JP2002261446A

JP2002261446A - 回路基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2002261446A
Application number: JP2001055329A
Authority: JP
Inventors: Seiichiro Hirahara; 誠一郎平原; Tatsuji Furuse; 辰治古瀬; Hideji Nakazawa; 秀司中澤; Akira Imoto; 晃井本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-02-28
Filing date: 2001-02-28
Publication date: 2002-09-13
Anticipated expiration: 2021-02-28
Also published as: JP4416342B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】焼成収縮挙動が異なる絶縁層が積層され、その
絶縁層の界面に導体層が形成された回路基板において界
面付近での剥離やクラックの発生を防止する。【解決手段】焼成収縮開始温度が異なる２種以上のセラ
ミック絶縁層１ａ、１ｇとセラミック絶縁層１ｂ〜１ｆ
を積層してなる絶縁基板１を具備するセラミック回路基
板１０において、焼成収縮挙動が異なる２つの絶縁層１
ａ，１ｂおよび１ｆ，１ｇが接する界面に導体層３ａ，
３ｂが配設されており、該界面内に形成された導体層３
ａ，３ｂの総面積を絶縁層界面の全面積の７０％以下と
し、焼成収縮挙動が異なる絶縁層が接する界面を２箇所
以上設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、内部導体層を具備
する回路基板において、平面方向での焼成収縮を抑制す
るとともに、焼成に伴うクラックの発生を防止した回路
基板とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術】従来、強度の弱い絶縁層を強度の強い絶縁
層で補強するためや回路基板の中に容量値の高いキャパ
シタを内蔵するために、絶縁層と、この絶縁層とは異な
る材料からなる異種材料絶縁層を積層した回路基板が知
られている（例えば、特開昭５９−１９４４９３号公報
参照）。

【０００３】また、２５ｔｈＩＮＴＥＲＮＥＰＣＯＮ
ＪＡＰＡＮ’９６ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｓｔ’ ９６
ＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅａｎｄＥｘｈｉｂｉｔｉｏｎ
ＪａｐａｎＣＯＮＮＥＣＴＯＲＪＺＰＡＮ’９６
ＳＥＭＩＮＡＲＲ８の活発化する高周波部品の動向
「移動体通信機器用セラミック多層機能基板」、あるい
はＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭｏｎｔｈｌｙ１９９６．
８「多層セラミック基板の新しい展開」においては、
異種材料を同時に焼成して一体化する回路基板が記載さ
れている。

【０００４】これらの文献には、比誘電率６．１、５Ｇ
ＨｚでのＱ値が３００のＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系
組成物からなる第１絶縁層と、比誘電率１５００、誘電
損失２．５％の高誘電率のＢａＴｉＯ₃系誘電体材料と
ＢａＯ−ＣａＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系ガラスからなる第
２絶縁層材料とを同時焼成した基板や、比誘電率７．１
ＭＨｚでのＱ値が１７００程度のＳｒ系ガラスとＡｌ₂
Ｏ₃からなる第１絶縁層と、比誘電率１００００、誘電
損失０．５％の鉛系ペロブスカイト型誘電体材料からな
る第２絶縁層材料とを同時焼成した基板が開示されてい
る。

【０００５】そして、これらの文献には、異種材料から
なる絶縁層を同時焼成によって一体化する為の必要条件
として、異種材料同士の焼成収縮挙動が一致することが
重要であると記載されている。

【０００６】一方、近年においては、回路基板の低コス
ト化や、回路基板上に形成された電極の寸法精度向上の
ため、焼成時のｘ−ｙ方向における回路基板の収縮率を
小さくすることが要求されており、上記従来の回路基板
では、この要求を達成することができなかった。

【０００７】このような要求を満足するため、近年で
は、未焼成のセラミック絶縁層の積層体に対して、Ａｌ
₂Ｏ₃焼結板を介して加圧しながら焼成して厚み方向への
焼成収縮を増大させる加圧焼成法や、積層体の表面に、
該積層体の焼成温度では焼結しない未焼成セラミック板
を接着して焼成することによって積層体の収縮を未焼成
セラミック板によって拘束し、厚み方向にのみ収縮させ
た後、未焼成セラミック板を削り取る方法（第２５５４
４１５等）が開発されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
加圧焼成法では、反りのないＡｌ₂Ｏ₃焼結板が必要であ
るとともに特殊な加圧手段が必要であった。また、未焼
成セラミック板によって拘束する方法では、焼成終了後
に未焼成セラミック板を削り取る必要があるために製造
工数が増える、という問題があった。

【０００９】そこで、特開平２００１−１５８７５号に
は、焼成収縮開始温度の異なる２種のセラミック成形体
を積層して同時焼成することによって焼成の収縮による
寸法変化を抑制することが提案されている。

【００１０】しかしながら、かかる構造の回路基板にお
いては、焼成収縮挙動が異なる絶縁層間に配設される導
体層のパターンによっては界面付近が剥離したり、界面
付近の絶縁層にクラックが生じるなどの問題があった。
特に、異種材料を積層した回路基板においては、一方の
セラミック材料を高誘電率系セラミックスによって構成
することが多いが、この場合、この高誘電率をコンデン
サとして機能させるために、高誘電率層の両側、即ち、
低誘電率層との界面に、面積の大きい電極を形成した場
合にその傾向が顕著であった。

【００１１】本発明は、このような事情に鑑みて案出さ
れたものであり、その目的は、焼成収縮挙動が異なる絶
縁層が積層され、その絶縁層の界面に導体層が形成され
た回路基板において、界面付近での剥離やクラックの発
生を防止することのできる回路基板とその製造方法を提
供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題に対して検討を重ねた結果、焼結挙動が異なる２つの
絶縁層間の界面に導体層を形成する場合、その導体層の
総面積を所定の比率以下に小さくすることによって、ク
ラックや剥離の発生を防止することができることを見い
だし本発明に至った。

【００１３】即ち、本発明の回路基板は、焼成収縮挙動
が異なる２種以上のセラミック絶縁層を積層してなる絶
縁基板と、該絶縁基板の前記焼成収縮挙動が異なる２つ
の絶縁層の界面に導体層を形成してなるセラミック回路
基板において、前記焼成収縮挙動が異なる２つの絶縁層
が接する界面に導体層を具備してなり、該界面の導体層
の総面積が、絶縁層の界面全面積の７０％以下であるこ
とを特徴とするものである。

【００１４】また、本発明の回路基板の製造方法によれ
ば、焼成収縮挙動が異なる２種以上の未焼成のセラミッ
ク絶縁層の界面に、導電性ペーストを塗布してなる内部
導体層を形成した積層体を作製した後、該積層体の平面
方向の収縮を抑制しながら焼成する回路基板の製造方法
において、前記界面内に形成された内部導体層の総面積
が、界面全面積の７０％以下であることを特徴とするも
のである。

【００１５】なお、本発明においては、上記焼成収縮挙
動が異なる２種以上のセラミック絶縁層の焼成収縮開始
温度が異なること、また、焼成収縮挙動が異なる絶縁層
が接する界面が２箇所以上存在することが互いの絶縁層
の焼成収縮を抑制する上で望ましい。また、界面内に形
成された内部導体層の厚みは、３０μｍ以下であること
がクラックや剥離の発生を抑える上で望ましい。

【００１６】また、本発明の配線基板は、焼成収縮挙動
が異なる２種のセラミック絶縁層の比誘電率が異なり、
高誘電率のセラミック絶縁層の両側に電極導体層を形成
してコンデンサとして機能させてなることを特徴とする
ものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明による回路基板の
一例の概略断面図を示すもので、図１において、回路基
板１０は、セラミック絶縁層１ａ〜１ｇが積層されたセ
ラミック絶縁基板１と、絶縁基板１の表裏面に形成され
た表面導体層２、基板１の内部に形成された内部導体層
３、導体層間を接続するためのビアホール導体４を有す
る。

【００１８】セラミック絶縁基板１は、焼成収縮挙動が
異なる２種以上のセラミック絶縁層によって形成され
て、この図１の回路基板では、絶縁層１ａ〜１ｇのう
ち、絶縁層１ａ，１ｇが、他の絶縁層１ｂ〜１ｆと収縮
開始温度が異なるセラミック材料から形成されている。

【００１９】さらに具体的には、上記絶縁層１ａ，１ｇ
と、絶縁層１ｂ〜１ｆとは、収縮開始温度が異なり、絶
縁層１ａ，１ｇは、収縮開始温度が低いセラミック材料
によって形成され、また他の絶縁層１ｂ〜１ｆは収縮開
始温度が高いセラミック材料によって形成されている。

【００２０】また、上記図１の回路基板においては、絶
縁層１ａ、１ｇは、他の絶縁層１ａ、１ｂ、１ｄ，１ｅ
よりも高誘電率を有し、その絶縁層１ａ、１ｇと他の絶
縁層１ｂ、１ｄとの界面には、絶縁層１ａ、１ｇから所
定の静電容量を取り出すための一対の電極導体層５が形
成されている。

【００２１】また、本発明の上記の回路基板１０は、焼
成収縮挙動が異なる、特に焼成収縮開始温度が異なる２
種以上のセラミック絶縁層１ａ〜１ｇの積層構造によっ
て、焼成収縮開始温度が低温側のセラミック絶縁層１
ａ、１ｇが焼結収縮する時、未収縮の高温側のセラミッ
ク絶縁層１ｂ〜１ｆが平面方向の収縮を抑制し、高温側
のセラミック絶縁層１ｂ〜１ｆが焼成収縮する時、焼成
によって収縮が完了した低温側のセラミック絶縁層１
ａ、１ｇによって平面方向の収縮が抑制される結果、回
路基板全体として平面方向の収縮が抑制された高寸法精
度の回路基板が得られる。

【００２２】このような回路基板１０において、本発明
によれば、焼成収縮挙動が異なる２種のセラミック絶縁
層の界面、即ち、絶縁層１ａと絶縁層１ｂとの界面に存
在する導体層３ａ、絶縁層１ｇと絶縁層１ｆとの界面に
存在する導体層３ｂが、いずれものその総面積が界面全
面積の７０％以下、特に５０％以下、さらには３０％以
下であることが重要である。

【００２３】即ち、焼成収縮挙動が異なるセラミック絶
縁層１ａ、１ｇと、絶縁層１ｂ、１ｆが接する界面では
互いに平面方向への焼成収縮を拘束し合うことによって
平面方向の収縮率が小さくなるので寸法精度の向上が図
れる。

【００２４】しかしながら、絶縁層１ａ、１ｇと絶縁層
１ｂや１ｆが導体層３ａ、３ｂによって隔たれた部分で
は、両絶縁層１ａ−１ｂ，１ｇ−１ｆ同士の拘束力が極
端に低下し、互いの界面での拘束力との差によって電極
導体層５の端部からセラミック絶縁層１ａ、１ｇ、１
ｂ、１ｆにクラックが発生するなどの問題が生じ易くな
る。そこで、前記したように導体層３ａ、３ｂのそれぞ
れの界面における総面積をその界面の全面積の７０％以
下にすることで互いの拘束力を高め、このような構造欠
陥を抑制することができる。

【００２５】また、この導体層３ａ，３ｂの厚みは３０
μｍ以下、特に２５μｍ以下であることが望ましい。こ
れは、界面に存在する導体層３ａ、３ｂの厚みが厚くな
りすぎると、導体層３ａ，３ｂ自体が、金属粉末を含む
導体ペースト等から形成されている場合、導体層３ａ，
３ｂ自体が収縮し、その厚みが大きいほど収縮も大きく
なる結果、収縮が抑制された絶縁層間で応力が発生し、
導体層３ａ，３ｂの剥離や絶縁層間の剥離を引き起こす
おそれがあるためである。

【００２６】また、両絶縁層１ａ−１ｂ，１ｇ−１ｆ同
士の拘束力を高める上では、界面の導体層３ａ、３ｂ
は、絶縁層１ａ、１ｂ、１ｇ、１ｆの周縁から１ｍｍ以
上、特に２ｍｍ以上内側領域に形成することが望まし
い。これは、焼成収縮挙動が異なる２つの絶縁層が周縁
部で互いに結合することができるために、焼成収縮抑制
効果を均一化することができるために、クラックなどの
発生をさらに防止することができる。

【００２７】なお、焼成収縮挙動が異なる２種のセラミ
ック材料Ａ、Ｂの積層順序は、図１の回路基板では、Ａ
ＢＢＢＢＢＡにて積層したが、ＡＢＡＢＡＢ、ＡＡＡＢ
ＡＡＡ，ＡＡＢＢＢＡＡ，ＡＡＢＡＢＡＡ，ＡＡＢＢＡ
ＡＡ，ＡＢＡＡＡＡのいずれでもよく、また、ＡとＢと
を反対に入れ換えてもよい。ただし、焼成収縮挙動の異
なる絶縁層同士が接する界面が１箇所では、拘束力の偏
在によって回路基板に反りが発生する場合があるため
に、界面が２箇所以上、特に偶数箇所に存在することが
望ましい。または界面が２箇所以上存在する場合、回路
基板の厚み中心に対して対照的な位置に界面が存在する
ことが望ましい。

【００２８】本発明におけるセラミック材料は、図１の
回路基板１０においては、一方の絶縁層１ａ、１ｇは、
低誘電率のセラミック材料である場合について説明した
が、このセラミック材料は、絶縁体、誘電体、磁性体の
いずれでも良く、焼成収縮挙動が異なるセラミック材料
は、例えば異なる組成のセラミック材料であったり、組
成が全く同一であってセラミック粒子の粒度分布や比表
面積が異なるセラミック材料であってもよい。特に組成
が異なることが最も焼成収縮挙動の制御が容易であり、
あらゆる要求特性に対応できる。また、この焼成収縮挙
動が異なるセラミック材料は、焼成収縮挙動が異なるも
のであればかまわないが、特に少なくとも焼成収縮開始
温度が異なることが望ましい。なお、焼成収縮挙動が異
なる２種以上のセラミックスは、例えば、焼結収縮挙動
の相違のみならず、目的に応じて、比誘電率が異なる、
強度が異なる、誘電損失が異なるなどの他の特性が異な
っていてもよい。

【００２９】また、図１の回路基板１０に形成される表
面導体層２、内部導体層３、ビアホール導体４、電極導
体層５は、導体層としてはＣｕ、Ａｇ、Ａｌの群から選
ばれる少なくとも１種の低抵抗金属からなることが高速
伝送化を図る上で望ましく、またセラミック絶縁層と同
時焼成して形成されることが望ましい。

【００３０】そのために、セラミック絶縁層は、１００
０℃以下の低温で焼成可能なセラミック材料、とりわ
け、大気中で焼成できるＡｇと同時焼成が可能な９６０
℃以下、特に９２０℃以下で焼成が可能なセラミック材
料が良い。

【００３１】上記のような低温焼成セラミック材料とし
ては、ガラス粉末系、ガラス粉末とセラミック粉末との
混合粉末系、酸化物粉末混合系などの周知の低温焼成セ
ラミック材料が用いられる。なお、上記ガラスとして
は、非晶質ガラス、結晶化ガラスのいずれでもよい。

【００３２】例えば、ガラス粉末５０〜１００重量部と
セラミック粉末０〜５０重量部からなることが望まし
い。ガラス粉末の具体的な組成例としては、必須成分と
して、ＳｉＯ₂２０〜７０重量部、Ａｌ₂Ｏ₃０．５〜３
０重量部，ＭｇＯ３〜６０重量部、任意成分として、Ｃ
ａＯ０〜３５重量部、ＢａＯ０〜３０重量部、ＳｒＯ０
〜３０重量部、Ｂ₂Ｏ₃０〜２０重量部、ＺｎＯ０〜３０
重量部、ＴｉＯ₂０〜１０重量部、Ｎａ₂Ｏ０〜３重量
部、Ｌｉ₂Ｏ０〜５重量部を含むものが挙げられる。

【００３３】また、セラミック粉末としては、Ａｌ
₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，ＭｇＴｉＯ₃，ＣａＺｒＯ₃，ＣａＴｉ
Ｏ₃，Ｍｇ₂ＳｉＯ₄，ＢａＴｉ₄Ｏ₉，ＺｒＴｉＯ₄，Ｓｒ
ＴｉＯ₃，ＢａＴｉＯ₃，ＴｉＯ₂から選ばれる１種以上
が挙げられる。

【００３４】上記組成のガラス粉末とセラミック粉末と
の組み合わせによれば、１０００℃以下での低温焼結が
可能となるとともに、導体層として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ
などの低抵抗導体を用いて形成することが可能となり、
また、低誘電率化も可能であり、高速伝送化に適してい
る。しかも、上記の範囲で種々組成を制御することによ
って、焼成収縮挙動を容易に制御、変更することができ
る。

【００３５】本発明の回路基板の製造方法についてより
具体的に説明すると、上記焼成収縮挙動が異なる２種以
上のセラミック材料、たとえば焼成収縮開始温度が低い
（Ｓ _A℃）セラミック材料Ａと、焼成収縮開始温度が高
い（Ｓ_B℃）セラミック材料Ｂを準備し、各セラミック
材料を用いてグリーンシートＡ、Ｂを作製する。グリー
ンシートＡ，Ｂは、所定のセラミック粉末組成物と有機
バインダーと有機溶剤及び必要に応じて可塑剤とを混合
し、スラリー化する。このスラリーを用いてドクターブ
レード法などによりテープ成形を行い、所定寸法に切断
しグリーンシートを作製する。

【００３６】次に、このグリーンシートＡ，Ｂにパンチ
ングなどによって貫通孔を形成し、その貫通孔内に導体
ペーストを充填し、表面導体層や内部導体層および電極
導体層を導体ペーストを用いてスクリーン印刷法などに
よって被着形成する。その際に、焼結収縮挙動が異なる
シート間に配設される導体層については、その総面積が
７０％以下、特に５０％以下、さらには３０％以下にな
るようにパターンの面積調整する。

【００３７】このようにして得られた各グリーンシート
Ａ，Ｂを、所定の積層順序に応じて積層して積層成形体
を形成した後、焼成する。

【００３８】また、積層成形体の製造方法としては、所
定の基板表面にセラミックペーストおよび導体ペースト
を順次塗布することにより積層化したり、セラミック材
料と光硬化性樹脂を含有するスリップ材を塗布乾燥し、
露光、硬化、現像を行い、さらに前記スリップ材を塗布
乾燥、露光、硬化、現像を繰り返して積層成形体を作成
しても良い。この場合に、必要に応じて現像して絶縁層
成形体に形成された貫通孔内に導電性ペーストを充填し
たり、絶縁層成形体表面に導体ペーストを用いて内部導
体層を形成してもよい。

【００３９】焼成にあたっては、まず、収縮開始温度が
低いシートＡの収縮開始温度Ｓ_Aに到達後、徐々に昇温
するか、焼成収縮開始温度Ｓ_Aよりも高く、シートＢの
焼成収縮開始温度Ｓ_Bよりも低い温度で、一次的に炉内
温度を保持してシートＡを焼成収縮させる。この時、シ
ートＡは、その温度で焼成収縮しないシートＢによって
ｘ−ｙ方向への収縮が抑制されｚ方向に焼成収縮する。

【００４０】その後、シートＡの焼結が進行し、望まし
くは最終焼成体積収縮量の９０％以上収縮した後、シー
トＢの焼結開始温度ＳＢ以上に昇温して焼成する。この
焼成によって、シートＢは、焼結がほぼ完了したシート
Ａによってｘ−ｙ方向への焼成収縮が抑制されｚ方向に
焼成収縮する。その結果、シートＡおよびシートＢとも
にｘ−ｙ方向への焼成収縮が抑制されｚ方向に焼成収縮
した、寸法精度の高い基板を作製することができる。

【００４１】

【実施例】以下の方法により、図１の構造の回路基板を
作製した。まず、ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭｇＯ−ＺｎＯ
−ＢａＯ−Ｂ₂Ｏ₃ガラス粉末８２重量％と、平均粒径が
約１μｍのＳｉＯ₂粉末１８重量％からなるセラミック
材料Ａ（焼成収縮開始温度７６０℃、比誘電率６．５）
と、モル比で０．９２ＭａＴｉＯ₃−０．０８ＣａＴｉ
Ｏ₃の主成分１００重量部に対して、Ｂ₂Ｏ₃１４重量
部、Ｌｉ₂ＣＯ₃７重量部、ＳｉＯ₂０．０１重量部、Ｂ
ａＯ１．６重量部、Ａｌ₂Ｏ ₃０．５重量部、ＭｎＯ
₂１．５重量部からなる平均粒径が約１μｍのセラミッ
ク材料Ｂ（焼成収縮開始温度８５０℃、比誘電率１９）
を準備した。このセラミック材料Ａ、Ｂに対して各々バ
インダー等を混練したスラリーをドクターブレード法に
てグリーンシートＡ，Ｂに加工した。

【００４２】層構成は、ＡＢＢＢＢＢＢ、ＡＢＢＢ
ＢＢＡ、ＡＢＡＢＡＢＡの３種として、各シートに貫
通孔を形成し、その貫通孔内にＡｇ粉末を含む導体ペー
ストを充填した。そして、各グリーンシートの表面に上
記の導体ペーストを用いて表面導体層、内部導体層およ
び電極導体層を印刷形成した。これらのグリーンシート
を位置合わせした後、積層して、大気中にて９００〜９
３０℃で焼結一体化した。

【００４３】一方、比較としてＡＡＡＡＡＡ，ＢＢ
ＢＢＢＢの層構成のものについて同様な導体層を形成し
回路基板を作製した。

【００４４】なお、ここで、各シートの厚みはすべて
０．１０ｍｍとした。また、シートＡとシートＢ間に位
置する導体層の面積を表１の比率で制御した。また、各
シートの導体層の形成は、シートの周縁から２ｍｍ以上
内側の領域に形成した。

【００４５】作製した回路基板に対して平面方向の収縮
率（ｘ方向、ｙ方向の収縮率の平均値）と、クラックの
有無、回路基板全体の反り量を評価した。

【００４６】ここで、反り量は、回路基板（１００ｍｍ
角）について表面粗さ計で基板表面の表面粗さを測定
し、最大、最小の差を反りとして評価した。

【００４７】また、クラックについては回路基板の側
面、表面、あるいは研磨して研磨面を金属顕微鏡あるい
は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって、シートＡ，シ
ートＢ界面の剥離や界面付近でのクラックの有無を調べ
た。

【００４８】これらの結果を表１に示す。

【００４９】

【表１】

【００５０】表１に示したこれらの結果から、本発明に
界面に位置する導体層の面積比率が７０％を超える試料
Ｎｏ．５、１０、１７では、クラックあるいはデラミネ
ーションが生じた。これに対して、面積比率を７０％以
下にすることによって、クラックやデラミネーション
（層間剥離）の発生がなく、また反り（平坦性）も小さ
く、焼成収縮率も小さく出来ることが判る。特に、界面
を２箇所以上、対照位置に形成したでは特に焼成収
縮も小さく反りも小さいものであった。

【００５１】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、例
えば焼成収縮開始温度といった焼成収縮挙動が異なる２
種以上のセラミック絶縁層を積層してなり、その絶縁層
の界面に配設される導体層の面積を小さくすることによ
って、クラックや界面での剥離の発生を防止することが
できる。その結果、焼成収縮挙動の相違を利用した寸法
精度の高い回路基板を作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミック回路基板の一例を示す概略
断面図を示す。

【符号の説明】

１０・・・回路基板１・・・絶縁層２・・・表面導体層３・・・内部導体層４・・・ビアホール導体

フロントページの続き (72)発明者井本晃鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 5E346 AA02 AA12 AA15 AA22 AA32 AA51 BB01 BB15 CC16 CC18 CC32 CC34 CC39 DD34 EE21 EE24 EE25 EE27 EE28 EE29 GG06 GG08 GG09 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】焼成収縮挙動が異なる２種以上のセラミッ
ク絶縁層を積層してなる絶縁基板を具備するセラミック
回路基板において、前記焼成収縮挙動が異なる２つの絶
縁層が接する界面に導体層が配設されており、該界面の
導体層の総面積が、絶縁層界面の全面積の７０％以下で
あることを特徴とする回路基板。
【請求項２】焼成収縮挙動が異なる２種以上のセラミッ
ク絶縁層の焼成収縮開始温度が異なることを特徴とする
請求項１記載の回路基板。
【請求項３】焼成収縮挙動が異なる絶縁層が接する界面
が２箇所以上存在することを特徴とする請求項１または
請求項２の回路基板。
【請求項４】前記界面内に形成された内部導体層の厚み
が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請
求項３のいずれか記載の回路基板。
【請求項５】焼成収縮挙動が異なる２種のセラミック絶
縁層の比誘電率が異なることを特徴とする請求項１乃至
請求項４のいずれか記載の回路基板。
【請求項６】焼成収縮挙動が異なる２種以上の未焼成の
セラミック絶縁層の界面に、導電性ペーストを塗布して
なる内部導体層を形成した積層体を作製した後、該積層
体の平面方向の収縮を抑制しながら焼成する回路基板の
製造方法において、前記界面内に形成された内部導体層
の総面積が、界面全面積の７０％以下であることを特徴
とする回路基板の製造方法。
【請求項７】焼成収縮挙動が異なる２種以上の未焼成の
セラミック絶縁層の焼成収縮開始温度が異なることを特
徴とする請求項５記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】前記積層体中に、焼成収縮挙動が異なる未
焼成のセラミック絶縁層が接する界面が２箇所以上存在
することを特徴とする請求項６または請求項７の回路基
板の製造方法。
【請求項９】前記内部導体層の焼成後の厚みが１０μｍ
以上であることを特徴とする請求項６乃至請求項８のい
ずれか記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】焼成収縮挙動が異なる２種以上のセラミ
ック絶縁層の比誘電率が異なることを特徴とする請求項
６乃至請求項９のいずれか記載の回路基板の製造方法。