TW201532098A - 離子植入系統以及使用離子束處理工件的方法 - Google Patents

Abstract

結合使用具有至少兩個不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件與至少兩個電荷收集器。由於孔隙寬度的差異，所述兩個電荷收集器接收不同量的離子，其中所述量與相關聯孔隙的寬度成比例。藉由監視第一電荷收集器收集的電荷與第二收集器收集的電荷的比率，而可監視且任選地補償腐蝕量。

Description

限束孔徑之腐蝕偵測方法與機制

本發明的實施例涉及用於偵測例如用於測量射束線離子植入系統(beamline ion implantation system)中的離子束電流的限束孔隙(defining aperture)的腐蝕的方法和設備。

半導體工件常常植入有摻雜物質以產生所需的傳導性。引入到工件中的摻雜物的量對於其正常運作很關鍵。因此，已經使用不同技術來試圖準確測量由離子植入系統所供應的離子束電流。在一些實施例中，例如法拉弟杯(Faraday cup)的電荷收集器定位在工件附近。以此方式，可基於在給定時間週期內法拉弟杯所收集的電荷的量來測量離子束電流。定位在相對於工件的電荷收集器僅可接收來自離子束的一部分的電荷。換句話說，歸因於其固定位置，所收集的電荷不能代表整個離子束。

在其他實施例中，電荷收集器為可移動的，以便移動而穿過離子束。在此情況下，具有孔隙的板件可安置在離子束的來源與電荷收集器之間，以便限制對電荷收集器可見的離子束的部 分。由於板件和電荷收集器移動而跨越離子束，因而可積分全部電荷以計算束電流。此計算是基於電荷收集器移動的速度以及孔隙的尺寸。雖然這是測量離子束電流的總體上有效的方法，但其可能容易發生測量錯誤。舉例來說，隨著時間過去，離子束往往會腐蝕板件，尤其是在孔隙孔隙周圍，進而使其尺寸增加。孔隙尺寸的增加允許較多離子穿過而到達電荷收集器。這會導致系統計算出大於實際電流的離子束電流。解決此問題的一種方法是，在腐蝕效應變得顯著之前，在預定的時間間隔替換板件。然而，這需要離線運作離子植入系統，而會減小效率和處理量。

因此，一種用於偵測且任選地校正離子束所引起的孔隙的腐蝕的系統和方法將是有利的。

具有至少兩個不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件與至少兩個電荷收集器結合使用。由於孔隙寬度的差異，兩個電荷收集器接收不同量的離子，其中所述的量與相關的孔隙寬度成比例。藉由監視第一電荷收集器收集的電荷與第二收集器收集的電荷的比率，可監視且任選地補償腐蝕量。

在一個實施例中，揭示一種離子植入系統。離子植入系統包括離子源，產生離子束；限束孔隙板件，具有兩個不同尺寸的孔隙；兩個電荷收集器，各自安置在所述不同尺寸的孔隙的相應一者後方；致動器，用以驅動限束孔隙板件穿過離子束的一部分；以及控制系統，與兩個電荷收集器通信以監視離子束的離子束電流。在另一實施例中，控制系統基於離子束電流以設定離子 植入系統的參數。在又一實施例中，控制系統基於兩個孔隙的寬度的比率以計算初始孔隙比；基於電荷收集器測得的電荷以計算經更新的孔隙比；基於經更新的孔隙比和初始孔隙比以確定補償因數；以及基於兩個電荷收集器收集的電荷和補償因數以計算離子束電流。

在第二實施例中，揭示一種使用離子束處理工件的方法。所述方法包括：使用離子束以植入工件，其中離子植入的參數是基於離子束電流；使板件在離子束的一部分前方通過，所述板件具有離子可通過的兩個不同尺寸的孔隙；基於兩個孔隙的初始寬度的比率以確定初始孔隙比；收集各自在相應孔隙後方的第一電荷收集器和第二電荷收集器各自在相應後方所接收的電荷，所述所收集的電荷代表穿過相應孔隙的離子束電流；以及基於第一電荷收集器收集的電荷與第二電荷收集器收集的電荷的比率以確定經更新的孔隙比。在另一實施例中，所述方法進一步包括若經更新的孔隙比並未偏差於初始孔隙比超過預定量時繼續植入。在又一實施例中，所述方法包括在若經更新的孔隙比偏差於初始孔隙比超過預定量時停止植入。在又一實施例中，所述方法包括基於初始孔隙比與經更新的孔隙比之間的偏差以確定補償因數；使用補償因數校正孔隙的腐蝕以計算離子束電流；以及基於所計算的離子束電流以調整植入時使用的參數。

在第三實施例中，揭示一種使用離子束處理工件的方法。所述方法包括使用離子束以植入工件，其中離子植入的參數是基於離子束電流；使板件在離子束的一部分前方通過，板件具有離子可通過的兩個不同尺寸的孔隙；確定初始孔隙比，初始孔 隙比被定義為兩個不同尺寸的孔隙中的第一者的寬度與所述不同尺寸的孔隙中的第二者的寬度的比率；收集由安置在相應孔隙後方的第一電荷收集器和第二電荷收集器所接收的電荷；基於第一電荷收集器收集的電荷與第二電荷收集器收集的電荷的比率以計算經更新的孔隙比；基於比較經更新的孔隙比與初始孔隙比以確定所述兩個不同尺寸的孔隙的腐蝕；以及基於所確定的腐蝕以修改離子植入。在另一實施例中，所述修改包括若所確定的腐蝕大於預定閾值時停止離子植入。在又一實施例中，所述修改包括基於所確定的腐蝕、第一電荷收集器收集的電荷和第二電荷收集器收集的電荷以計算離子束電流；以及基於所計算的離子束電流以調整植入時所使用的參數。

110‧‧‧離子束

120‧‧‧限束孔隙板件

121、122‧‧‧孔隙

131、132‧‧‧電荷收集器

140‧‧‧控制系統

150‧‧‧致動器

300、310、320、325、330、340、350、360、370、400、410、420、425、430、440、450、460‧‧‧框

W1、W2、α‧‧‧寬度

t1、t2‧‧‧時間

△t‧‧‧時間差

△x‧‧‧距離

為了更好地理解本發明，將參考附圖，這些附圖以引用的方式併入本文中，且其中：圖1繪示出根據一個實施例的具有孔隙的板件。

圖2繪示出腐蝕一定量之後的圖1的板件。

圖3繪示出根據第一實施例的流程圖。

圖4繪示出根據第二實施例的流程圖。

圖5A繪示出時序圖，其繪示出在第一錯誤條件時兩個電荷收集器的電荷收集。

圖5B繪示出圖5A的實施例中所使用的限束孔隙板件。

圖6繪示出時序圖，其繪示出在第二錯誤條件時兩個電荷收集器的電荷收集。

如上文所描述，具有孔隙的板件(也稱為限束孔隙板件)用於限制最終到達安置在限束孔隙板件之間的電荷收集器的離子的量。圖1繪示出離子植入系統的一部分。儘管未圖示，但離子植入系統還包括用於產生離子的離子源。離子源可為旁熱式陰極(indirectly heated cathode，IHC)源、伯鈉(Bernas)式源、RF電漿離子源，或任何其他已知的離子源。隨後從離子源提取離子，且使用一組射束光學元件(未圖示)將所述離子變換為離子束110。在一些實施例中，所得離子束是帶狀束，其是具有比其高度大得多的寬度的離子束。在其他實施例中，可產生大致為圓形射束的點射束。

此離子束110被引導而朝向工件(未圖示)。通常，工件和離子束110相對於彼此移動，以使得工件的所有部分暴露於離子束110。在帶狀束的情況下，離子束110可(在x維度上)比工件寬，但(在y維度上)比工件窄。在此情況下，工件可相對於離子束110在y或垂直方向上移動，使得工件的所有部分皆暴露於離子束。當然，在其他實施例中，當離子束110在垂直方向上移動時，工件可保持靜止。在其他實施例中，工件與離子束110兩者可在垂直方向上相對於彼此移動。

為測量此離子束110的電流，限束孔隙板件120可在離子源與工件之間，在離子束110的路徑中移動。限束孔隙板件120可(在x方向上)水準移動以便穿過離子束110的整個寬度。以此方式，離子束110中的任何空間不均勻性皆被限束孔隙板件120所 觀察到。

限束孔隙板件120包括至少兩個孔隙121、122以及對應數目的電荷收集器131、132。在一個實施例中，這些電荷收集器可為法拉弟杯，但可使用其他電荷收集器。在此實施例中，第一電荷收集器131經安置以接收穿過第一孔隙121的離子。第二電荷收集器132經安置以接收穿過第二孔隙122的離子。如上文提及，可利用大量各自具有對應的電荷收集器的孔隙。

此外，儘管貫穿本發明使用術語“限束孔隙板件”，但應理解，此些孔隙也可通過使用兩個單獨板件(各自具有相應孔隙)而產生。在此實施例中，這兩個板件可彼此獨立移動，或可具有固定空間關係。因此，術語“限束孔隙板件”應解釋為包含其中利用一個以上物理板件的實施例。

在一個實施例中，第一電荷收集器131經安置而僅接收穿過第一孔隙121的離子，同時第二電荷收集器132經安置而僅接收穿過第二孔隙122的離子。

另外，第一孔隙121的寬度(w1)不同於第二孔隙122的寬度(w2)。兩個孔隙121、122的高度可相同。第一電荷收集器131接收穿過由第一孔隙121所界定的區域的離子，而第二電荷收集器132接收穿過由第二孔隙122所界定的區域的離子。在一些實施例中，射束高度小於孔隙121、122的高度。在此情況下，第一電荷收集器131所收集的電荷與射束高度乘以第一孔隙121的寬度成比例。第二電荷收集器132所收集的電荷與射束高度乘以第二孔隙122的寬度成比例。

以此方式，第一電荷收集器131接收的離子的數目與第 二電荷收集器132接收的離子的數目的比率可等於相應孔隙121、122的寬度的比率或w1/w2。

控制系統140與電荷收集器131、132通信。藉由監視電荷收集器131、132收集的離子的數目，控制系統140可確定離子束電流。此電流是離子植入的一觀點，因為其幫助確定劑量、摻雜物均勻性、植入時間和其他參數。此外，致動器150與控制系統140和限束孔隙板件120通信。此致動器150用以移動限束孔隙板件120進出離子束110的路徑，如上文所描述。在一些實施例中，致動器150僅提供水準(即，x方向)運動，而在其他實施例中，也允許垂直運動(即，y方向)。

圖2繪示出在持續暴露於離子束110之後的圖1的限束孔隙板件120。如上文陳述，所述限束孔隙板件可選擇地包括各自具有相應孔隙的兩個物理板件。由於離子束110比孔隙121、122的高度窄，所以孔隙的腐蝕被限制於較小區域。雖然圖2繪示出離子束在其中心附近撞擊孔隙121、122，但離子束110可撞擊孔隙121、122的任何部分，且本發明不受此實施例限制。由於離子束均等地撞擊每一孔隙121、122周圍的區域，所以在每一孔隙121、122周圍的腐蝕幾乎相同。換句話說，暴露於離子束110的每一孔隙121、122的寬度增長相同的量。出於說明的目的，假定腐蝕是對稱的且被定義為在每一孔隙121、122的每一側上為α/2。由於此腐蝕，第一電荷收集器131現接收更多離子。舉例來說，由於第一孔隙121的寬度現為w1+α，所以第一電荷收集器131現將接收的離子與圖1中所接收的離子相比的比率可被定義為(w1+α)/w1。類似地，第二孔隙122現具有寬度w2+α，因此第二 電荷收集器132也將接收更多離子。與圖1中所接收的離子相比，第二電荷收集器132現將接收(w2+α)/w2倍的離子。如果不考慮腐蝕，則控制系統140將認為離子束具有大於其實際的電流，因為控制系統140仍假定孔隙寬度分別是w1和w2。

出於說明性目的，假定w1為1/8(0.125)英寸，且w2為1/4(0.250)英寸。還假定腐蝕致使寬度恒定地增加0.05英寸。在此實例中，第一電荷收集器131將接收其在腐蝕之前所接收的(0.125+0.05)/0.125或1.4倍的離子。類似地，第二電荷收集器132將接收其在腐蝕之前所接收的(0.250+0.05)/0.250或1.2倍的離子。

此外，第一電荷收集器131接收的離子與第二電荷收集器132接收的離子的比率也會改變。如先前所描述，此比率等於對應孔隙121、122的寬度的比率。因此，在圖1中，第一電荷收集器131接收的離子與第二電荷收集器132接收的離子的比率由w1/w2所給定。在圖2中，所述比率變為(w1+α)/(w2+α)。如果w1小於w2，則此比率隨著持續腐蝕而逐漸增加。相反地，如果w1大於w2，則此比率隨著持續腐蝕而逐漸減小。

兩個不同尺寸的孔隙121、122的使用提供監視孔隙的腐蝕並恰當地作出反應的能力。

圖3繪示出根據第一實施例的流程圖。此流程圖中所說明的順序可由控制系統140來執行。此控制系統140可包括例如微處理器的處理單元以及相關聯記憶體裝置，所述記憶體裝置用於存儲處理單元待執行的指令。此記憶體裝置可為非易失性、易失性，或兩者，且還可用於存儲資料。控制系統140還可具有各種輸入和輸出。舉例來說，控制系統140可從電荷收集器131、132 接收輸入。類似地，其可具有允許移動限束孔隙板件120的輸出。額外輸入和輸出也可為控制系統140的一部分。

在此實施例中，新的限束孔隙板件120安裝在離子植入系統中，如框300所示。隨後，限束孔隙板件120移動到離子束110的路徑中，如框310所示。在一些實施例中，限束孔隙板件120水準地移動而跨越離子束110。在其他實施例中，限束孔隙板件120移動到離子束的路徑中的固定位置，而不穿越整個離子束110。也有可能是其他實施例。然而，目標是確保限束孔隙板件120的兩個孔隙121、122均在離子束110的路徑中。控制系統140控制致動器150將限束孔隙板件120移動到所要位置中。

控制系統140隨後從第一電荷收集器131和第二電荷收集器132接收關於各自接收的離子數目的資料，如框320所示。控制系統140接著將這些值的比率保存為初始孔隙比，如框330所示。如上文所闡釋，初始孔隙比應表示為在任何腐蝕已發生之前第一孔隙121的寬度與第二孔隙122的寬度的比率。

在第二實施例中，不進行初始離子測量。而是，將第一孔隙121的寬度與第二孔隙122的寬度的比率定義為初始孔隙比。在此實施例中，不執行圖3的框310、320、330，而框325簡單地由物理孔隙寬度的比率的計算所構成。

一旦此初始化過程完成，離子植入系統就可正常操作，如框340所示。在此模式中，可週期性地使用限束孔隙板件120來測量如上文所闡釋的離子束電流。在正常操作中，控制系統140可使用來自電荷收集器131、132中的一或兩者的資料來測量離子束電流。在一個實施例中，可使用來自與較大孔隙相關聯的電荷 收集器的資料，因為此孔隙對腐蝕較不敏感。在另一實施例中，可使用來自與較小孔隙相關聯的電荷收集器的資料。

控制系統可以各種間隔確定腐蝕，如框350所示。這可在測量離子束電流的同時進行(見框340)，或可為單獨程式。限束孔隙板件120安置在離子束的路徑中，使得孔隙121、122兩者均等地暴露於離子束110。確定第一電荷收集器131接收的離子與第二電荷收集器132接收的離子的比率。電荷收集器131、132可以預定持續時間暴露於離子束110，以允許隨時間推移來對電荷求積分。在其他實施例中，可進行暫態測量。在任一實施例中，此比率被稱作經更新的孔隙比。

在決策框360中，控制系統140隨後將經更新的孔隙比與框330或框325中發現的初始孔隙比進行比較。如果這些比率在彼此的預定容限內，則控制系統140確定腐蝕的量是可接受的，且藉由返回到框340而允許繼續正常操作。如果控制系統140確定經更新的孔隙比與初始孔隙比之間的偏差太大，則通知操作者，如框370所示。

圖4表示第二實施例，其中控制系統140確定並補償孔隙121、122的腐蝕。框400到440的初始化過程類似於圖3中描述的過程，且不予以重複。或者，如上文所描述，框410、420、430可排除，且可基於孔隙的相對寬度計算初始孔隙比，如框425所示。

在框450中，控制系統140確定腐蝕。這可以與上文參看圖3所描述相同的方式進行。然而，在此實施例中，控制系統140確定補償因數，如框460所示。在一些實施例中，所述測量值 可相對於時間和/或位置區分。在其他實施例中，直接使用實際測量值來確定腐蝕。在這些實施例中的一些實施例中，從兩個電荷收集器獲得的測量值可隨時間推移而求積分以對所收集電荷取平均值，如上文所描述。舉例來說，基於初始孔隙比和經更新的孔隙比，有可能確定腐蝕的量。假定w1是第一孔隙121的初始寬度，w2是第二孔隙122的初始寬度，k是初始孔隙比(w1/w2)，α是每一孔隙121、122所增加的寬度，且k1是經更新的孔隙比((w1+α)/(w2+α))。可顯示，作為w2的函數的腐蝕α等於w2(k1-k)/(1-k1)。可進一步顯示，第二孔隙122的經更新的寬度(即，w2+α)與其初始寬度(w2)的比率為(1-k)/(1-k1)。類似地，第一孔隙121的經更新的寬度(w1+α)與其初始寬度(w1)的比率可被定義為k1(1-k)/(k(1-k1))。當然，這些計算假定α對於兩個孔隙121、122是恒定的。如果作出不同假定則可能產生其他值。

一旦確定每一孔隙的經更新的寬度與其初始寬度的比率，就有可能藉由將從電荷收集器131、132接收的資料乘以補償因數來補償孔隙寬度的改變。此補償因數用以調整從電荷收集器131、132接收的資料以排除腐蝕的影響。以此方式，離子植入系統100可繼續正常操作(框440)，即使當限束孔隙板件120已開始腐蝕時也是如此。換句話說，儘管限束孔隙板件120不再具有初始孔隙比，但系統可繼續遞送所要劑量。補償因數的使用允許控制系統140計算實際離子束電流，即使在存在孔隙121、122的腐蝕的情況下也是如此。此所計算的實際電流接著用於控制離子束參數。此補償技術增加所需預防性維護之間的時間，且還用以提供隨時間推移的離子束電流的更準確表示。

舉例來說，假定控制系統140確定第一孔隙121的寬度因腐蝕而增加了10%，如框450中計算。由於前述所述，對於相同離子束電流，第一電荷收集器131理論上將接收比在初次安裝限束孔隙板件120時其所接收的離子多10%的離子。因此，為補償此腐蝕，來自第一電荷收集器131所產生的電荷值可除以1.10。這可使第一電荷收集器131的輸出標準化且允許即使在腐蝕已改變實際孔隙寬度之後也可繼續操作。

限束孔隙板件120上兩個孔隙的使用還可具有其他應用。舉例來說，假定限束孔隙板件120在水準方向上行進而穿過離子束110。在正常操作條件下，如果離子束相對均勻，則可預期特定電荷收集器131、132收集的電荷相對恒定，作為時間及射束位置或函數。此外，還可預期這些電荷收集器131、132的每一者收集的電荷的比率保持相對恒定。因此，與此預期性能的偏離可表示出射束不均勻性或其他問題。

圖5A繪示出時序圖，其繪示出在第一錯誤條件時，將第一電荷收集器131和第二電荷收集器132所收集的電荷作為時間的函數。在此實施例中，如圖5B所示，限束孔隙板件120以恒定速度v行進穿過離子束110。應注意，如上文所描述，也可採用具有固定空間關係的兩個單獨物理板件以代替一個限束孔隙板件。應注意，在大多數時間點時，第二電荷收集器132收集的電荷是第一電荷收集器131收集的電荷的兩倍。這是歸因於其相應孔隙寬度的差異。然而，在此圖中，第一電荷收集器131接收比時間t1所預期還少的電荷量。類似地，第二電荷收集器132接收比時間t2所預期還少的電荷量。此時間差(△t=t2-t1)乘以限束孔隙板件 120的速度v確定這兩個事件之間的距離△x。如果此距離△x與限束孔隙板件120上的第一孔隙121與第二孔隙122之間的距離相同，則表示異常發生在與離子束110內的相同空間位置。此可指示離子束110中此位置處的不足，所述不足應予以解決。雖然圖5A繪示出異常時所收集的電荷減少，但本發明不限於此實施例。在其他實施例中，離子束110中的異常可構成射束電流過大的空間位置。

圖6繪示出第二時序圖，其繪示出第二可能錯誤條件。在此實施例中，與圖5A相同，第二電荷收集器132收集的電荷通常是第一電荷收集器131收集的電荷的兩倍，這歸因於相應孔隙寬度的差異。然而，在此實施例中，在時間t3處，兩個電荷收集器均經歷異常。雖然圖6繪示出電流減少，但所述異常也可能為電流增加。由於兩個電荷收集器131、132同時發生異常，所以這不是空間異常，如結合圖5A的描述。更確切而言，這說明整個射束在一時間點受影響的時間干擾。

因此，兩個孔隙121、122以及兩個電荷收集器131、132的使用允許控制系統140區分空間離子束異常與時間異常。測量離子束調節系統的性能還基於兩個量度：摻雜物或射束均勻性以及時間，其中時間量度被定義為達到可接受的均勻性所花費的時間。藉由能夠區分空間與時間異常，而可確定更適當的校正動作，借此減少離子束達到所需均勻性所需的時間。

在另一實施例中，可修改限束孔隙板件120的水準速度v。具體來說，水準速度v和距離△x界定頻率。這可允許控制系統140識別離子束中的頻率異常。

使用兩個不同尺寸的孔隙允許控制系統140監視兩個電荷收集器測得的電流。基於經更新的孔隙比的改變，控制系統140可確定孔隙121、122的腐蝕。基於孔隙的腐蝕，控制系統140可修改或調節植入過程。舉例來說，在一個實施例中，如圖3所示，若經更新的孔隙比與初始孔隙比之間的偏差太大時，控制系統140停止植入過程且警告操作者。換句話說，如果孔隙的腐蝕太大，則停止植入過程。這防止錯誤的離子束電流測量值影響工件。在另一實施例中，如果經更新的孔隙比與初始孔隙比之間的偏差在預定閾值內，則控制系統140繼續植入過程。在又一實施例中，控制系統140使用經更新的孔隙比與初始孔隙比之間的偏差(即，腐蝕)來確定補償因數，如圖4所示。此補償因數隨後用於計算實際離子束電流。此補償因數允許控制系統140使用所計算的離子束電流確定劑量並恰當地調節和修改植入過程來繼續所述植入過程。

本發明的範圍不應受本文所描述的具體實施例限制。實際上，除本文所描述的那些實施例和修改外，本領域的一般技術人員根據以上描述和附圖將瞭解本發明的其他各種實施例和對本發明的修改。因此，此類其他實施例和修改既定屬於本發明的範圍內。此外，儘管本文已出於特定目的而在特定實施方案情況下以特定環境描述了本發明，但本領域的一般技術人員將認識到本發明的效用不限於此，且本發明可有利地在許多環境中用於許多目的而實施。因此，應鑒於如本文所描述的本發明的整個廣度和精神來解釋所附權利要求書。

110‧‧‧離子束

120‧‧‧限束孔隙板件

121、122‧‧‧孔隙

131、132‧‧‧電荷收集器

140‧‧‧控制系統

150‧‧‧致動器

W1、W2‧‧‧寬度

Claims (15)

1. 一種離子植入系統，包括：離子源，產生離子束；限束孔隙板件，具有兩個不同尺寸的孔隙；兩個電荷收集器，各自安置在所述兩個不同尺寸的孔隙的相應一者後方；致動器，用以驅動所述限束孔隙板件穿過所述離子束的一部分；以及控制系統，與所述兩個電荷收集器通信以監視所述離子束的離子束電流。
2. 如申請專利範圍第1項所述的離子植入系統，其中所述控制系統：基於所述兩個不同尺寸的孔隙的寬度的比率以計算初始孔隙比；基於所述兩個電荷收集器測得的電荷以計算經更新的孔隙比；基於所述經更新的孔隙比和所述初始孔隙比以確定補償因數；基於所述兩個電荷收集器收集的電荷和所述補償因數以計算所述離子束電流；以及基於所述離子束電流以設定所述離子植入系統的參數。
3. 如申請專利範圍第1項所述的離子植入系統，其中所述控制系統：基於所述兩個不同尺寸的孔隙的寬度的比率以計算初始孔隙比；基於所述兩個電荷收集器測得的電荷以計算經更新的孔隙比；以及基於所述初始孔隙比和所述經更新的孔隙比以確定所述兩個不同尺寸的孔隙的腐蝕量。
4. 如申請專利範圍第3項所述的離子植入系統，其中如果所述腐蝕量小於預定閾值，則植入工件於所述植入系統。
5. 如申請專利範圍第3項所述的離子植入系統，其中如果所述腐蝕量 大於預定閾值，則停止植入工件於所述控制系統。
6. 如申請專利範圍第1項所述的離子植入系統，其中所述控制系統基於所述兩個電荷收集器測得的電荷以確定所述離子束中的異常。
7. 如申請專利範圍第6項所述的離子植入系統，其中所述異常包括所述離子束中的空間異常或時間異常。
8. 一種使用離子束處理工件的方法，包括：使用所述離子束以植入工件，其中離子植入的參數是基於所述離子束的離子束電流；使板件在所述離子束的一部分前方通過，所述板件具有離子可通過的兩個不同尺寸的孔隙；基於所述兩個孔隙的初始寬度的比率以確定初始孔隙比；收集各自在相應孔隙後方的第一電荷收集器和第二電荷收集器所接收的電荷，所收集的所述電荷表示通過所述相應孔隙的離子束電流；以及基於所述第一電荷收集器收集的電荷與所述第二電荷收集器收集的電荷的比率以確定經更新的孔隙比。
9. 如申請專利範圍第8項所述的使用離子束處理工件的方法，更包括如果所述經更新的孔隙比並未偏差於所述初始孔隙比超過預定量，則繼續所述植入。
10. 如申請專利範圍第8項所述的使用離子束處理工件的方法，更包括如果所述經更新的孔隙比偏差於所述初始孔隙比超過預定量，則停止所述植入。
11. 如申請專利範圍第8項所述的使用離子束處理工件的方法，更包括：基於所述初始孔隙比與所述經更新的孔隙比之間的偏差以確定補償因 數；使用所述補償因數來校正所述孔隙的腐蝕以計算離子束電流；以及基於所述所計算的離子束電流以調整所述植入時使用的所述參數。
12. 如申請專利範圍第8項所述的使用離子束處理工件的方法，更包括識別所述離子束中的空間和時間異常，且基於所述經識別的空間和時間異常調整所述參數。
13. 一種使用離子束處理工件的方法，包括：使用所述離子束以植入工件；使板件在所述離子束的一部分前方通過，所述板件具有離子可通過的兩個不同尺寸的孔隙；確定初始孔隙比，所述初始孔隙比被定義為所述兩個不同尺寸的孔隙中的第一者的寬度與所述不同尺寸的孔隙中的第二者的寬度的比率；收集由安置在相應孔隙後方的第一電荷收集器和第二電荷收集器所接收的電荷；基於所述第一電荷收集器收集的電荷與所述第二電荷收集器收集的電荷的比率以計算經更新的孔隙比；基於比較所述經更新的孔隙比與所述初始孔隙比以確定所述兩個不同尺寸的孔隙的腐蝕；以及基於所述所確定的腐蝕以修改所述植入。
14. 如申請專利範圍第13項所述的使用離子束處理工件的方法，其中所述修改所述植入包括如果所述所確定的腐蝕大於預定閾值，則停止所述植入。
15. 如申請專利範圍第13項所述的使用離子束處理工件的方法，其中所述修改所述植入包括： 基於所述所確定的腐蝕、所述第一電荷收集器收集的所述電荷以及所述第二電荷收集器收集的所述電荷以計算離子束電流；以及基於所述所計算的離子束電流以調整所述植入時所使用的參數。