TWI375665B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI375665B
TWI375665B TW097124890A TW97124890A TWI375665B TW I375665 B TWI375665 B TW I375665B TW 097124890 A TW097124890 A TW 097124890A TW 97124890 A TW97124890 A TW 97124890A TW I375665 B TWI375665 B TW I375665B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
auxiliary component
component
oxide
auxiliary
voltage
Prior art date
Application number
TW097124890A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200916432A (en
Inventor
Dai Matsuoka
Original Assignee
Tdk Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tdk Corp filed Critical Tdk Corp
Publication of TW200916432A publication Critical patent/TW200916432A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI375665B publication Critical patent/TWI375665B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105—Varistor cores
    • H01C7/108—Metal oxide
    • H01C7/112—ZnO type
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/638—Removal thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/12—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3241—Chromium oxides, chromates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3256—Molybdenum oxides, molybdates or oxide forming salts thereof, e.g. cadmium molybdate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3275—Cobalt oxides, cobaltates or cobaltites or oxide forming salts thereof, e.g. bismuth cobaltate, zinc cobaltite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3409—Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

1375665 . · 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電壓非線性阻抗體瓷器組合物、使用 該電壓非線性瓷器組合物作為電壓非線性阻抗體層之電子 零件以及積層晶片變阻器（chip varistor)。 【先前技術】 v 為了吸收或除去例如靜電等外來電湧（異常電壓）或雜訊 等’使用作為具有電壓非線性阻抗體層之電子零件一例之 積層晶片變阻器（例如參照日本專利特開2〇〇2_2462〇7號公 報）。於專利文獻1中揭示了一種電壓非線性阻抗體瓷器組 合物，S亥電壓非線性阻抗體瓷器組合物以氧化鋅為主成 分，向其中添加有作為輔助成分之下述成分：換算為pr為 〇.05〜請原子％之卜化合物，換算為C。為（M〜5.〇原子％之 Co化合物，換算為Cl^〇 〇1〜〇 5〇原子％之心化合物，分別 換算為A卜Ga及in為0.001〜〇.〇2〇原子％之八丨化合物、以化 • 合物及In化合物中之至少—種，換算為Si為G.GG1〜0.500原 子％之Si化合物，及換算為Ca+Sr(其中，mm 〇〜叫為 〇·01〜〇.50原子❶/❶之Ca化合物+Sr化合物。 【發明内容】 、， 伴隨近年來數位信號之高速化及通信速度之高速化，業 •纟期望對信號影響較少之低靜電電容之積層晶片變阻器。 因:匕’本發明之目的在於提供一種能夠一方面良好地維 持電壓非線性特性一方面實現低靜電電容化之電壓非線性 阻抗體兗器虹合物，電子零件及積層晶片變阻器。 132626.doc 本發明人等對於能叙_ 方面良好地維持電壓非線性特性 万面實現低靜電雷交π^ 以及積居曰片㈣ b之電塵非線性阻抗體竞器組合物 實。積層…阻器進行了積極研究，結果發現以下事 通常，變阻器之靜電電容用下式⑴表示。 c=e〇sr(S/d) r , _ ".(i) / T靜電電容’ ε。表示真空之介電係數，~表示相對介 電係數’ S表示表現靜電電容之相向電極之面積，d表示相 °木門之厚度。於含有氧化鋅作為主成分之變阻器，即 氧化鋅系變阻器之情況下’冑要注意厚度d之處理。氧化 鋅系I P且器藉由晶界表現特性。#，於正常狀態下，晶界 阻抗與晶内阻抗有很大差別，晶界阻抗遠大於晶内阻抗。 因此’於不超過崩潰電壓（上升電壓）之正常狀態下，所施 加之電場幾乎全部加於晶界上。因此，上述厚度d必需考 慮這一點。 厚度d用下式（2)表示。 d=n.2W ...(2) n表示與相向電極平行之晶界數，2W表示一個晶界之耗 盡層寬度。 於變阻器電壓VlmA與晶界數η之間下述式（3)所示之關係 成立。 n=VlmA/(j) ...(3) Φ為晶界之障壁（barrier)高度，為代表每個晶界之變阻器 電壓之值。 132626.doc 1375665 . 此處，若將式（2)及式（3)代 到式（4)。 入式（1)中並進行變形 則得 為某固定值（例如 非線性特性時 C.VlmA=s〇sr.((j).S/2W) φ與2W於適當之電壓 φ = 0·8 eV、2W=3 0 nm左右），因此於相向電極之面積S固定 之情況下，式(4)固定。相反而言，為了維持適當之電壓非 線.性特性而使靜電電容降低，減小相 A小相向電極之面積S較為 有效。
作為減小相向電極之面積S之方法，可以考慮直接減小 相向電極之面積單純減小相向電極之面積，則 結果會導致最大能量(maximum energy)或最大電;勇之降 低，使電壓非線性特性或元件之可靠性等降低。因此，為 了將最大能量或最大電汤之降低抑制於最小限度，並減小 靜電電容，可以認為控制瓷器之微細構造非常有效。即， 相對於主要含有氧化鋅之第—相’導人由氧化鋅以外之氣 化物構成之第二相，藉由控制該第二相之體積分率，於相 向電極間表現靜電電容之氧化鋅之晶界之面積減小。藉 此’能夠不減小相向電極之面積而減小靜電電容。 立足於該研究結果，本發明之電壓非線性阻抗體瓷器組 合物，包括：含有氧化鋅之主成分；含有稀土類金屬之氧 化物之第一辅助成分；含有Ca之氧化物之第二輔助成分； 以及含有Si之孰化物之第三辅助成分。第二輔助成分相對 於主成分100莫耳之比率，換算為Ca,為2原子第二辅 助成分<80原子％。第三輔助成分相對於主成分1〇〇莫耳之 132626.doc 1375665 比率，換算為Si，為丨原子第三輔助成分<4〇原子％。 Ca與Si之原子比（Ca/Si)為1以上。 於本發明之電壓非線性阻抗體瓷器組合物中，包括含有 氧化鋅之主成分及含有稀土類金屬之氧化物之第一輔助成 分，因此表現電廢非線性特性。另外，第二輔助成分相對 於主成分100莫耳之比率，換算為以，為2原子第二輔 助成刀<80原子％ ,第二輔助成分相對於主成分莫耳之 比率，換算為Si，為1原子第三輔助成分<4〇原子％ ; Ca與Si之原子比（(:滿⑷以上，藉此其結晶構造為，相 對於主要含有氧化鋅之第一相，導入由〜與以反應而合成 之複合氧化物（例如Casio;或CajiO4等）構成之第二相，將 該第二相之體積分率控制為所希望之值。因此，氧化鋅之 晶界之面積減小。Ca及Si之複合氧化物之介電係數小於氧 化鋅，不會阻礙表現電壓非線性特性。該等結果為，能夠 減小於電壓非線性阻抗體瓷器組合物中表現之靜電電容。 另外，藉由由含有氧化鋅之主成分與以反應合成之複合 氧化物（例如ZhSiO4)構成第二相，能夠減小氧化鋅之晶界 之面積，並減小於電壓非線性阻抗體瓷器組合物中表現之 靜電電容。然而，由於Zn與Si之複合氧化物熱不穩定，因 此可能會導致Zn及Si之複合氧化物與氧化鋅結合，而生成 Si〇x，生成之SiOx於氧化鋅之晶界析出。該“ο、具有阻礙 電壓非線性特性之性質，於第二相由以及以之複合氧化物 構成之情況下，難以良好地維持電壓非線性特性。與此相 對，於本發明中’由於CaSi〇3或反應合 132626.doc 1375665 成之複合氧化物熱穩定，因此產生阻礙電壓非線性特性之 SA之可能性‘極低，能夠良好地維持電壓非線性特性。 較好的是第一輔助成分中所含 , v 怦上頚兀素之氧化物為 選自 Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、TbDyH〇、
Er、Tm、Yb及Lut之至少一種之氧 ^ ^ 軋化物，第一輔助成分 相對於主成分刚莫耳之比率，換算為稀土類元素 〇·〇1原子％<第一輔助成分<10原子％。若第—輔助成分之 比率過低，則存在難以表現電壓非線性特性之傾向，而若 該比率過高，則存在變阻器電壓急遽升高之傾向。 更好的是第-輔助成分中所含之稀土類元素之氧 Pr之氧化物。 較好的是進而包括含有Co之氧化物之第四輔助成分，該 第四輔助成分相對於主成分⑽莫耳之比率換 為0.05原子%<第四輔助成分<1〇原子若第四：助成分 之比率過低，則存在難以得到所希望之變阻器電壓之傾 向，而若該比率過高’則存在變阻器阻抗增大並且電愿非 線性特性降低之傾向。 較好的是進而包括第五輔助成分，該第五輔助成分含有 選自ΠΙΒ族兀素中之至少一種之氧化物，該第五輔助成分 相對於主成分_莫耳之比率，換算為所選之_族元素， =0.0005原子第五辅助成分原子％。若第五輔助 成分之^率過低’則存在變阻器電壓增大之傾向，而若該 比率過南’則存在阻抗低、且不能得到變阻器電壓之傾 向。 i32626.doc 更好的是IIIB族元素為B、A1、Ga&In。 較好的是進而包括第六辅助成分，該第六輔助成分含有 選自IA族元素中之至少一種之氧化物，該第六輔助成分相 對於主成分100莫耳之比率換算為所選之工八族元素為 ‘ 帛六輔助成分<5原子。/。。若第六輔助成分之比率過高，則 • #在作為瓷盗之熔點降低 '燒成時發生熔融之傾向。 更好的是IA族元素為Na、K、Rb&Cs。 φ 較好的疋進而包括第七辅助成分，該第七輔助成分含有 選自除Ca外之ΠΑ族元素中之至少一種之氧化物，該第七 輔助成刀相對於主成分1〇〇莫耳之比率，換算為所選之Μ &兀素’為第七輔助成分“原子％。若第七輔助成分之比 率過高，則存在變阻器電壓增大之傾向。 更好的是以族元素為Mg、Sr及Ba。 '‘的是進而包括第八輔助成分’該第八輔助成分含有 k自Cr及Mo中之至少—種之氧化物，該第八輔助成分相 • S於上述主成为100莫耳之比率’分別以Cr及Mo換算，為 第八輔助成分<1〇用不。/ 从吐 原子/°。右第八輔助成分之比率過高， 則存在變阻器電壓增大之傾向。 本發月之電子零件為具有電壓非線性阻抗體層之電子零 • # ’電壓非線性阻抗體層由上述電壓非線性阻抗體竞器組 . 合物構成。 本發明之積層晶片變阻器為具有電廢非線性阻抗體 層之積層曰曰片變阻器，電壓非線性阻抗體層由上述電塵非 線性阻抗體瓷器組合物構成。 132626.doc 1375665 如上所述，分職據料本發明之電子零件及積層晶片 變阻器’能m良好地維持電壓非線性特性，一方面 減少表現之靜電電容。 根據本發明’可以提供能夠—方面良好地維持電壓非線 性特性-方面實現低靜電電容化之電壓非線性阻抗體免器 組合物，電子零件及積層晶片變阻器。
自下面給出之詳細說明及附圖中可以更充分地理解本發 明，其僅用於說明，不能認為是對本發明之限制。 自下面給出之詳細說明中可瞭解本發明進一步之應用範 圍。然而，應當瞭解詳細說明及表示本發明較佳實:形態 之具體實施例僅用於說明，技術人員知道，於不偏離本發 明之精神及範圍之條件下，可作各種改變及改進 【實施方式】 以下’參照圖式，詳細地說明本發明之較佳實施形態。 再者，於說明中，對相同要素或具有相同功能之要素用相 同之符號表示，並省略重複之說明。 首先，參照圖1對本實施形態之積層晶片變阻器丨之構成 進行說明。圖1係說明本實施形態之積層晶片變阻器之剖 面構成之圖。 如圖1所示，積層晶片變阻器丨包括變阻器素體3及分別 於邊變阻素體3中相向之端面上形成之一對外部電極5。 變阻器素體3具有變阻器部7、以及以夾住該變阻器部7之 方式而配置之一對外層部9，藉由積層變阻器部7及—對外 層部9而構成。變阻器素體3呈大致長方體形狀。 132626.doc 1375665 變阻器部7包括：表現電壓非線性特性（以下稱為變阻器 特性）之電歷非線性阻抗體層（以下稱為變阻器層）n，及以 夾住該變阻器層11之方式而相向配置之一對内部電極13、 14。於變阻器部7中，交替地積層有變阻器層丨丨及内部電 極13、14。變阻器層η中之與一對内部電極η、丨4重合之 區域11 a作為表現變阻器特性之區域而發揮作用。 變阻器層1 1由以下之電壓非線性阻抗體瓷器組合物構 成。
構成變阻器層1 1之電壓非線性阻抗體瓷器組合物包括含 有氧化鋅（Zn〇)之主成分。含有Zn〇之主成分作為表現優 異之變阻器待性及較大之最大電湧之物質而發揮作用。 電C非線性阻抗體竟器组合物進而包括含有# 土類元素 之氧化物之第一輔助成分。第一輔助成分具有不易與構成 内。卩電極1 3、14之導電材料發生反應之性質，並且作為加 I:氧向晶界之擴散速度之物質而發揮作用。若添加該成
分，則由於不易與構成内部電極13、14導電材料（尤其是
Pd)發生反應’結果’能夠充分地進行構成電壓非線性阻 抗體究器之材料之燒結。
第-輔助成分中所含之稀土類元素之氧化物 除⑽_之選自 Y、La'Ce、Pr、Nd、Sm、EuT Γ好二、“、丁…則之至少一種之氧化物， 更好的疋至少含有Pr之氧化物。第一輔助成分相對 分^莫耳之㈣沒有特別限制，換算為稀土類元素 好的疋〇.〇1原子％<第一輔助成分<1〇原子％，更好的是0 05 I32626.doc 比。客第-輔助成分㈣子％β藉由使第一輔助成分之 旱處於上述特定之範圍内，能夠將組合物維持為半導體 匕狀態，並且能夠加快氧向晶界之擴散速度。 電壓非線性阻抗體£器組合物進而包括含有以之氧化物 之第二輔助成分及含有Si之氧化物之第三辅助成分。第二 輔助成分及第三輔助成分作為降低電壓非線性阻抗體竟器 、’且。物(變阻器層11)中表現之靜電電容之物質而發揮作 第二輔助成分相對於主成分100莫耳之比率，換算為 Ca’為2原子第二輔助成分<8〇原子第三輔助成分 相對於主成分1〇〇莫耳之比率，換算為以，為丨原子％$第 三辅助成分<40原子％。（：&與以之原子比（(^/!5丨）為1以上。 藉由使第一及第二輔助成分之比率以及Ca與§丨之原子比 處於上述特定之範圍，能夠生成。及“反應合成之複合氧 化物（例如CaSi〇3或CadiO4等卜。及Si之複合氧化物構成 與主要含有Zn0之第一相不同之第二相，存在於Zn〇之晶 界。並且，將第二相之體積分率控制為所希望之值◊因 此，ZnO之晶界之面積減小。Ca&Si之複合氧化物之相對 介電係數為4左右，小於氧化鋅之相對介電係數（8左右卜 另外，Ca及Si之複合氧化物不阻礙表現電壓非線性特性。 結果使得於電壓非線性阻抗體瓷器組合物中表現之靜電電 容減小。 第二輔助成分之比率較好的是5原子％ $第二輔助成分 $50原子％，更好的是5原子。/Qg第二輔助成分$3〇原子 132626.doc •13- u〇665 /0。右第二辅助成分之比率過高，則存在變阻器電壓增 大、並且電壓非線性特性降低之傾向，而若該比率過低， 則達不到上述靜電電容降低之效果。 第三輔助成分之比率較好的是2.5原子％$第三輔助成分 $25原子％，更好的是2 5原子第三輔助成分$ 15原子 /〇。若第二辅助成分之比率過高，則存在變阻器電壓増 大、並且不燒結之傾向，而若該比率過低，則達不到上述 靜電電容降低之效果。
Ca與Si之原子比較好的是u以上5以下之範圍，更好的 是為2以上2,7以下之範圍。於此情況下，能夠更可靠地生 成Ca及Si之複合氧化物，亦能夠更可靠地將其體積分率控 制為所希望之值。 上述弟二相以晶粒之狀態存在，較好的是該晶粒均勻分 布。積層晶片變阻器等變阻器將來自外界之電湧等電能轉 變為熱能吸收。因此，由於晶粒（第二相）均勻分布，於吸 收電湧時，能夠使於ZnO之晶界產生之熱於晶粒（第二相） 中分散，而不使ZnO晶界之溫度過度上升。 然而’伴隨近來之電路電壓之低電壓化，希望進一步降 低變阻器電壓。由於變阻器特性於Zn0之晶界表現，故為 了降低變阻器電壓’必需減小存在於相向配置之内部電極 13、14間之ZnO之晶界數。然而’於單純減少存在於内部 電極13、14間之ZnO之晶界數之情況下，由於電串聯連接 之晶界數減少，可能會導致靜電電容增大。與此相對，採 用上述電壓非線性阻抗體瓷器組合物，即使於減少Zn〇之 132626.doc 14 1375665 晶界數、降低變阻器電壓之情況下，亦能夠抑制靜電電容 之増大，能夠使變阻器電壓之降低與靜電電容之降 衡。 _ 較好的是於上述電壓非線性阻抗體究器组合物中進而勺 括含有之氧化物之第四輔助成分。第四輔助成分二 之晶界形成受體能階，作為表現變阻器特性之物質而發揮 作用。第四輔助成分相對於主成分1〇〇莫耳之比率，換算 為Co，較好的是〇.〇5原子％<第四輔助成分，原子％、 =的是〇·5原子％第四輔助成分以原子若第四輔助成 Η比率過低，則存在難以得到變阻器特性之傾向而若 過高，則存在變阻器電壓增大、並且變阻器特性降低之傾 向0 較好的是於上述電壓非線性阻抗體究器組合物中進而包 括含有選自ΙΙΙΒ族元素中之至少一種 種几素之氧化物之第五 '刀。第五輔助成分作為用於控制流向含有Ζη〇之主 成分之電子量之施體而發揮作用，提高流向主成分之電子 量，切作為使組合物半導體化之物質而發揮作用。第五輔 助成分相對於主成分1〇〇莫耳 兴斗之比羊，換算為所選之ΙΙΙΒ元 Γ 5原子^第五輔助成分如原子％，較好的 疋0.001原子％$第五輔助成分客原子％。若 分之比率過低，則在力繳咖。„ 弟五辅助成 .一 職在變阻裔電屋增大之傾向，而若該比 率過向，則存在難以得到變 〆 好的是為Β、Α1、_η特性之傾向°ίίΙΒ元素較 較好的是於上述„料性阻抗體莞器組合物中進而包 132626.doc 1375665 :選族元”之至少一種元素之氧化 作用第第：輔助成分作為改善變阻器特性之物質而發揮 為二第二辅助成分相對於主成分1〇〇莫耳之比率，換算 好二 素，較好的是第六輔助成分<5原子。/。，更
原子你辅助編。1原子%。若第六輔 之^之比率過低’則存在阻抗低、無法得到變阻器電麼 择成該比率過高，則存在作^之㈣降低、 =時發生溶融之傾向βΙΑ族元素較好的是為NaH ::的是於上述電厂堅非線性阻抗體究器組合物中 :=除。外之IIA族元素中之至少一種以之氧化 物暂 °第七輔助成分作為改善變阻器特性之 ^發揮作用^七輔助成分相對於主成分⑽莫耳之 ^早換算為所選之IIA族元素，較好的是第七輔助成分 原子％。若第七輔助成分之比率過低，則存在變阻器特 性降低之傾向，而若該比率過高，則存在變阻器電壓增大 之傾向。IIA族元素較好的是Mg、心及⑹。 θ 較好的是於上述電㈣線性阻抗體究器組合物中進而包 括含有選自Cr及Μ0中之至少„種之氧化物之 分。第八輔助成分作為改善高溫之負荷特性之物質而發揮 作用。第八辅助成分相對於主成分100莫耳之比率，用各 Cr及Μ。換算，較好的是第八辅助成分<ι〇原子％，更 是〇._原子W第八輔助成分引原子％。若第八輔助成分 之比率過高，則存在變阻器電壓增大之傾向。 I32626.doc 丄：W ：)〇〇：) 上述電Μ非線性阻抗m組合物還含有不可避免地混 入之雜質（以下稱為不可避免雜質 P』砹兄雜質）。作為不可避免雜質， 可以列舉出由於混合時使用之裝置之磨耗而混入之响或 從原料混入之Na等金屬元素。 . 外層部9與變阻器層11同樣，由上_非線性阻抗體 竞器組合物構成。外層部9具有作為保護變阻器部7之保護 層之功能。外層部9亦可以由不同於變阻器層^組合物 籲 構成，無須表現變阻器特性。 變阻器層k積層數及厚度等各條件可以根據目的或用 途而適當決定。於本實施形態中，變阻器層n之厚度例如 為5〜刚叩左右。外層部9之厚度例如為ι〇〇〜5〇〇卿左 右。 於變阻II層11中，較好的是非線性係數⑷為8以上，更 好的是為1G以上。並且，於變阻器層UtJj，於基準溫度 貝J疋頻率1 MHz及輸入信號位準（測定電壓）丨Vrms 鲁下測4靜電電容之情況下，相向電極面積為！ ^時，a 積（靜電電容c與變阻器電壓ν之積）通常為24萬以下，較好 的是為22萬以下，更好的是為2〇萬以下。 對内4電極13、14以各自之一端於變阻器素體3中相 向之端面上父替露出之方式大致平行地設置。各内部電極 - 13丨4於上述各一端上，與外部電極5電性連接》該内部 電極13 14含有導電材料。作為内部電極13、μ中所含之 導電材料，較好的是含有pd。於本實施形態中，内部電極 13、14由Pd或Ag_Pd合金構成。内部電極ι3、μ之厚度例 132626.doc 17 1375665 二為〇·5〜5㈣左右。自變阻器素體3之積層方向(變㈣層 I之厚度方向)觀察，内部電極13、〗4互 面積⑺部電極U、14之重合面積）為〇〇〇i〜〇5m^刀L。之 外部電極5以覆蓋變阻器素體3之兩端部之方 外部電極5較好的是由能夠與構成内部電極丨/14^等 =1:電性連接之金屬材料構成。例如L構 成之内。P電極13、丨4之電性連接 栌山二 良好並且與變阻器素 體3之柒面之接著性良好， 赳认加+, 此週於作為外部電極用之材 科。外邛電極5之厚度通常為〗〇〜5〇 μ〇ι左右。 於外部電極5之表面，以覆蓋該外部電極 成有厚度為0.5〜2 μηι左右之轳, 万式依-人形 _左右之鍍Nl層(省略圖示)及厚度為2〜6 左右之錢S π層（省略圖+、楚 , (名略圖不)專。形成該等電鍍層之目的主 :在=於藉由回流焊於基板等上搭載積層晶片變阻器i 時，提雨焊料之耐熱性及焊料之潤濕性。 繼而’對具有上述構成之積層w變阻器1之製造過程 之一例進行說明。 於本實施形態中，藉由使用有聚料之通常之印刷 式（sheet)法製作生料晶片，對其進行燒成，㈣印刷或轉 製造方法。 -燒“而製造。以下具體地說明 首先，分別準備變阻器層用聚料、内部電極用衆料 部電極㈣。使用變阻器層W料，可形成圖丨所示之變 阻器層11及外層部9。 變阻器層用渡料可以為將電壓非線性阻抗體竞器組合物 132626.doc 1375665 原枓與有機媒劑混練之有機系塗 _ m· 〇 俄糸㈣亦可以為水系塗料》 根據上述電壓非線性阻抗體 主出八夕店立丨 网之組成’使用構成 主成刀之原料及構成I輔助成分之 抗體U組合㈣#。 作為f㈣線性阻 作為構成主成分之原料，使用z 虱化物及/或藉由燒 成而成為氣化物之化合物p 作為構成第一辅助成分之原料，使 — 尺用稀土類疋素之氧化
及或稭由燒成而成為氧化物之化合物。 -作為構成第二輔助成分之原料’使用。之氧化物及/或 藉由燒成而成為氧化物之化合物。 作為構《三輔助成分之原料，使用Si之氧化物及/或藉 由燒成而成為氧化物之化合物。 作為構成第四輔助成分之原料，使用c〇之氧化物及/或 藉由燒成而成為氧化物之化合物。 作為構成第五輔助成分原料，使用選自ΙΠΒ族元素（b、 A卜Ga及In)之氧化物及/或燒成後成為該等之氧化物之化 合物中之一種以上之單一氧化物或複合氧化物。 作為構成第六輔助成分之原料，使用選自IA族元素 (Na K、Rb及Cs)之氧化物及/或燒成後成為該等之氧化物 之化合物中之一種以上之單一氧化物或複合氧化物。 作為構成第七輔助成分之原料，使用選自除Ca外之ΠΑ 鉍疋素（Mg、Ca、Sr及Ba)之氧化物及/或燒成後成為該等 之氧化物之化合物中之一種以上之單一氧化物或複合氧化 物。 132626.doc 19 1375665 作為構成第八辅助成分之原料，使用選自Cr及Mo之氧 4匕物及/或燒成後成為該等之氧化物之化合物中之一種以 上之單一氧化物或複合氧化物。 作為藉由燒成而成為氧化物之化合物，可以例示出例如 風虱化物、碳酸鹽、硝酸鹽、草酸鹽、有機金屬化合物 等。當然，亦可合併使用氧化物及藉由燒成而成為氧化物 之化合物。決定電壓非線性阻抗體瓷器組合物原料中之各
^匕合物之含量，使得燒成後成為上述電壓非線性阻抗體瓷 器組合物之組成。該等之原料粉末通常使用平均粒徑為 〇·3〜2 μΐΏ左右之粉末。 所謂有機媒劑，係於有機溶财溶解㈣合劑之物質， 用於有機媒劑之黏合劑沒有特別之限制，可以自乙基纖維 -聚乙稀縮丁酿等通常之各種黏合劑中適當選擇。有機 溶劑亦沒有特別之限制，可以根據印刷法或片式法等利用 ^方法’自松脂醇、丁基卡必醇、丙酮'甲苯等有機溶劑 中適當選擇。 所謂水溶系塗料’係於水中溶解有水溶性黏合劑、分散 劑等之塗料，水溶系黏合劑沒有特別之限制，可以自聚乙 烯醇、纖維素、水溶性丙稀酸樹脂、乳液等中適當選擇。 内部電極層用漿料，將上述各種 .^ ^ Λ 導電材料或燒成後成為 & t 恢金屬化合物、樹脂酸鹽 專與上述有機媒劑混練而調製。 電極用漿料亦與該内 部電極層用漿料同樣操作進行調製。 、円 各漿料之有機媒劑之含量沒有特 別限制’為通常之含量 J32626.doc •20· ^75665 即可，例如黏合劑為卜5重量％左右、溶劑為㈣ 左右。各聚料中可以含有根據需要而選自各種分散劑、增0 塑劑、介電體、絕緣體中之添加物。 θ 於使用印刷法之情況下，於聚對苯醇酿等Α 板上’以特定厚度複數次印刷變阻器層用漿料，藉 二成作為一個外層部9之未加工層。接著，於 :成為一個外層部9之未加工層上，以特定圖案印刷内C 案成藉由燒成而成為内部電極14之電極圖 =，以待定厚度復數次印刷變阻器層用㈣，形= 由燒成而成為變阻器層11之未加工層。 g 接者’於藉由燒成而成為變阻器層u之未加 特定之圖案印刷内部電極層用浆料，形 2以 内部電極13之電極圖案。藉 g凡成而成為 之雷炻圃安 钇成而成為内部電極13、14 —向之不同之端部表面露㈣方式進行印 方:而以=藉由燒成而成為内部電極13之電極圖案之 特疋厚度複數次印刷變 燒成而成為另一個外爲却 益層用浆料，形成藉由 行加二二:之未加…然後，-方面進 …万面進行加壓、壓接，切 ^ 料晶片。 為特定形狀，得到生 於使用片式法之情況下，使 生片。於生片上，定圖案印料，成形出 成與内部電極U或Μ相對應之電極圖案電極層用聚料，形 I32626.doc 1375665 繼而，按照特定順序’重疊形成有電極圖案之生片及未 形成電極圖案之生片，形成片式積層體。接著，一方面對 这片式積層體進行加熱…方面進行加壓、壓接，切斷為 特疋形狀，得到生料晶片。 繼而，對該生料晶片進行脫黏合劑處理及燒成，製作燒 結體（變阻器素體3)。於燒成後，可以使驗金屬（例如^、 :a等)自變阻器素體3之表面擴散。於實際之積層晶片變阻
器1中’外層部9與變阻器層Η一體化，達到無法辨別彼此 之間之邊界之程度。 四脫黏合料理可以於通常之條件下進行^㈣，於空氣 環境中，使升溫速度為5〜3〇(TC/小時左右、保持溫度為 〇 400 C左右、溫度保持時間為0.5〜24小時左右。 生料晶片之燒成可以於通常之條件下進行。例如於空 氣環境中，使升溫速度為5〇〜1〇〇(rc/小時左右、保持溫度 為1000〜140(TC左右、溫度保持時間為〇 5〜8小時左右冷
部速度為50〜l〇〇(TC/小時左右。若保持溫度過低，則導致 密緻化不充分’而若保持溫度過高，則存在由於内部電極 之異常燒結而產生電極之損壞之傾向。 於鎖得到之燒結體（變阻器素體3)上，印刷或轉印外部 電極用漿料’ ϋ進行燒成，形成外部電極5。外部電極用 漿料之燒成條件為，例如空氣環境中以6〇〇〜9〇〇。〇進行⑺ 分鐘〜1小時左右。 如上所述製造而成之本實施形態之積層晶片變阻器！可 以用於吸收或除去例如靜電等外來電湧（異常電壓）或雜訊 132626.doc -22· 1375665 等。 以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明不僅 限於該等實施形態，於不偏離本發明要點之範圍内，可以 各種態樣實施。
於上述實施形態中，以適用於積層晶片變阻器之例表示 本發明，但本發明不限於積層晶片變阻器，亦能夠適用於 具有由上述組成之電壓非線性阻抗體瓷器組合物構成之電 壓非線性阻抗體層的電子零件（圓片變阻器（disk varist〇r) 或變阻器複合元件等P另外，如上所述，可含有不可避 免之雜質。 不限於如圖1所示僅具備丨對内部電極之積層晶片變阻 器。於積層晶片變阻器1中，内部電極僅為i對，但内部電 極可以積層複數對，或者可以為積層多個内部電極之積層 晶片變阻器》
下面，利用實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明 不限於該等實施例。 於本實施例巾，作為試樣，製造圖i所示之積層晶片變 阻态’並评價其特性。積層晶片變阻器試樣之製作過程係 使用片4法，且如下上述。#用片式法之積層晶片變阻器 試樣之製造過程如上所述，並簡化說明。 首先’為了製作構成變阻器層之電壓非線性阻抗體竞器 ”且。物之材料’準備主成分原料（Zn〇)及第―〜第八輔助成 刀原料4乍為各原料，使用氧化物、碳酸鹽及碳酸鹽之水 合物等。 132626.doc •23· 1375665 繼而’調配該等原料，使得燒成後之組成為相對於作為 主成分之ZnO: 100莫耳，為圖2〜圖9所示之組成加入有 機黏合劑 '有機溶劑、有機增塑劑，利用球磨機進行渴式 混合約20小時，製作漿體。藉由到刀成形法將 體於PET(聚對苯二甲^ f馱乙二醉酯）製之基臈上製成厚度為 μπι之生片使用鈀漿料，藉由網板印刷於製作之生 上進行印刷，使得成為所希望之形狀，並使其乾燥，形成 與内部電極相對應之電極圖案。 下面按；特疋之順序，積層形成有電極圖案之生片 未形成電極圖案之生月’製作片式積層體。接著，對製作 之片式積層體進行加熱、壓接，然後切斷為特定之晶片步 狀’得到生料晶片。於⑽。c、2小時之條件下，對得到: 生料晶片進行脫黏合劑處理，然後於120(TC '空氣中燒成 1小時，得到成為變阻器素體之燒結體。 心 、遽而肖變阻器素體於其兩端部塗佈以Ag為主體之電拓 渡料:於聲C進行燒接，形成端子電極。藉由該等過 程知到具有一對内部電極之積層晶片變阻器試樣。 積層晶片變阻器試樣之晶片大小為聰大小，即叫 度）=1·〇 随，W(寬度）=0,5 mm，Η(高度）=〇 5 mm。又 邛電極互相重合之部分之面積，即内部電極之重合面積 〇,〇5mm2°變阻器層之厚度為20μηι。 ' 使用仔到之積層晶片變阻器試樣，測定變阻器電壓 線性係數及CV積。 藉由使積層晶片變阻器試樣連接於直流怪流電源， 132626.doc •24· 1375665 麼計測定作用於積層晶片變阻器試樣之兩電極間之電壓， 同時用電流計讀取流經積層晶片變阻器試樣之電流，藉此 求出變阻器電壓（vlmA)。具體而言，當流經積層晶片變阻 器試樣之電流為1 mA時，藉由電壓計讀取作用於積層晶片 變阻器试樣之電極間之電壓，將該值作為變阻器電壓，單 位為v。
非線性係數（α)表示流經積層晶片變阻器試樣之電流從^ mA變化到10 mA之情況下，積層晶片變阻器試樣之電極間 之電壓與電流之關係，由下式求出。 a=log(II〇/II)/l〇g(vi〇/V1)=1/1〇g(V1〇/vl) v1〇表示於積層晶片變阻器試樣中流經Iiq=ig ^之電流時 之變阻電壓。VI表示於積層晶片變阻器試樣中流經丨1 = 1 mA之電流時之變阻器電壓。非線性係數a越大，變阻器特 性越優異。 CV積（C氺vlmA)，藉由對積層晶片變m器試樣，於基準
溫度2 5 C用數位L C R計（阻括：p丨丨兮吳 T U見柷測忒态，Inductanee/
CapaCitanCe/ResiStance)(HP 公司生產 4284a)，於頻率】 MHz、輸入信號位準（測定電壓M ν_之條件下測定之靜 電電容（C)(單位為PF)與變阻器電壓VimA之積求出。 於圖2〜圖9中表示測定結果。於各圖中 τ -」表示不能 計算。 圖2表不改變Ca及Si之含量時，變阻器電壓、非線性 數及C V積之測定結果。試樣編號丨、2、丨〇 u 11、 19、 及29為比較例。隨著使Ca_Si添加量增加，cv積單調 132626.doc •25· 1375665 >。對於試樣1添加有2原子％之（^及1原子％之以之試樣 3，CV積減少約2〇%，可以看出以及⑴之添加效果。另 外，CV積隨著（^及“添加量之增加而減少，於分別添加 有20及10原子％之以及1之試樣6中，cv積為試樣】之卿。 以下。於添加有80原子％2Ca之試樣1〇、試樣19中非線 性喪失，成為絕緣體。 圖3表示改變稀土類元素Pr之含量時變阻器電壓、非 線性係數及CV積之測定結果，於Pr含量為〇 〇1原子％之試 樣編號30、36中，得不到變阻器電壓。於pr含量為ι〇原子 %之試樣編號35、41中，變阻器電壓急遽增大，可以確認 超過200 V。於试樣編號3 1〜34、37〜40中，CV積均較小， 沒有問題。自圖3所示之結果可以確認，上述第一輔助成 分相對於主成分丨00莫耳之比率，換算為pr，較好的是〇〇1 原子％<第一輔助成分<1〇原子％，更好的是〇〇5原子〇/。^第 一輔助成分^ 5原子％。 圖4表示3有各種稀土類元素代替pr時，變阻器電壓、 非線性係數及CV積之測定結果。自圖4所示之結果可以確 認，可以使用任一種之稀土類元素。 圖5表不改變Co含量時，變阻器電壓、非線性係數及cV 積之測定結果。於Co含量為0.05原子％之試樣編號7〇、77 中，知不到變阻器電壓。於c〇含量為〗〇原子％之試樣編號 76、83中，發現變阻器電壓增大及非線性係數降低。於試 樣編號71〜75、78〜82中，CV積均較小，沒有問題。自圖5 所不之結果可以確認，上述第四輔助成分相對於主成分 132626.doc •26· 1375665 100莫耳之比率，換算為Co，較好的是為0 05原子％<第四 輔助成分<10原子°/〇，更好的是0.5原子第四輔助成分 S3原子％。 圖6表示含有IIIB族元素中之至少一種元素時，變阻器 電壓、非線性係數及CV積之測定結果。此處，作為所含 之IIIB族元素，選自B、A卜Ga及In »於A1含量為〇.〇〇〇1原 子％之試樣編號84、98中，變阻器電壓急遽增大，超過 200 V，達到測定界限以上。於剷含量為i原子％之試樣編 號97、111中，得不到變阻器電壓。能夠確認可以使用b、 Ga及In代替A卜亦可以使用選自B、Ca&In中之2種以 上之組合。自圖6所示之結果可以確認，上述第五輔助成 分相對於主成分1〇〇莫耳之比率，換算為IIIB族元素，較好 的是0.0005原子％$第五輔助成分5%原子％，更好的是 0.001原子$第五辅助成分$ 〇 5原子0/〇。 圖7表示含有IA族元素中之至少一種元素時，變阻器電 壓、非線性係數及CV積之測定結果。此處，作為所含之 IA私元素，選自Na、K、Rb及Cs。於不含有Na、K、Rb及 Cs之試樣編號112、127中，可以確認表現變阻器特性。然 而，於K含量為5原子。/。之試樣編號丨26、丨4丨中，試樣為熔 融狀態，無法測定電特性。並且可以確認，可以使用其他 鹼金屬Na、Rb、Cs代替K，亦可以組合添加2種以上之鹼 金屬。自圖7所示之結果可以確認，上述第六輔助成分相 對於主成分100莫耳之比率，換算為以族元素，較好的是 為第六輔助成分<5原子❹/〇，更好的是為〇 〇25原子第六 132626.doc •27- 1375665 輔助成分so. 1原子％。 圖8表示含有除Ca外之ΠΑ族元素時，變阻器電壓、非線 J·生係數及cv積之測定結果。此處，作為所含之族元 素係選自Mg、^及Ba。於不含有Mg、Sr及Ba之試樣編 號145、1 50中，可以確認表現變阻器特性。於使用、心 及Ba之任一種πA族元素之情況下，能夠得到同樣之結 果，進而，可以確認合併使用該等元素，亦能夠得到含有 之效果。自圖8所示之結果可以確認，上述第七輔助成分 相對於主成分100莫耳之比率，換算為IIA族元素，較好的 疋第七辅助成分<1原子％。其_，於以含量為1〇〇原子％之 試樣編號146、151中，試樣成為絕緣體。 圖9表示含有Cr及Mo中之至少一種元素時，變阻器電 壓、非線性係數&cv積之測定結果。隨著CraM〇之添加 里粍加，I阻器電壓增加。於心或M〇之添加量為1 〇原子％ 之试樣編5虎158、164中，變阻器電壓急遽增大，超過2〇〇 v，達到測定界限以上。如試樣編號〗65所示，含有Cr及 Mo亦能夠確認同樣之效果。自圖9所示之結果可以確認， 上述第八輔助成分相對於主成分1〇〇莫耳之比率，換算為 Cr及Mo，較好的是第八輔助成分<1〇原子％，更好的是為 0.001原子第八輔助成分原子％。 自上述發明可以看出’本發明能夠以許多方式改變。不 能認為該等改變偏離本發明精神及範圍，技術人員知道， 所有該等改變都包括於下述請求項之範圍内。 【圖式簡單說明】 132626.doc -28 * 1375665 圖1係說明本實施形態之積層晶片變阻器之剖面構造之 圖。 圖2〜圖9係表示實施例及比較例之變阻器電壓、非線性 係數及CV積之測定結果之圖表。 【主要元件符號說明】 1 積層晶片變阻器 3 變阻器素體 5 外部電極 7 變阻器部 9 外層部 11 變阻器層 11a 重合之區域 13、14 内部電極 L 重合之部分 132626.doc •29·

Claims (1)

1375665 十、申請專利範圍： 1· 一種電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其包括 含有氧化鋅之主成分、 含有稀土類金屬之氧化物之第—辅助成分 含有Ca之氧化物之第二辅助成分、及 含有Si之氧化物之第三輔助成分；
上述第二辅助成分相對於上述主成㈣0莫耳之比 率，換算為Ca，為2原子第二輔助成分<8〇原子％， 上述第三輔助成分相對於上述主成分ι〇〇莫耳之比 率’換算為Si，為1原子第三辅助成分<4〇原子％，且 Ca與Si之原子比（ca/Si)為1以上。 2.如請求項1之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其中 上述第一輔助成分中所含稀土類元素之氧化物為選自 Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu ' Gd、Tb、Dy、H〇、 Er、Tm、Yb及Lu中至少一種之氧化物， 上述第一輔助成分相對於上述主成分1〇〇莫耳之比 率’換算為稀土類元素，為0.01原子第一輔助成分 < 10原子％。 3 ·如請求項1之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其中 上述第一輔助成分中所含稀土類元素之氧化物為以之 氧化物。 4.如請求項1之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其進而包 括含有Co之氧化物之第四輔助成分， 上述第四輔助成分相對於上述主成分1〇〇莫耳之比 132626.doc 率，換算為Co ,為0.05原子。/。<第四輔助成分 <丨〇 % » ’、 ’如請求項1之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其進而包 括第五輔助成分，該第五輔助成分含有選自ΙΙΙΒ族元素 中至少一種之氧化物， 上述第五輔助成分相對於上述主成分100莫耳之比 率’換算為所選之ΙΙΙΒ族元素，為〇.〇〇〇5原子％幺 助成分…原子輔 6.如請求項5之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其中 ΙΙΙΒ族元素為β 、Al、Ga及 In 〇 7 .如請求項1之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其進而包 括第六輔助成分，該第六輔助成分含有選自〗八族元素中 至少一種之氧化物， 上述第六輔助成分相對於上述主成分1〇〇莫耳之比 率，換算為所選之IA族元素’為第六輔助成分<5原子 % » 8·如請求項7之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其中 IA族元素為Na、κ、Rb及Cs。 9.如請求項1之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其進而包 括第七輔助成分，該第七輔助成分含有選自除Ca外之 ΠΑ族元素中至少一種之氧化物， 上述第七輔助成分相對於上述主成分1〇〇莫耳之比 率，換算為所選之IIA族元素，為第七輔助成分 <丨原子 %。 132626.doc 10. 如請求項9之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其中 ΙΙΑ族元素為Mg' Sr及Ba。 π. 12. 13. 如請求項1之電壓非線性阻抗體瓷器組合物，其進而包 括第八輔助成分’該第八輔助成分含有選自（^及Mo中至 少一種之氡化物， 上述第八輔助成分相對於上述主成分1〇〇莫耳之比 率’分別以Cr及Mo換算，為第八輔助成分<10原子〇/〇。 —種電子零件，其具有電壓非線性阻抗體層， 上述電壓非線性阻抗體層係由電壓非線性阻抗體瓷器 組合物所構成，該電壓非線性阻抗體瓷器組合物包括： 含有氧化鋅之主成分、 含有稀土類金屬之氧化物之第一輔助成分、 含有Ca之氧化物之第二輔助成分、及 含有Si之氧化物之第三輔助成分； 上述第二輔助成分相對於上述主成分1〇〇莫耳之比 率’換算為Ca，為2原子。/〇$第二輔助成分<80原子％ , 上述第三輔助成分相對於上述主成分1〇〇莫耳之比 率’換算為Si，為1原子❶第三辅助成分<4〇原子％，且 Ca與Si之原子比（Ca/Si)為1以上。 一種積層晶片變阻器’其具有電壓非線性阻抗體層， 上述電壓非線性阻抗體層係由電壓非線性阻抗體瓷器 組合物所構成，該電壓非線性阻抗體瓷器組合物包括： 含有氧化鋅之主成分、 含有稀土類金屬之氧化物之第一輔助成分、 132626.doc 1375665
含有Ca之氧化物之第二輔助成分、及 含有Si之氧化物之第三辅助成分； 上述第二輔助成分相對於上述主成分100莫耳之比 率，換算為Ca，為2原子。/〇客第二輔助成分<8〇原子〇/〇 , 上述第三辅助成分相對於上述主成分1〇〇莫耳之比 率，換算為Si’ Μ原子第三輔助成分<4〇原子％，且 Ca與Si之原子比（Ca/Si)為1以上。 132626.doc
TW097124890A 2007-07-10 2008-07-02 Voltage nonlinear resistor porcelain composition, electronic component and laminated chip varistor TW200916432A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007181279A JP4888260B2 (ja) 2007-07-10 2007-07-10 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品、及び積層チップバリスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200916432A TW200916432A (en) 2009-04-16
TWI375665B true TWI375665B (zh) 2012-11-01

Family

ID=40157575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097124890A TW200916432A (en) 2007-07-10 2008-07-02 Voltage nonlinear resistor porcelain composition, electronic component and laminated chip varistor

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7969277B2 (zh)
JP (1) JP4888260B2 (zh)
KR (1) KR100960522B1 (zh)
CN (1) CN101345105B (zh)
DE (1) DE102008031663B4 (zh)
TW (1) TW200916432A (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5088029B2 (ja) * 2007-07-19 2012-12-05 Ｔｄｋ株式会社 バリスタ
DE102009023847A1 (de) * 2009-02-03 2010-08-12 Epcos Ag Varistorkeramik, Vielschichtbauelement umfassend die Varistorkeramik, Herstellungsverfahren für die Varistorkeramik
DE102009023846B4 (de) 2009-02-03 2024-02-01 Tdk Electronics Ag Varistorkeramik, Vielschichtbauelement umfassend die Varistorkeramik, Herstellungsverfahren für die Varistorkeramik
US8865028B2 (en) 2009-08-27 2014-10-21 Amotech Co. Ltd. ZnO-based varistor composition
JP5594462B2 (ja) * 2010-04-05 2014-09-24 Ｔｄｋ株式会社 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品
US9242902B2 (en) * 2010-04-05 2016-01-26 Tdk Corporation Nonlinear resistor ceramic composition and electronic component
CN103896575B (zh) * 2010-04-05 2015-09-30 Tdk株式会社 电压非线性电阻陶瓷组合物以及电子元件
KR101124109B1 (ko) * 2010-08-24 2012-03-21 삼성전기주식회사 적층형 세라믹 캐패시터
TW201221501A (en) * 2010-11-26 2012-06-01 Sfi Electronics Technology Inc Process for producing ZnO varistor particularly having internal electrode composed of pure silver and sintered at a lower sintering temperature
TWI605029B (zh) 2016-10-12 2017-11-11 不含銻的壓敏電阻組成物及積層式壓敏電阻器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5823921B2 (ja) * 1978-02-10 1983-05-18 日本電気株式会社 電圧非直線抵抗器
JPS6143403A (ja) 1984-08-08 1986-03-03 サンケン電気株式会社 酸化物電圧非直線抵抗体
US5640136A (en) * 1992-10-09 1997-06-17 Tdk Corporation Voltage-dependent nonlinear resistor
JPH06340472A (ja) * 1993-05-27 1994-12-13 Tdk Corp セラミック組成物、バリスタ機能付き積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP2001006904A (ja) 1999-06-22 2001-01-12 Fuji Electric Co Ltd 電圧非直線抵抗体
JP2001196206A (ja) 2000-01-11 2001-07-19 Fuji Electric Co Ltd 電圧非直線抵抗体
JP3822798B2 (ja) 2001-02-16 2006-09-20 太陽誘電株式会社 電圧非直線抵抗体及び磁器組成物
JP3853748B2 (ja) * 2003-03-19 2006-12-06 Ｔｄｋ株式会社 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品および積層チップバリスタ
JP3710062B2 (ja) 2002-10-25 2005-10-26 Ｔｄｋ株式会社 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品および積層チップバリスタ

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008031663B4 (de) 2012-07-26
KR20090006017A (ko) 2009-01-14
CN101345105B (zh) 2012-11-28
JP2009021301A (ja) 2009-01-29
US7969277B2 (en) 2011-06-28
DE102008031663A1 (de) 2009-01-29
CN101345105A (zh) 2009-01-14
US20090015367A1 (en) 2009-01-15
KR100960522B1 (ko) 2010-06-03
JP4888260B2 (ja) 2012-02-29
TW200916432A (en) 2009-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI375665B (zh)
JP5088029B2 (ja) バリスタ
TWI351702B (en) Voltage non-linear resistance ceramic composition
TWI285381B (en) Multilayer ceramic capacitor
JP6356821B2 (ja) Ｎｔｃデバイスおよびその製造のための方法
CN103632784B (zh) 一种叠层片式热压敏复合电阻器及其制备方法
JP5163097B2 (ja) バリスタ
JP3908611B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品
JP2008305844A (ja) 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP3710062B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品および積層チップバリスタ
JP4690123B2 (ja) 酸化亜鉛積層型バリスタの製造方法
JP6132668B2 (ja) 誘電体磁器組成物および電子部品
JP5637017B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品
CN102249662A (zh) 电压非线性电阻陶瓷组合物以及电子元件
JP3853748B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品および積層チップバリスタ
CN103896575B (zh) 电压非线性电阻陶瓷组合物以及电子元件
JP3930843B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品および積層チップバリスタ
TWI342569B (en) Esd protective materials and method for making the same
WO2004038738A1 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品および積層チップバリスタ
JP5594462B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品
JP2016146380A (ja) 電圧非直線性抵抗体組成物とこれを用いたバリスタおよび積層バリスタ
JPH06204005A (ja) 半導体磁器組成物及びその製造方法