TWI358566B - Transflective liquid crystal display device - Google Patents

Description

1358566 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 置’該液晶顯示 本，明係關於一種半穿透反射式液晶顯示裝 裒之每一像素中包含一穿透區及一反射區。 【先前技術】

的穿Ϊΐϊϊί置通常可分為兩類：其中具有背光單元作為光源 拉罢u""液^曰”員不裝置，及其中具有反射膜反射照射到液晶顯示 = 之外部光以行光源功能之反射式液晶顯示裝盥透 Π，員示裝置相比’砂在反射式液晶顯示裝置中不具背U式 炉點=液晶顯不裝置具有低雜功率、厚度較薄及重量較輕、的 ，穿透式液晶顯示裝置較優於反射式液晶顯示褒 处在於.牙透式液晶顯示裝置在黑暗的環境中看得較清楚。 顯干ίΐ_液晶顯雜置，已知為半穿透反射式液晶 置’其具有反射式及穿透式液晶顯示裝置兩者的優點。例 =二在日本專利公開編號JP-A-2003-344837A中對此類半穿透反 稀ΐ有所闡述。半穿透反射式液晶顯示裝曰 ，巧自月光源射出之光通過，並使用背光源作為—光源。反射 後反射減反射膜’並使用由反射朗反射之外部光 〜ii穿透反射式液晶顯示裝置中’在—充分照紅環境中使 為截止狀態而由反射區域來施行圖像顯示，藉此達到較少 方面’在黑暗之環境中使背光源為導通狀態而 =穿透區域來施行圖像顯示，藉此在黑暗環境中達到有效的圖像 使科多模絲㈣液晶顯稀置，包含橫向電場 S)模式、扭轉向列(™)模式及邊緣電場轉換(FFS)模式。IPS 吴FFS模式液晶顯示裝置之每一像素包含設置在共用之基板 1358566 上以對液晶(LC)層提供橫向電場的—像錢極及—共㈣極。使 用模式或卿模式液晶顯示裝置在與基板平行之 :ί Ϊΐΐ t /于以進行圖像顯示，以達到比™模式_ 不裝置更尚的視角。 ^使，向電場的IPS模式或FFS模式欲烟在如上所述之 +牙透反射式液晶顯示裝置中，則在液晶顯示裝置中合產生如上 述之專利公開號中所提及的影像反制題。更具紋^ ;在液晶 顯示裝置之通常驅動技術中，若穿透區域操作在常黑模式 (normally-blackmode)，其中未施加電壓時對應至一;暗>狀雄，則 反射區域操作於常白模式(n_aUy_whitem〇de)，其中未施二電壓 時對應至一明亮狀態。影像反轉問題將詳細敘述於後。 圖34A概略地顯示半穿透反射式液晶顯示裝置之一像素，1 中包含-反射區域55及穿透區域56。自液晶顯示裝置％之前& 而視，穿透區域56係由下列者依序排列構成：第一偏光膜5卜第 一基板(對向基板)61、具有；1/2之延遲的LC層53、第二基板 基板)62及第二偏光膜52，其中λ為光之波長。反射區域55係由 下列者作為有效之構成元件所構成：第一偏光膜51、第一基板61、 具有λ/4之延遲的LC層53、絕緣膜63及反射膜54。在圖34Α 中，自圖之左側使液晶顯示裝置沿著與圖面垂直之平面以逆時針 方向旋轉90度，在此狀態中顯示偏光膜51、52之偏光軸及Lc^ 中之LC分子的長軸。 曰 圖34B分別顯示在圖34A之區域55、56中，當施加(v〇n)及 未施加(Voff)電壓的情況下，在光通過第一偏光膜5i、Lc層及 第一偏光膜52部分中的光偏振。在圖34B中，箭頭表示線性偏光、 由圓圈所包圍之「L·」表示逆時針圓偏光、由圓圈所包圍之「R、 表示順時針圓偏光、中空長條表示LC之指向（即LC分子之長軸 圖35顯示此種類型實施之包含背光源57之液晶顯示裝置的1橫剖 面圖，其原理顯示於圖34A及34B。 在圖35所示之液晶顯示裝置50a中，反射區55使用反射膜 1358566 來3為光源’反之穿透區56卻使用背光源57來作為光源。 • 设置於1^層53之前侧處的第一偏光膜51及設置於其後側處

. =第二偏光膜52分別具有彼此垂直之偏光軸^ LC層53包含LC ，子，此LC分子具有在未施加電壓時與第二偏光膜52之偏光軸 2差了 90度的指肖。假定例如第二偏光膜52之偏光軸指向一參 考方向^零度）’第一偏光膜51之偏光軸指向90度，則LC層53 中'分子的長軸亦指向90度。在圖34B中所示之零度方向為 / =平方向，而圖34B中所示之90度方向為垂直方向。調整穿透區 • ^56中之LC層53的板間隙(cell gap)，以使延遲And等於入/2， • 但巧整反射區域55中之LC層53的板間隙(ceiigap)，以使延遲^ nd等於λ/4,其中所給定之λ、An&d分別為光之波長、各向異 性折射率及板間隙。至於λ，若使用綠光之波長作為參考，几為 550 nm 〇 此後將對圖區域55、56中施加及未施加電壓之情況，分別闈 述34A、34B及35中所示之液晶顯示裝置之操作。 (1)反射區域’於未施加電壓時：在圖34B中所示之反射區域 55的左行(Voff)中，在90度偏振化之線性偏光(即，9〇度線性偏光) 在通過第一偏光膜51後入射到LC層53上。由於入射到LC層53 上之線性偏光的光軸係與LC分子之長轴對準，因此90度線性偏

• 光以其原本狀態通過LC層53,接著為反射膜54所反射。如圖34B . 中所示，通常線性偏光在經反射後不會改變其狀態，並再次作為 90度線性偏光入射至LC層53上。90度線性偏光以其原本狀態通 .、 層53，並入射至具有90度偏光軸的第一偏光膜51上亥 • 第一偏光膜51使90度線性偏光以其原本狀態通過。因此，未施 加電壓允許反射區呈現明亮狀態。 ⑺反射區域，於施加電壓時：在圖34B中所示之反射區域 55的右行(Von)中，藉由第一偏光膜51通過之9〇度線性偏入 至LC層53上。施加至LC層53層之電壓使LC分子之長^在^ 行於基板的平面内自零度轉向至45度。自LC層53中之LC分子 1358566 的長轴而導致入射線性偏光之偏光方向偏移了 45度及λ/4之延 遲，90度線性偏光在反射前轉變為順時針圓偏光，該順時針圓偏 • 光入射至反射膜54上並藉其反射。反射光轉變為逆時針圓偏光並 • 入射至LC層53。逆時針圓偏光藉由LC層53而改變為零度^性 偏光，並入射至第一偏光膜51。具有90度偏光軸之偏光膜~51阻 擋該入射光，藉此表現出黑暗狀態。 ' ·· 因此；反射區域％在常白模式下操作，在該模式中未施加電 \ 壓提供明亮狀態而施加電壓提供黑暗狀態。 1 ’ （3)穿透區域，未施加電壓時：在圖34Β中所示之穿透區域 * 兄的左行中，藉由第二偏光膜52通過之零度線性偏光入射至lc • 層53上。由於此入射光之偏振方向垂直於lc層53中之LC分子 的長軸，故此入射光以其原本狀態通過LC層53，並以零度^性 偏光之型式入射至第-偏光膜Μ上。具有9〇度偏光轴^一 光膜51阻擋該入射光，藉此表現出黑暗狀態。 (4)穿透區域，施加電壓時：在圖34Β中所示 $ 的右行中，零度線性偏光藉由第二偏光膜52通過，並入射°至5二 層S3上。施加至LC層S3之電壓使LC分子之長 的平面内自零度改向為45度。自LC層53中之 導致入射線性偏光之偏光方向偏移了 45度及Lc^ 轴而 •遲，使零度線性偏光轉變為90度線性偏光，言亥入 射至第-偏光膜51上。具有9〇度偏她㈣ 度線偏先入 .射光通過，藉此表現出明^狀態偏先轴的弟一偏光膜51使該入 ·、 因此，穿透區域56在常黑模式下操作，/ • 壓提供黑暗狀態而施加電壓提供明亮肤能仕5亥杈式中未施加電 影像反轉問題為橫向電場模式… 晶顯不裝置模式共有之通㈣題。然而 ^核式)及其他液 位向模式(ECB模式)或垂直配向模式(於™模式、水平 光作為LC層之入射光來解決影像反轉、而δ ’可使用圓偏 光膜及又/4波長膜之位向彼此偏移45产崎:為此目的，令第-偏 又一而，若入射光為圓偏 1358566 光，則該_級平行於基板之LC分子峨轉敏感度降低，因此 ^圓偏光之型式通過LC層。因此，使用橫向電場之液晶顯示裝置 在反射模式或穿透模式中無論是施加電壓或是未施加電屋、 出黑暗狀態。即’橫向電場模式液晶顯示裝置無法藉 ^此二 λ/4波長膜來顯示其影像。 如上所述，半牙透反射式液晶顯示裝置具有下列之 . $ 電“者在每――像素愧料餘態及黑暗狀離η 轉衫像。如上所述之專利公開案藉由使關3 = 不使用λ/4波長膜來解決此問題，如圖之左側上所示之^己置^ 二偏，之偏光軸係與LC層53中之LC分子的長轴相差% ^在此情況下，反觀域55在f黑模式 在常白模式τ操作。為 y模牙 將Λ/2波長膜58夹設於第二偏光膜H吊 長膜^有用垂Λ於…層53中之LC分子之長軸=度= * α/?；Ϊ 58 Τ ^ =ί 膜"之 j ff，°因此，藉由第二偏光膜52通過麟目 8及_53後仍維4 哲-从、，… 1 通過弟一偏光膜51。總之，夾設於Τ Γ爲q « 作"7…、56間的λ/2波長膜58允許穿透區域在常白模i下操 的偏使入射至U：層53之光 差。其由於LC層53 分子之長秘的平行或垂直方向偏 之顯示期間的明顯光漏〆的f長散射特性，故涉及在黑暗狀態 射特性，亦在黑’ λ/2波長膜58本身具有波長散 廡:拿音.甘j態的顯不期間引起光漏損。 的該i像反轉問題产反射區域55操作於反轉模式下 项了藉由使施加至穿透區域56與反射區域55 1358566 間之电壓的極性反轉來解決。此處所使用之電壓極性的反轉係使 未施加電壓至穿透區域S6及施加電壓至反射區域55同時施行。 然而，此配置並未為液晶顯示裝置領域中人所知。此外，在此配 置中所遭遇之問題及解決此問題之技術亦不為所知。 【發明内容】 ϋ的為H種半穿透反射式液晶顯示裝置， /、月b °错在反射區域及穿透區域中對^^層提供不同之電壓，來 解^在自知半穿透反射式液晶顯示裝置中由於例如穿透區域之常 白杈式及反射區域之常黑模式所遇到的影像反轉問題。 芬之ί —目的為：提供—種在每—像素中具有反射區域 及牙透區域之半穿透反射式液晶顯示裝置的驅動方法。 本發明在其第-實施態樣中提供—種液晶顯示裝置，立包含 2彼ίίΐ，光軸的第一及第二偏光膜、夹設於第-偏光膜 ”弟一偏光膜間的液晶(LC)層，LC層定義一像素陣列，每一像素 i含if之—反射區域及—穿透區域，該像素可由橫向電場所驅 LC"^LC分子具有長軸延伸而與人射至反射區域中 之 s上的光平行或垂直；及每一像素包括一像素電極、一第一 及—第二共用電極，像素電極接收像素信號且為反射區 =穿^域所共用’第-制電極接收為複數個像素之反射區 第—共用信號，而第二共用電極接收為複數個像素 之牙透區域間所共用之第二共用信號。 本=在其第二實施態樣中提供—種半穿透反射式液晶顯示 ，置1義以矩陣方式設置之像素陣列的—液晶 ， 母一像素中包含並列的一反射區域及一穿透區域，其中：每一 素在反射區域巾包含-第—像素電極，而在穿透區域中包含一第 士像素電極；及每-像素係與第—轉換裝置及第二轉換裝置 轉換裝置制以使第—電極與供給㈣信號之資料線 連接在m轉縣置係肋使f二電極與該:#料線連接 1358566 在一起。 晶顯不 第—資料信號及第二龍信號施加至該反射區。該 32^ΐ£Η.^5Χί c 由下列參照隨附之附圖之闡述，本發明之上述及其 特徵及優點將愈形清晰。 、 、 本發明在其第一實施態樣中提供一種半 裝置之驅動方法，該液晶顯示裝置在以陣 -者中包含-反射區域及一穿透區域，該方的: 有ϊ殊電位關，第—資料信號及iiS:;產

【實施方式】 現參照附®更詳細地_本發明，其中相似之組成元件係以 相似之標號表示之。 ’ 坦士圖i 本發明之第—實施例之半穿透反射式液晶顯示裝 置中之像素的杈剖面示意圖。圖2為圖1中所示之像素中之 基板的俯視平面示意圖。以標號10所表示之液晶顯示裝置一般包 含自液晶顯示裝置10之前側往後側依下列順序設置之：第一偏光 膜11、對向基板(第-基板)12、LC層13、丁?丁基板(第二基板)14 及第二偏細15。第-偏細u具有9G度之光透射軸，因此其 吸收軸在零度，反之第二偏光膜15具有零度之光透射軸，因此^ 吸收轴在90度。在此例中之〇：層13,包含具有在未施加電壓^寺 為90度之長軸的LC分子。 液晶顯示裝置10的每一像素包含反射區域21及穿透區域 22。反射區域21在其中包含了連續形成於TFT基板14上之反射 膜16及透明絕緣膜17。反射膜16將通過第一偏光膜n而朝向該 反射膜16之光反射。反射膜16具有凹面/凸面(不平)之表面以使 反射光達成較高之散射程度。在絕緣膜丨7上設有第一像素電極35 及第一共用電極37以在橫向方向中驅動LC層13。在穿透區诚乃 上亦設置有TFT基板14上之第二像素電極36及第二共用電$ 1358566 38 ’用以在橫向方向中驅動LC層13。 二反射區域21使用由反射膜16所反射之光來作為光源。液晶 ^裝置10包含在第二偏光膜15之後側處之背光源(未圖示），在 牙透區域22中使用該背光源來作為光源。在穿透區域22中，調 整以使13具有實質上等於;^的輯域此二J 質上」係表不：實際上延遲等於(α+(λ/2))提供等效之入/2 疋过:此原因為：在施加一電壓時，基板12、14附近中之LC分 子的旋轉受到抑制，即使在板間隙之中心、區域中 =加的，作旋轉。例如，若LC和具有 、貝1在施加電壓時之有效延遲^献為△牆迁二又/2=550 1最，在反射區域21巾，#由麵絕緣膜17 維Si 板隙，使施加電壓時之…層13的有效延遲 灿从所不’TFT基板14上設置有在TFT基板14之列向延 e a固閘極線31及在行向延伸的複數個資料線32。tfts 33 31及資 於反射區域21及穿透區域22並設置在閘極線 蚊處附近。每—TFTs 33、34具有連接至 另去、i垃閘電極，以及其中一者連接至共用資料線32而 另1賴Ϊ相對應之像素職35或36的祕及雜。 區域用電極37及38分別對應至反射區域21及穿透 延仲的pi ίί素中之每一共用電極37、38包含與閘極線31平行 i在反像素區之内部延伸的複數條分支 分別斜第一月楚中/ —，、用電極38與第二像素電極36面對面。 穿透區域22的極37 ' %施加相對應至反紐域21及 H ^ 第一像素電極35、36係分別連接至TFTs 33、34，TFTs 信號及31及共_樣32以減共用問極 卄1°諕(像素^號）。因此，兩像素電35、36在同時

13 二點接收共用資料、號。在反射區域21，係藉由像素電極35與共 a屯極37間之電位差所引起的橫向電場來控制[^層13中之位 =^在牙透區域22令’係藉由像素電極％與共用電極％間之 ，位差?胁赌向電場來射似層D巾之位向。即使吾人將 j同的資料#號寫入像素電極35及36但仍分別在像素之區域 22中七供獨立的像素電極％、36以及獨立之tfTs 33、34的 於：在挪33 ' 34截止後像素電極35及36間的㈣電 推丰之驅紐形圖顯示在特定猶階段下反親域21中之 下在*、ί 電極37的信號電位’而圖3B顯示在相同階段 之像素電極36及共用電極38的信號電位。如 的時間點處第—及第二共用電極37、38的信 ίί 5伏間改變，而第一共用電極37之信號電位 第一，、用電極38之信號電位相為反向。 雷梅5如从可μ將任/可介於零伏至5伏的期望信號電位施加至像素 共用資料㈣。。^罔接至共用資料線32的像素電極35、36接收— ί料至像士 ΐ極3f 中例示性顯示，當在第w架中施加零伏 35與共用料至共用電極37，像料極 間電位差維持5伏。因此，在反射區域21中 加交伏資料至像Hf。如圖3B中所示，在相同的第i框架中施 兩者間之電位至共用電極38,藉此將 未受到驅動(即，以持零在^f動)因此’在穿透區域22中之lc層η 中分1=43ΒΛ觸示，#在部分反射區域21與穿透區域22 像素電極35纽用"之1咖5物’在反射區域21中因 45度。因此，、如、圖^極37間之電位差，K層13的位向旋轉了 之9〇度線性偏来名左仃中所示，藉由第一偏光膜11而通過 在通過LC層13後改變了其偏振狀態，以藉此轉 1358566 變至逆時針圓偏光。如圖4A之右行所示，該逆時 膜16所反射而轉變為順時針圓偏光，再次通過乙’ ，線性偏光，^人射至第-偏光膜U上。第—偏曰細 零度線性偏光，藉此在反射區域21中表現出票护狀熊 神 ㈣=2=^中所示，因像素電極36與^“極38間之 二====== ^後轉其偏振狀態，並人射至第-偏細丨；7受^^擒：： 糟此在穿透區域22中表現出黑暗狀態。 田 =上所述’藉由施加-反向健及—非反向信號至第一及第 二37、38 ’施加至兩像素電35、36的共用資料信號足以 $射區域21及穿透區域22中表現出黑暗狀態。此係由於反向 ^號及非反向信號僅允許反射區域21中之；1(：層53的位向旋45 f。因此，在不需施加不同資料信號的情況下使反射區域21及穿 透區域22兩者皆維持在黑暗狀態。 圖5Α及5Β類似於圖3Α及3Β，每一者顯示在另一操作階段 動波形信號。圖6Α及6Β類似於圖4Α及4Β，顯示在該另 • b #又下的光之偏振狀態。在圖5a所顯示之該另一階段中，在第 架中施加在像素電極35與共用電極％間的信號電位並未提供 予反射區域21中之LC層13，藉此在反射區域21 中之LC 的/立向維持在9〇度。因此如圖6A中所示，在反射區域21 糟由第一偏光膜11通過之9〇度線性偏光以其原本之狀態通過 ^層13，受到反射膜16反射，通過LC層13，並入射至第一偏 ^膜11而未改變其偏振狀態。因此，偏光膜n使該光通過而在 反射區域21中表現出明亮狀態。 另一方面如圖5B中之第j框架中所示，在穿透區域22中之 ^位向因像素電極36與共用電極38間之電位差所形成 、/ %而旋轉了 45度。因此如圖6Β中所示，藉第二偏光膜15通 化之90度線性偏光通過穿透區域22中之]^(：層13以轉變為9〇

15 1358566 度線性偏光，並入射至第一偏光膜11上。第一偏光膜11使該入 ，光=過而在穿透區域22中表現出明亮狀態。因此，在不需施加 个同貢料信號的情況下’將反射區域21與穿透區域22兩者 持在明亮狀態。 … 心，7A與7B分別顯示在施加了資料信號後像素電極35及％ 位。在該些圖之液晶顯示裝置10用的閘極線反向驅動方 二的情況中；每一像素的驅動信號的極性在每一框架末端作反 : 相鄉之兩行接收相反的極性。在施加閘極信號脈衝Vg至 iiii1及自閘極線31將閘極信號脈衝^^移除後，藉由回應在每 1驅動信號的極性反轉來使共用電極37、38 &電位極性在每 匡^處重覆反轉，直到施加下一閘極信號脈衝至閘極線3夏為止。 資概、34在此期間為截止狀態，像素電極35、36盥 像極 =ΐί持在浮動狀態1因此，即使在將資料信號寫入 ^ ^ ° 、 8才維持初始電位差PI、Ρ2，像素電極35、36之 狳，白Fi Λ在此下’在貧料信號寫入像素電極35、36 ί位兄及7Β可瞭解到像素電極35與像細錢有不同的 a 素;ί用=皮分為分別對應至反射區域 用二m:苐弟二共物亟37及38。施加至上述政 與穿透_ 22 號’使得施加至反射區域21、 強度」同的灰度位準。此處所用之「相ί p- Μ.. 田A域中之者具有較大(例如，最大)的雷;士 Q域中的另一者具有相對較如=取 像素之反射區域21及穿透區娀22浐）々电琢。因此，對每一 中表現出相同的灰度位準，藉1在斗信號以在影像 景彡像反轉_可在吏 讀置中 解決。 个汉用钹雜之“唬架構的情況下得以 16 丄358566 在本實施例中，在顯示黑暗狀態期間穿透區域21之LC層13 的位向係平行或垂直於入射至LC層13之光的偏振方向。此^由 顯^黑暗狀態期間LC層13在影像上之波長散射特性來減少^利 的影響’藉此減少了顯示黑暗狀態期間之光漏損。第一及第二偏^ 光膜Π、15與穿透區域22之LC層13的位向間的關係相似於習 =穿透式IPS模式液晶顯示裝置中之關係，藉此本實施例中之穿 透區域22中的對比度相钺於習知穿透式IPS模式液晶顯示裝罢由 所獲得的對比度。 ’ 在習知之TN模式液晶顯示裝置中，通常以反射像素電極的方 j來配置反射膜，施加對應於期望之灰度位準的 射像素電極。另-方面，在IPS模式液晶顯動置^ 期望之電壓至反繼16上。由反射膜16 0 所產生的影響將討論於後。 知像中 35 分腦加2.1伏及1伏至反麵16且像素電極 獲得:電 下顯示在反射區域 右如圖8Α中所示，反射膜16之電位為 像素電極35與共用電 37 is φ面，右如圖8B中所示反射膜16具有盥妓用電 極37相等之電位，則由於 土， 區域中觀察到明顯的光漏損。在後者 能原因為：在像素^ 兄下“透度分佈的可 量線)導向反射膜16 _收場將電場(電通 之區域中用以驅動Lc分子：37 ’因此使共用電極37 與共目f哪Y電讀於像素電極％ 口 了猎者施加一特定電壓來直接控制，亦 17 1 1358566 電控制反射膜 上’以侧奴賴16之後侧 來設置施加有與像素電極35等電:^二在1:1的方式’ 如圖8Ι 错此維持反射膜16之電位於中間。 膜16之中間電/ff致明顯的光 於 區域中產生較高的光穿透率，故此，卜;^、=、f暗狀怨期間在該 由光漏損在影像中所生之不良二吾j不樂見。為抑制 35及‘電ifi反所見’反射膜15沒有與像素電極 了 it Γ 部分。在顯示黑暗狀態期間，此配置減少 了在像素电極35及共用電極37之區域中 之後將參照顯示製造之連續步驟M 的反射先72度。 的圖10Α至ΠΑ，二2 t中的俯視圖及額外橫剖面圖 職至17A，闡述液晶顯示|置中之TFT基板 額外橫剖面圖顯示反射區域21、穿透區域 ^ =應舰侧纖彳目補_^==字界^ ^ 俯視平_中所示之字母符號順序的字母 ^ =如，圖1G中所示之圖娜、1GC及_分別為反射區域21 ^依A-A，、穿賴域22愤B_B，及中依c_c，所取之橫剖面 首先如圖10A至10D中所示，形成閘極線31、第一丘 ，37a及第二共用電極線38a。在此步驟中，自匯流線向g射 21延伸形成第一共用電極線37a以將一電位提供予反射膜15。 著將絕緣膜沈積於閘極線31、第一共用電極線3%及第二丘= 極線38a以覆蓋上述者。 一/、用電 接著如圖11A中所示，形成半導體層39,其之後作為TFTs33 之源極/汲極區域。在此步驟中如圖11B中所示，形成半導體層39 以與閘極線(或閘電極)31重疊。之後如圖12A至12D中所示曰，來 成連接至TFTs 33之源極/汲極區域的像素電極線35a及連接至/ 18 1358566 TFTs 34之源極/沒極區域的像素電極線施。 37- Ϊ反以垂直基板之方向觀之，將第-共用電極線 線=像素電極線35a的面積比為& ί允= 靜由極35與第—制電極37間之巾間電位。接 g，，像素電極35、36上沈積絕緣膜而將其覆蓋。 月円f ^ 13A至13D所示，在反射區域21及ΐ透區域22的 成具有凸面/凹面表面的外覆層4G。將輔沈積於整個表 待ii圖里化以在反射區域1中形成反射膜16。反射膜Μ在每-象素電極線35a與每一第一共用電極線37a的中央具有一狹縫。 成反麵16後，將平坦之外細41形成於反射膜16上， ί外ί膜41在像素之實質的整個區域中具有圖15A中所示之圖 i穿==Λ15Ι)中所示’該平坦之外覆膜41在反射區域21 域2間具有段差部分，#此調整兩者間之板間隙差。接 辛雷Li t及15B中所示，在絕緣膜中形成接觸孔42以暴露像 素電，線35a、36a、第-共用電極線37a、第二共用電極線撕。 円划ίΪίί觸孔42後如圖17A中所示，在平坦之外覆膜上形成 3 17ί像素電極％、36、第—共用電極37、第二共用電極％。 3 及17D中分別顯示反射區域2卜穿透區域及兩者 邊界分。像素電極35、36、第一共用電極37、第二共用電 f f係稭由對應之接觸孔犯而連接至像素電極線3兄、3知、第 線37a、第二共用電極線38a。因此’獲得使用在本發 月之+牙透反射式液晶顯示裝置的TFT基板14。 圖18為TFT基板的俯視圖，顯示根據本發明之第二實施例之 半二，反射式液晶顯示裝置的像素。以標號1〇a所表示之本發 示裝置通常具有與第—實施例之液晶顯示裝置Μ相“ ί Ϊί構’並包含第—偏光膜、對向基板、LC層、TFT基板Ξ 本發明中之第—及第二偏光膜的偏光軸與LC層的位 ° /、第—貫施例相似。本發明之液晶顯示裝置與第一實施例之 <· S > 19 之處在於像素之平秘構，由閘極線 31與貝枓線32來傳輸信號的方案。 ％ ^ Τι ^了可音ί，在TFT基板上形成在列方向上延伸的複數個 二-署於ρί!及f行方向上延伸的複數個資料、線32。TFTs33、34 與資料線32間之每—交叉點的附近。每-列 及、u至連接至tfts 33之軸極的閘極線他，以 %仗土 _Li 15 、閘極的閘極線yb。每一 TFT。Μ呈古·泥搞/ 1 及極路?，連歸騎32及設置在反舰域21中之7—U電 Ϊ署ί有源極/汲極路徑，連接相同之資料線32及 ΐί试9二二'、中之第二像素電極36。在反射區域21與穿透 =成的共用電極3%係連接至供應共用電極信號予 曰曰:&之所有像素的單一共用電極(COM)線40a。 事置L的含=顯示裝置驅動器igi之圖18之液晶顯示 ID二 液晶顯示裝置i〇a在顯示區域⑽包 2： 中寫資料的灰度位準轉換器（7轉換_ === 器m接收外部時序信號TG，及每—者包含每一 位兀RGB信號的組資料信號j^'Gn'Bn。 ’、 8 本實施例中之液晶顯示裝置驅動器丨 號產生器(兩者皆未圖示。 二來f 2序^。為在液晶顯示I置驅_ 1G1中產生時庠 ^虎，將像素之單-列的時序信號分割為兩組時序㈣ j U 21用之時序信號組及穿透區域22用之時序信號组。= 之^信號翻以驅動間極線31a及閘極線m。在液晶= =器101中或可在TFT基板上之移位寄存器中^生供 線31a、31b之閘極信號。 八心至閘椏 1358566 灰度位準轉換電路112包含查找表，用其 ⑵“用之::路準所 r；irr in f 可在不使用灰度位準轉換電路112的情況下，2 彻號轉換為益列類比信H藉由多工哭 像素信號輸出至資料線32。在穿透區^中窝 齡魏轉111G1鱗灰度位準^

僳；:4ϊΐ 憶體111之所接收之像素資料轉換為J =貝科，接城行㈣触簡換及D/A雜，铁 工 信號輸出至資料線32。灰度位準轉換器3112除 =由使用查找表而施行灰度鱗轉換外，亦可施行 于 子區域'及穿透區域μ兩者之資料中獲得相似的特性。、 例如^若在液晶顯示裝置驅動器1〇1中接收設置在第η列及 弟=仃之苐κ個像素的像素資料信#uK(n，m)=〇，則液晶頻示 ίΐϊίΐΐΙϊΓ人像素之反射區域21的時間點τ_ “ 二;ίί 4 (Μ )施行D/A轉換，並將對應之類比資料例 如，伙或10伏信號輸出至資料線32。另一方面，在將資料寫入 象素ί穿透區域22的時間點刷處，液晶顯示裝置驅動 =101允許灰度位準轉換器112將像素資料信號K(n,m)=〇轉換為 結ίΓ)=255 ’然後對該經轉換之資料恤111):255施行串列轉並列 ^及D/A轉換，並將對應之類比資料例如5伏信號輸出至資 線32 〇 扣圖20顯示在液晶顯示裝置之特定操作階段時反射區域21及 牙透區域22兩者之购信號波形。此處_示之軸信號包含供 應至閘極線3la、3lb的閘極信號及供應至資料線32的資料信號。 在此例、t/使用點轉換驅動方案而共用電極信號為常數。將單一 像素(或單一線)的寫期間分割為：將資料寫入反射區域21的第—

21 1358566 m’及將資料寫人穿透區域22的第二寫朗，藉此以高位準 號在不同時間點驅動閘極線31a及31b。反射區域21之TFT 杜第.一時間點Tg(R)或施加高位準電位至閘極線31 a之第一寫 ίί通’並將通過雜線32所供應之資料寫人至反射區域21 =素，35。穿透區域22之TFT 34在第二時間點Tg(T)或施 力^位準電位至閘極線3lb之第二寫期間為導通，並將通過資 銥-^斤俣應之資料寫入至穿透區域22之像素電極36。、 若像素接收到零灰度位準㈣(黑暗狀態資料），則在將資 域21之時間點Tg(R)處供應1G伏資料予資料線％並 Ξΐ21所對應之TFT 33導通’藉此將1G伏資料信號寫入 =2 3此情況下，若C〇M線…的電位时在5伏， ===伏的電場施加至反射區域21中之冗層13，藉此以 ，式域之反射區域21在圖像顯科維持黑暗狀態。另一方 ί資透區域22的時間點_處，供應5伏資料 粗i科線32並導通對應至穿透區域22的TFT 34，藉此將5伏資 ;電場由於施加5伏至共用電極38，故並未施加 22 LC層13，藉此以常黑模式操作之穿透區域 22在圖像顯不時維持黑暗狀態。 在本實施例中如上所述，液晶顯示裝置中之閘極線31 及穿透區域22之祕線训，像素之寫 期間’藉此共用資料線32可健^ 液晶顯示裝置驅動器101中基於所接收之像素^ :二區=轉Γί另:5接收基於經轉換之資料所產生之 之像二^ 1貝料係藉由灰度位準轉換器112自所接收 數目的摇枇配置在不增加將資料寫入像素之資料線之 f目的情況下i供不同的電位差至反射 2卜22表現出相似的式’但不同電位差允許此兩區域 22 1358566 -圖21錄據本發明H施纖示在半穿透反 ，裝置中TFT基板的俯視平面示意圖。由標號勘所示之 f

置通常具有與第—實施例之液晶顯示裝置1G相似的 面…構，且包含第一偏光膜、對向基板、以^層、TFT ^光膜〕在本發針之第―及第二偏光膜的偏錄及Lc分子= 實施例之液晶顯示裝置相似。本實施狀液晶顯示裝、 罝兴乐=貫施例之液晶顯示裝置之不同處在於像素中之平面結 構，及藉由閘極線及資料線來輸送信號之方案。 、" H J二21 I?解基板上形成在列方向上延伸的複數個 #極、.泉31以及在行方向上延伸的複數個資料線％。TFTs%、％ =置於閘極線31與資料線32間之每-交叉點的附近。每 Ϊΐΐ之閘極線31包含連接至㈣33之閘極的閘極線31a，以 :感ίϊ TFIS34>之閘極的閘極線训。每一 TFTs33具有源極/ /和路徑，連接貧料線32及設置在反射區域21中之第一像素電 f上5菩?::㈣34具有源極/汲極路徑，連接相同之資料線32 牙透區域22中之第二像素電極36。在反射區域21與穿 中共同形成的共用電極3%係連接至供應共用電極信號 予液=顯示裝置1Ga之所有像素的單一共用電極(COM)線術。 -驻ϋ11不包含了液晶顯示裝置驅動器跑之圖21之液晶顯 3盆^的、？配置。本實施例之液晶顯示裝置1Gb除了下列者 = 一實施例之液晶顯示裝置施相似··供應相同的資料 ΐ ^ ΐί電極35、％，但在—半寫期間之該頃刻時間處C0M ”二/位改變’藉以提供不同的電壓予1^層13之反射區域 施例中所狀線記㈣及灰度位顿翻i此“/、備弟—貝 *方m1不在液晶顯示裝置之特定操作階段下反射區域21及 二:二f者的驅動信號波形圖。此處所顯示之驅動信號包含 ;二二$3ia、3ib的閑極信號及供應至資料線32的資料信 ^列中’使用點轉換驅動方案。將單—像素(或單一線)的寫 23 < S > 1358566 期間分割為：將資料寫入反射區域21的第一寫期間，及將資料寫 ^穿透區域22的第二寫期間。反射區域21之TFT 33在施加高位 ，電位至閘極線31a的第一時間點Tg(R)期間為導通，並將通過資 料線32所供應之資料寫入至反射區域21之像素電極％。穿透區 域U之TFT 34在施加南位準電位至閘極線3lb之第二時間點 期間為導通’並將相同之資料信號寫入至穿透區域22之像 f电極在將資料寫入反射區域21的第一時間點⑻期間液 ，顯示裝置驅動器101a供應共用電極信號，而在將資料寫入穿透 區域22的第二時間點Tg(T)期間供應經轉換之共用電極信號。例 如，共用電極信號在第一時間點Tg(R)時維持5伏， 點Tg(T)時維持零伏。 料t間 士—為顯示黑暗狀態，在將資料寫入反射區域21的時間點Tg(R) 時資料信號在負框架中保持零伏，且對應至反射區域21之、抓33 ^^狀,4 ’藉此零伏資料錢被寫人至像素電極％。在此情況 於共用電極39之電位為5伏，故在反射區域中之LC層13 應於5伏的電場’藉此在f白模式下操作之反射區域 ^衫像士顯示時維持黑暗狀態。另—方面，在將資料寫入穿透區 Ϊ^之「日!^ Tg(T)時’亦供鮮伏之請至資料線32，且對應 丰^域f之/FT34在導通狀態，藉此零伏資料被寫入至像 區助在影二示二=態减在常黑模式下操作之穿透 ㈣ίΐΪΪ例ί性案例中’針對負框架來驅動反射區域2卜若 共用電極37之電位為究伏:在^間點Tg⑻時導通tft33並使 為7伏，供應5伏資料至反射區域21之像素 24 1358566 電極35，藉此將對應至5伏的電場供應至反射區域中之層以 表現出黑暗狀態。亦在時間點Tg(T)時供應5伏資料至像素電極 36並使糾電極之電位反轉為5伏，藉此無電場施加至穿透區域 22之LC層13而藉以表現出黑暗狀態。 因此，，負及正框架中反射區域21及穿透區域22兩者皆表 現出黑暗狀態。 —在本實施例巾如上所述5將像素之寫關分#j為第—時間及 ，二時間，將共用電壓供應至兩像電極35及36，並在第一時間與 第二時間之間反轉共用電極39之電位。此配置在未針對反射區以 21及穿透區域22產生不同資料信號的情況下提供不同的電位差 =反射區域21及穿透區域22 ’即使兩區域2卜22具有不同之 模式仍允許此兩區域表現出相似的灰度位準。 裝署Lt係f據if日月之第二實施例顯示半穿透反射式液晶顯示 ^置，拍不思圖。除了本實施例之液晶顯示裝置丨Qa有又/2 ^長膜18與19分別夾設於第—偏細丨丨與對向基板12間及tft 與^二f具細15間之外，其與第一實施例之液晶顯示裝 圖25之表顯示下列三者的可能組合：第一 偏光膜15之光透射軸、Lc層13中之LC分子的長轴、及ϋ ΐ液ίΐ不基板之平面内< λ/2波長膜的光轴。在此組合 中^苐—偏細15及λ/2波長膜19所通過而人射 振方向與⑺層13中之LC分子的長轴平行或垂C直層工 抑财透區域中的光漏損。 26中=之S ί25ζ所列的每一组合進行模擬，藉此獲得圖 相，尤其在短《區域或藍歧長_。 先属 將第7組合應用至第二實施例之展現了圖力中所示之偏振狀

25 1358566 知的液晶顯示裝置l〇c中。此後將闡述此液晶顯示裝置在顯示里 暗狀態及顯示明亮狀態期間之功能。 …' 黑唯狀態之顯示 為在此實施例中顯示黑暗狀態，使用圖3A&3B中所示之 動信號，以使反射區域21中之LC層13之LC分子的長轴旋韓4 度’ ^使穿透區域22中LC分子的長軸維持在9〇度。在圖21中， 虛線表示偏光的方向，而實線箭頭表示光吸故軸= ， μ ^穿透區域22中，藉由具有光透射軸為135度(因此吸收軸為 又)之弟一偏光膜15而通過之135度的線性偏光，在 f f長膜19期間被旋轉了-角度，該角度等於其偏光角度(135声、 :由，波長膜19處之光軸角度(157.5度)間差值的兩倍4由尨 19而通過之光轉變為零度線性光，人射至Lc層二节兩 ίί ίίϊϊΐ本狀態通過LC層13，通過λ/2波長膜Μ而;；J 為出度線性光，並入射至第一偏光膜u。具有 ^ ΐίΓ偏細11阻财透之人械成為f光源，藉此表現出黑ί ϋ射區域21巾，藉由具有光透射轴為4 υ而通過的線性偏光，通過λ/2波長膜 n m ^IX層13上。該9_性偏光g^ 二為針圓偏光’並由反射膜16反射而轉變為順時^轉 该順時針®偏光再次通過Lc層 /0偏光。 135产绩极值止私6 偏光通過凡/2波長膜18以轉-Λ 黑暗偏先，並入射進入第一偏光膜11受到阻擋，以表Ϊ4出 翌念狀病之ii元 ^圖27中顯示明亮狀態，將圖5a及犯 、應至液晶顯示裝置，以將穿透區域 巧之驅動h 向旋轉45度，並將反射區域21透中之中ϋ層13的長轴位 度。在輸域22巾，物細

c S 26 1358566 15而通過之135度線性偏光，通過;波長膜19以轉變為 180度)線性偏光’並人射進13。該零度線性偏光通g 層u以轉變為⑶度線性偏光，通過通過λ,/2波長㈣以鐘^ 為45度線性偏光，並入射進入第一偏光膜η，該第一偏光膜^ 使入射光通過藉此表現出明亮狀態。 、 在反射區域21巾’藉由第一偏光膜^而通過之45度線 錢過又/2波長膜以轉變為9〇度(或27〇度)線性偏光，益入站 至LC層13。該90度線性偏光以原本狀態通過Lc層13 ^ 射膜i6所反射，並將再次入射至LC| 13。9 t 本狀態通過…層13，並通過λ/2波長膜18以轉變為 偏光。第-偏光膜11使45度線性偏光通過而表現出明亮狀雜。 λ/2波長膜18、19可由單軸波長膜、雙軸波長膜或由單二 長^及雙幸=皮，之疊層組合所配置成。吾人在使用單抽波長膜 的知況下施行’擬，崎得在顯示黑暗狀態綱視肖鮮产及 對比度之間的相依性。圖28A及28B顯示該模擬結果/在= 軸波長膜的情泥下如圖28八中所示，當吾人自與λ/2波長膜Μ、 19之^•向對準的位向中自大視舰察便可發制光漏損。如圖 28Β中所tf，光漏損依據觀察的方向而在對比度上具塑 對比度大幅地減少。 ’、/ a 使 在使用包含單軸Μ波長膜及雙轴Μ波長膜之疊層結 作為；1/2波長膜18及19的情況下，吾人施行觀 黑暗狀態顧視肖與亮度及對比度_依性。在模 及/之每—者中’單軸波長膜之設置靠近偏光膜η、二 而雙軸波長膜之設置靠近LC層。圖29A及29β分 對比度的模擬結果。與在圖28A中使用單軸波的^ 較，在圖29A中所示之疊層結構具有顏色漏損=况 2阳中所示，此改善了視角與對比度之相依性。的I占如圖 ^使用雙軸波長膜的情況下，吾人亦施行另一模 角與免度及對比度之相依性。其結果係顯示於圖3〇A及^，與 27 1358566 圖23A及23B相似。如圖30A所示，與圖29A中所示之疊層结 構相較，雙軸波長膜提供較少的顏色漏損。如圖3〇B中所示，^ 亦明顯地改善了視角與對比度的相依性。

在本實施例中，使用λ/2波長膜18、19在反射區域中減少了 在顯示黑暗狀態顧的藍色化’藉此改善了半穿透反射式液晶顯 示裝置的影像品質。此外，使用包含了單軸波長膜及雙轴波長膜 的疊層結構或使，雙轴波―战減少了在傾斜視角巾之光漏損，藉 此改善了視角與亮度及對比度的相依性。而其他優點則相似 一實施中所獲得之優點。 ' 在第一貫施例中，反射膜之一部分並未直接地設置在像素電 極35及第-共用電極37後。然而本發明並不限於此例。反射膜 可如圖31中所示，其中反射膜16具有直接設置在 戈 第一共用電極37後之平板表面。 ^ 在上述實施例中’使用IPS模式液晶顯示裝置來作為實施例 之液晶顯林置雜例。例如，第—發明讀晶顯示裝置的顯示 模式^以雜電場觀(FFS)模絲代替。_ 32齡根據本發明之 第四實施例之EFS模式液晶顯示裝置的橫剖面圖。以標號1〇d所 表示之液晶顯示裝置通常包含反射區域21、穿透區域22。在TFr 基板14a上，在反射區域21中形成反射膜16及埋置之絕緣膜。 反射膜16反射自第-偏光膜n所入射之光。通常反射膜16具 不平坦之表面以改善絲射效應，然而，可額外地在對個基板、12 中δ又置散射膜來代替提供不平坦之表面予反射膜π。更戋者，可 在接近對向敍12之偏細η的絲上設置雜有級射珠之 散射附著層。

圖33顯不第-實施例之；[PS模式液晶顯示裝置的橫剖面圖。 比較圖32之結構與圖33之結構，FFS模式液晶顯示裝置i〇d鱼 ips模式液晶顯示裳置不同，服不包含與像素電極35並列的二 用電極37。FFS模式液晶顯示裝置服包含連接至第一共用電極 線(未圖不)之反射膜16，因此如反射區域21中之乒用電極P 28 1358566 用。在FFS模式液晶顯示裝置l〇d之穿透區域22中，對應至IPS 模式液晶顯示裝置中之共用電極38的透明共用電極20係設置在 穿透區域22之像素電極36的後側處。在FFS模式液晶顯示裝置 10d中，像素電極36、下方之共用電極20及反射膜16在其間產 生電場以驅動LC層13。FFS模式液晶顯示裝置10d之驅動操作

與本戸、施例之IPS核式液晶顯示裝置的驅動操作相似，故此處便 省略其敘述。 在第四實施例之液晶顯示裝置中使用之結構與第一實施例中 所用結構相似。第三實施例之配置可與第二實施例之配置相結 合。此外，FFS模式液晶顯示裝置可具有與第一至第四實施g之 結構相似的結構。 根據本刺m之實躺的半穿透反射歧晶顯示裝 置’施加不同之電場至LC層的反射區域及穿透區域，即便兩區域 以不同常模式操作，亦可使兩區域表現出相似的灰度位準 解決在習知半穿透反射式液晶顯科置巾所遇·影像^ 題。 j 卞πίίΐ狀泥為：利用像素錢使第—共祕號及第二共用传 信號。例如，若第—丘用伟一共則5叙精確反轉 維持6伏或零ί4 〃乳雜持零或5伏，則第二共用信號可 況為··像素電極包含在反射區域中之第-俊去忠 以連結該資料線與第二像素電極像^:2=換農置，用 允昨吾人將制像素錢供應至反射_及穿透_。換^ (5 29 1358566 及第二切換裝置以允許第-及第二 位實反:膜之電 射膜與像素電極或第— κ ^減少在齡黑暗狀態細之絲損。 、 設定電路來崎她=射_^或者’可藉由電位 區域膜在Γ像素電極及第一共用電極正後方的 以刀反射膜。*IPS模式液晶顯示裝置中，反射膜可 光漏^損，a此配置減少了電極正後方的亮度，因而減少了 rB;S=:膜==== 漏損。曰抑假散射可減少電極正後方區域之亮度，觀減少^ 置，明之第二態樣之實施例的半穿透反射式液晶顯示農 電極及穿透域中之第-像素 場至不同心施加不同的電 驅動該反射區域及穿透區域中之至少—者可以橫向電場驅動模式 --ί-^ΐ21；ίΐίΐ^ ί： £ 30 中包含具有一電位的反射膜 素電極，電位與共用電極之電位間的上雜第一像 反ΐ膜與第—像素電極間之m合及反 反射膜之電位。或者，可藉由ΐ位 區域膜在第一像素電極及第-共用電極正後方的 者在FFS^式液晶顯示裝置中，每一

共用電極及在穿透區域中之第二:用以= 包含施加了—電位的反射膜，該電位係等於第二共用H 則之ϊ二態樣的半穿透反射式液晶顯示裝置中，可分 二Sifi及巧模式來驅動反射區域及穿透區域。在此情況 ;=由例如不施加電場於反龍域巾並施 穿透區域之™不= 德备ίίίΐίί二態樣的半穿透反射式液晶顯示裝置中，每一 ，素可電極及第二共用電極，第 ，像素之反射區域間所共用之第—共用電極信號，g接3 ，接收複數，素之穿透區域間所共用之第二共用電二;號用 極及第二像素電極可接收相同之^ 一第一 t用！實質上為第二共用信號之反轉信號。例如， 右第一及第一，、用信號之每一者具有介於零伏至5伏間之一合適 電壓，則當第-制_為零伏 可以在一時間分刻古安占用现』為5伏。 像素電極可接=ϋ·ί白中，rt第二切換裝£，且第一 像素信號，而第二像素電=可白上田中之Lc層之反射區域的第-穿透區域的第二像毳號二接二用以驅气常黑模式中之LC層之 極及第二像素電極所共二=線可為第一像素電 可藉由-資料轉換Ξ來SI：不f ^壓至兩電極上。 器包ί 一線記㈣“:;； 並可以心。外部資料係、儲存於線記憶體中’ 其進行轉換後為穿透區域所用。可由邏輯電路所 轉換器來代㈣絲。 之灰度位準 換可以在—時間分割方案中導通第—及第二切 fLiri輕極及第二像素電極可接收共用像素信號，且 電ϊ ’用以在第—電極接收共用像素信號 弟二電極接收共用像素信號之第二時間期間 裝置 8¼式液ag顯不裝置及VA模式液晶顯示裝置。 由^上所闡述之實施例僅作為範例，本發明並不限於上述 =、隹在Ϊ脫離本發明之齡的情況下，熟知此項技藝者可對本 發明進仃各種修改或變化。 尽 【圖式簡單說明】 置的===㈣之第—實齡丨之衫狀射式液晶顯示敦 圖2係顯示圖1中所示之像素的上平面示意圖。 圖3A為施加至圖丨之像素之反射區域中之驅動信號的波形 圖’而圖3B為施加至圖丨之像素之穿透區域中之驅動信號的波 圖，兩者皆位於特定之框架中。 ^

S 32 丄彻66

圖4A及4B分別顯示在施加了圖3A及3B中所示之驅動信號 的部分反射區域及穿透區域中光之偏振狀態的示意圖。 U 圖5A及5B類似於圖3A及3B *分別顯示在不同於圖及 3丘中所示之特定框架之框架中的驅動信號波形圖。 ^ 圖6A及6B類似於圖4A及4B，顯示部分反射區域及穿透區 域中光之偏振狀態的示意圖。 圖7A顯示設置於反射區域中之像素電極及共闬電極的電位 改變’而圖7B顯示設置於穿透區域中之像素電極及共用電極的電 位改變。

圖8A及8B每一者顯示由模擬所獲得之藉著使用等電位線及 等透射線所表示之電位分佈與光漏損分佈。 圖9為像素電極或共用電極附近中之反射膜的橫部面圖。 圖i〇A為在TFT基板之製造處理之一步驟中的TFT基板俯視 =，圖’而圖10B至i〇d為在圖1〇A中分別沿著線A_A，、B_B， 及C-C，所取之橫剖面圖。 相』^A為在圖所示之步驟後之接續步驟中的TFT基板俯 圖11B為在圖UA中沿著線D-D，所取之橫剖面圖。 顏平ί同^在圖11A所示之步驟後之接續步驟中的TFT基板俯 圖细至⑽為分別沿著圖·中之線α·α，、β·β， 及C-C所取之橫剖面圖。 視平^ 目12Α所示之步顿後之接續步驟中的TFT基板俯 圖13B至加為分別沿著圖·中之線从，、㈣， 及C-C所取之橫剖面圖。 及C-C’所取：4^/目—沿著圖㈣Α·Α’、Β·Β’ 視平Ξ 驟後之接續步驟中，基板俯 及C-C，所取為分別沿著圖10Α中之線Α-Α，、Β-Β， 久l L所取之橫剖面圖。 33 1358566 圖為在圖1SA所示之步驟後之接 視平巧:=16B為在圖16A中沿著線M，所取 俯 圆^為在圖16A所示之步驟後之接續步驟中的抓 視ί而圖^B至17D為分別沿著圖10A中之線α-α^β: 及C-C所取之橫剖面圖。 ^ 18係根據本發明之第二實施例之液晶顯轉置的俯視 示葸圆。

圖19為圖18巾所示之液晶顯示裝置的示意方塊圖。 圖20為圖18中所示之液晶顯示裝置的驅動信號波形圖。 圖21係根據本伽之第三實關讀晶顯示裝置的俯視平面 示意圖。 圖22為圖21中所示之液晶顯示裝置的示意方塊圖。 圖23為圖21中所示之液晶顯示裝置的驅動信號波形圖。 圖24係根據本發明之第四實施例之半穿透反射式液晶顯示 置的橫剖面示意圖。 、 圖25為將偏光膜之光透射軸、LC分子之長軸及λ/2 之光軸的角度組合圖。 长膜 圖26顯示在穿透區域中模擬光之光透射與波長所獲得的關係 圖。 圖2 7之示意圖顯示在第一實施例之半穿透反射式液晶顯示 置中所顯示之影像。 ' 、 圖28Α及28Β顯示在使用單轴波長膜的情況下由模擬所獲得 之使用等焭度線及等對比線表示之視角與亮度及對比度的相依性 圖。 圖29Α及29Β顯示在使用結合波長膜的情況下由模擬所獲得 之使用專7C度線及專對比線表示之視角與免度及對比度的相依性 圖。 圖30Α及30Β顯示在使用雙軸波長膜的情況下由模擬所獲得 之使用荨7C度線及荨對比線表不之視角與受度及對比度的相依性

34 1358566 圖31為在反射區域之像錢極(或共電極)财的反射膜橫 剖面圖。 圖32為本發明之上述實施例可施行之FFS模式液晶顯示裝置 的橫剖面圖。 圖33為第一實施例之ips模式液晶顯示裝置的橫剖面圖。 圖34A為習知之半穿透反射式液晶顯示裝置的橫剖面圖；而 圖34B為圖34A之液晶顯示裝置的示意圖。 圖35為在一專利公開案中所述之另一習知半穿透反射式液晶 顯示裝置的橫剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 :液晶顯示裝置 l〇a:液晶顯示裝置 l〇b :液晶顯示裝置 l〇c :液晶顯示裝置 10d:液晶顯示裝置 11 ··第一偏光膜 12 :對向基板(第一基板） 13 : LC 層 14 : TFT基板(第二基板） 14a : TFT 基板 15 第二偏光膜 16 反射膜 17 透明絕緣膜 18 λ/2波長膜 19 λ/2波長膜 20 透明共用電極 21 反射區域 35 1358566 22 :穿透區域 31 :閘極線 32 :資料線 33 : TFTs 34 ： TFTs 35 :第一像素電極 j：>a · 1豕I电被、琢 36 :第二像素電極 36a :像素電極線 37 :第一共用電極 37a :第一共用電極線 38 :第二共用電極 38a :第二共用電極線 39 :半導體層 39a : COM 線 39b :共用電極 40 :外覆層 40a :共用電極(COM)線 41 :平坦之外覆膜 42 :接觸孔 50 :液晶顯示裝置 50a :液晶顯示裝置 51 :第一偏光膜 52 :第二偏光膜 53 : LC 層 54 :反射膜 55 :反射區域 56 :穿透區域 57 :背光源 36 1358566 58 : λ/2波長膜 61 :第一基板(對向基板） 62 :第二基板(TFT基板） 63 :絕緣膜 100 :顯示區域 101 :液晶顯示裝置驅動器 一 λ 一 · 、^— r-3 CJ-»— —11 t- π Π rCr-rr · 口口 iUia :漱^"曰顯不衣直•猫勁态 111 :線記憶體 112 :灰度位準轉換器（T轉換器) 113 :多工器(MUX)

Claims (1)

1358566 _ . . 100年7月29日修正替換頁 • 95123747(無劃線）$ 十、申請專利範圍： ~ 1.;種半穿it反射式液晶顯示裝置，包含具有偏光軸彼此垂直之 一第一及一第二偏光膜、夾設於該第一偏光膜及該第二偏光膜間 . 之一液晶①C)層，該LC層定義出一像素之陣列，而每一像素包含 並列之一反射區域及一穿透區域，其: 該LC層之LC分子具有一長軸，此長軸係與在該反射區域入 射至該LC層之光的.偏振方向平行或垂直而延伸；及 該像素之母一者包含該反射區域中之一第一像素電極、該穿 透區域中之一第二像素電極、一第一共用電極及一第二共用電 極，且e亥像素之母一者設有：第一切換裝置，用以連結一資料線 與該第-像素電極；及第二切換裝置，用以連結該#料線與該第 二像素電極，該第一像素電極及第二像素電極接收該反射/區 該穿透區_所制的-像素信號，該第—共職極接收細固 該像素之該反射區域間所共用的一第一共用信號，該第二丘 極接收複數個該像素之該穿透區域間所共用的一第二共用g电 其中該第一共用信號實質上為該第二共用信號的一反^信^二， 2.如申請專利範圍第1項之半穿透反射式液晶顯示襄置， 反射區域巾包含-反射膜’該反細所具有之電位實質上等、^ 第一像素電極之電位與該第一共用電極之電位之間的_:中間^〜 位。. 私 3. 如申請專纖圍第2項之半穿透反射式液晶顯示妓， 反射膜之該電⑽決定於：該反細無第—像素電之雷: 輕合及該反射膜與該第一共用電極間之電容轉合^ 备 4. 如申請專繼圍第2項之半穿透反射歧晶顯稀置，盆 反射膜的該電位係由一電位設定電路來決定。 八 38 1358566 100年7月29日修正替換頁 95123747(無劃線） 95123747(無劃勒 5. ^申請專利賴第2項之半穿透反射式液晶顯錢置，其中在 ^弟-像素電極及該第-朗電極正後方之―區域中省略該反射 膜之一部分。 申請補額第2項之半穿透反射式液晶顯示裝置，豆 該弟-像素電極及該第-共用電極正後方 ^反射 ^分具有，表面，而該反射膜之其他部=== 7. —種半穿透反射式液晶顯示裝置，包含·· 一液晶(LC)層，其定義以一矩陣方式执 像素之每—射包含並列之—反射區域該 極及之每一者包含在該反射區财2第4 +電 及ίΪί透區域中之一第二像素電極；: 該像素中之每一者設有：—第一 素電極連接於供應資料的—資料線」‘ ’ ^該弟一像 將=二像素電極連接於該資:一切換裝置，與 之該穿透區域中且 共同連接之複該複數個像素之該反射區域中且 共同像素 請.其中該 第二共用電極供應 =貝料線，且其中對該第一及 另-者而獲得丨W 中之-者係藉由反轉該電壓中之 9. 一 H射式5晶顯示裝置， 岣層，其定義::d設 设置之一像素陣列，該 39 1358566 100年7月29日修正替換頁 你主丄， 95123747(無劃線） 像素之母-料包含並狀—反龍域及―穿透^^一 該像素中之每一者包含在該反射區域中之一二 極及在該穿透區域中之一第二像素電極；且 ’、 参帝素中之每一者設有：一第—切換褒置，將該第-像 素笔極連接於供應資料的一資料線；及一第二 將該第二像素電極連接於該資料線； 、、一 一^一閘極線，用以控制該第一切換裝置；及 一第二閘極線，用以控制該第二切換裝置， 資料線 其十，該第-及第二切換褒置儀連槔至共用的該 10. 含 晶顯示裝置，更包 .如申請專利範圍第9項之半穿透反射式液 資料轉換H ’用靖自該液晶顯示裝置 二信號的-第-灰度位準，轉換為待供應之-資 “像素電者的一第二灰度位準；該 德體’以在其中儲存自外部 . 該i 反射 C:域二 素電 該灰度位準轉換器利用一杳 J， 該第二灰度位準，該查找表列灰度位準轉換為 13:58566 100年7月29曰修正替換 η 、扣、 ‘ 95123747(無土】線)、、 種半牙透反射式液晶顯示裝置，包含—液晶(LC)層定義^Γ 該像素之每-者中包含並列之-反 在該之-第-像素電極及 該像素中之母—者設有：一第一切換裂一 極連接於供應資料的一資料線；及一將忒弟一像素電 像素電極連接於該資料線， —換裝置，與將該第二 次中每—行之該資料線包含連接至該第一切#t 貝枓線及連接至該第二切絲置的—第二㊁料‘換裝置的-第一 十一、圖式：

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