TWI362397B - - Google Patents

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TWI362397B
TWI362397B TW096130023A TW96130023A TWI362397B TW I362397 B TWI362397 B TW I362397B TW 096130023 A TW096130023 A TW 096130023A TW 96130023 A TW96130023 A TW 96130023A TW I362397 B TWI362397 B TW I362397B
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alkyl group
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Nobutoshi Sasaki
Toshio Fujita
Hiroshi Uchida
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Showa Denko Kk
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    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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Description

1362397 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 4 本發明係關於—種有益於電.電子·光學零件之封閉 材料 '成形材料、鑄造材料、層合材料 '複合材料、黏著 劑、粉末塗料 '矽烷偶聯劑(Silane coupling agent)、改 性矽等之原料用途的新穎之環氧化合物及其製造方法。 ^ 【先前技術】 環氧化合物係經由以各種之硬化劑使其硬化者,給予 機械性質、耐濕性、電性質等優異之硬化物,故可利用於 電.電子.光學零件之封閉材料 '成形材料、鑄造材料、 層合材料、複合材料、黏著劑 '粉末塗料等之廣泛領域。 伴隨技術之進步,開始對於環氧化合物要求之耐熱性等的 高性能。以往,提案出以提升耐熱性爲目的,具有醯亞胺 構造之N — (2,3 —環氧丙基)全氫化—4,5 —環氧酞醯亞胺 φ 〈參照以下之非專利文獻1〉,但是該製造方法係欲使用 環氧氯丙烷於中間體之製造步驟,故無法避免混入鹵素殘 渣於最後製品,作爲期望鹵素殘渣極少之電子材料用途之 製品的製造方法爲不佳。 又,提案出作爲具有含有環氧基之有機基的聚有機矽 氧烷,於分子鏈末端或是分子鏈側鏈中,具有3 -環氧丙 氧基丙基或是2 -(3,4一環氧環己基)乙基之聚有機矽氧烷 或是環狀矽氧烷(參照以下之專利文獻1)。 〔非專利文獻 1〕(參照 R.Antoni et al.,Makromol. 1362397 chem. , 194,411 (1993) 〔專利文獻1〕特開平3 — 255 1 30號公報 【發明內容】 然而,提供一種有益於電.電子·光學零件之封閉材 料、成形材料、鑄造材料、層合材料、複合材料、黏著劑 及粉末塗料等之原料用途的新穎之環氧化合物的必要性仍 存在。 用以解決課題之手段 本發明者們係欲解決該課題而專心硏究之結果,提供 以下之一般式(I): Y—(CH2)3——Si(OR1)nR23.n
所表示,於此,R1及R2係表示碳數1至5之烷基,η 係表示1至3之整數’R3及R4係表示氫原子或是碳數1 1362397 至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基,R5係表示 氫原子或是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲 矽烷基,R6〜R12係表示氫原子或是碳數1至6之烷基或 是碳數1至4之三烷基甲矽烷基,且R13係表示氫原子或 * 是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基或 是芳基)以達成本發明。 具體而言,本發明係如以下之〔1〕〜〔8〕記載所述 • 者。 〔1〕一種環氧化合物,其特徵爲以下一般式(I): V—(CH2)3——Si(OR1)nR23.n (式中,Y係以下之式:
所表示,於此,R1及R2係表示碳數1至5之烷基,η 係表示1至3之整數,R3及R4係表示氫原子或是碳數1 至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基,R5係表示 氫原子或是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲 ·/亡 ’,· ϋ -8- 1362397 矽烷基,r6〜r12係表示氫原子或是碳裏 是碳數1至4之三烷基甲矽烷基,且R 是碳數1至6之院基、碳數1至4之三 * 芳基)所表示。 . 〔2〕如〔1〕之環氧化合物,其中 中,R1及R2爲碳數1或是2之烷基。 〔3〕如〔1〕之環氧化合物,其中 由,R3〜R12係氫原子或是甲基,R13爲 •中 苯基。 - 〔4〕如〔1〕之環氧化合物,其中 - 中,R1及R2爲碳數1或是2之烷基,F 是甲基,R13爲氫原子、甲基或是苯基。 〔5〕一種如〔1〕之環氧化合物之 爲將以下之一般式(Π): H—Si(OR1)nR23-n (式中,R1及R2係表示各自碳數爲1至 表示1至3之整數)所表示之矽化合物 (III): Y—ch2—ch=ch2 (式中’ γ係以下之式: 《1至6之烷基或 13係表示氫原子或 烷基甲矽烷基或是 一般式(I)之化合物 一般式(I)之化合物 氫原子、甲基或是 一般式(I)之化合物 k3〜R12係氫原子或 製造方法,其特徵 5之烷基,而η係 ,與以下之一般式 1362397
所表示’於此,R3及R4係表示氫原子或是碳數1至 6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基,R5係表示氫 ' 原子或是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽 烷基,R6〜R12係表示氫原子或是碳數1至6之烷基或是 碳數1至4之三烷基甲矽烷基,且R13係表示氫原子或是 碳數1至6之烷基、碳數1至4之三烷基甲矽烷基或是芳 基)所表示之含雙鍵鍵結的環氧化合物,於40 °C〜150 °C下 ^ 使其反應。 〔6〕如〔5〕之製造方法,其中一般式(π)之矽化合 物中,R1及R2爲碳數1或是2之烷基。 〔7〕如〔5〕之製造方法,其中於一般式(III)之含雙 鍵鍵結的環氧化合物中,R3〜R12係氫原子或是甲基,而 R13爲氫原子、甲基或是苯基。 〔8〕如〔5〕之製造方法,其中於一般式(11)之矽化 合物中’ W及R2係表示碳數爲1至2之烷基,且於一般 式(III)之含雙鍵鍵結的環氧化物中,R3〜Ri2係氫原子或 -10- 1362397 是甲基,而R13爲氫原子、甲基或是苯基。 用以實施本發明之最佳形態 以下,詳細地說明本發明。本發明製得的新穎之環氧 化合物係如以下之一般式⑴所表示。 —般式: Y—(CH2)3——Si(OR1)nR23.n (式中,Y係以下之式:
所表示,於此’ R1及R2係表示碳數1至5之烷基,η 係表示1至3之整數’ R3及R4係表示氫原子或是碳數1 至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基,R5係表示 氫原子或是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲 矽烷基,R6〜R12係表示氫原子或是碳數1至6之烷基或 是碳數1至4之二院基甲砂院基,且R13係表示氫原子或 是碳數1至6之烷基或是碳數1至4_之三烷基甲矽烷基或 是芳基)。 -f 亡 ·’· -11 - 1362397 式(I)中之R1及R2係具體而言,可例示爲甲基 基、丙基、異丙基、丁基、戊基等之碳數爲1至5之 ,但並不特別限定於此等。R1及R2,較佳爲甲基或 '基。 • 式(I)中之R3及R4,具體而言,可例示爲氫原子 基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基 基、己基、三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、第三 φ 二甲基甲矽烷基,但並不特別限定於此等。R3及R4 佳爲氫原子、甲基、三甲基甲矽烷基、第三丁基二甲 ' 矽烷基,更佳爲氫原子、甲基。 式(I)中之R5,具體而言,可例示爲氫原子、甲 乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊 己基、三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、第三丁基 基甲矽烷基,但並不特別限定於此等。R5,較佳爲氫 、甲基、三甲基甲矽烷基、第三丁基二甲基甲矽烷基 ^ 佳爲氫原子、甲基。 式(I)中之R6〜R12,具體而言,可例示爲氫原子 基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基 基、己基、三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、第三 二甲基甲矽烷基,但並不特別限定於此等。R6〜R12 佳爲氫原子、甲基、三甲基甲矽烷基、第三丁基二甲 矽烷基,更佳爲氫原子、甲基。 式(I)中之R13,具體而言,可例示爲氫原子、甲 乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊 、乙 院基 是乙 、甲 、戊 丁基 ,較 基甲 基、 基、 二甲 原子 ,更 、甲 、戊 丁基 ,較 基甲 基' 基、 -12- 1362397 己基、三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、第三丁 基甲矽烷基、苯基,但並不特別限定於此等。R13 爲氫原子、甲基、三甲基甲矽烷基、第三丁基二甲 院基、苯基’更佳爲氫原子、甲基、苯基。 本發明之一般式(I)所表示的新穎之環氧化合物 般式(II)所表示之矽化合物與一般式(111)表示之含 結的環氧化合物’於40 〜150。(3下,經由使其氫 烷基化反應可製造。 一般式(II): H—Si(OR1)nR23.n (式中,R1及R2係表示各自碳數爲1至5之烷基, 表示1至3之整數);及 以下之一般式(III): Y—ch2—ch=ch2 (式中,Y係以下之式: 基二甲 ,較佳 基甲矽 係將一 雙鍵鍵 化甲矽 而η係
或是 -13- 1362397 所表示,於此,R3及R4係表示氫原子或是碳數 6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基,R5係表 原子或是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基 烷基,R6〜R12係表示氫原子或是碳數1至6之烷基 碳數1至4之三院基甲砂焼基,且R13係表示氫原子 碳數1至6之烷基、碳數1至4之三烷基甲矽烷基或 基)。 φ 式(II)中之R1及R2,具體而言,可例示爲甲基 基、丙基、異丙基、丁基、戊基等之碳數爲1至5之 ’但並不特別限定於此等。R1及R2,較佳爲甲基或 '基。 式(III)中之R3及R4,具體而言,可例示爲氫原 甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁 戊基、己基、三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、第 基二甲基甲矽烷基,但並不特別限定於此等。R3及 φ 較佳爲氫原子、甲基、三甲基甲矽烷基、第三丁基二 甲矽烷基,更佳爲氫原子、甲基。 式(ΙΠ)中之R5,具體而言,可例示爲氫原子、甲 乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊 己基、三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、第三丁基 基甲矽烷基’但並不特別限定於此等。R5,較佳爲氫 、甲基、三甲基甲矽烷基、第三丁基二甲基甲矽烷基 佳爲氫原子、甲基。 式(ΠΙ)中之R6〜R12,具體而言,可例示爲氫原 1至 不氫I 甲矽 或是 或是 是芳 、乙 烷基 是乙 子、 基、 三丁 R4, 甲基 基、 基·、 二甲 原子 ,更 子、 ·,. 9^ -14- 1362397 甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、 戊基、己基、三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、第三丁 基二甲基甲矽烷基,但並不特別限定於此等。R6〜R1 2 , 較佳爲氫原子、甲基、三甲基甲矽烷基、第三丁基二甲基 ' 甲矽烷基,更佳爲氫原子、甲基。 式(III)中之R13,具體而言,可例示爲氫原子、甲基 、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基 φ 、己基、三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、第三丁基二 甲基甲矽烷基、苯基,但並不特別限定於此等。R13,較 ' 佳爲氫原子 '甲基 '三甲基甲矽烷基、第三丁基二甲基甲 ' 矽烷基、苯基,更佳爲氫原子、甲基、苯基。 一般式(II)所表示之矽化合物與一般式(III)所表示之 含雙鍵鍵結之環氧化合物與之添加比例係隨意,並不特別 限制,一般而言,對於一般式(III)所表示之含雙鍵鍵結之 環氧化合物1莫耳而言,一般式(II)所表示之矽化合物爲 Φ 0.7〜i.5莫耳’特別是0.9〜1.1莫耳爲佳。除該範圍之外 ,則不使用另一方之原料,未反應而殘留,故不利於經濟 上。 作爲使用於氫化甲矽烷基化反應之觸媒係選自鉑、铑 、鈀、鎳、銥、釕所謂之過渡金屬或是該化合物組成者。 具體而言之’可例示爲氯鈾酸、鈾之各種錯合物、排除氯 之鉑與乙稀基砂氧垸之錯合物、karsted觸媒、銷化合物 之各種溶液(溶解或是分散於醇、酮、醚、酯、芳香族烴 等者)、speier觸媒、載持於各種固體(矽膠、活性碳)之觸 -15- 1362397 媒、Wilkinson錯合物等之Rh觸媒、鈀之各種錯合物觸媒 等之觸媒,並不特別限制該種類與形態。鉑觸媒量並不特 別限制,但是對於氫化烷氧基矽烷1莫耳而言,鈿.原子爲 φ 1χ10_2〜10·8倍莫耳,特別是1χ1(Γ3〜ΠΓ6倍莫耳爲佳。 * 鉑原子未達ixi (Γ8倍莫耳,則反應速度相當慢,超過1〇_2 倍莫耳,則反應速度快,但是不利於經濟,恐有產生環氧 基之開環聚合之虞。 φ 本發明中,溶劑係本質上即使不使用也沒關係,依據 必要作爲溶劑或是即使作爲觸媒溶液之介質亦無特別問題 ’ 。該目的爲依據使原料溶解·稀釋、控制反應系之溫度、 確保攪拌之必要容積、觸媒易於添加等之必要性,即使由 戊烷、己烷、異辛烷、癸烷、環己烷等之飽和烴類、甲苯 、二甲苯、三甲苯、乙苯、十氫奈(decalin)、四氫化萘等 之芳香族烴類、二乙基醚、THF等之醚類、酯類或是聚二 甲基矽氧烷等之各種矽類中任意選擇、使用任意之量也沒 # 關係。又’並不特別限定於—種,即使混合使用也沒關係 〇 本發明之氫化甲矽烷基化反應之步驟係於氮氣般乾燥 之惰性氣體下進行充份取代之反應器中,一般加入一般式 (III)所表示之含雙鍵鍵結之環氧化合物及加成反應觸媒。 此時,依據必要,可加入溶劑類。接者,—邊攪拌,昇溫 至特疋溫度後,將一般式(II)所表示之砂化合物,滴下於 該混合物中使其加成反應,滴下結束後係反應結束爲止進 行稱爲熟成之步驟。又,即使取代—般式(111)所表示之含 -16- 1362397 雙鍵鍵結的環氧化合物,而加入一般式(π)所表示.之矽化 合物’取代一般式(II)所表示之矽化合物,而加入—般式 (III)所表示之含雙鍵鍵結的環氧化合物的方法也特別沒關 係。又’即使於加成反應觸媒及適當的溶劑中,加入一般 式(II)所表示之矽化合物及一般式(III)所表示之含雙鍵鍵 結的環氧化合物之混和液的方法與將全部之原料一起加入 後昇溫之方法也沒關係。又,本發明之製造方法係可適於 Φ 使用分批式、連續式、半連續式中任一種之反應方法。 反應溫度係於20〜200°c之範圍,特別是40〜150°c 爲佳。未達2〇°C係反應速度變慢,無法於實用的步驟時間 內反°C應結束。又’超過2 0 0。(:,則反應速度變快,但是 產生一般式(III)所表示之含雙鍵鍵結之環氧化合物及目標 物之一般式(I)所表示之新穎的環氧化合物的環氧基之開環 聚合。 壓力條件係一般於大氣壓下條件就好了,且由操作性 •、經濟性之觀點亦爲佳。但是,依據該必要性,即使於加 壓下實施也沒關係。 反應器內之環境係氮氣等之惰性氣中爲佳。水份(或 是含有水份之空氣)之混入不僅帶給反應不良影響,一般 式(Π)所表示之矽化合物水解,產率恐有降低之虞。又, 以提高加成反應之觸媒活性爲目的,即使實施對於反應環 境中導入乾燥空氣或是含有氧之情性氣體等所謂之公知技 術也特別沒影響。 關於反應時間,依據反應溫度、壓力條件或是觸媒濃 -17- 1362397 度與原料之反應系中濃度之如何,可於0.1〜100小時之 範圍內任意改變。 產物的純化係亦可使用一般的方法中任一種。例如, 使用吸附分離、具體而言之,使用活性碳、酸性白土、活 ' 性白土等之吸附劑、雜質與著色物質之吸附除去或是柱色 譜、薄層色譜、具體而言之,矽膠、含水矽膠、氧化鋁、 活性碳、二氧化鈦、氧化锆,更具體而言之,矽膠、含水 Φ 矽膠、將氧化鋁作爲塡充劑之柱色譜。又,蒸餾,具體而 言之,經由減壓蒸餾、分子蒸餾亦可純化。蒸餾時,與蒸 餾前之反應液一起少量添加胺類與含硫磺之化合物類等, 即使實施控制蒸餾中之一般式(I)所表示之新穎之環氧化合 物及原料之一般式(II)所表示之含雙鍵鍵結之環氧化合物 的環氧基之開環聚合的公知之方法也沒關係。又,依據一 般式(I)所表示之新穎之環氧化合物之使用目的,並不—定 要純化,可維持使用反應混合物。 • 本發明中反應容器並不特別限制,具備攪拌裝置、溫 度計、迴流冷卻器、滴液裝置等之裝置爲佳。 【實施方式】 以下’使用實施例,詳細地說明本發明,但本發明並 不僅特別限定於此等之實施例。 實施例 參考例1 -18- i s> 1362397 於備置迴流冷卻器、溫度計、攪拌裝置、滴液漏斗及 油浴之1L四口燒瓶中,加入cis— 4 —環己烯—1,2—二羧 酸酐3 04.3g與二甲苯280g。於此等之氮氣環境下,經由 滴液漏斗,花費90分鐘全量滴下烯丙基胺116.5g,使其 • 熟成30分鐘後,將Dean — stark型水份分離裝置於可拆式 燒瓶(separable flask),使用保持爲140 °C之油浴,除去 收集之水,5小時加熱迴流後,冷卻至室溫。 φ 使用來自燒瓶內之內容物的旋轉蒸發器除去溶劑,製 得N —烯丙基—4_環己烯—1,2 —二羧酸粗產物344.3g。 經由減壓蒸餾純化,製得純粹的N-烯丙基- 4 -環己烯 一 1,2 -二羧酸醯亞胺273.5g之無色透明液體。 於備置迴流冷卻器、溫度計、攪拌裝置、滴液漏斗及 油浴之 500 ml三口燒瓶中,加入N —烯丙基-4—環己烯 -1,2 -二羧酸醯亞胺l〇〇.〇g、硫酸氫甲基三辛基銨2.44g 、鎢酸鈉二水合物3.4 5g、胺甲基膦酸〇.58g。使用保持爲 φ 90°C之油浴,經油滴液漏斗花費180分鐘滴下30%過氧化 氫水80ml,維持原狀4小時。冷卻於冰浴,以飽和硫代 硫酸鈉水溶液300ml,除去剩餘之過氧化氫後,以乙酸乙 酯2 00ml萃取2次。將製得之乙酸乙酯溶液,於硫酸酐鈉 上乾燥一晚,使用旋轉蒸發器,除去溶劑之乙酸乙酯後, 經由塡充含水25%之矽膠之柱色譜純化,製得4,5-環氧 —N —烯丙基環己烷—ι,2 —二羧酸醯亞胺78.9g。 參考例2 -19- 1362397 於備置迴流冷卻器、溫度計、攪拌裝置、滴液漏斗及 油浴之500ml三口燒瓶中,加入3 —環己烯—1—羧酸烯 丙酯l〇〇.〇g、硫酸氫甲基三辛基銨2.3_4g、鎢酸鈉二水合 物3.96g、胺甲基膦酸〇.45g。使用保持爲90°C之油浴加 ' 熱,經油滴液漏斗花費180分鐘滴下30%過氧化氫水 80ml’維持原狀4小時。冷卻於冰浴,以飽和硫代硫酸鈉 水溶液300ml,除去剩餘之過氧化氫後,以乙酸乙酯 φ 200ml萃取2次。將製得之乙酸乙酯溶液,於硫酸酐鈉上 乾燥一晚,使用旋轉蒸發器,除去溶劑之乙酸乙酯後,經 由塡充含水25%之矽膠之柱色譜純化,製得3,4-環氧環 己院一1 一殘酸稀丙醋79.6g。 實施例1 於備置迴流冷卻器、溫度計、攪拌裝置、滴液漏斗及 油浴之200ml三口燒瓶中,經由以氮氣充份取代。於其中 φ ,加入參考例1製得之4,5 -環氧-N-烯丙基環己烷_ 1,2—二羧酸醯亞胺21.9g、甲苯95.8g、0.1mol/L之氯鈉 酸之2-丙醇溶液50 #L。將迴流冷卻器前端以氮氣密封 ,攪拌上述內容物,昇溫至l〇〇°C,保持該溫度。接者, 祐費1小時滴下二乙氧基砂院16.5g。滴下結束後,再攪 拌10小時。反應結束後,使用旋轉蒸發器除去溶劑,依 據柱色譜純化,製得下式(IV): -20- 1362397
所表示之環氧化合物35.9g。 使用日本電子(股份有限公司)製核磁氣共鳴裝置AL-400,於重氯仿溶劑中,測定式(IV)所表示之環氧化合的 φ 之1H-NMR、13C— NMR 及 29Si— NMR,可確認構造。將 式(IV)所表示之環氧化合物的1H—NMR與13C — NMR與 29Si-NMR之光譜,各自表示如圖1與圖2與圖3。 實施例2 於備置迴流冷卻器、溫度計、攪拌裝置、滴液漏斗及 油浴之200ml三口燒瓶中,經由以氮氣充份取代。於其中 ,加入參考例1製得之4,5 —環氧一 N —烯丙基環己烷-# 1,2-二羧酸醯亞胺21.9g、甲苯95.8g、0.1mol/L之氯鉑 酸之2_丙醇溶液50/zL。將迴流冷卻器前端以氮氣密封 ,攪拌該內容物,昇溫至60 °C,保持該溫度。接者,花費 1小時滴下甲基二甲氧基矽烷10.8g。滴下結束後,再攪 拌20小時。反應結束後,使用旋轉蒸發器除去溶劑,依 據柱色譜純化,製得下式(V): -21 - 1362397
所表示之環氧化合物27.4g。 使用日本電子(股份有限公司)製核磁氣共鳴裝置AL-400,於重氯仿溶劑中,測定式(v)所表示之環氧化合物之 φ *11— NMR,l3C— NMR 及 29Si—NMR,可確認構造。將式 (V)所表示之環氧化合物之1H—NMR與13C— NMR及29Si _ NMR之光譜,各自表示如圖4與圖5與圖6。 實施例3 於備置迴流冷卻器、溫度計、攪拌裝置、滴液漏斗及 油浴之100ml三口燒瓶中,經由以氮氣充份取代。於其中 ,加入參考例2製得之3,4_環氧環己烷-1-羧酸烯丙酷 • 19.1g、O.lmol/L之氯鉑酸之2—丙醇溶液26gL。將迴流 冷卻器前端以氮氣密封,攪拌該內容物,昇溫至8〇°C,保 持該溫度。接者,花費1小時滴下三乙氧基矽烷16.5g。 滴下結束後,再攪拌5小時。反應結束後,依據柱色譜純 化,製得下式(VI): Ο (。CH2CH3) 3 所表示之環氧化合物34.lg。 -22- 1362397 使用日本電子(股份有限公司)製核磁氣共鳴裝置AL~ 400 ’於重氯仿溶劑中,測定式(VI)所表示之環氧化合物 之1H-NMR,13C— NMR及29Si-NMR,可確認構造。將式 (VI)所表示之環氧化合物之1h-NMR與13C~NMR及29Si 一 NMR之光譜,各自表示如圖7與圖8與圖9。 實施例4 φ 於備置迴流冷卻器、溫度計、攪拌裝置、滴液漏斗及 油浴之l〇〇ml三口燒瓶中,經由以氮氣充份取代。於其中 ’加入參考例2製得之3,4一環氧環己烷—1—羧酸烯丙醋 19.1g、0.1m〇l/L之氯舶酸之2—丙醇溶液26//L。將迴流 冷卻器前端以氮氣密封,攪拌該內容物,昇溫至6(rc,保 持該溫度。接者,花費1小時滴下甲基二甲氧基矽院 l〇.8g。滴下結束後,再攪拌14小時。反應結束後,依據 柱色譜純化,製得下式(VII): • 〇 (OCH3) 2CH3 所表示之環氧化合物26.0g。 使用日本電子(股份有限公司)製核磁氣共鳴裝置AL~ 400 ’於重氯仿溶劑中’測定式(VII)所表示之環氧化合物 之1H— NMR,13C-NMR及29Si— NMR,可確認構造。將式 (VII)所表示之環氧化合物之1H— NMR與13C— NMR及 29Si — NMR之光譜,各自表示如圖10.與圖11與圖12。 -23- 1362397 產業上之可利用性 本發明的新穎之環氧化合物係可有益於電·電子.光 學零件之封閉材料、成形材料、鑄造材料、層合材料、複 合材料、黏著劑及粉末塗料等之廣泛領域。 【圖式簡單說明】 圖1係表示實施例1製得之式(IV)所示的環氧化合物 之NMR 光譜之圖表。 圖2係表示實施例1製得之式(IV)所示的環氧化合物 之13 C— NMR 光譜之圖表。 圖3係表示實施例1製得之式(IV)所示的環氧化合物 之29Si— NMR 光譜之圖表。 圖4係表示實施例2製得之式(V)所示的環氧化合物 之NMR光譜之圖表。 圖5係表示實施例2製得之式(V)所示的環氧化合物 之13C— NMR光譜之圖表》 圖6係表示實施例2製得之式(V)所示的環氧化合物 之29Si_NMR光譜之圖表。 圖7係表示實施例3製得之式(VI)所示的環氧化合物 之1NMR光譜之圖表。 圖8係表示實施例3製得之式(VI)所示的環氧化合物 之13C— NMR光譜之圖表。 圖9係表示實施例3製得之式(VI)所示的環氧化合物 -24- 1362397 之29Si— NMR光譜之圖表。 圖10係表示實施例4製得之式(VII)所示的環氧化合 物之1H— NMR光譜之圖表。 圖11係表示實施例4製得之式(VII)所示的環氧化合 物之13C — NMR光譜之圖表。 圖12係表示實施例4製得之式(VII)所示的環氧化合 物之29Si — NMR光譜之圖表。
-25-

Claims (1)

  1. (1) 1362397 十、申請專利範圍 1.—種環氧化合物,其特徵爲以下一般式(I): Y—(CH2)3—Si(OR1)nR23-n (式中,Y係以下之式:
    所表示,於此,R1及R2係表示碳數1至5之烷基,η係 表示1至3之整數,R3及R4係表示氫原子或是碳數1至 φ 6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基_,R5係表示氫 原子或是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽 烷基,R6〜R12係表示氫原子或是碳數1至6之烷基或是 碳數1至4之三烷基甲矽烷基,R13係表示氫原子或是碳 數1至6之烷基、碳數1至4之三烷基甲矽烷基或是芳基 )所表示。 2. 如申請專利範圍第1項之一般式(I)的環氧化合物 其中式中R1及R2爲碳數1或是2之烷基。 3. 如申請專利範圍第1項之一般式(I)的環氧化合物 -26- '*· -.¾ (2) (2)1362397 其中式中R3〜R12係氫原子或是甲基,R13爲氫原子、甲 基或是苯基。 4.如申請專利範圍第1項之一般式(I)的環氧化合物, 其中式中R1及R2爲碳數1或是2之烷基,R3〜R12係氫 原子或是甲基,R13爲氬原子、甲基或是苯基。 5-—種如申請專利範圍第1項之一般式(I)的環氧化合 @之製造方法,其特徵爲將以下之一般式(11): H—Si(OR1)nR23.n (式中’R1及R2係表示各自碳數爲1至5之烷基,η係表 ^ 1至3之整數)所表示之矽化合物,與以下之一般式 (III): Υ——CH2—CH=CH2
    所表示’於此,R3及R4係表示氫原子或是碳數1至6之 -27- 1362397 ⑶ 烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基,R5係表示氫原子 或是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基 ,R6〜R12係表示氫原子或是碳數1至6之烷基或是碳數 1至4之三烷基甲矽烷基,Ri3係表示氫原子或是碳數1 • 至6之烷基、碳數1至4之三烷基甲矽烷基或是芳基)所 表示之含雙鍵鍵結的環氧化合物,於40 °C〜150。(:下使其 反應。 φ 6.如申請專利範圍第5項之製造方法,其中一般式 (II)之矽化合物中’R1及R2爲碳數1或是2之烷基。 7. 如申請專利範圍第5項之製造方法,其中於該一般 式(ΙΠ)之含雙鍵鍵結之環氧化合物中,R3〜r12係氫原子 或是甲基,R13爲氫原子、甲基或是苯基。 8. 如申請專利範圍第5項之製造方法,其中於該—般 式(II)之矽化合物中’ R1及R2係表示碳數爲1至2之烷基 ,且於一般式(ΠΙ)之含雙鍵鍵結的環氧化物中,R3〜Ri2 φ 係氫原子或是甲基,而R13爲氫原子、甲基或是苯基。 -28-
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