TWI354855B - Manufacturing method of liquid crystal display - Google Patents

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TWI354855B TW095126604A TW95126604A TWI354855B TW I354855 B TWI354855 B TW I354855B TW 095126604 A TW095126604 A TW 095126604A TW 95126604 A TW95126604 A TW 95126604A TW I354855 B TWI354855 B TW I354855B
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Nam-Seok Roh
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Description

1354855 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於透射反射型顯示器裝置之製造。 【先前技術】 最近，尤其諸如液晶顯示器（LCD)裝置、電漿顯示面板 (PDP)、有機發光二極體（OLED)及電泳指示顯示器之顯示 器裝置在各種顯示應用中已逐漸替代陰極射線管（CRT)。 液晶顯示器包括其上形成薄膜電晶體之薄膜電晶體基 板，其上形成彩色濾光片之彩色濾光片基板，及具有插入 在薄膜電晶體基板與彩色渡光片基板之間的液晶層之液晶 面板。由於該液晶面板為不發光元件，因此常在薄膜電晶 體基板背面上安置一背光單元以提供光。藉由背光單元所 發射之經透射穿過液晶層之光的量係根據該層中液晶分子 之排列狀態進行調整。藉由控制光之透射而在液晶面板上 顯示所要影像。 液晶顯示器根據所用光源類型可分為透射型、反射型及 透射反射型。透射型液晶顯示器允許光（例如來自背光單 元之光）透過液晶面板，從而顯示持續高品質的影像而不 考慮環*兄中可用光的量。其中在像素電極之全部表面上形 成反射層之反射型液晶顯示器利用環境中的光以顯示影 像。反射型液晶顯示器之優點為其不依賴背光單元作為唯 一光源，因此僅消耗約30°/。之透射型液晶顯示器所消耗功 率之篁。反射型液晶顯示器包括反射來自環境中之光之反 射層且利用該反射光以顯示影像。 、
112807.doc 透射反射型液晶顯示器合併了透射型液晶顯示器之可持 續產生高品質影像之能力及反射型液晶顯示器之可於低功 耗下運行之能力》可實現高影像品質之該透射反射型液晶 顯示器尺寸小、重量輕，且具有低功耗需求。該透射反射 型液晶顯示益尤其利用環境及背光單元中的光以禮保適宜 充度而不考慮％境變化。有利的是’調變亮度之能力不僅 確保影像具有足夠亮度而且可根據發光條件調整。例如， 透射反射型液晶顯示器允許使用者即使在直接日光下，亦 可觀看靜態及動態影像以及字元資訊。 當製造透射反射型液晶顯示器之薄膜電晶體基板時，塗 覆一有機鈍化層至母板之實質上全部表面上，使用一狹缝 遮罩在待用作薄膜電晶體基板之絕緣基板上所形成之有機 鈍化層表面内形成凹凸圖案’且相繼形成像素電極及反射 層。該凹凸圖案係用於誘發反射層之漫反射及光散射。 可藉由半爆露法或拋光法形成凹凸圖案。半曝露法需要 進行多次光微影處理以形成凹凸圖案、接觸孔等，且因此 需要長的製造時間及高昂的製造成本。至於使用狹縫遮罩 的方法’其不能誘發適宜的漫反射及散射，，此係由於凹凸 圖案具有低的良率及反射效率。 需要一種在薄膜電晶體基板中形成凹凸圖案而無上述問 題之方法。 【發明内容】 因此’本發明之一態樣係提供製造顯示器裝置之方法， 其能提高凹凸圖案之良率及反射效率且簡化製造過程。 112807.doc 1354855 本發明之其他特徵將在以下描述中進行闞明且部分自 該描述中將顯而易見’或可自本發明之實賤得以瞭解。 本發明之一態樣係製造顯示器裝置之方法。該方法需 要：製備-絕緣基板，·在該絕緣基板上形成一間極線及一 資料線，該閘極線及該資料線沿彼此垂直之方向延伸同時 彼此之間保持絕緣，閉極線及資料線界定—像素區域·在 該閘極線及該資料線交叉處形成-薄膜電晶體；在該薄膜
電晶體上形成一有機純化層；將一 、 .肝具有一凹凸圖案之模型 置放在該有機鈍化層上以使該凹凸㈣與像素區域對準； 按壓該模型’且在有機鈍化層之表面上形成該凹凸圖案； 且在該有機純化層上形成一像素電極。 【實施方式】 現將詳細論述本發明之實施例，其實例說明於附圖中， 其中相似標號在全文中係指相似元件。下文參考圖式描述 該等實施例以解釋本發明。 當-層被稱為在另-層或基板之"上"時，可S解為其直 接在另一層或基板上或亦可存在介入層。 圖1係本發明之第一實施例之母棱材料平面示意圖，圖2 為圖1中標記為·Α’之區域之配置’且圖3為沿圖2中點線ιπ_ in切割之剖面圖。 參看圖V 2及3，根據本發明之第一實施例之液晶面板i 包括-薄膜電晶體基板（第-基板）丨⑽、彩色濾光片基板 (第二基板）200，及位於第一基板1〇〇與第二基板2〇〇之間 的液晶層300。 112807.doc -8 - 1354855 下文首先將對薄膜電晶體基板100進行描述。 如圖1中所示，複數個第一基板100藉由已知薄膜電晶體 基板製造方法由一巨大的母板材料10製造。儘管圖1說明 24塊絕緣基板110可由母板材料10製造，但此為一實例而 非意味予以限制。在絕緣基板110間之區域（下文中被稱為 周邊區域）上所形成之有機鈍化層在隨後曝露及顯影處理 * 期間將被移除。 鲁 圖2係圖1中標記為·Α·之區域擴展圖。參看圖2及3，本文 中集體稱為"閘極線路"之閘極線121、閘電極122及閘極墊 123係在第一絕緣基板11 〇上形成。該等閘極線路可形成為 單一金屬層或複數個金屬層。閘極線121沿第一方向延 伸’閘電極1 22連接至閘極線121，且閘極墊123連接至閘 驅動器（未圖示）以接收驅動訊號。 由氮化矽SiNx等製得之閘極絕緣薄膜130係沈積於第一 絕緣基板110及閘極線路上。 # 由諸如非晶矽等之半導體製得之半導體層140係於在閘 電極122之上及其周圍之區域中之閘極絕緣薄膜130上形 成。由諸如n+非晶矽氫化物等之材料製得之歐姆接觸層 150係於半導體層14〇上形成，該歐姆接觸層中以一高濃度 - 摻雜矽化物或n型雜質。在源電極162與汲電極163之間的 通道區域上無歐姆接觸層15〇。 本文中集體稱為"資料線路"之資料線161、源電極162及 汲電極163係於電阻接觸層15〇及閘極，絕緣薄膜13〇上形 成。該等資料線路可形成為單一層或複數個層，其中至少 H2807.doc 1354855 一層由金屬製成。該資料線161以垂直於閘極線12丨之方向 延伸，同時與閘極線121保持電絕緣。資料線161及閘極線 121界定像素。源電極162自資料線161延伸且覆蓋歐姆接 觸層150。汲電極163係與源電極相分離且覆蓋橫跨閘電極 122在源電極162對面之歐姆接觸層150。 在資料線路及半導體層140所曝露表面上形成一有機鈍 化層170。在該有機鈍化層17〇上形成凹凸圖案175、用於 暴露汲電極163之汲極接觸孔171及閘極墊接觸孔172 ^在 有機鈍化層170上亦形成一連接至用於施加驅動訊號至閘 極線121及資料線161之閘極驅動器（未圖示）及資料驅動器 (未圖示）之資料墊接觸孔173。在有機鈍化層170表面内形 成之凹凸圖案175誘發光散射且因此增強反射率。為增強 薄膜電晶體T之可靠性’可在有機鈍化層i 70與薄膜電晶體 T之間另外形成一諸如氮化矽之無機絕緣薄膜（未圖示）。 此處’該有機鈍化層170可為一高黏度、可保持形狀之有 機層。有機鈍化層170之黏度為1〇,〇〇〇 cp或更大黏度。 在其中形成凹凸圖案175之有機鈍化層170之上表面上形 成一像素電極180。該像素電極180由諸如氧化銦錫（ITO) 或氧化銦鋅（IZO)之透明導電材料製成。像素電極18〇經由 汲極接觸孔171電連接至汲電極163。接著，在閘極墊接觸 孔172及資料墊接觸孔173上形成第二接觸構件181及182。 第二接觸構件181及182—般由諸如ITO或IZO之透明導電 材料製成。在像素電極180之表面上自動形成一凹凸圖 案，在所形成之該凹凸圖案'175上有一大體不變之厚度。 112807.doc •10· 1354855 在像素電極180上形成一反射層190。由閘極線121及資 料線161所界定之像素區域係劃分成一其上無反射層19〇之 透射區域及其上形成反射層190之反射區域。在透射區域 中’自背光單元（未圖示）所發射光經透射離開液晶面板1。 在其上形成反射層190之反射區域中，自外界入射之光在 離開液晶面板1之前被反射。反射層190主要由鋁或銀製 成。或者，該反射層190可形成為鋁與鉬之雙層結構。如 上所述，在像素電極180上形成反射層190。由於在像素電 極180之表面上所形成之凹凸圖案，進而接著在反射層19〇 之表面上形成凹凸圖案。 現在，將描述彩色濾光片基板200。 在第二絕緣基板21 0上形成一黑色矩陣220。該第二絕緣 基板210可類似於第一絕緣基棱11〇由母板材料進行製 備。該黑色矩陣220 —般用於使紅、綠及藍濾光片彼此分 離且防止光直接發射至位於第一基板1〇〇上之薄膜電晶體丁 上。黑色矩陣220 —般由含黑色顏料之感光性有機材料製 成。該黑色顏料可為碳黑或氧化鈦等。 接著，彩色濾光片230 (每一者皆為230)以在黑色矩陣 220間重複形成紅、綠及藍色濾光片之方式排列。當由背 光單元（未圖示）所發射之白光透過液晶層3〇〇之後，每一據 光片230給予該白光一色彩。彩邕濾光片23〇一般由感光性 有機材料形成。 ， 在彩色濾光片230及其上無彩色濾光片230存在之黑色矩 陣220之所曝露表面上形成一塗層24〇。塗層24〇保護彩色 I12807.doc -11 - 1354855 濾光片23 0且使彩色濾光片230之一表面平坦化。該塗層主 要由丙烯酸環氧酯材料形成。 接著在塗層240之全部表面上形成一共同電極250。該共 同電極250由諸如ITO或IZO之透明導電材料製成。共同電 極250及薄膜電晶體基板1〇〇之像素電極180直接施加一電 壓至液晶層300上》 接著在薄膜電晶體基板100與彩色濾光片基板200之間注 入液晶層300，且該等基板1〇〇及200藉由一密封劑（未圖示） 結合。 下文將說明根據本發明之第一實施例，製造液晶顯示器 之方法。尤其說明製造薄膜電晶體基板之方法。 圖4A至4E係沿圖1中線iV_IV切割之絕緣基板11()之剖面 圖。參看圖4A至4E，將描述在第一基板1〇〇之有機鈍化層 170中形成凹凸圖案175之方法。 首先’如圖2及3所示’在第一絕緣基板11〇上沈積一閘 極線路材料後’使用光罩藉由光微影處理進行圖案化。該 光微影處理產生閘極線i 21、閘電極122、閘極墊123等。 接著’相繼塗覆一閘極絕緣薄膜13〇、半導體層14〇及一電 阻接觸層150。 此後’藉由在半導體層14〇及電(I且接.觸層15〇上進行光微 影處理，在閘電極1Z2上之閘極絕緣薄膜13〇上形成所得半 導體層140 °在該半導體層140上形成電阻接觸層150。 接著在塗覆一資料線路材料後，使用光罩藉由光微影處 理進行圖案化’以形成資料線161 '源電極162及汲電極 112807.doc •12· 1354855 163。#刻歐姆接觸層150所曝露之表面，以使該歐姆接觸 層1 50係劃分成兩部分，閘電極in在該兩部分之間。歐姆 接觸層150之蝕刻曝露了 一部分半導體層14〇 ^在蝕刻過程 期間，在閘電極122上之部分歐姆接觸層15〇幾乎全部被移 除且閘電極122上之部分半導體層140經部分蝕刻得到較之 别更薄之層。為穩定所曝露半導體層14〇之表面，較佳使 用氧電漿進行蝕刻β 接著使用旋轉塗佈法或狹縫塗佈法形成有機鈍化層 170，儘管其他方法亦可適用。為增強薄膜電晶體τ之可靠 性，在有機鈍化層170與薄膜電晶體τ之間可另外形成一諸 如氮化矽之無機絕緣層。此處該有機鈍化層17〇可為高黏 度、可保持形狀之有機層。有機鈍化層17〇之黏度為 10,000 cp或更大黏度。 圖4A展示位於有機鈍化層17〇上之具有凹凸圖案41〇之模 型400。該凹凸圖案41〇經對準且置於有機鈍化層17〇上以 使在像素區域中之有機鈍化層17〇上形成凹凸圖案。如圖 4B所示，接著將模型4〇〇與有機鈍化層17〇相接觸且向該有 機鈍化層170按壓（沿箭頭所指示方向p由於按壓導致在有 機鈍化層170之表面上形成凹凸圖案175。 一此後，如圖4C所示移除模型4〇〇。由於有機鈍化層17〇為 n黏度有機層，因此當移除模型4〇〇後，該凹凸圖案175之 形狀得以保持。此時’可塗覆一脫模劑至該模型4〇〇之表 面以有助於模型400之移除。 移除模型400後，如圖4D所示，具有一開口以曝露凹凸 112807.doc 1354855 圖案175之光罩500係與該凹凸圖宰ι7 闻未對準，且用紫外線 對其進行照射。接者，如圖4E中所示，& T所不進仃—顯影處理以 移除有機鈍化層170中未形成凹凸圖案17〇之部分◊有機鈍 化層170之被移除部分對應於料區域。在顯影處理期 間，在移除周邊有機鈍化層之同時，可形成汲極接觸孔 171、閘極墊接觸孔172及資料塾接觸孔173。 同時，在當前實施例中，使用當未藉由紫外線輻射硬化 時被移除之感光性有機材料形成具有凹凸圖案175之有機 鈍化層170。然而，在其他情形中，可使用藉由曝露於紫 外線輻射被移除之感光性有·機材料形成具有凹凸圖案175 之有機鈍化層170。在後一情形中，移動光罩5〇〇中之開口 以使該開口位於有機鈍化層區域170之待移除部分上。 在製備凹凸圖案175之後’，塗覆ΙΤΟ或ΙΖΟ至有機純化層 170上及經光微影圖案化以形成像素電極18〇。該像素電極 180經由汲極接觸孔171連接至汲電極163。由於較低部分 中之凹凸圖案175’因此像素電極180亦具有凹凸圖案。接 著分別形成經由閘極墊接觸乳.172及資料墊接觸孔173分別 連接至閘極垫123及資料墊164之第二接觸構件181及182。 在形成像素電極180之後，在像素電極180上形成一反射 材料且其經圖案化以於像素電極180之至少一部分上形成 反射層190。該反射層190可由銀、鉻、銀鉻合金或雙層鋁 及鉬組成。在非透射區域（反射區域）中形成反射層190»由 於上文所述凹凸圖案175,該反射層190亦具有凹凸圖案。 反射層190接收來自像素電極180之電訊號且施加所接收訊 112807.doc -14· 1354855 號至位於反射層190上之液晶層300。 此後’形成一對準膜（未圖示）且因此製得根據本發明之 第一實施例之薄膜電晶體基板100。 藉由已知方法在第二絕緣基板210上形成黑色矩陣220、 彩色濾光片230、塗層240、共同電極250及對準膜，從而 製得第二基板200 〇最後，藉由將第一基板100與第二基板 200相結合且在兩者之間注入液晶，製得液晶面板1。 根據上述方法，藉由使用模型4p〇而不用狹縫遮罩形成 凹凸圖案175。因此，與習知半曝露法及拋光法相比，需 要一較少光微影處理。 若使用狹縫遮罩形成凹凸圖案175,該凹凸圖案175可能 不會引起適宜光散射，此係由於使用狹縫遮罩所形成之凹 凸圖案175之良率及反射效率低。過度散射導致影像變 黑’此係由於過度散射使彩色濾光片基板2〇〇及偏轉板吸 收大量光。反之，散射不足則引起視角問題，此係由於光 在一特定方向上集中》此外，由於液晶面板1含有具有不 同折射率之多層結構，因此以遠大於臨限角度所反射之光 不能離開液晶面板1。 然而’在本發明之製造方法中，由於使用高品質模型 400形成凹凸圖案丨75，因此該凹凸圖案ι75之良率及反射 效率提高。因此，使用本文中所述方法所形成之凹凸圖案 產生適宜的漫反射及散射《此外，本發明之製造方法較習 知包含多個光微影處理步驟之製造方法更簡化。 下文將參看圖5A、5B及5C描述本發明之第二實施例》 112807.doc 1354855 對於與第一實施例t相同方法之描述將省略且對不同於第 一實施例之處將加以說明。 圖5A至5C係說明在第一基板1〇〇之有機鈍化層17〇中形 成凹凸圖案175之方法的示意圖。 參看圖1，用作薄膜電晶體基板1〇〇之絕緣基板11〇由一 巨大的母板材料1〇製成。該母板材料1〇具有多個將成為絕 緣基板110之基板區g。作為不會形成為絕緣基板11〇之部 分母板材料10之周邊區域使絕緣基板110分離。 如圖5A所示’在第一絕緣基板11〇上形成有機鈍化層 170。此處，有機鈍化層17〇係一不同於第一實施例之小分 子有機層。該小分子有機層藉由料輻射或熱處理加以硬 化。在第二實施例中，模型4〇〇在將與像素區域或基板區 域對準之區域内有—凹凸圖案410。此夕卜，模型彻有一經 置放U板材料1G之周邊區域對準之保護膜移除部分 420。保護膜移除部分係朝向有機鈍化層⑺予以擠 壓如圖5B所不，保護臈移除部分42〇較佳經形成具有一 預定高度’以使當以箭頭所示方向對模型400加屋時’保 護膜移除部分可與絕緣基板11〇相接觸。此處為硬化 有機絕緣層17〇同時保留凹凸圖案175，模型彻較佳由可 透射紫外線㈣之透明材料製成1於形成模型彻之透 明材料可為聚二甲基矽氧烷(PDMS)。與圖4D中之方法不 同的是’該方法不使用光罩。 接著如圖5Bt所，不，藉由對模板4〇〇加壓，在絕緣基 板no間的區域意即周邊區域内置放有機鈍化層17〇。該有 112807.doc 1354855 機鈍化層170藉由保護膜移除部分42〇移除，且藉由模型 4〇〇之凹凸圖案410形成凹凸圖案175。在藉由模型\〇〇形成 該凹凸圖案175後，使用紫外線輻射對其加以硬化。接著 如圖5C中所示移除模型400 ,從而完成所得高品質凹凸圖 案 175。 儘管圖中未顯示，未藉由保護膜移除部分42〇移除之有 機鈍化層170仍可保留在絕緣基板11〇上。在此情形下，可 經由分離灰化法移除剩餘有機鈍化層17〇。 在根據本發明之製造方法中’由於使用高品質模型4〇〇 形成凹凸圖案175且加以硬化，因此在凹凸圖案175所形成 狀態中，凹凸圖案175之產率及反射效率可提高，且可誘 發適宜的漫反射及散射β此外，由於使用模型4〇〇形成凹 凸圖案175’因此該製造方法可較習知使用狹縫遮罩之方 法付以簡化。尤其因為曝露及顯影處理可省略，因此製造 方法可簡化且製造成本可降低。 下文將參看圖6Α至6Ε對、本發明之第三實施例予以描 述，其中對於與第一實施例中相同方法之描述將省略且對 不同於第一實施例之處將加以描述。 圖6Α至6Ε係說明在第一基板1〇〇之有機鈍化層η〇中形 成凹凸圖案175之方法之示意圖。 如圖6Α所示，類似於第一實施例，於第一絕緣基板u〇 上之有機鈍化層170之表面上形成凹凸圖案175。在其中有 機鈍化層170係一低黏度.有機層情形時，可經由模製及硬 化形成凹凸圖案175。 112807.doc •17·
此後’如圖6B中所示，在包括凹凸圖案175之有機鈍化 層170之全部表面上形成感光層600。接著，如圖6C中所 不’使用-*罩（未圖示）進行曝露及顯影處理，且因此在 周邊區域（不包括凹凸圖案175)上所形成之感光層_被移 除。 接著，如圖6D中所示，使用在凹令圖案175上所形成之 感光層600作為障壁，移除不包括凹凸圖案175之周邊區域 的有機鈍化層170。可藉由蝕刻移除周邊區域之有機鈍化 層 1 70。 最後，如圖6E中所示，藉由移除凹凸圖案175上之感光 層600,形成一高品質凹凸圖案175。可藉由灰化或剝離移 除形成於凹凸圖案175上之感光層600。 如上所述，本發明可能提高凹凸圖案之良率及反射效率 且可能簡化透射反射型液晶顯示器之製造方法。
I 本發明並不限於所述及所示實施例，且在本發明之範_ 内，對該等不同實施例之細節所作之複數個修改及合併係 可能。本發明可用於製造有機發光二極體、平板顯示器及 電泳指示顯示器其中至少一者。 儘管已對本發明之少數示範性實施例進行展示及描述， 但熟習此項技術者應瞭解可對該等實施例進行更改而不脫 離本發明之原則及精神，本發明之範疇係界定於所附申請 專利範圍及其均等物中。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之第一實施例之母板材料之平面示意圖； 112807.doc • 18 · 1354855 圖2係圖1中標記為·α·之區域之配置。 圖3係沿圓2中點線ΙΙΐ·ιΠ切割之剖面圖β β 该膜電曰0 圖4Α至4Ε係沿圖1中線^乂切割之以說明製造濟、 體基板之方法之剖面圖； 圖5Α、5Β及5C係根據本發明之第二實施例，說明製造 薄膜電晶體基板之方法之剖面圖；及 圖6A至6E係根據本發明之第三實施例，說明製造薄膜 電晶體基板之方法之剖面圖。
【主要元件符號說明】 母板材料 薄膜電晶體基板/薄膜電晶體 絕緣基板/第一絕緣基板 閘極線 閘電極
10 100 110 121 122 123 130 140 150 161 162 163 164 170 171 112807.doc 閘極墊/閘極層 閘極絕緣薄膜 半導體層 歐姆接觸層 資料線 源電極 汲電極 資料墊 有機鈍化層 汲極接觸孔 -19· 1354855
172 閘極墊接觸孔 173 資料墊接觸孔 180 像素電極 181 第二接觸構件 182 第二接觸構件 190 反射層 200 彩色濾光片基板 210 第二絕緣基板 220 黑色矩陣 230 彩色濾光片 240 塗層 250 共同電極 300 液晶層 400 模型 410 、 175 凹凸圖案 420 保護膜移除部分 500 光罩 600 感光層 112807.doc -20-

Claims (1)

1354855 第095126604號專利申請案 1 中文申請專利範圍替換本(100年8月） ^ 十、申請專利範圍： 1· 一種製造一顯示器裝置之方法，其包含： 製備一絕緣基板； • 由一母板材料製造複數個絕緣基板，該母板材料具有 . 由周邊部分分離之基板部分，其中該等基板部分係用作 絕緣基板；及 在該模型中形成一鈍化層移除部分，其中該模型之該 鈍化層移除部分朝向該母板材料之周邊部分擠壓； 在該絕緣基板上形成一閘極線及-資料線，該閘極線 - 及該資料線沿垂直於彼此之方向延伸同時彼此之間保持 絕緣，該閘極線及該資料線界定一像素區域； 在該閘極線與該資料線之—交叉處形成__薄膜電晶 體； 在該薄膜電晶體上形成一有機鈍化層； 置放/、有凹凸圖案之該模型以使該凹凸圖案在該有 機鈍化層上與該像素區域對準； 向該有機純化層按屋該模型以在該有機鈍化層之表面 上形成該凹凸圖案；及 在該有機鈍化層上形成一像素電極 2_如請求項1之方法，其進一步包含 該凹凸圖案之該有機鈍 移除該，型且移除其中未形成 化層。 112807-1000818.doc 丄乃4855 區域對準之開口。 4. 如請求項1之方法，其進一步包含： 在該像素電極之至少一部分上形成一反射層。 5. 如凊求項1之方法，其中該有機鈍化層具有10,000 eD# 更大之黏度。 — ，項1之方法，其中該有機鈍化層具有1至1〇〇 e 黏度。
8. 9. 如凊求項1之方法，其中該模型由一透射紫外線輻射 透明材料製得。 如請求項7之方法，其中該模型由聚二曱基矽氧 (PDMS)製得。 如凊求項7之方法，其進一步包含： 之 烷 10. 11. 2該有機鈍化層按壓該模型時，硬化該有機鈍化層。 如研求項9之方法，其中當按壓該模型時， 除部分接觸到該絕緣基板之末端。 層和 如明求項7之方法，其進一步包含： 在移除該模型後，移除保留在該等周邊部分上 鈍化層。 令機 12·如請求項1之方法，其進一步包含： 移除該模型； 在该有機鈍化層之一全部表面上形成一感光層·及 移除其中未形成該凹凸圖案之該感光層。 月求項12之方法，其中該感光層之移除係藉由一使用 光罩之曝光製程進行，其中該光罩具有—經置放以與 II2807-I000818.d〇c 1354855 該有機鈍化層之該像素區域對準之開口 β 14·如請求項12之方法，其進一步包含： 移除其中未形成該感光層之該有機純化層 15. 如請求項12之方法，其進一步包含： 移除在該凹凸圖案上所形成之該感光層。 一液晶顯示 電泳指示顯 16. 如請求項10之方法，其中該顯示器裝置包含 器、一有機發光二極體、一平板顯示器及一 示器其中至少一者。 112807-1000818.doc
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