前記決定した浸食に基づいて前記イオン注入を修正するステップと、
を備える、イオンビームを用いてワークピースを処理する方法。 - 前記イオン注入を修正するステップは、前記決定した浸食が所定の閾値より大きい場合に前記イオン注入を停止させるステップを含む、請求項13記載の方法。
- 前記イオン注入を修正するステップは、
前記決定した浸食と、前記第1の電荷収集器により収集された前記電荷と、前記第2の電荷収集器により収集された前記電荷とに基づいてイオンビーム電流を計算するステップと、
前記計算したイオンビーム電流に基づいて、前記イオン注入中に使用されるパラメータを調整するステップと、
を含む、請求項13記載の方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04282546A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH07169431A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH0945274A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置のドーズ量補正装置 |
JPH09283074A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Applied Materials Inc | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
JP2006114289A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
JP2007123056A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオン注入装置とそのイオン注入制御方法 |
JP2009009903A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Toshiba Corp | ビーム量測定装置及び半導体装置の製造方法 |
US20110031408A1 (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Mask health monitor using a faraday probe |
JP2011060935A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20130256566A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Sen Corporation | Ion implantation apparatus and control method thereof |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5475231A (en) * | 1993-09-21 | 1995-12-12 | Honeywell Inc. | Apparatus for monitoring ion beams with an electrically isolated aperture |
US5947053A (en) * | 1998-01-09 | 1999-09-07 | International Business Machines Corporation | Wear-through detector for multilayered parts and methods of using same |
US6677598B1 (en) * | 2003-04-29 | 2004-01-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Beam uniformity and angular distribution measurement system |
US20080073553A1 (en) | 2006-02-13 | 2008-03-27 | Ibis Technology Corporation | Ion beam profiler |
US7858955B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-12-28 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of controlling broad beam uniformity |
US8669517B2 (en) * | 2011-05-24 | 2014-03-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Mass analysis variable exit aperture |
US8378318B1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-02-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Fixed mask design improvements |
-
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04282546A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH07169431A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH0945274A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置のドーズ量補正装置 |
JPH09283074A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Applied Materials Inc | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
JP2006114289A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
US20070114456A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ion implanter and ion implantation control method thereof |
JP2007123056A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオン注入装置とそのイオン注入制御方法 |
JP2009009903A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Toshiba Corp | ビーム量測定装置及び半導体装置の製造方法 |
US20110031408A1 (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Mask health monitor using a faraday probe |
JP2013501360A (ja) * | 2009-07-30 | 2013-01-10 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ファラデープローブを利用したマスクの状態のモニタリング |
JP2011060935A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20130256566A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Sen Corporation | Ion implantation apparatus and control method thereof |
JP2013206833A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Sen Corp | イオン注入装置及びその制御方法 |
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