TWI363579B

TWI363579B - Organic light emitting device having improved stabiltiy

Info

Publication number: TWI363579B
Application number: TW094108443A
Authority: TW
Inventors: Pranab K Raychaudhuri; Joseph K Madathil; Liang-Sheng Liao
Original assignee: Global Oled Technology Llc
Priority date: 2004-03-19
Filing date: 2005-03-18
Publication date: 2012-05-01
Also published as: KR101094737B1; US7157156B2; TW200541406A; JP2007529868A; US20050208330A1; CN1934727A; JP4741577B2; WO2005096406A2; KR20060129058A; WO2005096406A3

Description

1363579 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於頂部及底部發光有機發光二極體 (OLED) ’其使用金屬電極且具有在長期使用中顯示出安定的工作電壓之驅動電壓之改良的安定性。【先前技術】一有機電致發光（OEL)裝置，或者被稱作有機發光二極體 (OLED) ’其適用於平板顯示器應用中。由於該發光裝置可經設計以產生具有高亮度效率之紅、綠及藍色；其可藉由一約幾伏特之低驅動電壓運作且自傾斜角度清晰可見，因此該發光裝置具有吸引力。此等獨特的特性得自一基本 OLED結構，該結構包含一夾於一陽極與一陰極之間之小分子有機材料薄膜之多層堆疊》Tang等人在共同讓渡之美國專利第4,769,292號及第4,885,211號中揭示了該結構。該普通的電致發光（EL)介質包含一電洞傳送層（Η1χ)及一電子傳送層（ETL)之雙層結構，每一層通常為約幾十奈米厚。當在電極處施加一電位差時，在陽極處之所注入的載子電洞及在陰極處之電子通過EL介質向彼此轉移且其一小部分在發射層（ETL)中再結合靠近HTL/ETL介面之一區域以發射光。電致發光之強度視電極之EL介質、驅動電壓及電荷注入性質而定。在裝置之外可見的光進一步視有機堆疊之設計及基板、陽極及陰極之光學特性而定。習知OLED為底部發光（BE)，此意謂經過支撐〇led結構之基板來觀看顯示器。裝置通常採用具有一高度透明的 99644.doc

I 1363579 化銦錫（ITO)層之玻璃基板，該層亦用作陽極◊雖然亦將含鋰合金用作一有效的電子注入電極，但陰極通常為一鎂銀 (MgAg)反射薄膜。在裝置内產生之光向所有方向發射。然而，產生的光之僅一小部分對於觀看而言為可用的，且產 4 生的光之約80%被以波導模式捕集於裝置内之玻璃、IT〇及有機層中。被以小於臨界角朝向陽極發射之光穿過陽極及基板至觀看者’且向相反方向發射之光在陰極處被反射並穿過該基板，從而增強了觀看強度。因而一高透明度基板 i 及陽極及一高反射率之陰極為較佳的。 OELD顯示器通常與主動式矩陣（AM)電路耦合以便產生向效能顯示器。對於使用薄膜電晶體之開關元件的AM底部發光顯示器而言，該等電晶體在玻璃基板上製造。結果用於光顯露之可用的開放區域被減少。藉由多電晶體及複雜電路在底板中之應用，光顯露所經過之開放區域被減少。開放區域對整個顯示區域之比被稱作孔徑比。由於孔徑比 • 之減少，因此顯示器將變暗。為補償所減少的平均亮度位準，必須增加驅動電流而使顯示器經受操作降級之危險增加。因而斷定在不進一步損害孔徑比及運作安定性之情況下’不易建構更複雜的圖元驅動電路。為緩解此問題’可使所發射的光經過頂部表面而顯露。在頂部發光設計中，在基板上製造驅動電路且光自相反表面發射》此設計允許使用佔用所需的任何基板空間之複雜 •電路且孔徑比不文影冑。高孔徑比使得可見的帛示器消耗 •較）功率。該等裝置具有在-低驅動電流之下運轉之前 99644.doc 1363579

景’同時维持可讀性且從而延長使用期限。I 採用諸如矽之不透明底板之裝置中OLED必須為頂部發光類型。頂部表面，通常為陰極，需要至少為半透明的以便允許光經過頂部射出。該裝置應較佳地包括一與陰極側相對之反射器或一反射陽極以使光改變方向而向陽極發射。任何裝置設計，頂部或底部發光，皆應以達成最高的可月匕效率為目標。然而，藉由收回損失於波導模式之光來實現高效率可為非常困難的。為恢復損失於波導模式之光之甚至一小部分’該裝置架構可為非常複雜的。不引入該複雜性之一用以增強效率的方法為建構包括反射電極的裝置之結構之微腔設計。Sony Corporation(EP 1 154 676 A1)已結合一可選的緩衝器/電洞注入層（HIL)揭示了一陽極，其由諸如鉑、金、鉻、鎢之反光材料或可能其他高功函數材料製成。Sony亦報導（EP 1 102 317 A2)了一陽極，其包含一形成於反射層上之諸如ITO的透明導電薄膜。頂部電極為一用作陰極的鎂銀（MgAg)或鋁鋰（A1..U)合金之半透明反射層，光經過該半透明反射層顯露〇Lu等人報導了頂部發光、高效的OLED，該OLED在陽極結構中使用了反射金屬、一磷光發射層、Ir(ppy)3及一半透明複合陰極。 ("High-efficiency top-emitting organic light-emitting devices", M_-H. Lu、M. S. Weaver、T. X. Zhou、M. Rothman、 R. C· Kwong、M. Hack及 J. J, Brown, Appl. Phys. Lett. 81， 3921 (2002))。Riel 等人證明瞭（"Phosphorescent top-emitting 99644.doc 1363579 organic light-emitting devices with improved light outcoupling"，H· Rie卜 S. Karg、T. Beierlein、B· Rushtaller 及 W. Rieb，Appl. Phys. Lett. 82, 466 (2003))高效頂部發射極，其亦使用Ir(ppy)3發射層、高功函數金屬陽極及半透明陰極且進一步採用了一在該半透明複合陰極上之硒化鋅層以用於改良的光外耗合》率。RayChaudi!uri等人報導了頂部及底部發光微腔裝置，其如最優化的底部發光非微腔裝置之兩倍一樣有效（"Performance enhancement of bottom-and top-emitting organic light-emitting devices using microcavity structures", P. K. Raychaudhuri* ' J. K.

MadathU、Joel D· Shore及 Steven A· Van Slyke，Procceedings of the 23 rd International Display Research Conference,

Phoenix、Arizona, 2003 年 9 月 16至 18 日，第 10 頁）。藉由採用高度反射電極，顯著地增加所產生的光之外耦合為可能的。在微腔裝置中，發射出腔室的光視腔室設計而定。一微腔之共振波長藉由下式給出： 2 Σ (riidi) /λ - (Φ^ +φ2)/360。= m，其中m=〇, 1，2,…，人為顯露出腔室的光之峰值波長，該腔室由具有厚度屯及折射率ni之層組成，且叫及〇)2為關於自兩個反射電極之反射的以度數表示的光的相移。由於數值⑴山被S知地稱作材料之”光學路徑長度"，因此Σ㈨山）為微腔中之總光學路徑長度。對於微腔之—岐的光學路徑長度而言，此發射之強度（且在小得多的程度上’其波長）亦受腔 99644.doc 1363579 室内之發射區域之位置影響。若選擇了在陰極與HTL/ETL 介面之間之一合理的距離，則吾人可接著改變HTL厚度以便改變微腔之光學路徑長度。在一 HTL厚度下出現最大亮度以使得微腔之共振波長較好地與在特定摻雜的主體材料之固有發射光譜中的峰值相對準。該第一最大值出現在對應於m=0之HTL厚度處，且隨後最大值出現在對應於m = 1，2等等之HTL厚度處。圖1係一頂部發光微腔結構之亮度與藉由光學模型判定的高達對應於m=l之厚度的NPB HTL厚度之函數關係之一曲線。該OLED之結構為：玻璃/80 nm銀/NPB(變數）/60 nm Alq/14nm鎂銀，其包括被沉積於玻璃基板上之完全反射銀陽極。鎂銀頂部電極為陰極，且由於其為薄的且半透明的，因此允許經過OLED之頂部表面的顯著發射。圖1展示，對於此結構而言亮度之第一最大值出現於46 nm處且第二最大值出現於NPB厚度之196 nm處。雖然，顯而易見對於其他波長之發射而言亮度與NPB HTL厚度之函數關係之曲線將與圖1類似，但腔室長度將稍有不同，且共振波長之最大值將出現在稍微不同的NPB厚度之處。然而，已發現基於上述層結構之OLED為無效的。發現一在銀與NPB HTL之間的夾層適用於降低工作電壓及改良OLED 之安定性。該充當電洞注入及擴散障壁之夾層係非常薄的 (1至2 nm厚）且為高度透明的。從而，其不顯著地影響OLED 之光學特性。雖然具有46 nm NPB之OLED結構最適合用於最大化效率並最小化顏色之角度依賴性，但自製造之觀點 99644.doc •10- 1363579 來看具有196 nm NPB之OLED結構可為適當的。此係由於薄的NPB可產生可在使用上嚴重失效之短路的OLED。在另一方面，厚的NPB HTL很可能增加驅動電壓。圖2係一底部發光微腔結構之亮度與藉由光學模型判定的高達對應於m=l之厚度的NPB HTL厚度之函數關係之一曲線。該OLED之結構為：玻璃/20 nm銀/NPB(變數）/60 nm Alq/200 nm鎂銀（MgAg)，其包括沉積於玻璃基板上之反射、半透明且導電的銀陽極。鎂銀頂部電極為反射的、不透明的且導電的。薄的及半透明的銀陽極允許經過基板之顯著發射。另外，圖2與圖1非常類似且其展示，即對於此結構而言亮度之第一最大值出現在NPB厚度之約50 nm處且第二最大值出現在NPB厚度之約200 nm處。雖然，顯而易見對於其他波長之發射而言亮度與NPB HTL厚度之函數關係的曲線將與圖1類似，但是腔室長度將為稍有不同，且共振波長之最大值將出現在稍微不同的NPB厚度處。此處再次說明，雖然具有50 nm NPB之OLED結構最適合用於最大化效率並最小化顏色之角度依賴性係，但自製造之觀點及安定性來看具有200 nm NPB之OLED結構可為適當的。在底部發光裝置中，發現一沉積於銀陽極與NPB HTL之間的包括氟化碳或氧化物之薄的電洞注入層（HIL)會減少驅動電壓並改良效率。HIL非常薄（1至2 nm厚）且為高度透明的，且其不顯著地影響OLED之光學特性。HIL亦可充當一擴散障壁並改良二極體之安定性。 99644.doc 11 1363579 在運作中，通常OLED之效能降級之特徵為亮度之損失且同時驅動電壓之併發增加。此可表明活性層表體之變化以及二極體之注入接點之降級。在一恆定電流下操作一主動式矩陣OLED顯示器，肺定電流要求在運作期間之驅動電壓之連續増加以維持驅動電流。在AM OLED底板之驅動電路中使該供應在需要時提供超額電壓。即使從未使用超額電壓，此供應仍導致耗散功率。若製成一顯示器裝置，其在運作中不要求驅動電壓之調整，則驅動電路可被設計成幾乎或完全無電壓容許差。此將導致功率消耗之實質的節 ’’·勺。該專袭置為彼等具有在延長的使用中將不降級的接點之裝置。【發明内容】因而本發明之一目標係提供頂部及底部發光微腔 OLED，其在長期應用中藉由使用安定的驅動電壓係可運作的。本發明之另一目標為無需損害辱命或顯著地影響裝置之效率而達成該等目標》本發明之另一目標為無需在製程中不引入顯著的複雜性或不對裝置結構做較大的改變而達成該等目標。在一 OLED裝置中達成此等目標，改良包含： (a) —反射及導電的雙層陽極，其包括金屬或金屬合金或金屬與金屬合金兩者； (b) —在該反射及導電的雙層陽極上之電洞注入結構； (c) 形成於该電洞注入結構之上之至少一有機層；及 99644.doc 12 1363579 (d)經組態以改良驅動電壓之安定性的該反射及導電的雙層陽極。根據本發明，發現了包括一基礎層及一表層之雙層陽極結構會導致顯示出安定的驅動電壓之OLED。與包括一單一層金屬陽極之先前技術OLED相對比，本發明之OLED需要驅動電壓之幾乎或完全無需該調整，而為了在整個工作期限中維持驅動電流，先前技術裝置要求驅動電壓之單調增加。已進一步判定頂部或底部發射之高效率可藉由在陽極結構中選擇一高反射率金屬基礎層及一薄的半透明合金表層來達成。【實施方式】在整個隨後的描述中，使用首字母縮寫詞以表示有機發光裝置之不同有機層及工作特徵之名字。在表1中將其列出以用於參考：表1 OLED 有機發光二極體 ITO 氧化銦錫 HIL 電洞注入層 HTL 電洞傳送層 EML 發射層 ETL 電子傳送層 TEL 透射增強層 NPB 4,4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯胺基]聯苯基(NPB) Alq 三(8-羥基喹琳)鋁 MgAg 鎂(90 v %)銀(10 v %)合金 99644.doc •13· 1363579 現轉向圖3，〇1^〇 3 00為一先前技術頂部發光〇1^£)，其包括一透明或不透明基板301; —反射的、不透明且導電陽極302 ; —低吸收電洞注入層（HIL)3〇3 ; 一電洞傳送層 (HTL)304 ; — 發射層（EML)305 ; —電子傳送層（ETL)3〇6 ; 及一反射的、半透明且導電陰極307。陰極307包括一具有一低於約4 eV的功函數的金屬。在運作中，陽極302及陰極 307被連接至一電壓源且電流穿過有機層，從而導致發射層 3 05中產生光，且所產生的光之一部分經過陰極3〇7向由箭頭所示之方向發射。所產生的光之強度視穿過〇LED 3 〇〇之電流的量值而定，該電流之量值又視有機層之發光及電特性以及陽極302、電洞注入層303及陰極307之電荷注入性質而定。可見的發射變數進一步視陰極3 〇7之透射率及陽極 3 02之反射率及電洞注入層303之吸收率以及〇led 3 00之層結構而定。在圖4中展示本發明之一頂部發光〇LED 400。陽極結構包括一基礎層4021，在其上形成一薄層4〇22，在其他方面 OLED 400(圖4)與〇LED 300(圖3)相同。基礎層4021為導電性，其具有高度反射金屬’該等金屬包括（但不限於）銀、金、銅紹、鎮、鋅、錢、針或銀或其合金。層之厚度經選擇以具有非常低的透射率。薄層4022包括基礎層金屬之合金且該薄層4022非常薄，通常在1至2〇 nm之範圍中，且下文其被稱作表層4022。表層4022為半透明且為導電性且其組合物不同於基礎層之組合物。表層中之合金化金屬可包括銀、金、銅鋁、鎂、鋅、铑、釕、銥、鈀、鎳、鉻、鉑、 99644.doc • 14· 1363579 钻、蹄或翻或其組合。圖5為本發明之另一頂部發光OLED。在此實施例OLED 500中，一透射增強層（TEL)501被沉積於反射性、半透明且導電性的陰極3 07之上，在其他方面OLED 500與OLED 400 相同。根據本發明，發現包括一基礎層及一表層之雙層陽極結構會導致顯示出安定的驅動電壓之OLED。與包括一單一層金屬陽極之先前技術OLED相對比，該等先前技術 OLED為了維持驅動電流，在整個工作期限中要求驅動電壓之單調增加，本發明之OLED幾乎或完全無需驅動電壓之該調整。根據本發明，發現上述雙層陽極結構會導致顯示出安定的驅動電壓之OLED。與在整個工作期間中要求驅動電壓之單調增加以維持固定驅動電流之先前技術OLED相對比，本發明之OLED在延長的運作中幾乎或完全無需驅動電壓之增加。現轉向圖6，OLED 600為一先前技術底部發光OLED，其包括一透明基板60 1 ; —反射性、半透明且導電陽極602 ; 一低吸收電洞注入層（HIL)603 ; —電洞傳送層（HTL)604 ; 一發射層（EML)605 ; —電子傳送層（ETL)606;及一反射性、不透明且導電陰極607。陰極607包括具有低於約4 eV的功函數的金屬。在運作中，陽極602及陰極607被連接至一電壓源且電流穿過有機層，從而導致發射層605中產生光，且所產生的光之一部分經過陽極602及基板601向由箭頭所示之方向發射。所產生的光之強度視穿過OLED 600之電流的 99644.doc -15- 1363579 量值而定，該電流之量值又視有機層之發光及電特性以及陽極602、電洞注入層603及陰極607之電荷注入性質而定。可見的發射變數進一步視基板601、陽極602、電洞注入層 603之透射率及陰極607之反射率以及〇LED 600之層結構而定。在圖7中展示本發明之一底部發光〇LED 700。陽極結構包括一基礎層7021，在其上形成一薄層7022，否則OLED 700(圖7)與OLED 600(圖6)相同。基礎層7021為導電的，其包括高度反射金屬，該等金屬包括（但不限於）銀、金'銅鋁' 鎮、鋅、錢、釕或銥或其合金。基礎層7021之厚度經選擇以使得該層為半透明的且為弱吸收的。弱吸收意謂玻璃上之一薄膜對可見波長之吸收率為3〇%或更小。該等層之反射率可為約3 0%或更大。視所選的金屬或合金而定，基礎層7021(圖7及8)之厚度可大於約4 nrn但少於約40 nm。薄層 7022包括基礎層金屬之合金且該薄層7〇22為非常薄的，通常在1至20 nm之範圍中，且下文中其被稱作表層。表層為半透明的且為導電的且其經選擇以使得該層亦為半透明的且其組合物不同於基礎層之組合物。表層中之合金金屬可包括銀、金、銅鋁、鎂、鋅、铑、釕、銥、鈀、鎳、鉻、鉑、鈷、碲或鉬或其組合。圖8為本發明之另一底部發光〇LED。在此實施例 800中，一透射增強層（TEL)8〇1沉積於透明基板與反射的、半透明且導電的陽極基礎層7〇21之間；否則〇LED8〇〇與OLED 700相同 '根據本發明，發現了上述陽極結構會導 99644.doc -16 - 致顯示出安定的驅動電壓之OLED。組成OLED裝置之各種層之組合物及功能被如下描述。由於光發射經過與基板相對之表面，因此基板301(圖3-5) 可包括任何基板’其為不透明的、半透明的或透明的，包括玻璃、陶瓷、金屬、合金、塑膠或半導體。由於在該等狀況下光發射經過基板601，因此基板601(圖6-8)應為盡可能透明的。基板301或601可採取硬質板、可撓性薄片或彎曲表面之形式。由於OLED裝置製造不要求高溫處理，因此任何可經受約1〇〇。〇之處理溫度的材料皆可用作基板301或 601。基板301或301可包括藉由電子底板之支撑，且因此其包括主動式矩陣基板，該等基板含有電子定址及開關元件。主動式矩陣基板可含有高溫多晶矽薄膜電晶體，低溫多晶矽薄膜電晶體或非晶矽薄膜電晶體。彼等熟習此項技術者將瞭解到可使用其他電路元件來定址及驅動〇LED裝置。當施加相對於陰極307(圖3-5)或相對於陰極607(圖6_8)之正電位時，陽極302(圖3_5)或602(圖6_8)提供將電洞注入至有機層中之功能。以上已描述了陽極之組合物及層結構。陽極層可藉由包括濺鍍或蒸發之任何沉積方法製造且亦可與用於OLED 300-800之製造過程相適合。此等陽極3〇2或 602可需要或可不需要一上覆的電洞注入層303(圖3_5)或 603(圖 6-8)。電洞注入層303(圖3-5)或603(圖6-8)提供增加自陽極 3〇2(圖3-5)或自陽極602(圖6-8)之電洞注入之效率的功能。 99644.doc •17. 在以上引用的共同讓渡之美國專利申請案第1〇/347,01 3號及第10/3 46,424號中已展示：發現一電漿聚合氟化碳層或一氧化物層可用作金屬陽極302或602之電洞注入層303或 603。電洞注入層303導致具有減少的工作電壓、增加的亮度效率及增強的操作安定性之OLED »氟化碳電洞注入層包括CFX，其中X少於或等於3且大於0。共同讓渡之美國專利第6,208,077號中已揭示了 CFX之製備之方法及特性。氧化物電洞注入層可包括鉬、釩或釕氧化物。一此等材料之層在玻璃上之120 nm厚ITO上各為約30 nm厚，且已發現此等材料之層在底部發光非微腔OLED中可用作至TPD之電洞注入材料、電洞傳送層（"Metal oxides as a hole-injecting layer for an organic electroluminescent device" S. Tokito、 K. Noda及 Y. Taga，J. Phys. D ; Appl. Phys. 29, 2750 (1996))。 Mo〇3係藉由濺鍍來製備。在銀反射器上之一 ITO層已被用於增強自陽極之電洞注入，該陽極可能將不允許直接地自銀至HTL的有效的電洞注入（M.-H. Lu、M. S. Weaver、T. X. Zhou、M. Rothman、R. C. Kwong、M. Hack及 J. J· Brown, "High-efficiency top-emitting organic light-emitting devices"，Appl. Phys. Lett. 81，3921 (2002))。一包括 CFX或氧化物之電洞注入層提供自許多陽極之有效的電洞注入，從而產生具有高效率的OLED。甚至據信為有效的電洞注入材料之高功函數金屬亦自一電洞注入層受益。（P. K. Raychaudhuri、J. K. Madathil、Joel D. Shore及 Steven A. Van Slyke, "Performance Enhancement of Top- and Bottom- 99644.doc • 18 · 1363579

Emitting Organic Light- Emitting Devices Using Microcavity Structures" Proceeding of the The 23rd International Display

Research Conference, Phoenix，AZ，USA，2003年 9月 I5_i9 曰’第10頁）。CFX係藉由RF電漿中之CHF3氣體之分解來製備。M〇Ox層係藉由Mo〇3之真空蒸發來製備且所沉積的薄膜可為具有藉由MoOx表示之組合物的非化學計量，其中X少於3但大於〇〇視傳導性及透明度而定之HIL為高達幾十奈米厚時可用。其他用於金屬陽極之電洞注入材料可包括：ιζ〇、

Pr203、Te02、CuPc 或 Si02。電洞傳送層304(圖3-5)或604(圖6-8)提供將電洞傳送至發射層305(圖3-5)或605(圖6-8)之功能105。電洞傳送材料包括如共同讓渡之美國專利第4,720,432號中所揭示之各類芳族胺° ~較佳類電洞傳送材料包括式（I)之四芳基二胺。

Arl Ar2

N — L__N • / 、

At Ar3 (I) 其中：

Ar、Arl、Ar2及Ar3係獨立地選自苯基、聯苯基及萘基分中； τ 土。 L為二價伸萘基部分或dn ; d為伸苯基部分； n為自1至4之整數；且 99644.doc -19· 1363579

Ar、Arl、Ar2及Ar3中至少一者為萘基部分。所選的適用的（含稠合之芳族環）芳族三級胺係如下所示： 4,4'-雙[N-( 1 -蔡基）-N-苯胺基]聯笨基（npb) 4,4”-雙[N-( 1 -萘基）-N-笨胺基]-對聯三苯 4,4·-雙[N-(2-萘基）·Ν-苯胺基]聯苯基 1，5-雙[Ν-(1·萘基）-Ν-苯胺基]萘 4,4·-雙[Ν-(2-芘基）·Ν-苯胺基]二·苯基 4,4’-雙[Ν-(2-茈基）-Ν-苯胺基]聯苯基 2,6-雙（二-對甲苯胺基）萘 2，6·雙[二-(1-萘）胺基]萘選擇HTL之厚度以使亮度最大化且其選擇視包含該裝置之光學堆疊而定。本發明之裝置為微腔〇LED且因此根據為自以上描述之且關於圖1及2之微腔結構的發射所選的模式來選擇兩個反射電極（陽極及陰極）之間之光學路徑長度。發射層305(圖3-5)或605(圖6-8)提供作為此層中之電洞與電子之再結合之結果而產生的光發射之功能。發射層之一較佳實施例包括一摻雜有一或多種螢光染料之主體材料。使用此主體摻雜組合物，可建構高效OLED裝置。同時，EL 裝置之顏色可藉由在一共同的主體材料中使用不同發射波長之螢光染料來調節。Tang等人在共同讓渡之美國專利第 4,769，292號中已相當詳細地描述了將Aiq用作主體材料之 OLED裝置的此摻雜方案。如在Tang等人之共同讓渡之美國專利第4,769,292號中所陳述的，發射層可含有一發綠光的捧雜材料、一發藍光的摻雜材料或一發紅光的摻雜材料。 99644.doc • 20· 1363579 較佳的主體材料包括具有如鋁、鎂、鋰、鋅之螯合金屬之8-喹啉金屬螯合劑化合物類。*Shi等人在共同讓渡之美國專利第5,935,721號中所揭示，另一較佳類主體材包括諸如9’10二萘基蒽；9,10二蒽基蒽及經烷基取代之91〇二萘基 • 葱之蒽衍生物。摻雜材料包括多數螢光及磷光染料及顏料。如Tang等人在共同讓渡之美國專利第4,769,292號t及“印等人在共同 φ 讓渡之美國專利第6,020,078號中所揭示，較佳的摻雜材料包括諸如香豆素6之香豆素、諸如4_二氰基亞曱基_4H哌喃之二氰基亞甲基〇底喃。電子傳送層306(圖3-5)或606(圖6-8)提供將自陰極注入的電子傳遞至發射層305(圖3-5)或605(圖6-8)之功能。如8}11 等人在共同讓渡之美國專利第5,645,5Κ8號中所揭示，可用的材料包括Alq、吲β朵。陰極通常為一導電的、半透明的、反射的且弱吸收的薄 φ 膜，其能將電子有效地注入ETL 206(圖2-4)中且其由包括具有經選擇的約4.〇 ev或更小的功函數之合金的材料組成。由於含鎖及鐘合金具有低功函數且構成至Aiq ETL之有效的電子’主入接點，因此通常使用含鎂及鐘合金。其他具有小於（<)4.0 eV之功函數之諸如錳之材料亦可被用作電子注入材料。陰極307(圖3-5)或607(圖6-8)通常為反射及導電的薄膜’其能夠將電子有效地注入至電子傳送層3〇6(圖3_5)或 606(圖6-8)中且其包括具有小於4.〇之功函數之金屬材料。由於含鎂及鋰合金具有低功函數且構成至Aiq電子傳送 99644.doc -21 - 1363579 Γ6(圖3··5)或6D6(圖6.8)之有效的電子注人接點，因此通含鎮及鐘合金。亦可使用其他低功函數金屬材料。此等材料包括：金屬、或包括銀或铭或其他高反射率金屬與如鎂、驗金屬、驗土金屬或㈣金屬之合金的金屬合金。另外’-有效透明電子注人層可藉由沉積—驗金屬或驗土金屬或其組合之超薄層或藉由沉積_電子注人摻雜物與如鋁、鎂等之活化劑金屬之化合物而形成於ETL 306或606之上。該表面不管功函數大小’允許使用幾乎任何金屬、金屬〇金或其他導體以產生具有所要的及改良的特性之陰極。陰極307(圖3-5)為頂部電極，光經過其而穿出頂部發光 OLED 300-500。陰極307為半透明的且為弱吸收的。弱吸收意謂玻璃上之一薄膜對見波長之吸收率為3〇%或更小。該等層之反射率可為約30%或更大。視所選的金屬或合金而疋，陰極307(圖3-5)之厚度可大於約4 nn^jg_小於約4 〇 nm。陰極607(圖6-8)通常為高度反射的、不透明且導電的薄膜。南度反射意謂在一玻璃基板上之一金屬層之反射率至少為 40%。術語不透明意謂在玻璃上之薄膜之透射率小於丨〇%。視該等金屬而定，該層之厚度應大於5〇 nm。雖然使用一濺锻沉積處理（P. K. Raychaudhuri、C.W. Tang、J. K. Madathil, "Fabrication of Lithium-based alloy cathodes for organic light-emitting diodes by D C Magnetron sputtering", SID 2001 International Symposium(6 月 5-7 曰，San Jose,

California)摘要’紙版 31.4 ;第 32卷，第 526-529 頁，2001 及 P.K. Raychaudhuri 與 J.K· Madathil，"Fabrication of 99644.doc -22- 1363579

Sputtered Cathodes for Organic Light-Emitting Diodes Using Transparent Buffer", Proceedings of the 7th Asian Symposium on Information Display(9 月 2-4 曰，Singapore)摘要，紙版50;第32卷，第55-58頁，2002)係可能的，但是陰極6〇7通常被氣相沉積於ETL上。 OLED 500(圖 5)之透射增強層（TEL)501 或 OLED 800(圖 8) 之TEL 801為高透射率匹配的薄膜，其提供光之外耦合之功能以增強觀看強度。TEL包括導電或非導電、無機或有機材料，該等材料包括（但不限於）：ITO、氧化銦鋅（IZO)、氧化錫（TO)、摻銻氧化錫（ΑΤΟ)、摻氟氧化錫（FTO)、氧化銦 (10)、氧化鋅（ΖΟ)、錫酸鎘（CTO)、氧化鎘、摻磷TO、摻鋁 ZO、MgO、MoOx、Si〇2 Al2〇3 Ti02、Zr〇2、SiN、AIN、TiN、 ZrN、SiC、A14C3、Alq或NPB或其混合物。視材料之光學指數而定，TEL 501或801之厚度可在20 nm至150 nm之範圍内。TEL 501被沉積於OLED 500(圖5)之陰極307之上。TEL 801被沉積於OLED 800(圖8)之透明基板601與反射的、半透明且導電的基礎層7021之間。由於多數0LED裝置對濕氣或對氧或對兩者皆敏感，因此其一般連同諸如氧化鋁、鐵鋁氧石、硫酸鈣、黏土、矽膠、 ί弗石、驗金屬氧化物、驗土金屬氧化物、硫酸鹽或金屬鹵化物及過氯酸鹽之乾燥劑一起被密封於諸如氮或氬之惰性氣氛中。用於封裝及乾燥之方法包括（但不限於）：在美國專利第6,22 6,890號中之所描述之彼等方法。另外，在用於封裝之技術中已知諸如SiOx、聚四氟乙烯之障壁層及交替無 99644.doc -23- 1363579 機/聚合層^ 右有需要，則本發明之〇LED裝置可採用各種熟知的光學效應以便増強其特性。此包括：最優化層厚度以產生最大的光透射率；由光吸收電極來代替反射電極以增強對比度，在顯不器之上提供抗眩光或抗反射的塗佈；在顯示器之上提供起偏振介質；或在顯示器之上提供有色的、中性密度濾光器或顏色轉化濾光器。可在該保護層上或作為保護層之一部分特定提供濾光器、偏光板及抗眩光或抗反射的塗佈。實例：在平面玻璃板上製造一先前技術0LED，藉由在含有氬之氣氛中之濺鍍而將一純銀層沉積於該平面玻璃板上。在銀表面上，藉由分解在RF，漿中之(：151?3氣體來沉積一約1 nm 厚的〇?,層。本發明之OLED之基板亦為玻璃板，亦藉由在氬t之濺錢來製造在該等玻璃板上之一包含一基礎層及一 φ 表層之雙層陽極。一具有預定厚度之金屬（諸如銀）層被沉積，從而形成一反射及導電的基礎層。在該基礎層上，沉積亦具有所選的厚度之合金之一薄層。藉由自兩個靶材之同時濺鍍來製造該合金層--兩靶材之一包括基礎層之金

屬（諸如銀）且另一靶材包含諸如鎂之合金金屬。雙層陽極亦同樣塗覆有一CFX層來。接著將基板轉移至一在〜i χ 1〇-6 Torr(托）運作之真空塗佈機，其中包括NpB HTL及A1q EML/ETL之有機堆疊被依次沉積。接著沉積一鎂銀（5 v% 銀）合金之陰極層遍佈一方罩，該方罩界定了一用於〇LED 99644.doc -24 - 1363579 之0.1 cm2之活性區域。最終，二極體被密封地封裝於一充滿乾燥氮之手套工作箱中。當被加電壓時，所發射的光經過半透明的頂部陰極顯露》使用Photo Research PR650分光輻射度計與電流之函數關係來判定二極體之亮度β此處給出的驅動電壓及亮度在一對應於2〇 mA/cm2之電流穿過該等二極體且亮度以與裝置表面垂直之方向判定時獲得。

在由 Van Slyke 等人（"Organic electroluminescent devices with improved stability’’S. A. VanSlyke、C. H. Chen及 C. W. Tang，Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996))所概述之以 80 mA /cm的丨亙疋電流測试該荨二極體之運作安定性。驅動電壓被不斷地調整以使工作電流保持固定。自此等資料判定了二極體之操作降級之兩個參數特性。其為亮度降至其初始值之一半所需之時間的一半及平均（在測試期間中）驅動電壓增加率（AVIR)。實例1 一先前技術頂部發光裝置OLED 1A及本發明之一頂部發光裝置OLED 1B被製成於相同的操作中，先前技術裝置被製造於具有60 nm厚之純銀陽極的玻璃基板上，而本發明之 OLED為一雙層陽極《該雙層陽極包括了一 6〇 nm厚的純銀基礎層及一 6 nm厚的銀鉬合金表層。鉬在該表層中之濃度以體積計為20%。該等基板中之每個具有共同的CFx Ηι[ ' NPB HTL、Alq EML/ETL及一半透明頂部陰極。陰極為一半透明的且為14 nm厚的鎮銀合金。銀在該陰極層中之濃度以體積計為10%。基於不透明的、完全反射的且單一層的 99644.doc -25· 1363579 純銀陽極選擇了 OLED結構，且該結構被最優化以用於使頂部發光最大化。該等裝置具有以下層結構： 0LED1 A:玻璃（1.1 mm)/銀（60 nm)/ CFX(1 nm)/ NPB(45 nm)/Alq(60 nm)/錢銀（14 nm) OLED 1 B:玻璃（1.1 mm)/銀（60 nm)/銀翻（6 nm)/ CFX(1 nm)/ NPB(45 nm)/Alq(60 nm)/鎂銀（14 nm) 在表2中顯示該等二極體之層結構及效能：表2 OLED 陽極驅動電壓(V) 效率 (cd/A) AVIR(m V/h) 半壽期 (hr) 1A 銀 6.0 4.9 12 196 1B 銀/銀鉬 6.1 3.2 5 425 具有銀陽極之先前技術OLED 1A及具有雙層陽極的本發明之OLED 1B顯示出類似的驅動電壓。裝置1B之效率低於裝置1A之效率，此可能係歸因於其低陽極反射率。可藉由調整銀鉬表層之組合物及/或厚度以及藉由重新調整微腔結構來改良效率。可見OLED 1B之平均電壓增加率（AVIR) 比先前技術裝置之平均電壓增加率小1倍。如自表2中所示之OLED 1B及OLED 1A之半壽期所示，OLED 1B之使用期限為OLED 1A之使用期限之兩倍以上。實例2 於相同的塗佈操作中製造一先前技術底部發光裝置 OLED 2 A及本發明之一底部發光裝置OLED 2B。先前技術 OLED被製造於具有20 nm厚之半透明純銀陽極的玻璃基板 99644.doc -26- 上，而本發明之OLED為一雙層陽極。該雙層陽極亦為半透明且包括一 15 nm厚的純銀基礎層及一 6 nm厚的銀翻合金表層。鉬在該表層中之濃度以體積計為20%。該等基板中之每個具備共同的CFX HIL、NPB HTL、Alq EML/ETL及一完全反射的頂部陰極。陰極為一不透明且為220 nm厚的鎂銀合金。銀在該陰極層中之濃度以體積計為10%。基於半透明、反射性且單一層的純銀陽極選擇0LED結構，且該結構被最優化以用於使底部發光最大化。該等裝置具有以下層結構： OLED 2A :玻璃（1.1 mm)/銀（20 nm)/ CFX(1 nm)/ NPB(45 nm)/Alq(60 nm)/鎮銀（220 nm) OLED 2B:玻璃（1.1 mm)/銀（15 nm)/銀鉬（6 nm)/ CFX(1 nm)/ NPB(45 nm)/Alq(60 nm)/鎮銀（220 nm) 在表3中顯示該等二極體之層結構及效能：表3 OLED 陽極驅動電壓 (V) 效率 (cd/A) AVIR(mV/ h) 半壽期 (hr) 2A 銀 5.8 5.4 11 256 2B 銀/銀鉬 5.8 2.7 3 422 具有銀陽極之先前技術OLED 2 A及具有雙層陽極的本發明之OLED 2B顯示出相同的驅動電壓。裝置2B之效率低於裝置2A之效率，此可能係歸因於其之低陽極透射率。底部發光裝置之效率對陽極之透明度非常敏感且可藉由調整銀鉬表層之厚度及組合物以及藉由重新調整微腔結構來改良 99644.doc -27- OLED 2B之效率。可見OLED 2B之平均電壓增加率（AVIR) 比先前技術裝置之平均電壓增加率小約3倍。如自表3中所示之OLED 2B及OLED 2A之半壽期所示，OLED 2B之使用期限比OLED 2A之使用期限大約65%。實例3 一先前技術底部發光裝置OLED 3 A及本發明之一頂部發光裝置OLED 3B被製成於相同的塗佈操作中。先前技術 OLED被製造於具有半透明的20 nm厚之純銀陽極的玻璃基板上，而本發明之OLED為一雙層陽極。本發明之OLED之雙層陽極為不透明的且包括了一 75 nm厚的純銀基礎層及一 10 nm厚的銀鎂合金表層。鎂在該表層中之濃度以體積計為5 0%。該等基板中之每個具備共同的MoOx HIL、NPB HTL 及Alq EML/ETL。用於先前裝置3 A之陰極為一完全反射的 100nm厚的LiF/Al層。裝置3B之陰極為半透明的且為14nm 厚的鎂銀合金。銀在該陰極層中之濃度以體積計為1 〇%。該等裝置具有以下層結構： OLED 3A:玻璃（1.1 mm)/銀（20 nm)/ MoOx(2 nm)/ NPB(200 nm)/Alq(60 nm)/ LiF(〇.5 nm)/鋁（100 nm) OLED 3B··玻璃（1.1 mm)/銀（75 nm)/銀鎂（i〇 nm)/ Mo〇x(2 nm)/ NPB(45 nm)/Alq(60 nm)/ LiF(0.5 nm)/鎮銀（MgAg)(14 nm) 在表4中顯示該等二極體之層結構及效能： 99644.doc •28- 表4 OLED 陽極(nm) 驅動電壓 (V) 效率 (cd/A) AVIR(mV/ h) 半壽期 (hr) 3A 、銀20 11.2 5.5 7.5 162 3B 銀/銀鎂 (75/10) 6.7 5.4 1.7 315 由於NPB HTL對應於微腔之第二共振頻率（m=l)，因此具有半透明的銀陽極之先前技術OLED 3A具有高驅動電壓。可見OLED 3B之平均電壓增加率（AVIR)比先前技術裝置之平均電壓增加率小約3倍。如自表4中所示之OLED 3B 及OLED 3 A之半壽期所示，OLED 3B之使用期限為OLED 3A之使用期限之約兩倍。實例4 一先前技術頂部發光裝置OLED 4A及本發明之一頂部發光裝置OLED 4B被製成於相同的操作中。先前技術裝置被製造於具有80 nm厚之純銀陽極的玻璃基板上，而本發明之 OLED為一雙層陽極。雙層陽極包括了一 80 nm厚的純銀基礎層及一 5 nm厚的銀鋁合金表層。鋁在該表層中之濃度以體積計為50%。該等基板中之每個具備共同的MoOx HIL、 NPB HTL、Alq EML/ETL及一半透明頂部陰極。該陰極為半透明的且為15 nm厚的鎂及銀之合金，其中一 0.5 nm的LiF 介面層位於ETL與鎂銀層之間。銀在該陰極層中之濃度以體積計為1 0%。基於不透明的、完全反射的且單一層的純銀陽極選擇了 OLED結構，且該結構被最優化以用於使頂部發光最大化。該等裝置具有以下層結構： 99644.doc •29- 1363579 OLED 4A:玻璃（1.1 mm)/銀⑽ nm)/ Μ〇〇χ(2 nm)/ NpB(45 nm)/Alq(60 nm)/ LiF(0.5 nm)/鎂銀（15 nm) OLED 4B:玻璃（1.1 mm)W(80 nm)/銀鋁（5 nm)/ m〇〇x(2 nm)/ NPB(45 nm)/Alq(60 nm)/ LiF(0.5 nm)/鎂銀（15 nm) 在表5中顯示該等二極體之層結構及效能：表5 OLED 陽極驅動電壓 (V) 效率 (cd/A) AVIR(mV/ h) 半壽期 (hr) 4A 銀 7.3 5.4 1.7 335 4B 銀/銀鋁 8.4 3.9 0.6 -—---- 230 ----- 與先前技術OLED 4A相比較本發明之〇LED 4B具有更高的驅動電壓及更短的半壽期。此與其他實例中之發現相反。包含鋁之OLED 4B之雙層陽極之表面在自濺鍍至蒸發腔室之轉移期間在空氣中被氧化係可能的。然而，OLED 之平均電壓增加率（AVIR)比先前技術裝置之平均電壓増加率少2倍。裝置4B之效率低於裝置4A之效率，此可能係歸因於其起因於陽極表面之氧化的低陽極反射率。可藉由防止陽極表面氧化及/或藉由調整表層組合物以及藉由重新調整微腔結構來改良OLED 4B之效率。

實例S 一先前技術頂部發光裝置OLED 5 A及本發明之一項部發光裝置OLED 5B被製成於相同的塗佈操作中。先前技術 OLED被製造於具有不透明的80 nm厚之純銀陽極的玻璃基板上，而本發明之OLED為一雙層陽極。該雙層陽極亦為不 99644.doc • 30- 透明的且其包括了一 80 nm厚的純銀基礎層及一 5 nm厚的銀鈀合金表層。鈀在該表層中之濃度以體積計為50%。該等基板中之每個具備共同的MoOx HIL、NPB HTL、Alq EML/ETL及一半透明頂部陰極。該陰極為一半透明的且為 15 nm厚的鎂及銀之合金，其中一 0.5 nm的LiF介面層位於 ETL與鎂銀層之間。銀在該陰極層中之濃度以體積計為 10%。基於不透明的、完全反射的且單一層的純銀陽極選擇了 OLED結構，且該結構被最優化以用於使頂部發光最大化。該等裝置具有以下層結構： OLED 5A:玻璃（1 · 1 mm)/銀（80 nm)/ MoOx(2 nm)/ NPB(5 0 nm)/Alq(60 nm)/ LiF(0.5 nm)/鎮銀（15 nm) OLED 5B:玻璃（1.1 mm)/銀（80 nm)/銀纪（5 nm)/ MoOx(2 nm)/ NPB(50 nm)/Alq(60 nm)/ LiF(0.5 nm)/鎂銀（15 nm) 表6中顯示該等二極體之層結構及效能：表6 OLED 陽極驅動電壓 (V) 效率 (cd/A) AVIR(mV/ h) 半壽期 (hr) 5A 銀 7.1 4.5 2.2 276 5B 銀/銀把 (AgPd) 7.4 2.6 1.6 350 具有銀陽極之先前技術OLED 5A與具有雙層陽極的本發明之OLED 5B顯示出幾乎相同的驅動電壓。裝置5B之效率低於裝置5 A之效率，此可能係歸因於其低陽極反射率。頂部發光裝置之效率對陽極之發射率係敏感的且可藉由調整銀鈀表層之厚度及組合物以及藉由重新調整微腔之結構來 99644.doc •31 - 1363579 改良OLED 5B之效率。可見OLED 5B之平均電壓增加率 (AVIR)顯著地少於先前技術裝置〇leD 5A之平均電壓增加率（AVIR)。如自表6中所示之OLED 5B及OLED 5 A之半壽期所示，OLED 5B之使用期限比OLED 5A之使用期限大約 25%。實例6 本發明之一頂部發光裝置OLED 6B及一裝置OLED 6C被製成於相同的塗佈操作中。OLED被製造於具有一金屬陽極之玻璃基板上。本發明之OLED 6B之雙層陽極為不透明的且其包括了一 75 nm厚的純銀基礎層及一 10 nm厚的銀鋅合金表層。鋅在該表層中之濃度以體積計為50%。OLED 6C 之雙層陽極之表層為10 nm厚的純鋅層。該等基板中之每個具備共同的 MoOx HIL、NPB HTL、Alq EML/ETL及一半透明頂部陰極。該陰極為半透明的且為15 nm厚的鎂及銀之合金其中一 0.5 nm的LiF介面層位於ETL與鎂銀層之間。銀在該陰極層中之濃度以體積計為10%。基於不透明的、完全反射的且單一層的純銀陽極選擇了 OLED結構，且該結構被最優化以用於使頂部發光最大化。該等裝置具有以下層結構 OLED 6B:玻璃（1.1 mm)/銀（75 nm)/銀鋅（1〇 nin)/ MoOx(2 nm)/ NPB(45 nm)/Alq(60 nm)/ LiF(0.5 nm)/鎮銀（15 nm) OLED 6C:玻璃（1.1 mm)/銀（75 nm)/鋅（i〇 nm)/MoOx(2 nm)/ NPB(45 nm)/Alq(60 nm)/ LiF(0.5 nm)/鎂銀（15 nm) 表7中顯示該等二極體之層結構及效能： 99644.doc •32- 1363579 表7 OLED 陽極驅動電壓 (V) 效率 (cd/A) AVIR(mV/ h) 半壽期 (hr) 6B 銀/銀鋅 6.9 4.7 0.1 330 6C 銀/鋅 7.2 2.1 1.9 360 該兩個OLED具有幾乎相同的電壓及類似的半壽期。但是

具有10 nm厚的純鋅表層之OLED 6C顯示出比在陽極結構中具有一相同厚度之合金表層的本發明之OLED 6B更低的亮度》但是OLED 6B之合金結構很可能比OLED 6C之合金結構具有更高的反射率且因此前者裝置為更有效的。兩個裝置皆可自微腔結構之精確且個別的調節而受益。據信由於表層具有基礎層金屬之高反射率組份，因此當適當地調節微腔結構時’ OLED 6B將更為有效* OLED 6B之顯著特徵之一為其驅動電壓之安定性。如自表7中所給出的資料所示’即使當裝置之亮度降級至初始值之5〇%時，驅動電壓仍未增加甚至十分之一伏特。

在表2至7中所顯示之所有實例可見一頂部或底部發光的微腔OLED可自一具有一包括高度反射金屬之基礎層及一上覆的合金薄表層之雙層陽極受益。合金包括高度反射基礎層金屬及一或多種幫助安定接觸之其他金屬。藉由在陽，結構中選擇此等層及其厚度且藉由微腔結構之精確的調郎’可製造出具有格外安定的驅動電壓之高效率裝置。雖然已特別參考本發明之特定較佳實施例詳細描述了本發明’但將理解到變更及修正可在本發明之精神及範疇内 99644.doc -33- 1363579 有效。【圖式簡單說明】圖1展示甴一頂部發光OLED之光學模型來判定之軸上亮度與NPB HTL厚度之函數關係，其為以下二極體結構：玻璃 /80 nm銀/NPB(變數）/60 nm Alq/14 nm鎂銀；圖2展示由一底部發光OLED之光學模型來判定之轴上亮度與NPB HTL厚度之函數關係，其為以下二極體結構：玻璃 /20 nm銀/NPB(變數）/60 nm Alq/200 nm鎂銀；圖3示意地展示先前技術之一頂部發光OLED之層結構；圖4示意地展示本發明之一頂部發光OLED之層結構；圖5示意地展示本發明之一頂部發光OLED之另一實施例之層結構；圖6示意地展示先前技術之一底部發光OLED之層結構；圖7示意地展示本發明之一底部發光OLED之層結構；圖8示意地展示本發明之一底部發光OLED之另一實施例之層結構；圖9展示一先前技術OLED之一 OLED之亮度及驅動電壓與測試時間之函數關係；OLED以80 mA/cm2之恆定電流密度運作；及圖10展示本發明之一 OLED之亮度及驅動電壓與測試時間之函數關係；OLED以80 mA/cm2之恆定電流密度運作。【主要元件符號說明】 OLED 300 頂部發光有機發光二極體 OLED 400 頂部發光有機發光二極體 99644.doc -34- 1363579

OLED 500 頂部發光有機發光二極體 OLED 600 底部發光有機發光二極體 OLED 700 底部發光有機發光二極體 OLED 800 底部發光有機發光二極體 301 透明或不透明的基板 302 反射、不透明且導電的陽極 303 電洞注入層（HIL) 304 電洞傳送層（HTL) 305 發射層（EML) 306 電子傳送層（ETL) 307 反射、半透明且導電的陰極 501 透射增強層（TEL) 601 透明基板 602 反射的、半透明的且導電的陽極 603 電洞注入層（HIL) 604 電洞傳送層（HTL) 605 發射層（EML) 606 電子傳送層（ETL) 607 反射、不透明且導電的陰極 801 透射增強層（TEL) 4021 反射、不透明且導電的基礎層 4022 半透明且導電的表層 7021 反射、半透明且導電的基礎層 7022 半透明且導電的表層 99644.doc •35-

Claims

1363579 十、申請專刺範圍： p/年吲^修正卓j 1. 一種OLED裝置，其改良處包含： ⑷-反射性及導電性雙層陽極，其包括一金屬或金屬合金或金屬與金屬合金兩者； (b) —在該反射性及導電性雙層陽極上之電洞注入結構； (C)形成於s亥電洞注入結構上之至少一有機層；及 ⑷該反射性及導電性雙層陽極經組態以改良驅壓之安定性；其中該反射性及導電性雙層陽極包括一高度反射性金屬之-基礎層A -與該電洞注入結構相接觸的薄表面層，該薄表面層包括該基礎層之一合金或一不同的高度反射性金屬之一合金。有機層包括一發 2.如請求項1之OLED裝置，其中該至少„ 射層及一電子傳送層。 3.如請求則之⑽!）裝置，其進—步包括一反射性及導電性陰極，且其中該反射性及導電性雙層陽極之反射率及透射率、及該至少-有機層及該陰極之厚度係經選擇以改變光之内部反射以藉此改良發射。 4. 如請求項3之OLED裝£，其進一 #包括—電子傳送層及設置於該電子傳送層上之該反射性及導電性陰極，該陰極包括一金屬或金脣合金或金屬與金脣合:金兩者。 5. 如請求項k〇LED裝置，其中該高度反射性金屬為銀、金、銅鋁、鎂、鋅、鍺、釕或銥或其組合。 1363579 6.如請求項1之0LED裝置，其中在該薄表面層中與該等高度反射性金屬形成合金之該等金屬為銀、金、銅鋁、鎮、 #、铑、釕、銥、鈀 '鎳、鉻、鉑、鈷、碲或鉬或其組合0 7.如請求項1之OLED裝置，其中該電洞注入結構包括一或多個電洞注入層。 8*如請求項1之〇LED裝置，其中該電洞注入結構包括CF、、Mo〇x或其 ITO、IZO ' Pr2〇3、Te〇2、CuPc、Si〇2、v〇x 混合物。 9.如請求項3之0LED裝置，其十該反射性及導電性陰極包括具有經選擇為約4.0 eV或更小的功函數之金屬或金屬合金。 10. 11. 12. 如請求項9之0LED裝置，其中該等金屬或金屬合金包括銀或鋁與鎂、鹼金屬、鹼土金屬或錳之合金。如請求Wt〇LED裝置，其中該裝置發射光通過該反射性及導電性雙層陽極。如請求項3之OLED裝置，盆推一牛幻虹、头A 不且/、進步包括一透射性陰極且其中該裝置發射光通過該透射性陰極。如請求項1之〇led裝置極係為半透明。 14.如請求項3之〇LED裝置，為不透明。其中該反射性及導電性雙層陽其中該反射性及導電性陰極係透明基板，該電性且半透明如請求項13之OLED裝置，其進__步包括透明基板具有一在該透明基板與該反射 15. 1363579 的雙層陽極之間的透射增強層。 16. 如請求項12之OLED裝置，其進一步包括一在該透射性陰極上之透射增強層。 17. 如請求項15之OLED.裝置，其中-該透射增強層包括ITO、 MgO、MoOx、Sn〇2、Ti〇2、AI2O3、Si〇2、ZnO、Zr〇2、 Alq、NPB、SiN、AIN、TiN、SiC、A14C3或其混合物。 18. 如請求項16之OLED裝置，其中該透射增強層包括ITO、 MgO、M〇0X、Sn〇2、Ti〇2、ΑΙ2Ο3、Si〇2、ZnO、Zr〇2、 Alq、NPB ' SiN、AIN、TiN、SiC、A14C3或其混合物。 19. 如請求項15之OLED裝置，其中該透射增強層之厚度係在 20 nm至1 50 nm之範圍内。 20. 如請求項16之OLED裝置，其中該透射增強層之厚度係在 20 nm至1 50 nm之範圍内。