TWI375484B

TWI375484B - Organic light emitting display and method of fabricating the same

Info

Publication number: TWI375484B
Application number: TW095145105A
Authority: TW
Inventors: Deuk Jong Kim; Seung Yong Song
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2006-01-27
Filing date: 2006-12-05
Publication date: 2012-10-21
Also published as: CN101009303B; EP1814185A2; JP2007200838A; EP1814185A3; US20070176548A1; KR100688791B1; TW200735696A; CN101009303A; US7795803B2

Description

1375484 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於有機發光顯示裝置，更明確地說，本發明係關於有機發光顯示裝置的封裝。【先前技術】近年來’使用有機發光二極體的有機發光顯示器（〇LED) 已經受到注意。有機發光顯示器係自發光顯示器，其會電激發有機化〇物以發出光，並且可以低電壓驅動，其可輕易地被製造成非常地薄，並且具有廣視角以及高反應速度。有機發光顯示器包含複數個像素，該等像素包含形成在基板之上的複數個有機發光二極體以及用於驅動該等有機發光二極體的複數個薄膜電晶體（TFT)。該等有機發光二極體很容易受到氧氣與濕氣的影響。所以，必須提出一種送封、’·„構其中，會藉由利用一塗佈著吸收劑的金屬帽或疋利用岔封玻璃基板來覆蓋沉積基板，以防止氧氣與濕氣滲入。美國專利案第6,998,776號便揭示一種以炼接物塗佈玻璃基板以密封〇LED的方法。如美國專利案第6 998776 號中所揭示者’利用該熔接物會完全密封基板與密封基板之間的間隙，因而可有效地保護該OLED。雖然美國專利案第6,998,776號的炫接物確實會密封該等基板之間的間隙，不過，卻可能會有密封壽命的問題。由該等基板之間的炫接物所提供的黏著力可能會惡化，使 1375484 得該等基板可能會分離。於此情況中，氧氣與濕氣便可能會滲入該OLED之中，損及該有機發光顯示器的壽命以及發光效率。因此，需要一種黏著該等基板的方法以便提供改良的可靠度以及更長的壽命。本段落的討論内容係提供有機發光顯示裝置的通用背景資料，而並非承認採用先前技術。【發明内容】

本發明的其中一項觀點提供一種有機發光裝置。此裝置包含：帛-基板、第二基板、以及介於第—基板與第二基板之間的有機發光像素陣列。此裝置還進一步包含包圍忒陣列的熔接封條，並介於第一基板與第二基板之間並且互連第一基板與第二基板，其中，該熔接封條與該第一基板會相互結合並且於其間構成結合介面，且其中入介面包括三維的地形。口把上面所述的裝置峰與至少-凹谷。該結合介面實質上可能並非全部平坦。該三維地形可能包括起伏的形狀。該結合介面可能包括該第基板的二維扣接表面以及該熔接物的互補扣接表面。、'° 口 "面可t包括黏結痕跡。該結合介面可能實質上會封條中的材料與該第一基板中的材料。該溶接 ”、料與該第一基板的材料可沿著該結合介面混人。繼續參考上面所述的裝置’肖第一基板可能係由單層 5 一或多層不同材料所製成。於該第一基板包括二式吝曰的It况中’該結合介面可能僅會形成在該等二或多二中 7 < S ) 、中層之中’或疋亦可能會形成在該等層的二或多層之 I第基板可此進一步包括與該結合介面分離的複數個結構。該陣列可能係被設置在該卜基板之上或係被設 I第一基板之上。該熔接封條與該第二基板可相互結且於其間構成另-結合介面，其中，該另一結合介面包括三維的地形。於該結合介面的附近實質上可能沒有任何氣泡，或者於該結合介面的附近亦可能會有氣泡。本發月的另項觀點提供一種用於製造電子裝置的方法此方法包含.提供含有三維扣接結構的第一基板；提供第二基板；將熔接物與有機發光像素陣列插置在第一基板與第二基板之間，其中，㈣接物環繞該陣列。該方法進一步包含讓該熔接物接觸第一基板的三維扣接結構，以及炫化與重新凝m該料物的至少—部份，俾使該溶接物會與該三維扣接結構結合在一起，從而形成含有三維地形的結合介面。於上面所述的方法中，該結合介面實質上可能並非全部平坦。該三維地形可能包括起伏的形狀。該第一基板可能包括二或多層不同材料。該第二基板可能包括三維扣接結構，於此情況中，該方法進一步包含讓該熔接物接觸該第二基板的二維扣接結構’且於其中，溶化與重新凝固會進一步結合該熔接物與該第二基板的該三維扣接結構，從而形成另一含有三維地形的結合介面。該熔接物可能包括一預先成形的扣接結構，其會與該第一基板的該三維扣接結構互補。該熔接物可能於熔化之前包括一種可塑形材 1375484 料，其中，讓該熔接物接觸該三維扣接結構會於該可塑形材料中形成互補的三維結構。【實施方式】現在將參考附圖來說明根據本發明的較佳實施例，便可清楚且很容易明白本發明的前述及/或其它目的與優點。有機發光顯示器（OLED)係包括有機發光二極體陣列的顯示器。有機發光二極體係包括有機材料的固態元件，其在施加適當電位時產生並發射光。 • 依據所提供的激發電流安排，OLED通常可以歸納為兩種基本類型。圖4A所示係被動矩陣型OLED 1000的簡化架構分解圖。圖4B所示係主動矩陣型OLED 1001的簡化架構示意圖。在兩個構造中，OLED 1000、1001皆包含在基板1002上方建構的OLED像素，並且OLED像素包括陽極1004、陰極1006、以及有機層1010。當施加適當的電流於陽極1 004時，電流流過像素然後可見光便會從有機層發出。 ® 參考圖4A，被動矩陣OLED(PMOLED)的設計包括陽極1004的延長條帶，其通常安排為垂直於陰極1006延長條帶，而有機層介於二者之間。陰極1006與陽極1004條帶的交又處定義個別的OLED像素，在適當地激發陽極1004 及陰極1006的相應條帶時會產生並發射光。PMOLED提供相對簡單的製造優點。

參考圖4B，主動矩陣OLED(AMOLED)包括在基板1002 及OLED像素陣列之間安排的驅動電路1012。AMOLED 1375484 的個別像素界定在共同陰極1〇〇6及陽極1〇〇4之間該陽極與其他陽極電性獨立。每一個局域驅動電路1012耦合於〇LED像素的—陽極1004,並進一步耦合於資料線1016 及掃描線1018。在一些實施例中，掃描線1〇18供應選擇 ^ ^知叛列驅動電路’而資料線1016供應資料信號給特定的驅動電路。資料信號及掃描信號激發局域驅動電路1012，其會激發陽極1〇〇4使光線從其對應的像素中發出。在所不的AMOLED中，將局域驅動電路1〇12、信號線1〇16、以及掃描線1018埋在平坦化層1〇14裡其介於像素陣列及基板1002二者間。平坦化層1014提供一個平坦的上表面，在其上形成有機發光像素陣列。平坦化層ι〇ΐ4 可以由有機及無機材料形成，並且雖然顯示為單層，其可以兩層或更多層形成。局域驅動電路1〇12通常用薄膜電曰曰體（TFT)形成並且以格子狀或是陣列在〇led像素陣列下排列。局域驅動電路1012可以至少部分由有機材料做成，包括有機TFT。AMOLED具有反應時間快的優勢，改進了它們在資料信號顯示時的可取性。此外，am〇led具有比被動矩陣OLED耗電較少的優點。參考PMOLED及AMOLED設計的共同特徵，基板1〇〇2 提供OLED像素及電路的架構性支撐。在各種實施例中，基板1002包括硬式或是彈性材料以及不透明或透明材料，例如塑膠、玻璃以及/或是金屬羯。如在上面提到的，每個 OLED像素或是二極體都具有陽極1〇〇4、陰極、以及 10 (£ ) 1375484 形成於陰陽極的有機層1010。當將合適的電流施加於陽極 1004時’陰極10〇6注入電子而陽極1〇〇4注入電洞。在特定實施例中，會將陽極1004及陰極1〇〇6倒置，也就是陰極在基板1002上形成，陽極則被相反地排列。在陰極1006及陽極1〇〇4二者之間插入一或更多有機層。更明確地，至少一發射或是發光層介於陰極1〇〇6以及陽極1004之間。發光層可包括一或更多有機發光化合物。通常’發光層會配置以發出單色可見光，例如藍色、綠色、或是紅色。在圖式說明的實施例中，一個有機層1〇1〇在陰極1006及陽極1004之間形成並且作為發光層。在陽極1004及陰極1〇〇6之間形成的額外層可以包括電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、以及電子注入層。電洞傳輸以及/或是注入層可以介於發光層1 0 1 〇以及陽極1004之間。電子傳輸以及/或是注入層可以介於陰極 1006及發光層1〇1〇之間。電子注入層透過降低從陰極1〇〇6 注入電子所需的功函數以促進電子從陰極1 〇〇6注入到發光層1010。類似地’電洞注入層可促進電洞從陽極1〇〇4 朝發光層1010注入。電洞及電子傳輸層促進載子從各別電極朝向發光層的運動。在一些實施例中’單層可同時具有電子注入以及傳輸功能或是同時具有電洞注入以及傳輸功能。一些實施例中，不具有這些層中的一或多層。在一些實施例中，一或多個有機層會摻雜一或多種材料，其可幫助載子的注入以及/或是傳輸。在陰極及陽極之間只形成一層有機層的實施 1375484 例中’有機層可以不只包括有機光化合物，而且包括某些力月生材料’其可幫助載子在該層的注人或是傳輸。 &發展用於包括發光層的此等層中的許多有機材 =。用於廷些層中的許多其他有機材料也已發展。在一些實把例中，这些有機材料可以包括寡聚物及高分子的大分子。在-些實施例中’用於這些層的有機材料可以是相對小的/刀子。熟習該項技術者由這些個別層的要求功能的觀 ‘·έ以及特殊<〇^·}·之鄰接層材料的觀點中，可以選擇用於每 —層的適當材料。在操作巾冑路在陰極1GG6及陽極⑽4之間提供適當位能這使電流從陽⑮1GG4穿過介於二者間的有機層流到陰極在—個實施例中，陰们嶋提供電子到相鄰有機層1〇1〇。陽極觀將電洞注入到有機層⑻〇。電洞及電子在有機;I 101"里重新肖合並且產生稱為「激子」的具能量粒子。i子將其能量轉移到有機I工㈣中的有機發光材才斗’而1¾能量會用以從有機發光材料發出可見光。OLED 1GGG、1GG1產生並且發出的光譜特性取決於有機層裡有機分子的本質及組成。熟習該項技術者可以選擇一或更多有機層的組成以適合特定的應用需求。 OLED裝置也可以基於光的發射方向分類。在_種稱為「上發光」型的類型中’ 0LED《置通過陰極或是頂部電極1006發射光並且顯示影像。在這些實施例中陰極⑺％是由對可見光透明的材料或至少部分透明的材料製成。某6 些實施例中’為了避免任何可通過陽極或是底部電極 C S ) 12 1375484 的光知失，陽極可以由實質上可反射可見光的材料製成。第一型OLED裝置通過陽極或是底部電極1〇〇4發射光線並且稱為「下發光」型。在下發光型OLED裝置裡，陽極 1004由對可見光至少部分透明的材料製成。在下發光型 OLED裝置中，陰極i〇〇6常由實質上可反射可見光的材料製成。第二型OLED裝置在兩個方向發光，也就是同時通過陽極1004以及陰極1006發光。取決於光的發射方向，基板可以由對可見光透明、不透明或是反射的材料製成。在很多實施例中，OLED像素陣列1021包括複數個有機發光像素，如圖4C顯示的方式排列在基板1〇〇2上。在些實施例中，陣列1 02 1裡的像素由驅動電路（不顯示）控制開及關，並且以複數個像素整體在陣列i 〇2 !上顯示資訊或是影像。在某些實施例中，0LED像素陣列1〇21的排列係關於其他構件（例如驅動及控制電子元件），以定義顯示區域及非顯示區域《在這些實施例中，顯示區域指的是基板1002中形成OLED像素陣列1〇21的區域。非顯示器區域指的是基板1 002的剩餘區域。在一些實施例中，非顯示區域可以包含邏輯以及/或是電源供應電路。可理解至少一部分的控制/驅動電路元件排列在顯示區域内。例如，在PMOLED裡，導電構件將延伸進入顯示區域以提供合適的電位給陽極以及陰極。在AMOLED裡，局域驅動電路以及耦合於驅動電路的資料/掃描連接線將延伸進入顯示區域’以驅動並且控制AMOLED的個別像素。 OLED裝置的一種設計及製造方面的考量是要使〇led 13 84 裝置特定有機材料層能承受曝露於水、氧或其他有的損害或是加逮惡化。因此，通常可理解會密封或是囊封〇LED裝置以抑制製造或是操作環境令對水分及氧或是其他有害氣體的曝露。圖41)所示係說明囊封OLED裝置1〇11 〜著圖4L的D-D線的截面。在這個實施例中’通常平扫的頂部平板或是基板1〇61與封條ι〇7ι接合封條進1 與底部平板或是基板1〇〇2扣接，以包覆或是囊封〇咖像素陣列蘭。在其他實施例中，在頂部平板ΐ()6ι或是底部平板觸上形成一或更多層，而封條則通過該層輕合於底部或是頂部基板⑽2、而卜在所示的實施例中，封條1071沿著〇LED像素陣列1G21或是底部 1〇〇2、1〇㈠的周圍延伸。 1千板在一些實施例中，封條1071如將在下面更進一步討論的由-種炫接材料製成在各種實施例中，頂部及底部平板1061、1〇02包括例如塑膠、玻璃以及/或是金屬箔的材料，其可以提供氧以及/或是水的通路障壁目此保護〇㈣ 1象素陣列1021不曝露於這些物質。在一些實施例中頂部平板1G61及底部平板麗的至少—者由實f 材料形成。為了增加OLED裝置1011的壽命，通常要求封條ι〇7ΐ 以及頂部及底部平&麗、顧提供對氧及水蒸汽的實質上不可滲透的密封，並提供實質上密封包覆的空間 ^081。在特定應用中，顯示了熔接材料封條1〇71結合頂部及底部平板1〇61、1002提供了少於大約10-3CC/m2_day 1375484 的氧障壁以及少於大約1 〇-6g/m2_day的水障壁。因為一些氧以及水分可滲透進包覆空間1081，因此在一些實施例中會於包覆空間1081内形成吸收氧以及/或是水分的材料。封條1071具有一寬度w，為它在平行於頂部或底部基板1061、1002表面方向的厚度，如圖所示。寬度隨實施例不同而有變化，其範圍從大約3〇〇微米到大約3〇〇〇微米，或者從大約500微米到大約15〇〇微米。而且，封 φ 條1071上不同位置的寬度可以變化。在一些實施例中，封條1071的寬度在封條1〇71與底部以及頂部基板1〇〇2、 1061中的一者接觸的地方或封條1〇71與在基板上形成之層接觸的地方最大。在封條1〇71與其他者接觸時封條寬度可為最小。封條1071之單一截面的寬度變化與封條1〇71 的截面形狀及其他設計參數有關。封條1071具有高度η，為它在垂直於頂部或是底部基板1061、1002表面方向的厚度，如圖4D所示。高度隨實 #施例不同而有變化’其範圍從大約2微米到大約3〇微米，或者從大約ίο微米到大約15微米。通常，在封條ι〇7ΐ 不同位置的高度不明顯變化。不過，在某些實施例中，封條1071的南度可以在不同的位置變化。

示的形狀。為了改進密封性，通常要增加封條示的形狀截面、其一用需求的指 1071直接 15 (£ ) 54 與底部或是頂部基板的界面面積。右一 -戈與其上的形成層接觸界面面積增加。。實施例中’可以設計封條的形狀使得會输ϋ條1071可以緊鄰0LED陣列1021配置，而在立他貫施例中封條](丨7,办_ ^ ^ 特定W㈣ L£D陣列則隔開—段距離。在封條1071普遍包含線性片段，复連結在繞0LED陣列1021。在某些實施例中，這種封條〜性片段可以延伸，通常平行於OLED陣列1〇21 的各邊界。在其他實施例巾’會以非平行於OLED陣列1 〇21 各邊界的關係來配置封{条1〇71的一或更多線性片段。而在其他實施例中，至少封條i Q7 i的—部分在頂部平板1 〇61 及底部平板1002之間以曲線模式延伸。如在上面提到的，在某些實施例中封條1071使用一種熔接材料或是僅僅「熔接物」或是「玻璃熔接物」形成，其包括微細破璃顆粒。熔接顆粒包括下列一或多者：氧化鎂（MgO)、氧化鈣（Ca〇)、氧化鋇（Ba〇)、氧化鐘⑺氧化鈉（Na20)、氡化鉀（Κ2〇)、氧化硼（b2〇3)、氧化釩（να;)、氧化鋅（ZnO)、氧化碲（Te〇2)、氧化鋁（Ai2〇3)、二氧化矽 (Si〇2)、氧化鉛（PbO)、氧化錫（sn〇)、氧化填（p2〇5)、氧化舒（Ru20)、氧化鈿（Rb2〇)、氧化鍺（Rh2〇)、氧化鐵（Fe2〇3)、氧化銅（CuO)、氧化鈦（τΐ〇2)、氧化鎢（w〇3)、氧化鉍（Bi2〇3)、氧化銻（St>2〇3)、硼酸鉛玻璃、磷酸錫玻璃、釩酸鹽玻璃以及硼矽酸鹽等等組成。在一些實施例中，顆粒大小從大約 2微米到大約3 0微米的範圍，或者從大約5微米到大約1 〇 1375484 微米，但不限於此。顆粒大小可以如頂部及底部基板ι〇6ι、 1002之間的距離或是任何在這些基板上形成而與溶接封條接觸的層之間的距離。用來形成封條1071的熔接材料也可以包括一或是更多填料或是附加材料。可以提供填料或是附加材料以調整封條107!的整體熱膨脹特性以及/或是調整封條ι〇7ι對入射輻射能量之選定頻率的吸收特,杜。填料或是附加材料也可卩包括交換以及/或是附加填料以調整熔接物的熱膨脹係數》例如填料或是附加材料可以包括過渡金屬例如鉻（Cr)、鐵（Fe)、錳（Μη)、鈷（Co)、銅（Cu)以及/或是釩。填料或是附加物的額外材料包括ZnSi〇4、pbTi〇3、Zr〇2、鋰霞石。在一些實施例中，乾燥組成的熔接材料包含從大約2〇到90重量百分比（wt%)的玻璃顆粒，並且剩下的包含填料以及/或是附加物。在一些實施例中，熔接膠質包含大約 10-30 wt%的有機材料以及大約7〇·9〇 wt%的無機材料。在籲一些貫施例中’熔接勝質包含大約2〇 wt%的有機材料以及大約8 0 wt /〇的無機材料。在一些實施例中，有機材料可以包括大約0-30 wt%的黏合劑以及大約7〇_1〇〇 wt%的溶劑。在一些實施例中，有機材料有大約10 wt%的黏合劑以及大約90 wt%的溶劑。在―些實施例中，無機材料可以包括大約〇_10 Wt%的附加物，大約20-40 的填料以及大約 50-80 wt%的玻璃粉末。在一些實施例中，無機材料有大約 0-5 wt%是附加物，大約253〇 wt%是填料以及大約65乃 wt%是玻璃粉末。 17

7成㈣封條時，將液體材料添加在乾㈣接材料 =成炼接穋質。任何含有或是不含有附加物的有機或 j機溶劑可以用作為㈣材料。在一些實施例中溶劑 Γ其：或更多的有機化合物。例如可應用的有機化合物為纖維素、魏纖維素、氫氧基丙基纖維素、丁卡必醇乙酸鹽、烯醇、丁基甘醇、丙烯酸酯化合物。然後可以應用如此形成㈣接膠質以將頂部以及/或是底部平板1061、 1002上的封條1071成形。 …在y個示範實施例中，封條1G71的形狀最初以炫接膠 Λ形成並且插入於頂部平板1〇61及底部平板⑽2兩者之間β在特定實施例中，封條1〇71可以預硬化以及預燒結到頂部平板及底部平板1〇61、1〇〇2兩者之一上。在頂部平板1〇61及底部平板1002以兩者之間的封條1071組合、後封條1 071的幾個部份選擇性地加熱以使得形成封條1071的熔捿材料至少部分熔化。封條ι〇7ΐ接著可重新

固化以形成頂部平板1061以及底部平板1〇〇2之間的穩固接點因此防止包覆的OLED像素陣列1021曝露到氧氣或是水中。在一些實施例中，熔接封條的選擇性加熱以光（例如雷射或是導向的紅外線燈）照射來實行。如之前提到的，形成封條1071的熔接材料可以結合一或更多附加物或是填料，例如選擇用來改進照射光吸收的物種以促進熔接材料的加熱及溶化而形成封條。在一些實施例中，OLED裝置i〇u是大量生產的。圖 1375484 4E所示的實施例中，複數個分開的〇LED陣列1021係在共同底部基板1101上形成。在所示的實施例中，每一個 OLED陣列102 1係以熔接物成形的封條1 〇71包圍。在一些實施例中’將共同頂部基板（不顯示）放置在共同底部基板UOi與其上形成的結構之上，使得〇LED陣列1〇21以及成形的熔接膠質介於共同底部基板U(H及共同頂部基板之間。OLED陣列1021係囊封並且密封的，例如透過先前描述的單一 OLED顯示裝置的封裝過程。最終產品包括透過共同底部以及頂部基板而保持在一起的複數個〇Led 裝置。然後將最終產品切成複數片，每一片組成圖的 OLED裝置ιοί 1。在某些實施例中，個別〇LED裝置1〇1 ( 更進一步接受額外的封裝操作以進一步改進由熔接封條 1071以及頂部及底部基板丨〇61、1〇〇2所形成的密封。圖1所示的係一種有機發光顯示器的剖面圖。參考圖 1 ’該有機發光顯示器包含：第一基板1〇、熔接物25、以及第二基板30。該第一基板丨〇包含沉積基板n以及至少一有機發光二極體，該有機發光二極體包含形成在該沉積基板11上方的第一電極20、有機層22、以及第二電極23» 首先’於該沉積基板11之上會形成緩衝層12。該沉積基板11可能包括玻璃’而該緩衝層則係由絕緣材料所構成，例如Si〇2以及SiN)^該緩衝層丨2係被形成用以防止該沉積基板11因為外部的熱能之類的因素而受到破壞。於該緩衝層12的至少一區域之上會形成半導體層13, 3亥半導體層13包含主動層13a與源極/汲極區13b。於該 19

丄：>/：)4M — 之上會形成閘極絕緣層14，以便覆蓋該半導體層13。於該閘極絕緣層14的广， W 的一區域之上會形成閘極電極 15 ’其具有和該主動層13a相近的尺寸。於該閉極絕緣層14之上會形成層間绝緣層16，以便包含該閑極電極15。源極與波極電極m與則形成在該層間絕緣層16 @-預設區域之上，以便接觸該半導體層13的該等源極/没極區igb。於該層間絕緣層16之上會形成平坦化;f 18,以便包含該等源極纽極電極17&與H於該平坦化層18的— 區域之上會形成第一電極2〇。此時，該第一電極2〇會經由通孔19連接至該等源極與沒極電極pa與m中其中一者的一裸露區。於該平坦化層18之上會形成一像素界定層21，其包含會露出該第一隸2〇中至少_區域的孔徑以便包含該第-電㉟20。於該像素界定層21的該孔徑之上會形成有機層22且於該像素界定層21之上會形成第二電極層 23’以便包含該有機層22。於該第—基板iq的—非像素區與該第二基3〇之間會提供溶接物Μ，以便相互黏著該第一基板10與該第二基板3〇。，圖2A至2C所不的係根據一實施例，用於製造有機發光”’’員不器的方法的剖面0。該有機發光顯示器包含第一基板100該第基板包含像素區（圖中未顯示），於該像素區中會形成至/ -有機發光顯示裝置（〇led)丨丨q ^非像素區（圖中未顯示）會包圍該像素區。第二基板會藉由溶 20 1375484 接物150而附接至該第一基板100的該非像素區的一部份。根據用於製造該有機發光顯示器的第一種方法，該熔接物150係被施加在該第二基板2〇〇的一區域之上，俾使該熔接物150會被插置在該第二基板2〇〇與該第一基板1〇〇的該非像素區之間。於一些實施例中，該熔接物丨5〇可能包含添加劑，例如，可能包含填充材料以便控制熱膨脹係數及/或可能包含吸收材料以便吸收雷射或紅外光射線。於一些實施例中，該熔接物15〇可能係利用網印法所形成的。根據網印法’所希的圖案會被設計成被描繪在金屬片之上，該金屬片之中不含該圖案的部份則會利用乳狀溶液來遮蔽，並且於施加該熔接物之後會使得該所希圖案被印刷在該第二基板200之上。當該熔接物1 50被施加至該基板2〇〇之後，該熔接物 150便會以預設溫度被退火。由於對該溶接物15〇進行退火，添加至該熔接物150之中以使該熔接物15(3成凝膠狀膠質的有機材料便會消失在空氣中，而使得該熔接物15〇會硬化或是凝固。對該熔接物15〇進行退火的製程較佳的係在溫度介於300。(：與70(TC之間於熔爐之中來實施（圖 2A) » 接著’便會提供該第一基板1〇〇以便附接至該第二基板200。此時，為密封形成在該第一基板1〇〇之上的有機發光二極體110，該第一基板1〇〇與該第二基板2〇〇會被排列成讓該有機發光二極體1 1〇位於該等基板1〇〇與2〇〇之間並且會被該熔接物150包圍。於圖2B與2C中所示的 21 1375484

範例之中，位於該第-基板⑽上的非像素區的—區域合在該炫接物接觸該基板⑽的表面之上形成複數個非平: 結構。該等非平面結構包括一或多個凹谷與尖峰或是其它形式的三維地形’並且係用來提高炫接& m與該第一基板刚相互連接的結合介面的接觸表面積。提高接觸表面積會改良由該炫接物150所提供之用來將該第一基板⑽ 點著至該第二基板200的黏著作用力。該第__基板1〇〇中接觸到該熔接物150的表面較佳的係無機層。當該熔接物 150直接接觸到有機層時，該有機層可能很容易受到熱的影響，並且可能會被高溫破壞，例如，當利用雷射光束來照射該熔接物1 50時。所以，該表面與該熔接物丨5〇之間的黏著作用力便可能會降低。於該第一基板1〇〇的裸露表面之上製造該等非平面結構的製程可藉由蝕刻來實施，較佳的係，藉由乾式蝕刻來實施。該乾式蝕刻製程可能包含下面方法，例如，離子束钱刻、RF減;鐘钱刻、以及反應離子餘刻。於利用熔接物150附接該等基板100與200之後，便會利用雷射光束或紅外光射線來照射該熔接物丨5〇使其熔化，以便讓該第一基板1 〇〇與該第二基板200會相互黏著。此時，用於熔化該熔接物150的雷射光束的較佳強度範圍係介於約20W至約60W之間（圖2C)。圖3 A所示的係根據一實施例的一種有機發光顯示器。參考圖3A’該有機發光顯示器包含第一基板1〇〇、熔接物 15〇、以及第二基板200 » 22 1375484 該第一基板100包含沉積基板101以及至少—有機發光二極體，該有機發光二極體係形成在該沉積基板101之上方。首先，於該沉積基板101之上會形成緩衝層UI。該沉積基板101可能係由玻璃所構成，該緩衝層lu則係由絕緣材料所構成’例如Si〇2以及siNj^該緩衝層Ui 係形成以防止該沉積基板101因為外部的熱之類的因素而受到破壞。於該緩衝層111的至少一區域之上會形成半導體層 1 12,該半導體層112包含主動層112a與源極/汲極區i 12b。於該緩衝層111之上會形成閘極絕緣層U3，以便覆蓋該半導體層112。於該閘極絕緣層113的一區域之上會形成閘極電極114。該閘極電極U4具有對應於該主動層U2a 之寬度的近似尺寸。於該閘極絕緣層113之上會形成層間絕緣層115，以便包含該閘極電極1 1 4。源極與汲極電極丨丨6a與丨丨6b係 φ 形成在該層間絕緣層U5的預設區域之上。該等源極與汲極電極116a與116b中每一者均會被連接至該等源極/汲極區112b中每一者的一裸露區。於該層間絕緣層115之上會形成平坦化層117,以便覆蓋至少該等源極與汲極電極 116a 與 116b。於該平坦化層117的一區域之上會形成第一電極119，俾使該第一電極丨119會經由一通孔118連接至該等源極與汲極電極116a與116b中其中一者的裸露區。此時，會在該平坦化層117的非像素區的部份之中形成至少一非平 23 1375484 面、1構155。該等非平面結構包括一或多個凹谷與尖峰。該等非平面結構155的凹谷與尖峰的剖面可能為如圖3A 中所示的矩形，不過，其僅係其中一個範例。該等非平面結構155亦可能係任何規律或不規律的形狀，例如：三角形、半圓形、平滑邊、尖銳邊、高低起伏狀、…等。此時，因為該平坦化層117係形成在該第一基板1〇〇的最上層之上而被黏著至該熔接物15〇且含有該等非平面結構155的表面會直接接觸到該熔接物15〇，所以，該熔接物150與該平坦化層117之間的黏著作用力會強過沒有任何非平面結構者。所以，該平坦化層丨17會被製成非平面，以便提高該平坦化層117與該熔接物15()杻互接觸的面積，使其能夠改良由該熔接物15〇於第一基板1〇〇與第一基板200之間提供的黏著力。該平坦化層丨17較佳的係由無機絕緣層所構成。因此，當利用雷射光束或紅外光射線來照射該熔接物150以熔化該熔接物15〇時，該無機層並不易文到熱的影響，而該有機發光二極體則不會受到破壞。該等非平面結構155可藉由蝕刻方式形成在該平坦化層之中，較佳的係藉由乾式钱刻來實施。該乾式蝕刻可能係利用下面方法來實施，例如：離子束蝕刻、RF濺鍍蝕刻、以及反應離子姓刻。於該第一電極119上方的平坦化層117之上會形成像素界定層120,其包含孔徑以露出該第一電極119的至少一區域。於該像素界定層120的孔徑之上會形成有機層121。 24 1375484 於該像素界定層120之上會形成第二電極層122，以便覆蓋該有機層12 1。該熔接物150係被設置在該第一基板1〇〇以及該第二基板200之間，用以使第一基板100與第二基板200相互黏著《該溶接杨i 5 0係被設置在第一基板i 〇〇之上的非像素區（圖中未顯示）的一部份以及第二基板200之間。該非像素區係並未形成含有該第一電極1丨9、有機層121、以及第二電極122的有機發光二極體的區域。該熔接物150會直接接觸到該第一基板100的平坦化層117»於特定實施例中，該熔接物15〇可包含一或多種添加劑’例如’可能包含填充材料以便控制熱膨脹係數及/ 或可能包含吸收材料以便吸收雷射光束或紅外光射線。藉由將玻璃加熱至高溫再迅速冷卻該玻璃，便可形成熔接粉末’如此便可產生玻璃熔接粉末。一般來說，氧化物粉末會添加至熔接材料來形成該熔接物15〇。當已添加氧化物泰末的炼接物150之中加入有機材料時，便會獲得凝膠型膠質。接著，便可對應於基板100的非像素區在要形成該等非平面結構155的地方，沿著該第二基板2〇〇的密封線施加該凝膠型膠質。於將該熔接膠質施加至該基板2〇〇之後，便會對該熔接膠質實施熱處置，以便將該熔接膠質加 …、至預设的溫度，俾使該有機材料會消失在空氣之中，而且該凝膠型膠質會硬化，以便獲得固態的玻璃熔接物。此處，該熔接物15〇的退火溫度範圍較佳係介於約3〇〇t至約7〇〇°C之間。以低於約300t:的溫度退火該熔接物可能 25 1375484 無法適度地讓該熔接物中的有機材料消失。將退火溫度提昇至約700°C以上並不適宜。端視該熔接物的性質以及和其附接的表面而定，該熔接物與該表面之間的結合介面可能包括黏結痕跡。黏結痕跡可能包含可偵測介面’該介面處要被接合的材料的：性並不相同（舉例來說，不同的折射率此外，該結合介面實質上還可能並不包括任何氣泡，或者亦可能會包括氣泡’端視該等條件而定。圖3B所不的係根據另一實施例的有機發光顯示器。於圖3B中所示的實施例中，會從該基板1〇〇的非像素區的一部份之中移除該平坦化層丨17(舉例來說，藉由蝕刻來移除），而非平面結構155則係形成在該層間絕緣層115的表面上。也就是，根據此實施例，該熔接物15〇會扣接形成在该層間絕緣層Π 5之上的該等非平面結構i 5 5的一或多個凹谷與尖峰。該層間絕緣層115的表面會被敍刻而形成一或多個凹谷與尖峰或是其它的三維地形，以便提高該層間絕緣層115接觸該熔接物15〇的接觸表面積（或是結合介面）。所以，由該熔接物15〇在第一基板1〇〇與第二基板 200之間所提供的黏著力便會獲得改良。於此實施例中，該層間絕緣層115較佳的係由複數層無機絕緣層所構成。也就是，雖然會實施將該等雷射或紅外光射線照射至該熔接物丨5〇之上以使其熔化的製程不過，該等無機層並不易受到熱的影響，所以有機發光二極體並不會受到破壞。該等非平面結構155可藉由蝕刻（舉例 26 13/M84 :說乾式蝕刻）的方式而形成在該層間絕緣層115之上。。乾式蝕刻可能係利用下面方法來實施例如離子束蝕 ! RF濺鑛蝕刻、及/或反應離子姓刻。一在形成該層間絕緣層115之上的該等非平面結構155 的Η —時間，可同時形成複數個接觸孔(·圖中未顯示），用 χ將該等源極與汲極電極丨丨6a與丨丨6b以及該等源極與汲極區112b相互電連接。另外，在蝕除部份該平坦化層\17 的製程同時’亦可一起形成通孔i i 8，用以將源極與汲極電極116a與U6b以及該第一電極119互相電連接。所以，並不需要實施額外的製程步驟（例如遮罩步驟）便可在該層間絕緣層11 5之上製造該等非平面結構。圖3C所示的係根據另一實施例的一種有機發光顯示益。於圖3C中所示的實施例中，非平面結構i 55係形成在沉積基板101的表面之上。也就是，根據此實施例，該熔接物150會扣接於形成在該沉積基板ι〇1之上的該等非平面結構的一或多個凹谷與尖峰。所以，該非像素區中沉積基板101的一裸露區便會含有形成在該沉積基板1〇1之上的該等非平面結構，以便增加熔接物丨5〇扣接該等非平面結構155的接觸表面積。所以，由該熔接物15〇在第一基板100與第二基板200之間所提供的黏著作用力便會獲得改良。於此實施例t ’該沉積層101較佳的係由無機材料所構成。因此’當利用雷射光束或紅外光射線來照射該熔接物150以固化該熔接物150時，該等無機層並不易受到熱 27 1375484 的影響’而該有機發光二極體則不會受到破壞。該沉積層 101的表面上的該等非平面結構可藉由银刻（舉例來說乾式J)的方式來形成。該乾式钱刻可能係利用下面方法來實施，例如：離子束飯刻、RF㈣㈣、及/或反應離子姓刻。該等非平面結構155可形成在該沉積基101的非像素區之中。1^非像f區可能係未形成該薄膜電晶體（TFT)閘極電極114、源極與汲極電極U6a肖"6b、以及有機發光二極體層119、121、以及122的任何區域。首先，會於該 ’儿積基板101之上形成該緩衝層，並且會於該緩衝層 111之上形成該閘極絕緣層113。接著便會於該閘極絕緣層113之上形成該層間絕緣層丨丨5並且於該層間絕緣層1b 之上形成該平坦化層117。該等上方層m、113、ii5、以及117中的一部份會被移除，以便露出該沉積基板的一部份。接著，便會蝕刻該裸露的非像素區中的一或多個部份，以便在該沉積基板丨〇丨的表面上形成該等非平面結構155 ^該等非平面結構丨55可能係由不易受到熱影響的複數層無機絕緣層所構成。可以使用SiNx或是Si〇2，不過本發明並不限於此。該沉積基板1〇1可能玻璃構成。該熔接物150與形成在該沉積基板ι〇1之上的該等非平面結構155進行扣接的接觸表面積會增加，因而便會提高由該炫接物150在第一基板1〇〇與第二基板2〇〇之間所提供的黏著力》針對上面討論的非平面結構，可針對圖2A至3B中所 28 1375484 示的形狀進行各種變更。此外，亦可於該第二基板綱之上形成三維扣接結構，以提高該熔接物黏著至該第二基板的黏著力。此外’亦可於㈣接物之上形成三維扣接結構，俾使㈣接物可能包括互補於其巾—基板的三維扣接結構之預先成形的扣接結構。該熔接物可於熔化之前包括可塑形材料’纟中’讓該溶接物接觸該三維扣接結構會於該可塑形材料中形成互補的三維結構。於根據本發明的有機發光顯示器及其製造方法中，基板與熔接物接觸的表面會被製造成具有複數個非平面結構，以提高該熔接物扣接於形成在基板表面上的該等非平面結構的一或多個凹谷與尖峰的接觸面積，並且因而改良由該熔接物在該基板與該密封基板之間所提供的黏著力。所以，便可有效地囊封該有機發光二極體，以便防止氧氣與水分滲入，並且因而改善該有機發光顯示器的壽命以及發光效率。雖然本文已經顯示與說明本發明的一些實施例，不過，熟習本技術的人士便會明白，可對此實施例進行變更，而不會脫離本發明的原理與精神，本發明的範疇會定義在申請專利範圍以及它們的等效範圍之中。【圖式簡單說明】圖1所示的係一有機發光顯示器的一實施例的剖面圖。圖2Α至2C所示的係根據一實施例，一種用於製造有機發光顯示器的方法的剖面圖。 29 丄3/：)464 圖3 A所干& ^不的係根據一實施例的有機發光顯示器。圖3Β所；^•从 αν的係根據另一實施例的有機發光顯示器。圖3 C所+从的係根據另一實施例的有機發光顯示器。圖 4 ώί-— __ 的係根據一實施例的被動矩陣型有機發光顯示裝置的分解圖。 4 A^L — _ 不的係根據一實施例的主動矩陣型有機發光顯示裝置的分解圖。 4 AdL — 匕. ^的係根據—實施例的一種有機發光顯示器的俯視平面圖。圖4D所不的係圖4C的有機發光顯示器沿著直線D-D 所獲得之剖面圖。圖E所不的係根據—實施例有機發光裝置的量產立體示意圖。【主要元件符號說明】 10 第一基板 11 '"L·積基板 12 緩衝層 13 半導體層 13a 主動層 13b 源極/汲極區 14 閘極絕緣層 15 閘極電極 16 層間絕緣層 17a 源極電極 30 1375484

17b 汲·極電極 18 平坦化層 19 通孔 20 第一電極 21 » _， »一诼京芥疋層 22 有機層 23 第二電極層 25 •熔接物 30 第二基板 100 第一基板 101 沉積基板 110 有機發光顯示裝置 111 緩衝層 112 半導體層 112a 主動層 112b 源極/汲極區 113 閘極絕緣層 114 閘極電極 115 層間絕緣層 116a 源極電極 116b 沒極電極 117 平坦化層 118 通孔 119 第一電極 31 1375484 120 像素界定層 121 有機層 122 第二電極 150 熔接物 155 非平面結構 200 第二基板 1000 被動矩陣型有機發光顯示器 1001 主動矩陣型有機發光顯示器

1002 基板 1004 陽極 1006 陰極 1010 有機層 1011 有機發光顯示裝置 1012 驅動電路 1014 平坦化層 1016 資料線

1018 掃描線 1021 有機發光顯示器像素陣列 1061 基板 1071 封條 1081 包覆空間 1101 共同底部基板 32

Claims

I3/M84 100年8月2臼修正替換頁

十、申請專利範圍： κ一種有機發光裝置，其包括：第一基板；第二基板； ”、Λ第在' 低與第二基板之間的有機發光像素障列；熔接封條，其會包圍該陣列，且介於第一基板與第二基板之間並且互連第—基板與第二基板，纟中，該嫁接封條與該第-基板會相互結合並且於其間構成結合介面且八中°玄、”。D ’丨面包括含有起伏形狀的三維地形用以増加結合接面上之接觸面積。 2_如申請專利範圍第i項之裝置’其中該起伏括至少一尖峰與至少一凹谷。匕 3·如申請專利範圍第丨項之裝置，其中，該 ^該第—基板的三維扣接表㈣及㈣接㈣互補扣^

4_如申請專利範圍第丨項之裝置括黏結痕跡。其中該結合介面包 5 .如申請專利範圍第由單一層所製成。 1項之裝置，其中該第一基板係該第一基板包該結合介面僅 s玄結合介面係 6·如申請專利範圍帛1項之裝置，其中括兩層或多層不同材料。 7_如申請專利範圍第6項之裝置，其中會形成在該等兩層或多層中其中一層之中 8.如申請專利範圍第6項之裝置，其中形成於該等層的兩層或多層之中。 ” 33 1375484

I年日修正為 _ 1項之裝置，荚中，該第一基板進步包括與該結合介面分離的複數個結構。板進 10.如申請專利範圍第1 …一…· g之裝置’其中，該陣列係被 9.如申請專利設置在該第一基板之上 1 i _如申請專利範圍第設置在該第二基板之上。牛5月16日修正替換頁 1項之裝置，其中該陣列係被 ’該熔接封條一結合介面，

12.如申請專利範圍第1項之裝置，其中與該第二基板會相互結合並且於其間構成另且其中，該另一結合介面包括三維的地形。 13.如申請專利_第1項之裝置，其中，料接封條包括下列中的-或多種材料：氧化鎮（Mg〇)、氧化轉（Ca〇)、氧化鋇（Ba〇)、氧化經（Li2〇)、氧化鈉（Na2〇)、氧化卸（κ2〇) 氧化硼（Β2〇3)、氧化鈒（V2〇5)、氧化辞（Ζη〇)、氧化蹄…〇2)、氧化銘（Α12〇3)、二氧化矽（Si〇2)、氧化鉛（pb〇)、氧化錫 (sn〇)、氧化磷(p2〇5)、氧化訂(Ru2〇)、氧化铷(Rb2〇)、氧化铑（Rh20)、氧化鐵（Fe2〇3)、氧化銅（Cu〇)、氧化鈦、氧化鎢（w〇3)、氧化鉍（Bi2〇3)、氧化銻（sb2〇3)、硼酸鉛破螭、磷酸錫玻璃、釩酸鹽玻璃、以及硼矽酸鹽。 14. 一種用於製造電子裝置的方法，其包括：提供含有三維扣接結構的第一基板；提供第二基板；將熔接物與有機發光像素陣列插置在該等第一基板與第一基板之間，而該溶接物會包圍該陣列；讓έ亥炼接物接觸第一基板的三維扣接結構； 34 1375484 年I月A曰修(

100年5月16曰修正替換頁熔化與重新凝固該熔接物的至少—部份，俾使該熔接物會與該三維扣接結構結合在一起，從而形成含有起伏形狀之三維地形的結合介面。其中，該結合介面其中’該起伏形狀其中，該第一基板其中’該第二基板步包括讓該溶接物 15. 如申請專利範圍第14項之方法實質上並非全部平坦。. 16. 如申請專利範圍第14項之方法包括至少一尖峰與至少一凹谷。 1 7.如申請專利範圍第1 4項之方法包括兩層或多層不同材料。 18.如申請專利範圍第Μ項之方法包括三維扣接結構，其中，該方法進_ 接觸該第二基板的該三維扣接結構，以及其中，炼化與重新凝固會進一步結合該熔接物與該第二基板的三維扣接結構，從而形成另一含有三維地形的結合介面。 19，如申請專利範圍第14項之方法，其中，該炫接物包括預先成形的扣接結構，其會與該第—基板的該三維扣接結構互補。 20.如申請專利範圍第14項之方法，其中，熔化之前的炫接物包括-可塑形材料，纟中，讓該料物接觸該:維扣接結構會於該可塑形材料中形成互補的三維結構。十*一、圖式. 如次頁 35