KR20010083300A - 광시야각을 갖는 액정표시장치 제조방법 - Google Patents

광시야각을 갖는 액정표시장치 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것이며, 특히 광시야각을 갖는 액정표시장치에 관한 것으로, 광시야각특성을 갖도록 화소전극에 멀티도메인을 형성하기 위해 슬릿을 형성할 때, 박막트랜지스터의 구성요소 중 액티브층 또는 소스 및 드레인전극 형성시 상기 슬릿을 위한 미세한 분할패턴을 미리 형성한 후, 배면노광을 이용하여 슬릿패턴을 형성하여, 상기 전면노광에 의해 화소전극을 포토리소그라피 하는 공정보다 미세패턴 형성에 유리하여 고휘도를 갖는 광시야각 액정표시장치를 제작할 수 있다.

Description

광시야각을 갖는 액정표시장치 제조방법{Method for fabricating Liquid crystal display device with wide viewing angle}
본 발명은 액정표시장치용 어레이기판 제조방법에 관한 것으로, 특히 광시야각 액정표시장치에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급진전함에 따라, 대량의 정보를 처리하고 이를 표시하는 디스플레이(display)분야가 발전하고 있다.
근대까지 브라운관(cathode-ray tube ; CRT)이 표시장치의 주류를 이루고 발전을 거듭해 오고 있으며, 최근 들어 소형화, 경량화, 저소비전력화 등의 시대상에 부응하기 위해 평판 표시소자(Flat panel display)의 필요성이 대두되었다. 이에 따라, 색 재현성이 우수하고 박형인 박막트랜지스터형 액정표시소자(Thin film transistor-liquid crystal display ; 이하 TFT-LCD라 한다)가 개발되었고 또한, 상기 액정표시소자의 크기가 점차적으로 대면적화 되어가고 있는 추세이다.
액정표시장치가 대형화 되어감에 따라 무엇보다도 중요하게 대두되고 있는 것은 상기 액정표시장치의 시야각(viewing angle)특성이다.
액정표시장치의 시야각 향상을 위해 액정패널에 별도의 보상필름이나 확산판을 부착하여 광시야각 특성을 가지는 액정표시장치를 제작하려는 시도들이 있어왔다.
더 나아가서는 액정의 동작모드를 변형하여 액정분자의 배열형태에 의해 시야각이 개선된 액정표시장치의 제작이 연구되고 있다.
상세히 설명하면, 공통전극과 화소전극의 분포를 비균일하게 하여 전계의 방향이 다른 다수의 수평전기장을 형성하도록 한다. 상기 각 수평전기장 성분에 속하는 액정분자의 집합은 제 1 수평 전기장에 의해 배열하게 되고 따라서, 배향방향이 동일하게 정렬되는 제 1 도메인을 형성하게 된다. 그러나, 상기 제 1 수평전기장과 다른 방향의 제 2 수평전기장에 속하는 액정분자의 집합은 상기 제 1 수평전기장에 속하는 분자의 배향방향과 다른 방향으로 일정하게 정렬함으로써 상기 제 1 도메인에 속하는 액정분자와는 다른 배향방향을 갖는 액정분자 집합인 제 2 도메인을 형성하게 된다.
이렇게 배향방향이 다른 다수의 도메인이 형성될 수 있으므로, 시야각이 크게 개선된 액정표시장치를 제작할 수 있다.
여기서 액정표시장치의 구성을 개략적으로 살펴본다.
도 1 은 일반적인 컬러액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도시한 바와 같이, 일반적인 액정표시장치(11)는 블랙매트릭스(6)를 포함하는 컬러필터(7)와 컬러필터 상에 투명한 공통전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P)과 화소영역 상에 형성된 화소전극(17)과 스위칭소자(T)를 포함한 어레이배선이 형성된 하부기판(22)으로 구성되며, 상기 상부기판(5)과 하부기판(22) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.
상기 하부기판(22)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 형성된다.
이때, 상기 화소(P)영역은 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 교차하여 정의되는 영역이다. 상기 화소영역 상에는 투명한 화소전극(17)이 형성된다.
상기 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명도전성 금속을 사용한다.
이와 같은 구성에서 상기 어레이기판(11)에 형성되는 화소전극(17)을 분할하는 방법으로 멀티도메인을 유도하게 된다. 이에 대해, 이하 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2는 광시야각 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판은 게이트배선(113)과 데이터배선(115)과 화소전극(117)과 박막트랜지스터(T)로 구성된다.
상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트배선(113)에서 소정면적을 가지고 일방향으로 돌출 형성된 게이트전극(119)과, 상기 게이트전극(119) 상부에 아일랜드형태로 형성된 액티브층(125)과, 상기 데이터배선(113)에서 상기 액티브층(125)상부로 돌출 형성된 소스전극(121)와 이와는 소정간격 이격된 드레인전극(123)으로 구성된다.
이 때, 상기 게이트배선(113)과 데이터배선(115)은 교차하여 형성되며, 상기 게이트배선(113)과 데이터배선(115)의 교차지점에 상기 박막트랜지스터(T)가 형성되고, 상기 게이트배선(113)과 데이터배선(115)이 교차하여 화소영역(P)을 정의한다.
상기 화소영역(P)에는 상기 드레인전극(123)과 접촉하는 화소전극(117)이 형성되며, 이때 상기 화소전극(117)에는 멀티도메인 구성을 위해, 상기 화소전극을 가로지르는 형상이 교차된 슬릿(127)을 형성한다.
상기 화소전극을 가로지르는 형상이 교차된 슬릿은 상기 화소영역을 4 개의 도메인(A,B,C,D)으로 나누게 되며, 각 도메인에 위치한 액정분자(미도시)의 배열은 상기 슬릿(117)의 영향을 받아 형성된 수평전기장 성분에 의해 액정분자의 배향 방향이 각각 다르게 구성된다.
따라서, 상기 멀티도메인(A,B,C,D)을 포함한 액정표시장치는 광시야각 특성을 갖게된다.
이 때, 상기 슬릿(117)은 전면노광 방법에 의해 상기 화소전극(117)을 증착하고 패터닝하여 형성하게 되는데, 전면노광시 상기 분할된 화소전극(117) 패턴을 위한 마스크를 사용하게 되며, 이 때 상기 슬릿 패터닝 시 상기 화소전극이 부분적으로 연결될 수 있는 패턴불량이 발생한다.
이는 근접노광 시 발생하는 문제로 마스크패턴이 5㎛로 이하로 미세하면 상기 마스크패턴 상에 출사되는 광원의 회절특성에 의해 부분적으로 상기 패턴이 노광되지 않는 문제가 발생한다.
그러나, 이를 고려해 패턴을 크게 형성하게 되면 액정패널의 표시품위가 저하되는 단점이 있다.
또한, 상기 슬릿(117)을 대신해서 절연물질을 패터닝하여 상판 컬러필터의 블랙매트릭스 부분에 리브를 형성하는 방법이 있으나, 이 방법은 공정과정을 추가하는 공정상의 복잡함이 있다.
따라서, 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 고 개구율의 광시야각 액정표시장치를 제작하는데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치를 도시한 분해사시도이고,
도 2는 화소전극이 슬릿에 의해 분활된 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 평면도이고,
상기 도 3a 내지 도 3b 와 도 4a 내지 도 4d는 각각 상기 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
111 : 기판 123 : 드레인전극
131 : 슬릿패턴 137 : 드레인콘택홀
139 : 투명전극층 141 : 포토레지스트
141a : 노광된 포토레지스트부
149a,149b : 노광되지 않은 포토레지스트부
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광시야각 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 화소영역을 가진 기판을 구비하는 단계와; 상기 기판 상에 도전성 금속을 증착하고 패터닝하여, 게이트배선과 상기 게이트배선에서 연장되어 형성된 게이트전극과, 동시에 상기 화소영역에 상기 화소영역을 가로지르는 형상을 패턴하는 단계와; 상기 게이트배선과 상기 화소영역을 가로지르는 패턴이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여, 제 1 절연층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연층상에 아일랜드형태의 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 액티브층이 형성된 기판의 전면에 도전선 금속을 증착하고 패터닝하여, 상기 게이트전극의 일 측 상부에 소스전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인전극과, 상기 소스전극과 연결되고 상기 게이트배선과 교차하는 데이터배선을 형성하는 단계와; 상기 데이터배선이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인전극 상부에 드레인콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극이 형성된 상기 제 2 절연층 상에 투명 도전성금속을 증착하는 단계와; 상기 투명 도전성금속층 상에 포토레지스트를 증착하는 단계와; 상기 포토레지스트를 상기 화소영역을 가로지르는 형상을 이용하여 배면노광 방식으로 노광하는 단계와; 상기 드레인 콘택홀 부분을 전면노광하는 단계와; 상기 노광되지 않은 부분의 포토레지스트를 제거하고 그 하부의 투명전극을 제거하여 상기 화소영역 상의 투명전극에 슬릿을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 절연물질은 실리콘 질화막(SiNX)과 실리콘 산화막(SiO2) 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 도전성 금속은 크롬, 몰리브덴, 텅스텐을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 슬릿은 상기 화소전극 내에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 화소영역을 가진 기판을 구비하는 단계와; 상기 기판 상에 도전성 금속을 증착하고 패터닝하여, 게이트배선과 상기 게이트배선에서 일 방향으로 소정면적으로 연장되어 형성된 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트배선과 게이트전극이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여 제 1 절연층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연층 상에 반도체층과 불순물 반도체층을 적층하고 동시에 패터닝하여 상기 게이트전극 상부에 아일랜드 형태의 액티브층과 상기 게이트배선과 게이트배선 사이의 화소영역을 가로지르는 형상의 액티브패턴을 형성하는 단계와; 상기 화소영역을 가로지르는 액티브패턴과 액티브층이 형성된 기판의 전면에 도전선 금속을 증착하고 패터닝하여, 상기 게이트전극의 일 측 상부에 소스전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인전극과, 상기 소스전극과 연결되고 상기 게이트배선과 교차하는 데이터배선을 형성하는 단계와; 상기 데이터배선이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인전극 상부에 드레인콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극이 형성된 상기 제 2 절연층 상에 투명도전성 금속을 증착하는 단계와; 상기 투명도전성금속층 상에 포토레지스트를 증착하는 단계와; 상기 포토레지스트를 배면노광방식으로 노광하는 단계와; 상기 드레인 콘택홀 부분을 전면노광하는 단계와; 상기 노광되지 않은 부분의 포토레지스트를 제거하고 그 하부의 투명전극을 제거하여 상기 화소전극과 상기 화소영역상의 투명전극에 슬릿을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 절연물질은 실리콘 질화막(SiNX)과 실리콘 산화막(SiO2) 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 도전성 금속은 크롬, 몰리브덴, 텅스텐을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 슬릿은 상기 화소전극 내에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판을 구비하는 단계와; 상기 기판에 스위칭 소자를 형성하는 단계와; 상기 스위칭소자에 연결되고, 교차하는 제 1, 2 신호배선을 형성하는 단계와; 상기 제 1, 2 신호배선의 교차에 의해 정의되는 화소영역에 화소영역을 가로지르는 형상의 불투명패턴을 형성하는 단계와; 상기 화소영역에 투명도전성 금속을 증착하는 단계와; 상기 화소영역을 가로지르는 형상의 불투명패턴을 마스크로 하여 배면노광하여 상기 화소영역에 상기 투명 도전성금속으로 된 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 스위칭 소자는 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 액티브층을 가진 박막트랜지스터이고, 상기 화소영역을 가로지르는 형상의 불투명패턴은 상기 게이트전극과 동일한 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 스위칭소자는 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 액티브층을 가진 박막트랜지스터이고, 상기 화소영역을 가로지르는 형상의 불투명패턴은 상기 액티브층과 동일한 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
본 발명은 상기 화소전극 패턴을 위한 노광방식을 전면노광 방식이 아닌 배면노광 방식을 사용하였다.
이에 대해 도 3a 내지 도 3b와 도 4a 내지 도 4d를 각각 참조하여 설명한다.
상기 도 3a 내지 도 3b와 도 4a 내지 도 4d는 상기 도 3의 Ⅲ-Ⅲ를 따라 절단된 공정 단면도이다.
도 3a에 도시한 바와 같이, 기판 상에 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 상기 몰리브덴과 텅스텐의 합금 중 하나를 선택하여 증착하고 패터닝하여, 게이트배선과(도 2의 117참조) 상기 게이트배선에서 소정면적으로 돌출 형성된 게이트전극(125)과, 상기 화소영역(도 2의 P) 상에 상기 화소영역을 가로지르는 형상의 패턴(131)을 형성한다.
상기 화소영역을 가로지르는 형상의 패턴은 전술한 바와 같이 게이트배선(도 2의 113)과 동일한 층에 동일물질로 형성할 수 있고, 다른 방법으로는 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트전극(125) 상부에 형성된 액티브층(133)과 동일층에 동일물질로 상기 화소영역을 가로지르는 형상의 패턴(135)을 형성할 수 있다.
본 발명에서는 상기 도 3a의 구조를 예를 들어 설명하도록 한다.
도 3a에의 공정에 이어, 상기 도3b의 구성 중 슬릿을 제외한 구조를 참조하여 연속하여 공정을 설명하도록 한다.
상기 도 3a에 도시한 바와 같이, 상기 게이트전극(125) 상부에 실리콘 질화막(SiNX), 실리콘 산화막(SiO2)등의 절연물질을 증착하여 제 1 절연층(128)을 형성한다.
다음으로, 상기 제 1 절연층(128)상에 아몰퍼스 실리콘이나 폴리실리콘 등의 순수 반도체물질과 연속으로 불순물 반도체물질을 증착하고 패터닝하여, 상기 게이트전극 상부에 아일랜드 형태의 액티브층(133)을 형성한다.
다음으로 도 4a에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(133) 상부에 전술한 도전성 금속을 증착하고 패터닝하여, 데이터배선(도 2의 115)과 상기 데이터배선(도 1의 113)에서 상기 액티브층(133) 상부로 연결된 소스전극(121)과, 이와는 소정간격 이격된 드레인전극(123)을 형성한다.
다음으로, 상기 드레인전극(123) 상부에 전술한 절연물질을 증착하고 패터닝하여, 상기 드레인전극(123) 상부에 드레인 콘택홀(137)을 형성한다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 콘택홀(137)이 형성된 기판(111)의 전면에 인듐-틴-옥사이드 와 인듐-징크-옥사이드와 같은 투명도전성 물질을 증착하여 투명도전성 금속층(139)을 형성한다.
다음으로, 상기 투명전극이 증착된 기판에 네가티브 포토레지스트(negative photo-resist)(141)를 도포 한다.
상기 네가티브 포토레지스트(141)는 광원에 의해 노광되지 않는 부분의 포토레지스트가 현상액에 의해 제거되는 특성을 갖는다.
상기 네가티브 포토레지스트(141)가 증착된 기판(111)은 배면노광 방식을 사용하여 노광하게 되며, 이 때, 상기 금속물질 또는 액티브층으로 패터닝된 부분을 제외한 나머지 포토레지스트부분(141a)이 빛(145)에 의해 노광된다.
다음으로, 상기 포토레지스트가 부분적으로 노광된 기판의 전면에서 상기 드레이전극(123) 상부의 드레인 콘택홀(137) 주변(147)을 제외한 나머지 부분을 차단하여 전면노광 방식으로 상기 드레인 콘택홀부분(147)을 노광한다.
다음으로 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 네가티브 포토레지스트를 현상액으로 현상하게 되면, 상기 노광되지 않은 부분(149a)(149b)의 포토레지스트가 제거되어 투명전극(139a)(139b)이 노출된다.
소정의 식각방식을 통해 상기 노출된 투명전극을 제거한 다음 상기 패터닝된 투명전극상의 포토레지스트(141a)를 제거한다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 콘택홀(137)을 통해 상기 드레인전극(123)과 접촉하는 화소전극(141)이 형성된다.
상기 화소전극(141)의 중앙에는 상기 게이트배선 또는 상기 액티브층과 동일층에 상기 화소영역을 가로지르는 패턴이 마스크로 이용된 슬릿(127)이 형성된다.
상기 슬릿(127)은 상기 화소전극(141)을 4 도메인으로 분할하는 역할을 하게 되며, 또 한 배면노광 시 상기 게이트배선과 상기 데이터배선의 측면으로 상기 화소전극이 0.5㎛정도 겹쳐져서 패터닝되고, 상기 슬릿(141)폭을 3㎛로 최소할 수 있기 때문에 상기 단일 화소영역에서 개구율을 확보할 수 있다.
이때, 상기 슬릿의 형태는 다양하게 변형 가능하다.
따라서, 본 발명에 따른 광시야각 액정표시장치는 상기 화소전극을 분할패턴 하기 위한 슬릿 형성 시, 상기 게이트배선이나 상기 액티브층 동일층에 형성된 패턴을 마스크로 이용하여 배면노광을 실시함으로써, 슬릿형성 시 3㎛이하의 슬릿을 형성할 수 있음으로 화소영역의 개구율을 확보할 수 있는 효과가 있다.
또 한, 상기 슬릿의 패턴불량을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 화소영역을 가진 기판을 구비하는 단계와;
    상기 기판 상에 도전성 금속을 증착하고 패터닝하여, 게이트배선과 상기 게이트배선에서 연장되어 형성된 게이트전극과, 상기 화소영역을 가로지르는 형상을 패턴하는 단계와;
    상기 게이트배선과 상기 화소영역을 가로지르는 형상이 패턴된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여 제 1 절연층을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 절연층상에 아일랜드 형태의 액티브층을 형성하는 단계와;
    상기 액티브층이 형성된 기판의 전면에 도전성금속을 증착하고 패터닝하여, 상기 게이트전극의 일 측 상부에 소스전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인전극과, 상기 소스전극과 연결되고 상기 게이트배선과 교차하는 데이터배선을 형성하는 단계와;
    상기 데이터배선이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여, 상기 드레인전극 상부에 드레인콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 드레인전극이 형성된 상기 제 2 절연층 상에 투명 도전성금속을 증착하는 단계와;
    상기 투명 도전성금속층 상에 포토레지스트를 증착하는 단계와;
    상기 포토레지스트를 상기 화소영역을 가로지르는 패턴을 이용하여 배면노광 방식으로 노광하는 단계와;
    상기 드레인 콘택홀 부분을 전면노광하는 단계와;
    상기 노광되지 않은 부분의 포토레지스트를 제거하고 그 하부의 투명전극을 제거하여 상기 화소전극과 상기 화소영역 상의 투명전극에 슬릿을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연물질은 실리콘 질화막(SiNX)과 실리콘 산화막(SiO2) 중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 금속은 크롬, 몰리브덴, 텅스텐을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 액정표시자치용 어레이기판 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 슬릿은 상기 화소전극 내에 형성되는 어레이기판 제조방법.
  5. 화소영역을 가진 기판을 구비하는 단계와;
    상기 기판 상에 도전성금속을 증착하고 패터닝하여, 게이트배선과 상기 게이트배선에서 연장되어 형성된 게이트전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트배선과 게이트전극이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여 제 1 절연층을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 절연층 상에 반도체층과 불순물 반도체층을 적층하고 동시에 패터닝하여, 상기 게이트전극 상부에 아일랜드 형태의 액티브층과 상기 게이트배선과 게이트배선 사이의 화소영역에 화소영역을 가로지르는 형상을 패턴하는 단계와;
    상기 화소영역을 가로지르는 액티브패턴과 상기 액티브층이 형성된 기판의 전면에 도전선 금속을 증착하고 패터닝하여, 상기 게이트전극의 일 측 상부에 소스전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인전극과, 상기 소스전극과 연결되고 상기 게이트배선과 교차하는 데이터배선을 형성하는 단계와;
    상기 데이터배선이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인전극 상부에 드레인콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 드레인 전극이 형성된 상기 제 2 절연층 상에 투명도전성 금속을 증착하는 단계와;
    상기 투명도전성금속층 상에 포토레지스트를 증착하는 단계와;
    상기 포토레지스트를 배면노광방식으로 노광하는 단계와;
    상기 드레인 콘택홀 부분을 전면노광하는 단계와;
    상기 노광되지 않은 부분의 포토레지스트를 제거하고 그 하부의 투명전극을 제거하여 상기 화소전극과 상기 화소영역 상의 투명전극에 슬릿을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연물질은 실리콘 질화막(SiNX)과 실리콘 산화막(SiO2) 중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 도전성 금속은 크롬, 몰리브덴, 텅스텐을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 액정표시자치용 어레이기판 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 슬릿은 상기 화소전극 내에 형성되는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  9. 기판을 구비하는 단계와;
    상기 기판에 스위칭 소자를 형성하는 단계와;
    상기 스위칭소자에 연결되고, 교차하는 제 1, 2 신호배선을 형성하는 단계와;
    상기 제 1, 2 신호배선의 교차에 의해 정의되는 화소영역에 화소영역을 가로지르는 형상의 불투명패턴을 형성하는 단계와;
    상기 화소영역에 투명도전성 금속을 증착하는 단계와;
    상기 화소영역을 가로지르는 형상의 불투명패턴을 마스크로 하여 배면노광하여 상기 화소영역에 상기 투명 도전성금속으로 된 화소전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 액티브층을 가진 박막트랜지스터이고, 상기 화소영역을 가로지르는 불투명패턴은 상기 게이트전극과 동일한 물질로 구성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 스위칭소자는 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 액티브층을 가진 박막트랜지스터이고, 상기 화소영역을 가로지르는 형상의 불투명패턴은 상기 액티브층과 동일한 물질로 구성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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