CN101472856A - 陶瓷成形体的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的陶瓷成形体的制造方法不需要在烧成工序结束后除去约束层的工序，可简化制造工序，并且可防止被烧成体在除去约束层的工序中损伤，能够以较高的原材料利用率制造尺寸精度高的以陶瓷基板为代表的陶瓷成形体。该制造方法使用以在低氧气氛中烧成时不会烧去、而在提高氧气分压实施烧成时会烧去的烧去材料为主要成分的约束层作为约束层(31)，将该约束层设置于经过烧成工序后成为陶瓷基板(陶瓷成形体)的基材层(A’)的至少一个主面，在第一烧成工序中，在低氧气氛下，在具备约束层(31)的状态下进行烧成(约束烧成)，使基材层(A’)烧结，在第二烧成工序中，在氧气分压高于第一烧成工序中的氧气分压的条件下进行烧成，藉此使构成约束层(31)的烧去材料烧去，不需要之后的除去约束层(31)的工序。

Description

陶瓷成形体的制造方法
技术领域
本发明涉及以陶瓷基板为代表的陶瓷成形体的制造方法，详细地说，本发明涉及在被烧成体上设置约束层，经过在抑制被烧成体在平面方向上的收缩的同时进行烧成，即约束烧成的工序制造的陶瓷基板等陶瓷成形体的制造方法。
背景技术
陶瓷电子器件中，在要求高平面尺寸精度的陶瓷基板等中，烧成工序中的平面方向上的烧成收缩和该收缩的偏差等对制品的品质造成很大影响。
因此，作为在抑制上述烧成工序中的收缩的同时烧成陶瓷成形体的方法，例如提出了如下烧成方法：如图4所示，通过在陶瓷成形体51的两个主面上形成有层(约束层)52a、52b的状态下进行烧成(下面称为“约束烧成”)，可在实质上不发生平面方向上的烧成收缩的情况下进行烧成，上述层52a、52b以在陶瓷成形体51的烧成温度下实质上不烧结的氧化铝等难烧结性材料为主要成分(参照专利文献1)。
然而，上述已有的烧成方法中，存在烧成工序结束后需要通过湿式喷砂(wetblasting)等方法利用物理或机械作用除去未烧结而残留下来的约束层的制造工序复杂的问题。
此外，上述已有的烧成方法中，随着近年来的电子器件的小型化，在要求陶瓷基板和陶瓷元件的薄层化的过程中，存在例如制造多层陶瓷基板时的在除去约束层的工序中基板发生开裂的问题。
专利文献1：日本专利特开平4—243978号公报
发明的揭示
本发明是解决上述问题的发明，其目的是提供在烧成工序结束后无需除去约束层，可简化制造工序，在除去约束层的工序中被烧成体不会发生开裂，可确实且高效地制造尺寸精度高的陶瓷成形体的陶瓷成形体的制造方法。
为解决上述问题，本发明的权利要求1的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，
包括叠层体制作工序和烧成工序，上述叠层体制作工序中，制作具备基材层和约束层的未烧成叠层体，该基材层含有陶瓷粉末和玻璃材料，该约束层以与上述基材层的至少一个主面相接的形态配置，且含有烧去材料作为主要成分，该烧去材料在低氧气氛中烧成时不会烧去，而在将氧气分压提高至高于上述低氧气氛的氧气分压并实施烧成时会烧去，上述烧成工序中，烧成上述未烧成叠层体而使上述基材层烧结，
上述烧成工序包括：
在上述低氧气氛中，在具备上述约束层的状态下进行烧成而使上述基材层烧结的第一烧成工序，和
在氧气分压高于上述第一烧成工序中的氧气分压的条件下进行烧成而使构成上述约束层的上述烧去材料烧去的第二烧成工序。
此外，权利要求2的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，上述陶瓷成形体是陶瓷基板。
此外，权利要求3的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，在权利要求1或2的发明的构成中，在上述第一烧成工序中进行烧成，使上述基材层所含的上述玻璃材料浸透至上述约束层。
此外，权利要求4的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，在权利要求1～3中任一项的发明的构成中，上述烧去材料是碳粉末。
此外，权利要求5的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，在权利要求1～4中任一项的发明的构成中，
上述基材层含有粘合剂，且
该制造方法包括在上述烧成工序中的上述第一烧成工序之前除去上述基材层所含的上述粘合剂的脱粘合剂工序，
上述脱粘合剂工序在含氧气氛中、且在上述烧去材料不烧去的温度下实施。
此外，权利要求6的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，在权利要求1～5中任一项的发明的构成中，上述叠层体制作工序中，配置含有上述烧去材料作为主要成分的片材，使其与上述基材层的至少一个主面相接，藉此形成上述约束层。
此外，权利要求7的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，在权利要求1～6中任一项的发明的构成中，上述叠层体制作工序中，将含有上述烧去材料作为主要成分的糊料涂布于上述基材层的至少一个主面，藉此形成上述约束层。
此外，权利要求8的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，在权利要求1～7中任一项的发明的构成中，上述基材层具有多层结构，该多层结构具备多个含有上述陶瓷粉末和上述玻璃材料的层。
此外，权利要求9的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，在权利要求1～8中任一项的发明的构成中，上述基材层在至少一个主面上具备布线图案。
此外，权利要求10的陶瓷成形体的制造方法的特征在于，在权利要求1～9中任一项的发明的构成中，还包括在上述烧成工序中烧成后的基材层的外表面上安装电子器件的工序。
本发明的权利要求1的陶瓷成形体的制造方法中，使用含有烧去材料作为主要成分的约束层作为约束层，该烧去材料在低氧气氛中烧成时不会烧去，而在将氧气分压提高至高于该低氧气氛的氧气分压并实施烧成时会烧去，因此，在第一烧成工序中在低氧气氛下进行约束烧成，在不使基材层沿平面方向收缩的情况下使其烧结后，可以在第二烧成工序中在氧气分压高于第一烧成工序中的氧气分压的条件下进行烧成，从而使构成约束层的烧去材料烧去，可以在烧成工序中实质性地除去约束层。其结果，与通过上述专利文献1的方法进行约束烧成的情况不同的是，不需要在烧成工序结束后通过湿式喷砂等物理或机械处理除去约束层的工序，可简化制造工序，并且与使用上述已有的约束层进行约束烧成的情况不同的是，可防止在除去约束层的工序中被烧成体发生开裂和缺陷等。
因此，利用本发明，无需复杂的制造工序就能够以较高的原材料利用率制造尺寸精度高的陶瓷成形体。
另外，本发明的陶瓷成形体的制造方法中，在第一烧成工序(约束烧成工序)中，约束层对基材层发挥约束力，以抑制基材层在平面方向(与主面平行的方向)上的收缩。而且，由于该约束力，基材层在平面方向上的烧结收缩被抑制，实质上仅在厚度方向上烧结收缩。因此，可确实地制造平面方向上的尺寸精度高的陶瓷成形体。
此外，本发明中，低氧气氛是指氧气分压与大气等相比相当低的气氛，具体可例举常压下的氧气分压为10-2atm左右以下(即，气氛中的氧气浓度为1vol％左右以下)的气氛。
作为该低氧气氛的更优选的条件，例如可例举常压下的氧气分压为10-3～10-6atm(氧气浓度为0.1～0.0001vol％)的条件。
此外，第二烧成工序中，氧气分压高于第一烧成工序中的氧气分压的条件是指具有可使上述烧去材料燃烧、从而使其烧去的氧气分压的气氛，具体可例举常压下的氧气分压为10-1atm以上(即，气氛中的氧气浓度为10vol％以上)的气氛。另外，气氛中的氧气浓度可以是100vol％，但考虑到制造成本，较好的是以大气中的氧气浓度(氧气分压为0.21atm)作为上限。
此外，如权利要求2所述，本发明适用于陶瓷成形体中希望平面方向上的尺寸精度及形状精度高的陶瓷基板的制造方法，通过使用本发明，可高效地制造尺寸精度高的陶瓷基板。
此外，权利要求3的陶瓷成形体的制造方法中，第一烧成工序中，基材层所含的玻璃材料浸透至约束层，形成浸透层。而且，约束层和基材层介以该浸透层牢固地接合，并且利用该浸透层来确实地抑制和防止第一烧成工序中基材层在平面方向上的收缩。
另外，为了确实地获得约束力，较好的是基材层的玻璃材料确实地浸透至约束层。因此，约束层较好的是以与基材层密合的形态设置。
此外，权利要求4的陶瓷成形体的制造方法中，在第一烧成工序中，在低氧气分压气氛中实施烧成时，作为烧去材料使用的碳粉末既不燃烧也不收缩，因此可充分地发挥抑制基材层的烧成收缩的功能，此外，在第二烧成工序中，在氧气分压较高的条件下进行烧成时，碳粉末燃烧而烧去，因此在第二烧成工序结束后无需实施除去约束层的工序，可经过约束烧成工序高效地制作尺寸精度较高的以陶瓷基板为代表的各种陶瓷成形体，这可使本发明更加有效。
另外，作为碳粉末，较好的是使用粒径在0.1～100μm范围内的碳粉末。这是因为，粒径为100μm以下时，可获得较大的约束力，此外，如果粒径为0.1μm以上，则碳粉末在第二烧成工序中易烧去。碳粉末的粒径更好的是在1～5μm范围内。如果粒径为5μm以下，则可更确实地获得约束力，如果粒径为1μm以上，则可更确实地使碳粉末烧去。
此外，权利要求5的陶瓷成形体的制造方法中，第一烧成工序之前的脱粘合剂工序在含氧气氛中、且在上述烧去材料不烧去的温度下实施，因此可通过脱粘合剂工序确实地除去基材层所含的粘合剂，可顺畅地实施之后的进行烧成的第一烧成工序及使构成约束层的烧去材料烧去的第二烧成工序。
另外，进行脱粘合剂工序时的含氧气氛可例举大气气氛和将大气导入惰性气体后的气氛等，但通常在大气气氛这样的氧气分压较高的条件下实施脱粘合剂工序可进行更高效的脱粘合剂。
此外，本发明中，作为形成约束层的方法，可例举权利要求6所述的预先制作含有烧去材料的片材，以与基材层的至少一个主面相接的形态配置该片材的方法，以及权利要求7所述的将含有烧去材料的糊料涂布于基材层的至少一个主面的方法等。
另外，为了确实地获得约束力，较好的是如上所述，约束层与基材层密合，使基材层的玻璃材料确实地浸透至约束层，从而形成浸透层。因此，例如在将以碳粉末为主要成分的碳片材层叠形成约束层时，较好的是将碳片材与基材层压接形成约束层，此外，在涂布以碳粉末为主要成分的碳糊料形成约束层时，较好的是在施加一定的压力使碳糊料与基材层密合的同时实施涂布。
此外，如权利要求8的陶瓷成形体的制造方法所述，通过将基材层制成多层结构，可高效地制造平面形状精度优良的以陶瓷基板为代表的各种陶瓷成形体。
此外，权利要求9的陶瓷成形体的制造方法中，在基材层的至少一个主面上形成有布线图案，因此，通过使用以该方法制造的陶瓷成形体，可如权利要求10所述，在烧成工序中烧成后的基材层上安装电子器件，高效地制造具有在外表面上搭载有电子器件的结构的以陶瓷基板为代表的陶瓷成形体。
附图的简单说明
图1是表示通过本发明的实施例(实施例1)中的陶瓷成形体(陶瓷基板)的制造方法制造的陶瓷基板(多层陶瓷基板)的图。
图2是表示在图1的陶瓷基板上搭载了安装器件的状态的图。
图3是表示在制造图1及图2的陶瓷基板的工序中制作的具备约束层的未烧成叠层体的图。
图4是表示以往的使用以难烧结性材料为主要成分的约束层来约束烧成陶瓷成形体的方法的图。
符号说明
1        绝缘性陶瓷层
1a       基板用陶瓷生坯
2        导体部
3a、3b   安装电子器件
12       贯通孔
21       表面导体(外部导体)
21a      未烧结的外部导体
22       层间导体(内部导体)
22a      未烧结的内部导体
23       通孔导体
23a      未烧结的通孔导体
31       约束层
32        未烧成叠层体
A         陶瓷基板(多层陶瓷基板)
A’       基材层(未烧成的陶瓷基板)
B         陶瓷基板(多层陶瓷基板)
实施发明的最佳方式
下面，对实施本发明时的优选方式进行说明。
(1)约束层
本发明的陶瓷成形体的制造方法中，约束层必须具备以下2种性质：
(a)直到构成基材层的低温烧结陶瓷材料烧结为止，即，在低氧气氛中进行烧成的第一烧成工序中，起抑制基材层的收缩的约束层原有的功能。
(b)在之后的在氧气分压高于第一烧成工序中的氧气分压的条件下进行烧成的第二烧成工序中烧去。
而且，作为本发明中的优选约束层，可使用以例如碳粉末作为烧去材料的约束层。
此外，例如碳粉末等烧去材料较好的是使用具有以其为主要成分的约束层可发挥足够的约束力的性状的材料，即，较好的是使用可构成在第一烧成工序中难以发生收缩的约束层的的材料。
此外，为使烧去材料不会在第一烧成工序中燃烧，构成约束层的烧去材料较好的是使用燃烧温度较高的材料。此外，通过使用燃烧温度较高的材料作为烧去材料，可提高脱粘合剂工序中的加热温度，确实地进行脱粘合剂，并且可增大粘合剂的选择范围。另外，作为碳粉末等烧去材料，较好的是使用例如燃烧温度为600℃以上的材料。
此外，为使约束层发挥足够的约束力，基材层所含的玻璃材料较好的是确实地浸透约束层，形成浸透层。因此，较好的是以与基材层密合的形态设置约束层，使基材层的玻璃材料确实地浸透至约束层。例如，在将约束用的片材层叠形成约束层时，较好的是将片材与基材层压接，此外，在涂布糊料形成约束层时，较好的是在将印刷架紧压在基材层上使其密合的状态下涂布糊料。
此外，如上所述，作为烧去材料的碳粉末较好的是粒径在1～5μm的范围内的碳粉末。粒径为5μm以下时，可获得较大的约束力。粒径为1μm以上时，容易在第二烧成工序中烧去。
此外，约束层通过在第一烧成工序后的第二烧成工序中导入大气，在氧气分压较高的气氛中实施烧成而燃烧，从而烧去。另外，为使约束层容易在第二烧成工序中烧去，约束层较好的是由碳粉末、粘合剂和溶剂形成，而减少其它添加物。
(2)脱粘合剂工序
脱粘合剂工序通常可通过在大气中从室温升温至粘合剂的分解或燃烧温度，然后保持一定时间来进行。
例如，可通过在大气中从室温升温至400℃，然后保持60分钟来进行脱粘合剂。
另外，本发明的成形体的制造方法中，脱粘合剂工序较好的是在大气中等氧气分压较高的气氛中进行，以获得较高的效率。但是，在氧气分压低于大气的氧气分压的条件下也可进行脱粘合剂，根据情况的不同，也可在氧气分压远低于大气的低氧气氛中进行。
(3)烧成条件
(a)第一烧成工序通过在脱粘合剂工序后导入氮气，然后升温至基材层的烧结温度，例如870℃来进行。
本发明中，第一烧成工序中的低氧气氛是指氧气分压低于大气的氧气分压的气氛，特别是将氧气分压设为10-3～10-6atm时，约束层不会烧去，可确实地约束基材层，因此较佳。
(b)第一烧成工序结束后，较好的是在第二烧成工序中导入大气进行烧成。例如可通过在780℃～室温的条件下烧成10分钟来使约束层烧去。
另外，第一烧成工序和第二烧成工序可以如上所述在不同的烧成温度下实施，但也可以将各烧成工序的烧成温度设为相同。此外，可以连续进行第一烧成工序和第二烧成工序，也可以在进行了第一烧成工序后暂时将基材层和约束层从炉中取出，然后再次送入炉中进行第二烧成工序。
下面揭示本发明的实施例，进一步对本发明的特征部分进行详细说明。
实施例1
图1是表示通过本发明的实施例(实施例1)中的陶瓷基板的制造方法制造的陶瓷基板(多层陶瓷基板)的图，图2是表示在图1的陶瓷基板上搭载了安装器件的状态的图，图3是表示在制造图1及图2的陶瓷基板的工序中制作的具备约束层的未烧成叠层体的图。
图1所示的陶瓷基板A具备对含有陶瓷粉末和玻璃材料的低温烧结陶瓷原料组合物进行烧成而成的绝缘性陶瓷层1和设置于绝缘性陶瓷层1的导体部2。另外，该实施例的陶瓷基板A是具有由多个绝缘性陶瓷层1层叠而成的多层结构的多层基板。
作为构成绝缘性陶瓷层1的低温烧结陶瓷组合物，可使用例如将氧化铝系的陶瓷粉末和硼硅酸盐系的玻璃粉末混合而成的低温烧结陶瓷组合物。
此外，导体部2由表面导体(外部导体)21、层间导体(内部导体)22和通孔导体23构成，该表面导体21位于陶瓷基板A的表面，该层间导体22设置于相互接合的多个绝缘性陶瓷层1之间，该通孔导体23将层间导体22相互连接，或将表面导体21和层间导体22连接。
表面导体21和层间导体22通过对外部导体膜及内部导体膜进行烧成而形成，该外部导体膜及内部导体膜通过印刷导电性糊料(例如银系导电性糊料)而形成。此外，通孔导体23例如通过向贯通孔填充导电性糊料或导体粉末，然后进行烧成而形成。
此外，图2的搭载有电子器件的陶瓷基板(多层陶瓷基板)B通过在图1的陶瓷基板(多层陶瓷基板)A上设置半导体元件和片状电容器等安装电子器件3a、3b而形成。
接着，就该多层陶瓷基板A及B的制造方法进行说明。
下面，参照图1～图3进行说明。
(1)首先，向陶瓷粉末和玻璃材料混合而成的混合粉末中分别添加适量的粘合剂、分散剂、增塑剂及有机溶剂，然后将它们混合，藉此制作陶瓷浆料。
作为陶瓷粉末，可使用各种陶瓷粉末，而这里使用例如氧化铝粉末。
玻璃材料可以从一开始就以玻璃粉末的形式含有，也可以是在烧成工序中析出玻璃质的材料。此外，上述玻璃材料可以是至少在烧成工序的最终阶段使结晶质析出，藉此结晶化的材料。作为玻璃材料，可优选使用例如镁橄榄石、镁黄长石或透辉石这样的可使介电损耗较小的结晶质析出的硼硅酸盐玻璃系的玻璃粉末。
(2)接着，通过刮刀涂布(doctor blade)法等方法将该陶瓷浆料成形为片状，制作基板用陶瓷生坯1a(图3)。
(3)然后，在所得的基板用陶瓷生坯(基板用生坯层)1a上根据需要设置用于形成通孔导体的贯通孔12(图3)，向该贯通孔12填充导电性糊料或导体粉末，藉此形成未烧结的通孔导体23a(图3)(另外，本实施例1中，向贯通孔12填充了导电性糊料)。
(4)此外，在基板用陶瓷生坯1a上根据需要印刷例如银系导电性糊料，藉此形成未烧结的外部导体21a和内部导体22a(参照图3)。
(5)此外，为了得到约束层，向在规定的低氧气氛中不会烧去、而在将氧气分压提高至高于该低氧气氛的氧气分压并实施烧成时会烧去的烧去材料中分别添加适量的粘合剂及有机溶剂等，然后将它们混合，藉此制作约束层用的浆料。然后，通过刮刀涂布法等方法将该浆料成形为片状，得到约束层用生坯。
另外，作为约束层，可使用上述的“实施发明的最佳方式”栏的“(1)约束层”项所述的约束层。
具体来说，作为烧去材料，较好的是使用碳粉末，但并不限定于此。
约束层31的厚度较好为100μm～200μm。这是因为，通过将厚度设为100μm以上，能够以一层起到约束层的作用，此外，通过将厚度设为200μm以下，可容易地进行片材成形。
另外，本实施方式中，准备了上述约束层用生坯以用于约束层，但也可以通过例如将含有碳粉末和有机溶剂的糊料涂布于具有图3所示的多层结构的基材层(未烧成的陶瓷基板)A’的至少一个主面来形成约束层。
(6)接着，如图3所示，按规定顺序层叠多个基板用陶瓷生坯1a，并且在具有通过层叠多个基板用陶瓷生坯1a而形成的多层结构的基材层(未烧成的陶瓷基板)A’的两个主面上配置并层叠约束层31，然后加压。藉此制作图3所示的未烧成叠层体32，该未烧成叠层体32具有在基材层(未烧成的陶瓷基板)A’的上下两侧设置有约束层31的结构(参照图3)。
另外，也可根据需要将该未烧成叠层体32切割成适当的大小。
此外，本实施例1中层叠多个基板用陶瓷生坯1a，制作多层结构的基材层A’，但也可以将基板用陶瓷生坯1a的块数设为一块，制作单层结构的基材层，制造单板型的陶瓷基板。
此外，本实施例1中，在基材层(未烧成的陶瓷基板)A’的上下两侧设置约束层31，但也能以仅设置于基材层(未烧成的陶瓷基板)A’的一个主面上的形态构成约束层31。
(7)接着，在低氧气氛中对该未烧成叠层体32进行烧成，使未烧成的基材层(陶瓷基板)烧结，在该低氧气氛中，构成基材层(未烧成的陶瓷基板)A’的基板用陶瓷生坯1a所含的低温烧结陶瓷材料烧结，而构成约束层31的烧去材料不烧去，约束层31起到抑制基材层A’在平面方向上的收缩的功能(第一烧成工序)，之后，在氧气分压高于第一烧成工序中的氧气分压的条件下进行烧成，使构成约束层31的烧去材料烧去(第二烧成工序)。
藉此，可得到具有图1所示的结构的陶瓷基板A。
<具体例>
向将48重量％的陶瓷粉末和52重量％的玻璃粉末混合而得的混合粉末100重量份中分别适量添加8重量份的粘合剂、1重量份的分散剂、3重量份的增塑剂及80重量份的有机溶剂，将它们混合，藉此制成陶瓷浆料。
另外，本实施例中，使用氧化铝(Al2O3)作为陶瓷粉末，使用硼硅酸盐玻璃作为玻璃粉末。
接着，通过刮刀涂布法将该陶瓷浆料成形为片状，制成厚度为50μm的基板用陶瓷生坯1a(参照图3)。
然后，在所得的基板用陶瓷生坯1a上设置用于形成通孔导体的贯通孔12，向该贯通孔12填充银系导电性糊料，藉此形成通孔导体23a。
然后，在基板用陶瓷生坯上印刷银系导电性糊料，藉此形成未烧成的外部导体21a和内部导体22a(布线导体膜)。
此外，相对于2μm的碳粉末100重量份，掺入12重量份的粘合剂、1重量份的分散剂、4重量份的增塑剂及100重量份的有机溶剂，然后混合，藉此制作约束层用浆料。然后，通过刮刀涂布法将该约束层用浆料成形为片状，制成约束层用的厚度为100μm的约束层(约束用生坯)。
接着，按规定顺序配置10块基板用陶瓷生坯1a，在该基板用陶瓷生坯的叠层体(加压前的未烧成基材层)的上下两侧的主面上配置并层叠约束层31，之后通过加压制成未烧成叠层体32。
然后，在大气中以1℃/min的升温速度从室温升温至400℃，保持1小时以进行脱粘合剂(脱粘合剂工序)，之后导入氮气，在氧气分压为10-5atm的条件下以1℃/min的升温速度从400℃升温至870℃，保持在870℃10分钟(第一烧成工序)。
之后导入大气，在常压下氧气分压为0.21atm的条件下保持10分钟，使约束层31烧去，藉此得到具有图1所示的结构的陶瓷基板A。
本实施例1中，为了制作经过约束烧成工序制造的陶瓷基板，使用了含有烧去材料作为主要成分的约束层作为约束层，该烧去材料在低氧气氛中烧成时不会烧去，而在将氧气分压提高至高于规定的低氧气氛的氧气分压并实施烧成时会烧去，在第一烧成工序中，在低氧气氛下进行约束烧成，使基材层烧结，在第二烧成工序中，在氧气分压高于第一烧成工序中的氧气分压的条件下进行烧成，使构成约束层的烧去材料烧去，所以与上述专利文献1的方法的情况，也就是使用以难烧结性陶瓷材料为主要成分的约束层进行约束烧成的情况不同的是，不需要在烧成工序结束后通过湿式喷砂等物理或机械处理除去约束层的工序，并且可防止在除去约束层的工序中产生的被烧成体的开裂和缺陷等的发生。因此，利用本发明，能够以较高的原材料利用率制造尺寸精度高的陶瓷基板。
另外，上述实施例中，以制造陶瓷基板作为陶瓷成形体的情况为例进行了说明，但本发明不限于陶瓷基板，可用于以陶瓷圈(cerami ccoil)器件、陶瓷LC复合器件等陶瓷电子器件为代表的各种陶瓷成形体的制造方法。
本发明在其它方面也不限定于上述实施例，关于构成基材层的陶瓷粉末及玻璃材料的具体的种类和配比、构成约束层的烧去材料的具体种类、第1及第二烧成工序中的具体条件、脱粘合剂工序中的处理条件等，可在发明的范围内作种种应用或改变。
产业上利用的可能性
如上所述，利用本发明，在烧成后不需要另外设置除去约束层的工序，无需复杂的制造工序就能高效地制造平面方向上的尺寸精度高的陶瓷成形体。
因此，本发明可广泛地应用于经过烧成工序制造的陶瓷成形体的制造领域。

Claims (10)

1.一种陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，
包括叠层体制作工序和烧成工序，所述叠层体制作工序中，制作具备基材层和约束层的未烧成叠层体，该基材层含有陶瓷粉末和玻璃材料，该约束层以与所述基材层的至少一个主面相接的形态配置，且含有烧去材料作为主要成分，该烧去材料在低氧气氛中烧成时不会烧去，而在将氧气分压提高至高于所述低氧气氛的氧气分压并实施烧成时会烧去，所述烧成工序中，烧成所述未烧成叠层体而使所述基材层烧结，
所述烧成工序包括：
在所述低氧气氛中，在具备所述约束层的状态下进行烧成而使所述基材层烧结的第一烧成工序，和
在氧气分压高于所述第一烧成工序中的氧气分压的条件下进行烧成而使构成所述约束层的所述烧去材料烧去的第二烧成工序。
2.如权利要求1所述的陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，所述陶瓷成形体是陶瓷基板。
3.如权利要求1或2所述的陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，在所述第一烧成工序中进行烧成，使所述基材层所含的所述玻璃材料浸透至所述约束层。
4.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，所述烧去材料是碳粉末。
5.如权利要求1～4中任一项所述的陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，
所述基材层含有粘合剂，且
该制造方法包括在所述烧成工序中的所述第一烧成工序之前除去所述基材层所含的所述粘合剂的脱粘合剂工序，
所述脱粘合剂工序在含氧气氛中、且在所述烧去材料不烧去的温度下实施。
6.如权利要求1～5中任一项所述的陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，所述叠层体制作工序中，配置含有所述烧去材料作为主要成分的片材，使其与所述基材层的至少一个主面相接，藉此形成所述约束层。
7.如权利要求1～6中任一项所述的陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，所述叠层体制作工序中，将含有所述烧去材料作为主要成分的糊料涂布于所述基材层的至少一个主面，藉此形成所述约束层。
8.如权利要求1～7中任一项所述的陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，所述基材层具有多层结构，该多层结构具备多个含有所述陶瓷粉末和所述玻璃材料的层。
9.如权利要求1～8中任一项所述的陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，所述基材层在至少一个主面上具备布线图案。
10.如权利要求1～9中任一项所述的陶瓷成形体的制造方法，其特征在于，还包括在所述烧成工序中烧成后的基材层的外表面上安装电子器件的工序。
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