TWI338728B - - Google Patents

Description

1338728 九、發明說明： 【發明所屬之技彳_領域】 本發明係關於用於製造半導體元件的星6士 a 干、，〇日日之製造方 法’特別是關於藉由柴氏長晶法（cz法）制、Α ^表k出長入 (grown-in)缺陷密度小、外周部之Fe等重厶sβ 里金屬雜質濃度減 低之極高品質的矽單結晶。 【先前技術】 半導體積體電路元件之高集成化及其所伴隨的微細化 之進展非常迅速，為了提昇元件製造的良品率針對基板 所使用的晶圓，有大型化及高品質化之強烈要求。基板之 氧濃度及重金屬雜質等與結晶品質有關之項目，會影響半 導體積體電路元件的特性（參照超潔淨科技，ν〇ι. 5 「矽晶圓之重金屬污染與氧化膜缺陷」），特別是已報告 提出，Fe等的重金屬污染會使_的閘極氧化膜之耐壓性 變f。又，當矽單結晶受到重金屬污染時，會對少數載子 的哥命產生很大的影響’可能會使半導體積體電路元件的 特性發生問題。 又，最近元件製造之良品率提昇之重要要素之-’係 以晶圓外周部之元件的產率提昇為課題，目此如何降低晶 圓外周部之Fe等重金屬污染也變得相當重要。就單結晶受 重金屬污染的原因而言，已知係融液中混入的雜質所造 成’但最近發現到整流筒等放出的Fe(鐵）會附著於拉晶中 的單結晶。 丄 CZ法中’特別是製造2〇。_以上之大直徑矽單結晶時， 。。：用的裝置大多配置整流筒（包圍從原料融液拉晶出的 早結晶）。整流筒的作用，係在拉晶中使供應至長晶室内 的非活性氣體替户，η μ ；IL 且使热發自融液之石夕氧化物高效率地 心爐外° ―般的m係使用石墨構件等的碳材，且 置成接近結晶’亦即配置在與結晶距離^隱範 圍、更近為也纟士 BSTRAfr 1Λ -、、‘口日日巨離l〇mm〜1〇〇mm的範圍。就整流筒的材 :而& ’也忐採用豸、鉬等的高融點金屬。又，當使用適 田的冷媒日夺，也能以不銹鋼或銅作為整流筒的材料。 然而，力整流筒釋放出Fe等的重金屬成分，其將附著 於拉晶中的結晶表面，之後從伴隨成長之結晶培育中的超 心冷卻至室溫之過程中，Fe會從結晶周邊往結晶中心擴 放’特別疋在結晶周邊部會產i金屬污染。 ㈣5113於整流筒的重金屬污染，W0G1/81661號公 報出'對策，得尤敕、& & 係在& >，IL滴表面，以可將Fe濃度抑制在極 低之熱解奴的南純度被膜進行被覆。如此般將整流筒表面 予。、。被復可抑制住整流筒之F e成分的釋放，而使成長茨 的單結晶外周部之Fe濃度降到降低。 另方面，P遺著近年來元件的高集成化，&開始要求 降低晶圓中之 所謂長入 FPD、LSTD、COP等的長入缺陷 (gr_-in)缺陷係指，在以cz法成長石夕單結晶時，成長時 導入釔BB中之單結晶成長起因的缺陷。 在此針對以Μ法成長矽單結晶時之拉晶速度、與成 長出的矽單結晶缺陷的關係，進行說明。當CZ拉晶機沿結 1338728 晶軸方向使成長速度v由高速變成低速時，單結晶之軸方 向的截面係呈圖8所示之缺陷分布圖。 圖8中之v區域，係代表空缺（Vacancy) '即石夕原子不 足所產生之凹部，其為孔狀物較多的區域；I區域，係代 表因多餘的矽原子、即晶格間矽（Interstitial_Si)所產生 之差排或多餘石夕原子塊較多的區域。又，在V區域與I區 域間，係沒有原子之過與不足、或該情形較少的中性 (Neutral)區域（N區域）；又在v區域的邊界附近有稱作 〇SF(氧化誘發積層缺陷，〇xidati〇n Induced Fault) 之缺陷，以結晶成長軸垂直方向之截面（晶圓面内）來看， 其呈環狀分布（OSF環）。 成長速度較高速時，空缺型的點缺陷聚集成的孔洞所 引起之FPD ' LSTD、COP等的長入缺陷，在結晶徑向全域會 以间在度存在，這些缺陷存在的區域稱作v區域。又，隨 著成長速度降低，從結晶周邊起會產生〇SF環，在該環外 側（低速側）會產生N區域，當成長速度進入低速時，〇sf %會縮聚至晶圓中心而消滅，而使全面變成N區域。速度 再降低時，晶格間矽聚集成之差排群所引起之LD(Large

Disl〇catlon，晶格間差排群的簡稱，LSEpD、等）之缺 陷會以低密度存在，這些缺陷的存在區域㈣】區域（有人 稱L/D區域）。 /位於v區域與I區域中間、即〇SF區域外側的n區域， 2二缺起因之FPD、LSTD、c〇p、晶格間矽起因之UEPD、LFpD 等均不存在之低缺陷區域。最近，係如圊8所示般，將n 1338728 :域進-步細分成：與〇SF環外側鄰接之Nv區域(空缺較 :的區域）與I區域鄰接之N i區域(晶格間矽較多的區 域）’已知在Nv區域，進行熱氧化處理時之氧析出量多， 在Ni區'或，則幾乎沒有氧的析出。 近年來，在CZ法中，係藉由減小結晶之成長速度、或 使CZ拉晶裝置之爐内構造漸冷，以製造出結晶整體為低缺 陷之矽結晶。 θ例如特開平9-202684號公報及特開平7-41383號公報 提出藉由控制結晶成長中的熱經歷來降低點缺陷的方 =。又特開平8~33〇316號公報及特開平u_l47786號公報 提出，糟由控制拉晶速度（V)與結晶固液界面軸方向之溫度 梯度(G)之比值、即V/G ’以製造出N區域遍及橫全面（晶 圓全面）之結晶。 〇上述般成長出低缺陷的結晶時，為提昇元件製造的良 '-率，如何減少Fe等的重金屬污染也相當重要。 ^而在製造低缺陷的矽單結晶時，例如就算前述般 使:以Fe濃度極低之被膜被覆之整流筒，仍無法使結晶外 周。卩之Fe濃度充分降低，要降到最近要求之i χ l〇1Qat〇ms/cm3以下會有困難。因此，之後之半導體元件的 製造上仍存在良品率低的問題。 又，針對低缺陷與減少Fe污染之矽單結晶的製造方 法，特開2000-327485號公報提出一方法，係將原料用氫 ^酸等洗淨，從熔融原料以一定比例（固化率）拉晶出單結 曰才+將其塊狀或粒狀化後，再度進行洗淨、熔融，之後 1338728 控制V/G，以成長出矽單結晶。依據該方法，可成長出沒 有長入缺陷存在、Fe濃度降到2xl〇9at〇ms/cm3以 單結晶。 夕 然而’如此般藉由反覆進行原料洗淨、炫融 v> c , Θ0 成長出低Fe濃度之石夕單結晶之方法，由於進行2次以上的 拉晶’、成本顯著的提高，且就算是採用此方法仍無法避 免在成長中起因於整流筒之Fe污染情形。

L I容J 本毛月係有鑑於上述問題點而構成者，其主要 提供一單結晶之製造方法，在藉C2法且以具備整流筒之 置製造早結晶日夺，可製造出低缺陷且外周部之 1><1〇丨^切贴/^3以下之單結晶。 辰度降 依據本發明提供$ @ 4 扠仏之早結晶製造方法，係以柴氏長曰 X. 〇σ /1 a 1^日日

在早結晶拉晶奘罟夕且B A 浐置之長日日至内使非活性氣體流入，並 原料融液拉晶屮夕苗έ士 B ' 曰曰出之早結晶以整流筒包圍；其特徵在於： 早結⑽向之環狀QSF區域外側的N區域進行單結晶之 當待拉晶之單結晶直徑為D(_)，係以該單結晶: 正抓同間之非活性氣體流量Q. 6ΐ)α/_)以上且長曰 内的壓力UD(hPa)以下的條件，進行該N區域之單= 拉晶。 ώ '、要如上述般’以該單結晶與整流筒間之非活性氣j

w置0· 6D(L/min)以上、且县日A 且長晶室内的壓力〇.6D(hPa)以- 的條件’進行N區域之單处a私s .. 早、〜日日拉晶，從整流筒釋放出之j 1338728 f金屬成分會和非活性氣體一起往長晶室外排出，而能顯 著減低結晶表面上的附著量。因&，依據本方法，除能減 少缺陷外，並能製造出外周部之Fe濃度符合近年要求的】 Xl〇1QatomS/cm3以下之高品質單結晶。 又，本發明所稱的整流筒，並不限於用以整流非活性 氣體者’例如包含用以控制爐内溫度分布之絕熱構件、遮 熱屏^、冷卻筒等，亦即代表在融液面上配置成圍繞拉晶 出的單結晶之各構件的總稱。 又，在本發明，進行拉晶的單結晶較佳為矽單結晶。 由於矽單結晶的需求高’且大多使用整流筒來進行長 晶，故本發明特別的有效。 又，進行拉晶的單結晶之直徑可形成2〇〇咖以上。 石夕單結晶之製品有直徑2〇〇_以上者，更高為直徑 〇〇_以上，就算在製造出這種大直徑的單結晶時，仍必 須將外周部的Fe濃度壓低至lxl()1GatGms/em3J^，作在 製造大直徑的單結晶時，由於拉晶速度低，其遭He污毕 :可能性很高。於是，依據本發明可有效抑制Fe污染而製 &大直徑的單結晶，因此能以高生產性製造出高品質的大 口徑單結晶。 =’整流同較佳為’使用至少表面Fe濃度在U⑽卿 以下者進行N區域單結晶之拉晶。 。。如此般使用Fe濃度儘量壓低的整流筒來進行本發明之 ^结晶拉晶，整流筒所釋放出之Fe量將更少而能 尚品質的單結晶。 10 1338728 依！本發明’係提供前述方法所製造出之單結晶，立 供矽早結晶晶圓，其係由該單結晶藉柴氏長晶法所製造 二以上的石夕單結晶晶圓，其特徵在於_·係位 二。晶徑向之環狀區域外側的N區域，且該晶圓之 ^外周部的徑向全面之Fe濃度為lxl0lflatQms/cm3以 下0 依據本發明的方法所製造出之單結晶，其缺陷少，且 :外周部仍能壓低Fe濃度而為極高品質的單結晶 =石夕單結晶製造出晶圓，並將其適用於半導體元件之基 s’ ，晶圓外周部之元件產率可顯著提高。 仍：據本發明，可製造出N區域之缺陷低、且在外周部 ::=Fe污染之單結晶。又，可製得壽命之面内分“ 體積=^結晶°使用該單結晶製得的晶圓來製造半導 積體電路元件時，可顯著提昇其良品率。 【實施方式】 以下，根據所附的圖式具體說明本發明的 liL He ,, / 干，，Ό 日日之 衣纪方法，但本發明並不受其等的限定。

染進本：明人：，針對CZ法所長晶出…結晶的Fe污 八二冰入研九的、结果發現，若加快結晶成長速度，F :附著於結晶表面之機率減低’就算有附著其 内部之B主pq X· A— @立· -Ό晶 全體均屈:H故可抑制住Fe污染；而要製造出結晶 流？：屬N區域之低缺陷結晶時，就算使用低^濃度之整 s由於成長速度慢故咼溫下的熱經歷變長，特別β要 1338728 1338728 成長出20〇mm 故Fe附著於結 散至結晶内部， 以上之大口徑單結晶時，由於成長逮度更低 晶表面.之機率高，且所附著之微量Fe會擴 而在外周部發生Fe污染。 、疋’本發明人等考慮到’就算在要成長出大口徑的 低缺陷單結晶_，藉由增大氣體流量可使成長中的單处曰 表面所附著之Fe量減少，就算是熱經歷長之低缺陷石夕單Γ 晶，仍能減少往結晶中心之Fe擴散量，而能有效 周部之Fe污染。 又’進一步詳細0分析發現Μ，當#拉晶之單結晶】 徑為若以該單結晶與整流筒間之非活性氣體流^ 〇. 6D(L/min)以上 '且長晶室内的壓力〇. 6D(hpa)以下的^ 件’進行該N區域之單結晶拉晶，即可減低缺陷，並使a 周部之Fe濃度壓低至！ χ 1〇1。肘嶋心3以下，如此即到^ 本發明的完成。 圖1係概略顯示適用於本發明之單結晶拉晶裝置之— 例。該單結晶拉晶裝置U，係、在長晶室】内具備供收容石夕

融液2之坩堝(石英坩堝5與石墨坩堝6)，在坩堝5、6的 周圍配置加熱器7,又在其外側周圍配置絕熱材8。在裝置 11的上部設有氣體導入管9(在長晶中，將紂等的非活性 氣體導入）及流量調整閥18，在底部設有氣體排氣管1〇。 在坩堝5、6的上方，以包圍拉晶出的單結晶3之方式 配置筒狀的整流_ 4，纟其下端設置環狀的外側絕熱構件 14。 又，本發明所使用之整流筒4及外側絕熱構件1 4，較 12 1338728 么為知用Fe等重金屬成分儘量減低者，更較佳採用至少表 辰度壓低至〇· 〇5ppm以下者。例如，可在整流筒上形 成Fe廣度0. 05ppm以下的高純度熱解碳被膜而加以使用。 。藉由使用該拉晶裝置11 ,結晶中心部分的溫度梯度 C /cm〕與結晶周邊部分之溫度梯度Ge之差值小，例如 可控制爐内溫度而使結晶周邊之溫度梯度比結晶中心為 低0 人 亦可在整流筒4的内側設置内側絕熱材，或可在 長曰曰至1外側配置磁鐵而採用對矽融液2施加水平方向或 垂直方向等的磁場之MCZ法。 進仃早結晶之成長時’係以保持具12保持種晶13， 並在。㈣5、6内將石夕之高純度多結晶原料加熱至炫點(約 14^0C)以上使其炫融。接著，藉由放出捲線丨5使種晶u 之前端接觸或浸潰於融& 2的表面大致中心部。之後，使 付禍/、6 &轉’並使捲線丨5邊旋轉邊緩慢捲取。藉由開 始進仃接續於種晶13之單結晶成長，之後，藉由適當地調 節拉晶速度與溫度，而拉晶出大致圓柱狀的單結晶棒3。 又，在進行成長中，係從氣體導管9導入氬等的非活 性氣體’使其流入長晶室…在通過拉晶出的單結晶3 與整流筒4之間後，經由排氣管1〇而藉真空录η排出。 這時’可藉由調整閥18央喵…描 产丄《 门t π 來凋即導入氣流量，並藉由調整閥 16的開度來調節爐内壓。 又，為了拉晶出低缺陷、特別是在單結晶之徑向發生 環狀區域外側之Ν區域單結晶例如將成長速度控制 13 1338728 來成長早結日日，亦即當拉晶 3的成長速度（杈曰.丰珞、丄> * / <石夕早L日日 k拉B日速.度）由南速往低速漸減 區域消滅邊界的成+诸 ^ ^ , 农狀OSt …… 成長速度漸減時晶格間差 排％發生邊界之成長速度。 二此般進:于單結晶之成長時，可拉晶出⑽區域外側 時，叔”二 採此種方式進行單結晶之成長 寺拉曰曰速度慢，而有高溫下的熱經歷變長 若整流筒釋放出之士八 “ U ^ 出之^成分附著於成長中之單結晶表面，Fe 將朝結晶之内側擴散，而宜总卢。。沾曰t ^ 九 俯成而夺易在早結晶外周部產生Fe污 染。 # t疋，在本發明’當待拉晶之單結晶直徑為D(mm)時， 曰曰丄同間之非活性氣體流量0.6D(L/nun) 、=長晶室内㈣力G,6D(hPa)以下的條件，進行㈣ 進行成長中，例如使氯氣如上述般以 敕藉么對’里導入’且依結晶直徑調整壓力，就算從 二同釋放出Fe等的金屬成分，也會和氨氣-起排向爐 】一此’拉晶中早結晶表面上之卜等的附著將大幅減低， ::异而溫下的熱經歷長，仍能防止Fe朝向結晶内部之擴 :結果’可製造出結晶外周部之Fe濃度儘量減低之矽單 、否σ 曰曰 〇 圓2係顯示Ν區域之石夕單結晶成長時之氯氣流量、與 值^出的早&曰曰所裏&出之砂晶圓外周部之Fe濃度（檢測 值的平均值）之關係。 本發明人等，係使用圖1之拉晶裝置，調整真空栗的 14 1338728 ==室的“一定(150hPa)，將流八長晶室内之氛 乳肌里作各種改變而成長出N區域的矽曰 施)。將成長出的各單結晶進行切割、去角：：直;: 面研磨等各製肖，而製造出鏡面矽晶圓。對所得之矽晶圓 外周部（從最外周起10咖取10點）之Fe濃度進行測定^ 如圖2所示，隨著氬氣流量變大，Fe濃度有減少的傾 ° ，特別是在氬流量為〇6D=18〇(L/min)以上進行成長時， 可將Fe濃度降低至！ x1〇1〇at〇ms/cm3以下。 又’圖3係顯示，在進行N區域單結晶(直徑d = 2〇〇_ 之成長而氬氣之流量為】2〇L/min(相當於0.6D)時，長晶室 内（爐内）壓力變化與結晶外周部之Fe濃度間的關係。 如圖3所示’長晶室内之氬氣壓力越小則以濃度越低， 特別是當長晶室内壓力為〇. 6D=12〇(hPa)以下時，可達成1 x l〇IGatoms/cm3 以下之 Fe 濃度。 依據本發明方法所製造之矽單結晶，可製造出高品質 的單結晶，其為長入缺陷不存在或量非常少的N區域單結 晶，且單結晶之包含外周部之徑向全面Fe濃度減低至i χ MUatoms/cm3以下。因此，若以其為基板來製作半導體元 件’可達成基板外周部之產率提昇、良品率提昇並降低製 造成本。 又’本發明中，若非活性氣體流量越多，雖越能減低 Fe濃度而更佳，但過多時氣體會形成浪費，或使成長單結 晶發生振動，而使融液面產生起伏等，故以丨〇D左右以下 為佳《又’就壓力而言’雖越低則越能減低Fe濃度而更佳， 15 1338/28 #低時會使石英掛禍快速的劣化，故以0. 01 hPa以上為 佳更佳為〇. lhPa以上。 以下，說明本發明之實施例及比較例。 (實施例1) 在圖1所示之單結晶拉晶裝中，將120kg多晶矽放入 直k 56cm的石英掛堝使其熔融後，將具有<1〇〇>面之種晶 义/貝於石夕融液’經由縮頸製程成長出直徑卜2〇〇随、n區 5 夕單、·° BB (摻雜侧而使比電阻=10 Ω · cm)。整流筒，係 在石墨材構成的本體上，以CVD法形成Fe濃度〇· 〇5ppm以 下之高純度熱解碳被膜而構成。 θ又，成長速度約〇. 5mm/min，成長中，調整成氬氣流 里140L/min(相當於〇. 7D) '爐内壓力12〇hpa(相當於〇.⑽） 而使其流入長晶室内。 斤成長出的石夕單結晶’經過缸筒研磨、切割、研削、 I光等工業上製造矽晶圓時所需之各過程，而製造出矽晶 圓，並測定晶圓内面之Fe分布。 圓之Fe /辰度測定係採spv法（Surface Photovoltage Method)來進行 。摻雜硼之矽單結晶所固溶之 “ ， 於室溫會和#質之蝴結合而卩FeB的形式安定化。㈣的 結合能為0·68Εν左右，於2〇rc左右幾乎解離成％。由 於Fei形成低位準，其具備少數載子再結合中心的作用， 會使y數載子之擴散長減短。亦即，纟2〇〇。。左右的熱處 理刖夕數載子之擴散長較長，而在熱處理後由》W發揮 再結合中心的作用使少數載子的擴散長變短，#由測定其 16 1338728 差值而得出Fe濃度。 其結果，如圖4所，示般獲得Fe濃度之面内分布圖。在 晶圓全面之Fe濃度均為1 X 1 〇1Qatoms/cm3以下，特別是在 外周部之Fe濃度亦為1 X 1 〇1Qatoms/cm3以下，故確認出未 發生Fe的污染。 (實施例2) 除長晶室内的壓力調整成80hPa(相當於〇. 4D)以外， 和實施例1同樣地進行矽單結晶之成長，對所得石夕單結晶 所製造出之晶圓外周部之F e分布進行測定。如圖5所示之 測定結果，在外周部之Fe濃度亦為lXl〇i〇atoms/cm3以下， 故確認出未發生Fe的污染。 (比較例1、2) 使用和實施例1同樣的單結晶製造裝置，將氬氣流量 調整成80L/min(相當於0.4D)、爐内壓力300hPa(相當於 1.5D) ’以l.〇mm/min之成長速度製造出習知長入缺陷較多 (V區域）結晶（直徑200_)(比較例υ，其他條件和實施例 1相同。 又，在和上述相同之氬氣流量（8〇L/min)、壓力（300hPa) 下，以〇.5mm/min之成長速度製造出習知低缺陷的矽單結 晶（比較例2)。 從成長出的單結晶製造出矽晶圓，測定晶圓面内之以 分布。 比較例1之晶圓，如圖6所示雖在外周部亦未出現k 污染，但晶圓全面之長入缺陷多。又外周部未出現以污染 17 1338728 之原因，據信係因拉晶速度快，結晶表面上之Fe附著變少， 而使其往結晶内部之擴散變少。 另一方面，比較例2之晶圓雖為低缺陷，但如圖7 示般在從晶圓外周部算起1〇_3〇mm附近Fe濃度超過1所 1〇1<>at〇ms/cm3，且還發現超過 1 X 1012at〇ms/cm3 的部分 X 確認出有Fe污染發生。此現象，據信係因氬氣流量比二: 例1小’成長中之結晶表面會附著大量Fe，其一部分合= 散至結晶内部。 壤 β又’本發明並不限於上述實施形態。上述實施形態不 過疋例示’只要具有和本發明中請專利範圍記載之技術思 想實質相同的構成，且能發揮同樣的作用效果者，當然均 包含在本發明的技術範圍内。 。例如所使用之單結晶拉晶裝置並不限於冑工所示者， :要具有整流筒、且能使結晶整體以N區域的形式進行成 供A & 7裝置均使用。又，非活性氣體並不限於氩氣， 虱軋、氮氣等其他氣體的情形亦能適用。 【圖式簡單說明】 係顯不單結晶拉晶裝置一例之概略圖。 ::係顯示氬氣流量與晶圓外周部Fe污染的關係。 圖 係顯示爐内麼力與晶圓外周部以污染的關係。 係貫施例1所製造之石夕晶圓的Fe濃度面内分布 圖 係貫施例2所贺β η 灰以之矽晶圓的Fe濃度面内分布 18 1338728 圖。 圖6係比較例1 .所製造之石夕晶圓的F e濃度面内分布 圖。 圖7係比較例2所製造之矽晶圓的Fe濃度面内分布 圖。 圖8係顯示CZ法所成長出之單結晶的成長速度與缺陷 分布間的關係。

【主要元件符號說明】 1···長晶室 2 · · · $夕融液 3…單結晶 4…整流筒 5···石英坩堝 6…石墨时禍 7…加熱器 8…絕熱材 9···氣體導入管 10…氣體排氣管 11…單結晶拉晶裝置 12…保持具 1 3…種晶 14··.夕卜側絕熱構件 15…捲線 19 1338728 1 6…閥 17…真空泵 18…流量調整閥 20

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： …、—種單結晶之製造方法，係以柴氏長晶法在單結晶 ::置之長晶室内使非活性氣體流入，並將從原料融液 早結晶以整流筒包圍；其特徵在於：在單結晶徑 向之環狀OSF區域外側的域進行單結晶 待拉晶之單結晶直徑為：； "二以上、且長晶室内㈣力 .:二的條件，進行該，區域之單結晶拉晶。 該拉晶之單結晶為發單=頁之早結晶之製造方法，其中， 、*'σ ag 0 3、 如申請專利範圍第 該拉晶之單結晶直彳a 早、·，〇日日之製造方法，其中， 曰日星後為2〇〇_以上。 4、 如申請專利範 〇〇 該拉晶之單处曰畜，_ 、之單結晶之製造方法’其中， 早、·口阳直也為200_以上。 5、 如申請專利範 係使用至少表面Fe濃 J、之单結晶之製造方法，其中， N區域的單結晶拉晶展又為〇· 〇5ppm以下之整流筒來進行該 6如申請專利範圍第η 曰， 係使用至少表面Fe濃产 、 ，、Ό曰曰之製造方法，其中， ν區域的單結晶拉晶二"為〇· 05PPm以下之整流筒來進行該 7 士申4專利範圍第 係使用至少表面Fe濃卢：項之單結晶之製造方法，其中， N區域的單結晶拉晶，又4 〇.05ppm以下之整流筒來進行該 8 士申凊專利範圍第 。。 項之單結晶之製造方法，其令， 21 1338728 係使用至少表面P<p :詹_ & M r α,, /又為0‘ 05PPm以下之整流筒來進行該 N區域的單結晶拉晶。 9、—種單結晶，|^ Jg φ ，、，徵在於，係由申請專利範圍第1〜8 項中任一項之方法所製造出。 1 〇、一種矽單結晶晶圓，係 首％ 9nn 、 τ稽木氏長晶法所製造出之 二：Μ上的矽單結晶晶圓，其特徵在於：係位於單 一向之環讀區域外側的Ν區域者，且該晶圓之： 3外周部的杈向全面之Fe濃度為1 。1 xl〇10atoms/cm3 以下。 十一、圖式： 如次頁 22