TWI336914B - Method for evaluating solution for coating film for semiconductor - Google Patents

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TWI336914B
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Yukio Hanamoto
Satoshi Yamamoto
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Sumitomo Chemical Co
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Description

1336914 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種評估半導體裝置塗膜所用溶液之方 法。 【先前技術】 *用於半導體裝置之塗膜像是光阻劑圖案，層間介電質 膜圖案等’可以經由塗覆在溶劑中含有塗膜形成性成分之 溶液（塗膜所用溶液）’乾燥，及接著像是幅射和顯影等圖 案化，而得到.。 ' 最近，隨著基'體電路的更高積集程度之進展，發 次微米圖案之需求。伴隨此趨勢者，在形成塗膜中：發生 2產生之塗膜上其缺陷減少之要求，雖然該等缺陷在過 去沒有造成問題，不過對於近曰所得產品的品質卻時 有嚴重，的影響。特別是，如在用於跡的光阻劑和二 光阻劑等的須要具有100奈米或更小的圖案的情形，塗膜 之缺陷為待解決的迫切問題。 土 、 於另一方面，像是異物等複數個因素可能由於在塗膜 上缺：之產生可預期造成產品品質的惡化，不㉟，仍鈥尚 未解其因果關係n $ 了評估塗朗用溶液， 必须伙塗膜所用溶;存眘卩八掠μ卫，』、 吓用岭戒μ際膜的形成之後才能檢查該塗膜。 於極端情況中，需要在每一產 广丄1 a 王厓示幻笮形成塗膜及評估彼 寻’如此自造成在塗膜溶液的商業生產中之問題。 =明的目的為提供—種簡單用以評估半導體裝置的 塗版浴液之方法’其可在不必實際塗膜的形成之下就能演 316331 6 1336914 種能夠評估塗膜所用溶 算出塗膜所具品質；及藉此提供— 液之方法。 【發明内容】 本案發明人業已研究以其解決此項和其他目的，結杲 發現半導體裝置的塗膜所用溶液之堵賽度與得自該溶液的 塗膜品質之間具有密切關聯性因而完成本發明。 本發明係有關下面所述： <卜-種評估半導體裝置的塗膜所用溶液之方法此方法 包括在該溶液通過渡過一具有〇 〇1至〇 4微米之平均孔徑# ▲ ( rage pore size)的過濾裔之時，測量半導體裂置的' 塗膜所用溶液的堵塞度，及 估汁從該溶液形成的塗膜之品質， 其中該堵塞度係以下面的公式予以定義： 堵塞度=V2/Vl VI . —浴液於固定的壓力和溫度之下過濾之情況中，於起 始標準點的濾液線速度值（對每1平方厘米之過濾器的過 濾速率（克/(平方厘米.分）)）。 V2:從起始標準點排放出—預定的濾液重量之點的渡液線 速唐俏。 <2>根據<1>項的方法，其中該半導體裝置的塗膜所用溶 液為一光阻劑組成物。 、3 ,根據<1 >項的方法，其中該半導體裝置的塗膜所用溶 ’夜為帛於KrF或用於ArF的光阻劑組成物。 4根據<1 >至<3>項中任一項的方法，其令該過遽器為轨 7 316331 I3369l4 跡名虫刻溥膜過濾器（track_etch membi.ane filter)。 <5>根據<1>至<4〉項中任一項的方法，其中該過濾器的平 均孔徑大小為〇.〇1至〇 2微米。 根據< 1 >至<5>項中任一項的方法，其中該從起始標準 點排放出的濾液之預定重量，於換算成濾液中固體成分的 總重量後係對每1平方厘米的過濾器為〇丨至丨〇克。 【實施方式】 lilA體實例說！ 本發明方法為一種評估半導體裝置的塗膜所用溶液之 方去，其包括在該溶液過濾通過一具有.〇 〇1至〇 4微米之 平均徑的過濾器之時，測量半導體塗膜所用溶液的堵塞 度’及估計從該溶液形成的塗膜之品質。 該堵塞度係以下面的公式計算出之值： 堵塞度=V2/V1 VI: —溶液於固定的壓力和溫度之下過滅之情況中，於起 始標準點的婆液線速度之值(對每i平方厘米之過濾器的 過濾速率（克/(平方厘米·分）)）。 V2 :從起始標準點排放出一 速度值。 預定的濾液重量之點的濾液線 於起始標準點的線速度為在開始過濾之後於一預定的 到的最大線速度值。具體而言，將排放出的渡液 收市在置於天平(稱重機器)上的-收集器之内，且於每一 分鐘檢查渡液的重量變化。測量排“㈣㈣ 積重量。預定的期間通常為10分鐘。經由將每分鐘排出的 316331 1336914 =量：以有細器面積而計 出VI和V2且計算出堵塞度。 又…、伋敎 為從溫度通以約從24机，較佳者 之内。 C，且該溫度較佳者係經维持域的範圍 戶等的過料間可決定壓力，㈣液的線速 2且至2GGkPa，較佳者⑽ 較么者將壓力維持在± 5%的範圍之内。 “请 中，仗起始標準點排放出的濾液預定重量可用< 濾液重虿（克）/有效過濾器面積 換算成濾液t的固“厘未）予以表不且係 平方 ⑯“之〜重量其通常為G.1至10克/ ^ “父佳者為〇.5至5克/平方厘米。固體成分咅浐 溶劑以外的成分。 月豆成刀心才日 的過的效率和捕捉效率的觀點來看本方法中所使用 ==平均孔徑大小為〇.〇1至。4微米，較佳者。·〇ι 米。於本方法中平均孔徑大小係意指當所用的過, 2為轨跡钱刻薄膜過濾器之時，經由使用掃 =㈣像所測量出者。當該過渡器為轨跡姓刻薄膜過渡 二:二的缚膜過濾器之時’平均孔徑大小意㈣Μ· 〇孔隙計檢驗方法測量所得者。 土有關所使用的過濾器，較佳者為薄膜過濾器，特別較 為轨跡蝕刻薄膜過濾器。該轨跡蝕刻薄膜過濾器係為 種過虑器其孔洞係從膜的前表面直線穿透該膜到其後表 面5玄轨跡蝕刻過濾器可經由幅射荷電子粒子至過濾器材 316331 9 1336914 ㈣步驟，且隨後施以—姓刻步驟而製成，且因此具有均 圓柱狀且直通的孔洞的特性。該轨跡触刻過滤器的平 均孔徑大小係精確者，且所π 現性之傾向。 且所㈣丨㈣塞度之值.具有較高再 …用二ΐ:乍過濾器材料的例子包含脂肪族聚醯胺類、芳 香族聚醯胺類、聚醚楓類、 乃 婦腈類、聚酿亞胺類㈣化《類 '聚丙 祕主., 來乙烯醇類、聚偏二氟乙烯類、纖 .·隹素、s日g欠纖維素類、聚醚類、取卜 聚丙稀類、聚乙稀類1苯乙^四氣乙坤、聚碳酸酷類、 於諸種材料J，C、聚，陶究等。 中所使用的溶劑具有抗覆半導體所用溶液 的情況中，特別較佳者為聚乙稀m光阻劑組成物 碳酸酯類。 乙烯颍、♦四氟乙烯類、和聚 當使用半導體裝置的塗 時，該半導體裝置的塗膜之。、：：基板上形成塗膜之 度之值予以评估。可因從該溶液所得之堵塞 塗膜品質可由塗膜上面所形成的缺 定。例如，於光阻劑組成物的 目予以評 於半導體裝置之普通基板上面形成光阻：=為】忖用 數目為少於10,則其等級為Ε(# Μ 丁/缺陷 100,則其等級為咐通）。若該數目㈣至 為Β (不良）。 k 100 ’則其等級 若能在事先完成溶液之堵塞度的測 的塗膜之評估’就可經 /、攸遠洛液形成 由測里堵基度各易地完成從其他溶， 316331 10 I的其他塗膜的品質之評定，這是因為只要過滤條件大致 」^相同，目if大_、―·、> 估 、 '谷液的堵塞度與從該溶液形成的塗膜之評 =間存在者密切相關性之故。因而藉此能實行塗膜所用 4液的評估。 估刀藉I液之堵塞度的測量’從該溶液形成的塗膜之評 了先兩者之間的關聯性之掌握，也可以用來驗證某些 冷“疋否可以通過或不能通過某些標準，而不必實際形成 士' /、方式為右一溶液的堵塞度值不低於一預定值之 J·則邊洛液為“合格，，而當該值低於該預定值之時，該產 為不σ格。如此一來，其能適用於塗膜所用之溶液之 生產能力中的製造步驟查驗所用的手段。 安、.2導妓置的塗膜所用溶液意指要使用塗覆器或其圖 * 土後在基板之上I。其例子包含可經由輕射或熱形成 圖案㈣的光阻劑組成物’經由輻射或熱其覆蓋塗層所用 的覆盖塗覆材料’經由輕射或熱等的抗反射材料。 …於本發明中所使用的光阻劑組成物為將感光性或非感 光性黏合劑樹脂（多種樹脂）溶解在有機溶劑（多種溶劑）中 所得者且可含有其他需要的添加劑。於該黏合劑聚合物 為非感光性者之情況下，該組成物含有其他感光性化合物。 光阻劑組成物的具體例子包含g_line或wine所用的 正型光阻劑組成物，其包括作為黏合劑的酚醛清漆樹脂 (novoiac resin)和作為光敏劑的鄰_醌二疊氮化物= (o-quinonediazides) ; g-line 或 i_Hne 所用的負型光阻劑組 成物，其包括作為黏合劑的酚醛清漆樹脂和作為光敏劑的 316331 1336914 -氮化物化合物；KrF或ArF激生分子雷射所用的正型光 阻劑組成物’其包括藉由酸作用而具有分離基團之乙烯酚 乐樹脂或(甲基)丙烯酸系樹脂來當作黏合劑與藉由轄射產 生5夂之酸產生劑來當作敏化劑；激生分子雷射所用的負型 光阻劑組成物，其包括作為像祕清漆樹脂—般之黏合劑 的水乙稀基岛系樹脂和（甲基）丙稀酸系樹脂，作為光敏化 劑的酸產生劑與交聯劑；用於電子束的光阻劑組成物，盆 包括作為感光性黏合劑的祕清漆樹脂或經炫基取代之聚 再者，本發明方法可以有效地應用於包括光阻劑组成 物和染料的彩色阻劑組成物。 光阻劑組成物通常係、經由將諸成分添加到溶劑内使固 體成分在組成物中的含晋忐 ]3里成為5至50重量％而製備成。溶 W的例子包含乙酸乙基2·乙氧基乙自旨（ethYl Cellosolve 咖叫、乙酸甲基2_乙氧基乙酷、乙基2-乙氧基醇、甲基 2-乙乳基醇、乙酸丙二醇單甲基㈣、乙酸丙二醇㈣、 一乙二醇二曱基醚、乙酸丁酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、 甲基異丁基酮、2-庚酮、二曱苯等。該等溶劑可以單獨使 用或與至少一其他類型者組合使用。 較佳者，用於本發明方法中的光阻劑組成物係藉由一 般過濾器來初步過遽以消除掉異物到某些程产。 μ初步過濾用的過渡器所用材料之例子包；脂肪族聚臨 月女，員心^胺類、_楓類、聚楓類、石黃酸化聚楓類、 聚丙烤腈類、聚酿亞胺類、聚乙烤醇類、聚偏二氟乙埼類、 316331 12 1336914 纖維素、醋酸纖維素類、聚㈣、聚四氣乙稀、聚碳酸醋 類、聚丙烯類、聚乙烯類、聚苯乙稀類、聚醋類、陶£等。 具體而言當溶液為光阻組成物時，則較佳為聚乙稀類、聚 四氟乙烤和聚碳酸酯。 於彼等之中其較佳為對使用溶劑具有較高抵抗性者。 具體g之，較佳者為聚乙烯和聚四氟乙烯。 雖然初步過漶中之過遽器的平均孔徑大小侍決定 Ϊ = 用過濾'器的平均孔徑大小’其通常比堵塞度測 二.2至5倍’較佳者°.5至2倍。具體言之， …為牛"·〇2至〇.5微米’較佳者〇 〇2至〇1微米。 如力可以使用任何習知過濾方法予以完成，例 如加屋過4、自㈣滤、減_料，且從產率 看，杈佳者為加壓過濾。 、”’’來 ”二先：劑組成物的情況’，該光阻劑係藉由像旋轉涂 知衣程待應用於像石夕晶圓等基板之表面上 潯膜轭加到基板表面上且之後 出㈣，然後加熱處理曝光造 action) ,f± #] ^ ^ ： ^ :顯多種驗性水溶液Cl:驗 且通，而吕，經常使用者為氣氧化 (2韻乙基）三甲基靖稱為為，，)之水溶液。風乳化 於形成層間介電膜圖案的情況中 塗覆一預定厚度的感光性樹脂之後預旋轉 先性樹脂膜。將預烘烤後的感光性樹脂膜用光幅射、、:= 316331 13 1336914 以幅射，然後用顯影溶液予 乾燥之後即得到預定的樹脂 硬化而得交聯樹脂圖案。 以顯影。於潤濕，用水清洗及 圖案。之後，經由熱處理進行 可推斷於此所揭示的呈 L 版声'例於所有方面都必須相a 靶例而非限制性者。本 、硯為 所決定，而m 據不應由上面的說明 由二 ① < 所附申請專利範圍所定，且包含對节 申凊專利範圍同等意義和範 對忒 張 乾阗的所有變異均為本發明之主 =更特別經由諸實施例予以說明，該等實施例不 明力用以限制本發明範圍者。除非有不-樣的特別表 實施例中所使用的任何成分之含量與所使用的 任何材料的用量之“％，，和“份數，1以重量為基準。下 面諸實施例中所使用的任何材料之重量㈣分子量 以使用笨乙稀當作標準參考材料之㈣層析儀來求得盆 值。 ’、 樹脂合成實施例1(榭脂 於-經使用氮氣置換空氣的四頸燒瓿中，以5 n 2.5(20.0份·· 9.5份：7.3份)之莫耳比例給入曱基丙烯酸2· 乙基-2-金剛烷基酷、甲基丙烯酸3·羥基金剛烷基酷和 5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷甲内酷（5_acryl〇yi〇xy_2,6_ norbomanecarbolactone) ’且加入以所有單體為基準兩倍重 1的曱基異丁基酮以製備溶液。於該溶液中加入以所有單 體旲耳置為基準的3，G |耳。/。比例之偶&二異丁腈作為起 316331 14 1336914 始劑’且將該混合物在8CTC下加熱約8小時。然後，將大 置的庚烷倒入至反應溶液中以造成沉澱，且重複此操作三 次，並於其後將沉澱物乾燥。其結果，得到具有約9,000 的重量平均分子量之共聚物。將此稱為原樹脂A。 樹脂合成實施例2(樹脂B之合；^ (1)將350克聚（羥基笨乙烯）[經由活陰離子聚合法製成 者’重量平均分子量（Mw) : 19〇〇〇 ’分散度 (Mw/Mn): 1 .〇8](使用從羥基笨乙烯衍生的重複單位_ 所具分子置什异為2912毫莫耳）與〇〇53克對_甲苯 ’ 磺酸鈉一水合物溶解在21〇〇克曱基異丁基酮之-中。於此溶液中以30分鐘滴入U6 64克異丁基乙 稀基醚。在21。(：下授拌9〇小時之後，於搜拌的混 合物中加入0.062克三乙胺並攪拌混合物數分鐘。 然後，於此之中加入70〇克曱基異丁基酮和525克 離子父換水且攪拌混合物以進行洗滌❶之後，讓洗 過的混合物靜置使液體分離讀取出有機層部份。 於有機層中再度加入525克離子交換水，且用上面 所述相同方式進行洗滌和液體分離。將該洗滌和液 體分離再重複進行三次。然後經由蒸發掉2讓克的 溶劑將所得有機層濃縮，接著，於濃縮物中加入 3266克的乙酸丙二醇單甲基醚酯。經由蒸發掉3233 克的溶劑將溶液濃縮而得1332克的29%異丁氧基 乙基化之^對-經基笨乙烤溶液（固體成分總重量為 316331 1336914 32.9%)。以1HNMR分析在聚（羥基苯乙烯）中所含羥 _ 基的異丁氧基乙基化率。 (2) 將100克聚（羥基苯乙烯κ經由活陰離子聚合法製成 者’重量平均分子量（Mw) : 19〇〇〇，分散度 (Mw/Mn): 使用從羥基苯乙烯衍生的重複單位 所具分子量計算為832毫莫耳）與〇 〇16克對-曱笨磺 酉欠水合物溶解在600克甲基異丁基酮之中。於此 浴液中以30分鐘滴入19 4克異丁基乙烯基醚。在 21 C下攪拌3小時之後，於攪拌的混合物中加入鲁，. 0-034克二乙胺並攪拌混合物數分鐘。然後，於此— 中力，入2〇〇克甲基異丁基g同和1 50克離子交換水· 土攪拌混合物以進行洗滌。之後，讓洗過的混合物 奸置使液體分離以便取出有機層部份。於有機層中 再度加入150克離子交換水，且用上面所述相同方 f進行洗滌和液體分離。將該洗滌和液體分離再重 後進行三次。然後經由蒸發掉581克的溶劑將所得 有機層戚鈿，接著，於濃縮物中加入944克的乙酸 丙-醇早甲基醚酯。經由蒸發掉m克的溶劑將溶 3濃縮而得393克的30%乙氧基乙基化之聚對-羥基 笨乙烯〉谷液（固體成分總重量為30.0%)。以〗Ηνμκ 刀析永（搜基笨乙烯）中所含羥基的乙氧基乙基化 率〇 (3) ^與上面（2)相同的方式進行反應及洗務和液體分， 不同處在於將乙氧基乙稀基醚的量改成克 316331 16 1336914 以得到經洗過的有機層。 然後’經由蒸發掉576克的溶劑將所得有機層濃縮； 接著’於濃縮物中加入983克的乙酸丙二醇單曱基醚酯。 經由洛發掉924克的溶劑將溶液濃縮而得4〇9克的42。/〇乙 氣基乙基化之聚（對-羥基笨乙烯）溶液（固體成分總重量為 30.0%)。以iHNMR分析聚（羥基苯乙烯）中所含羥基的乙 氣基乙基化率。 (4)將16.82克的29%異丁氧基乙基化之聚對_羥基苯乙 烯溶液，34.11克的30%乙氧基乙基化之聚對_羥基 笨乙烯溶液和81.88克的42%乙氧基乙基化之聚（對 •蛵基笨乙烯）溶液給入且混合而得樹脂溶液。將此 稱為原樹脂B。 例3(榭脂C之合志、 方；一經使用氮氣置換空氣的四頸燒瓶中，以5 : 2 5 (〇.〇仏.10.1份· 7.3份）之莫耳比例給入曱基丙稀酉 2-甲基-2-金剛烧基酿、甲基丙稀酸3·經基+金剛烧基㈣ α-甲基丙烯醯氧基_r_丁内酯，且加入以 兩倍重量的甲基異丁基_以製備溶液。於該溶=力為^ 所有單體莫耳量為基準的3.◦莫耳％比例之偶氣二里丁用 作為，始劑，且將該混合物在航下加熱約8小時。然後 將大1的庚⑽人至溶液中以造成沉殿，且重複此摔作： 於其後將沉㈣乾燥。其結果，得到具有約9〇〇 勺重里平均分子量之共聚物。將此稱為原樹脂c。 316331 17 1336914 參考貫施例1 將25份於合成實施例i所得原樹脂A溶解在乃份的 2-庚鋼之中。於該溶液中加入2·5份的活性碳（商品名： carb〇rafin，平均孔徑大小：3〇 Α，比表面積：漬 平方米/幻並攪拌混合物4小時。然後，使用以聚四默乙 烯製成的5微米過濾器經由加壓過濾將處理過的混合物過 濾而得經處理樹脂Α溶液。 將10份經處理樹脂A(換算成固體成分總重量^ 份全說丁烧魏（4-甲基苯基）二苯基硫，和〇〇ι〇份的2,6_ 二異丙基笨胺溶解在含冑271份乙酸丙二醇單曱基鍵 酯’ 27.1份2-庚酮（包括來自樹脂溶液的—部份）和2 9份 r-丁内S旨的混合溶劑之中而得光阻劑組成物。使用都是由
Nlh〇n Mykrolis Κ·Κ.所製造的用ρτρΕ(聚四氟乙烯）製成的 〇.2微米過濾、器和用UPE(超高分子量聚乙稀）製成的 米過遽器過渡該組成物而得Slj經預先過濾的光阻劑組成 物。 對上面所得經預先過濾的光阻劑組成物進行下列諸項 之評估。其結果皆顯示於表1之中。 瘦塞度之測量 於23 °c下’將該經預先過濾的光阻劑組成物傾倒在— 過濾設備之中，其中有一由聚碳酸酯製成的圓形軌跡蝕刻 薄膜過濾器（由Nomura micr〇Science c〇.，Ltd.所輸入，直 : 47毫米’平均孔徑大小：〇 〇5微米，厚度：6微米， 孔隙岔度.6x 108孔隙/平方厘米）置於由不銹鋼製成具有 316331 1336914 1 〇〇宅升容積的容器中（Nihon Mykrolis K.K.所製），然後於 1〇〇 kPa的壓力下開始加壓過濾。將濾液收集在—天平（稱 重機杰）之上，且每一分鐘檢查遽液的重量變化。測量過淚 曰守間和排出濾液的累積重量且經由將每分鐘的排出滤液重 量除以10.8平方厘米之有效過濾器面積以計算出線速 度。在開始過濾之後於1 〇分鐘内達到的線速度最大值定義 為-V I (在起始點的線性速度）。用相同的方式測量和計算達 到1〇〇克（換算為固體成分總重量為丨5克）累積排出濾液重 i之點的線速度且將其定義為V2。經由將V2除以V1所 計算出的值即為堵塞度。 微小粒子數Η 使用自動為小粒子分析儀（KS-41型，Rj〇n Co.，Ltd 所製）測量具有〇·2微米或更大的直徑之粒子的數目。 基板上的缺陷之童f曰 使用晶圓缺陷分析儀（KLA，KLA Tencall Co·，Ltd·所 製）可測量塗膜上面的缺陷之數目。於表i中，“Εχ”音指 小於之數目’ “FA”意指10至1〇〇之數目，且“ΒΑ”意指 超過100之數目。 參考實施例 將1 59.4份於合成實施例2所得原樹脂B溶解在293 份的乙酸丙二醇單甲基醚酯之中。於該溶液中加入2·5份 316331 19 1336914 的活性妷（商品名：CARB〇RAnN，平均孔隙尺寸：％ A， 比表面積：1500平方米/克）並搜掉混合物4小時。然後， 使用以聚四氟乙烯製成的5微米過濾器經由加壓過濾將處 理過的混合物過濾而得經處理樹脂B溶液。 將13.5份經處理樹脂B(換算成固體成分總重量），〇5 伤雙（¼己基磺醯基）重氮曱烷，〇·2份曱苯磺酸4_甲基苯基 二笨基疏，G.(H份Ν·甲基二環己基胺，請5份氫^化二 :基銨’0.135份聚丙二醇10〇〇,〇 〇11份丁二醯亞胺，〇15 份二曱基乙内醯和0.15份的二曱基咪唑啶酮溶解在含有 U3.0份乙酸丙二醇單甲基㈣（包括來自樹脂溶液的部份）.， 和3.2份r _丁内g旨的混合溶劑之中而得阻劑組成物。使用 都是由Nihon MykroHs Κ.Κ·所製造的用ρ„Ε(聚四說乙稀） 製成的0.2微米過濾器和用UPE(超高分子量聚乙烯)製成 的〇·〇5微米過濾器過濾該組成物而得到經預先過濾的光 阻劑組成物。 “ 對上面所得經預先過渡的光阻劑組成物以與實施例1 相同的方式進行相同諸項之評估。其結果皆顯示於表！之 中。 參考實施例3 以與參考實施例1相同的方式進行實驗與評估，不同 處在於將經處理的樹脂Α改換成原樹脂Α。其結果皆顯示 於表1之中。 、、 316331 20 1336914 施例4 實驗與評估，不同 Β °其結果皆顯示 以與參考實施例2相同的方式進行 處在於將經處理的樹脂Β改換成原樹脂 於表1之中。
實施例1 將20份於合成實施例3所得原樹脂c溶解在8〇份的 乙酸丙二醇單曱基醚乙酸酯之中。於該溶液中加入2 5份 的活性碳（商品名：CARB0RAFIN，平均孔徑大小：3〇 Α， 比表面積：1 500平方米/克）並攪拌混合物4小時。然後， 使用以聚四I乙烯製成的5微米過濾器經由加壓過濾將處 理過的混合物過濾而得經處理樹脂C溶液。 將10份經處理樹脂c(換算成固體成分總重量），02 份全氟丁烷磺酸（4-甲基笨基）二苯基锍，和〇 〇15份的2,6_ 二異丙基苯胺溶解在含有57.0份乙酸丙二醇單甲基醚酯 和3.0份7-丁内酯的混合溶劑之中而得光阻劑組成物。使 用都疋由Nihon Mykrolis K.K.所製造的用ptfe (聚四氟乙 烯）製成的0.1微米過濾器和用upE(超高分子量聚乙烯）製 316331 1336914 成的〇·〇5微米過濾器過濾該組成物而得到經預先過濾的 光阻劑組成物。 以相同於參考實施例1中的方式測量該經預先過遽的 光阻劑組成物的堵塞度。其堵塞度值為10。參照參考實施 例1至4的結果（表1)’使用該組成物形成的塗膜之品質之 評定係經由在塗膜上面的缺陷數目之估計而完成的。其缺 陷數目經估算$ ΕΧ(少於1G)，則組成物的品質評定為優 良三於評估之後，以參考實施例丨的相同方式形成塗膜後 再貫際評估組成物。塗膜上面的實際缺陷為Εχ(少於1〇)。 則該組成物的實際評估為優良。 實施例2 以與實施例1相同的方式進行實驗與組成物的堵塞度 測量，不同處在於將經處理的樹脂c改換成原樹脂c。里 堵塞度值為0.5。參照參考實施例i纟4的結果（表D，使 用該組成物形成的塗膜《品質之評定係經由纟塗膜上面的 缺陷數目而完成的。其缺陷數目經估算為以（10至100)或 BA(超過1〇〇)，且組成物的品質評定為普通或不良。 於評估之後’以參考實施例1的相同方式形成塗膜後 再實際評估組成物。塗膜上面的實際缺陷為βΑ (超過 100)。則該組成物的實際評估為不良。 根據本《B月方法，可以不必實際形成塗膜而能演算出 塗膜品質。因此可以提供能夠評估半導體裝置的塗膜所用 溶液之方法。 316331 22

Claims (1)

1336914 十、申請專利範圍： 1. 一種淨估半導體裝置的塗膜所用溶液之方法，此方法包 括在该;·谷液通過;慮過一具有0. 〇 1至〇. 4微米平均之孔徑 大小的過濾器之時’測量半導體裝置的塗膜所用溶液的 堵塞度（Clogging Degree)，及 估計從該溶液形成的塗膜之品質， 其中該堵塞度係以下面的公式予以定義： 堵塞度=V2/V1 式中： VI :溶液於固定的壓力和溫度之下過濾之情況中，於起 始標準點的濾液線速度值（對每丨平方厘米之過濾器的 過濾速率（克/平方厘米.分）） V 2 :於從起始標準點排放出預定的濾液重量之點的濾液 線速度值。 2.如申請專利範圍第1項之方法，其中該半導體裝置的塗 膜所用〉谷液為光阻劑組成物。 3·如申請專利範圍第1項之方法，其中該半導體裝置的塗 膜所用溶液為用於KrF或用於ArF的光阻劑組成物。 4_如=請專利範圍第1項之方法，其中該過濾器為轨跡蝕 刻〉專膜過遽器（track-etch membrane filter)。 5. 如申#專利範圍第丨項之方法，其中該過濾器的平均孔 大小為〇.〇1至〇 2微米。 6. 如申請專利範圍第丨項之方法，其中該從起始標準點排 放$的濾液之預定重量’於換算成濾液中固體成分的總 重里後係對每1平方厘米的過濾器為0.1至1 〇克。 31633] 23
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