TWI655665B - Ion implantation device and control method of ion implantation device - Google Patents

Abstract

本發明提供一種離子植入裝置以及離子植入裝置之控制方法，其課題在於提供一種在因負載電流的產生而產生過電流時保護電源之技術。在本發明的離子植入裝置(10)中，遮斷手段在射束路線的中途遮斷離子束(B)。電漿紛灑裝置(40)設置於比遮斷手段更靠射束路線的下游側。控制部(60)在電漿紛灑裝置(40)的點火開始期間，使遮斷手段遮斷離子束(B)。遮斷手段可以設置於比高電壓電場式電極部更靠射束路線的上游側，前述高電壓電場式電極部設置至少一個以上。氣體供給手段可以向電漿紛灑裝置(40)供給源氣體。控制部(60)可以在使遮斷手段遮斷離子束(B)之後，使氣體供給手段開始供給源氣體。

Description

離子植入裝置及離子植入裝置之控制方法

本申請主張基於2014年1月29日申請的日本專利申請第2014-014584號的優先權。該申請的全部內容藉由參閱援用於本說明書中。

本發明係有關一種離子植入裝置以及離子植入裝置之控制方法。

在半導體製造製程中，為了改變導電性的目的、改變半導體晶圓的結晶構造的目的等，在規範地實施對半導體晶圓植入離子之製程(以下，有時稱作“離子植入製程”)。在離子植入製程中使用之裝置被稱作離子植入裝置，其具有形成藉由離子源被離子化之後被加速之離子束之功能、及將該離子束輸送至植入處理室並對處理室內的晶圓照射離子束之功能。

離子植入裝置構成為例如離子源、引出電極、質量分析磁鐵裝置、質量分析狹縫、加速/減速裝置、晶圓處理室等沿著射束路線配置，且向作為半導體用基板的晶圓植入離子。該些裝置利用在施加有電壓之電極之間產生之電 場或磁鐵裝置產生之磁場來控制離子束。

並且，在離子處理室設置電漿生成裝置，以防止因離子植入而使晶圓表面帶電。電漿生成裝置藉由向晶圓表面供給電漿，使晶圓表面所帶電之電荷中和。例如在被導入之源氣體中藉由引起放電而生成電漿之放電機構作為這樣的電漿生成裝置設置於植入處理室內(參閱專利文獻1)。

(先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開平4-336421號公報

電漿生成裝置在電漿紛灑作用時，需要少量的一定量的源氣體以生成電漿。尤其，由於在電漿的點火期間，導入比電漿紛灑作用時的少量的源氣體多的量的源氣體，因此使植入處理室的真空度惡化，並且與植入處理室相連之射束路線中亦可能大量流入部份源氣體。在射束路線上輸送離子束之狀態下，若源氣體與具有加速能量之離子束碰撞，則由於源氣體被電離而產生帶電粒子，因此在部份源氣體所流入之射束路線的中途產生帶電粒子。由於在射束路線上設置有施加有高電壓的電極，可能導致所產生之帶電粒子流入電極而成為負載電流，並且在與電極連接之電 源中產生過電流。

本發明係鑑於這種情況而完成者，其目的在於提供一種在因負載電流的產生而產生過電流時保護電源之技術。

為了解決上述課題，本發明的一態樣的離子植入裝置具備：遮斷手段，在射束路線的中途遮斷離子束；電漿紛灑裝置，設置於比遮斷手段更靠射束路線的下游側；及控制部，在電漿紛灑裝置的點火開始期間，使遮斷手段遮斷離子束。

本發明的另一態樣為離子植入裝置之控制方法。該方法為構成將從離子源引出之離子束輸送至植入處理室之射束路線之離子植入裝置之控制方法，其中，離子植入裝置具備在植入處理室向離子束供給電子之電漿紛灑裝置。電漿紛灑裝置具有與植入處理室連通之電漿生成室，並且利用導入到該電漿生成室之源氣體生成電漿，且在藉由電漿紛灑裝置開始生成電漿時，在射束路線的中途遮斷離子束。

另外，在方法、裝置、系統等之間相互置換以上構成要件的任意組合、本發明的構成要件和表現的方式，作為本發明的態樣同樣有效。

根據本發明，能夠在因負載電流的產生而產生過電流 時保護電源。

B‧‧‧離子束

10‧‧‧離子植入裝置

12‧‧‧離子源

14‧‧‧射束路線裝置

16‧‧‧植入處理室

22‧‧‧射束計測部

24‧‧‧射束掃描儀

26‧‧‧掃描儀電極

30‧‧‧平行透鏡

32‧‧‧P透鏡電極

34‧‧‧角能量過濾器

36‧‧‧AEF電極

40‧‧‧電漿紛灑裝置

42‧‧‧電漿生成室

60‧‧‧控制部

72‧‧‧離子

74‧‧‧電子

P‧‧‧電漿

第1圖(a)係繪示實施形態之離子植入裝置的示意構成之俯視圖，第1圖(b)係繪示實施形態之離子植入裝置的示意構成之側視圖。

第2圖(a)、第2圖(b)係示意地繪示比較例之電極部的狀態之圖。

第3圖(a)、第3圖(b)係示意地繪示實施形態之電極部的狀態之圖。

第4圖(a)、第4圖(b)係示意地繪示高真空時的電極部的狀態之圖。

第5圖係繪示實施形態之離子植入裝置的動作過程之流程圖。

第6圖繪示藉由遮斷離子束而抑制負載電流的效果之曲線圖。

以下，參閱附圖對用於實施本發明的形態進行詳細說明。另外，附圖說明中對相同要件標註相同元件符號，並適當省略重複說明。並且，以下敘述之構成只是示例，並非對本發明的範圍進行任何限定。

在說明實施形態之前，說明本發明的概要。本實施形態之離子植入裝置具備：射束路線裝置，構成將從離子源 引出之離子束輸送至植入處理室之射束路線；及電漿紛灑裝置，在植入處理室內向離子束供給電子。電漿紛灑裝置在開始生成電漿時需要大量的濃度比較高的源氣體。因此，為了電漿點火而導入之大量的源氣體使植入處理室內及射束路線裝置內的真空度惡化。

若使離子束通過因真空度的惡化而存在較多之源氣體分子的射束路線裝置內，則離子束與源氣體分子碰撞並被電離，從而產生帶電粒子(離子及電子)。由於在射束路線裝置設有利用電場的作用而使離子束偏向之偏向手段等電極部，因此藉由源氣體分子的離子化而產生之帶電粒子流入施加有高電壓之電極部並產生負載電流。如此一來，導致向電極部施加有高電壓之電源中流過過電流。

因此，在本實施形態中，在植入處理室內具備電漿紛灑裝置，並且在處於比植入處理室更靠上游的射束路線裝置中，使有可能成為使射束路線裝置內的真空度惡化之原因的，位於植入處理室的電漿紛灑裝置開始生成電漿時，使離子束暫時從射束路線上退避。具體而言，使設置於射束路線上之遮斷手段動作，並在比施加有高電壓之電極部更靠上游的位置遮斷離子束。藉此，在真空度惡化之射束路線的下游抑制因離子束的碰撞而產生之帶電粒子。能夠使射束路線裝置保持動作的狀態下，同時啟動電漿紛灑裝置，並且能夠縮短可以進行離子植入處理之前的啟動時間。

第1圖係示意地繪示實施形態之離子植入裝置10之 圖。第1圖(a)係繪示離子植入裝置10的示意構成之俯視圖，第1圖(b)係繪示離子植入裝置10的示意構成之側視圖。

離子植入裝置10構成為在被處理物W的表面進行離子植入處理。被處理物W例如為基板，例如為半導體晶圓。藉此，以下為了方便說明，有時將被處理物W稱為基板W，但這並不表示將植入處理的對象限定於特定的物體。

離子植入裝置10構成為，利用射束掃描儀和機械掃描儀中的至少一方遍及整個基板W對離子束B進行照射。在本說明書中為了方便說明，將設計上的離子束B的行進方向設為z方向，與z方向垂直的面定義為xy面。如後述，對被處理物W進行離子束B的掃描時，將掃描方向設為x方向，將與z方向及x方向垂直的方向設為y方向。藉此，在x方向上進行射束掃描，在y方向上進行機械掃描。

離子植入裝置10具備離子源12、射束路線裝置14及植入處理室16。離子源12構成為向射束路線裝置14提供離子束B。射束路線裝置14構成為將離子從離子源12輸送到植入處理室16。並且，離子植入裝置10具備離子源12、射束路線裝置14及用於向植入處理室16提供所希望的真空環境之真空排出系統(未圖示)。

如圖所示，射束路線裝置14例如從上游開始依次具備：質量分析部18、射束整形器20、射束計測部22、射 束掃描儀24、平行透鏡30或射束平行化裝置及角能量過濾器(AEF；Angular Energy Filter)34。另外，射束路線裝置14的上游是指靠近離子源12的一側，下游是指靠近植入處理室16(或射束阻擋器(Beam Stopper)38)的一側。

質量分析部18設置於離子源12的下游，並且構成為藉由質量分析而在從離子源12引出之離子束B中選擇所需的離子種類。射束整形器20具備四極收斂裝置(Q透鏡)等收斂透鏡，並且構成為將離子束B整形為所希望的剖面形狀。

射束計測部22配置成能夠取出放入於射束路線上，並且為測定離子束的電流之植入器旗標法拉第杯(Injector Flag Farady Cup)。射束計測部22具有計測射束電流之法拉第杯22b及使法拉第杯22b上下移動之驅動部22a。如第1圖(b)的虛線所示，在射束路線上配置有法拉第杯22b時，離子束B被法拉第杯22b遮斷。另一方面，如第1圖(b)的實線所示，從射束路線上取下法拉第杯22b時，離子束B的遮斷被解除。因此，射束計測部22發揮離子束B的遮斷手段的功能。

射束掃描儀24構成為提供射束掃描，並且為將已整形之離子束B沿x方向掃描之偏向手段。射束掃描儀24具有遠離x方向而設置之掃描儀電極26。掃描儀電極26與可變電壓電源(未圖示)連接，並且藉由改變施加於掃描儀電極26之電壓來使電極之間產生之電場發生變化並 使離子束B偏向。這樣，遍及x方向的掃描範圍掃描離子束B。另外，在第1圖(a)中，由箭頭X例示出射束掃描及其掃描範圍，並且用一點鏈線表示在掃描範圍的一端及另一端的離子束B。

射束掃描儀24具有射束阻尼器28，前述射束阻尼器設置於已掃描之離子束B所通過之開口部24a的外側。射束阻尼器28被設置於在超過被射束掃描的x方向的掃描範圍而使離子束B偏向時離子束B所碰撞之部位。射束阻尼器28由難以產生因離子束的碰撞產生之濺射的石墨(C)等材料構成。另外，在第1圖(a)中，利用虛線箭頭B’顯示與射束阻尼器28碰撞時的離子束的軌跡。

使射束掃描儀24動作以使離子束B與射束阻尼器28碰撞時，離子束B從射束路線偏離，並在中途被遮斷。因此，射束掃描儀24也發揮離子束B的遮斷手段的功能。另外，如果使射束掃描儀24動作以使離子束B在通常的掃描範圍被掃描，則離子束B的遮斷被解除。

平行透鏡30構成為，使已掃描之離子束B的行進方向平行。平行透鏡30具有在中心部設有離子束的通過狹縫的圓弧形狀的P透鏡電極32。P透鏡電極32與高壓電源(未圖示)連接，將藉由施加電壓而產生之電場作用於離子束B，從而平行地調整離子束B的行進方向。

角能量過濾器34構成為，分析離子束B的能量，並且使所需能量的離子向下方偏向並導入植入處理室16。角能量過濾器34具有磁場偏向用磁鐵裝置(未圖示)及 電場偏向用AEF電極36。AEF電極36與高壓電源(未圖示)連接。在第1圖(b)中，藉由向上側的AEF電極36施加正電壓、向下側的AEF電極36施加負電壓，從而使離子束B向下方偏向。

如此，射束路線裝置14向植入處理室16供給應向基板W照射之離子束B。另外，上述掃描儀電極26、P透鏡電極32及AEF電極36分別為，構成為使電場作用於通過射束路線的離子束的施加高電壓之電極部之一。

植入處理室16具備物體保持部(未圖示)，前述物體保持部構成為，保持一片或者複數片基板W，並且根據需要向基板W提供相對於離子束B之例如y方向的相對移動(所謂的機械掃描)。在第1圖中利用箭頭Y例示出機械掃描。並且，植入處理室16具備射束阻擋器38。當在離子束B上不存在基板W時，離子束B射入於射束阻擋器38。

植入處理室16內設置有向離子束B供給電子之電漿紛灑裝置40。電漿紛灑裝置40具有：電漿生成室42、天線44及氣體導入管46。電漿紛灑裝置40向源氣體施加來自天線44的高頻率，從而生成電漿P，前述源氣體通過氣體導入管46而被導入到電漿生成室42。若生成電漿P，則通過與植入處理室16連通之引出開口42a引出電漿中的電子，並且電子被供給至植入處理室16。

氣體導入管46經由質量流量計48與氣體供給部50連接。質量流量計48控制源氣體的流量，前述源氣體從 氣體供給部50通過氣體導入管46供給至電漿生成室42。質量流量計48根據來自控制部60的控制訊號進行動作。

質量流量計48配合對電漿進行點火時或者生成並維持電漿時的電漿紛灑裝置40的動作狀態，向電漿生成室42供給所需流量的源氣體。尤其，對電漿進行點火時與生成並維持電漿時相比，需要提高電漿生成室42內的源氣體濃度。因此，在開始生成電漿之點火開始期間，以相對流量較高的第1流量開始供給源氣體，然後，在生成電漿之後，以比第1流量少的第2流量繼續供給源氣體。不生成電漿時停止供給源氣體。

控制部60對構成離子植入裝置10的各個設備的動作進行控制。控制部60控制天線44和質量流量計48的動作，從而控制電漿紛灑裝置40中的電漿的生成。並且，控制部60控制可發揮離子束B的遮斷手段之功能的射束計測部22和射束掃描儀24等的動作，從而使離子束B在射束路線的中途被遮斷。

在啟動電漿紛灑裝置40並開始生成電漿P時，控制部60使遮斷手段動作，並且在中途遮斷離子束B。在使離子束B遮斷之後，控制部60立刻向電漿生成室42導入用於電漿點火之源氣體。亦即，在射束路線裝置14中靠近植入處理室16的下游附近的真空度惡化之前遮斷離子束。藉此，防止離子束B與存在於射束路線裝置14的下游附近之高濃度源氣體碰撞而被離子化，並且防止所產生 之帶電粒子流入電極部而成為負載電流。關於此時的電極部的狀態參閱第2圖及第3圖進行說明。

第2圖(a)、第2圖(b)係示意地繪示比較例之電極部的狀態之圖，並且繪示開始導入源氣體時未遮斷離子束B時的電極部之狀態。第2圖(a)中繪示平行透鏡30的P透鏡電極32a~32d，繪示出施加有正電壓之第1P透鏡電極32a、32b及施加有負電壓之第2P透鏡電極32c、32d。第2圖(b)中繪示角能量過濾器34的AEF電極36a、36b，繪示施加有正電壓之第1AEF電極36a，及施加有負電壓之第2AEF電極36b。另外，本圖所示之施加於P透鏡電極32a~32d及AEF電極36a、36b之電壓為例示，可以施加正負相反的電壓，亦可以設為接地電位。另外，在後述之第3圖、第4圖中亦相同。

第2圖(a)、第2圖(b)繪示為了電漿點火而被導入之氣體分子70從電漿生成室42通過植入處理室16流入射束路線裝置14之狀態，並繪示由於存在較多的氣體分子70而使電極部附近的真空度惡化之狀態。若離子束B通過存在較多的氣體分子70的之間，則氣體分子70因與離子束B碰撞而被電離，從而生成離子72和電子74。具有正電荷之離子72流入被負施加之第2P透鏡電極32c、32d及第2AEF電極36b。而具有負電荷之電子74流入被正施加之第1P透鏡電極32a、32b及第1AEF電極36a。藉此，在P透鏡電極32a~32d之間及AEF電極36a、36b之間流過負載電流，可能導致連接於該些電極 部之電源中產生過電流。

第3圖(a)、第3圖(b)係示意地繪示實施形態之電極部的狀態之圖，並且繪示開始導入源氣體時在上游遮斷離子束B時的電極部之狀態。與比較例相同地，在電極部附近成為真空度因為了電漿點火而被導入之氣體分子70而惡化之狀態。然而，在本實施形態中，藉由設置於比平行透鏡30或者角能量過濾器34更靠上游之射束計測部22及射束掃描儀24等遮斷手段遮斷離子束。因此，即使在電極部附近存在較多的氣體分子70，亦使得由氣體分子70的電離而產生之帶電粒子的產生受到抑制。藉此，能夠抑制流入電極部之負載電流，從而保護與電極部連接之電源。

然後，控制部60在生成有電漿P且射束路線裝置14的真空度得到恢復的時刻解除離子束B的遮斷。首先，若生成有電漿P，則控制部60使向電漿生成室42的供給源氣體的流量減少為第2流量。確認生成電漿為止的時間大約為少於1秒的時間。

在將源氣體的供給切換為第2流量起經過既定時間之後，控制部60解除離子束B的遮斷。這是由於，在切換為流量較少的第2流量後不久，藉由真空排出系統排出在電漿的點火開始期間所導入之大量的源氣體，從而使氣體濃度下降，真空度得到恢復。恢復該真空度所需的時間根據源氣體的供給量和真空排出系統的處理能力等，例如為10秒~60秒程度，具體舉例為20秒程度。另外，控制部 60計測設置於射束路線裝置14之真空計(未圖示)的值，並且該值成為既定的閾值以下時，認為真空度得以恢復而可以解除離子束B的遮斷。

第4圖(a)、第4圖(b)係示意地繪示高真空時的電極部之狀態之圖，並且繪示電漿紛灑裝置40啟動後真空度得到恢復且離子束B的遮斷被解除之狀態。在該狀態下，在電極部附近幾乎不存在氣體分子70，因此離子束B難以與氣體分子70碰撞，假設氣體分子70因碰撞而離子化，亦由於所產生之帶電粒子的量極少，所以流入電極部之負載電流較少。這樣，藉由在真空度得到恢復後解除離子束B的遮斷，從而防止負載電流的產生，能夠保護向電極部施加有高電壓之電源。

接著，對啟動電漿紛灑裝置40時的控制部60的動作進行說明。第5圖係繪示離子植入裝置10的動作過程之流程圖。需要在啟動射束路線裝置14之後(S10)啟動電漿紛灑裝置40時(S12的Y)，使遮斷手段動作並在射束路線的中途遮斷離子束(S16)。遮斷離子束之後，以第1流量開始向電漿生成室42導入源氣體(S16)，並且向天線44施加高頻率來對電漿進行點火(S18)。

在電漿生成室42中生成有電漿時(S20的Y)，將向電漿生成室42導入之源氣體的流量減少為第2流量(S22)。然後，當射束路線裝置14的真空度恢復到所希望的值時(S24的Y)，解除離子束的遮斷(S28)。如果是S20中生成有電漿之前時(S20的N)，則等待電漿 的生成。如果是在S24中真空度得到恢復之前時(S24的N)，就等待真空度的恢復。並且，如果不需要啟動電漿紛灑裝置40(S12的N)，就跳過S14~S28的處理。

根據以上的動作，即使在同時啟動射束路線裝置14和電漿紛灑裝置40的情況下，離子植入裝置10亦能夠在電漿的點火開始期間在中途遮斷離子束，並且能夠在射束路線裝置14的電極部附近抑制帶電粒子的產生。並且，即使在保持離子束不變而從不需要電漿紛灑的離子植入條件切換為需要電漿紛灑的離子植入條件的情況下，亦能夠藉由在電漿的點火開始期間遮斷離子束，從而在電極部附近抑制帶電粒子的產生。結果，能夠同時啟動射束路線裝置14和電漿紛灑裝置40，能夠縮短啟動離子植入裝置10所需的時間。尤其，射束計測部22及射束掃描儀24等遮斷手段能夠高速遮斷離子束，因此能夠縮短伴隨電漿紛灑裝置40的啟動的時滯。藉此，能夠提高離子植入裝置10的運轉率，並提高離子植入處理的生產率。

第6圖係繪示藉由遮斷離子束而抑制負載電流的效果之曲線圖。本圖中繪示啟動電漿紛灑裝置40並開始向電漿生成室42導入源氣體之後的電極部的負載電流的變化。在“不進行遮斷”離子束的情況下，開始導入源氣體之後經過了一段時間後射束路線裝置14內部的真空度惡化，從而導致負載電流變大。另一方面，在“進行遮斷”離子束的情況下，即使因開始導入源氣體而使真空度惡化，負載電流亦不發生變化。藉此可知，藉由在開始導入 源氣體時遮斷離子束，從而抑制負載電流的產生。

以上，參閱上述各實施形態說明了本發明，但是本發明並不限定於上述各實施形態，適當地組合或置換各實施形態的構成的方式亦包含於本發明。並且，根據本領域技術人員的知識，可以適當地重新排列各實施形態中的組合或處理順序，或者對實施形態追加各種設計變更等變形，追加這種變形的實施形態亦可以包含在本發明的範圍內。

在上述實施形態中示出關於將射束計測部22或射束掃描儀24用作遮斷手段之情況。在變形例中，亦可以將設置於比射束計測部22更靠上游之質量分析部18或射束整形部20用作遮斷手段。由於質量分析部18或射束整形部20與射束掃描儀24同樣地發揮使離子束偏向之偏向手段的功能，因此，藉由使離子束偏向以使其從射束路線上偏離，從而能夠發揮遮斷手段的功能。藉由在射束路線的上游遮斷離子束，從而能夠得到與上述實施形態相同的效果。

在上述實施形態中，在遮斷離子束後開始向電漿生成室導入源氣體。而在變形例中，亦可以在開始導入源氣體之後緊接著遮斷離子束。該時間例如為5秒以內，3秒以內為較佳。這是因為，導入到電漿生成室之源氣體進入到射束路線裝置14之前多少存在時間差，只要在射束路線裝置14的真空度惡化之前遮斷離子束即可。即使遮斷的時刻不同，藉由在射束路線裝置14的真空度惡化之前遮斷離子束，亦能夠得到與上述實施形態相同的效果。

Claims (10)

1. 一種離子植入裝置，其特徵為，具備：遮斷手段，在射束路線的中途遮斷離子束；電漿紛灑裝置，設置於比前述遮斷手段更靠前述射束路線的下游側；及控制部，在前述電漿紛灑裝置的點火開始期間，使前述遮斷手段遮斷離子束，前述控制部在經過了使因源氣體的導入而上升之前述射束路線的氣體濃度降低所需的既定時間之後，使前述遮斷手段解除離子束的遮斷。
2. 如申請專利範圍第1項所述之離子植入裝置，其中，前述裝置進一步具備被設置至少一個以上之高電壓電場式電極部，並且，將前述遮斷手段設置於比前述電極部更靠射束路線的上游側。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之離子植入裝置，其中，前述裝置進一步具備氣體供給手段，向前述電漿紛灑裝置供給源氣體，前述控制部使前述遮斷手段遮斷離子束之後，使前述氣體供給手段開始供給源氣體。
4. 如申請專利範圍第3項所述之離子植入裝置，其中， 前述控制部使前述氣體供給手段以第1流量開始供給源氣體之後，以比前述第1流量少的第2流量繼續供給源氣體。
5. 如申請專利範圍第1或2項所述之離子植入裝置，其中，前述裝置具備射束計測部，配置成能夠取出放入於前述射束路線上，並且能夠測定離子束的電流，前述控制部使前述射束計測部插入於前述射束路線上，從而使該射束計測部作為前述遮斷手段而動作。
6. 如申請專利範圍第1或2項所述之離子植入裝置，其中，前述裝置具備偏向手段，改變離子束的行進方向，前述控制部使前述偏向手段動作，以使離子束從前述射束路線上偏離，從而使該偏向手段作為前述遮斷手段而動作。
7. 一種離子植入裝置之控制方法，前述離子植入裝置構成將從離子源引出之離子束輸送至植入處理室之射束路線，前述控制方法的特徵為，前述離子植入裝置具備電漿紛灑裝置，在前述植入處理室中向離子束供給電子，前述電漿紛灑裝置具有與前述植入處理室連通之電漿生成室，並且利用被導入至該電漿生成室之源氣體來生成電漿，在藉由前述電漿紛灑裝置開始生成電漿時，在前述射 束路線的中途遮斷離子束，經過了使因源氣體的導入而上升之前述射束路線之氣體濃度降低所需的既定時間之後，解除離子束的遮斷。
8. 如申請專利範圍第7項所述之離子植入裝置之控制方法，其中，前述離子植入裝置具有至少一個電極部，前述電極部構成為使電場作用於通過前述射束路線之離子束，在比前述至少一個電極部更靠前述離子源的射束路線的上游側遮斷離子束。
9. 如申請專利範圍第7或8項所述之離子植入裝置之控制方法，其中，遮斷離子束之後，開始向前述電漿生成室供給源氣體。
10. 如申請專利範圍第9項所述之離子植入裝置之控制方法，其中，以第1流量開始向前述電漿生成室供給源氣體之後，以比前述第1流量少的第2流量繼續供給源氣體。