TWI356049B - Method for manufacturing ceramic compact - Google Patents

Description

1356049 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於以陶究基板為代表之陶究成形體之製造方 法，詳細而言’係、關於利用將被燒成體配設拘束層而抑制 被燒成體於平面方向收縮、且進行燒成之所謂拘束燒成工 序，所製造之陶瓷基板等陶瓷成形體之製造方法。 【先前技術】 陶兗電子零件中，就要求具有較高平面尺寸精度之陶究 基板等而言’由於燒成工序中於平面方向的燒成收縮'該 收縮之不均勻等會對產品品質造成較大影響。 因此’作為抑制如此之燒成工序之收縮而燒成陶究成形 體之方法，例如’提出有下述燒成方法：如圖4所示於 陶竞成形體51之兩主面形成以氧化銘等難燒結性材料為主 2成分之層(拘束層)52a、52b，且該廣於陶究成形體“之 燒成溫度實質上不會燒結，在此狀態下進行燒成（以下， 稱作「拘束燒成」），實質上可以並不產生平面方向之燒 成收縮之方式進行燒成（參照專利文獻1)。 然而，使用上述先前之燒成方法時，當燒成卫序結束 =’須要藉由濕式喷射等方法而物理地、機械地去除並未 結而殘留之拘束層，因此，存在製造工序複雜化之問 喊0 真又’近年來，伴隨著電子零件之小型化，當使用上述先 刖之燒成方法時要求陶瓷基板或陶瓷元件薄層化過程中， 例如’當製造多層陶兗基板時之拘束層之去除工序中存 123202.doc 1356049 又，請求項2之陶究成形體之製造方法，其特徵在於： 上述陶瓷成形體係陶瓷基板。 又，請求項3之陶究成形體之製造方法，其特徵在於. 請求項1或2之發明的結構中，上述第旧成工序中係以 使上述基材層所包含之上述玻璃材料渗透至上述拘束層= 方式進行燒成。 又，請求項4之㈣成形體之製造方法，其特徵在於. =項⑴中任一項之發明的結構中，上述燒毀材料係碳 粉末。 *又，請求項5之陶£成形體之製造方法，其特徵在於： 睛求項1至4中任一項之發明的結構中， 上述基材層包含黏合劑，且 於上述燒成工序之上㈣1燒成H具備去除上述 基材層所包含之上述黏合劑的脫黏合劑工序， 上述脫黏合劑工序中，係'於含氧氣體環境t、且於上述 燒毁材料不會燒毀之溫度進行實施。 又’睛求項6之陶瓷成形體之盥生 方法，其特徵在於·· 21 5 #-項之發明的結構中，上述積層體製作工 序中，上述拘束層係以將主要成分為上述燒毀材料之薄片 接觸於上述基材層之至少—主面之方式而配置。 又，請求項7之陶瓷成形體製 請求項1至6,任一項之發明的f其特徵在於·· μ + 發㈣結構中，上述積層體製作工 序中，上述拘束層係以將主 主要成刀為上述燒毀材料之漿料 塗佈於上通基材層之至少-主面之方式而形成。 123202.doc 1356049 又’請求項8之陶瓷成形體之製造 請求項1至7令任—項之發明的結構中 層構造，該多層構造具備複數個含有 玻璃材料之層。 广請求項9之陶竞成形體之製造方法，其特徵在於: 請求項1至8中^_項之發明的結構中，上述基材層中之至 少一主面具備布線圖案。

广請求項10之陶£成形體之製造方法，其特徵在於， =未項任-項之發明的結構中，其進而具備於上述 燒成工序中進行燒成之後的基材層外表面上安裝電子零件 之工序。 發明之效果 本_請案請求項1之陶瓷成形體之製造方法中，作為拘 束層’使用以於低氧氣體環境中燒成時不會燒毀、而當使 其於高於低氡氣體環境之氧氣分|中進行燒成時會燒毀之

方法’其特徵在於： ，上述基材層具有多 上述陶瓷粉末與上述 又材料為主成分的拘束層’故而，於第】燒成工序中， 當在低氧氣H環境中進行拘束燒成，且使基材層於平面方 向無收縮而燒結後，於第2燒成工序中，在比第1燒成工序 之氧氣分壓更南之條件下進行燒成，可使構成拘束層之燒 知材料燒毁，冑而’於燒成卫序中可實質地去除拘束層。 其=果為，如以上述專利文獻丨之方法進行拘束燒成之情 形般，燒成工序結束後，不需要藉由濕式喷射等而物理 地、機械地處理去除拘束層之工序，從而可使製造工序簡 化，並且，如使用上述先前之拘束層進行拘束燒成之情形 123202.doc 1356049 般，可防止去除拘束層之工序中被燒成體產生破裂或 等。 因此，根據本申請案發明，可無須實施複雜之製造工 序，且可以較佳的良率而製造出尺寸精度較高之陶究成形 體。 再者，本申請案發明之陶瓷成形體之製造方法中，於第 1燒成工序（拘束燒成卫序）中，拘束層發揮抑制基材層於平 面方向(與主面平行之方向)收縮的拘束力。#由該拘束 力，可抑制基材層於平面方向燒結收縮，從而實質上可僅 於厚度方向燒結收縮。故而’可確實地製造出平面方向之 尺寸精度較高之陶瓷成形體。 又’本中請案發明中’低氧氣體環境係指，與大氣等相 比氧氣分壓相當低之氣體環境’具體而言，可例如常壓下 ，氣分壓為1〇〜左右以下(即，氣體環境中之氧濃度為 1 vol%左右以下）之氣體環境。 作為該低氧氣體環境之更好的條件，❹可列舉.常壓 下氧氣分壓為1()·3〜1G·6如（氧濃度Wcm VGl%)之條 件。 〆、 又，第2燒成工序比第!燒成工序之氧氣分壓更高之氧氣 分壓條件仙，能夠使域燒毀材料燃燒錢毀之氧氣八 壓的氣體環境，具體而言可列舉：常壓下氧氣分壓為、二 二：，氣體環境中之氧濃度為1〇 ν〇ι%以上)之氣體 心。再者，氣體環境中之氧濃度可為1〇“。1%， 慮到製造成本，較好的是將大氣（氧氣分壓0.21 atm)設為 123202.doc 1356049 上限。 又，如清求項2所示，本申請案發明係適用於陶瓷成形 體中要求平面方向具有較高之尺寸精度及形狀精度的陶曼 基板的製造方法之較佳發明’使用本申請案發明，可有效 製造出尺寸精度較高之陶瓷基板。 又，當使用請求項3之陶瓷成形體之製造方法時，於第丄 燒成工序中，基材層所包含之玻璃材料向拘束層滲透，而 形成滲透層。並且，藉由該滲透層，可使拘束層與基材層 較強地接合，並且，藉由滲透層可確實地抑制、防止第1 燒成工序之基材層於平面方向收縮。 再者’為了能夠更確實地獲得拘束力，較理想的是基枯 層之玻璃材料確實地向拘束層滲透。因此，較理想的是以 密著於基材層之方式配設拘束層。 又，請求項4之陶瓷成形體之製造方法中，用作燒毀材 料之碳粉末’於第1燒成工序中，當於低氧氣分壓氣體環 境中燒成時並不燃燒，並且亦無收縮，故而，充分發揮抑 制基材層之燒成收縮的功能；又，第2燒成工序中，當在 氧氣分壓較高之條件下進行燒成時，燃燒且燒毀，故而， 第2燒成工序結束後無須實施用於去除拘束層之工序，從 而’經過拘束燒成工序即可有效地製作出尺寸精度較高、 以陶究基板為代表之多種陶瓷成形體，因此可使本申請案 發明更加具有實用價值。 再者’作為碳粉末’較理想的是使用粒徑在〇〇 μπι 範圍内者。其原因在於，當粒徑為100 μηι以下時，可獲得 123202.doc •10· 較大之抽虔* . ^ , ’又’ Μ粒徑為〇·1 μηι以上時，於第2燒成 序中則易於燒毀。碳粉末之粒徑更好的是在1〜5 μηι之範 ^内。將粒也設為5㈣以下則可更加確實地獲得拘束力， 右將粒控設為1 μηι以上則可更加確實地進行燒毀。 - =，請求項5之陶瓷成形體之製造方法中，於第1燒成工 ： ^於3氧氣體環境巾、且於上述燒毀材料不會燒毁之 又實施脫黏合劑工序，故而利用脫黏合劑卫序雄實地 φ 纟除基材層所包含之黏合劑之後’可順利地實施其後之進 拘束燒成的第1燒成工序、及燒毀構成拘束層之燒毁材 料的第2燒成工序。 再者Μ於實施脫黏合劑工序時之含氧氣體環境，可列 , ^纟氣氣體環境、或將大氣導人惰性氣體内之氣體環境 $ ’然而’通常’可於如大氣環境等氧氣分㈣高之條件 下則可有效地進行脫黏合劑處理。 又’本申請案發明中，作為形成拘束層之方法，可列 籲舉：如請求項6所示，預先製作包含燒毀材料之薄片，使 其接觸於基材層之至少一主面，以此方式而配置之方法； 或如請求項7所示，將包含燒毀材料之漿料塗佈於基材層 之至少一主面之方法等。 甘再者’為了確實地獲得拘束力’如上述所示，較理想的 是使拘束層密著於基材層，從而，使基材層之玻璃材料確 實地向拘束層滲透而形成滲透層。故而，較理想的是例 如：當積層以碳粉末為主要成分之碳薄片而形成拘束層 時’將碳薄片壓接於基材層而形成；或者當塗佈以碳粉 123202.doc -l f為主要成分之碳漿料而形成拘束層時，—邊施加 力使碳漿料密著於基材層，-邊進行塗佈。 二：二求項8之陶究成形體之製造方法般，將基#層 “夕層構造，藉此，可有效地製造出平面形狀精度優良 之以陶瓷基板為代表的多種陶瓷成形體。 月求項9之陶瓷成形體之製造方法中，於基材層之 至^主面形成有布線圖案，故而’當使用以該方法所製

以之陶竞成开v體時，如請求項1〇所示，可有效地製造出具 有向燒成工序所燒成後之基材層安裝電子零件而使其外表 面上搭載有電子零件之構造、且以陶竞基板為代表之陶兗 成形體。 【實施方式】 以下’就本申請案發明之較好的實施形態加以說明。 (1)拘束層

本申請案發明之陶究成形體之製造方法中，拘束層須要 具備下述2性質： ⑷發揮拘束層原本之功能，即直至構成基材層之低溫 燒結陶究材料燒結為止’即’於低氧氣體環境中進行燒成 之第1燒成工序中，抑制基材層之收縮； (b)其後，於氧氣分壓比第丨燒成工序更高之氧氣分壓條 件下進行燒成之第2燒成工序中燒毀。 並且，本申請案發明中，作為較好之拘束層，例如可使 用將碳粉末作為燒毀材料之拘束層。 又，例如，關於碳粉末等燒毁材料，較理想的是使用可 123202.doc •12· 1JD0U49 以該等燒毀材料 ，亦即，於第1 構成具有以下性狀的拘束層之燒毀材料： 為主要成分之拘束層可發揮充分之拘束力 燒成工序中難以出現收縮。 入 關於得成构束層之燒毀材料，較 权心的疋使用燃燒 -度較尚者’卩而可使第!燒成工序中燒毀材料不會完全 燃燒。又’藉由使用燃燒溫度較高者作為燒毀材料，從而 可提高脫黏合劑工序中之加熱溫度，&，可確實地進行脱

黏合劑處理，並且可擴大黏合劑之選擇範圍。再者，作為 碳粉末等燒毀材料，鲂 ^較理想的疋使用例如燃燒溫度為 600°C以上者。 又，為了使拘束層發揮充分之拘束力，較好的是基材層 所包含之玻璃材料確實地向拘束層渗透而形成滲透層。藉 此，較理想的是將拘束層冑著於基材I，以此方式進行配 設，使基材層之玻璃材料確實地向拘束層滲透。例如，當 積層拘束層用之薄片而形成拘束層時，較理想的是使薄片 壓接於基材層，又，當塗佈製料而形成拘束層時，較理想 的是於將印刷治具按壓於基材層錢其密著之狀態下塗佈 漿料。 又，如上述所示，作為燒毀材料之碳粉末，較理想的是 粒徑在1〜5 μιη之範圍内。當粒徑為5 μιη以下時，可獲得較 大之拘束力。當粒徑為i μιη以上時，在第2燒成工序中易 於燒毀。 又，關於拘束層，藉由於第1燒成工序後之第2燒成工序 中導入大氣，且於氧氡分壓較高之氣體環境中進行燒成， 123202.doc 13 1356049 ’為了使第2燒成工序中易 碳粉末、黏合劑、溶劑形 從而可使其燃燒、燒毀。再者 於燒毁’較好的是拘束層係由 成’且減少其他添加物。 (2)脫黏合劑工序 脫黏合劑工序，通常 合劑分解或燃燒之溫度 序0 可藉由於大氣中自室溫升溫至黏 且保持固定時間’而實施該工 分鐘，而可進行脫黏合劑處理。 再者，本申請案發明之„成形體之製造方法中 合劑工序較理相的县，认丄严丄 肌黏 斤孕n ’於大氣中等氧氣分壓較 境中實施而可獲得高效率。鈇 、體衣 寸门政旱然而，亦可於比大氣之氧 壓更低之氧氣分壓條侔下；隹/盼&人 和礼刀 堡條件下進仃脫黏合劑處理’根據情況， 7 ° &於Α11之氧氣分壓低之低氧氣料境下進> 脫黏合劑處理》 兄卜進仃 (3)燒成條件 ⑷第1燒成jl序’係於脫黏合劑卫序後藉由導 將基材層之燒結溫度升溫至例如87Gt而進行。 本申請案發明中，楚1榼4、1 第燒成工序十之低氧氣體環境係 才曰，比大氣之氧氣分塵更低之氧氣分虔氣體環境，发 是，當將氧氣分麼設為〗〇·3 6 、 s。又馮1〇〜10 atm時，拘束層不 毀、且可4實地拘束基材層，故而較佳。 (b)較理想的是，當第 ^ 田第1燒成工序結束後，於第2燒成工 入大氣，進行燒成。例如，藉由於7801：〜室溫之條 123202.doc S > 14· 1356049 件下燒成ίο分鐘，則可燒毀拘束層。 再者’如上述所示，亦可以不同之燒成溫度而實施第】 燒成工序以及第2燒成工序，然而，亦可以相同之燒成溫 度而實施各澆成工序。另外，亦可連續進行第丨燒成工序 與第2燒成工序，又，亦可於進行第1燒成工序後，暫時自 爐中取出後，再次放入爐中進行第2燒成工序。

以下，說明本申請案發明之實施例，從而進一步詳細說 明本申請案發明之特徵。 實施例1 圖1係表示藉由本申請案發明之實施例（實施例1)之陶瓷 基板/的製造方法而製造之陶瓷基板（多層陶瓷基板）的圖， 圖2係表示m基板上搭載有安裝零件之狀態的圖， 圖3係表示利用製造圖丨及圖2之陶瓷基板的工序而製造 之、具備拘束層之未燒成積層體的圖。 圖1所示之陶究基板A具備：對含有陶兗粉末與破璃材料

之低溫燒結陶兗原料組合物進行燒成而製成之絕緣性陶究 層1 ;以及，配設於絕緣性陶莞層1之導體部2。再者，該 實施例之陶究基板A，係具有由多個絕緣性陶完層i積層^ 成之多層構造的多層基板。 s 作為構成絕緣性陶瓷層 )瓦層1之低溫燒結陶瓷組合物， 如，可使用調配有氧化鋁系陶窨 示阀无杨末、及硼矽酸破璃系 璃粉末而成的低溫燒結陶瓷組合物。 ’、 又，導體部2係由位於陶瓷美# 尤丞扳八表面之表面導體（外 導體）2 1 ’配設於相互接入 按口之複數個絕緣性陶瓷層1、1 123202.doc 丄刀〇ϋ49 3的層間導體（内部導體）22,及連接於層間導體22彼此之 或者表面導體21與層間導體22之間的通孔導體Μ所構 表面導體21 '層間導體22，係藉由對由印刷導電性裝料 ' (例如’銀系導電性漿料)所形成之外部導體膜及内部導體 冑進行燒成而形成。又，通孔導體23例如係藉由向貫通孔 填充導電性㈣或導體粉末、且進行燒成而形成。 • 二’圖2中之搭載有電子零件之陶竟基板(多層陶曼基 • ’係藉由在圖1之陶究基板(多層陶兗基板)Ajl配設半 導體7"件或晶片電容器等安裝電子零件3a、3b而形成。 繼而，就該多層陶究基板八及3之製造方法加以說明。 以下，參照圖1至圖3進行說明。 ⑴首先’向混合有陶竟粉末與玻璃材料之混合粉末中 添，適量的黏合劑、分散劑、增塑劑及有機溶劑等’且使 該等混合，藉此而製作陶瓷漿料。 • 作為陶究粉末，可使用各種物質，此處例如可使用氧化 鋁粉末。 作為玻璃材料，可自開始含有玻璃粉末，亦可為於燒成 序中析出玻璃質者。又’關於如此之玻璃材料，亦可為 於燒成工序之至少最終階段析出結晶質、且藉此而結晶 者。作為玻璃材料，例如，可較佳地使用石夕酸鎮石、鎮黃 ^Μ心等可析出介電損失較小之結晶質的硼石夕酸玻 璃系玻璃粉末。 ⑺其次，藉由刮刀成形法等方法，將該陶莞漿料成形 I23202.doc 1356049 為薄片狀’從而製作基板用陶瓷生片la(圖3)。 (3)然後，於所獲得之基板用陶究生片（基板用生片層）la 上’根2須要而設置用關成通孔導體之貫通孔12(圖3)， 向X貝通孔12填充導電性漿料或導體粉末’從而形成未 燒結之通孔筝體1、, s 土 w也 (圖3)(再者，該實施例1中，係向貫通 孔12填充導電性漿料）。 ⑷又於基板用陶究生片1a上’根據須S ’例如藉由印 φ 刷銀系導電性漿料而形成未燒結之外部導體21a、内部導 體22a(參照圖3)。 (5)又，為了獲得拘束層，向於特定低氧氣體環境下不 會燒毀、然而當於比該低氧氣體環境之氧氣分慶更高之氧 乳分壓下進行燒成時會燒毁之燒毀材料中，分別添加適量 的黏合齊卜及有機溶劑等，且加以混合，藉此製作拘束層 用之聚料。並且’藉由刮刀成形法等方法，將該漿料成形 為薄片狀，從而可獲得拘束層用生片。 φ 再者，作為拘束層，可使用上述「實施方式」中之 「（1)拘束層」中所說明的拘束層。 具體而言，作為燒毀材料，較理想的是使用碳粉末，然 而並不限於此。 拘束層31之厚度較好的是100 μηι〜200 μηι。其原因在 於，將厚度設為100 μπι以上則可使拘束層進一步發揮功 能，又’藉由設為200 μιη以下，可容易地實施薄片成形。 再者’本實施形態中，準備用於拘束層之 '上述之拘束 層用生片’該拘束層用生片，例如亦可藉由將包含碳粉 123202.doc •17· 1356049 末、黏合劑及有機溶劑之漿料，塗佈於圖3所示之具有多 層構造之基材層（未燒成之陶瓷基板）A，之至少一主面而形 成。 (6)其次’如圖3所示，將多個基板用陶£生片ia以特定 ' 冑序積層，並且將拘束層31配置、積層、壓製於由積層基 板用陶瓷生片la而形成之具有多層構造的基材層（未燒成 之陶瓷基板）A'之兩主面。藉此，可製作出圖3所示之、具 φ 有於基材層（未燒成之陶瓷基板）A，之上下兩側配設有拘束 層3 1之構造的未燒成積層體32(參照圖3)。 #者，根據須#，亦可將該未燒成積層體32切割為適當 大小。 又，該實施例1中，積層有多個基板用陶瓷生片la，藉 此製作多層構造之基材層A，，然而，亦可將基板用陶瓷生 片la之數量設為一張，製作單層構造之基材層，從而可製 造單板型之陶瓷基板。 • 又，該實施例1中，於基材層（未燒成之陶瓷基板）A,的上 下兩側配設有拘束層31，然而亦可以拘束層31僅配設於基 材層（未燒成之陶瓷基板）A，的一主面之方式而構成。 (7)繼而，於低氧氣體環境中進行燒成而使未燒成之基 材層（陶瓷基板）燒結，使得該未燒成積層體32中構成基材 層（未燒成之陶瓷基板）A’的基板用陶瓷生片la所包含之低 溫燒結陶瓷材料燒結，然而構成拘束層3丨之燒毀材料並不 燒毁，拘束層3 1起到抑制基材層A，於平面方向收縮之功能 (第1燒成工序）；其後，於比第丨燒成工序之氧氣分壓更高 I23202.doc •18- 1356049 之氧氣分壓條件下進行燒成 料（第2燒成工序p 燒毀構成拘束層31之燒毀材 之構造的陶瓷基板A。 藉此，可獲得具有圖丨所示 <具體例>

向混合48重量。/。之陶曼粉末與52重量％之玻璃粉末而成 之100重量份之混合粉末中，分別添加適量的8重量份之黏 劑1重里伤之刀放劑、3重量份之增塑劑及8〇重量份之 有機溶劑’且加以混合，藉此製作陶瓷漿料。 再者該實施例中，陶兗粉末係使用氧化銘⑷2〇3)，玻 璃粉末係使用爛石夕酸玻璃。 接著，藉由刮刀成形法將該陶_充漿料成形為薄片狀，製 作厚度為50μιη之基板用陶瓷生片la(參照圖”。 然後，於所獲得之基板用陶瓷生片u上設置用以形成通 孔導體之貫通孔12，藉由向該貫通孔12填充銀系導電性漿 料’而形成通孔導體23a »

進而，藉由向基板用陶瓷生片上印刷銀系導電性漿料， 而形成未燒成之外部導體21a、内部導體22a(配線導體 臈）。 又，對2 μπι之100重量份之碳粉末調配12重量份之黏合 劑、1重量份之分散劑、4重量份之增塑劑及1〇〇重量份之 有機溶劑，且加以混合，藉此，製作拘束層用漿料。並 且’藉由到刀成形法將該拘束層用漿料成形為薄片狀，製 作拘束層用之厚度為1〇〇 μπι之拘束層（拘束用生片）。 其次，以特定順序配置10張基板用陶瓷生片u，於該基 I23202.doc -19- 1356049 板用陶究生片之積層體（㈣前之未燒成基材層）之上下兩 側主面配置、積層、屋製拘束層31，藉此製作未燒成積層 體32。 然後，於大氣中以lt/min之升溫速度自室溫升溫至 ,C保持1小時，進行脫黏合劑處理（脫黏合劑工序） 後’導入氮氣’於氧氣分壓為1〇·5 _之條件下以 之升溫速度自彻。c升溫至87代，且保㈣分鐘 (第1燒成工序）。 其後’導入大氣，於常壓下且氧氣分壓為〇21 _之條 件了保持1G分鐘，使拘束層31燒毁，藉此，獲得具有圖i 所不之構造的陶瓷基板A。 該實施例1中’利用拘束燒成工序而製造陶兗基板時， 作為拘束層’係使用含有於低氧氣體環境中燒成時不會燒 」而田於同於特疋低氧氣體環境之氧氣分壓進行燒成 時會燒毀之燒毀材料作為主成分的拘束層，於第i燒成工 序中’於低減體環境下進行拘束燒成錢基材層燒結， 於第2燒成工序中’在比第1燒成工序之氧氣分壓更高之條 件下進行燒成’從較構成拘束層之燒毁材料燒毁，故 而，當使用以難燒結性陶竟材料為主要成分之拘束層進行 拘束燒成時’於燒成工序結束後，要上料利文獻i 方法中之藉由濕式噴射等物理處理、機械處理去除拘束層 之工序；並且’可防止拘束層之去除工序中被燒成體產生 破裂或缺陷等。因此’藉由本申請案發明，可以較佳之良 率製造出尺寸精度較高之陶瓷基板。 123202.doc 20· 某板之e 2實施财，作為陶£成形體，係以製造陶兗 二2㈣為例進行說明，’然而切請案發明並不限於同 竞基板’亦可適用於以Μ線圈零件、陶UC複合零件等 陶是電子零件為代表的多種陶究成形體之製造方法。 進而本申明案發明之其他方面亦不限於上述實施例， 係與構成基材層之陶聽末及玻璃材料之具體種類或調配 比例、構成拘束層之燒毀材料的具體種類、第i及第2燒成 工序之具體條件、脫黏合劑卫序之處理條件等有關，於發 明之範圍内可施加各種應用、變形。 產業上之可利用性 如上述所示，藉由本申請案發明，不需要另外設置用於 燒成後去除拘束層之工序，因此不需要複雜之製造工序， 從而，可有效地製造平面方向之尺寸精度較高之陶瓷成形 因此’本申請案發明可廣泛地用於利用燒成工序而製造 之陶瓷成形體的製造領域中。 【圖式簡單說明】 圖1係表示藉由本申請案發明實施例（實施例丨）之陶瓷成 形體（陶瓷基板）之製造方法所製造出的陶瓷基板（多層陶竟 基板）的圖。 圖2係表示於圖1之陶瓷基板搭載有安裝零件之狀態的 圖。 圖3係表示經過製造圖1及圖2之陶瓷基板的工序所製作 出之具備拘束層的未燒成積層體的圖。 123202.doc 1356049 圖4係表示先前之、使用以難燒結性材料為主要成分之 拘束層而拘束燒成陶瓷成形體的方法的圖。 【主要元件符號說明】 1 絕緣性陶瓷層 la 基板用陶瓷生片 2 導體部 3a, 3b 安裝電子零件 12 貫通孔

21 表面導體（外部導體） 21a 未燒結之外部導體 22 層間導體（内部導體） 22a 未燒結之内部導體 23 通孔導體 23a 未燒結之通孔導體 31 拘束層

32 未燒成積層體 A 陶瓷基板（多層陶瓷基板） A' 基材層（未燒成之陶瓷基板） B 陶瓷基板（多層陶瓷基板） 123202.doc -22-

Claims (1)

1. 丨丨)0年ίί)月<9修正本 第〇96丨29413號專利申請案 十、申請專中文申請專利範圍替換本_年1〇月) 種陶究成形體之製造方法，其特徵在於，其包括：積 層體製作㈣，其係製作未燒成積層體，該未燒成積層 ^ 3基材層及拘束層’該基材層係含有陶瓷粉末與玻 璃材料，該拘束層係以接觸於上述基材層之至少一主面 之方式而配置，且以於低氧氣體環境中進行燒成時不會 燒呈又、但將氧氣分壓設為高於上述低氧氣體環境時進行 燒成則會燒毀之燒毁材料為主要成分；以及燒成步驟， 其係燒成上述未燒成積層體而使上述基材層燒結；且上 述燒成步驟包括： 第1燒成步驟，其係於上述低氧氣體環境中，於具備 上述拘束層之狀態下進行燒成，使上述基材層燒結；及 ，第2燒成步驟’其係於高於上述第i燒成步驟之氧氣分 壓的條件下進行燒成，使構成上述拘束層之上述燒毀材 料燒毀；且 上述燒毀材料係碳粉末，該碳粉末之粒徑為丨至5 μιη。 2. 如請求項丨之陶莞成形體之製造方法，其中上述陶兗成 形體係陶瓷基板。 3. 如請求項1或2之陶瓷成形體之製造方法，其中上述第工 燒成步驟中，係以使上述基材層所包含之上述玻璃材料 滲透至上述拘束層之方式進行燒成。 4·如請求項1或2之陶瓷成形體之製造方法，其中上述基材 層包含黏合劑，且 123202-1001025.doc 1356049 於上述燒成步驟之上述第1燒成步驟前，具備去除上 述基材層所包含之上述黏合劑的脫黏合劑步驟， 上述脫黏合劑步驟係於含氧氣體環境中、且於上述燒 毀材料不會燒毁之温度下實施。 5. 如請求項1或2之陶瓷成形體之製造方法，其中上述積層 體製作步肆中’上述拘束層係以將主要成分為上述燒毀 材料之薄片接觸於上述基材層之至少一主面之方式配置 而形成》 6. 如請求項〖或2之陶瓷成形體之製造方法，其中上述積層 體製作步驟中，上述拘束層係以將主要成分為上述燒毀 材料之漿料塗佈於上述基材層之至少一主面之方式而形 成。 7·如請求項1或2之陶瓷成形體之製造方法，其中上述基材 層具有多層構造，該多層構造具備複數個含有上述陶竟 粉末與上述玻璃材料之層。 8.如請求項1或2之陶瓷成形體之製造方法，其中上述基材 層之至少一主面具備布線圖案。 9·如請求項1或2之陶瓷成形體之製造方法，其中進而具 備：於上述燒成步驟中進行燒成後的基材層外表面上安 裝電子零件之步驟。 123202-100lQ25.doc ⑧