TWI333513B - Method for producing film having plated coat and cathode roll for plating - Google Patents
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1333513 係作爲電子機器之零件使用，而有助於零件之小型化與輕 量化。另外，常被·做爲不使用低成本之黏合劑之雙層可撓 式印刷電路基板（flexible printed circuit substrate)之用。 該雙層可撓式印刷電路基板被利用於半導體封裝中之TAB 、COF、PGA 等。 [先前技術] 一邊搬送薄膜一邊連續地在薄膜表面形成覆膜之方法記 載於日本專利JP-A-07-22473或日本專利JP-A-2001-192793號。該方法係爲，一邊將設置於非金屬薄膜表面之 導電面或使金屬薄膜接觸陰極輥之同時爲配置在其之前或 之後，將薄膜搬送成通過鍍液與收容有陽極之鑛池中，在 鍍池中，將電鍍覆膜形成於上述導電面。在該方法中，藉 由設置多個由陰極輕與鍍池（plating bath)所構成之電鍍單 元並將薄膜搬送依次通過該等多個電鍍單元，可以在薄膜 之導電面上形成企望厚度之電鍍覆膜。 可撓性電路用基板係利用於電子機器、電子零件、半導體 封裝等。該基板係利用聚醯亞胺薄膜或聚酯薄膜與銅箔所構 成之配線基板。該配線基板包括以黏著劑在薄膜上黏貼銅箔 之通稱爲「三層式」之基板，以及不用黏著劑而以電鍍等在 薄膜上形成金屬覆膜之通稱爲「雙層式」之基板。 隨著最近電路配線間距（pitch)之細微化的發展，該等基 中反中，尤以後者之雙層式基板較受到注目。 三層式印刷電路用基板之黏著劑使用環氧樹脂或丙烯酸 樹脂。該基板由於含於黏著劑之雜質離子而有電性惡化之 1333513 大之該値。 . 另外，在被搬送之薄膜與陰極輥之間如無某種程度之滑 動（slip)，則薄膜之搬送狀態即被陰極輥所阻礙’而發生薄 膜寬度方向之多處之搬送張力之不平衡。由於此種不平衡 ，被搬送中之薄膜會發生縐紋或折曲，以致薄膜之搬送狀 態成爲不穩定。 在先前之裝置中，此問題之解決辦法係由鍍池伴隨著鍍 液到達陰極輥，並以形成於陰極輥上之液膜謀求解決。藉 由該液膜，薄膜與陰極輥之間帶來某種程度之滑動。藉由 該項滑動，抑制了在薄膜寬度方向之多處之搬送狀態之不 穩定性。 另外，如日本專利J P - A - 2 0 0 1 - 1 9 2 7 9 3號所示，如搬送薄 膜爲銅箔等之金屬箔，則可以增大薄膜之搬送張力，且即 使表面電阻値小，也可以得到與陰極輥完全導通，沒有問 題發生。 但如日本專利J P - A - 0 7 - 2 2 4 7 3號所示，想搬送厚度5 Ο μ m 之聚醯亞胺（polyimide)薄膜時，由於薄膜之楊氏係數 (young's modulus)或強度等關係，薄膜恐有斷裂之虞。另 外，在所形成之電鍍覆膜可能有發生內部應力之虞。因此 ’無法賦予膜薄以強大張力，而採取在較低的薄膜張力下 ’平衡薄膜之搬送狀態以形成電鍍被膜之方法。亦即，藉 由在陰極輥與薄膜之導電面之間，夾設含有某種程度之鍍 液之液膜，使在陰極輥與薄膜之間產生適度之滑動以謀求 薄膜搬送之穩定化。 -9- 1333513 然而’即使在本方捧中，爲形成電鍍覆膜而由陰極輥通 電時’往往在陰極輥上析出、附著形成電鍍覆膜之金屬。 附著於陰極輥之金屬被帶到薄膜上，在鍍池中，會由於 該金屬而造成因電場集中而出現在導電面或電鑛覆膜表面 形成異常凸起（凸起缺陷）之現象。另外，由於附著於陰極 輥之金屬而看到薄膜凹陷，或導電面或電鍍覆膜表面受損 之情形。嗣後要再形成之電鍍覆膜之膜厚不足以補平該凹 陷或受損部分。其結果是所製成之附電鍍覆膜之表面具有 凸形缺陷。再者，附著於陰極輥之金屬形狀被複製到薄膜 之導電面而使表面品質惡化。 形成於附電鍍覆膜表面之凸狀或凹狀之缺陷在製作電路 配線時之蝕刻工程、或電路封裝工程中之I c晶片等之接合 工程中，有導致斷線等不佳情況之虞，以及無法保證電路 品質之問題。 用於抑制引起此問題之在陰極輥所析出形成電鑛覆膜之 金屬之方法尙未發現。如今是暫時開動裝置後，停止生產 ，刮掉澱積附著於陰極輥之金屬’然後再進行裝置之運轉 。此種由陰極輥去除金屬成爲顯著降低附電鍍覆膜之薄膜 的生產力之原因。 另一方面，先前之陰極輥係以鐵系材料形成。另外，鍍 液係以硫酸爲主體之液體，而其中多配合以鹽酸。因此， 在考慮腐蝕性方面，陰極輥有不易選擇材料之問題。在該 情況下，s U S 3 1 6係適用於耐鍍液之材料。但是，即使該 -10- 1333513 S U S 3 1 6也有使用片刻，即發生晶間腐融（i n t e r g r a n u 1 a r corrosin)之問題。’ 陰極輥也有做爲搬送薄膜之圓筒（roll)之角色。在陰極輥 方面，爲因薄膜而產生擦力，而具有逐漸產生傷痕的問題 。因此，如使用於生產不久，在陰極輥即受傷，由於該傷 痕，與薄膜之磨擦力增加而發生黏住（grip)薄膜之情形。該 種情形使薄膜產生張力或彎曲以致薄膜之搬送呈蛇行，並 使薄膜發生皴紋。嚴重時，在移動中薄膜形成摺痕。 另外，有時在陰極輥析出用於形成電鍍覆膜之金屬，例 如銅而附著在上面。如想去除該覆膜而以摻入硏磨材料之 海綿進行刮附銅等付著物之作業時，則常常伴隨著該作業 ，也傷及形成陰極輥之材料SUS316。 該傷痕之形狀被轉印於製成之附電鍍覆膜之電鍍覆膜如 銅覆膜上。具有該複製傷痕之附電鍍覆膜具有所謂的細線 條（hairline)之表面品質之缺陷。該細線條爲凹狀的傷痕， 在製作電路配線時之蝕刻工程，或電路封裝工程中之1C晶 片等之接合工程中會發生斷線。結果，無法保證製成之電 路之品質。 另外，電鍍用陰極輥之受損而消耗甚大，在連續生產時 ，在兩週至約一個月之間，爲再硏磨電鍍用陰極輥而必須 加以更換。此事增高裝置之維護費用、增加維修作業，而 成爲降低生產力而增加成本之要因。 爲解決此問題，在日本專利JP-3! 35 提出在做爲可撓 式電路基板之產品之電鍍覆膜，如不使陰極輥接觸銅面之 1333513 方法。該方法即所謂_接觸搬送方法，而爲現今附電鍍覆 膜之製造所使用。’該方法之槪要如第17圖所示。在第17 圖中’搬送輥52' 53之兩側部分具有大直徑之圓盤（Disk) 52a、52b、53a、53b。薄膜50之兩側部分51a、51b藉由 該等圓盤引導以搬送薄膜50。在第17圖中，記號W爲薄 膜50之全寬’記號Wa表示非接觸部分之寬。在薄膜5〇 之搬送時’由搬送輥5 3之內側向外側流通液體，使薄膜 50向外加壓之力道發生作用。液體係由液體源55透過流 量調整單元56供應而由噴嘴管57之各噴嘴58噴出。 可是’以該方法搬送薄膜5 0時，由輥內側加壓之液體成 爲不穩定’薄膜50由搬送輥之大徑部分（圓盤部分）鬆脫， 無法進行連續生產。在該搬送輥53爲陰極輥時，則減少來 自兩側之供電之供電面積’供應容易成爲不穩定。其結果 是在形成之電鍍覆膜厚度有不均情形。在電鍍用陰極輥之 消耗大，而連續生產時’必須在兩週至約一個月中更換電 鍍用陰極輥以供再硏磨。此也導致裝置之維修費用大增， 維護作業之增加，而成爲生產力之降低與生產成本之上升 之要因。 電氣 '電子機器之1C化隨高精密、高積體化快速進行。 隨著可撓式印刷電路基板之圖型之間距由1 5 0至2 0 0 μ m間 距細緻間距化至8 0至1 5 0 μ m間距，現在更要求製作具有 30至80μηι間距之圖型的製作。將來，可以預料將有要求 製作具有小於8 0 μ m間距之圖型。 本發明之目的在提供一種可以解決上述先前技術之問題 1333513 電鍍覆膜薄膜4b捲坪成輥筒狀之捲取工程305所構成。薄 · 膜4a之導電面淸潔時，前處理工程302可以省略》不需要 所製成附電鍍覆膜之薄膜4b之後處理時，可以省略後處理 工程3 0 4。 在第1圖中，由薄膜捲出裝置306所捲出之具有導電面 之薄膜4a在通過積蓄器（accumulator)307之間，進而通過 平衡輥部3 0 8 (balanCe roll)時，其搬送張力被調整。然後， 移動薄膜4a係在通過速度控制輥部309時，使移動速度實 質地控制成一定。接著，移動薄膜4a通過酸、脫脂處理部 3 1 0、水洗部3 1 2、而被引進收容有鍍液7之鍍池6。該鍍 池6之一部分被放大而顯示於第2圖。 在第2圖中，薄膜4a在其導電面以電性接觸於陰極輥1-1 之狀態下移動後，被引進鍍池6。在鍍池6中，薄膜4a通過 液中輥101-1後，由鍍池6被引出至下一陰極輥1-2。 鍍池6收容著被積層與塡充銅球之盒子102-1與102-2 。該等盒子1〇2-1、102-2形成陽極2。陰極輥1-1、卜2則 φ 形成陰極。該兩極之間由整流器（直流電源）3-1供電。在鍍 池6對各陽極2設置遮蔽板106-1、106-2。藉由此種構造 形成第2圖中以一點鏈線所圍成的一個電鍍單元6a。 相同之後續之電鍍單元則由形成陰極之陰極輥卜2、1 -3 、液中輥1〇1-2、積層塡充銅球以形成陽極之盒子102-3與 1 0 2 - 4，遮蔽板1 0 6 - 2、1 0 6 - 3以及整流器（直流電源）3 - 2所 形成。在第1圖所示之電鍍裝置中’有多個此種電鍍單元 -16- 1333513 6 a ’係由薄膜4 a之搬送方向之上游側向下游側連續配置。 薄膜4a依次通過各單元6a而使形成於其導電面之電鍍覆 膜之厚度增加。 各單元6a之電流條件宜選擇對薄膜4a成爲0.2至 1 OA/dm2之範圍的電流密度。此電流密度之定義於後述說 明。依次通過各單兀6a而由最後單元6a所引出之薄膜4a 之導電面即形成1至30μηι厚度之電鍍覆膜。 在鍍池6底面設有空氣引入口（氣體攪拌用噴嘴）330-1 ' 330-2'330-3、330-4。由該等空氣引入口宜有新鮮空氣331_1 、33 1-2、33 1-3、33 1-4釋放至鍍液7中，藉此以攪拌鍍池 6中之鑛液7爲佳。如此一來，可以謀求提高所形成之電 鍍覆膜之均勻性。此時，對形成電鍍覆膜之部位供應新鮮 空氣’係對於提升電鍍覆膜之均勻性具有效果。藉此，可 以提升用於形成已形成有電鍍覆膜之極表面附近之電鍍覆 膜之金屬離子之濃度。 雖然未圖示，惟鍍池6中之鍍液7在由鍍池6引出而通 過濾器以去除污物之後，宜再度被引入鍍池6以經常保持 循環。 電鍍覆膜形成完畢而由鍍池6引出之附電鍍覆膜之薄膜 4b再通過用於檢測薄膜之張力的輥筒3 2 5。然後，附電鍍 覆膜之薄膜4b依次經過爲去除附著之鍍液以水洗液315處 理之水洗工程314、爲保護所形成電鍍覆膜以防銹處理液 3 1 7處理之防銹處理工程3 1 6、以水洗液3 1 9去除過剩之防 銹處理液之水洗工程318、具有去除水分之乾燥爐之乾燥 -17- 1333513 工程3 2 0。 由乾燥工程3 2 0、所引出之附電鍍覆膜之薄膜4b經過速度 調整部321與平衡輥322調整其張力。調整過張力的附電 鍍覆膜之薄膜4b通過積蓄器323，而由薄膜捲取裝置324 捲取線輥筒狀之薄膜。 第3圖圖示陰極輥單元之一例的擴大縱剖面圖，該陰極 輥單元係實施本發明之附電鍍覆膜之薄膜之製造方法以及 爲生產附電鍍覆膜之薄膜之工程中所使用。該陰極輥單元 包含陰極輥1、電解液收容盤10'以及由調整電解液之調 整槽1 1以及將電解液供應到電解液收容盤1 〇之配管1 3、 1 6所構成之電解液供應裝置。 第3圖中，具有導電面5之薄膜4a係以導電面5位於陰 極輥1側之狀態；電氣接觸於陰極輥1而移動到第3圖中 之右方並被搬送至鍍池6中。陰極輥1連接到馬達（未圖示） 而在第3圖中旋轉至右方。 薄膜4a之導電面5與陰極輥1之周面之一部分之間夾設 有液膜8。記號d表示液膜8之厚度。 陰極輥1之下方設置電極液收容盤10。電解液收容盤1〇 被供應濃度受控制之電解液9。電解液9中浸漬著陰極輥1 之一部分。陰極輥1爲經常被澆淋電解液9而旋轉。隨著 該旋轉，電解液9被供應到液膜之形成部位。藉此，薄膜 4a之導電面5與陰極輥1之表面之間形成液膜8。 電解液9係爲，由收容有經濃度控制之電解液1 2之調整 槽Η而通過配管13、16，被供應至電解液收容盤】〇。在 -18- 1333513 配管1 3、1 6設有送_泵1 4與閥部（電磁閥）1 5 »對電解液 收容盤1 0之電解液1 2之供應量之控制係藉由閥1 5之操作 、或泵1 4之操作而嚴格進行。電解液收容盤1 〇中之電解 液9因爲係由位於薄膜4a之移動方向之上游側之電鍍單元 6a(第2圖）帶進鍍液’因此電解液9之濃度會變化。爲防 止該項濃度之變化，由排出口排出電解液’而由配管 1 6供應濃度已調整之電解液1 2。 藉由整流器3，電流IA由陰極輥1被供應到已積層、充 塡有銅球之盒子所構成之陽極2。此時之電流密度以0 _2至 10A/dm2之範圍內選擇爲理想。電流密度爲在第2圖之一點 鏈線所示之一個單元6a中，以浸漬於薄膜4a之鍍池6中之 鍍液7之部分的面積除以由整流器3載入之電流之値。 第4圖圖示陰極輥單元之另一例之擴大縱剖面圖，該陰 極輥單元係實施本發明之附電鍍覆膜之薄膜之製造方法以 及爲生產附電鍍覆膜之薄膜之工程中所使用。該陰極輥單 元包括陰極輥1、液體之承盤3 1、刮刀2 1、彈性體22、液 體供應部2 4、2 7、2 9。 第4圖之陰極輥單元之陰極輥]之功能與第3圖之陰極 輥單元之陰極輥1之功能相同。但是雙方之陰極輥1在其 下方部分之裝置構造有所不同。 第4圖之陰極輥單元中，對陰極輥1設有用於刮除附著 於陰極輥1之附著物之刮刀2 1。刮刀2 1係由支撐體2 6支 撐俾其前端部接觸到陰極輥1之表面。相對於刮刀2 1，設 有供應液體2 5之液體供應部2 4。 -19- 1333513 另外，設有用刮除附著於陰極輥1之附著物之彈性體22 、 。彈性體2 2係由支撐體2 3支撐俾其上面接觸於陰極輥1 之表面。且設有對於彈性體2 2供應液體2 8之液體供應部 27 ° 此外，在陰極輥1上另設有供應液體3 0之液體供應部 29 ° 雖未圖示，但是液體2 5、2 8、3 0之供應係分別由泵、閥 所嚴密地控制。 爲不使液體25、28、30進入鍍池6而設有承31，承盤 3 1設有用於排出所收到之液體3 2的排出口 3 3。 第3圖中，將形成於陰極輥1與薄膜4 a之導電面5之間 之液膜8所存在之間隙厚度設爲d，形成存.在於間隙8之 液體之導電率設爲σ ，爲電鍍而載入陰極輥1之電流値設 爲I，經由液膜8以電性接觸至陰極輥1之薄膜4 a之導電 面5之面積設爲Cs’且將形成電鍍覆膜之金屬的還原電位 設爲E〇時，以能滿足下式 E〇>[(I/Cs)xd] / σ ⑴ 之關係’才能防止形成電鍍覆膜時金屬析出、附著於陰極 輥1上。 實際上’如能依據電流條件與金屬之還原電位E〇，利用 式（i)對電流値I，以間隙之厚度d爲橫軸，以導電率σ爲 縱軸，便能將兩者之關係圖表化，並利用描繪於該圖表中 之線條上側之範圍之導電率σ最好。 本發明人等發現即使薄膜4 a之導電面5經由液膜8電氣 -20- 1333513 接觸於陰極輥1而被、搬送時，如導電面5與陰極輥1之間 之電位差超過形成電鍍覆膜之金屬之還原電位E 〇之値，即 出現形成電鍍覆膜之金屬析出於陰極輥1之現象。本發明 人等對於如何才能防止該項析出現象進行各種檢討。結果 ，發現上述式（i)所示之關係。 本發明之附電鍍覆膜之薄膜之製造方法之特徵在：藉由 控制陰極輥1與薄膜4a之導電面5之間之間隙厚度d、形 成存在於該間隙之液膜8之液體之導電率σ、爲電鍍而流 通於陰極輥1之電流値I、以及透過液膜8在電性上接觸陰 極輥1之薄膜4a之導電面5之面積Cs中之至少一項，將 [(I/Cs)xd]/a之値保持低於用於形成電鍍覆膜之金屬之還 原電位E〇之値。 藉此，可以防止用於形成電鍍覆膜之金屬析出陰極輥1 之現象。而且導電面5與陰極輥1之間夾設有液膜8，所 以薄膜4a之搬送狀態也可保持於良好。 形成液膜8之液體可使用包含於鍍液7之電解液。做爲 形成液膜8之液體之電解液9在不易發生金屬鹽這一點上 以硫酸爲主成分之電解液爲佳。用於形成電鍍覆膜之金屬 爲銅時，電解液尤其以硫酸爲主成分之電解液爲理想。 用於形成液膜8之電解液9之導電率之調整如能在調整 槽Π監控要供給之電解液之導電率，利用以離子交換水等 稀釋高濃度之硫酸之液體來調整者爲佳。經過調整導電率 之電解液係以高精密度之導電率計監控其導電率。如導電 率較企望之値低時，則在調整槽1 1供應高濃度之硫酸，如 -21- 1333513 導電率較企望之値高時，則供應離子交換水。此種導電率 . 之調整宜進行回饋控制（feedback control)。 如第3圖所示，在位於陰極輥1之下方之電解液收容盤 1〇儲留著由調整槽11所供應且已調整導電率之電解液9 。陰極輥1係配置與電解液收容盤相對俾陰極輥1之一部 分與儲留於電解液收容盤10之電解液9相接觸或浸漬於其 ‘ 中。利用陰極輥〗之旋轉，附著於陰極輥1之表面之電解 液9被搬送至液膜8之形成部位，而在該部位，於移動之 薄膜4 a與陰極輥1之導電面5之間形成液膜8。 · 在第4圖所示之陰極輥1中，液體25由液體供給部24 被供應至刮刀2 1。被供應至刮刀2 1之液體2 5即附著於陰 極輥1之表面，而藉由陰極輥1之旋轉被搬送至液膜8之 形成部位，其在該處，於移動之薄膜4a之導電面5與陰極 輥1之間形成液膜8。 另外，在第4圖所示之陰極輥1中，液體28係由液體供 應部27供應至彈性體22。被供應至彈性體22之液體28 附著於陰極輥1之表面而利用陰極輥1之旋轉被搬送至液 ® 膜8之形成部位，而在該處，於移動中之薄膜4a之導電面 5與陰極輥1之間治成液膜8。 此外，又在第4圖所示之陰極輥1中，液體30由液體供 . 應部29直接供應至陰極輥1。被供應至陰極輥1之液體附 著於陰極輥1之表面，而藉由陰極輥1之旋轉搬送至液膜 8之形成部位，並在該處，於移動中之薄膜4a之導電面5 與陰極輥1之間形成液膜8。 -22- 1333513 有關該被檢測之搬送張力τ之値的信號控制速度調整部 321之薄膜搬送速度，俾使被檢測之搬送張力τ之値實質 上成爲固定，結果可以將搬送張力Τ之値實質上控制於固 定。該項控制宜設成回饋控制。 第1圖中之薄膜4a之搬送速度之控制係爲，陰極輥1做 爲驅動輥，而在速度控制部309設定基本速度來進行。在 該控制方式中，可以設定作用於陰極輥1 -1、陰極輥1 - 2之 間的薄膜之拉伸比（draw ratio)。另外，在該控制方式中， 在各陰極輥1之間之拉伸比設定漸漸升高，而以速度調整 部32 1控制薄膜4b之最終搬送速度。藉由採用此種控制方 式，位於鍍池6上方之陰極輥1處之薄膜4a之最大搬送張 力Tm ax係發生於張力檢測輥325。因此，薄膜4a之搬送 張力T即可以根據最大搬送張力T max之値來控制，並以 此方法爲佳。 間隙d之大小是隨搬送張力T越小則形成越大。也可以 測定搬送張力T最低之最初之陰極輥1_1上之間隙d，亦 可進行使搬送張力T上下調整之控制，以使該値達到目標 値。 在陰極輥1上，形成電鍍覆膜之金屬有時會產生析出之 情況。此時之對策宜對陰極輥1設置刮除該析出之金屬的 刀片21。刀片21之刀刃不是以垂直方向對準陰極輥1表 面，而是傾斜於陰極輥1之旋轉方向爲佳。如此一來，形 成電鍍覆膜之金屬萬一析出於陰極輥1上時，即析出之金 屬也可以被刀片2 1刮掉、去除。 1333513 刀片21係被支撐_ 26所支撐。支撐體26具有可以調整 · 位於與陰極輥1之旋轉方向爲垂直之方向（陰極輥1之寬度 方向）之刀片21之刀刃之推壓力之功能。藉此，可以將刀 片21之刀刀對陰極輥1之表面之推壓力調整成平均分配於 陰極輥1之寬度方向。 刀片21因爲係用於接觸陰極輥1，所以其材質宜不易發 生金屬反應，或不易發現由於接觸部分之電解液之存在而 引起之電池現象（氧化還原現象）者爲佳。塑膠樹脂製刀片 有例如E.L.日本股份公司製造之塑膠刮刀"E5 0 0 "，EKO刀 鲁 片公司製造之UHMW聚乙烯系刀片，以及東京製作所製造 之含氟樹脂系之TS刮刀。陶瓷製刀片有例如東京製作所製 造之SIC新陶瓷刀片。 用於擦拭析出於陰極輥1之金屬的彈性體22也可以設成 滑接於陰極輥1之表面。彈性體22是被支撐體23所支撐 。支撐體23具有可以調整與陰極輥1之旋轉方向垂直之方 向之彈性體22之推壓力之功能。藉此，可以將彈性體22 對陰極輥1之表面的推壓力調整成均分於陰極輥1之寬度 ® 方向。 彈性體2 2係以海綿、不織布、發泡泡體等所形成。該材 料宜爲聚氨酯、PVA(聚乙烯醇）、PVC(聚氯乙烯）、聚乙烯 、丁基系、氯丁橡膠系之橡膠系原料。其中尤以PVA(聚乙 烯醇）或PVC(聚氯乙烯）對以硫酸爲主成分之電解液或鍍液 有耐性而理想。 倂用刀片21與彈性體22可以有效刮除澱積於陰極輥1 -26- 1333513 之金屬。例如，在刀片2 1不易碰到陰極輥1之處而漏刮之 -析出金屬可以爲彈性體2 2所擦拭。 若能對析出有金屬之陰極輥1、刀片21、彈性體22連續 或間歇性地供應液體更好。利用該液體，沖洗析出的金屬 。如此一來，可更有效的進行析出金屬之去除。另一方面 ，該液體係用於保持形成式（0之液膜8之液體之導電率σ 於固定之方法。 ^ 液體如第4圖所示，係由液體供應部24、液體供應部27 、或液體供應部2 9所供應。亦即，對刀片2 1由液體供應 · 部24供應液體25，對彈性體22，由液體供應部27供應液 體28，或對陰極輥]，由液體供應部29供應液體30。 製造附電鍍覆膜之薄膜所使用之基膜（base film)多使用 聚醯亞胺樹脂、或由聚酯樹脂所形成之薄膜。要形成使用 於電子電路材料等之附銅覆膜之薄膜時，多使用通用之聚 酯樹脂薄膜做爲基膜（base film)。若要求在電路1C等之封 裝之焊接耐熱性時，則多使用以聚醯亞胺樹脂薄膜做爲基 膜。 · 基膜（base film)之材質之具體例如下：聚對苯二甲酸乙 二醇酯、聚乙烯-2,2-蓁、聚乙烯-α，/3-雙（2-對氯苯氧基乙 烷-4，4'-二羧酸）等之聚酯、聚醚醚酮、芳族聚醯胺、聚芳 _ 酯、聚醯亞胺、聚醯胺亞胺、聚醚醚亞胺（P〇lyethermide) 、聚帕爾定酸（poly paradin acid)、聚噁二唑及該等之鹵素 基或甲基取代基，還有該等之共聚物，除此之外另含有其 他之有機聚合物者。基膜也可以含有潤滑劑 '可塑劑等之 -27- 1333513 添加劑。 基膜較佳爲採用將包含以下式所示之反覆單位85摩爾 (mol) %以上之聚合物熔融擠出而得之未延伸薄膜延伸定向 於雙軸方向以提升機械特性之薄膜°
C 一 b
"f S"00-C-0-iCH2-f20^-
X ， O—CHj^O If -〇-4CHjh〇J-
(但，X 表示 H、CH3、F、Cl 基） 基膜較佳爲採用係由包含下式所示之反覆單位5〇摩爾 以上之聚合物所形成，以濕式或乾式製膜之薄膜，或將該 薄膜雙向拉伸及/或熱處理之薄膜。 -28- 1333513
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(但，X表示Η、CH3、F、Cl基，m、η表示0到3之整 數） 若用於可撓式電路時，基膜（base film)之厚度多使用6 至125μιη者，尤其12至50μπι之厚度者較爲適用。 要使厚度如此薄 '且寬度較寬的薄膜在第1圖所示之附 電鍍覆膜之薄膜之製造裝置中順暢地移動是相當困難。即 使薄膜4a之導電面5與陰極輥1之間有液膜8存在，有時 -29- 1333513 此種陰極輥可使多條薄膜通過陰極輥。使用此種陰極輥時 · ，即使使多列薄膜同時通過陰極輥也不致發生由多列薄膜之 不規則張力之拉扯，而可以維持各薄膜之良好搬送。在此具 有由多個陰極輥與液中輥所形成之薄膜移動方向之轉換較 多（迴圈數較多）的長距離之移動路徑之工程中，本發明之陰 極輥之效果可以充分發揮。藉此，可以節省空間而生產大量 ’ 的附電鍍覆膜之薄膜，而對於先前被認爲生產效率不良之附 電鍍覆膜之薄膜之生產效率帶來飛躍的進步。 [實施例] Φ 以下例示本發明之實施例。本發明並非侷限於該等實施 例。實施例中之各特性値是依下述方法所測定。 (1) 塑膠薄膜之表面張力 依據JIS Κ6766-1977(聚乙烯及聚丙烯之浸潤試驗方法） 進行。標準液在表面張力56達因/cm以下，係使用甲醯胺 /乙二醇-乙醚混合溶液，表面張力57至73達因/cm之範圍 內，則使用水（72.8達因/cm)/乙二醇（47.7達因/cm)之混合 液以測定表面張力。 ® (2) 接觸角 利用協和界面科學股份有限公司製之FACE接觸角計， 依據液滴法測定。 (3) 濺射膜之膜厚 利用觸針式表面粗度計測定。試料是在形成濺射膜之前 以可用溶劑去除之墨水塗敷於一部分後，形成濺射膜，然 後’成膜後去除塗敷墨水部分測定之。 -32- 1333513 (4) 電鍍膜之膜厚 . 以蝕刻液去除電鑛覆膜之一部分，並以奇恩斯股份有限 公司製造之雷射顯微鏡測定其段差以求之。 (5) 導電率 利用柯氏股份有限公司製造之導電率計CEH-1 2測定》 測定方式是用交流2電極方式，而測定範圍爲〇至 199mS/cm之感測器》 (6) 液膜間隙 使用第6圖所示之裝置以測定液膜間隙之大小。在第6 % 圖所示之測定裝置中，附有電纜43之位移計44沿著裝設 於液膜厚度測定用台架41之滑件導座（slide guide)42移動 並以放大器45增幅輸出檢測信號。測定感測器（位移計44) 是利用奇恩斯（股）公司製造之雷射位移計，以判定液膜厚 度。感測器頭使用「LK-010」超小型、高精密度CCD雷射 位移感測器，放大單元45則使用「LK-3 100」。感測器規 格定爲分解能〇.. Ιμηι，點徑20μιη，基準距離l〇mm。 (7) 運送張力 φ 在陰極輥之兩側裝設測力器（1 〇ad ce 11)之方式的感測器以 測定。感測器使用米內貝爾（股）公司製造之「C2G1-25K」型 。可測定範圍定爲0至250N。將依據輥重與薄膜搬送之夾 · 角所測得之張力値校正過者做爲張力値。 另外，製品生產中之搬送張力之簡便方法是利用第8圖所 示之測定裝置測定。將薄膜4a掛在陰極輥6 1 a、搬送輥62 、與陰極輥61b上搬送。在裝設於滑件導座64之滑件單元 -33- 1333513 sputtering)形成30nm之鎳鉻層。然後，以純度99.99%的 ( 銅做爲標靶，使用DC磁控管測射法形成1 OOnm之銅層。 由上述薄膜去除形成濺射膜所需之條件手段與導引部分 而製得1 2000m之附濺射膜之薄膜。 (2)電鍍覆膜之形成 將所製得之圓筒狀之附濺射膜之薄膜12000m以3000m 之圓筒狀體分成4等，並準備4條520mmx3000m之圓筒狀 體之附導電膜之薄膜，其中使一條通過下面所示之電鍍裝 置以形成電鑛覆膜。 φ 電鍍裝置係使用第1圖及第3圖所示之裝置，將銅利用 在陽極2而構成以第2圖中一點鏈線內之單元6a爲16單 元之電鍍電路及電鍍裝置。製得具有8μιη厚度之銅的電鑛 覆膜之薄膜4b。 陰極輥1係由直徑210mm、長800mm、壁厚10mm之 SUS316之圓管所構成。設由陰極輥^透過液中輥 到陰極輥1-2使薄膜4a通過時之薄膜路徑長度爲4m。路 徑長度係指由陰極輥1之頂點到下一陰極輥之頂點之薄膜 隹 4a之長度。因此，電鍍部之全路徑長度爲64m。 薄膜之前處理條件、電鍍條件與防銹處理條件如表1所 示。鍍銅之電流密度係設定隨著陰極輥〗與液中輥1 〇 1之 路徑之重複次數之增加，電流密度也會慢慢增加。由第1 至第16單兀之每一整流益3之電流設定條件如表2所示。 依據表2之電流條件與銅之還原電位〇,337V，利用式（i) 對各電流値將液膜間隙d與導電率σ之關係圖表化者圖示 1333513
表1 工程 條件 1 .脫脂 埃水克林A 1 1 0 30g/l 溫度 5 0°C 時間 2分鐘 2.酸活性 硫酸 1 Oml/1 溫度 3 0°C 時間 0.5分鐘 3 .陰極處理 硫酸銅 30g/l 硫酸 1 50g/l 光澤劑（荏原尤西萊特） 3ml/l 溫度 2 5〇C 時間 2分鐘 電流密度 0.5 A/dm2 4.鍍銅 硫酸銅 2 00g/l 硫酸 5〇g/l 金屬銅 50g/l 光澤劑（荏原尤西萊特） 2ml/l 氯 6 0 m g/1 溫度 3 0°C 時間（厚度：1〇μ) 20分鐘 電流密度 0.5^ 3A/dm2
整流器N o . 設定電流値 整流器No. 設定電流値 3-1 1 0A 3-10 1 75 A 3-2 1 6A 3-11 1 85 A 3-3 25 A 3-12 1 98 A 3-4 32A 3-13 208 A 3-5 45 A 3-14 2 1 5 A 3-6 68A 3-15 2 1 8 A 3-7 95A 3-16 220A 3-8 1 35 A 合計 2,000A 3-9 1 55A -38- 1333513 表3 520mmxl00mm內之凸起之個數 凸起、凹陷之 最大直徑 實施例1 實施例2 比較例1 比較例2 3 〜I 0 μ m 2 5 > 100 ----- 1 1 〜5 0 μ m 3 4 56 5 1 〜1 0 0 μ m 0 0 32 一 1 0 1 μ m以上 0 0 8 表4 實施例1 實施例2 比較例1 比較例2 良品數 50 50 3 片/50片 1 0 0 % 2 0 0 % 6% ^--- [實施例2] 本實施例是將附銅薄膜應用於可撓式電路基板者。 (1) 附導電面薄膜之製作 製造與實施例1完全相同之附導電面薄膜。 (2) 電鍍覆膜之形成 將製得之圓筒狀之附濺射膜之薄膜1 2000m分成4份 3 000m之圓筒狀體，並準備4條52〇mmx3 000m之圓筒狀體 之附導電膜之薄膜，將其中之一條通過下面所示之電鍍裝 置以形成電鍍覆膜。 電鍍裝置是利用第1圖及第4圖所示之裝置’將銅利用 於陽極2而構成以第2圖中一點鏈線內之單元6a爲16單 元之電路及電鍍裝置。製成了具有8μπι厚之銅的電鍍覆膜 -39- 1333513 325以負載傳感器（i〇ad cell)自動進行壓力檢測，並以速度 · 調整部321之驅動馬達之速度進行回饋控制，俾使張力成 爲1 60N/m。經以第6圖之檢測裝置測定張力最低之陰極輥 部分之液膜間隙d，結果爲80μηι。 搬送速度定爲lm/分鐘，然後，在陰極輥ι·ι至ι·ΐ7之 各陰極輥之馬達驅動設定中進行階段式的拉伸比率設定， · 依次提高速度並慢慢提高張力之方式。 雖然也可以控制使每單元6a變化導電率，但是因爲裝置 變成昂貴，所以對所有之單元6a將液膜之導電率調整 鲁 2m S/cm ’俾使銅析出不到達臨界點。亦即，利用硫酸做爲 沖洗第4圖之刮刀21之液體25，設其導電率爲2m S/cm， 每3分鐘供應2秒鐘之淋浴，每兩分鐘供應200ml之液體 2 5。另外’利用硫酸做爲供應給彈性體2 2之液體2 7，設 其導電率爲2m S/cm，每3分鐘供應2秒鐘之淋浴，每2分 鐘供應200ml之液體27。對刮刀21供應硫酸淋浴1分鐘 後’再供應液體2 7。此外，利用硫酸做爲供應陰極輥1之 液體30，設其導電率爲2mS/cm，每3分鐘供應2秒鐘之 ® 淋浴，每2分鐘供應200ml之液體30。對彈性體22供應 硫酸淋浴之1分鐘後再供應液體3 0。藉此，控制形成液膜 8之液體濃度。 . 由觀察得知由液膜間隙d與導電率σ之關係發生無法滿 足（i)式之部分，而在薄膜4a離開陰極輥1時，在陰極輥1 上析出有銅》但是，又確認所析出之銅被刀片21與彈性體 22去除，而該部分在下次面向薄膜4a時成爲淸潔狀態。 1333513 圖型即當做不合格）以及以斷線判斷圖型之良劣與否之結 - 果如表5所示。收獲率爲6%而幾乎無法製得正常之電路圖 型。 [比較例2 ] 本比較例爲將附銅薄膜應用於可撓式電路基板者。 (1) 附導電面之薄膜之製作 ’ 製得與實施例1完全相同之附導電面之薄膜》 (2) 電鍍覆膜之形成 將所製得之圓筒狀之附濺射膜之薄膜1 2000m分成 鲁 3000 m圓筒狀體四部分，並準備4條520mm x3000m之圓筒 狀體之附導電膜之薄膜，其中使一條通過下面所示之電鍍 裝置以形成電鍍覆膜。 電鍍裝置係使用第1圖及第3圖所示之裝置，將銅利用 在陽極2而構成以第2圖中一點鏈線內之單元6a爲16單 元之電鍍電路及電鍍裝置。製得具有8 μηι厚度之銅的電鑛 覆膜之薄膜4b。 陰極輕1係由直徑210 mm、長800mm、壁厚10mm之 SUS316之圓管所構成。設由陰極輥1_1透過液中輥101-1 到陰極輥1 -2使薄膜4a通過時之薄膜路徑長度爲4m。路 徑長度係指由陰極輥1之頂點到下一陰極輥之頂點之薄膜 - 4a之長度。因此，電鍍部之全路徑長度爲64m。 薄膜之前處理條件、電鍍條件與防銹處理條件如表1所 示。鍍銅之電流密度係設定成隨著陰極輥1與使中輥之路 徑之重複次數之增加，電流密度也會慢慢增加。由第1至 -45- 1333513 銅做爲標靶（target)，使用DC磁控管濺射法形成lOOnm之 銅層。 由上述薄膜去除形成濺射膜之條件手段與導引部分而製 得1 2000m之附濺射膜之薄膜》 (2)電鍍覆膜之形成 將所製得之圓筒狀之附濺射膜之薄膜12〇〇〇m分成 3 000m圓筒狀體四部分，並準備4條520mmX3 000m之圓筒 狀體之附導電膜之薄膜，其中使二條通過下面所示之電鍍 裝置以形成電鍍覆膜。 電鍍裝置係使用第1圖所示之裝置，將銅利用在陽極2 而構成以第2圖中一點鏈線內之單元6a爲16單元之電鍍 電路及電鍍裝置。製得具有8μηι厚度之銅的電鍍覆膜之薄 膜4b。 陰極輥1係由直徑210mm、長1 5 0 0mm、壁厚l〇mm之 S U S 3 1 6之圓筒所構成。該陰極輥1之表面係利用表3所示 之表面處理編號8之熔射處理進行表面處理。表面處理之 膜厚爲200μηι，表面粗度Rmax爲〇·4μηι。陰極輥之真圓度 爲0.05mm以下，圓筒度爲〇.〇8mm以下，圓周方向之振擺 爲0.08 mm。表面之維氏硬度Hv爲1〇〇〇。 設由陰極輥1-1經由液中輥101-1到陰極輥]-2使薄膜 4a通過時之薄膜路徑長度爲4ni。路徑長度係指由陰極輥1 之頂點到下一陰極輥頂點之薄膜4 a之長度。因此，電鍍部 之全路徑長度爲Mm。 薄膜之前處理條件、電鍍條件與防銹處理條件如表1所 -48· 1333513 示。鍍銅之電流密度係設定成隨著陰極輥1與液中輥1 〇 1 之路徑之重複次數之增加，電流密度也會慢慢增加。由第 1至第1 6單元之每一整流器3之電流設條件如表5所示。 表5
整流器Ν 〇. 設定電流値 整流器N o . 設定電流値 3-1 20 A 3-10 3 5 0 A 3-2 32 A 3-11 3 7 0 A 3-3 50A 3-12 3 9 6A 3-4 64 A 3-13 4 1 6 A 3-5 90 A 3-14 43 0 A 3-6 1 3 6 A 3-15 43 6 A 3-7 1 90 A 3-16 44 0A 3-8 2 7 0 A 合計 4,00 0A 3-9 3 1 OA
-49- 1333513 表6
表面處理 材料/表面處理法 維氏硬 耐鍍 編號 度Hv 液性 1 硬鉻/電鍍處理 2,000 Ε 2 ΝιΡ系/電鍍處理 1,700 Ε 3 TiN/PVD 處理 2,000 Ε 4 CrN/PVD 處理 2,100 Ε 5 TiCr/PVD 處理 2,100 Ε 6 W ' Co、Cr、C系/熔射處理 1,000 C 7 Cr系/熔射處理 950 C 8 W (7 0 %)、C r (1 9 %)、N i (5 %) ' 1,000 A C(6%)系/熔射處理 9 W(6 7%)、Cr(2 0%)、Ni(7%)、 1,150 B C(6%)系/熔射處理 10 W、Co、Cr、C系/熔射處理 1,270 D 11 Co ' Mo、Cr、Si系/熔射處理 750 D 12 滲碳處理 1,100 E 1 3 滲氮處理 1,250 E 14 SUS3 1 6/燒處理 3 00 C 表中之符號-A : 2個月後無變化、B : 1個月後有些變色 、C: 1週後有些變色、D: 1曰後有些變色、E:立即變色 薄膜張力之設定係如第1圖所示，利用s字纏繞（w r a P) 之速度控制部309適度切斷其張力’然後’依次對輥的旋 轉速度施加牽引力之方式。利用陰極輥（張力檢測輕部）3 2 5 -50- 1333513 以負載傳感器（load cell)自動進行壓力檢測，並以速度調整 . 部3 2 1之驅動馬達之速度進行回饋控制俾使張力成爲 240N/m 。 各陰極輥1上之搬送張力係以第8圖所示之簡便之張力 測定器來測定。第8圖之張力測定器可用於測定作用於寬 250mm之薄膜之張力》 搬送速度定爲1 m/分鐘，然後，在設定陰極輥1-1至1-17 之各陰極輥之馬達驅動時，採用分階段進行牽引力比例設 定依次提升速度，慢慢增強張力之方式。 鲁 對每一陰極輥1使2條薄膜4a並行移動。該2條薄膜 4a之搬送狀態非常穩定。 將2條長3000 m之薄膜4a搬送，而由開始搬送180分鐘 後之搬送位置之圖示如第9圖之圖表。被搬送之2條薄膜 4a-l、4a-2之狀態之第1圖之電鍍槽部303之平面圖如第 7圖所示。 在第7圖中，圖示著以陰極輥1之軸方向爲縱軸（γ),薄 膜4a之搬送方向（垂直於陰極輥1之軸方向之方向）爲橫軸 · (X)之座標。 在第7圖中，設薄膜a-Ι之搬送線爲A線，薄膜a_2之 搬送線爲B線’A:u、A:v表示A線之薄膜4a-l之端部 之移動位置，B: u、B: v表示B線之薄膜4a-2之端部的 移動位置。薄膜搬送位置如第9圖所示，非常穩定。2條 薄膜4a-l、4a-2在搬送中從未重疊，該等之搬送進行得很 穩定。 -51- 1333513 表8 實施例3 實施例4 比較例3 比較例4 良品數 50 50 2 片/50片 1 0 0 % 1 0 0 % 4% —— [實施例4 ] 經過1年後’進行與此完全相同之生產，而得到第1 〇圖 、第1 4圖、表7、表8所示，與實施例丨之結果大致相同 之結果。 [比較例3 ] # 本比較例係將附銅薄膜應用於可撓式電路基板者。 (1) 附導電面之薄膜之製作 製得與實施例1完全相同之附導電面薄膜。 (2) 電鍍覆膜之形成 將所製得之圓筒狀之附濺射膜之薄膜1 2 000m分成 3000 m圓筒狀體四部分，並準備4條520m mx3000m之圓筒 狀體之附導電膜之薄膜，其中使2條通過下面所示之電鍍 裝置以形成電鍍覆膜。 ^ 電鍍裝置係使用第1圖所示之裝置，將銅利用在陽極2 而構成以第2圖中一點鏈線內之單元6a爲16單元之電鍍 電路及電鍍裝置。製得具有8μηι厚度之銅的電鍍覆膜之薄 · 膜 4b。 . 陰極輥1係由直徑210mm、長1500mm、壁厚10mm之 SUS3I6之圓管所構成。硏磨該陰極輥1之表面使硏磨後之 表面粗度Rmax爲〇·6μιη。陰極輥1之真圓度爲〇.〇5mm以 -53- 1333513 下，圓筒度爲〇.〇8mm以下’圓周方向之振擺爲0.08以下 。表面之維氏硬度Hv爲70。 設由陰極輥1 - 1經由液中輥1 〇 1 - 1到陰極輥Ν 2使薄膜 4a通過時之薄膜路徑長度爲4m。路徑長度係指由陰極輥】 之頂點到下一陰極輥之頂點之薄膜4 a之長度。因此，電鍍 部分之全路徑長度爲64m。 薄膜之前處理條件、電鍍條件與防銹處理條件如表1所 示。鍍銅之電流密度係設定成隨著陰極輥1與液中輥〗01 之路徑之重複次數之增加，電流密度也會慢慢增加。由第 1至第1 6單元之每一整流器3之電流設條件如表5所示。 薄膜張力之設定係如第1圖所示，利用S字纏繞（wrap) 之速度控制部3 09適度切斷其張力，然後，依次對輥的旋 轉速度施加拉伸力之方式設定張力。利用陰極輥（張力檢測 輥部）3 2 5以負載傳感器（load cell)自動進行壓力檢測，並以 速度調整部3 2 1之驅動馬達之速度進行回饋控制俾使張力 成爲24 ON/m。各陰極輥上之搬送張力係在陰極輥1之兩側 設置負載傳感式之感測器以測定之。 搬送速度定爲lm/分鐘，然後，在陰極輥1-1至1-17之 各陰極輥之馬達驅動設定時分階段進行牽引力比例設定， 依次提高速度，並慢慢增強張力。 該裝置由開始使用一週，運轉順利。但是，嗣後，陰極 輥1之表面出現傷痕，甚至可以肉眼辨識。薄膜4a黏著於 陰極輥1之表面而在薄膜4a發生張力與扭曲。受到鍍液7 中之攪拌空氣流動之影響，薄膜4a開始蛇行，在陰極輥1 -54- 1333513 [比較例4 ] 本比較例將附銅薄膜應用於可撓式電路基板者。 以與實施例1完全相同之條件重複3個月之生產運轉， 其間2條薄膜4a· 1 ' 4a-2之蛇行移動加劇而發生了互相重 疊之現象。在各薄膜發生皺紋與皺折，以至於無法正常生 產。 搬送長3000m之薄膜4a-l、4a-2，圖示70分鐘後之搬送 位置如第12圖之圖表。搬送2條薄膜4a-1、4a-2之情形 的第1圖之電鍍槽部3 0 3之平面圖如第7圖所示。2條薄 膜4a- 1、4a-2之移動狀態係在連結第1 2圖所見之位置之 線彎曲之位置蛇行，在互相重疊之位置2條薄膜互相重疊 ，搬送情形非常不穩定。 利用第8圖所示之測定裝置測定搬送張力T之結果如第 16圖所示。可知張力傳播對2條薄膜4a-l、4b-2不規地變 動。經查陰極輥I之表面，觀察到無數的深約〇. 5mm之傷 痕存在 由表8所示之數値可知，利用本發明之電鍍用陰極輥並 以本發明之製造方法所製作之附鍍銅覆膜之薄膜之電鍍覆 膜的表面狀態極爲良好。因此，此種附鍍銅覆膜之薄膜很 適合於以細微間距（fine pitch)形成之可撓式電路基板之製 造。附鑛銅覆膜之生產力也優異。 [產業上之可利用性] 利用本發明可以在優異之生產力的基礎上，在薄膜之導 電面形成表面品質優異之電鍍覆膜以製造品質優異之附電 -56- 1333513 第1 3圖爲表示在實施例3中之薄膜張力之測定結果之圖 表。 第1 4圖爲表示在實施例4中之薄膜張力之測定結果之圖 表。 第1 5圖爲表示在比較例3中之薄膜張力之測定結果之圖 表。 第1 6圖爲表示在比較例4中之薄膜張力之測定結果之圖 表。 第17圖爲日本專利JP- 3 1 3 5 1 7 6中所揭示之習知薄膜之 非接觸搬送裝置之立體圖。 主要部分之代表符號說明 1,1-1 陰極輥 2 陽極 3 整流器 3-1 整流器 3-2 整流器 4 a 薄膜 5 導電面 6 鍍池 6 a 電鍍單元 7 鍍液 8 液膜 9/1 2 電解液 10 電解液收容盤 -58- 1333513 3 15 水 洗 液 3 2 1 速 度 調 整 部 3 22 平 衡 輥 部 3 23 積 蓄 器 3 24 薄 膜 捲 取 部 3 25 張 力 檢 測 輥部 3 3 0 空 氣 引 入 □ d 間 隙
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Claims (1)
1333513 第92116248號「附電鍍覆膜之薄膜的製造方法以及電鍍用 陰極輥」專利案 黎〇Vf 翁年） 拾、申請專利範圍： 1. —種附電鍍覆膜之薄膜的製造方法，係利用搬送具有導 電面之薄膜之薄膜搬送裝置、陰極輥，以及配置於該陰 極輥之前或/及後並收容有鍍液與陽極之鍍池，一邊利用 上述薄膜搬送裝置搬送上述薄膜，一邊透過液膜使上述 薄膜之導電面在電氣上接觸上述陰極輥，同時通過上述 鍍池中俾在上述薄膜之導電面形成電鍍覆膜，其特徵爲 :設形成上述電鍍覆膜之金屬之還原電位爲E(),爲電鍍 而流通於上述陰極輥之電流値爲I，透過上述液膜而在電 氣上與上述陰極輥接觸之上述薄膜之導電面之面積爲Cs ’上述陰極輥與上述薄膜之導電面之間隙厚度爲d，以 及用於形成存在於該間隙之上述液膜之液體之導電率爲 σ時，可以滿足下式關係 E〇>[(I/Cs)xd]/σ > 且上述薄膜之搬送張力爲1 ΟΝ/m以上、3 20N/m以下。 2. 如申請專利範圍第1項之附電鍍覆膜之薄膜的製造方法 ，其中用於形成存在於該間隙之上述液膜之液體之導電 率係由以硫酸爲主成分之電解液之濃度所控制。 3. 如申請專利範圍第1項之附電鍍覆膜之薄膜的製造方法 ，其中用於形成存在於該間隙之上述液膜之液體之導電 率爲lmS/cm以上、100mS/cm以下。 1333513 4. 如申請專利範圍第1項之附電鍍覆膜之薄膜的製造方法 ，其中上述間隙之厚度d之値爲20μιη以上、5 00 μιη以下 〇 5. 如申請專利範圍第4項之附電鍍覆膜之薄膜的製造方法 ，其中上述間隙之厚度d係由上述薄膜之搬送張力所控 制。 6. 如申請專利範圍第1項之附電鍍覆膜之薄膜的製造方法 ，其中上述電銨覆膜爲銅。 7. 如申請專利範圍第1項之附電鏟覆膜之薄膜的製造方法 ’其中上述薄膜係由聚醯亞胺或聚酯樹脂所形成。
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