TWI412859B - 電泳顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

電泳顯示裝置及其製造方法

本發明涉及一電泳顯示裝置，尤其涉及一電泳顯示裝置和製造該電泳顯示裝置的方法。

直到最近，顯示裝置典型地包括液晶顯示(LCD)裝置，電漿顯示面板(PDPs)和有機電激發光顯示器(OLEDs)。然而，為滿足消費者需求，提出各種顯示裝置。

尤其地，顯示裝置需具備重量輕、外觀薄、效率高和全彩移動影像的特性。為滿足這些特性，提出電泳顯示裝置。電泳顯示裝置利用帶電粒子移動至陰極或陽極的現象。電泳顯示裝置在對比度、響應時間、全彩顯示、成本和移動性等都具有優越性。與LCD裝置不同，電泳顯示裝置無需偏振器、背光單元、液晶層等。因此，電泳顯示裝置在生產成本具有優越性。

第1圖所示習知技術中驅動電泳顯示裝置的方法剖面示意圖。在第1圖中，習知的電泳顯示裝置1包括一第一基板11、一第二基板36和一位於第一基板11和第二基板36間的墨水層57。墨水層57包括複數個膠囊63，在每個膠囊63中有複數個染白粒子59與複數個染黑粒子61。染白粒子59和染黑粒子61分別為透過縮合聚合反應帶有負電荷和正電荷。

連接至薄膜電晶體(圖中未示)的複數個像素電極28設置於第一基板11下且在每個像素區域內(圖中未示)。每個像素電極28具有正電壓或負電壓。當膠囊形成為各種尺寸時，執行過濾程序以獲得具有均勻尺寸的膠囊。

當正電壓與負電壓施加於墨水層57時，膠囊63中的染白粒子59和染黑粒子61根據所施加電壓的極性而移動。當染黑粒子61向上移動時，顯示為黑色。當染白粒子59向上移動時，顯示為白色。

第2圖為習知電泳顯示裝置的剖面示意圖。在第2圖中，習知的電泳顯示裝置1包括一第一基板11、一第二基板36和一位於第一基板11和第二基板36間的墨水層57。墨水層57設置於第五黏合層51與第六黏合層53之間。第五黏合層51與第六黏合層53中的每一個均係由透明材料所形成。共同電極55設置於第六黏合層53下，以面對墨水層57。墨水層57包括複數個膠囊63，在每個膠囊63中有複數個染白粒子59與複數個染黑粒子61。染白粒子59與染黑粒子61分別帶有負電荷與正電荷。

第二基板36可以透明塑膠或玻璃形成，而第一基板11可以不透明的不銹鋼形成。第一基板11亦可以透明塑膠或玻璃形成。紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)次濾光器的彩色濾光層40形成於第二基板36的整個表面下。閘線(圖中未示)和資料線(圖中未示)形成於第一基板11上。閘線與資料線相交以定義一像素區域P。一薄膜電晶體(TFT)Tr形成於閘線與資料線交叉部分。TFT Tr設置於每個像素區域P中。TFT Tr包括一閘極14、一閘絕緣層16、一包括主動層18a和歐姆接觸層18b的半導體層18、一源極20以及一汲極22。閘極和源極分別連接至閘線和資料線，且閘絕緣層16覆蓋閘極14。半導體層18設置於閘絕緣層16上並覆蓋閘極14。源極20和汲極22設置於半導體層18上且相互分離。

包括汲接觸孔27的鈍化層26形成於TFT Tr上。汲接觸孔27露出汲極22的一部分。像素電極28透過汲接觸孔27連接至汲極22。像素電極28可以透明導電材料形成，例如：銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。

具有上述元件的電泳顯示裝置1利用如自然光或室內光等的周圍光做為光源。電泳顯示裝置1可根據施加於像素電極28的電壓的極性，引導膠囊63中的染白粒子59和染黑粒子61的位置改變，以顯示影像。

第3A圖至第3E圖所示為習知的電泳顯示裝置的製程的剖面示意圖。定義有複數個像素區域的區域係指顯示區域，而顯示區域週邊區域的區域係指非顯示區域。

在第3A圖中，第一黏合層7與第二黏合層9分別形成於如玻璃基板的第一負載基板5的前表面與後表面上。第一金屬薄膜基板11與第二金屬薄膜基板13分別附於第一黏合層7的外表面和第二黏合層9的外表面。

然後，一絕緣層(圖中未示)形成於第一金屬薄膜基板11的整個表面上。相互交叉以定義像素區域P的閘線(圖中未示)和資料線(圖中未示)形成於絕緣層上。連接至閘線和資料線的TFT Tr形成於像素區域P中。雖然圖中未示，在非顯示區域中形成一連接至閘線的閘墊極和一連接至資料線的資料墊極。

鈍化層26藉由塗佈一有機絕緣材料而形成於TFT Tr上。鈍化層26經圖形化以形成一汲接觸孔27，露出在每個像素區域P中TFT Tr的汲極(圖中未示)、露出閘墊極的閘墊接觸孔(圖中未示)以及露出資料墊極的資料墊接觸孔(圖中未示)。

透明導電材料層(圖中未示)藉由沈積透明導電材料而形成於鈍化層26上。透明導電層經圖形化以形成透過汲接觸孔與TFT Tr的汲極接觸的像素電極28、一透過閘墊接觸孔與閘墊極接觸的閘輔助墊極(圖中未示)以及一透過資料墊接觸孔與資料墊極接觸的資料輔助墊極(圖中未示)。形成排列有例如TFT Tr、像素電極28等元件的第一金屬薄膜基板11，與堆積的第一黏合層7、第一負載基板5、第二黏合層9和第二金屬薄膜基板13，可稱為電泳顯示裝置的陣列基板22。

在第3B圖中，第三黏合層32與第四黏合層34分別形成於如玻璃基板的第二負載基板30的前表面與後表面上。第一透明基板36與第二透明基板38分別附於第三黏合層32的外表面和第四黏合層34的外表面。第一透明基板36與第二透明基板38中的每一均為柔性的。

包括順序排列的紅色(R)次濾光器40a、綠色(G)次濾光器40b與藍色(B)次濾光器40c的彩色濾光層40形成於第一透明基板36上。每個紅色(R)次濾光器40a、綠色(G)次濾光器40b與藍色(B)次濾光器40c對應於陣列基板22的像素區域P。形成有彩色濾光層40，與堆積的第三黏合層32、第二負載基板30、第四黏合層34和第二透明基板38的第一透明基板36，可稱為電泳顯示裝置的彩色濾光基板42。對應於次濾光器40a、40b以及40c的邊界區域的黑矩陣(圖中未示)，可進一步形成於彩色濾光基板42上。黑矩陣包圍每個像素區域P。

在第3C圖中，電泳膜65附於陣列基板22上。電泳膜65包括第五黏合層51和第六黏合層53、一共同電極55和一墨水層57。墨水層57設置於第五黏合層51和第六黏合層53之間，共同電極55設置於第六黏合層53以面向墨水層57。墨水層57包括複數個膠囊63，在每個膠囊63中有複數個染白粒子59和複數個染黑粒子61。染白粒子59和染黑粒子61分別透過縮合聚合反應帶有負電荷與正電荷。設置第五黏合層51以面對像素電極28，從而使墨水層57設置於共同電極55和像素電極28之間。

在第3D圖中，彩色濾光基板42附於陣列基板22以形成面板。設置彩色濾光基板42以面對電泳膜65。

在第3E圖中，帶有第一黏合層7、第二黏合層9與第二金屬薄膜基板13的第一負載基板5與第一金屬薄膜基板11脫離。同樣，帶有第三黏合層32、第四黏合層34與第二透明基板38的第二負載基板30與第一透明基板36脫離。由此，可得到電泳顯示裝置1。

然而，上述製程有習知的電泳顯示裝置的製程的缺點。製程非常複雜。也就是說，陣列基板需要將第一黏合層和第二黏合層附於第一負載基板的前表面和後表面、將第一金屬薄膜基板和第二金屬薄膜基板附於第一黏合層和第二黏合層以及形成如TFT或像素電極的陣列元件在附於第一黏合層的第一金屬薄膜基板上的製程。進一步地，陣列基板需要將第三黏合層和第四黏合層附於第二負載基板、將第一透明基板和第二透明基板附於第三黏合層和第四黏合層以及形成彩色濾光層於第一透明基板上的製程。此外，將無用元件如第一負載基板和第二負載基板與面板脫離。

進一步地，當在電泳顯示裝置製程中需要但是在電泳顯示裝置最終產品中無需的無用元件例如第一負載基板和第二負載基板脫離時，有一外應力。由此，在陣列基板和彩色濾光基板間存在對準差，從而顯示影像品質下降。

進一步地，在附著和脫離的過程中，在由如塑膠等相對低硬度材料所形成的第一透明基板上造成刮傷。刮傷亦造成顯示影像品質的下降。

因此，本發明提供一電泳顯示裝置及其製造方法，其完全地避免一個或複數個由於習知技術的限制和缺點所產生的問題。

透過介紹的方法，本發明的一個特點，係提供一電泳顯示裝置的製造方法，其包括：在一具有顯示區域的基板上形成一閘極、一閘線、一資料線以及一具有半導體層、一源極和一汲極的薄膜電晶體，該顯示區域定義有複數個像素區域、在顯示區域週邊區域的非顯示區域以及在非顯示的外部區域的切割部分，閘線與資料線相互交叉以定義像素區域，薄膜電晶體連接至閘線與資料線；形成一閘絕緣層於在包括有閘極和閘線的基板的整個表面上；形成一鈍化層於薄膜電晶體上；形成像素電極於鈍化層上的每個像素區域中，並連接至薄膜電晶體的汲極；形成對準標記於切割部分中；附加包括一黏合層、一具有帶電粒子的墨水層、一共同電極和一基底膜的電泳膜於像素電極上，墨水層設置於黏合層和基底膜之間，黏合層位於像素電極上，帶電粒子包括白色的帶負電的次粒子和黑色的帶正電的次粒子；利用用於將彩色濾光層與像素區域對齊的對準標記，形成彩色濾光層於基底膜上，彩色濾光層對應於顯示區域；形成鈍化片於彩色濾光層上並對應於顯示區域，其中，形成對準標記的步驟與形成閘線的步驟、形成資料線的步驟和形成像素電極的步驟的其中之一同步進行。

另一特點，一電泳顯示裝置包括一位於具有顯示區域的基板上的閘線，該顯示區域定義有複數個像素區域，和一在顯示區域週邊區域的非顯示區域；一位於基板上非顯示區域中的閘墊極，其並連接至閘線的一端；一位於包括有閘線的基板的整個表面的閘絕緣層；一位於閘線上並與閘線相交以定義像素區域的資料線；一薄膜電晶體，其包括一連接至閘線的閘極、一在閘絕緣層上並對應於閘極的半導體層、一設置於半導體層上且連接至資料線的源極以及一與源極分離且設置於半導體層上的汲極；一位於閘絕緣層上的非顯示區域中並連接至資料線的一端的資料墊極；一包括一汲接觸孔、一閘墊接觸孔和一資料墊接觸孔的鈍化層，位於薄膜電晶體上，該鈍化層在顯示區域具有第一厚度、在非顯示區域具有小於第一厚度的第二厚度，該汲接觸孔、該閘墊接觸孔以及該資料墊接觸孔分別露出汲極、閘墊極和資料墊極，該鈍化層包括一具有有機絕緣材料層和無機絕緣材料層的雙層結構，在顯示區域中的有機絕緣材料層比在非顯示區域中的有機絕緣材料層厚；一像素電極，位於每個像素區域的鈍化層上並透過汲接觸孔與汲極接觸；一位於像素電極上並對應於顯示區域的電泳膜；一位於電泳膜上的彩色濾光層；以及一位於彩色濾光層上的鈍化片。

另一特點，一電泳顯示裝置包括一位於具有顯示區域的基板上的閘線，該顯示區域定義有複數個像素區域，和一在顯示區域週邊區域的非顯示區域；一位於基板上非顯示區域中的閘墊極，其並連接至閘線的一端；一位於包括有閘線的基板的整個表面的閘絕緣層；一位於閘線上並與閘線相交以定義像素區域的資料線；一薄膜電晶體，其包括一連接至閘線的閘極、一在閘絕緣層上並對應於閘極的半導體層、一設置於半導體層上且連接至資料線的源極以及一與源極分離且設置於半導體層上的汲極；一位於閘絕緣層上的非顯示區域中並連接至資料線的一端的資料墊極；一包括一汲接觸孔、一閘墊接觸孔和一資料墊接觸孔的鈍化層，位於薄膜電晶體上，該鈍化層在顯示區域具有第一厚度、在非顯示區域具有小於第一厚度的第二厚度，該汲接觸孔、該閘墊接觸孔以及該資料墊接觸孔分別露出汲極、閘墊極和資料墊極，該鈍化層包括位於顯示區域中一具有第一無機絕緣材料層、有機絕緣材料層和第二無機絕緣材料層的三層結構；一像素電極，位於每個像素區域的鈍化層上並透過汲接觸孔與汲極接觸；一位於像素電極上並對應於顯示區域的電泳膜；一位於電泳膜上的彩色濾光層；以及一位於彩色濾光層上的鈍化片。

可以理解，以上通常的描述和以下詳細的描述僅為示例性，旨在於提供本發明的進一步的說明。

參照附圖，以詳細描述本發明。

在電泳顯示裝置中，膜類墨水層和彩色濾光層形成於形成有TFT的陣列基板上。

第4A圖至第4H圖為本發明第一實施例中電泳顯示裝置的像素區域的製程的剖面示意圖；而第5A圖至第5H圖為本發明第一實施例中電泳顯示裝置的閘墊區域的製程的剖面示意圖。第6A圖至第6H圖為本發明第一實施例中電泳顯示裝置的資料墊區域的製程的剖面示意圖；而第7A圖至第7C圖為本發明第一實施例中電泳顯示裝置的製程的平面示意圖。形成有像素電極與TFT等的像素區域P包括一形成有TFT的開關區域TrA和一形成有儲存電容器的儲存區域StgA。像素區域P定義於顯示區域DA。形成有閘墊極的閘墊區域GPA和形成有資料墊極的資料墊區域DPA定義於顯示區域的週邊區域的非顯示區域中。

在第4A圖、第5A圖和第6A圖中，第一金屬材料沈積於如玻璃基板或塑膠基板的絕緣基板101上，以形成一第一金屬層(圖中未示)。第一金屬材料包括鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、銅(Cu)、銅合金、鉻(Cr)和鈦(Ti)合金的其中之一。第一金屬材料層利用遮罩處理圖形化以形成一閘線(圖中未示)、一開關區域TrA中的閘極103、儲存區域StgA中的第一儲存電極105和閘墊區域GPA中的閘墊極107。遮罩處理包括一形成光阻(PR)層的步驟、一使用遮罩曝光PR層的步驟、一顯影已曝光之PR層以形成PR圖形的步驟、一蝕刻第一金屬材料層以形成所欲金屬圖形的步驟以及一剝離PR圖形的步驟。閘線沿一方向延伸，且閘極103連接至閘線。第一儲存電極105可為閘線的一部分。當共同線(圖中未示)形成為平行於閘線時，第一儲存電極105可為共同線的一部分。閘墊極107連接至閘線的一端。閘線、閘極103、第一儲存電極105和閘墊極107的每一個均可具有雙層結構。雙層結構可為一堆積的鋁釹/鉬層或一堆積的鈦合金/銅層。在第4A圖、第5A圖和第6A圖中，閘線、閘極103、第一儲存電極105和閘墊極107具有單層結構。

參考第7A圖，藉由第一金屬層的圖形化處理，對準標記191形成於可透過切割過程去除的對準標記區域CA中。對準標記191用於將彩色濾光層與像素區域P準確對準。形成有閘墊極107(第5A圖)和資料墊(圖中未示)的非顯示區域，位於設置有像素區域P的顯示區域DA與對準標記區域CA之間。對準標記191形成於與閘墊區域GPA相鄰的第一切割區域CA、與資料墊區域DPA相鄰的第二切割區域CA以及面對第一區域的第三切割區域CA中。對準標記191位於切割線的外部區域。因為彩色濾光層包括紅色、綠色以及藍色次彩色濾光器，對準標記區域CA的第一區域至第三區域的每一個包括至少一對準標記191。對準標記191可在另一過程中形成。

在第4B圖、第5B圖和第6B圖中，閘絕緣層110藉由沈積如氧化矽(SiO₂ )和氮化矽(SiN_x )之無機絕緣材料於包括閘線、閘極103、第一儲存線105和閘墊極107的整個表面上形成。接著，本質非晶矽的本質非晶矽層(圖中未示)和摻雜非晶矽的摻雜非晶矽層(圖中未示)依序地形成於閘絕緣層110上。本質非晶矽層和摻雜非晶矽層利用遮罩處理而進行圖形化處理，以形成本質非晶矽的主動層115a和摻雜非晶矽的摻雜非晶矽圖形115b。主動層115a和摻雜非晶矽圖形115b對應於閘極103。

在第4C圖、第5C圖和第6C圖中，第二金屬材料沈積於主動層115a、摻雜非晶矽圖形115b(第4B圖)和閘絕緣層110，以形成一第二金屬層(圖中未示)。第二金屬材料包括鉬(Mo)、銅(Cu)、鈦(Ti)合金或鋁合金(AlNd)的其中之一。第二金屬層可為雙層或三層結構。例如，第二金屬層的雙層結構可為堆積的鈦合金/銅，而第二金屬層的三層結構可為堆積的鉬/鋁釹/鉬。在第4C圖、第5C圖和第6C圖所示為具有單層結構的第二金屬層。

第二金屬層(圖中未示)經圖形化以形成一資料線(圖中未示)、一開關區域TrA中的源極120、一開關區域TrA中的汲極122、一儲存區域StgA中的第二儲存電極124和一在資料墊區域DPA中的資料墊極126。資料線與閘線交叉以定義像素區域P。源極120和汲極122設置於開關區域TrA的摻雜非晶矽圖形115b上，並相互分離。源極120連接至資料線，且第二儲存電極124連接至汲極122。資料墊極126設置於閘絕緣層110上，且連接至資料線的一端。

然後，位於源極120和汲極122之間的摻雜非晶矽圖形115b的露出部分，藉由乾式蝕刻過程而去除，從而主動層115a的一部分透過源極120和汲極122的空隙露出。歐姆接觸層115c形成於源極120和汲極122之下。主動層115a和歐姆接觸層115c構成半導體層115。

另一方面，若對準標記191(第7A圖)非於形成閘線和閘極103的過程中形成，對準標記191可在形成資料線、源極120和汲極122的過程中形成於閘絕緣層110上。在此情況下，對準標記亦位於對準標記區域CA的第一區域至第三區域。

雖然半導體層115、源極120和汲極122由相互不同的遮罩處理所形成，他們也可透過單一遮罩處理而形成。更詳細地，本質非晶矽層、摻雜非晶矽層以及第二金屬層依序地形成於閘絕緣層110上。然後，依序地形成於閘絕緣層110上的本質非晶矽層、摻雜非晶矽層以及第二金屬層利用以折射曝光方法或半調曝光方法的單一標記處理而進行圖形化處理，以形成具有不同厚度的PR圖形。本質非晶矽層、摻雜非晶矽層以及第二金屬層利用PR圖形做為蝕刻遮罩以進行蝕刻。在此情況下，在資料線和資料墊極下形成有與半導體層相同材料的半導體圖形。進一步地，當在此過程中形成對準標記時，在對準標記下亦有半導體圖形。

在第4D圖、第5D圖和第6D圖中，鈍化層130藉由塗佈如如光丙烯(photo-acryl)和苯環丁烯等有機絕緣材料，在資料線、源極120、汲極122、第二儲存電極124和資料墊極126上形成。鈍化層130有一平頂表面。鈍化層130利用以折射曝光方法或半調曝光方法的遮罩處理而進行圖形化處理，以形成汲接觸孔132、閘墊接觸孔134和資料墊接觸孔136，分別露出汲極122、閘墊極107和資料墊極126。此外，像素區域P中的鈍化層130具有第一厚度t1，而在包括有閘墊區域GPA和資料墊區域DPA的非顯示區域NA(第7A圖)中的鈍化層130具有小於第一厚度t1的第二厚度t2。鈍化層130可藉由包括利用步進類曝光裝置的空白曝光的二遮罩處理而進行圖形化處理。鈍化層130是以有機絕緣材料所形成，以最小化寄生電容，並得到平頂表面。例如，寄生電容可產生於第一儲存電極105和像素電極之間，以及在第二儲存電極124和像素電極之間。

如上所述，顯示區域DA的鈍化層130與非顯示區域NA的鈍化層130具有不同的厚度。顯示區域DA的鈍化層130的第一厚度t1大於非顯示區域NA的鈍化層130的第二厚度t2。(t1>t2)。另一方面，閘輔助墊極和資料輔助墊極將形成於鈍化層130上，並分別透過閘墊接觸孔134和資料墊接觸孔136與閘墊極107和資料墊極126接觸。為了每個閘輔助墊極和資料輔助墊極與外部驅動電路基板(圖中未示)的連接，執行捲帶自黏合(TAB)處理。在此情況下，每個閘輔助墊極和資料輔助墊極透過包括有導電球(圖中未示)的異方導電膜(ACF)與捲帶式封裝(TCP)膜接觸。每個閘輔助墊極和資料輔助墊極的深度越大，ACF中的導電球的直徑越大。不幸地，相鄰閘墊接觸孔的導電球或相鄰資料墊接觸孔的導電球可相互接觸，從而在存在電性短路的問題。當在包括有閘墊區域GPA和資料墊區域DPA的非顯示區域NA中的鈍化層130的厚度較小時，ACF中的導電球的直徑較小，從而能避免電性短路的問題。進一步的，藉由增加顯示區域DA的鈍化層130的厚度，可最小化如像素電極和第二儲存電極124間所感應的寄生電容。因此，在本發明中，顯示區域DA的鈍化層130的第一厚度t1大於非顯示區域NA的鈍化層130的第二厚度t2(t1>t2)。

當鈍化層130具有如光丙烯(photo-acryl)或BCB等有機絕緣材料的單層結構時，如上所述，遮罩處理中的曝光處理因其光敏特性，直接作用於有機絕緣材料層上。然而，如第8A圖至第8C圖和第9A圖至第9C圖所示，鈍化層130可具有雙層結構或三層結構。第8A圖至第8C圖分別為本發明第二實施例中電泳顯示裝置的像素區域、閘墊區域、資料墊區域中鈍化層的製程的剖面示意圖，而第9A圖至第9C圖分別為本發明第三實施例中電泳顯示裝置的像素區域、閘墊區域、資料墊區域中鈍化層的製程的剖面示意圖。

第8A圖至第8C圖中，當鈍化層130為雙層結構時，一有機絕緣材料層130a和無機絕緣材料層130b堆積。第9A圖至第9C圖中，當鈍化層130為三層結構時，一第一無機絕緣材料層130a、一有機絕緣材料層130b和第二無機絕緣材料層130c堆積。有機絕緣材料層包括光丙烯(photo-acryl)或BCB的其中之一，無機絕緣材料層包括氧化矽或氮化矽的其中之一。

例如，在第9A圖到第9C圖中，鈍化層130有一無機絕緣材料的上層。由於無機絕緣材料不具有光敏特性，遮罩處理中的曝光及顯影處理不能直接作用於無機絕緣材料。在此情況下，具有光敏特性的PR材料的PR層(圖中未示)形成於無機絕緣材料層上，PR層藉由折射曝光處理或半調曝光處理而曝光並顯影，以在顯示區域DA形成第一PR圖形(圖中未示)，以及在非顯示區域NA形成第二PR圖形(圖中未示)，第二PR圖形的厚度小於第一PR圖形的厚度。然後，無機絕緣材料的第二無機絕緣材料層130c、有機絕緣材料層130b和無機絕緣材料的第一無機絕緣材料層130a藉由使用第一和第二PR圖形做為圖形遮罩而進行圖形化處理，以露出閘墊極107和資料墊極126。接下來，非顯示區域NA的第二PR圖形藉由灰化處理去除，從而露出第二PR圖形下的第二無機絕緣材料層130c的一部分。第二無機絕緣材料層130c的露出的部分經蝕刻，從而在非顯示區域NA的鈍化層130具有第一無機絕緣材料層130a和有機絕緣材料層130b的雙層結構。也就是，完全去除非顯示區域NA的第二無機絕緣材料層130c，而有機絕緣材料層130b具有經減小的厚度。

鈍化層130具有上述之雙層結構或上述之三層結構，係提高形成於鈍化層130上之像素電極與鈍化層130之間的黏合力，並提高TFT Tr的特性。由於有機絕緣層與導電材料之間的黏合力小於有機絕緣材料與無機絕緣材料之間的黏合力以及無機絕緣材料與導電材料之間的黏合力，而使導電材料的像素電極與鈍化層130之間的黏合力藉由將無機絕緣材料層設置於有機絕緣材料層與導電材料層之間而提高。進一步地，當部分露於源極120和汲極122之間的主動層115a接觸有機絕緣材料層時，具有差的介面特性，從而降低TFT Tr的特性。因此，為防止TFT Tr的特性的降低，與主動層115a具有優良介面特性的無機絕緣材料層可設置於鈍化層130的底層。

在第4E圖、第5E圖、第6E圖中，如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導電材料沈積於鈍化層130上，以形成透明導電材料層(圖中未示)。在沈積透明導電材料之前，如Mo作為第三金屬材料的不透明金屬材料可沈積於鈍化層130上。在此情況下，雙層結構的導電材料形成於鈍化層130上。當用於對準彩色濾光層的對準標記不是在閘線形成步驟和資料線形成步驟中所形成時，對準標記藉由圖形化第三金屬材料層而形成。如果不形成不透明金屬材料的第三金屬材料層而對準標記是由透明導電材料所形成，使用透明導電材料的對準標記以對準彩色濾光層是非常困難的。

另一方面，像素電極可包括不透明金屬材料的單層結構。在此情況中，對準標記與像素電極材料相同，且與像素電極材料形成於同一層。由於對準標記位於鈍化層上，有利於使用對準標記對準彩色濾光層。

接下來，雙層或三層結構的導電材料層經圖形化，以形成每個像素區域P中的像素電極140、閘墊區域GPA中的閘輔助墊極142和資料墊區域DPA中的資料輔助墊極144。像素電極140、閘輔助墊極142和資料輔助墊極144分別透過汲接觸孔132、閘墊接觸孔134和資料墊接觸孔136與汲極122、閘墊極107和資料墊極126接觸。

當用於對準彩色濾光層的對準標記不是在閘線形成步驟和資料線形成步驟中所形成時，對準標記藉由在像素電極圖形化處理中圖形化不透明材料的第三金屬材料，形成於對準標記區域CA中的鈍化層130上。

第10A圖至第10C圖分別為本發明一實施例中電泳顯示裝置中用於形成彩色濾光層的對準標記的位置的剖面示意圖。第10A圖所示為於閘線形成步驟中所形成的對準標記的位置，第10B圖所示為於資料線形成步驟中所形成的對準標記的位置，而第10C圖所示為於像素電極形成步驟中所形成的對準標記的位置。

在第10A圖中，當對準標記191是於閘線形成步驟中所形成時，對準標記191位於基板101上且以閘絕緣層110覆蓋。在第10B圖中，當對準標記191是於資料線形成步驟中所形成時，對準標記191位於閘絕緣層110上且以鈍化層130覆蓋。在第10C圖中，當對準標記191是於像素電極形成步驟中所形成時，對準標記191位於鈍化層130上。第10A圖至第10C圖所示為單層的對準標記191。然而，當閘線、資料線、和像素電極140為雙層或三層結構時，對準標記191亦具有雙層或三層結構。

在第4F圖、第5F圖、第6F圖和第7B圖中，電泳膜167附於像素電極140上。電泳膜167對應於顯示區域DA。電泳膜167包括一如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)之透明且柔性材料的基底膜150、一基底膜150下的共同電極153、一共同電極153下的墨水層163和一墨水層163下的黏合層165。當電泳膜167附於像素電極140時，墨水層163位於共同電極153與像素電極140之間，而黏合層165面對像素電極140。共同電極153由透明導電材料所形成。墨水層163包括複數個膠囊160，在每個膠囊160中有複數個染白粒子156與複數個染黑粒子158。染白粒子156和染黑粒子158可分別藉由縮合聚合反應帶有負電荷與正電荷。

電泳膜167可具有與上述不同的結構。例如，墨水層163可只有染白粒子156和染黑粒子158的其中之一。雖然圖中未示，當墨水層163只有染白粒子156和染黑粒子158的其中之一時，共同電極可與像素電極形成於同一層於鈍化層130上。也就是說，不同於第四F圖所示的結構，共同電極153不形成於墨水層163的整個表面。在此情況下，像素電極具有複數個條形，而共同電極亦具有複數個條形。共同電極的條與像素電極的條交錯佈置。平行於閘線的共同線形成於閘線形成步驟中，且露出共同線一部分的共同接觸孔形成於鈍化層130和閘絕緣層110中。共同電極透過共同接觸孔與共同線接觸。

電泳膜167的整體厚度約為300微米至500微米。當形成有對準標記的層間的步驟不同時，電泳膜167的頂層大於500微米，使用對準標記191以對準將要形成於電泳膜167上的彩色濾光層有些許困難。

第4G圖、第5G圖、第6G圖和第7C圖中，紅色濾光層(圖中未示)藉由塗佈紅色光阻，形成於顯示區域DA中電泳膜167的基底層150上。例如，紅色光阻藉由旋轉塗佈法塗佈。將紅色濾光層與對準標記191準確對準後，紅色濾光層由具有透光的透光區的和阻光的阻光區的遮罩處理而曝光和顯影，以形成紅色(R)次彩色濾光器170a。紅色(R)次彩色濾光器170a對應於一些像素區域P。由於紅色光阻為負型，光照射的紅色濾光層的部分仍留在基底層150上，光無照射的紅色濾光層的部分經去除。

接下來，綠色(G)次彩色濾光器170b和藍色(B)次彩色濾光器170c藉由與紅色(R)次彩色濾光器170a形成過程相同的過程，形成於基底層150上。紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)次彩色濾光器170a、170b與170c依序地重複。紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)次彩色濾光器170a、170b與170c設置於每個像素區域P中。

彩色濾光層170可包括一帶有紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)次彩色濾光器170a、170b與170c的白色(W)次彩色濾光器。白色(W)次彩色濾光器藉由塗佈和圖形化無色光阻而形成。在此情況下，每個紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)和白色(W)次彩色濾光器設置於矩陣形狀的四個像素區域中。次彩色濾光器可由噴墨裝置所形成。藉由噴墨裝置，次彩色濾光器可形成於每個像素區域P而不經用於形成每個次彩色濾光器的圖形化處理。

在形成彩色濾光基板170前，黑矩陣(圖中未示)可形成於每個像素區域P的邊界區域。黑矩陣對應於閘線和資料線。黑樹脂層塗佈於基底膜150上，或以黑色為基礎的金屬材料層沈積於基底膜150上。以黑色為基礎的金屬材料層可由鉻(Cr)形成。黑樹脂層或以黑色為基礎的金屬材料層經圖形化以形成黑矩陣。

在第4H圖、第5H圖與第6H圖中，具有透明和柔性特性的塑膠材料的鈍化片180位於彩色濾光層170上。封裝圖形(圖中未示)沿顯示區域DA的週邊的非顯示區域NA而形成。鈍化片180附於基板101，從而鈍化片180覆蓋顯示區域DA。鈍化片180露出閘輔助墊極142和資料輔助墊極144。

接下來，雖然圖中未示，沿切割線切割基板101，以去除形成有對準標記191的部分CA。此部分為非顯示區域NA的外部區域。一ACF(圖中未示)附於閘輔助墊極142和資料輔助墊極144，且ACF與TCP(圖中未示)電性連接至外部驅動電路基板(圖中未示)。藉由上述調製處理，得到本發明的電泳顯示裝置。

第11A圖至第11C圖為本發明一實施例中的製程的剖面示意圖。

在第11A圖中，TFT Tr、用於對準彩色濾光層的對準標記191、在顯示區域DA和非顯示區域NA中具有不同厚度的鈍化層130、每個像素區域P中的像素電極形成於基板101上。由於每個元件的製造細節已經解釋過，所以省略解釋。在第11A圖中，對準標記191係於形成閘線(圖中未示)和TFT Tr的閘極(圖中未示)的步驟中所形成。

在第11B圖中，包括黏合層165、墨水層163、共同電極153和基底膜150的電泳膜167附於形成像素電極140的基板101上。電泳膜167對應於顯示區域DA。在第11B圖中，墨水層163包括複數個膠囊160，在每個膠囊160中有複數個染白粒子156與複數個染黑粒子158。染白粒子156和染黑粒子158分別藉由縮合聚合反應帶有負電荷與正電荷。然而，墨水層163可只有染白粒子156和染黑粒子158的其中之一。在此情況下，電泳膜167中的共同電極153省略，而共同電極形成於基板101上。共同電極可與像素電極形成於同一層於鈍化層130上。像素電極具有複數個條形，共同電極亦具有複數個條形。共同電極的條與像素電極的條交錯設置。

在第11C圖中，彩色濾光層170包括依次重複的紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)次彩色濾光器，其使用對準標記191形成於電泳膜167上。彩色濾光層170可包括具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)次彩色濾光器的白色(W)次彩色濾光器。每個紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)和白色(W)次彩色濾光器設置於矩陣形狀的四個像素區域中。

接下來，鈍化片180形成於彩色濾光層170上，而形成有對準標記191的基板101的一部分藉由沿切割線切割而去除。一ACF(圖中未示)附於閘輔助墊極142和資料輔助墊極144，且ACF與TCP(圖中未示)電性連接至外部驅動電路基板(圖中未示)。藉由上述調製處理，得到本發明的電泳顯示裝置100。

在上述電泳顯示裝置的製程中，無需習知的電泳顯示裝置的製程中必要的負載基板。此外，無需用於附著負載基板的黏合層。因此，降低製造成本。

進一步地，由於彩色濾光層直接地形成於電泳膜上，無需彩色濾光層的基板。在此情況下，本發明中的電泳顯示裝置由於彩色濾光層直接位於電泳膜上，其對準差範圍(約2微米)小於彩色濾光層形成於另一基板的習知的電泳顯示裝置中的對準差範圍(約5微米)，此有利於對準特性。

進一步地，由於無需不必要元件的脫離過程，可避免如刮傷之問題。

此外，由於鈍化層在顯示區域和非顯示區域具有不同的厚度，可避免電性短路的問題，且可最小化寄生電容。

第12A圖至第12C圖為用於分別解釋本發明一實施例中電泳顯示裝置的像素區域、閘墊區域、資料墊區域中鈍化層的製程的剖面示意圖。由於僅覆蓋TFT的鈍化層的不同，解釋注重於鈍化層的製程。

參考第12A圖至第12C圖，鈍化層130有一雙層結構。雖然第8A圖至第8C圖顯示具有雙層結構的鈍化層130，在堆積次序上具有不同。像素區域P(第8A圖)中的鈍化層130(第8A圖)具有一有機絕緣材料的第一層130a和堆積於在第8A圖至第8C圖中第一層130a(第8A圖)的無機絕緣材料的第二層130b，而當鈍化層130位於像素區域P，閘墊區域GPA和資料墊區域DPA具有一無機絕緣材料的第一層130d和一有機絕緣絕緣材料的第二層130e堆積於第一層130d上。例如，第一層130d可由氧化矽(SiO₂ )或氮化矽(SiN_x )形成，第二層130e可由苯環丁烯(BCB)或光丙烯(photo-acryl)所形成。

在第8A圖至第8C圖中的電泳顯示裝置中，在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中，由無機絕緣材料所形成的鈍化層130的第二層130b經去除，從而在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中的鈍化層130具有有機絕緣材料的第一層130a的單層結構。因此，在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中的鈍化層130的厚度小於在像素區域中的鈍化層130的厚度。然而，在第12A圖至第12C圖的電泳顯示裝置中，鈍化層130不僅在像素區域P中並在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中具有雙層結構。在此情況下，在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中，由有機絕緣材料所形成的鈍化層130的第二層130e的厚度小於其於像素區域P中的厚度。另一方面，在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中的鈍化層130的第二層130e可完整地去除，從而在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中的鈍化層130具有無機絕緣材料的單層結構。

當鈍化層130具有以無機絕緣材料做為下層的第一層130d和以有機絕緣材料做為上層的第二層130e的雙層結構時，沒有PR層用於圖形化鈍化層130。鈍化層130藉由曝光和顯影第二層130e而直接圖形化，而無PR層。這是因為有機絕緣材料的第二層130e為光敏的。

也就是說，折射曝光處理或半調曝光處理使用掃描型曝光單元(圖中未示)作用於具有第一層130d與第二層130e的雙層結構的鈍化層130上，或包括空白曝光的二曝光處理使用步進類曝光單元(圖中未示)作用於包括第一層130d與第二層130e的雙層結構的鈍化層130上。然後，鈍化層130的第二層130e經顯影，從而在包括像素區域P的顯示區域中的鈍化層130的第二層130e具有第一厚度t1，而在包括閘墊區域GPA和資料墊區域DPA的非顯示區域中的鈍化層130的第二層130e具有小於第一厚度t1的第二厚度t2。此外，覆蓋像素區域P中的每個汲極122、閘墊區域GPA中的閘墊極107和資料墊區域DPA中的資料墊極126的第一層130d的一部分藉由去除第二層130e而露出。然後，第一層130d的露出部分經蝕刻，從而汲接觸孔132、閘墊接觸孔134和資料墊接觸孔136透過第一層130d分別露出汲極122、閘墊極107和資料墊極126。在此情況下，鈍化層130不僅在像素區域P中並在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中具有第一層130d與第二層130e的雙層結構。

另一方面，當非顯示區域中的鈍化層130為單層結構時，在折射曝光處理或半調曝光處理後具有不同厚度的第二層130e上需要單次的乾式蝕刻過程。

也就是說，在像素區域P中具有第一厚度t1且在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中具有第二厚度t2的第二層130e經乾式蝕刻，從而完全去除在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA的第二層130e，以及減小在像素區域P中第二層130e的厚度。因此，鈍化層130在像素區域P中具有雙層結構，而鈍化層130在閘墊區域GPA和資料墊區域DPA中具有單層結構。

由於下述過程與參照第8A圖至第8C圖的所解釋的過程完全相同，而省略下述過程的解釋。

對本領域的技術人員而言，對本發明所做的各種修改和變化沒有背離本發明的精神和範圍。如此，對本發明的修改和變化，都在其申請專利範圍等的保護中。上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明作任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。

1．．．電泳顯示裝置

5．．．第一負載基板

7．．．第一黏合層

9．．．第二黏合層

11．．．第一基板/第一金屬薄膜基板

13．．．第二金屬薄膜基板

14．．．閘極

16．．．閘絕緣層

18．．．半導體層

18a．．．主動層

18b．．．歐姆接觸層

20．．．源極

22．．．汲極/陣列基板

26．．．鈍化層

27．．．汲接觸孔

28．．．像素電極

30．．．第二負載基板

32．．．第三黏合層

34．．．第四黏合層

36．．．第二基板/第一透明基板

38．．．第二透明基板

40．．．彩色濾光層

40a．．．紅色次濾光器

40b．．．綠色次濾光器

40c．．．藍色次濾光器

42．．．彩色濾光基板

51．．．第五黏合層

53．．．第六黏合層

55．．．共同電極

57．．．墨水層

59．．．染白粒子

61．．．染黑粒子

63．．．膠囊

65．．．電泳膜

101．．．絕緣基板

103．．．閘極

105．．．第一儲存電極

107．．．閘墊極

110．．．閘絕緣層

115．．．半導體層

115a．．．主動層

115b．．．摻雜非晶矽圖形

115c．．．歐姆接觸層

120．．．源極

122．．．汲極

124．．．第二儲存電極

126．．．資料墊極

130．．．鈍化層

130a．．．有機絕緣材料層(第8A圖至第8C圖)

130a．．．第一無機絕緣材料層(第9A圖至第9C圖)

130b．．．無機絕緣材料層(第8A圖至第8C圖)

130b．．．有機絕緣材料層(第9A圖至第9C圖)

130c．．．第二無機絕緣材料層

130d．．．第一層

130e．．．第二層

132．．．汲接觸孔

134．．．閘墊接觸孔

136．．．資料墊接觸孔

140．．．像素電極

142．．．閘輔助墊極

144．．．資料輔助墊極

150．．．基底膜

153．．．共同電極

156．．．染白粒子

158．．．染黑粒子

160．．．膠囊

163．．．墨水層

165．．．黏合層

167．．．電泳膜

170．．．彩色濾光層

170a．．．紅色次彩色濾光器

170b．．．綠色次彩色濾光器

170c．．．藍色次彩色濾光器

180．．．鈍化片

191．．．對準標記

附圖構成說明書的一部分，其有助於進一步理解本發明，說明本發明的實施方式，並配合本發明之說明用於解釋本發明的原理。

如圖所示：

第1圖為習知技術中驅動電泳顯示裝置的方法剖面示意圖；

第2圖為習知的電泳顯示裝置的剖面示意圖；

第3A圖至第3E圖為習知的電泳顯示裝置的製程的剖面示意圖；

第4A圖至第4H圖為本發明第一實施例中電泳顯示裝置的像素區域的製程的剖面示意圖；

第5A圖至第5H圖為本發明第一實施例中電泳顯示裝置的閘墊區域的製程的剖面示意圖；

第6A圖至第6H圖為本發明第一實施例中電泳顯示裝置的資料墊區域的製程的剖面示意圖；

第7A圖至第7C圖為本發明第一實施例中電泳顯示裝置的製程的平面示意圖；

第8A圖至第8C圖分別為本發明第二實施例中電泳顯示裝置的像素區域、閘墊區域、資料墊區域中鈍化層的製程的剖面示意圖；

第9A圖至第9C圖分別為本發明第三實施例中電泳顯示裝置的像素區域、閘墊區域、資料墊區域中鈍化層的製程的剖面示意圖；

第10A圖至第10C圖分別為本發明一實施例中電泳顯示裝置中用於形成彩色濾光層的對準標記的位置的剖面示意圖；

第11A圖至第11C圖為本發明一實施例中的製程的剖面示意圖；以及

第12A圖至第12C圖為用於分別解釋本發明一實施例中電泳顯示裝置的像素區域、閘墊區域、資料墊區域中鈍化層的製程的剖面示意圖。

100．．．電泳顯示裝置

101．．．絕緣基板

130．．．鈍化層

140．．．像素電極

150．．．基底膜

153．．．共同電極

156．．．染白粒子

158．．．染黑粒子

160．．．膠囊

163．．．墨水層

165．．．黏合層

167．．．電泳膜

170．．．彩色濾光層

180．．．鈍化片

191．．．對準標記

Claims (14)

1. 一種製造電泳顯示裝置的方法，其包括：形成一閘極、一閘線、一資料線以及一薄膜電晶體，該薄膜電晶體具有一半導體層、一源極以及一在一基板上的汲極，該基板包括定義有複數個像素區域的一顯示區域、一在該顯示區域週邊區域的非顯示區域和一在該非顯示區域的外部區域的切割部分，該閘線和該資料線相互交叉以定義該像素區域，該薄膜電晶體連接至該閘線和該資料線；形成一閘絕緣層於包括該閘極和該閘線的基板的整個表面上；形成一鈍化層於該薄膜電晶體上；形成一像素電極於該鈍化層上的每個像素區域中且連接至該薄膜電晶體的該汲極，該像素電極係由一不透明材料而形成；形成一對準標記於該切割部分中；附著一電泳膜於該像素電極上，該電泳膜包括一黏合層、形成於該黏合層上之具有一帶電粒子的一墨水層、形成於該墨水層上之一共同電極以及形成於該共同電極上之一基底膜，該墨水層設置於該黏合層與該基底層之間，該黏合層在該像素電極上，帶電粒子包括為一白色的帶負電次粒子以及一黑色的帶正電次粒子；直接形成一彩色濾光層於該基底膜上，利用該對準標記將該彩色濾光層與該像素區域對準，該彩色濾光層對應於該顯示區域；以及附著一鈍化片於該彩色濾光層之上且對應於該顯示區域，其中，形成該對準標記的步驟與形成像素電極的步驟同時進行。
2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，進一步包括在形成該鈍化片後去除該切割部分。
3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，進一步包括：形成一閘墊極於該非顯示區域的該基板上；以及形成一資料墊極於該非顯示區域的該閘絕緣層上；其中該閘墊極和該資料墊極分別連接至該閘線的一端和該資料線的一端。
4. 如申請專利範圍第3項所述的方法，其中該鈍化層包括一露出該汲極的汲接觸孔、一露出閘墊極的閘墊接觸孔以及一露出資料墊極的資料墊接觸孔。
5. 如申請專利範圍第4項所述的方法，其中該鈍化層包括一具有一有機絕緣材料層和一無機絕緣材料層的雙層結構，在該顯示區域的該有機絕緣材料層比在該非顯示區域的該有機絕緣材料層厚。
6. 如申請專利範圍第5項所述的方法，其中，形成像素電極的步驟包括形成一透過閘墊接觸孔與閘墊極接觸的閘輔助墊極以及一透過資料墊接觸孔與資料墊極接觸的資料輔助墊極。
7. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該對準標記包括在三側邊的第一、第二以及第三次對準標記。
8. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中該對準標記的位置為直接在基板上、直接在閘絕緣層上和直接在鈍化層上之一，並且其中當對準標記係直接位於鈍化層上。
9. 一種電泳顯示裝置，包括：一在一基板上的閘線，其具有一定義有複數個像素區域的顯示區域和一在該顯示區域週邊區域的非顯示區域；一在基板上的非顯示區域的閘墊極，其並連接至該閘線的一端；一閘絕緣層，其位於包括該閘線的該基板的整個表面上；一位於該閘線上的資料線，其並與該閘線相交以定義該像素區域；一薄膜電晶體，其包括一連接至該閘線的閘極、一在閘絕緣層上並對應於該閘極的半導體層、一連接至該資料線且設置於該半導體層上的源極、以及一與該源極分離且設置於該半導體層上的汲極；一資料墊極，其位於該閘絕緣層上的該非顯示區域並連接至該資料線 的一端；一鈍化層，其包括薄膜電晶體上的一汲接觸孔、一閘墊接觸孔和一資料墊接觸孔，該鈍化層在顯示區域具有第一厚度而在非顯示區域有小於第一厚度的第二厚度，該汲接觸孔、閘墊接觸孔和該資料墊接觸孔分別露出該汲極、該閘墊極和該資料墊極，該鈍化層在該顯示區域中包括一具有一第一無機絕緣材料層、一有機絕緣材料層和一第二無機絕緣材料層的三層結構，其中該有機絕緣材料層係設置在該第一和第二無機絕緣材料層之間；一像素電極，其位於每個像素區域的鈍化層上並透過該汲接觸孔與該汲極接觸；一電泳膜，其位於該像素電極上並對應於該顯示區域；一位於該電泳膜上的彩色濾光層；以及一位於該彩色濾光層上的鈍化片，其中，該像素電極係由不透明金屬材料所形成，且該像素電極覆蓋於透過該源極和該汲極之間的空隙而露出的該半導體層上。
10. 如申請專利範圍第9項所述的電泳顯示裝置，其中該電泳膜包括一位於該像素電極上的黏合層、一位於該黏合層上具有帶電粒子的墨水層、一位於該墨水層上的共同電極和一位於該共同電極上的基底膜。
11. 如申請專利範圍第10項所述的電泳顯示裝置，其中該帶電粒子包括位於複數個膠囊的每一個中的一白色的帶負電的次粒子以及一黑色的帶正電的次粒子。
12. 如申請專利範圍第9項所述的電泳顯示裝置，進一步包括：一在該顯示區域中和在該基板上的第一儲存電極；以及一在該顯示區域中和在該閘絕緣層上的第二儲存電極。
13. 如申請專利範圍第9項所述的電泳顯示裝置，進一步包括：一在該鈍化層上的該非顯示區域中的閘輔助墊極，該閘輔助墊極透過該閘墊接觸孔與該閘墊極接觸；一在該鈍化層上的該非顯示區域中的資料輔助墊極，該資料輔助墊極 透過該資料墊接觸孔與該資料墊極接觸；一導電球，其將一外部驅動電路連接至該閘輔助墊極和該資料輔助墊極的至少其中之一。
14. 如申請專利範圍第9項所述的電泳顯示裝置，其中該鈍化層包括一在該非顯示區域中具有該第一無機絕緣材料層和該有機絕緣材料層的雙層結構。