CN107621758B - 一种耐腐蚀透射像传感器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种耐腐蚀的透射像传感器，设置在浸没式光刻机的工作台上，所述透射像传感器的表面设置有一第一隔离涂层，所述第一隔离涂层连接一负电压。采用上述技术方案可以使得涂层带负电，从而有效预防了涂层被电化学腐蚀，减少正离子的游离，提高了传感器感应的准确性。

Description

一种耐腐蚀透射像传感器

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种耐腐蚀透射像传感器及一种具有耐腐蚀透射像传感器的浸没式光刻机。

背景技术

半导体设计制造中的光刻工艺时通过光源和镜头透过中间介质对影响光刻胶实现对晶圆的表面刻蚀。浸没式光刻机较传统的光刻技术差别在于中间介质采用液体，镜头与光刻胶直接与液体接触。光线在液体介质中波长更短可提高光刻的分辨率。浸没式光刻机的光刻机台上设置有透射像传感器，由于透射像传感器在光刻机台上的位置时确定的，可以确定当前镜头相对于光刻机台的表面的位置。

现有的浸没式光刻机的液体介质通常会采用水，因此，透射像传感器表面的涂层的正离子在水的作用下慢慢地移动到镜头与水介质接触的的罩子上，尤其地，对于金属的涂层会形成了电化学腐蚀。随着电化学腐蚀慢慢变得严重，涂层的厚度和物理属性发生改变，造成了传感器接收到的光信号异常，从而影响了在光刻过程中量测和设备定位的准确性，造成了光刻工艺的产品的良率下降。

发明内容

针对现有技术中在浸没式光刻机中存在的上述问题，现提供一种耐腐蚀的透射像传感器及一种具有耐腐蚀透射像传感器的浸没式光刻机。

具体技术方案如下：

一种耐腐蚀的透射像传感器，设置在浸没式光刻机的工作台上，所述透射像传感器的表面设置有一第一隔离涂层，所述第一隔离涂层连接一负电压。

优选的，所述负电压为一直流电。

优选的，所述负电压的电压值为-1000mV。

优选的，所述第一隔离涂层为金属隔离涂层。

优选的，所述第一隔离涂层上覆盖有一第二隔离涂层，所述第二隔离涂层采用石墨烯薄膜涂层。

优选的，一种具有耐腐蚀透射像传感器的浸没式光刻机，所述浸没式光刻机的工作台上设置有至少一个透射像传感器，所述透射像传感器的表面上设置有一第一隔离涂层，所述第一隔离涂层连接一负电压。

优选的，所述负电压为一直流电。

优选的，所述负电压的电压值为-1000mV。

优选的，所述第一隔离涂层为金属隔离涂层。

优选的，所述第一隔离涂层上覆盖有第二隔离涂层，所述第二隔离涂层采用石墨烯薄膜涂层。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：

通过向透射像传感器的第一隔离涂层输入负电压，可以使得第一隔离涂层带负电，从而有效预防了第一隔离涂层被电化学腐蚀，减少正离子的游离，防止所述透射像传感器接收到的光信号异常，从而导致了量测的准确性，影响了产品的良率。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。

图1为本发明一种具有耐腐蚀透射像传感器的浸没式光刻机的实施例的结构示意图；

图2为本发明一种耐腐蚀的透射像传感器的结构示意图。

1、透射像传感器；2、镜头的罩子；3、水介质；4、第二隔离涂层；5、第一隔离涂层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

本发明一种较佳的实施例中，根据图1所示和图2所示，一种耐腐蚀的透射像传感器，设置在浸没式光刻机的工作台上，所述透射像传感器1的表面设置有一第一隔离涂层5，所述第一隔离涂层5连接一负电压；

具体地，本实施例中，由于第一隔离涂层5连接一负电压，使得第一隔离涂层5带负电。浸没式光刻机镜头的罩子2与水介质3接触，涂层与水介质3接触，正离子在水中游离，在第一隔离涂层5上输入一负电后，对于在水介质3中游离的正离子具有吸引力，防止第一隔离涂层5的正离子的游离出去，可以有效的抑制第一隔离涂层5产生电化学腐蚀。在第一隔离涂层5不发生腐蚀时，可以使得透射像传感器1保持良好的感应效果。

本发明一种较佳的实施例中，所述负电压为一直流电。

具体地，本实施例中，采用直流的负电压可以保证第一隔离涂层5在通电过程中保持一个稳定的负电性状态，更有助于阻碍正离子在水介质3中离游。

本发明一种较佳的实施例中，所述负电压的电压值为-1000mV。

具体地，本实施例中，负电压需要保持在-1000mV，此时电压的可以使得第一隔离涂层5保持一个足够的负电性，阻碍正离子在水介质3中离游，同时，输入的负电压也会不使得水介质3被加热或电离，因此，不足以影响水介质3的物理属性，影响光刻的效果。

本发明一种较佳的实施例中，根据图1所示，所述第一隔离涂层5为金属隔离涂层。

具体的，金属隔离涂层具有良好的导电性，可以使得第一隔离涂层5更容易带有负电性。

本发明一种较佳的实施例中，根据图1所示，所述第一隔离涂层5上覆盖有一第二隔离涂层4，所述第二隔离涂层4采用石墨烯薄膜涂层。

具体地，本实施例中，石墨烯薄膜涂层可以有效的将第一隔离涂层5与水介质3隔离，阻止涂层的正离子在水介质3中游离出去。

本发明一种较佳的实施例中，根据图1和图2所示，一种具有耐腐蚀透射像传感器1的浸没式光刻机，所述浸没式光刻机的工作台上设置有至少一个透射像传感器1，所述透射像传感器1的表面上设置有一第一隔离涂层5，所述第一隔离涂层5连接一负电压。

具体地，本实施例中，由于第一隔离涂层5连接一负电压，使得第一隔离涂层5带负电。浸没式光刻机镜头的罩子2与水介质3接触，涂层与水介质3接触，正离子在水中游离，在第一隔离涂层5上输入一负电后，对于在水介质3中游离的正离子具有吸引力，防止第一隔离涂层5的正离子的游离出去，可以有效的抑制第一隔离涂层5产生电化学腐蚀。在第一隔离涂层5不发生腐蚀时，可以使得透射像传感器1保持良好的感应效果。

本发明一种较佳的实施例中，所述负电压为一直流电。

具体地，本实施例中，采用直流的负电压可以保证第一隔离涂层5在通电过程中保持一个稳定的负电性状态，更有助于阻碍正离子在水介质3中离游。

本发明一种较佳的实施例中，所述负电压的电压值为-1000mV。

具体地，本实施例中，负电压需要保持在-1000mV，此时电压的可以使得第一隔离涂层5保持一个足够的负电性，阻碍正离子在水介质3中离游，同时，输入的负电压也会不使得水介质3被加热或电离，因此，不足以影响水介质3的物理属性，影响光刻的效果。

本发明一种较佳的实施例中，根据图1所示，所述第一隔离涂层5为金属隔离涂层。

具体的，金属隔离涂层具有良好的导电性，可以使得第一隔离涂层5更容易带有负电性。

本发明一种较佳的实施例中，根据图1所示，所述第一隔离涂层5上覆盖有第二隔离涂层4，所述第二隔离涂层4采用石墨烯薄膜涂层。

具体地，本实施例中，石墨烯薄膜涂层可以有效的将第一隔离涂层5与水介质3隔离，阻止涂层的正离子在水介质3中游离出去。

以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种耐腐蚀的透射像传感器，其特征在于，设置在浸没式光刻机的工作台上，所述透射像传感器的表面设置有一第一隔离涂层，所述第一隔离涂层连接一负电压；

所述浸没式光刻机镜头的罩子与水介质接触，所述第一隔离涂层与所述水介质接触。

2.根据权利要求1所述的耐腐蚀的透射像传感器，其特征在于，所述负电压为一直流电。

3.根据权利要求1所述的耐腐蚀的透射像传感器，其特征在于，所述负电压的电压值为-1000mV。

4.根据权利要求1所述的耐腐蚀的透射像传感器，其特征在于，所述第一隔离涂层为金属隔离涂层。

5.根据权利要求4所述的耐腐蚀的透射像传感器，其特征在于，所述第一隔离涂层上覆盖有一第二隔离涂层，所述第二隔离涂层采用石墨烯薄膜涂层。

6.一种具有耐腐蚀透射像传感器的浸没式光刻机，其特征在于，所述浸没式光刻机的工作台上设置有至少一个透射像传感器，所述透射像传感器的表面上设置有一第一隔离涂层，所述第一隔离涂层连接一负电压；

所述浸没式光刻机镜头的罩子与水介质接触，所述第一隔离涂层与所述水介质接触。

7.根据权利要求6所述的具有耐腐蚀透射像传感器的浸没式光刻机，其特征在于，所述负电压为一直流电。

8.根据权利要求6所述的具有耐腐蚀透射像传感器的浸没式光刻机，其特征在于，所述负电压的电压值为-1000mV。

9.根据权利要求6所述的具有耐腐蚀透射像传感器的浸没式光刻机，其特征在于，所述第一隔离涂层为金属隔离涂层。

10.根据权利要求6所述的具有耐腐蚀透射像传感器的浸没式光刻机，其特征在于，所述第一隔离涂层上覆盖有第二隔离涂层，所述第二隔离涂层采用石墨烯薄膜涂层。

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