JP6931686B2 - イオン注入システムにおける抽出電極アセンブリの電圧変調 - Google Patents
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- イオン注入システムにおける粒子汚染を低減するための方法であり、
イオン源と、抽出電極、抑制電極および接地電極を含み、前記イオン源に近い位置に設けられる抽出電極アセンブリと、加工物に選択的にイオンを注入するために前記加工物をその内部と外部とに移動させるように構成されたエンドステーションと、を含み、前記抑制電極および前記接地電極は、当該抑制電極及び当該接地電極を電気的に絶縁するセラミックスペーサーによって隔てられており、前記抽出電極アセンブリの前記抑制電極と前記抽出電極とのそれぞれが、高電圧スイッチと結合する、前記イオン注入システムを提供する工程と、
前記イオン源でイオンを生成するために前記イオン源にカソード電圧を印加し、かつ、イオンビーム中の電子が前記イオン源の内部に引き込まれることを防止するために前記イオン源に近い前記抽出電極アセンブリに抑制電圧を印加するようにして、前記イオン源に近い前記抽出電極アセンブリと連動して動作する前記イオン源でイオンビームを形成する工程と、
一度十分なイオン注入が完了した場合、処理された前記加工物を前記エンドステーションから外部環境に移動させ、かつ、未処理の加工物を前記外部環境から前記エンドステーション内にイオン注入のために移動させるように、前記加工物を、前記エンドステーションと前記外部環境との間で交換する工程と、
前記イオン源と前記抑制電極とに印加される電圧を調整する工程と、を含んでおり、
前記イオン源と前記抑制電極とに印加される電圧を調整する工程は、
前記イオン源からのイオンの抽出が、前記加工物の交換時に終了するように、前記抑制電極と前記抽出電極とに、接地電位にドリフトする浮遊電位を実現させるために、前記高電圧スイッチの開放を、前記加工物が前記エンドステーションから搬送された場合に実施する工程と、
前記イオン源のプラズマの形成を除去するために、前記カソード電圧の印加を停止する工程と、
前記加工物の交換時に前記抽出電極、前記抑制電極、及び前記接地電極の近傍の堆積物を除去するために、前記加工物の交換時に、前記抑制電極と前記接地電極との間の前記セラミックスペーサーを通る電流、あるいは、前記抑制電極と前記接地電極との間を横切るアーク放電を引き起こすために、前記抑制電極に高電圧を印加する工程と、を含むことを特徴とする方法。 - 前記抑制電圧を調整する工程は、少なくとも1以上の周期において、前記イオン源に近い前記抽出電極アセンブリに印加される前記抑制電圧を周期的に変化させる工程を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 先行して蒸着された物質が、前記イオン源に近い前記抽出電極アセンブリから剥がれることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 請求項1から3の何れかに記載の方法を実行するように動作するイオン注入システム。
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