TWI376976B - Display device and display unit - Google Patents

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(1)1376976 九、發明說明 相關申請案的交互參考 本申請案包含與日本專利申請案jp 2006. 2006年2月3日在日本專利局申請）以及日本專 JP 2006-351863 ( 2006年12月27日在日本專利 ’其整體內容倂入本申請案作爲參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於自發光顯示裝置，例如有機 和顯示單元，且更特別關於具有共振體結構的顯 顯示單元。 【先前技術】 近年來’利用有機發光裝置的有機EL顯示 使用，以作爲取代液晶顯示器的顯示單元。由护 顯示器係爲自發光顯示器，其視角係較液晶顯示 爲寬。再者’有機EL顯示器被視作一種對高解 速視訊信號有足夠反應的顯示器。 在過去，針對有機發光裝置，試圖要控制在 所產生的光’例如：試圖要改善發光色彩的色彩 藉由導入共振體結構而達成增加發光效能（例如 際公開案 Νο· 0 1 /3 95 54 )。 【發明內容】 027062 ( 利申請案 局申請） 發光裝置 示裝置和 器已實際 ‘有機EL 器的視角 析度和高 發光層中 純度，並 :參考國 -5- (2) (2)1376976 當設置共振體結構以供有機發光裝置，由於共振光之 波譜具有高且窄的峰値，在該顯示螢幕的前方方向上的光 擷取效能得以改善。然而，當從傾斜方向觀看螢幕時，發 光波長大幅地偏移，並降低發光強度。換言之，在過去， 亮度差和色彩偏移係根據對螢幕的視角而產生，其導致視 角特性的退化、降低影像品質和其他。 在過去，爲了要改善有機發光裝置的視角特性，已試 圖藉由擴散發光方向以及平均光方向性加大視角，上述係 藉由在透明基板上形成凹面結構、光擴散層、和光折射層 (例如：參考曰本未審查專利申請案No. 9- 1 90883 )。然 而，在此種現有方法中，已有一缺點，即爲外部光亦被形 成在透明基板上的凹面結構、光擴散層、和光折射層而散 射，其導致大幅地退化外部光對比。 在日本未審査專利審請案No. 2006-32327中，已提出 藉由利用包括金屬反射膜和透明導電膜的層壓電極，以及 改變透明導電膜的厚度，可在一裝置中設置具有不同光距 離的複數個共振體結構。然而，在日本未審查專利審請案 No. 2006-3 2 32 7的結構中，透明導電膜是必須的。再者， 需要改變一裝置中透明導電膜的厚度。其導致需要膜形成 製程和圖案化製程’因而增加製造成本。再者，在其中改 變透明導電膜厚度的一步階很可能變爲非發光缺陷或其他 的成因。爲了針對此一缺點，該步階必須以絕緣膜來覆蓋 。因此，其導致降低孔徑比。 有鑑於前述’在本發明中’需要提供一種顯示裝置， -6- (3) 1376976 其可以抑制外部光對比的退化並改善視角特性，以 一種顯示單元。 根據本發明一實施例係提供一種第一顯示裝置 括：依序在一基板上的一第一電極、一具有一發光 機層、以及一第二電極，且具有一共振體結構，其 發光層中所產生的光係在一第一端和一第二端之間 其中在該發光層側上之該第一電極的一端面係爲具 階形狀的該第一端，以及一距離調整層，其塡充該 狀，且具有在該第二電極側上的一平坦表面，該距 層設於該第一電極和該第二電極之間，並藉此將該 平面化，且介於該第一端和該第二端之間的一光距 據該步階形狀而變動。 根據本發明一實施例的第一顯示單元包括前述 實施例的第一顯示裝置。 在根據本發明實施例的第一顯示裝置或根據本 施例的第一顯示單元中，共振體結構的第一端具有 狀。該步階形狀藉由該距離調整層而塡充和平面化 ，第一端和第二端之間的光距離根據該步階形狀而 因此，待擷取的光之波譜之峰値波長根據光距離而 由合成各個峰値波譜而得的波譜之半頻寬邊爲較寬 善視角特性。 根據本發明一實施例係提供一種第二顯示裝置 括：依序在一基板上的一第一電極、一具有一發光 機層、以及一第二電極，且具有一共振體結構，其 及提供 ，其包 層的有 中在該 共振， 有一步 步階形 離調整 第二端 離係根 本發明 發明實 步階形 。藉此 變動。 變動， ，並改 ，其包 層的有 中在該 (4) (4)1376976 發光層中所產生的光係在一第一端和一第二端之間共振， 其中在該發光層側上之該第一電極的一端面係爲具有一連 續凸凹形狀的該第一端，以及一距離調整層，其塡充該凸 凹形狀，且具有在該第二電極側上的一平坦表面，該距離 調整層設於該第一電極和該第二電極之間，並藉此將該第 二端平面化，且介於該第一端和該第二端之間的一光距離 係根據該凸凹形狀而連續地變動。 根據本發明一實施例的第二顯示單元包括前述本發明 實施例的第二顯示裝置。 在根據本發明實施例的第二顯示裝置或根據本發明實 施例的第二顯示單元中，共振體結構的第一端具有連續凸 凹形狀。該凸凹形狀藉由該距離調整層而塡充和平面化。 藉此，第一端和第二端之間的光距離係連續地改變。因此 ，待擷取的光之波譜之峰値波長根據光距離而連續地改變 ，由合成各個峰値波譜而得的波譜之半頻寬邊爲較寬，並 改善視角特性。 根據本發明一實施例係提供一種第三顯示單元，其包 括：複數個包括顯示裝置的像素，該些顯示裝置各自包括 依序在一基板上的一第一電極、一包括一發光層的有機層 、以及一第二電極，且具有一共振體結構，其中在該發光 層中所產生的光係在一第一端和一第二端之間共振，其中 對於該些顯示裝置之中，包括在相鄰像素中並具有該發光 層之相同發光波長的至少二顯示裝置，在該第一端和該第 二端之間的一光距離是彼此不同的。 -8 - (5) 1376976 在根據本發明實施例的第三顯示 裝置之中，包括在相鄰像素中並具有 波長的該至少二顯示裝置，在該共振 二端之間的光距離是彼此不同的。因 裝置所擷取的光，儘管發光色彩是相 長是彼此不同的。因此，當顯示裝置 波譜的半頻寬是加寬的，並改善視場| 根據本發明實施例的第一顯示裝 第一顯示單元，共振體結構的第一端 階形狀藉由該距離調整層而塡充和平 和第二端之間的光距離根據該步階形 擷取的光之波譜之峰値波長根據光距 個峰値波譜而得的波譜之半頻寬邊爲 性。 根據本發明實施例的第二顯示裝 第二顯示單元，共振體結構的第一端 該凸凹形狀藉由該距離調整層而塡充 —端和第二端之間的光距離係連續地 的光之波譜之峰値波長根據光距離而 各個峰値波譜而得的波譜之半頻寬邊 特性。 根據本發明實施例的第三顯示單 之中，包括在相鄰像素中並具有該發 的該至少二顯示裝置，在該第一端和 單元中，於該些顯示 該發光層之相同發光 體結構的第一端和第 此，針對從各個顯示 同的，波譜的峰値波 同步地發光時，合成 待性。 置或本發明實施例的 具有步階形狀。該步 面化。藉此，第一端 狀而變動。因此，待 離而變動，由合成各 較寬，並改善視角特 置或本發明實施例的 具有連續凸凹形狀。 和平面化。藉此，第 改變。因此，待擷取 連續地改變，由合成 爲較寬，並改善視角 元，於該些顯示裝置 光層之相同發光波長 該第二端之間的一光 -9- (6) (6)1376976 距離是彼此不同的。因此，待從具有相同發光波長的該顯 示裝置所擷取的光之波譜的峰値波長可被變動’並改善視 角特性。 再者，在根據本發明實施例之第一至第三顯示裝置的 任一者，或在第一至第三顯示單元的任一者中，並非必要 形成具有散射外部光之可能性的結構（例如：相關技術中 所使用，在透明基板上的凹面結構、光擴散層、和光折射 層）。因此，沒有導致外部光對比的退化之風險。再者， 就製造成本的觀點來看，亦爲有利的。 本發明的其他和進一步目的、特點和優點將從下述說 明中而全然地清楚。 【實施方式】 本發明之實施例將參考圖式而詳細敘述於後。 第一實施例 第1圖係顯示使用根據本發明第一實施例的有機發光 裝置之顯示單元的組態。該顯示單元係用於作爲超薄有機 發光彩色顯示單元或其他。例如：顯示區域110形成在玻 璃、矽晶圓、樹脂或其他製成的基板11上，顯示區域no 中以矩陣狀態配置有複數個有機發光裝置10R、10G、10B ，其將於稍後敘述。用於顯示影像的信號信驅動電路120 和掃描線驅動電路130係形成在顯示區域110之周圍上。 在顯示區域110中，形成像素驅動電路140。第2圖 -10- (7) (7)1376976 顯示像素驅動電路140之範例。像素驅動電路140形成在 較第一電極15 (稍後敘述）爲低的一層中。像素驅動電路 140係由具有驅動電晶體Tri、寫入電晶體Tr2、位於驅動 電晶體Trl和寫入電晶體Tr2之間的電容器（保持容量） Cs之主動驅動電路，且有機發光裝置i〇r (或是i〇G、 1 0B )串聯至位於第一電力線（Vcc )和第二電力線（GND )之間的驅動電晶體Tr 1。驅動電晶體Tr 1和寫入電晶體 Tr2係由一般薄膜電晶體（TFT )所形成。其結構不特別 限制，且可以爲（例如）反相交錯型（所謂的底電極型） 或是共面型（上電極型）。 在像素驅動電路140中，複數個信號線12 0A配置在 行方向上，且複數個掃描線130A配置在列方向上。在各 個信號線12 0A和各個掃描線130A之間的各交叉點對應 於該些有機發光裝置10R、10G和10B (子像素）之一。 各個信號線120A連接至信號線驅動電路120。影像信號 從信號線驅動電路120經由信號線120A而提供至寫入電 晶體Tr2的源電極。各個掃描線130A連接至掃描線驅動 電路130。掃描信號從掃描線驅動電路130經由掃描線 1 3 0A而依序地提供至寫入電晶體Tr2的閘極電極。 第3圖係顯示該顯示區域110之平面結構的一範例。 在顯示區域110中，整體而言，產生紅光的有機發光裝置 1 0R、產生綠光的有機發光裝置1 0R、和產生藍光的有機 發光裝置1 0B依序地以矩陣狀態提供。 第4圖係顯示如第3圖所示之有機發光裝置1 〇R、 -11 - 1376976 ⑻ 10G和10B的平面結構。第5圖係顯示有機發光裝置i〇R 、10G和10B的共同橫剖面結構。在有機發光裝置1〇R、 10G和10B中，前述像素驅動電路14〇的驅動電晶體Trl 、將於後述的平面化絕緣膜13、步階形成層14、作爲陽 極的第一電極15、電極間絕緣膜16、距離調整層17、包 括發光層18C的有機層18、和作爲陰極的第二電極係以 此順序從基板11側而層壓。發光層18C區分爲（例如） 在平面形狀的中央部分中的第一區域21、在平面形狀的右 部和左部中的第二區域22» 上述的有機發光裝置10R、10G和10Β塗敷有保護膜 30 (係由氮化矽SiNx或其他所製成）。再者，由玻璃或 其他所製成的密封基板50藉由在整個區域上的黏著層40 而被接合至保護膜30，並藉此密封有機發光裝置1 〇R、 1 0 G 和 1 0 B。 在有機發光裝置l〇R、10G和10B中，第一電極15 具有如反射層的功能，且第二電極1 9具有如半透明反射 層的功能。第一電極15和第二電極19形成一共振體結構 ，以將發光層18C中所產生的光線予以共振。 換言之，有機發光裝置l〇R、10G和10B具有共振體 結構，其中係藉由將發光層18C側上的第一電極15之端 面設定爲第一端P2，將發光層18C側上的第二電極19之 端面設定爲第二端P2，以及將有機層18設定爲共振部， 使在發光層18C中所產生的光線共振並從第二端P2側擷 取。當有機發光元件l〇R、10G和10B具有此種共振體結 -12- (9) (9)1376976 構，在發光層18C中所產生的光線產生多個干擾，且操作 爲一種窄頻濾光器，使得待擷取的光線之波譜的半頻寬被 減低，且色彩純度可被改善。再者，從密封面板50進入 的外部光亦可藉由多個干擾而被衰減，且有機發光裝置 10R、10G和10B中的外部光之反射係數可藉由結合稍後 敘述的彩色濾光器51或波板和平面化板（圖未示），而 被大幅地降低。 驅動電晶體Trl經由連接孔13A (設於平面化絕緣膜 13中）而電性連接至第一電極15。 平面化絕緣膜13意欲平面化形成有像素驅動電路140 的基板11之表面。由於細連接孔13A係形成在平面化絕 緣膜13中，平面化絕緣膜13較佳係由具有適合圖案精確 度之材料所製成。例如可提出有機材料（例如：聚醯亞胺 )、非有機材料（例如：二氧化矽Si02 )或是其他來作爲 平面化絕緣膜13的成份材料。 步階形成層14僅形成在基板11上方的第二區域22 中，且用於在發光層18C側上的第一電極15之端面上形 成步階形狀。步階形成層14係由（例如）簡單材質或金 屬元素（例如：Al、Mo、Ti、Cr、Au、Pt、Ni、Cu、W、 和Ag)的合金所製成。再者，步階形成層14可由絕緣膜 (例如：二氧化矽Si02和氮化矽SiNx )所形成^ 由於第一電極15亦具有如反射層之功能，第一電極 15較佳具有儘可能局的商反射係數，以改善發光效能》第 —電極15具有（例如）從1〇〇 nm至1000 nm的層壓方向 -13- 1376976 do) 上之厚度（之後簡稱爲厚度），且係由簡單材質或金屬元 素（例如 A1 ' Mo ' Ti ' C r ' Au、Pt、Ni、Cu、W、和

Ag)的合金所製成。在第二區域22中的部分第一電極15 係形成在步階形成層14上。因此，在發光層18C側上的 第一電極15之端面，亦即前述共振體結構之第一端Pi， 具有對應於步階形成層14之步階形狀。 電極間絕緣膜16確保第一電極15和第二電極19間 的絕緣，且用於準確地獲得包括第一區域21和第二區域 2 2的發光區域之所欲形狀。例如：電極間絕緣膜1 6係由 光敏樹脂所製成。.電極間絕緣膜1 6設有對應於發光區域 的開口。儘管除了在第一區域21和第二區域22上方以外 ，有機層18和第二電極19係連續地設置於電極間絕緣膜 16上方，光線僅從電極間絕緣膜16的開口發射。 距離調整層17根據步階形狀而改變第一端P1和第二 端P2間的光距離。距離調整層17塡充第一電極15的步 階形狀，且在第二電極19側上具有平坦表面17A。換言 之，當設置距離調整層17時’第二端P2被平面化，且在 第一區域21中的共振體之第一端P1和第二端P2間之光 距離L1 (之後簡稱爲第二區域21中的光距離L1)係和在 第二區域22中的共振體之第一端P1和第二端P2間之光 距離L2(之後簡稱爲第二區域22中的光距離L2)不爲相 同。因此，在有機發光裝置l〇R、l〇G和10B中，在第一 區域21中的共振體之共振波長（待擷取之光線的波譜之 峰値波長）係和在第二區域22中的共振體之共振波長不 -14- (11) (11)1376976 爲相同，藉由合成各個分別待從第一區域21和第二區域 22所擷取之光線的各波譜而獲得之波譜的半頻寬被加寬， 且因此可改善視角特性。 針對此，在第一區域21中的光距離L1和在第二區域 22中的光距離L2較佳滿足數學式1。 數學式1 L 1 — Lave^ AL L2=Lavc - AL (2LaVe ) /λ + Φ/2π = ηι 在該公式中，Lave表示在第一區域21中的光距離LI 和在第二區域22中的光距離L2之間的平均光距離，Φ表 示在第一端P1上所產生之反射光的相位移Φ!以及在第二 端P2上所產生之反射光的相位移Φ2 ( Φ = Φ1+Φ2 )(徑度 )，1表示欲從第二端Ρ2側所擷取之光線的波譜之峰値波 長，以及m表示當Lave變爲正時的整數。在數學式1中 ，用於L1、L2、Lave、和λ的單位應爲共同的，例如：使 用n m爲單位。 在數學式1中，平均光距離Lave的第三公式係用以將 共振體之共振波長（待擷取之光線的波譜之峰値波長）和 欲被擷取的光線之波譜的峰値波長相匹配，並用以將光擷 取效能予以最大化。實際上，對於平均光距離Lave，數學 式1的第三公式之m較佳係爲0或1。 -15- (12) (12)1376976 如在數學式1所驗證，在此實施例中，即使當級數m 是相同的，在第一區域21中的光距離L1可與第二區域 22中的光距離L2不爲相同。因此，例如：當m爲1時， 可增加有機層18之厚度，藉此減低非發光缺陷。因此， 可達成產率和較佳視角特性之改善。相對而言，在相關技 術中（日本未審查專利申請案No. 2006-32327)，級數m 各自被設定（例如）爲0和1，以提供在個別光距離間的 差。因此，m = 0的區域中之有機層變爲較m=l的區域中之 有機層爲薄，導致輕易地增加非發光缺陷或其他。再者， m = 0的例子和m=l的例子間之光距離的差（|L2-L1|)是 大的，例如：在藍光的例子中約爲120 nm，其係藉由轉換 爲ITO (氧化銦錫）和有機層的厚度。因此，相較於級數 m是相同的例子，形成步階形狀的製程已變爲較爲困難的 〇 在數學式1的第一公式和第二公式中的AL較佳係爲 平均光距離Lave的5%之內，且較佳係爲2%至5%之內。 當AL大於5%時，光擷取效能可能會大幅地減低。同時， 當AL小於2%時，難以獲得足夠的效應。 第6圖顯示當數學式1被建立而m=l時的條件之下 △ L被改變時，藉由合成在第一區域21和第二區域22中 的個別共振體濾光器之波譜而獲得的波譜。有機發光裝置 具有一結構，其中電洞注入層爲95 nm厚，電洞傳輸層爲 95 nm厚，產生綠光的發光層爲25 nm厚，電子傳輸層爲 20 nm厚，而第二電極爲8 nm厚，上述依序地層壓在第 -16- (13) (13)1376976 一電極15上方。第一區域21和第二區域22之間的面積 比係爲1:1，而欲被擷取的光線之波譜的峰値波長λ係爲 5 3 0 n m。 如第6圖所示，當AL係在平均光距離Lave的5 %之內 時，合成波譜的半頻寬較AL係在平均光距離Lave的±0% 之內（亦即，在第一區域21中的光距離L1和在第二區域 22中的光距離L2係爲相等）的例子時爲寬，或是較AL係 在平均光距離Lave的±2%之內的例子時爲寬。換言之，可 發現共振體效應已修改。 第7和8圖各自地顯示在45度角（視角：45度）觀 看螢幕的例子相對於自前方觀看（場角：〇度）螢幕的例 子之相對亮度間的關係和有機層18中的厚度變動，以及 當數學式1被建立而m=l時的條件之下AL被改變時有機 層18中的色彩差Au'v'與厚度變動之間的關係。有機發光 裝置的結構、第一區域21和第二區域22之間的面積比、 以及欲被擷取的光線之波譜的峰値波長λ係與如第6圖所 示的例子相同。 如第7圖所示，當AL係在平均光距離Lave的±5 %之 內時，視角所導致亮度變化小於AL係在平均光距離Lave 的±0%之內的例子，或是AL係在平均光距離Lave的±2%之 內的例子。再者，如第8圖所示，當AL係在平均光距離 Lave的±5%之內時，色彩差AuW'的最大値爲減低，其係在 有機層的厚度變動是2%或更多之範圍中。換言之，可發 現視角特性可被改善。 -17- (14) (14)1376976 儘管m = l的例子已如第6至8圖中所述，當m爲包 括〇的其他値時可獲得較小效應。 距離調整層17可設於第一電極15和第二電極19之 間。其位置和成份材料並不特別限制。然而，舉例而言， 距離調整層17較佳係設於第一電極15和有機層18之間 ，且較佳係由與有機層18之電洞注入層18A相同材料（ 將於稍後敘述）所製成。因此，距離調整層17亦可作爲 電洞注入層18A。此外，距離調整層17可設於有機層18 的電洞注入層18A和有機層18的發光層18C之間，其係 由與電洞傳輸層18B相同有機材料所製成，並作爲電洞傳 輸層18B。再者，如第9圖所示，距離調整層17可從電 洞注入層18A或是電洞傳輸層18B而個別地設置。 如第5圖所示的有機層18具有一結構（例如），其 中電洞注入層18A、電洞傳輸層18B、發光層18C和電子 傳輸層18D係從第一電極15側而層壓。在前述該些層之 中，除了發光層18C以外的其他層可根據所需而設置。再 者，有機層18可具有一結構，其根據有機發光裝置10R 、10G和10B的發光色彩而變動。電洞注入層18A係用以 改善電洞注入效能，並作爲一緩衝層以避免漏損。電子傳 輸層18B係用以改善將電子傳輸至發光層18C之效能。發 光層18C係用以藉由施加電場而產生由於電子-電洞重組 所導致的光線。電子傳輸層18D係用以改善將電子傳輸至 發光層18C的效能。在電子傳輸層18D和第二電極19之 間提供由LiF、Li20或其他所製成的電子注入層（圖未示 -18- 1376976 5) 的 行 可 是 有機發光裝置10R的電洞注入層18A是例如5 nm至 300 nm厚’且係由4,4f,4〃-三（3-甲基苯基胺基）三苯基 胺（m-MTDATA)或是4,4W-三（2-萘基苯基胺基）三 苯基胺（2-TN ΑΤΑ )所製成。有機發光裝置1 〇R的電洞傳 輸層18B是例如5 nm至300 nm厚，且係由二〔（N-萘 基）-N -苯基〕聯苯胺（α-NPD)所製成。有機發光裝置 10R的發光層18C是例如10 nm至100 nm厚，且係由 40%體積百分率的2,6-二〔4-〔 （N-( 4-甲氧基苯基）- N-苯基）胺基苯乙烯基〕萘-1，5-二羧腈（BSN-BCN)混 合8-喹啉酚鋁錯合物（Alq3)之材料所製成。有機發光裝 置1 0R的電子傳輸層1 8D是例如5 nm至300 nm厚，且 由Alq3所製成。 有機發光裝置10G的電洞注入層18A是例如5 nm至 3 00 nm厚，且係由m-MTDATA或是2-TNATA所製成。有 機發光裝置10G的電洞傳輸層18B是例如5 nm至300 nm 厚，且係由a-NPD所製成。有機發光裝置10G的發光層 18C是例如10 nm至100 nm厚，且係由3%體積百分率的 香豆素（coumarin 6 )並混合Alq3之材料所製成。有機發 光裝置10G的電子傳輸層18D是例如5 nm至3 00 nm厚 ，且由A1 q 3所製成。 有機發光裝置10B的電洞注入層18A是例如5 nm至 300 nm厚，且係由m-MTDATA或是2-TNATA所製成。有 機發光裝置10B的電洞傳輸層18B是例如5 nm至300 nm -19- (16) (16)1376976 厚，且係由α-NPD所製成。有機發光裝置1 OB的發光層 18C是例如1〇 nm至100 nm厚，且係由螺（spiro) 6Φ所 製成。有機發光裝置10B的電子傳輸層18D是例如5 nm 至300 nm厚，且由Alq3所製成。 如第5圖所示的第二電極19是例如5 nm至50 nm厚 ，且係由簡單材質或金屬元素（例如：Al、Mg、Ca、和 Na)之合金所製成。尤其，鎂和銀的合金（MgAg合金） 或是鋁和鋰（AlLi合金）是較佳的。 如第5圖所示的黏著層40是例如由熱固性樹脂或可 紫外線硬化樹脂所製成。 如第5圖所示的密封基板50係爲在有機發光裝置 10R、10G和10B的第二電極19側上。密封基板50係將 有機發光裝置10R、10G和10B與黏著層40密封一起， 且係由例如玻璃（對於有機發光裝置10R、10G和10B中 所產生的光是透明的）的材料所製成。密封基板50是例

如設有彩色濾光器51，並擷取在有機發光裝置l〇R、i〇G 和10B中所產生的光，吸收在有機發光裝置10R、10G和 1 0B所反射的外部光，以及介於期間的佈線，並改善對比 〇 儘管彩色濾光器51可設於密封基板50的任一側上， 彩色濾光器51較佳係設於有機發光裝置i〇r、i〇G和10B 側上。因此’彩色濾光器51並未暴露在表面上，且可受 到黏著層40所保護。再者，在此例中，發光層18C和彩 色濾光器51之間的距離是減低的。因此，避免從發光層 -20- (17) 1376976 18C所發射的光浸入其他色彩的彩色濾光器51以及 混色是可行的。彩色濾光器51具有紅色濾光器、綠 光器、和藍色濾光器（圖未示）。紅色濾光器、綠色 器、和藍色濾光器係根據有機發光裝置10R、10G和 而依序地配置。 紅色濾光器、綠色濾光器、和藍色濾光器各自是 矩形的，且其間未形成空間。紅色濾光器、綠色濾光 和藍色濾光器各自是由樹脂混合染料所製成。紅色濾 、綠色濾光器、和藍色濾光器被調整以使得藉由選擇 而在目標紅、綠、或藍波長帶中的光透射率變爲較高 在其他波長帶中的光透射率變爲較低。 再者，隨著彩色濾光器51中的高透射率之波長 係對應於欲從共振體結構擷取之光線的波譜之峰値浓 。因此，在從密封基板50進入的外部光之中，僅具 於欲被擷取的光線之波譜的峰値波長λ之波長的光線 彩色濾光器51，且避免具有其他波長的其他外部光進 機發光裝置l〇R、10G和10Β。 顯示單元可依下述（例如）製造。 第10Α至12圖顯示依步驟順序製造顯示單元的 。首先，如第10Α圖所示，包括驅動電晶體Trl的像 動電路係形成在由前述材料所製成的基板Π上。之 平面化絕緣膜13係藉由例如在整個區域上塗敷光敏 而形成。接著，平面化絕緣膜13藉由提供曝光和顯 一給定形狀來圖案化。再者，形成和激發連接孔13A。 產生 色濾 濾光 1 0B 例如 器、 光器 染料 ，且 範圍 [長λ 有等 通過 入有 方法 素驅 後， 樹脂 影依 -21 - (18) (18)1376976 接著，如第10B圖所示，由前述材料所製成的步階形 成層14係藉由例如濺鍍法而形成。接續地，光阻圖案（ 圖未示）藉由微影法而形成在步階形成層14上。藉由濕 蝕刻並使用光阻圖案作爲遮罩而選擇性地移除步階形成層 I4。因此，僅在第二區域22中形成步階形成層14。 之後，如第11A圖所示，由前述材料所製成的第一電 極15係藉由例如濺鍍法而形成。接著，第一電極15藉由 濕蝕刻而選擇性地移除，並根據各個有機發光裝置10R、 10G和10B而分隔。因此，如第5圖所示的步階形狀係形 成在第一電極15的頂面上。 在形成第一電極15之後，如第11A圖所示，塗敷係 以光敏樹脂而在基板1 1的整體區域上達成，以及（例如 )光微影係以提供對應於包括第一區域21和第二區域22 的發光區域之開口而達成。結果物被激發以形成電極間絕 緣層1 6。 在形成電極間絕緣層1 6之後，如第1 1B圖所示，由 前述材料所製成的距離調整層17係藉由例如真空氣相沈 積法而形成在第一電極15上。跑離調整層17被加熱至等 於或大於成份材料之玻璃轉變點的溫度。因此’如第K 圖所示，第一電極15的步階形狀藉由距離調整層17來塡 充，且頂面17A被平面化。 在形成距離調整層17之後’具有前述厚度且由前述 材料所製成的電洞注入層18A、電洞傳輸層18B、發光層 18C、電子傳輸層18D、和第二電極19藉由氣相沈積法而 -22- (19) (19)1376976 依序地形成，以形成如第5圖所示的有機發光裝置1 OR、 10G和10B。由於第一電極15的步階形狀已藉由距離調整 層17而塡充且頂面17A已被平面化，在發光層18C側上 的第二電極之端面（亦即，第二端P2)被平面化。接續 地’由前述材料所製成的保護膜30係形成在有機發光裝 置 1 OR、1 0G 和 1 0B 上。 再者，舉例而言，由前述材料所製成的密封基板50 係藉由旋轉塗敷法或其他而塗敷有紅色濾光器的材料，其 結果物藉由光微影技術而被圖案化和激發，並藉此形成紅 色濾光器。接續地，如同紅色濾光器，亦相繼地形成藍色 濾光器和綠色濾光器。 之後，黏著層40形成在保護膜30上，且密封基板50 藉由其間的黏著層40而被接合至保護膜30。接著，形成 有彩色濾光器51的密封基板50之表面較佳係配置在有機 發光裝置10R、10G和10B側上。因此，完成如第3圖所 示的顯示單元。 在如上述所得的顯示單元中，掃描信號經由寫入電晶 體Tr2的閘極電極而從掃描線驅動電路130提供至各個像 素。來自信號線驅動電路120的影像信號經由寫入電晶體 Tr2而在保持電容Cs中保持。換言之，驅動電晶體Trl根 據在保持電容Cs中所保持的信號而控制on/0ff。因此， 驅動電流Id被注入至個別有機發光裝置l〇R、10G和10B 。因此，發生電子-電洞重組，並藉此發光。該光係在第 一電極15和第二電極19之間多重反射，並經過第二電極 -23- (20) (20)1376976 19、彩色濾光器51且接著經過密封基板50而被擷取。在 此實施例中，如第5圖所示，共振體結構的第一端pi具 有步階形狀。步階形狀係藉由距離調整層17來塡充並被 平面化，並因此第二端P2被平面化。再者，在第一區域 21中的光距離L1和在第二區域22中的光距離L2是彼此 不同。因此，在第一區域21中待擷取的光線之波譜的峰 値波長係和在第二區域22中的有所不同。因此，在各個 裝置中所擷取的光線之波譜變爲藉由合成各個波譜所得的 結果物。其波譜之半頻寬變爲較現有例子中（光距離在整 個裝置上方是相同的）爲寬。換言之，在此實施例中，視 角特性被改善。 如上所述，在此實施例中，共振體結構的第一端P1 具有步階形狀，且步階形狀藉由距離調整層17而塡充並 平面化，且因此第二端P2被平面化。再者，在第一區域 21中的光距離L1和在第二區域22中的光距離L2是彼此 不同。因此，在第一區域21中待擷取的光線之波譜的峰 値波長係和在第二區域22中的有所不同。因此，藉由合 成各個波譜所得的波譜之半頻寬可被增加，且視角特性可 被改善。再者，不需要形成用於透明基板之結構，例如： 可能導致外部光散射之凹面結構、光擴散層、和光折射層 。因此，未有導致外部光對比的退化之風險。再者，就製 造成本的角度而言亦爲有利的。 再者，用於調整光距離的透明導電膜變爲非必要的》 因此，未有導致非發光缺陷或降低孔徑比之風險。再者， -24- (21) 1376976 不需要用於改變透明導電膜的厚度之複雜圖案化製程 因此就製造成本的角度而言是有利的。因此，藉由簡 構和簡單步驟來實行包括高品質有機發光裝置10R， 和10B的顯示單元是可行的。 第二實施例 第13圖顯示根據本發明第二實施例之顯示單元 機發光裝置10R、10G和10B之橫剖面結構。根據第 施例之顯示單元的有機發光裝置l〇R、l〇G和10B係 第一實施例中所述之顯示單元的有機發光裝置相同， 在像素驅動電路140的驅動電晶體Trl和第一電極： 間的配置關係被調整，以使得在發光層1 8 C側上的第 極15之內表面上形成步階，以及未設置步階形成層 外。因此，將藉由固定與第一實施例相同元件的相同 而敘述如下。 驅動電晶體Trl設於基板11上的第二區域22中 由提供以驅動電晶體Trl所形成的足夠大步階，反映 電晶體Trl的步階係留在平面化絕緣膜13的表面上 此，在發光層18C側上的第一電極15之端面（亦即 振體結構的第一端P1)可具有對應於驅動電晶體Trl 狀之步階形狀。除此以外，第一電極15係如第一實 中來組構。 在第13圖中，如驅動電晶體Trl，如所示係爲具 相交錯型（所謂的底電極型）的驅動電晶體。在驅動

，且 單結 1 0G 的有 二實 和在 除了 15之 -電 14以 標號 。藉 驅動 。因 ，共 的形 施例 有反 電晶 -25- (22) (22)1376976 體Trl中，舉例而言，由例如：Mo、A1和Cr的金屬材料 所製成的閘極電極151設於基板11上。依序地形成由氮 化矽所製成的閘極絕緣膜1 5 2以及由半導體薄膜（例如： 多晶矽）所製成的通道層153，以覆蓋閘極電極151。在 閘極電極151上之通道層153的中央區域中，設置絕緣通 道保護膜154»在從通道保護膜154所暴露的通道層153 之兩側區域中，形成由η型半導體薄膜（例如：ii型多晶 矽）所製成的源極電極155S和汲極電極155D。源極電極 155S和汲極電極155D藉由通道保護膜154而彼此相隔。 源極電極155S和汲極電極155D各自形成有源極佈線 1 5 6S和汲極佈線1 56D，其中Ti層、Α1層、和Ti層相繼 地層壓。再者，結果物的整體表面覆蓋由氮化矽或其他所 製成的保護膜57。共面型（所謂的上電極型）驅動電晶體 Trl的驅動電晶體Trl之結構係和反相交錯型相類似，除 了元件的層壓順序是與上述相反以外。 在第一區域21中的光距離L1與在第二區域22中的 光距離L2較佳滿足如第一實施例中的數學式1» 顯示單元可以（例如）如下方式製造。 首先，像素驅動電路140形成在基板11上。接著， 驅動電晶體Trl形成在第二區域22中。亦即，由前述材 料所製成的閘極電極1 5 1係藉由例如濺鍍法而形成，而一 給定圖案係藉由例如光微影法和乾蝕刻或濕蝕刻來形成。 接著，由前述材料所製成的閘極絕緣膜152係形成在基板 11的整體區域上。接續地，通道層153、通道保護膜154 -26- (23) (23)1376976 、源極電極155S、汲極電極155D、源極佈線i56S、和汲 極佈線156D以一給定形狀而依序地形成在閘極保護膜上 。之後，結果物的整體表面覆蓋由前述材料所製成的保護 膜157，並藉此形成驅動電晶體Trl。 在形成包括驅動電晶體Trl的像素驅動電路14〇之後 ，如同第一實施例，依序地形成平面化絕緣膜13、第一電 極15、電極間絕緣膜16、距離調整層17、有機層18、和 第二電極19，並形成有機發光裝置10R、10G和10B。 之後，保護膜30和黏著層40形成在有機發光裝置 10R、10G和10B上，且設有彩色濾光器51的密封基板 50接合至其中。因此，完成如第13圖所示的顯示單元。 顯示單元的操作係和第一實施例相類似。 如上所述，在此實施例中，藉由利用由驅動電晶體 Trl所形成的步階，共振體結構的第一端P1具有對應於驅 動電晶體Trl的形狀之步階形狀。因此，除了和第一實施 例相類似的效應以外，有一優點在於不需形成步階形成層 14。因此，結構和製造步驟可更爲簡化。 在此實施例中，已敘述第一電極1 5形成在電晶體Tr 1 的上方，並藉此第一端P1設有步階形狀的例子。然而， 藉由保存電容Cs或是佈線電晶體Tr2和第一電極15之間 的配置關係，第一端P 1設有步階形狀以替代驅動電晶體 Trl是可行的》 再者，佈線（例如：信號線120A、掃描線130A、和 電力線）配置在基板11上的第二區域22且第一電極15 -27- (24) 1376976 形成在其上是可行的。在此例中，當佈線的ϋ 以進一步增加步階，佈線電阻降低，且因此京 元的觀點而言是有利的。另外，佈線可被多尾 步增加步階。在此例中，可改善開區域比，θ 機發光裝置l〇R、10G和10Β的電流密度，i 其使用壽命。 再者，當形成輔助佈線以降低第二電極 第一電極15係形成在輔助佈線上，並藉此第· 步階形狀是可行的。 再者，除了此實施例的驅動電晶體Trl、 佈線以外，和第一實施例相似的步階形成層 平面化絕緣膜1 3上。 第三實施例 第1 4圖顯示根據本發明第三實施例的羅 機發光裝置l〇R、10G和10B的橫剖面結構。 施例的顯示單元之有機發光裝置1 OR、10G和 —實施例中所述的顯示單元之有機發光裝置相 階形成層14係由與驅動電晶體Trl之相同和 外。因此，將藉由固定與第一實施例相同元件 而敘述如下。 步階形成層14係設於基板11上的第二及 步階形成層14係由與驅動電晶體Trl的源極1 汲極佈線1 5 6D之相同材料所製成。亦即，步 【度被增厚， E加大顯示單 ί化，以進一 Γ減低流入有 L因此可改善 1 9的電阻， 一端Ρ1設有 佈線或輔助 14可形成在 i示單元之有 根據第三實 10B係與第 丨同，除了步 卜料所製成以 :的相同標號 £域22中。 布線1 5 6 S和 階形成層14 -28- (25) (25)1376976 具有一結構，其中以此順序層壓Ti層166A、A1層166B 、Ti層166C、和保護膜157。 第一電極15形成在步階形成層14的上方，並具有設 於其間的平面化絕緣膜13。藉由提供由步階形成層14所 形成的足夠大步階，反射步階形成層14的步階留在平面 化絕緣膜13的表面上。因此，在發光層18C側上的第一 電極15之端面（亦即，共振體結構的第一端P1)可具有 對應於驅動電晶體Trl的形狀之步階形狀。除了此種結構 以外，第一電極15係與第一實施例相同結構。 在第一區域21中的光距離L1與在第二區域22中的 光距離L2較佳滿足如第一實施例中的數學式1。 此實施例的顯示單元可如同第二實施例加以製造，除 了（例如）當形成像素驅動電路140的驅動電晶體Tr 1， 由前述材料所製成並具有前述層壓結構的步階形成層14 係形成在基板11上的第二區域22中以外。 顯示單元的操作與效應係和第一實施例相類似。 在此實施例中，已敘述步階形成層14係由與驅動電 晶體Tr 1的源極佈線1 5 6 S和汲極佈線1 5 6D之相同材料所 製成，並具有相同的層壓結構。然而，步階形成層14可 由與驅動電晶體Trl的其他層之相同材料所製成，並具有 相同的層壓結構。例如，如第1 5圖所示，步階形成層1 4 可由與驅動電晶體Tr 1的閘極電極1 5 1、閘極絕緣膜1 22 之相同材料所製成的一層161、與通道層153之相同材料 所製成的一層163、與通道保護層154之相同材料所製成 -29- (26) 1376976 的一層164、與源極電極155S和汲極電極155D之相同材 料所製成的一層 165、以及與源極電極 156S和汲極電極 B6D之相同材料所製成的一層166來形成。藉由利用驅 動電晶體Trl的較多層來組成步階形成層14，可形成較高 的步階。

再者，步階形成層14可由與保存電容Cs或佈線電晶 體Tr2，或例如信號線120A、掃描線130A、和電力線之 相同材料所製成，並具有相同的層壓結構。另外’步階形 成層14可由與輔助佈線之相同材料所製成，並具有相同 的層壓結構，以減低第二電極19之電阻。 再者，除了此實施例的步階形成層14以外，亦可形 成與第一實施例相似的步階形成層14在平面化絕緣膜13 上，以形成較高的步階》 第四實施例 接著，將敘述根據本發明第四實施例的顯示單元。如 第16圖所示，第四實施例的顯示單元係與第一實施例中 所述之顯示單元相同，除了第—電極15係形成在設於基 板11上的凸凹結構61上以外。 凸凹結構61係由例如光敏樹脂所製成’且在第一電 極15側的表面上具有凸凹形狀。凸凹結構61可由如第16 圖所示的一層來形成。另外，凸凹結構61可如第17圖來 形成。在此例中，凸凹結構61具有複數個凸部61A和覆 蓋凸部61A的覆蓋層61B。在第一電極15側上的覆蓋層 -30- (27) (27)1376976 61B之表面具有對應於凸部61A之凸凹形狀。凸凹結構61 亦作爲如第一實施例所述之平面化絕緣膜13。再者，凸凹 結構61具有連接孔61C。 在發光層18C側上的第一電極15之端面係爲具有對 應於凸凹結構61之連續凸凹形狀的第一端P1。在第一電 極15上，設置塡充凸凹形狀並在發光層18C側上具有平 坦表面17A的距離調整層17。因此，第二端P2被平面化 ，且第一端P1和第二端P2之間的光距離L係根據第一端 P1的凸凹形狀而連續地改變。因此，在有機發光裝置1 OR 、10G和1 0B中，待擷取的光線之波譜的峰値波長係根據 光距離L而連續地變動，並加寬藉由合成各個波譜而得的 波譜之半頻寬，且因此可改善視角特性。 第一端P1的凸凹形狀較佳係爲具有超低角度（例如 :2度或更少的平均傾斜角）的凸凹形狀。當凸凹形狀具 有大的傾斜角，外部光散射變爲較大，導致低對比。 距離調整層17係由（例如）與有機層18的電洞注入 層18A或電洞傳輸層18B之相同材料所製成。距離調整層 17亦作爲如同電洞注入層18A或電洞傳輸層18B。再者， 如第18圖所示，距離調整層17可設置爲與電洞注入層 18A或電洞傳輸層18B相分隔。 顯示單元可以（例如）如下方式製造。 第19A至2 0B圖顯示依步驟順序製造顯示單元之方法 。該方法顯示如第16圖所示在單層凸凹結構61上形成第 一電極15之例子。 -31 - (28) (28)1376976 首先，如第19A圖所示，藉由以光敏樹脂來塗敷基板 11 (設有包括驅動電晶體Trl的像素驅動電路140)以形 成光敏樹脂膜7 1。 接著，如第19B圖所示，藉由光微影法並使用例如網 版標線片72或是二片標線片來曝光和顯影光敏樹脂膜71 ，以形成凸凹結構61。因此，例如，用於曝光的標線片之 圖案可較光微影機器之解析度更爲精細，以作爲形成超低 角度凸凹結構的方法》該方法並不侷限於此，且可使用其 他方法。再者，當凸凹結構61亦作爲平面化絕緣膜13, 可同步地形成連接孔61C。 接續地，如第20A圖所示，在觸發凸凹結構61之後 ，藉由例如濺鍍法而在凸凹結構61上形成第一電極15。 因此，對應於凸凹結構61的連續凸凹形狀係形成在發光 層18C側上的第一電極15之端面上。之後，如第20A圖 所示，塗敷係以如第一實施例之光敏樹脂達成，結果物係 藉由例如光微影法而形成並觸發。因此，形成電極間絕緣 膜 16 <· 在形成電極間絕緣膜16之後，由前述材料所製成的 距離調整層17係藉由例如真空氣相沈積法而形成在第一 電極15上。距離調整層17被加熱至與距離調整層17之 成份材料的玻璃轉變點相等或更多之溫度。因此，如第 20B圖所示，在發光層18C側上的距離調整層17之表面 被平面化。 在形成距離調整層17之後，依序地形成有機層18和 -32- (29) (29)1376976 第二電極19在距離調整層17上。接著，當距離調整層17 係由與電洞注入層18A或電洞傳輸層18B之相同材料所製 成時，電洞注入層18A或電洞傳輸層18B可再次地與距離 調整層17箱分隔地形成。另外，電洞注入層18A與電洞 傳輸層18B可被省略，並可僅形成發光層18C與電子傳輸 層 1 8D。 之後，保護膜30和黏著層40形成在有機發光裝置 10R、10G和10B上。接著，設有彩色濾光器51的密封基 板50接合至其中。因此，完成如第16圖所示的顯示單元 〇 另外，顯示單元可以如下方式製造。 第21A至22B圖顯示依步驟順序製造顯示單元之另一 方法。該方法顯示如第17圖所示在凸凹結構61上形成第 一電極15且其中複數個凸部61A以覆蓋層61B來覆蓋之 例子。 首先，如第21A圖所示，藉由以光敏樹脂來塗敷基板 11 (設有包括驅動電晶體Trl的像素驅動電路140)以形 成光敏樹脂膜71。接著，藉由光微影法並使用例如遮罩 81來曝光和顯影光敏樹脂膜，以形成並觸發凸凹結構61 〇 接著，如第21B圖所示，形成有凸部61A的基板11 再次地以光敏樹脂來塗敷，並藉此以覆蓋層61B來覆蓋凸 部 6 1 A。 接續地，如第22A圖所示，藉由光微影法並使用例如 -33- 1376976 ρ〇) 遮罩82來形成連接孔61C在覆蓋層61B中，並加以觸發 p 接續地，如第22B圖所示’藉由例如濺鍍法而在凸凹 結構61上形成第一電極15。因此，對應於凸凹結構61的 連續凸凹形狀係形成在發光層18C側上的第一電極15之 端面上。 之後，如同在前述製造方法中，塗敷係以光敏樹脂達 成，結果物係藉由例如光微影法而形成並觸發。因此，形 成電極間絕緣膜16»接續地，如同在前述製造方法中，距 離調整層17形成在第一電極15上。距離調整層17被加 熱至與距離調整層17之成份材料的玻璃轉變點相等或更 多之溫度。因此，在發光層18C側上的距離調整層17之 表面被平面化。 在形成距離調整層17之後，如同在前述製造方法中 ，依序地形成有機層18和第二電極19。之後，保護膜30 和黏著層40肜成在有機發光裝置10R、10G和10B上。 接著，設有彩色濾光器51的密封基板50接合至其中。因 此，完成如第17圖所示的顯示單元。 在此顯示單元中，當一給定電壓施加於第一電極15 和第二電極19之間時，如同第一實施例而發光。該光在 第一電極15和第二電極19之間多重反射，並從第二電極 19側擷取。在此實施例中，第一端P1具有連續凸凹形狀 。連續凸凹形狀係以距離調整層17來塡充並被平面化。 藉此，光距離L被連續地改變。因此，待擷取之光線的波 -34- (31) (31)1376976 譜之峰値波長係根據光距離L而連續地變動，加寬藉由合 成各個波譜而得的波譜之半頻寬，且因此改善視角特性。 如上所述，在此實施例中，第一端P1具有連續凸凹 形狀。凸凹形狀係以距離調整層17來塡充並被平面化。 藉此，光距離L被連續地改變。因此，待擷取之光線的波 譜之峰値波長係根據光距離L而連續地變動，且因此改善 視角特性。 在前述第一至第四實施例中，光距離彼此不同的區域 設於各個有機發光裝置中。並且，具有相同色彩的相鄰有 機發光裝置之間的光距離可彼此不相同，亦是可行的。之 後將敘述其範例。 第五實施例 第23圖顯示根據本發明第五實施例之顯示單元的顯 示區域110之平面結構的範例。在此顯示單元中，有機發 光裝置10R1和10R2 (其分別包括在相鄰像素1〇1和1〇2 中，並具有相同發光波長）在第一端P1和第二端P2之間 具有彼此不同的光距離LR1和LR2。相同地，有機發光裝 置10G1和10G2的光距離LG1和LG2係彼此不同，且有 機發光裝置10B1和10B2的光距離LB1和LB2係彼此不 同。有機發光裝置 10R1、 10R2、 10G1、 10G2、 10B1、 10B2的各個內部點並不分隔爲第一區域21和第二區域22 。因此，在各個裝置中的光距離是相同的。藉此，在顯示 單元中’具有相同發光波長之從有機發光裝置1〇R1和 -35- (32) 1376976 10R2(或10G1和l〇G2、或10B1和10B2)所擷取之 波譜之峰値波長，可彼此不同。因此，可改善視角特 像素101和1〇2係例如以格紋圖案來配置。然而 素101和102可爲線性陣列，或可利用其他配置，只 有視覺問題。在第23圖中，像素101是網狀的。 第24圖顯示相鄰像素101和102之橫剖面結構 基板11的像素102之區域中，形成步階形成層14。 102的第一電極15形成在步階形成層14上。藉此， 素101的第一電極15以及像素102的第一電極15之 置垂直間隔。亦即，在像素101和102之發光層18C 的第一電極15之各個端面，係爲具有對應於步階形 14的垂直間隔之第一端pi。再者，在第一電極15上 置塡充在像素101和102之各個第一電極15間的垂 隔並在第二電極19側上具有平坦表面17A之距離調 17。因此，第二端P2被平面化，且在第一端P1和第 P2之間的光距離根據在像素101和102之各個第一 1 5之間的垂直間隔而有所不同。除了前述結構以外， 發光裝置 10R1.、10R2、10G1 和 10G2、10B1 和 10B2 第一實施例之結構。 如同第一實施例，距離調整層17係由與有機層】 電洞注入層18A或電洞傳輸層18B之相同有機材料所 。距離調整層17亦作爲電洞注入層18A或電洞傳 18B。再者，儘管圖未示，距離調整層17可與電洞注 18A或電洞傳輸層18B分隔地設置。 光的 注。 ，像 要沒 。在 像素 在像 間設 側上 成層 ，設 直間 整層 二端 電極 有機 係如 8的 製成 輸層 入層 -36- (33) (33)1376976 在有機發光裝置10R1中的光距離LR1以及在有機發 光裝置10R2中的光距離LR2較佳係滿足數學式2。在有 機發光裝置10G1中的光距離LG1以及在有機發光裝置 10G2中的光距離LG2較佳係滿足數學式3。在有機發光 裝置10B1中的光距離LB1以及在有機發光裝置10B2中 的光距離LB2較佳係滿足數學式4。 數學式2 LRl = LRave + ALR LR2 = LRave — ALR (2LRave) /λ + Φ/2π = Π1 在該公式中，LRave表示在有機發光裝置10R1中的光 距離LR1以及有機發光裝置10R2中的光距離LR2之間的 平均光距離，Φ表示在第一端P1上所產生之反射光的相位 移Φ,以及在第二端P2上所產生之反射光的相位移①2 ( 0) = 0^+(1)2 )(徑度），λ表示欲從第二端P2側所揺取之光 線的波譜之峰値波長，以及m表示當LRave變爲正時的整 數。在數學式2中’用於 LR1、LR2、LRave、和λ的單位 應爲共同的，例如：使用nm爲單位。 數學式3

LG 1 = LGave**"^LG

LG2 = LGave~ALG -37- (34) 1376976 (2LGaVe ) /λ + Φ/2π = ιη • 在該公式中，LGave表示在有機發光裝置10G1中的光 距離LG1以及有機發光裝置l〇G2中的光距離LG2之間的 • 平均光距離，Φ表示在第一端P1上所產生之反射光的相位 • 移Φ|以及在第二端P2上所產生之反射光的相位移Φ2( Φ = Φ, + Φ2 )(徑度），λ表示欲從第二端P2側所擷取之光 ^ 線的波譜之峰値波長’以及m表示當LGave變爲正時的整 數。在數學式3中’用於LG1、LG2、LGave、和λ的單位 應爲共同的，例如：使用nm爲單位。 數學式4 LB l = LBaVe + ALB LB2 = LBave"ALB (2LBave) /λ + Φ/2π = ιη 在該公式中，LBave表示在有機發光裝置10Β1中的光 • 距離LB1以及有機發光裝置10B2中的光距離LB2之間的 • 平均光距離，Φ表示在第一端P1上所產生之反射光的相位 移Φ，以及在第二端P2上所產生之反射光的相位移φ2 ( Φ = Φι+Φ2)(徑度）’ λ表示欲從第二端Ρ2側所擷取之光 線的波譜之峰値波長，以及m表示當LGave變爲正時的整 數。在數學式4中，用於LB1、LB2、LBave、和λ的單位 應爲共同的，例如：使用nm爲單位。 -38- (35) (35)1376976 數學式2至數學式4表示針對各個發光色彩（R、G、 B)的數學式1。各個第一、第二和第三公式的意義是與 數.學式1相同。 •顯示單元可以如第—實施例中來製造，除了步階形成 層14係形成在預期區域中（待形成像素1〇2處）。 在此實施例的顯示單元中，當一給定電壓施加於第一 電極15和第二電極19之間時，如同第一實施例而發光。 該光在第一電極15和第二電極19之間多重反射，並從第 二電極1 9側擷取。在此實施例中，有機發光裝置1 OR 1和 10R2(其分別包括在相鄰像素101和102中，並具有相同 發光波長）在第一端P1和第二端P2之間具有彼此不同的 光距離LR1和LR2。因此，從有機發光裝置10R1和10R2 所擷取之光的波譜之峰値波長是彼此不同的。因此，當有 機發光裝置1 OR 1和10R2同步地發光，如同第一實施例， 加寬合成波譜之半頻寬，且因此改善視角特性。此種效應 可與有機發光裝置10G1與10G2以及有機發光裝置10B1 與10B2相類似獲得。 如上所述，在此實施例中，有機發光裝置1 OR 1與 10R2(或1 0G1與10G2、或10B1與10B2)，其包括在相 鄰像素101和102中並具有相同發光波長’在第一端P1 和第二端P2之間具有彼此不同的光距離LR1和LR2 (或 LG1和LG2、或LB1和LB2)。因此，待從具有相同發光 波長的裝置所擷取的光線之波譜的峰値波長可彼此不相同 。因此，可改善視角特性。 -39- (36) (36)1376976 在前述實施例中，已敘述藉由如第一實施例之利用步 階形成層14和距離調整層17，光距離LR1/LG1/LB1被設 爲與光距離LR2/LG2/LB2不爲相同的例子。然而，藉由 如第二或第三實施例利用由驅動電晶體Tr 1、佈線或其他 所形成的步階，而將光距離LR1/LG1/LB1設爲與光距離 LR2/LG2/LB2不爲相同，亦是可行的。 之後將敘述第五實施例的變型例1至變型例3，其中 光距離LR1/LG1/LB1藉由利用其他結構而被設爲與光距 離LR2/LG2/LB2不爲相同。在變型例1至變型例3中， 光距離LR1/LG1/LB1藉由利用第一電極15的結構之差， 或是有機層 18的厚度之差而被設爲與光距離 LR2/LG2/LB2不爲相同。 變型例1 第25圖顯示根據變型例1的像素101和102之橫剖 面結構。在變型例1的顯示裝置之第一電極15中，由包 括Ag的合金所製成的反射電極15A以及透明電極15B係 以此順序而從基板1 1側層壓。在此例中，像素1 〇 1的透 明電極15B具有一結構，其中由多晶ITO所製成的下部層 15BB以及由非晶ITO或IZO所製成的上部層15BT係以 此順序而層壓。像素102的透明電極15B僅具有下部層 1 5BB ° 顯示單元可以如下述（例如）來製造》 第26A至27圖顯示以步驟順序製造顯示單元之方法 -40- (37) (37)1376976 。首先，如第26A圖所示，包括驅動電晶體Trl的像素驅 動電路140以及平面化絕緣膜13係形成在由前述材料所 製成的基底Π上，如同第一實施例。之後，藉由例如濺 鍍法而依序地形成包括下部層15BB和上部層15BT (分別 由前述材料所製成）的反射電極15A以及透明電極15B。 接著，在上部層15BT上，藉由使用例如光微影法來 形成光阻圖案（圖未示）。如第26B圖所示，藉由濕蝕刻 並使用光阻圖案作爲遮罩而選擇性地移除像素102的上部 層15BT。接著，例如，當下部層15BB係由多晶TIO所製 成而上部層15BT係爲非晶ITO或IZO所製成，以及使用 磷酸、氮酸、和醋酸的混合物作爲濕蝕刻劑，僅藉由使用 非晶ITO或IZO與多晶ITO之間的濕蝕刻選擇性而選擇 性地移除上部層1 5 B T。 再者’如第2 7圖所示，藉由例如乾蝕刻而選擇性地 移除透明電極15B和反射電極15A，並與各個有機發光裝 置10R、10G與10B相分隔。藉此，形成如第25圖所示 的第一電極1 5。 之後，在第一電極1 5之間形成電極間絕緣膜1 6 (參 照第5圖）。接著’藉由例如氣相沈積法而依序地形成具 有前述厚度並由前述材料所製成的電洞注入層18A、電洞 傳輸層18B、發光層18C、電子傳輸層18D、和第二電極 19 ’以形成如第25圖所示之有機發光裝置i〇R、10G與 10B。接續地’在有機發光裝置i〇R、i〇G與10B上形成 保護膜30和黏著層40’且設有彩色濾光器51的密封基板 -41 - (38) (38) 1376976 51被接合至其中。因此，完成如第25圖所示之顯示單元 變型例2 第28圖顯示第一電極15的結構之另—範例。此變型 例的第一電極15具有一層壓結構，其中交替地層壓反射 電極15A和透明電極15B。像素1〇1的第一電極15具有 一結構’其中由包括Ag的合金所製成的第一反射電極 15A1、由多晶ITO所製成的第一透明電極15B1、由包括 Ag的合金所製成的第二反射電極15A2、和由多晶ITO所 製成的第二透明電極1 5B2，係以此順序而從基板1 1側層 壓。像素102的第一電極15具有一結構，其中第一反射 電極15A1和第一透明電極15B以此順序而從從基板11側 層壓。第一透明電極15B1和第二透明電極15B2的厚度根 據光距離LR1、LG1、LB1以及光距離LR2、LG2、LB2而 有所不同。第二透明電極15B2較第一透明電極15B1爲厚 。在像素101中的第一端P11之位置係爲在發光層18C側 上的第二反射電極15 A2之端面。在像素102中的第一端 P12之位置係爲在發光層18C側上的第一反射電極15A1 之端面。 顯示單元可以如下述（例如）來製造。 第29A至3 0B圖顯示以步驟順序製造顯示單元之方法 。首先，如第29A圖所示，於包括驅動電晶體Trl的像素 驅動電路14〇以及平面化絕緣膜13形成在由前述材料所 -42 - (39) (39)1376976 製成的基底11之後，如同第一實施例，藉由例如濺鍍法 而依序地形成分別由前述材料所製成的第一反射電極 15A1、第一透明電極15B1、第二反射電極15A2、和第二 透明電極15B2。接著，例如：第一透明電極i5Bi係由多 晶ITO所製成，且第二反射電極15 A2係爲包括Ag的合 金所製成。 接著’在第二透明電極15B2上，藉由使用例如光微 影法來形成光阻圖案（圖未示）。如第29B圖所示，選擇 性地移除第二透明電極15B2以及除了像素1〇1以外之區 域中厚度方向上的部分第二反射電極15 A2。 再者，如第30A圖所示，厚度方向上的其餘部分之第 二反射電極15A2藉由濕蝕刻並使用例如磷酸、氮酸、和 醋酸的混合物作爲濕蝕刻劑而被選擇性地移除，以暴露第 一透明電極15B1。接著，僅第二反射電極15 A2藉由使用 IΤΟ和包括Ag的合金之間的濕蝕刻選擇性而被移除。 接續地，如第3 0圖所示，藉由例如乾蝕刻而移除第 一透明電極15B1和第一反射電極15A1，並與各個有機發 光裝置10R、10G與10B相分隔。藉此，形成如第28圖 所不的第一電極15。 之後，在第一電極1 5之間形成電極間絕緣膜1 6 (參 照第5圖）。接著，如同前述方法，依序地形成電洞注入 層18A、電洞傳輸層18B、發光層18C、電子傳輸層18D 、和第二電極19，以形成如第28圖所示之有機發光裝置 10R、10G與10B。之後，在有機發光裝置10R、10G與 -43- (40) (40)1376976 10B上形成保護膜30和黏著層40，且設有彩色濾光器51 的密封基板51被接合至其中。因此，完成如第28圖所示 之顯示單元。 變型例3 第31圖顯示根據變型例3的像素101和102之橫剖 面結構。在變型例3的顯示單元中，像素1〇1的有機層18 之厚度較像素102的有機層18之厚度爲厚。在此例中， 例如出自電洞注入層18A、電洞傳輸層18B、發光層18C '和電子傳輸層18D中的一或多個層可被改變。尤其，電 洞注入層18A或電洞傳輸層18B的厚度較佳被改變，由於 這些層在厚度上具有高載子遷移率和小電壓相依度。一般 而言，當發光層18C或電子傳輸層18D的厚度改變時，其 在該裝置之驅動電壓上的效應是大的，亦即，電壓在厚區 域上是變爲高的，而在薄區域上是低的，其導致在發光亮 度上的不平均。 一般而言，可提出鈦花青化合物、胺化合物、azaaryl 化合物或是其他’作爲電洞注入層1 8 A的成份材料。當像 素101的有機層18之厚度與像素102的有機層18之厚度 不问時’較佳使用azaanthracene衍生物、azatriphenylene 衍生物或是其他作爲azaaryl化合物》 該顯示單元可以（例如）如下述來製造。 首先，如同在第一實施例中，由前述材料所製成的包 括驅動電晶體Trl的像素驅動電路140、平面化絕緣膜13 -44- (41) 1376976 、第一電極15和電極間絕緣膜16形成在基板11上 接著，依序形成電洞注入層18A、電洞傳輸層 發光層18C、電子傳輸層18D、和第二電極19在第 15上。接著，像素1〇1的有機層18之厚度與像素 有機層18之厚度不同。可使用用於形成有機層18 性方法之一，例如：使用遮罩的氣相沈積法、噴墨 射轉印法、印刷法，來作爲形成具有不同厚度之有 的方法。 接續地，保護膜30和黏著層40形成在有機發 10R、10G和10B上，且設有彩色濾光器51的密 5〇被接合至其中。因此，完成如第31圖所示的顯 模組和應用範例 之後將敘述在第一至第五實施例中所述的顯示 應用範例。可應用前述各個實施例的顯示單元，作 何領域中之電子裝置的顯示單元，用於顯示從外部 視訊信號或是在內部所產生的視訊信號，作爲一影 視訊，上述電子裝置例如：TV設備 '數位相機、 個人電腦、行動終端（例如手機）、和視訊攝影機 模組 根據前述個別實施例的顯示單元（例如第3 2 示的模組）被倂入至各種電子裝置（例如：後述的 方。 1 8B、 一電極 102的 的一般 法 '雷 幾層18 光裝置 封基板 示單元 單元之 爲在任 輸入的 像或一 筆記型 圖中所 應用範 -45- (42) 1376976 例1至5)。在該模組中，例如：自密封基板50和 40暴露的區域210係設於該基板11的一側上，且 驅動電路120和掃描線驅動電路130的佈線係延伸 露區域210，以形成外部連接端子（圖未示）。外 端子可設有可撓印刷（FPC)佈線基板220，以輸 出信號。 應用範例1 第33圖顯示TV設備之外觀，其中應用前述個 例的顯示單元。電視設備具有（例如）包括前面板 濾光器玻璃320的視訊顯示螢幕300。視訊顯示螢 係由根據前述實施例的顯示單元所形成。 應用範例2 第34A和34B圖顯示數位相機之外觀，其中應 個別實施例的顯示單元。數位相機具有（例如）用 的發光部410、顯示器420、選單開關430、快門按 。顯示器4 2 0係由根據前述實施例的顯示單元所形月 應用範例3 第35圖顯示筆記型個人電腦之外觀，其中應 個別實施例的顯示單元。筆記型個人電腦具有（例 體510、用於輸入字元和其他的鍵盤5 20、和用於 像的顯示器530。顯示器5 3 0係由根據前述實施例 黏著層 信號線 至該暴 部連接 入和輸 別實施 310和 幕300 用前述 於閃光 鈕440 用前述 如）主 顯示影 的顯示 -46 - (43) (43)1376976 單元所形成。 應用範例4 第36圖顯示視訊攝影機之外觀，其中應用前述個別 實施例的顯示單元。視訊攝影機具有（例如）主體610、 用於拍攝目標620的透鏡（設於主體610的前側面上）、 在拍攝目標時開始/停止開關630、和顯示器640。顯示 器640係由根據前述實施例的顯示單元所形成。 應用範例5 第3 7A至3 7F圖顯示手機之外觀，其中應用前述個別 實施例的顯示單元。手機具有一結構，例如其中上殼體 710和下殼體720連接通過連接部（樞紐）730。手機具有 顯芣器740、子顯示器750、圖像光760、和攝影機77〇。 顯示器740或子顯示器7 5 0係由根據前述實施例的顯示單 元所形成。 儘管本發明已參照實施例加以敘述，本發明並不侷限 於前述實施例，且可作各種變更。舉例而言’在前述第一 至第三實施例中，已敘述其中發光層18C在平面形狀中被 區分爲中央第一區域21和右與左第二區域22的例子。然 而，如第38圖所示，發光層18C在平面形狀中可區分爲 右側半第二區域22和左側半第一區域21»另外’如第39 圖所示，發光層18C在平面形狀中可區分爲上側半第一區 域21和下側半第二區域22。另外，如第40圖所示’發光 -47- (44) (44)1376976 層18C可藉由對角邊界線來區分。換言之，第一區域21 和第二區域22可以任意方式來界定，只要其沒有視覺問 題。 再者，步階形成層14並非必須僅形成在部分基板11 上，且可形成在基板11的整體區域上。在此例中，藉由 改變步階形成層14的厚度，步階可形成在發光層18C側 上的第一電極15之端面上。 再者，在前述第四實施例中，已敘述其中第一端P1 具有連續凸凹形狀的例子 然而，第一端P1和第二端P2的至少之一具有連續凸 凹形狀已足夠。 此外，有機發光裝置10R、10G和10B並非必須區分 爲二區域（第一區域21和第二區域22)，其可區分爲三 個區域或更多。在此例中，其至少二區域具有彼此不同的 光距離已足夠。 再者’例如’各個層的材料 '厚度、膜形成方法、膜 形成條件和其他並未侷限於前述實施例中所述，可使用其 他材料、其他厚度、其他膜形成方法、其他膜形成條件。 例如，在前述實施例中，已敘述第一電極15、有機層18 、和第二電極19依序從基板π上方的基板11側而層壓 ，且光係從密封基板5 0側所擷取的例子。然而，層壓順 序是相反亦爲可行的，亦即，第二電極19、有機層18、 和第一電極15依序地從基板u上方的基板π側而層壓 ，且光係從基板1 1側所擷取。 -48- (45) (45)1376976 再者，例如，在前述實施例中，已敘述第一電極15 是陽極且第二電極19是陰極的例子。然而，該極性是相 反亦爲可行的，亦即，第一電極15是陰極且第二電極19 是陽極。再者，第一電極15是陰極且第二電極19是陽極 ，第二電極19、有機層18、第一電極15依序地從基板11 上方的基板1 1側層壓，且光係從基板1 1側所擷取亦是可 行的。 再者’在前述實施例中，有機發光裝置1 OR、10G和 1 0B的結構係以特定例子加以敘述。然而，並非總是需要 提供所有層，且亦可另外提供其他層。例如：在第一電極 15和有機層18之間提供由氧化鉻（Cr203 )所製成的電洞 注入薄膜層、ITO (氧化錫銦，銦In和錫Sn的氧化物混 合膜）亦是可行的。再者，例如，第一電極15或反射電 極15A可由介電多層膜來形成。 再者，在前述實施例中，已敘述第二電極19係由半 透明反射層所製成的例子。然而，第二電極19可具有一 結構，其中半透明反射層和透明電極依序地從第—電極15 側來層壓。透明電極係用於減低半透明反射層的電阻抗， 且係由對於在發光層中所產生的光具有足夠半透明之導電 材料所製成。例如，ITO，或包括In、Zn、和氧的化合物 是較佳作爲透明電極之材料。藉此，即使當沈積係在室溫 下達成時，亦可獲得較佳之導電性。透明電極的厚度可爲 (例如）30 nm至100 nm。在此例中，形成一共振體結構 ’其中半透明反射層被設爲一端。而另一端則設在面對半 -49- (46) (46)1376976 透明電極並在其間具有透明電極的位置上，且透明電極被 設爲共振體部分是可行的。再者，當設置此種共振體結構 ，有機發光裝置l〇R、10G和10B係較佳以保護膜30來 覆蓋，且保護膜3 0係由具有折射係數小於組成透明電極 之材料的折射係數之材料來製成，藉此保護膜30可爲共 振體的部分》 再者，本發明的實施例可被應用於下述例子，第二電 極1 9係由透明電極所形成，在有機層1 8的對側上之透明 電極的端面之反射係數是較大，以及在發光層18C側上的 第一電極15之端面是第一端且在有機層的另一側上之透 明電極的端面是第二端。例如，透明電極係與大氣層相接 觸，透明電極和大氣層之間的界面之反射係數是增加，且 該界面被設爲第二端是可行的。另外，具有黏著層之介面 的反射係數是增加，且該介面被設爲第二端是可行的。另 外，有機發光裝置l〇R、10G和10B係以保護膜30來覆 蓋，具有保護膜30之界面的反射係數是增加，且該介面 被設爲第二端是可行的。 再者，在前述實施例中，已敘述主動陣列型顯示單元 。然而，本發明的實施例可被應用於被動矩陣型顯示單元 。再者，用於主動矩陣驅動之像素驅動電路的結構並未侷 限於在前述個別實施例中所述之結構。假如需要的話，可 增加墊容裝置或電晶體。在此例中，除了前述信號驅動電 路120和掃描線驅動電路130以外，根據像素驅動電路的 改變，可增加所需之驅動電路。 -50- (47) 1376976 雖已敘述本發明之某些實施例，但此些實施例僅作爲 範例而不致限縮本發明之範圍。確切來說，此處所述之新 • 穎方法與系統可以各種其式加以實施；此外，對此處所述 之方法與系統進行各種刪減、替代與形式上之改變仍不會 ’ 脫離所附申請專利範圍中所定義之發明槪念的精神及範圍 • 。所附之申請專利範圍可涵蓋各種形式與修改而不脫離本 發明之精神與範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示根據本發明第一實施例之顯示單元的組 態之圖式； 第2圖係顯示如第1圖所示之像素驅動電路的範例之 圖式； 第3圖係顯示如第1圖所示之顯示區域的結構之平面 圖， • 第4圖係顯示如第3圖所示之有機發光裝置的結構之 平面圖； • 第5圖係顯示如第3圖所示之有機發光裝置的結構之 • 橫剖面圖； 第6圖係顯示當△]：改變時共振體濾光器的波譜之圖 式； 第7圖係顯示當改變時基於視角的亮度改變之圖 式； 第8圖係顯示當AL改變時基於視角的色彩差Au，v，之 -51 - (48) (48)1376976 圖式； 第9圖係顯示如第5圖所示之有機發光裝置的另一結 構之橫剖面圖； 第1 ΟA和1 0B圖係以步驟順序顯示如第1圖所示之顯 示單元的製造方法之橫剖面圖； 第11A和11B圖係爲顯示在第10B後之步驟的橫剖 面圖； 第12圖係顯示在第11B後之步驟的橫剖面圖； 第13圖係顯示根據本發明第二實施例用於顯示單元 之有機發光裝置的結構之橫剖面圖； 第14圖係顯示根據本發明第三實施例用於顯示單元 之有機發光裝置的結構之橫剖面圖； 第15圖係顯示如第14圖所示之有機發光裝置的另一 結構之橫剖面圖； 第16圖係顯示根據本發明第四實施例用於顯示單元 之有機發光裝置的結構之橫剖面圖： 第17圖係顯示如第16圖所示之有機發光裝置的另一 結構之橫剖面圖， 第18圖係顯示如第16圖所示之有機發光裝置的又另 —結構之橫剖面圖； 第19A和19B圖係以步驟順序顯示如第16圖所示之 顯示單元的製造方法之橫剖面圖； 第20A和20B圖係爲顯示在第19β後之步驟的橫剖 面圖； -52- (49) (49)1376976 第21A和21B圖係以步驟順序顯示如第17圖所示之 - 顯示單元的製造方法之橫剖面圖； 第22 A和22B圖係爲顯示在第21B後之步驟的橫剖 面圖； 第23圖係顯示根據本發明第五實施例之顯示單元的 組態之平面圖； 第24圖係顯示如第23圖所示的二相鄰像素之結構的 橫剖面圖； 第2 5圖係顯示變型例1的二相鄰像素之結構的橫剖 面圖； 第26 A和26B圖係以步驟順序顯示如第25圖所示之 顯示單元的製造方法之橫剖面圖； 第27圖係爲顯示在第26B後之步驟的橫剖面圖； 第2 8圖係顯示變型例2的二相鄰像素之結構的橫剖 面圖； 第29A和29B圖係以步驟順序顯示如第28圖所示之 顯示單元的製造方法之橫剖面圖； 第30A和30B圖係爲顯示在第29B後之步驟的橫剖 面圖； 第31圖係顯示變型例3的二相鄰像素之結構的橫剖 面圖； 第32圖係顯示包括根據前述各實施例之一的顯示單 元之模組的槪要結構之平面圖： 第33圖係顯示前述各實施例的一顯示單元之應用範 -53- (50) (50)1376976 例的外觀之透視圖； 第34A圖係顯示從應用範例2的前側觀看之外觀的透 視圖，及第34B圖係顯示從應用範例2的後側觀看之外觀 的透視圖； 第35圖係顯示應用範例3之外觀的透視圖； 第36圖係顯示應用範例4之外觀的透視圖； 第3 7 A圖係在開啓狀態下應用範例5之前視圖，第 3 7 B圖係爲其側視圖，第3 7 C係在關閉狀態下應用範例5 之前視圖’第3 7D圖係爲其左側視圖，第3 7E圖係爲其右 側視圖，第37F圖係爲其上視圖，及第3 7G係爲其底視圖 第38圖係顯示如第2圖所示之有機發光裝置之第一 區域和第二區域的平面形狀之另一範例的平面圖； 第39圖係顯示如第2圖所示之有機發光裝置之第一 區域和第二區域的平面形狀之又另一範例的平面圖；以及 第40圖係顯示如第2圖所示之有機發光裝置之第_ 區域和第二區域的平面形狀之另一範例的平面圖》 【主要元件符號說明】 1〇 :有機發光裝置 10B :有機發光裝置 10B1 :有機發光裝置 10B2 :有機發光裝置 10G :有機發光裝置 -54- (51) 1376976 10G1 :有機發光裝置 10G2 :有機發光裝置 10R :有機發光裝置 10R1 :有機發光裝置 10R2 :有機發光裝置 1 1 :基板

1 3 :平面化絕緣膜 1 3 A :連接孔 1 4 :步階形成層 1 5 :第一電極 1 5 A :反射電極 15A1 :第一反射電極 15A2:第二反射電極 1 5 B :透明電極 15B1 :第一透明電極 15B2:第二透明電極 15BB :下部層 1 5BT ：上部層 1 6 :電極間絕緣膜 17 :距離調整層 1 7 A :平坦表面 18 :有機層 1 8 A :電洞注入層 1 8B :電洞傳輸層 (52) 1376976 18C :發光層 1 8 D :電子傳輸層 1 9 :第二電極 2 1 ··第一區域 22 :第二區域 30 :保護膜 40 :黏著層 5 0 :密封基板 5 1 :彩色濾光器 61 :凸凹結構 61 A :凸部 6 1 B :覆蓋層 6 1 C :連接孔 7 1 :光敏樹脂膜 72 _•網版標線片

8 1 :遮罩 82 :遮罩 1 〇 1 :像素 102 :像素 1 1 0 :顯示區域 120 :信號線驅動電路 120A :線號線 130:掃描線驅動電路 1 3 0 A :掃描線 (53)1376976

140 :像素驅動電路 1 5 1 :閘極電極 152 :閘極絕緣膜 1 53 :通道層 154 :通道保護膜 1 5 5 D :汲極電極 155S:源極電極 1 5 6 D :汲極佈線 156S ：源極佈線 1 5 7 :保護膜 1 6 1 :層 1 63 :層 164：層 165:層 16 6:層

1 66A ： Ti 層 166B ： A1 層 166C ： Ti 層 2 1 0 :暴露區域 220 :佈線基板 3 00 :視訊顯示螢幕 3 1 0 :前面板 3 2 0 :濾光器玻璃 410 :發光部 -57 1376976

:顯示器 :選單開關 :快門按鈕 :主體 :鍵盤 •顯不器 :主體 :透鏡 =開關 :顯不器 :上殼體 :下殼體 :連接部 :顯示器 :子顯示器 :圖像光 :攝影機

Claims (1)

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第096103958號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年5月!2日修正 * 十、申請專利範圍 1· 一種顯示裝置，包含： 一第一電極； 一包括一發光層的有機層：以及 —第二電極，上述三者依序在一基板上，且具有一共 9 振體結構.，其中在該發光層中所產生的光係在一第一端和 —第二端之間共振， 其中 在該發光層側上之該第一電極的一端面係爲具有一步 階形狀的該第一端，以及 一距離調整層，其塡充該步階形狀，且具有在該第二 電極側上的一平坦表面，該距離調整層設於該第一電極和 該第二電極之間，並藉此將該第二端平面化，且介於該第 # 一端和該第二端之間的一光距離係根據該步階形狀而變動 其中一包括一薄膜電晶體和一佈線的像素驅動電路係 設於該基板上， 部分該第一電極係形成在該薄膜電晶體和該佈線的至 少之一上，以及 該第一端具有對應於該薄膜電晶體和該佈線之至少之 一形狀的一步階形狀。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置’其中該 1376976 距離調整層係由與該有機層的一層之材料相同的材料所形 成。 3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中一 · 步階形成層係形成在該基板的一局部區域中， 部分該第一電極係形成在該步階形成層上，以及 該第一端具有對應於該步階形成層的一步階形狀。 4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中一 包括一薄膜電晶體和一佈線的像素驅動電路係設於該基板 φ 上， 該步階形成層係由與該薄膜電晶體和該佈線的至少之 一之材料相同的材料所形成。 5. —種顯示裝置，包含： 一第一電極； 一包括一發光層的有機層：以及 一第二電極，上述三者依序在一基板上，且具有一共 振體結構，其中在該發光層中所產生的光係在一第一端和 φ 一第二端之間共振， 其中 在該發光層側上之該第一電極的一端面係爲具有一連 續凸凹形狀的該第一端，以及 —距離調整層，其塡充該凸凹形狀，且具有在該第二 電極側上的一平坦表面，該距離調整層設於該第一電極和 該第二電極之間，並藉此將該第二端平面化，且介於該第 一端和該第二端之間的一光距離係根據該凸凹形狀而連續 -2- 1376976 地變動， 其中該第一電極係形成於設在該基板上的一凸凹結構 上，以及 該第一端具有對應於該凸凹結構的該連續凸凹形狀， 其中該凸凹結構具有複數個凸部和覆蓋凸部的覆蓋層 ’在該第一電極側上的該覆蓋層之表面具有對應於該凸部 之凸凹形狀。 6.如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該 距離調整層係由與該有機層的一層之材料相同的材料所形 成。 7·—種顯示單元，包含： 一顯示裝置，其包括依序在一基板上的一第一電極、’ 一包括一發光層的有機層、以及一第二電極，且具有一共 振體結構，其中在該發光層中所產生的光係在一第一端和 一第二端之間共振， 其中 在該發光層側上之該第一電極的一端面係爲具有一連 續凸凹形狀的該第一端，以及 一距離調整層，其塡充該凸凹形狀，且具有在該第二 電極側上的一平坦表面，該距離調整層設於該第一電極和 該第二電極之間，並藉此將該第二端平面化，且介於該第 一端和該第二端之間的一光距離係根據該凸凹形狀而連續 地變動， 其中該第一電極係形成於設在該基板上的一凸凹結構 -3- 1376976 上，以及 » 該第一端具有對應於該凸凹結構的該連續凸凹形狀，. 其中該凸凹結構具有複數個凸部和覆蓋該凸部的覆蓋 ’ 層，在該第一電極側上的該覆蓋層之表面具有對應於該凸 部之凸凹形狀。 8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示單元，其中該 距離調整層係由與該有機層的一層之材料相同的材料所形 成。 · 9. 一種顯示單元，包含： 複數個包括顯示裝置的像素，該些顯示裝置各自包括 依序在一基板上的一第一電極、一包括一發光層的有機層 、以及一第二電極，且具有一共振體結構，其中在該發光 層中所產生的光係在一第一端和一第二端之間共振，其中 於該些顯示裝置之中，對包括在相鄰像素中並具有該 發光層之相同發光波長的至少二顯示裝置而言，在該第一 端和該第二端之間的一光距離是彼此不同的， · 其中一包括一薄膜電晶體和一佈線的像素驅動電路係 設於該基板上， 部分該第一電極係形成在該薄膜電晶體和該佈線的至 少之一上，以及 該第一端具有對應於該薄膜電晶體和該佈線之至少之 一形狀的一步階形狀。 10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示單元，其中— 步階形成層係形成在該基板的一局部區域中， -4 - 11376976

來自該二顯示裝置的一第一電極係形成在該步階形成 層上，並藉此在該二顯示裝置的該第一電極和另一第一電 ' 極之間設有一垂直間隔； 在該二顯示裝置的該發光層側上之該第一電極的一端 面係爲具有該垂直間隔的該第一端，以及 —距離調整層，其塡充該垂直間隔，且具有在該第二 電極側上的一平坦表面，該距離調整層設於該第一電極和 φ 該第二電極之間’並藉此將該第二端平面化，且介於該第 一端和該第二端之間的一光距離係根據該垂直間隔而變動 〇 11. 如申請專利範圍第1 0項所述之顯示單元，其中 該距離調整層係由與該有機層的一層之材料相同的材料所 形成。 12. 如申請專利範圍第9項所述之顯示單元，其中該 第一電極具有一層壓結構，該層壓結構包括一反射電極和 φ —透明電極，以及 該二顯示裝置具有該透明電極，該透明電極具有彼此 不同的厚度’且該二顯示裝置具有該有機層，該有機層具 有彼此相等的厚度。 13. 如申請專利範圍第9項所述之顯示單元，其中該 二顯示裝置具有該有機層，該有機層具有彼此不同的厚度 -5-