KR100914588B1 - 액정 표시 장치의 하부기판 제조방법 - Google Patents

액정 표시 장치의 하부기판 제조방법

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Abstract

액정 표시 장치의 하부기판 제조방법을 제안한다. 본 방법은 : (a) 공통 전극 배선, 제1 절연층, 신호 배선 및 제2 절연층을 순차적으로 기판에 형성하는 단계; (b) 상기 제2 절연층 위에 투명 전극층 및 음성 포토레지스트층을 코팅하는 단계; (c) 상기 기판의 제2 표면으로부터 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; (d) 상기 제2 금속층과 중첩되는 상기 포토레지스트의 부분이 마스크에 의해 덮여진 상태에서, 상기 기판의 제1 표면으로부터 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; (e) 비반응한 포토레지스트를 제거하고 상기 투명 전극을 패터닝하는 단계를 포함한다.

Description

액정 표시 장치의 하부기판 제조방법{Method for manufacturing lower substrate of liquid crystal display device}
본 발명은 액정 표시(LCD) 장치의 하부기판 제조방법에 관한 것이며, 특히 초정밀 정합 액정 표시 장치의 하부기판 제조방법에 관한 것이다.
최근에는, LCD 장치를 크게 두 부류, 즉 구동 방식에 따라 패시브 매트릭스 LCD(PMLCD)와 액티브 매트릭스 LCD(AMLCD)로 분류할 수 있다. 액티브 매트릭스 LCD(AMLCD)는 스위칭 소자로 박막 트렌지스터(TFT)를 사용하는 표시 장치의 한 종류이다. 일반적으로, AMLCD 장치에 있는 단일 화소의 개구율은 후광 모듈들로부터 투명 영역을 통과하는 빛의 양과 직접적으로 관련이 있다. 동일한 전력을 소비하는 AMLCD 장치에 있어서, 높은 개구율은 AMLCD 장치의 높은 휘도를 의미한다.
랜덤하게 배열된 액정 분자들이, 화소 전극들 사이에서 비투명 도전성 신호라인에 의해 가려질 수 있는 부분에서, 광-누설 영역을 형성하기 때문에, LCD 장치에서 높은 개구율을 위한 설계는 화소 전극의 주변부와 비투명 도전성 라인을 중첩함으로써 달성된다. 그러나 실제로는 화소 전극과 비투명 도전성 라인 간의 정합이 정밀하지 못하기 때문에, 발생한 정합의 어긋남은 일반적으로 전기 용량의 차이를 초래한다. 따라서, 화질이 더욱 떨어진다.
도 1의 (a)는 통상적인 LCD의 화소 영역을 도시한 평면도이다. 높은 개구율을 얻기 위해서, 투명 전극(100)은 부분적으로 도전성 라인과 겹치도록 배열된다. 그러나 화소 전극 마스크의 해상도의 제한, 층들간의 정합 정밀도 및 사이드 에칭의 차이로 인해 도전성 라인들의 폭은 크기를 좁힐 수 없거나, 또는 광누설이 발생한다. 도 1의 (b)는 도 1의 (a)을 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다. 투명 전극층(100)과 도전성 라인(즉, 제2 금속층(300))간의 정합이 어긋났을 때, 상기 어긋남은 수평 및 수직 방향으로 더 큰 차이를 일으키고, 층들의 불규칙한 겹침을 초래한다. 상기 불규칙한 겹침은 기대하지 않은 기생용량(400, 401)이 다양한 값들을 갖도록 하고, 불안정한 총 기생용량을 발생시킨다. 이에 따라, 화질의 일관성이 요구된다.
본 발명의 LCD 장치의 하부기판 제조방법에서는 패터닝된 화소 전극들을 형성하기 위해 마스크가 적용되고 기판의 후면으로부터 광이 조사된다. 본 발명에 따른 방법에서는, 투명 화소 전극과 신호 라인간의 중첩이 일정하다. 때문에 층들간의 정합의 어긋남이 없고, 표시 안정성이 향상된다.
본 발명의 LCD 장치의 하부기판 제조방법을 통해, 투명 전극층과 도전성 신호 라인 간의 정합 정밀도를 제한하거나 마스크의 해상도를 조절하지 않고 신호 라인들의 폭이 조절된다. 때문에 높은 개구율이 얻어질 수 있다.
본 발명의 한가지 목적은, (a) 공통 전극 배선, 상기 공통 전극 배선을 덮는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 신호 배선 및 상기 신호 배선을 덮는 제2 절연층을 기판의 제1 표면에 형성하는 단계; (b) 투명 전극층 및 음성 포토레지스트층을, 상기 투명 전극층이 상기 제2 절연층과 상기 음성 포토레지스트층 사이에 위치하도록, 상기 제2 절연층 위에 형성하는 단계; (c) 상기 기판의 제1 표면의 반대편에 있는 상기 기판의 제2 표면으로부터 상기 기판을 노광하는 단계; (d) 상기 음성 포토레지스트층 상부에서, 마스크를 적용하여 상기 제1 표면부터 상기 기판을 노광하는 단계; 및 (e) 비반응한 음성 포토레지스트층을 제거하고, 에칭을 통해 패터닝된 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 LCD 장치의 하부기판 제조방법을 제공하는데에 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상술한 방법의 상기 (e) 단계 후에, 상기 음성 포토레지스트층을 모두 제거하는 (f) 단계를 더 포함한다. 본 실시예에서, 상기 공통 전극 배선 및 상기 신호 배선의 물질은 제한되는 것은 아니지만, 비투명 금속 물질인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, LCD 장치의 하부기판 제조방법은, (a) 공통 전극 배선, 상기 공통 전극 배선을 덮는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 신호 배선 및 상기 신호 배선을 덮는 제2 절연층을 기판의 제1 표면에 형성하는 단계; (b) 양성 포토레시즈트층을 상기 제2 절연층 위에 형성하는 단계; (c) 상기 기판의 제1 표면의 반대편에 있는 상기 기판의 제2 표면으로부터 상기 기판을 노광하는 단계; (d) 상기 제2 절연층 위의 상기 양성 포토레지스트층 상부에 마스크를 적용하여 상기 제1 표면으로부터 상기 기판을 노광하는 단계; (e) 상기 반응한 양성 포토레지스트층을 제거하는 단계; (f) 상기 제2 절연층 및 상기 잔여 양성 포토레지스트층 위에 투명 전극층을 형성하는 단계; 및 (g) 상기 잔여 양성 포토레지스트층을 제거하고 상기 잔여 양성 포토레지스트층 위의 상기 투명 전극층을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, LCD 장치의 하부기판 제조방법은, (a) 투명 공통 전극 배선, 상기 투명 공통 전극 배선을 덮는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 신호 배선 및 상기 신호 배선을 덮는 제2 절연층을 기판의 제1 표면에 형성하는 단계; (b) 제2 투명 전극층 및 음성 포토레지스트층을, 상기 제2 투명 전극층이 상기 제2 절연층과 상기 음성 포토레지스트층 사이에 위치하도록, 상기 제2 절연층 위에 형성하는 단계; (c) 상기 기판의 제1 표면의 반대편에 있는 상기 기판의 제2 표면으로부터 상기 기판을 노광하는 단계; (d) 상기 비반응한 음성 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 (e) 패터닝된 제2 투명 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
삭제
상술한 방법은 더욱 완전하게 패터닝된 제2 투명 전극을 얻기 위하여, 상기 (e) 단계 후에 상기 음성포토레지스트층을 모두 제거하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 목적은, (a) 격자 형상인 공통 전극 배선, 상기 공통 전극 배선을 덮는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 신호 배선 및 신호 배선을 덮는 제2 절연층을 기판의 제1 표면에 형성하는 단계; (b) 투명 전극층 및 음성 포토레지스트층을, 상기 투명 전극층이 상기 제2 절연층과 상기 음성 포토레지스트층 사이에 위치하도록, 상기 제2 절연층 위에 형성하는 단계; (c) 상기 기판의 제2 표면의 반대편에 있는 상기 기판의 제2 표면으로부터 상기 기판을 노광하는 단계; (d) 상기 비반응한 음성 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 (e) 패터닝된 제2 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 하부기판 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 방법은 더욱 완전하게 패터닝된 제2 투명 전극을 얻기 위하여, 상기 (e) 단계 후에 상기 음성포토레지스트층을 모두 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명의 방법에서, 상기 공통 전극 배선은 비투명 또는 반투명 물질로 되고 바람직하게는 격자 형상이다. 상기 기판의 후면으로부터 광을 조사함으로서, 상기 공통 전극 배선 위의 상기 포토레지스트층은, 완전한 투명 전극을 형성하기 위해 보존된다.
본 발명에 따르면, 절연층은 유기물질(예를 들어, 아크릴 수지나 폴리이미드 수지, 또는 SiO2나 SiNx 등과 같은 무기물질) 또는 적당한 절연 물질로 될 수 있다. 상기 제2 절연층은 평탄화된 층인 것이 바람직하다.
또한 상술한 방법에서, 투명 전극층은 산화 인듐 주석(ITO), 산화 인듐 지르코늄(IZO) 또는 어떤 적당한 물질로 구성될 수 있다. 본 방법에서 투명 전극은 스퍼터링 또는 어떤 적당한 방법으로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 이점, 새로운 특징은 첨부된 도면과 함께 후술된 상세한 설명으로부터 더욱 명확해 질 것이다.
본 발명에 의한 방법은 정합의 높은 정밀도를 가질 수 있도록 하부기판에서 후면 노광을 하는 방법이다. 그러나 만일 비투명 물질들이 공통 전극 배선들에 사용된 경우에는 화소 전극 영역이 두 개의 비도전 영역으로 분할될 수 있다. 때문에 본 방법 발명의 다양한 종류의 실시예들은 서로 다른 목적들이 설명되어야한다. 뒤에 첨부된 측면도들의 위치는 평면도(도 2)의 B와 B'간을 일점쇄선으로 표시한 부분이다.
제1 실시예
도 3의 (a)를 참조하면, 유리 기판(00)이 제공된다. 유리 기판(00) 위에, 공통 전극 배선(10), 제1 절연층(20), 신호 배선(30) 및 제2 절연층(40)이 순차적으로 형성된다. 공통 전극 배선(10)은 제1 절연층(20)으로 덮히고, 신호 배선(30)은 제1 절연층(20) 위에 위치하고, 신호 배선(30)은 제2 절연층(40)으로 덮힌다.
본 실시예의 제2 절연층(40)은 평탄화층(40)이다.
그 후에, 투명 전극층(50) 및 음성 포토레지스트층(60)이 평탄화층(40) 위에 형성된다. 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 형성된 투명 전극층(50)은 평탄화층(40)과 음성 포토레지스트층(60) 사이에 위치한다.
도 3의 (b)에서 화살표로 도시된 바와 같이, 기판(00)은 후면으로부터 광이 조사된다. 본 발명에서 비투명 물질로 구성된 신호 배선(30) 및 공통 전극 배선(10)은 음성포토레지스트층(60)에 마스크로서 기능한다. 본 실시예에서 적용된 포토레지스트가 음성 포토레지스트이기 때문에, 포토레지스트의 일부를 노광하였을 때, 상기 음성 포토레지스트층은 불용성 중합체가 되기 위해 중합된다. 그러나 공통 전극 배선(10) 위의 음성 포토레지스트층의 다른 부분은 현상 중에 노광되지 않아서 제거될 수 있다.
공통 전극 배선(10) 위의 포토레지스트의 상기 부분 및 투명 전극의 상기 부분을 보존하기 위해, 기판(00)의 표면을 노광하기 위한 다음 단계가 이어서 진행되어야 한다. 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 신호 배선(30)의 상부에서 음성 포토레지스트층(60)의 상기 부분을 덮고 있는 마스크(70)는 공통 전극 배선(10) 위의 음성 포토레지스트층(60)의 일부를 노광하기 위해 사용된다.
다음으로 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 비반응한 음성 포토레지스트층을 제거하여, 패터닝된 포토레지스트층을 형성한다. 패터닝된 포토레지스트층을 따라 기판을 에칭하면, 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이 패터닝된 투명 전극(50)이 형성된다. 마지막으로 잔여 포토레지스트층을 제거하는 방법에 의해, 도 3의 (f)에 도시된 바와 같이 기판 위에 패터닝된 투명 전극(50)이 형성된다.
제2 실시예
기판에 대한 준비는 제1 실시예에서 설명된 바와 유사하다. 도 4를 참조하면, 먼저 유리 기판(00)이 제공된다. 기판(00)의 전면 위에, 공통 전극 배선(10), 제1 절연층(20), 신호 배선(30) 및 제2 절연층(40)이 순차적으로 형성된다. 형성된 공통 전극 배선(10)은 제1 절연층(20)으로 덮히고, 신호 배선(30)은 제1 절연층(20) 위에 위치하고, 신호 배선(30)은 제2 절연층(40)으로 덮힌다.
제1 실시예에서 설명된 것과 유사하게, 제2 절연층(40)은 평탄화층(40)이다.
그 후에 양성 포토레지스트층(61)이 제2 절연층(40)(도 4의 (a)) 위에 코팅된다. 도 4의 (b)에 화살표로 도시된 바와 같이, 기판으로 방출되는 빛은 후면으로부터 온다. 비투명 물질로 구성된 신호 배선(30) 및 공통 전극 배선(10)은 양성 포토레시스트층(61)에 마스크로서 기능한다.
본 실시예에서 포토레지스트는 양성 포토레지스트이기 때문에, 포토레지스트의 노광된 부분은 현상(developer) 또는 박리(stripper)에 의해 제거된다. 그러나 공통 전극 배선 위의 포토레지스트층이 완전히 노광되지 않기 때문에, 공통 전극 배선(10) 위의 양성 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분은 남아 있을 수 있다. 잔여 양성 포토레지스트는 다음 단계에서 단단한 투명 전극층의 형성에 영향을 미친다. 공통 전극 배선(10) 위의 포토레지스트층(61)의 부분을 제거하기 위해, 다음 단계에서는 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이 기판(00)은 전면으로부터 직접 노광된다. 공통 전극 배선(10) 위의 양성 포토레지스트층(61)의 부분은, 신호 배선(30) 위의 양성 포토레지스트층(61)의 일부를 덮고 있는 마스크(71)를 사용하는 방법으로 노광된다.
노광된 양성 포토레지스트층(61)을 제거함으로써, 패터닝된 양성 포토레지스트층(61) 평탄화층(40) 위에 형성된다(도 4의 (d)). 마지막으로 양성 포토레지스트층(61)을 모두 벗겨냄으로써, 양성 포토레지스트층(61) 위의 투명 전극층(50)의 부분 또한 제거될 수 있다. 도 4의 (f)에 도시된 바와 같이, 패터닝된 투명 전극의 형성이 완료된다.
삭제
제3 실시예
도 5의 (a)를 참조하면, 유리 기판(00)이 제공된다. 기판(00)의 측면 표면 위에, 투명 공통 전극 배선(15), 제1 절연층(20), 신호 배선(30) 및 제2 절연층(40)이 순차적으로 형성된다. 투명 공통 전극 배선(15)은 제1 절연층(20)에 의해 덮히고, 신호 배선(30)은 제1 절연층(20) 위에 위치하고, 신호 배선(30)은 제2 절연층(40)에 의해 덮힌다.
제1 실시예에서 설명된 것과 유사하게, 제2 절연층(40)은 평탄화층(40)이다. 제2 투명 전극층(50) 및 음성포토레지스트층(60)은 평탄화층(40) 위에 형성된다. 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 형성된 제2 투명 전극층(50)은 평탄화층(40)과 음성 포토레지스트층(60) 사이에 위치한다.
도 5의 (b)에 화살표로 도시된 바와 같이, 기판(00)은 후면으로부터 노광된다. 비투명 신호 배선(30) 및 투명 공통 전극 배선(15)은 음성 포토레지스트층(60)에 마스크로서 기능한다. 본 실시예에서, 기판에 후면으로부터 광이 조사될 때 빛의 일부가 투명 또는 반투명 물질로 구성된 투명 공통 전극 배선(15)를 통과하여 음성 포토레지스트층(60) 위에 방출된다. 포토레지스트층에서 투명 공통 전극 배선(15) 위의 노광된 부분은 현상에 의해 중합되고 보존된다.
다음으로 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 비반응한 음성 포토레지스트층(60)을 제거함으로써, 음성 포토레지스트층(60)이 평탄화층(40) 위에 형성된다. 도 5의 (d)에 도시된 바와 같이, 제2 투명 전극층(50)은 음성 포토레지스트층(60)을 따라 에칭된다. 마지막으로, 도 5의 (e)에 도시된 바와 같이, 음성 포토레지스트층(60)을 모두 제거하는 방법으로 패터닝된 제2 투명 전극층(50)이 형성된다.
제4 실시예
기판의 제조는 제1 실시예에서 설명된 바와 유사하다. 도 6을 참조하면, 먼저 유리 기판(00)이 제공된다. 기판(00)의 전면 위에 공통 전극 배선(11), 제1 절연층(20), 신호 배선(30) 및 제2 절연층(40)이 순차적으로 형성된다. 공통 전극 배선(11)은 제1 절연층(20)으로 덮히고, 신호 배선(30)은 제1 절연층(20) 위에 위치하고 신호 배선(30)은 제2 절연층(40)으로 덮힌다.
제1 실시예에서 설명된 것과 유사하게, 제2 절연층(40)은 평탄화층(40)이다. 본 실시예에서 공통 전극 배선(11)은 반투명 또는 비투명 물질로 구성되고, 격자 형상이다.
투명 전극층(50) 및 음성 포토레지스트층(60)은 제2 절연층(40) 위에 형성되거나 코팅된다. 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 투명 전극층(50)은 제2 절연층(40)과 음성 포토레지스트층(60) 사이에 위치한다.
도 6의 (b)에 화살표로 도시된 바와 같이, 기판(00)은 후면으로부터 노광된다. 패터닝된 비투명 금속층(30) 및 제1 격자 도전층(11)은 음성 포토레지스트층(60)에 마스크로서 기능한다. 본 실시예에서, 기판이 후면으로부터 광이 조사될 때, 빛의 일부가 제1 격자 도전층(11)을 통과하여 음성 포토레지스트층(60) 위에 방출된다. 제1 도전층(11) 위의 포토레지스트층은 남게 되고, 완전한 투명 전극을 형성하는 것을 돕는다.
그 후에, 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이 비반응한 음성 포토레지스트층(60)을 제거함으로써, 평탄화층(40) 위에, 음성 포토레지스트층(60)이 형성된다.
도 6의 (d)에 도시된 바와 같이, 음성 포토레지스트층(60)을 따라 제2 투명 전극(50)이 에칭된다. 마지막으로 도 6의 (e)에 도시된 바와 같이 음성 포토레지스트층(60)을 모두 제거함으로써, 상기 제2 투명 전극(50)이 완성된다.
본 발명에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 방법에서는, 투명 화소 전극과 신호 라인간의 중첩이 일정하기 때문에 층들간의 정합의 어긋남이 없고, 표시 안정성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 LCD 장치의 하부기판 제조방법을 통해, 투명 전극 층과 도전성 신호 라인 간의 정합 정밀도의 제한하거나 마스크의 해상도를 조절하지 않고 신호 라인들의 폭이 조절되고 높은 개구율을 얻을 수 있다.
도 1의 (a)는 통상적인 LCD의 화소 영역의 평면도이다.
도 1의 (b)는 통상적인 LCD의 화소 영역의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 화소 영역의 평면도이다.
도 3의 (a)-(f)는 본 발명의 제1 실시예를 도시하는 도면이다.
도 4의 (a)-(f)는 본 발명의 제2 실시예를 도시하는 도면이다.
도 5의 (a)-(e)는 본 발명의 제3 실시예를 도시하는 도면이다.
도 6의 (a)-(e)는 본 발명의 제4 실시예를 도시하는 도면이다.

Claims (25)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. (a) 공통 전극 배선, 상기 공통 전극 배선을 덮는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 신호 배선 및 상기 신호 배선을 덮는 제2 절연층을 기판의 제1 표면에 형성하는 단계;
    (b) 양성 포토레지스트층을 상기 제2 절연층 위에 형성하는 단계;
    (c) 상기 기판의 제1 표면의 반대편에 있는 상기 기판의 제2 표면으로부터 상기 기판을 노광하는 단계;
    (d) 상기 제2 절연층 위의 상기 양성 포토레지스트층 상부에 마스크를 적용하여 상기 제1 표면으로부터 상기 기판을 노광하는 단계;
    (e) 상기 반응한 양성 포토레지스트층을 제거하는 단계;
    (f) 상기 제2 절연층 및 상기 잔여 양성 포토레지스트층 위에 투명 전극층을 형성하는 단계; 및
    (g) 상기 잔여 양성 포토레지스트층을 제거하고 상기 잔여 양성 포토레지스트층 위의 상기 투명 전극층을 제거하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 공통 전극 배선 및 상기 신호 배선은 비투명 금속인 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2 절연층은 평탄화층인 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제7항에 있어서,
    상기 투명 전극층은 스퍼터링 증착을 통해 형성되는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 (g) 단계에서 상기 잔여 양성 포토레지스트층은 박리(stripping)에 의해 제거되는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  13. (a) 투명 공통 전극 배선, 상기 투명 공통 전극 배선을 덮는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 신호 배선 및 상기 신호 배선을 덮는 제2 절연층을 기판의 제1 표면에 형성하는 단계;
    (b) 제2 투명 전극층 및 음성 포토레지스트층을, 상기 제2 투명 전극층이 상기 제2 절연층과 상기 음성 포토레지스트층 사이에 위치하도록, 상기 제2 절연층 위에 형성하는 단계;
    (c) 상기 기판의 제1 표면의 반대편에 있는 상기 기판의 제2 표면으로부터 상기 기판을 노광하는 단계;
    (d) 상기 비반응한 음성 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및
    (e) 패터닝된 제2 투명 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 (e) 단계 후에, 상기 음성 포토레지스트층을 모두 제거하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제2 절연층은 평탄화층인 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 제2 투명 전극층은 스퍼터링을 통해 형성되는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 투명 공통 전극 배선 및 제2 투명 전극은 산화 인듐 주석(ITO) 또는 산화 인듐 지르코늄(IZO)으로 구성되는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 (e) 단계에서 상기 패터닝된 제2 투명 전극은 에칭을 통해 형성되는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  19. (a) 격자(grating) 형상인 공통 전극 배선, 상기 공통 전극 배선을 덮는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 신호 배선 및 상기 신호 배선을 덮는 제2 절연층을 기판의 제1 표면에 형성하는 단계;
    (b) 투명 전극층 및 음성 포토레지스트층을, 상기 투명 전극층이 상기 제2 절연층과 상기 음성 포토레지스트층 사이에 위치하도록, 상기 제2 절연층 위에 형성하는 단계;
    (c) 상기 기판의 제1 표면의 반대편에 있는 상기 기판의 제2 표면으로부터 상기 기판을 노광하는 단계;
    (d) 상기 비반응한 음성 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및
    (e) 패터닝된 투명 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 (e) 단계 후에 상기 음성 포토레지스트층을 모두 제거하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 제2 절연층은 평탄화층인 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  22. 삭제
  23. 제19항에 있어서,
    상기 공통 전극 배선은 비투명 물질로 구성되는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
  24. 삭제
  25. 제19항에 있어서,
    상기 (e) 단계에서 상기 패터닝된 투명 전극은 에칭을 통해 형성되는 액정 표시 장치의 하부 기판 제조 방법.
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