TWI332715B - Light emitting devices(6) - Google Patents

Description

1332715 五 '發明說明（2) 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於一種發光裝置及其相關元件、系統及方 法0 【先前技術】 相較於白熾燈或電燈（incandescent light source) 及/或螢光燈（fluorescent light source)而言，發光二 極體（light emitting diode, LED)所提供之光線係可具 有較高的效能。此外，由於LEDs之相關設備係可提供相當 高的電力效率（power efficiency)，藉此已於各式各樣的 照明設施之中取代了傳統的光源（1 i g h t s 〇 u r c e s )。例 如：LEDs係用以做為交通用燈（traf f ic 1 ights)之使用、 用以對於電話鍵盤（cell phone keypads)與顯示器 (displays)等進行照明。 一般而言’LED係由複數層結構（multiple layers)所 形成’其中，於複數層結構中之至少部分的層結構係由不 同的材料所製成，並且藉由這些層結構之材質、厚度決定 了 LED所發出光線之波長（waveiength)。另一方面，經由 對於這些層結構之化學成份（chemical composition)的選 擇作用下’如此係可以對於其光動力（〇pt i cal power)進 行相當有效能的收縮，並且對於所射出之電載子 (electrical charge carriers)進行隔離，如此以避免其 進入某些特定區域（regions)( —般稱之為量子井（quantum we 1 Is))。通常，於量子井所生成位置之接面（junction)

1057-6274-PF(N2).ptd 第6頁 1332715 五、發明說明（3) 之一側邊的層結構上係摻雜了給予體原子（d〇n〇r atoms) ’藉此以導致高電子濃度（electr〇n concent rati on)(通常稱這些層結構為n型層結構（n type 1 ayers ))的產生；另外，於其相對侧邊之層結構上係摻雜 了文體原子（acceptor atoms)，藉此以導致相當高的電洞 濃度（hole concentration)(通常稱這些層結構為p型層結 構（p-type layers))。 以下將針對LED之製作方式提出說明。於晶圓（wafer) 之製作過程中係形成了複數材料層。一般而言，這些層結 構係藉由蠢晶沉積技術（epitaxial deposition technique)所形成’例如：金屬有機化學氣相沉積 (metal-organic chemical vapor deposition (M0CVD)， 於其成長基底（growth substrate)之上係已預先形成了沉 積層結構。隨後’藉由各種餘刻及金屬化技術（e t c h i n g and metallization techniques)對於這些外露的層結構 進行電流注入用之接觸塾（contact)之製作，隨後便可對 於晶圓進行切割以製作出個別LED晶片（LED chips)。通 常，經切割後之個別LED晶片係利用封裝技術加以包覆。 當進行LED之操作時，一般係將電能（eiectricai energy)注入於LED之中，此電能隨後便可轉換為電磁輻射 (electromagnetic radiation)(光線），部分的電磁輻射 或光線便可經由LED而被引出。 【發明内容 IMII _ 1057-6274-PF(N2).ptd 第7頁 1332715 五、發明說明（12) III-V族半導體材料（III -V semi conductor materials)、 有機半導體材料（organic semiconductor materials)、 石夕（silicon) ° 於部分實施例中，圖樣係可不必延伸至光產生區域之 中 〇 於部分實施例中，圖樣係可不必延伸至第一層之上。 發光裝置更可包括了複數電接觸塾（electrical c ο n t a c t p a d )，經由這些電接觸墊的設計下係可將電流注 入於發光裝置。電接觸墊係可設計成可將電流以垂直注入 於發光裝置。 圖樣係可局部地選自於以下各種構成方式 (component)或其相互間的組合，例如：於第一層之表面 上形成了孔洞（hoi es)、於第一層之中形成有柱體結構 (pillars)、於第一層之中形成有連續脈紋（veins)。 於部分實施例中，圖樣之樣式係選自於三角圖樣 (triangular pattern)、方型圖樣（square pattern)及格 柵狀圖樣（grating pattern)。 於部分實施例中，圖樣之樣式係選自於非周期性圖樣 (aperiodic patterns)、準晶圖樣（quasicrystalline patterns)、羅賓遜圖樣（Robinson pattern)及安曼圖樣 (A m m a n p a 11 e r n s )。於部分實施例中，圖樣係為一彭羅斯 圖樣（Penrose pattern)。 於部分實施例中，圖樣之樣式係選自於蜂巢狀圖樣 (honeycomb patterns)、阿基米得圖樣（Archimidean

1057-6274-PF(N2).ptd 第16頁 1332715 五、發明說明（13) patterns) ^在特定實施例中，不同直徑之孔洞係可形成 於圖樣（例如：蜂巢狀圖樣）之上。 於部分實施例中，圖樣係可由局部形成於第一層之表 面上的孔洞所構成。 舉例而言，調變參數係可至少約為晶格常數之1 %及/ 或25%。於部分實施例中，圖樣係可對應於經實質上任意 調變之一理想圖樣（ideal pattern)。 在對於圖樣進行適當的設計下，由第一層之表面所發 出之光線係具有輻射模態（radiation modes)之光譜 (spectrum)，並且此輻射模態之光譜於實質上係相同於光 產生區域之一特徵發射（characteristic emission spectrum)。 舉例而言，發光裝置係可為一發光二極體（1 ight emitting diode)、雷射（laser)或一光放大器（optical ampl if ieirs)。發光裝置係由複數有機發光二極體 (organic light-emitting devices, OLEDs)、複數面射 型發光一極體（flat surface-emitting LEDs)、複數高亮 度發光二極體（HBLEDs)。 於部分實施例中，第一層之表面係可具有尺寸約小於 λ / 5之特徵’其中，a係為可被第一層所發射之光線的波 長。 ’ 於特定實施例中，發光裝置係經由封裝方式而加以包 覆（例如：以封裝晶粒（packaged die)之型態呈現）。於部 分實施例中’經封裝之發光裝置係可以不必採用封膠材科

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五、發明說明（14) 層（encapsu1 ant materia 1)。 , 於部分實施例中’與第一層之表面相接觸之材料係為 一氣體（gas)(例如：空氣（air))，並且此氣體所具有之壓 力係略小於1 00托（Torr)。 於特定實施例中，與第一層之表面相接觸之材料所具 有之折射率至少約為1。 於部分實施例中’封裝LED係包括一蓋板（cover) ’於 蓋板中包括了磷材料。在適當設計蓋板之下’光產生區域 所產生之光線便可經由第一層之表面發出且可與破材料之 間產生交互作用’並且經由第一層之表面發出且可與填材釀 料之間產生交互作用下，其經由蓋板所發出之光線於實質 上係為白光。 於特定實施例中，發光裝置更可包括一第一薄片與一 第二薄片。第一薄片之材質於實質上係為透明’藉此係可 讓光線自發光裝置而發出。於第二薄片中係包括了磷材 料，第二薄片係鄰接於第一薄片，並且於第一薄片、第一 層之表面之間係可設置了具有折射率至少約為1.5之一材 質（material)。在第一薄片與第二薄片之設計下，光產生 區域所產生之光線便可經由第—層之表面發出且可與磷材 料之間產生交互作用’並且經由第一層之表面發出且可與 磷材料之間產生交互作用下，其經由^二薄片所發出之光 線於實質上係為白光。 填材料係可設置於第—層之表面上。 .於晶圓之製作方法中，包括了利用磷材料之設置而可

l〇57-6274-PF(N2).ptd 第18頁 1332715 五、發明說明（16)

一部分（portion)進行分解（decompose)。對結合層進行加 熱的過程中係包括了讓結合層於一雷射光（laser)所發射 之輻射（radiation)之下進行曝光。對基底進行移除的過 程中係包括了藉由一雷射掀去製程（laser liftoff process)對於基底進行曝光。對基底進行移除之後係造成 了第一層之表面於實質上呈現出平坦狀（flat)。在將圖樣 形成於第一層之表面中之前，其更包括了在將第一層移除 之後、對於第一層之表面進行平坦化處理 (planarizing)。對於第一層之表面進行平坦化處理中係 包括了對於第一層之表面進行化學機械研磨 (chemical-mechanical polishing)。對於第一層之表面 進行平坦化處理係以略大於；1/5的程度、降低了第一層之 表面之粗糙度（rough ness)，其中，λ係為經由第一層所 發射之光線的波長。製作發光裝置之方法更包括了在第一 層之表面中形成了圖樣。於形成圖樣的過程中係包括了採 用奈米微影（nano 1 i thography )。圖樣係包括了複數外貌 (features)，這些外貌之尺寸係略大於λ/5，其中，又係 為經由第一層所發射之光線的波長。製作發光裝置之方法 更包括了將一基底設置於反射材料層之上◊此外，製作發 光裝置之方法更包括了將一電流散佈層 (current-spreading layer)設置於第一層與光產生區域 之間。 以下將藉由本發明之各實施例說明其所具有之各項優 點。

1057-6274-PF(N2).ptd 第20頁 1332715 五、發明說明（17) 於特定實施例中，一LED及/或一相對大型LED晶片係 可相對地發出向光引出量（light extraction)。 於部分實施例中，一 LED及/或一相對大型LED晶片係 可相對地發出兩表面亮度（surface brightness)、平均表 面受度（average surface brightness)、低散熱（heat dissipation)之需求或具有高散熱率、低音域（etendue) 及/或尚電力效率（p0wer efficiency)。 於特定實施例中，一LED及/或一相對大型LED晶片係 可在適當的設計下，由LED/LE])晶片所發出之相對少量光 線係可被封裝所吸收。 於部分實施例中，一封裝LED(例如：相對大型封裝 LED )係可不必藉由封膠材料以進行封裝製作，如此係可避 免採用特定封膠材料時所可能產生的特定問題，例如：降 低的性能（reduced performance)及/或隨著時間之函數 (function of ume)上的不相容性能（inc〇nsisten1： per for mance )。在相對長時期的操作下，藉此所提供之一 封裝LED係可達到相對理想及/或可靠的性能。 於特定實施例中’一LED(例如：一封裝LED，此封裝 LED係可為相對大型封裝LED)係可包括了均勻的磷材料塗 層。 於部分實施例中，經設計後之一 LED (例如：一封裝 LED ’此封裝LED係可在一特定角度範圍（particular angular* range)内提供所需之光線輸出（desired light output)(例如.與led表面正向（surface normal)有關之

第21頁 1332715 五、發明說明（19) 130上係形成有多重氮化銦鎵/氮化鎵量子井（multiple

InGaN/GaN quantum wells);以及一氮化鋁鎵層（AlGaN layer)132。一11邊接觸墊（n_side contact pad)136 係設 置於石夕晶摻雜（η -摻雜）氮化鎵層134之上，並且一 p邊接觸 墊（p-side contact pad)138係設置於銀層126之上。封膠 材料層（encapsuUnt material)(具有折射率（index 〇f refraction)為1. 5之環氧樹脂（ep0Xy))i44係位於矽晶摻 雜（η-摻雜）氮化鎵層134、一蓋玻片（cover siip)i4〇與複 數支承構件（supports)142之間。封膠材料層144並沒有延

伸至各開孔1 5 0之中。

以下將針對LED 100所產生之光線（iight)提出說明。 相對於π邊接觸墊136 ’p邊接觸墊138係處於正電位 (positive potential) ’ 如此將導至電流（electrical current)輸入至LED 100之中。當電流通過了光產生區域 1 3 0時’由矽晶摻雜（n-摻雜）氮化鎵層丨3 *所發出的電子 (electrons)與來自鎖摻雜（ρ_摻雜）氮化鎵層128之孔洞 (holes)便共同在光產生區域13〇之上結合，如此便可在光 產生區域130產生了光線。此外，於光產生區域13()中包含 了大量的點偶極輻射源（p〇int dipc)le radiation sources) ’在點偶極輻射源之作用下，由光產生區域13〇 所產生之光線（例如：等向性（is〇tr〇pically))便可具備 有光產生區域130之製成材料之光線波長之光譜 (spectrum)的特性。在InGaN/GaN量子井的作用下，如此 便可經由光產生區域130而產生出具有約奈米

1057-6274-PF(N2).ptd 第23頁 1332715 五、發明說明（21) 可經由矽晶摻雜（n _妓&、

Hn摻雜）氮化鎵層1 34之上表面110、朝向 LED100之外部發屮 T „ 是銀層126所反射之光線係可經由 LED 100中之半導艘# 士，/ 、 , 何料Csemiconductor material)吸收 而升>/成了孔’同對（electron-hole pair) ’並且在孔洞對 於光產生區域130之中進行結合的作用下，則於光產生區 域130中便可產生光線。同樣地，由光產生區域130所產生 之部分的光線係可被導引至η邊接觸墊丨3 6，並且藉由η邊 接觸墊136之底側（underside)的製成材料（material)(例 如·欽（Tl)/紹（A1)/鎳（Ni)/金（Au))係對於光產生區域 1 3 0所產生之至少一部分的光線進行反射。因此，被導引 至η邊接觸墊136的光線係可經由n邊接觸墊136進行反射， 並且經反射後的光線係可經由矽晶摻雜（η_摻雜）氮化鎵層 134之上表面11〇(例如：來自於銀層126所反射）、朝向led 100之外部發出’或是被導引至η邊接觸墊136、且由η邊接 觸墊136所反射之光線係可經由LED 1〇〇中之半導體材料吸 收而形成了一孔洞對’並且在孔洞對於光產生區域丨3 〇之 中進行結合的作用下，則於光產生區域丨3〇中便可產生光 線（例如：藉由或不必藉由銀層1 2 6所反射）。 如第1、2圖所示，LED 100之表面110並非平坦狀，於 此表面11 0上包括了由複數開孔1 50所構成之修正三角形圖 樣（modified triangular pattern)。一般而言，1 50 之深度（depth)可為任意值，並且開孔150之直徑、相鄰開 孔150之最近間隔（nearest spacing)是可以任意改變的。 除非可由其它方式加以註解，否則以下便採用數值計算

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1332715 五、發明說明（22) (numerical calculations)之結果而對於各圖式進行清楚 說明：開孔1 5 0的深度1 4 6約為2 8 0 n m ;非零直徑 (non-zero diameter)約為160 nm ;相鄰開孔150之最近間 隔約為220 nm ;以及折射率為1. 0。由於三角形圖樣係經 過了調變處理，於相鄰圖樣1 5 0之最近中心間距 (center-to-center distance)的大小係介於（a_ Aa)與 (a+ A a )之間，其中，n a"係表示三角形圖樣之晶格常數 (lattice constant)，" /\a"係表示具有長度之尺度 (dimensions of 1 ength )的調變參數（detuni ng parameter)，於此之調變係可根據任意方向（rand〇m directions)而得。為有效提高LED 100所發出之光引出量 (light ex tract ion)(請參閱以下說明），調變參數係 約為理想晶格常數a之至少l%(〇ne percent)(例如：至少 約為2%、至少約為3%、至少約為4%、至少約為5%)，並且/ 或最多約為理想晶格常數之25%(例如：最多為20%、最多 為1 5%、最多為1 〇% )。於部分實施例中，相鄰圖樣丨5 〇之最 近中心間距係可採用介於（a — △ a )與（a + △ a)之間的任意 值，於實質上便可對於圖樣丨5〇進行任意的調變。 基於複數開孔1 5 〇所構成之修正三角形圖樣可知，藉 由非零調變參數係可提高LED 100之引出效率。請參閱第3 圖’基於上述之關於Led 100的說明可知，當調變參數 由零（zero)增加至〇.15a左右時，於LED 100中之電磁場 (electromagnet ic fields)之數學模型（numerical model ing )(將於下文中提出說明）中所示之發光裝置的引

第26頁 1332715 五、發明說明（24)

Vxl=-^·

dH - — dE dP I’ Vxif=^ —+¥- 其中，經由可極化性（polarizability)戶=月+為+ +4 係可捕捉光產生區域130之量子井區域（quantum wells region)、p-接觸層（p-contact layer)126、於 LED 100 中 之其它層結構的依頻響應（frequency-dependent response)。忍項目係為根據材料之各種可極化性之不同 提供（different contributions)所進行實證推導 (empirically)而得之數值（例如：用於束缚電子振盪 (bound electron osc i 1 1 a t i ons )之極化響應 (polarization response)、用於自由電子振盪（free electron oscillations)之極 4匕響應）〇 特；^的是， d2 戸m dPm 2 IT- ( % r dt

dV + Υπ>~ + ωΛ =<ϋ>)Ε 其中，極化（polarization)係相當於一介電常數 (dielectric constant) ε(ω) = εα> + ^ m

為了方便數值上的計算’於此僅考量了封膠材料層 144、銀層126、以及位於封膠材料層144與銀層126之間的 各層結構。由於此一估算係假設封膠材料層丨4 4、銀層j 2 6 具有足夠的厚度，如此LED 1〇〇之光學性能（opt ical performance)將不會受到環境層（surrounding layers)之

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五、發明說明（25) 影響。於LED 100中，銀層126、光產生區域130等相關幹 構（relevant structure)係假設具有一依頻介電常數 (frequency dependent dielectric constant)，而其它 的結構則不假設具有依頻介電常數。值得注意的是，於邻 分貫施例中之LED 100之封膠材料層144、銀層126之間係 包括了複數附加金屬層（additional metal layers)，

中，各附加金屬層係分別具有其所對應之依頻介電常數'。 另一值得注意的是，銀層126(以及LED 100中之任何其它 金屬層）係同時對於束缚電子（bound electron)、自由電 子（free electron)而具有一依頻項（frequency dependent term)，但是光產生區域130卻僅對於束缚電子 而具有依頻項、但卻對於自由電子卻不具有依頻項。於其 它的實施例中，當進行介電常數之依頻的模型計算時，其 它例如電聲子相互作用（electron-phonon interactions)、原子極化（atomic polarizations) ' 離 子極化（ionic polarizations)及/ 或分子極化（molecular polarizations)等項亦可同時歹ij入考量°

藉由將若干個處於任意位置、固定電流 (randomly-placed, constant-current)之雙極聲源 (dipole sources)合併於光產生區域130，如此便可完成 了對於光產生區域130之量子井區域所發出之光線的模型 化處理，於光譜幅寬（spectral width)之各射出短高斯脈 衝（emitting short Gaussian pulses)係相等於真實量子 井（actual quantum well)之射出短高斯脈衝，並且各射

1057-6274-PF(N2).ptd 第29頁 1332715 五、發明說明（26) 出短高斯脈衝係具有任意初始相位（random i n i t i a 1 phase)、開始時間（start-time)。 為了處理LED 100之上表面110中之各開孔wo所構成 之圖樣，於側向（lateral direction)上係採用了 一較大 超級單體（super ce 11) ’並且於超級單體中係同時搭配了 周期性邊界條件（periodic boundary conditions)之使 用。在上述方式作用下，除了可以協助大型（例如：邊緣 (edge)大於〇.〇1 mm)裝置之尺寸上的模擬之外，當所有偶 極源（dipole sources)之能量完全發出、且直到系統内完 王不具任何此量之時’全》貝鼻方程（full evolution equations)仍可及時完成相關的運算。在模擬過程中，總 能量（total energy)之發出、經由上表面11〇所引出之能 量流（energy flux)、由量子井與η摻雜層所吸收之能量均 被監控。在藉由傅立葉之時間（t ime )與空間（space )的轉 換之後’除了可以得到引出能量流之頻率、角度解析資料 (frequency and angel resolved data)之外，同時可對 於角度、頻率解析引出效率（angle- and frequency-resolved extraction efficiency) it # if 算。藉由光產生區域130所發出之總能量（total energy emitted)、光產生區域130之實驗所得發光 (experimentally known 1 um i ne see nee )的相互配合下， 如此便可得到了用於給定電性輸入（given electrical input)之單位亮度（lumen/per)、單位晶片面積之立體角 度（solid angle/per chip area)之絕對角度解析弓|出

1057-6274-PF(N2).ptd 第30頁 1332715 五、發明說明（28) 係根據布拉格條件（Bragg c〇ndition)nA=2dsin0、而採 用一角度（angle ) 0進行散射，其中，πθ之光源而言，在 藉由調變參數（detuning parameter) Aa對於晶格部位 (lattice sites)之間隔（Spacing)進行調變作用下，布拉 格條件係可以變得較為寬鬆。因此，在藉由光譜幅寬、空 間發射源輪廓（spatial emission profile)的作用下，晶 格的調變係可提高圖樣之散射有效性（s c a 11 e r i n g effectiveness)、接受角度（angular acceptance)。 基於上述說明可知，除了可藉由具有非零調變參數 (non-zero detuning parameter) Aa 之修正三角形圖樣 150以提尚LED 100所發出的光引出量之外，其它的圖樣亦 可提南LED 100所發出的光引出量。當決定是否藉由所給 定圖樣（given pattern)以提高LED 100所發出之光引出量 及/或採用那何種開孔圖樣是可以提高LED 1 00所發出之光 引出量時，於進行相關的數值計算之前係必須先以物理圖 像（physical insight)的方式估算出一基本圖樣（basic pattern)，藉由基本圖樣以提高LED 100所發出之光引出 量。 此外，由於介電函數係可根據圖樣1 5 0而進行空間上 的改變，如此便可藉由介電函數之傅立葉轉換（Fourier transformation)之考量方式以對於LED 100的引出效率進 行了解。第4圖係表示針對一理想三角形晶格（i dea 1 triangular lattice)之傅立葉轉換提出說明。沿著平面 内波向量（in-plane wavevector)k之特定方向

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五、發明說明（29) (particular direction)進入之光線的引出係與沿著平面 内波向量k ’（亦即’平行於圖樣1 5 0 )進入所有轄射模熊、 (radiation modes)之發射源（source emission)Sk 有相互 的關連性，其中，平面内波向量k係可經由平面内波向f k’加上（addition)或扣除（subtraction) 了倒晶格向量 (reciprocal lattice vector)G 而得，亦即，k = k，+ q 0 引出效率係正比於其所相對之介電函數ε G之傅立葉分量 (Fourier component)Fk ，其關係式為 = Σ = J £(^^Tdr

G

此外’材料層之中的光線傳播係可以滿足方程式 k2(平面内（in-plane) ) + k2(法向（normai))= ε ( ω/(：)2，其 中，經實際所考量下所得到之倒晶格向量G的最大值 (maximum)係固定受限於光產生區域13〇所發出之光線頻率 (ω)、光產生區域130之介電常數。如第4圖所示，逆格子 空間群（reciprocal space)之環型（ring)係通常稱之為光 能階（1 ight 1 ine)。由於光產生區域130所具有的是有限 頻寬（finite bandwidth)，其所形成之光能階則將是環狀 結構（a η n u 1 u s )，並且為了便於說明，於此係以單色光源 (monochromatic source)之光能階提出介紹。同樣地，光 線於封膠材料層中的傳播係受限於光能階（於第4圖中之内 BKinner circle))。因此，在增加了介電函數之傅立 葉分量Fk的同時，於封膠材料層内之光能階上、各平面内 波向量k之方向上的引出效率便可以提高，其中，於封膠

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五、發明說明（30) 材料層中的光能階係等於封膠材料層中之倒晶格向量G點 (G points)的增量、對於封膠材料層内之光能階上之倒晶 格向量G點之散射強度（scattering strength)(介電函數） ε G的增量之總和。當所選擇的圖樣可以提高引出效率時， 則便可採用物理圖像來進行估算。 舉例而言，第5圖係表示在增加了一理想三角形圖樣 (ideal triangular pattern)之晶格常數的效應 (effect)。值得注意的是，於第5圖中之資料係經由第j圖 中所給定參數之計算下而得’但這些參數並不包括：具有 4 5 0 n m之尖峰波長的射出光線，以及以最近相鄰距離"a „ 為比例下之1 . 27a、0. 72a、1· 27a-40 nm時之開孔1 50之深 度、開孔1 5 0之直徑、與相鄰開孔丨5 0之矽晶摻雜（n _摻雜） 氮化嫁層134的厚度。在晶格常數的增加下，於封膠材料 層内、光能階中之倒晶格向量G點的數量亦可同時被增加 的，並且可輕易藉由具有最近相鄰距離（NND)之引出效率 的趨勢（trend)而看出。可以確信的是，當最近相鄰距離 (NND)近似於在真空中之光線波長時，則於此一最近相鄰 距離（NND)下係具有最大引出效率，其理由在於：由於材 料所具有之均勻度提高，當最近相鄰距離（NND)遠大於光 線波長時，則散射效應（scattering effect)便可降低。 舉例而言，第6圖係表示藉由增加開孔尺寸（ho 1 e size)或填充因子（fining factor)時之效應。三角形圖 樣（modified triangular pattern)之填充因子的表示式 為（2;γ//·3)*(ι·/3)2，其中，犷係為開孔之半徑（radius)。

l〇57-6274-PF(N2).ptd 第 34 頁 1332715 五、發明說明（31) 藉由第1圖中之LED 100之所使用參數的計算下以得到了第 6圖所示之資料，但於這些參數中並不包括了根據X軸 (a-axis)上之填充因子的數值而變化之開孔直徑。當散射 強度（ec)增量下，引出效率係隨著填充因子而增加。當處 於-4 8%之填充因子時，則此特定系統係具有最大值。於特 定實施例中，LED 1 00所具有之填充因子係至少約為 10%(例如：至少約為15%、至少約為20%)及/或至多約為 90%(例如：至多約為80%、至多約為70%、至多約為60%)。 由上述所提出之修正三角形圖樣可知，於理想三角晶 格（triangular lattice)的各位置之上、圖樣中之開孔的 定位係與調變參數之間有關連性；此外，在將圖樣中心保 持在理想三角圖樣（ideal triangular pattern)的各位置 上時，則藉由對於理想三角圖樣中之開孔進行修改的作用 下係仍可以得到此一修正（調變（detuned))三角形圖樣， 於第7圖中之實施例所示即為此一修正（調變）三角形圖 樣。於此實施例中，就光引出量中之增量 (enhancement)、用以進行相對數值計算（corresponding numerical ca 1 cu 1 a t i on s )的方法（m e thodo 1 ogy )、以及對 於具有第7圖之圖樣之發光二極體中所提高之引出效率的 物理解釋（physical explanation)而言，均與上述方式相 同。於特定的實施例中，修正（調變）圖樣中之開孔係可經 由理想位置而進行倒置（d i s p 1 a c e d)，並且位於理想位置 之開孔係具有直徑上的變化。 於其它實施例中，藉由不同型式的圖樣係有助於發光

1^· 1057-6274-PF(N2).ptd 第35頁 1332715 五、發明說明（32) 二極體之光引出量的提昇，這些型式的圖樣包括了複雜周 期性圖樣與非周期性圖樣（complex periodic patterns and nonperiodic patterns)。於複雜周期性圖樣之中， 其每一單體（unit cell)係具有超過了一個以上的特徵 (feature)，並且此單體係以周期性樣態（periodic fashion)進行重覆。舉例而言，複雜周期性圖樣包括了蜂 巢狀圖樣（honeycomb patterns)、蜂巢基底圖樣 (honeycomb base patterns) 、 2x2 基底圖樣（2x2)(base patterns)、環狀圖樣（ring patterns)及阿基米得圖樣 (Archimidean patterns)。以下之實施例中，於複雜周期 _ 性圖樣中之部分開孔係可具有單一直徑，而其它的開孔則 可具有較小直徑。另外，非周期性圖樣係為單體之上不具 有平移對稱性（translational symmetry)之圖樣，其中， 此單體之長度係至少為光產生區域1 30所產生之尖峰波長 的5 0倍。舉例而言，非周期性圖樣包括了非周期性圖樣 ‘ (aperiodic patterns)、準晶圖樣（quasicrystalline · patterns)、羅賓遜圖樣（Robinson pattern)及安曼圖樣 (Amman patterns)。 第8圖係表示針對LED 1 0 〇、兩種不同的非周期性圖樣 之數值計算資料’其中，於非周期性圖樣中之部分開孔係 具有特定直徑（particular diameter)，而於非周期性圖 樣中之其它的開孔則可具有較小直徑。於第8圖中之數值 計算資料係表示了具有較小直徑之開孔（dR)、其直徑由〇 nm變化至95 nm時之引出效率（直徑為80 nm之較大開孔）

1057-6274-PF(N2).ptd 第36頁 1332715 五、發明說明（33) 的表現（behavior)。第1圖中之LED 100之所使用參數的計 算下以得到了第6圖所示之資料，但這些參數並不包括了 根據圖形中之X軸上之填充因子之數值而變化的開孔直 徑。為了不受到理論上的限制，在多孔尺寸（multiple hole sizes)的作用下係可允許由圖樣中之多重周期性 (multiple periodicities)而產生散射，藉此以增加圖樣 之接受角度、光譜有效性（spectral effectiveness)。於 此實施例中，就光引出量中之增量、用以進行相對數值計 算的方法、以及對於具有第8圖之圖樣之發光二極體中所 提高之引出效率的物理解釋等等而言，均與上述方式相 同。 第9圖係表示對於LED 100之數值計算資料，其包括了 不同的環型圖樣（ring pattern)(複雜周期性圖樣）。圍繞 於中心開孔（central hole)之第一環型（first ring)的開 孔數目係不同於（6、8或1 0個）其它不同環型圖樣的開孔數 目。藉由第1圖中之LED 100之所使用參數的計算下以得到 了第9圖所示之資料，但於這些參數中並不包括了具有45〇

nm之尖峰波長的射出光線。於第9圖中，其數值計算係表 示了每單位單體之環型圖樣數量由2至4時之LED 1〇〇的引 出效率，其中，環型圖樣數量係以重覆方式通過了單體。 於此實施例中’就光引出量中之增量、用以進行相對數值 計算的方法、以及對於具有第9圖之圖樣之發光二極體中 所提高之引出效率的物理解釋等等而言，均與上述方式相 同。

1332715 五、發明說明（34) 第10圖係表示具有阿基米得圖樣A7之LED 1〇〇的數值 計算資料》阿基米得圖樣A7係由具有相同間隔之7個開孔 (equally-spaced holes)之六角單體（hexagonal uint cel Is) 230所構成，其相互之間隔為最近相鄰距離 (NND)a。於六角單體230之中，其6個開孔係以正六角形 (regular hexagon)之形狀進行排列，並且第7個開孔係位 於六角型之中心位置上。隨後，將這些六角單體23〇以’中 心至中心間距（center-to-center spacing)為a， )、且沿著其邊緣相互配合的方式而共同構成”了LED的 圖樣表面。此一方式即為所熟悉之A7貼圖（A7 t丨丨丨n W有 其利用了7開孔以構成了單體。同樣地，阿基米得貼g ， (Archimidean tiling)A19係由具有最近相鄰距離 (NND)a、相同間隔之19個開孔所構成，其中，6個開 以内六角（inner hexagon)的方式進行排列，12個係 以外六角（outer hexagon)的方式進行排列，並且&〜儀 心開孔設置於内六角之中。隨後，將這些六角^中 配合 於此實施你丨 中’就光引出量中之增量、用以進行相對數值 】 法、以及對於具有第1 0圖之圖樣之發朵_长碰1异的方 引出效率的物理解釋等等而言，均盥卜、+、+上 托馬之 /、工迷方式相ρη 10圖中，Α7、Α19貼圖之引出效率約為7 70/ ^ 於第 ’丨ί /Q，並且藉由 中之LED 1 00之所使用參數的計算下w β r 箱田第1 下从得到了第ι〇圖所 中心至中心間距為a’=a*(3 + 々）、且沿著其邊緣相互0从 的方式而共同構成了 LED的所有圖樣表面 圖

1057-6274-PF(N2).ptd 第38頁 1332715 五、發明說明（35) 示之資料，除了於這些參數中不包括了具有450 nm之尖峰 波長的射出光線之外，同時這些參數亦不包括了以最近相 鄰距離（NND)所定義之開孔的個別單體。 第11圖係表示具有準晶圖樣之LED 100的數值計算資 料。舉例而言，於M. Senechal， Quasicrystals and Geometry (Cambridge University Press, Cambridge, England 1 99 6 )係揭露了相關準晶圖樣之技術，於此亦將 其併入說明β於此係以數值計算說明了當8重級基準周期 結構（class of 8-fold based qusi-periodic

structure)之變化時之引出效率的表現。可以確信的是， 由於準晶圖樣結構係可允許高度之平面内迴轉對稱性（d u e to high degree of in-plane rotational symmetries allowed by such structure)，如此便可藉由準晶圖樣以 呈現出相當南的引出效率。於此實施例中，就光引出量中 之增量、用以進行相對數值計算的方法、以及對於具有第 11圖之圖樣之發光二極體中所提高之引出效率的物理解釋 卓辜而s ’均與上述方式相同。由第11圖所示之=維有限 差分時域（FDTD)法之計算資料可知，其準晶圖樣結構所達 到之引出效率約為82%。藉由第1圖中之LED 1〇〇之所使用 參數的計算下以得到了第11圖所示之資料，除了於這些參 數十不包括了具有450 nm之炎峰波長的射出光線之外，同 時這些參數亦不包括了以最近相鄰距離（NND)所定義之開 孔的個別單體。 基於上述所知·出之各種圖樣可知’凡是滿足上述所提

1057-6274-PF(N2).ptd 第39頁 1332715 五、發明說明（36) 出之基本原則（basic principles)下的圖樣均可以提高於 LED 1 0 0之引出效率。可以確信的是，藉由增加了準晶圖 樣結構或複雜周期性圖樣之調變（detuning)下，引出效率 是可以有效地被提高。 在部分實施例中，由LE D 1 0 0所發出、且於光產生區 域130所產生之總光線強度（total amount of light)的至 少約為45%(例如：至少約為50%、至少約為55%、至少約為 60%、至少約為70°/。、至少約為80%、至少約為90%、至少約 為9 5%)係會經由上表面1 10而發出。 於部分的實施例中，LED 1 0 0係可相對地具有較大的 剖面積，藉此仍可經由L ED 1 0 0以呈現出有效能之光引出 量（light extraction)。舉例而言，於LED 100中之至少 或更多的邊緣係可至少約為1公釐（m m ) (m i 11 i m e t e r )(例 如：至少約為1. 5 m m、至少約為2 m m、至少約為2. 5 m m、 至少約為3 mm)，並且由LED 100所發出、且於光產生區域 130所產生之光總量的至少約為45%(例如：至少約為50%、 至少約為55%、至少約為60%、至少約為70%、至少約為 8 0%、至少約為90%、至少約為95%)係會經由上表面110而 發出。如此一來，LED便可相對地具有較大的剖面積（例 如：至少約為1. 5 mm X 至少約為1. 5 mm)，藉此以呈現 出理想功率轉換效率（power conversion efficiency) ° 於部分的實施例中，具有LED 1 00設計之LED的引出效 率於實質上係與LED的邊緣的長度無關連性。舉例而言， 相較於具有LED 100之設計且其至少一或更多邊緣約為

1057-6274-PF(N2).ptd 第40頁 1332715 五、發明說明（37) 0.25 mm之LED的引出效率、具有LED 100之設計且其至少 一或更多邊緣約為1 m m之L E D的引出效率而言，兩者之間 的差別變化係約小於10%(例如：約小於8%、約小於5%、約 小於3%)。LED之引出效率係為LED所發出的光線、發光裝 置所產生之光線強度之間的比率（於此係可採用”能量 (energy)"或"光子（photons)"來量測）。如此一來，LED 便可相對地具有較大的剖面積（例如：至少約為1 mm X至 少約為1 mm)，藉此以呈現出理想功率轉換效率。

於部分的實施例中，具有LED 100設計之LED的量子效 率（quantum efficiency)於實質上係與LED的邊緣的長度 無關連性。舉例而言，相較於具有LED 1 00之設計且其至 少一或更多邊緣約為0.25 mm之LED的量子效率、具有LED 1 00之設計且其至少一或更多邊緣約為1 mm之LED的量子效 率而言，兩者之間的差別變化係約小於1 〇 % (例如：約小於 8%、約小於5%、約小於3%)。於此所提出之LED的量子效率 係為：LED所產生的光子數量 '於LED中所發生之孔洞再結 合（elect r on -ho 1 e recombinations)的數量之間的比率° 如此一來，LED便可相對地具有較大的剖面積（例如：至

少約為1 mm X至少約為1 mm)，藉此以呈現出良好的性 能。 於部分的實施例中，具有LED 100設計之LED的電光轉 換效率（wall plug efficiency)於實質上係與LED之邊緣 的長度無關。舉例而言，相較於具有LED 100之設計且其 至少一或更多邊緣約為〇 . 2 5 mm之LE D的電光轉換效率、具

1057-6274-PF(N2).ptd 第41頁 1332715 五、發明說明（38) 有LED 100之設計且其至少—或更多邊緣約為1 mm之LED的 電光轉換效率而言，兩者之間的差別變化係約小於1〇% (例 如：約小於8%、約小於5%、約小於3%)。於此所提出之led 的電光轉換效率係為：LED之注入效率（注入於發光裝置中 之載子數目'發光裝置之光產生區域中所再結合之載子數 目之兩者之間的比率）、LED之輻射效率（radiative efficiency)(孔洞再結合所導致之一輻射結果（radiative e ven t)、孔洞再結合之總數目之兩者之間的比率）、以及 LED之引出效率（由LED所引出之光子的數目、所形成之光 子的總數目之兩者之間的比率）之乘積（pr〇duct)。如此一 來，LED便可相對地具有較大的剖面積（例如：至少約為j mm X 至少約為1 mm)，藉此以呈現出良好的性能。 於部分的實施例中，由LED 100所發出之光的角度分 佈（angular distribution)係可經由上表面11〇而受到巧 妙的控制。為了提而進入於一給定立體角度（given solid ang 1 e)(例如：進入了圍繞在上表面11 〇之法線方向的一立 體角度）之引出效率，於此係對於可根據圖樣150(如上所 述）進行空間上的變化之介電函數的傅立葉轉換進行檢 查。第1 2圖係表示具有不同晶格常數之兩理想三角形晶格 之傅立葉轉換結構（Fourier transformation construct ion)。為了提高引出效率，於此係增加了封膠 光能階（encapsulant light line)中之倒晶格向量G點的 數目、材料光能階（material light line)中之倒晶格向 量G點的散射強度（eG)，此一方式係暗示了藉由最近相鄰

1057-6274-PF(N2).ptd 第42頁 1332715 五、發明說明（39) 〜 距離（N ND )之增加係可達到如第5圖中所提出之效果。、 而’於此係特別留意進入了立體角度之引出效率的増$ 量’此立體角度係以置中對準於上表面丨丨〇之法線方\ σ 因此’在希望同時藉由減少封膠光能階之半徑以達到° 了 ° 制倒晶格向量G點的引入（introduction)之下，倒晶格向限 量G之大小係會大於（^(心））/。，亦即，G>( ω (ne))/c /由 此可知’藉由減少封膠（最低需求（b a r e m i n i m u m )係為將 所有封膠均一起移除）之折射率的作用下係可得到較大的 最近相鄰距離（NND )，因而增加了在材料光能階中之倒晶 格向量G點的數目’並且藉由材料光能階係可造成了於法 線方向（Fk = 〇)上的引出’同時可避免於封膠之中繞射 (di f fraction)成了較高階數（傾斜角度（〇blique angles))。於第13圖中係表示了上述說明之趨勢、以及進 入立體角度（由圖形中之集合半角（c〇llecti〇n half-angle)所給定）之引出效率。 藉由第1圖中之LED 1 0〇之所使用參數的計算下以得到 了第13圖所示之資料，但於這些參數中並不包括：具有 53 〇nm之尖峰波長的射出光線及34 nm的頻寬、封膠之折 射率為1.0、p摻雜材料層之厚度為丨6〇 nm、光產生區域

Uight-gene rating iayer)之厚度為3〇 nm、如第13 圖所 不之對於三曲線之最近相鄰距離（NND)(a)，以及以” a"為 比例下之1. 27a、〇. 72a、1· 27a + 40 nm時之深度、開孔直 徑及η摻雜材料層之厚度。當晶格常數增加時，則在狹角 (narrow ang 1 es )之引出效率、進入所有角度之總引出效

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率便均可增加。然而，就較大晶格常數而言，即使進 有角度之總引出效率是增加的，但在封膠之中所繞射1斤 之較高階數模式係會對於狹角之引出效率造成了限制成 晶格常數為4 60㈣之計算結果可知，其所進入於集合H 之引出效率係大於25%。換言之，僅在大約13. 4%之立體 度之上半球（upper hemisphere)中之近半數的引出光線β 被收集的，藉此以呈現出此圖樣之準直性效應 Κ (coll imat ion effect)。可以確信的是，就任何可以增加 材料光能階内之倒晶格向罝G點之數目、但限制了於平面 内波向量k = 0時之封膠光能階内之倒晶格向量g點之數目的 圖樣而言’藉由這些圖樣係可提高了進入於立體角度之弓丨 出效率，其中，此立體角度係以置中對準於上表面11〇之 法線方向。 值的注意的是，上述方式係特別可以有效降低源音域 (source etendue)，此一源音域係通常正比於n2，其中， η係表示周圍材料（surrounding material)(例如：封膠） 之折射率。因此，藉由降低了LED 100中之封膠材料層之 折射率的作用下，如此將會造成了更多的相互平行之發射 (collimated emission)、較少的源音域及較高的表面亮 度（surface brightness)(於此係將其定義為引入了來源 音域之總亮度）。於部分實施例中，由空氣所形成之封勝 係可減少源音域，但因而卻增加了進入於一給定集角 (collection angle)、以置中對準於上表面110之法線方 向。

1057-6274-PF(N2).ptd 第44頁 1332715 五、發明說明（41) 於部分實施例中，當光產生區域1 30所產生之光線經 由上表面110而自LED 100發出時，其光線分佈之相互平行 性係比拉普拉斯分佈（lambertian distribution)為佳。 舉例而言’當光產生區域13〇所產生之光線經由上表面11〇 而自LED 100發出時，由介電層（dielectric layer)表面 所發出之光線中，其至少約為40%(例如：至少約為50%、 至少約為70%、至少約為90%)係以至多約30。（例如：至多 約2 5 、至多約2 0。、至多約1 5。）的範圍内發出，而此 一角度係正父於上表面11〇。 由此可知’就可在一指定角度（desired angle)下、 相對引出高比例光線之能力，或是同時具有了相對高光線 引出量之能力而言，藉此能力係可製作出具有相對高密度 的LED ’如此以提供作為一給定晶圓（given wafer)之使 用。舉例而言’於每平方公分（per square centimeter) 之晶圓中係至少具有5個LEDs。 此外’在相對於光產生區域130所產生之光線的波長 而言’於部分實施例中係可針對封裝LED 1 00所發出之光 線的波長進行修正。於第1 4圖所示之例子中，一 LED 3 0 0 係具有一含填材料層（layer containing a phosphor material )1 80 ’此含磷材料層180係設置於上表面110，藉 由磷材料係可與光產生區域130所產生之具有既定波長之 光線之間達到交互作用，如此以產生出所需之指定波長。 於部分實施例中，由封裝LED 1 0 0所發出的光線於實質上 是可以為白光（whi te 1 i ght )的。此外，於特定之實施例

l〇57-6274-PF(N2).ptd 第45頁 1332715 五、發明說明（42) 中，含磷材料層180中之磷材料係可由（Y，Gd)(Al，Ga)G: Ce3+ 或釔鋁石榴石磷光體（” YAGn (yttrium, aluminum, garent))所製成。當經由光產生區域130發出之藍光（blue 1 ight)所激發時，則便可對於含磷材料層180中之磷材料 進行活化，同時藉由磷材料係可發出了具有寬光譜、置中 對準於黃光波長（yellow wavelengths)之光線（例如：等 向性）。經由封裝LED 100所發出之總光譜（total light spectrum)之觀察器（viewer)係可看出黃光填材料寬發射 光譜（yellow phosphor broad emission spectrum)、藍 光氮化銦鎵窄發射光譜（blue InGaN narrow emission spectrum)，此通常係為兩光譜（spectra)與感受白光 (perceive white)之混合。 於部分實施例中，含磷材料層1 8 0於實質上係可以均 勻方式設置於上表面110之上。舉例而言’於圖樣150之頂 部（top ) 1 5 1、含磷材料層1 8 0之頂部1 81之間的距離係可以 通過上表面110且略少於20%(例如：略少於、略少於 5%、略少於2%)的方式進行變更。 相較於LED 100之表面110之剖面尺寸，含磷材料層 1 80係通常具有較小的厚度，其大小約為1 mm X 1 mm。此 外，含磷材料層180於實質上係以均勻方式沉積於表面11〇 之上，於含磷材料層180中之磷材料於實質上係可均勻地 經由表面11 0所發出之光線所泵送。在相較於LED 1 00之表 面110之剖面尺寸可知，由於含磷材料層180之厚度相當的 薄，由光產生區域130所發出之光線便可在LED 1〇〇之整個

1057-6274-PF(N2).ptd 第46頁 1332715 五、發明說明（44) 圓之晶粒切割作業之前，藉由數個晶圓尺度製程步驟 (wafer scale processing steps)將鎮摻雜（p-摻雜）氮化 鎵層128定位在與光產生區域130所在位置之同一側，藉此 以做為鏡面層（mirror layer)126。 請參閱第16圖，一相對薄鎳層（relatively thin n i c k e 1 1 a y e r) 5 2 0係於沉積（例如：利用電子束蒸鑛 (electron-beam evaporation))於p -摻雜鎮:氮化嫁層 512之上，如此便可對於p-摻雜鎂：氮化鎵層512進行p型 歐姆式接觸（p-type ohmic contact)。一銀層522係沉積 (例如：利用電子束蒸鑛）於鎳層5 2 0之上。一相對厚鎳層 (relatively thick nickel layer)524 係於沉積（例如： 利用電子束蒸鑛）於銀層522之上。鎳層524係可用以做為 擴散阻層（diffusion barrier)，如此以減少污染物 (contaminants)擴散進入銀層52 2之中。一金層（g〇id layer) 526係於沉積（例如：利用電子束蒸鍍）於鎳層524之 上。隨後’於氮氣、氫氣、空氣或成型氣體（f〇rming gas)之中對於LED晶圓500進行了介於溫度400-600 °C (Ce 1 s i us )之間、3 〇與3 0 0秒之間的退火處理，如此以達到 了歐姆式接觸。 请參閱第17圖’一載具晶圓（subm〇unt wafer) 600係 藉由將一紐接觸層（aluminuin contact layer)604依序地 /儿積（例如.利用電子束蒸鍵）於口_播雜碎晶圓（p_d〇ped silicon wafer)6〇2之上。一金層608係沉積於鋁接觸層 604之上並且一金錫結合層（AuSn bonding layer)610係

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第48頁 1332715 五、發明說明（45) 沉積（例如：利用電子束蒸鍍）於金層608之上。隨後，載 具晶圓600係於氮氣、氫氣、空氣或成型氣體之中、以介 於溫度350-500 T：之間、30與300秒之間進行退火處理，如 此以達到了歐姆式接觸。 於壓力介於0至〇. 5 MPa、溫度2 0 0 -40 0。(：之間的作用 下，藉由將LED晶圓500之金層526接觸於載具晶圓600之金 鍚結合層61 0時，如此便可達到LED晶圓500、載具晶圓600 之間的結合（例如：利用熱壓機械（thermal-mechanical press))。氮化銦鎵/氮化鎵多量子井光產生區域51〇、金 鍚結合層6 1 0係形成了共晶結合（e u t e c t i c b ο n d )。隨後， 對於相互結合之晶圓夾層（wafer sandwich)進行冷卻，並 且將熱壓機（press)之上的相互結合之夾層（sandwich)進 行移除。 在完成了結合作業之後，藍寶石基底502便可藉由雷 射掀去製程（laser liftoff process)而自相互結合之晶 圓结構進行移除。舉例而言，美國專利第6, 420, 24 2、 6, 071，795案中係揭露了相關雷射掀去製程之技術，於此 係將此兩案參照併入於本案之中。於部分實施例中，一 248 nm之雷射光束係以照射通過了藍寶石基底502、且接 近於η-摻雜矽：氮化鎵層5〇6與藍寶石基底502之介面的方 式而對於η-摻雜矽：氮化鎵層5 〇 6進行局部加熱，藉此以 對於η-摻雜石夕：氮化鎵層506之子層（sublayer) 進行解離（decomposing)處理。隨後，將晶圓夾層加熱至 超過了鎵（gallium)之溶點（melting point)之上的溫度，

1057-6274-PF(N2).ptd 第49頁 1332715 五、發明說明（47) 粗糙的表面結構（roughened surface texture) 700。粗链 的表面結構700係可經由平坦化、薄型化處理（planarized and thinned)(例如：採用化學機械製程 (chemical-mechanical process))，如此便可使得n-摻雜 石夕：氮化鎵層50 6達到了一最終厚度（final thickness)， 並且了以使传粗链的表面結構700之表面粗糙度（surface smoothness)之均方根（root mean square，rms)小於 5

nm 另外’非平坦化介面（non-planar interface)係可 以局部方式引入於LED 1 〇〇之中，藉此方式作用下便可經 由粗糙的表面結構70 0以提高LED 100之引出效率。相較於 顯微化之光滑表面之下，當光射線（丨ight ray)以數次 (multiple times)方式撞擊於表面結構700之時，其最終 會以小於Snell，s定律之臨界角（criticai angle)的角度 撞擊在表面結構7〇 〇之上，而粗糙的表面結構7〇 〇係可大幅 度地增加了此種情況發生的可能性。 在元成了钱刻程序之後’便可在n _撸雜石夕：氮化鎵層 506之中進行一介電函數圖樣（dieiectric functi〇ri

pattern)之製作。首先，將一材料（例如：聚合物 (polymer))之平坦化層（pianarizati〇n iayer)7〇2 設置於 (例如·採用旋轉塗佈（spin-coating))n -摻雜矽：氮化鎵 層506之上’並且將一阻層（resist iayer)y〇4設置於（例 如：旋轉塗佈）平坦化層7〇2之上。隨後’藉由一奈米刻印 姓刻（nanoimprint lithography)及#刻製程的方式便可 將用以形成LED之中的光晶格（photonic lattice)之一圖

1057-6274-FF(N2).ptd 第51頁 1332715 五、發明說明（48) 樣建立於η-摻雜矽：氮化鎵層5〇6之中。首先，用以定義 出所需圖樣之部分係被壓印在阻層7 〇 4之中，並且以階段 性方式逐步地（port ion-by-port ion)形成在晶圓的所有表 面之上’除了可以印出圖樣15〇之各種特徵之外，同時提 供了後續製作過程中接觸墊（n_contact)之沈積用之區 域。於上述製作過程中，n_摻雜矽：氮化鎵層5〇6之表面 於實質上係呈現平坦狀為佳。舉例而言，X光微影（x_ray lithography)或深紫外光微影（deep ultraviolet lithography)亦可用以在阻層γ〇4之中建立出相關的圖 樣。當阻層形成於晶圓之上、且於晶圓的阻層之上建立了 相關圖樣之後’一預沉積姓刻光罩（predep〇sited etch mask)便可設置於n-摻雜矽：氮化鎵層5〇6的表面之上。 在藉由阻層7 0 4做為一光罩之作用下，另一圖樣係可 藉由阻層704而傳送至平坦化層7 〇 2之中（例如：活性離子 姓刻製 ^(reactive-i〇n etching process))。隨後，藉

由平坦化層7 02做為一光罩，利用平坦化層7〇2將圖樣傳送 至η-摻雜矽：氮化鎵層5 〇6之中，並且在完成了 n_摻雜 石夕.氮化鎵層5 0 6的蝕刻製作之後，便可進行平坦化層7 〇 2 之移除作業（例如.氣基活性離子姓刻（〇 χ y g e n _ b a s e d reactive-ion etching)) 〇 當圖樣被轉移至n-摻雜矽：氮化鎵層506之後，含磷 材料層便以可選擇方式設置於（例如：採用旋轉塗佈）n-摻 雜石夕：氮化鎵層5 0 6之圖樣表面之上。於部分實施例中， 碌係可以相當一致性的方式塗覆於圖樣表面（沿著圖樣表

1057-6274-PF(N2).ptd 第52頁 1332715 五、發明說明（49) 面中之開孔的底部、側壁上的塗覆層係實質上並不存在有 空孔（voids))之上。另一方面，封膠材料層係可被設置於 η-摻雜矽：氮化鎵層506之表面上（例如：藉由化學氣相沉 積（CVD)、濺鍍（sputtering)、以隨後之蒸鍍方式所形成 之液態黏結劑（liquid binder)進行懸浮（suspensi〇n))。 於部分實施例中，封膠材料係可包含了一種或多種鱗材 料。於部分實施例中’經壓縮後之磷材料所可達到厚度均 勻性（thickness uniformity)之值係約小於磷材料之平均 厚度（average thi ckness)的20%、1 5%、1 〇%、5% 或2%。於 部分實施例中，含磷之封膠材料層係可均勻地塗覆於圖樣鲁 表面之上。 當介電函數圖樣已經被建立在η-摻雜矽：氮化鎵層 506之中時，則便可自晶圓開始進行個別之led晶粒的切 割。當完成了晶圓製程（wafer processing)與晶圓測試 (wafer test ing)之後，個別的LED晶粒便可進行分離作 · 業’隨後並進行個別LED晶粒之封裝與測試。此外，於晶 、 曰曰 · 圓之切割作業之中，對於圖樣化LED之電及/或光性質之可 能潛在之損壞係可藉由側壁鈍化步驟（s i d e w a 1 1 passivation step)及/或預分離深斜角蝕刻步驟 (pre-separated deep mesa etching step)以有效降低。鲁 個別LED晶粒之大小係可根據晶圓之尺寸而決定，但—般 LED晶粒之形狀係採用了正方形或矩形，同時其邊長係介 於 0.5 mm-5 mm。標準光微影（standard photol i thography)係用以定義出晶圓上之晶粒位置，藉

1057-6274-PF(N2).ptd 第53頁 1332715

f所製作之晶粒以對於製作發光裝置進行激發，並且藉由 蒸鍍（例如：利用電子束蒸鍍）方式於指定位置上形成了歐 姆式接觸。 ^ 若LfD晶粒係已完成了封裝作業、且對於LED晶粒進行 機械、環境之相關防護措施之後，藉此封裝方式係可加速 光接收的能力。舉例而言，當不採用封膠時，藉由一透明 蓋板（transparent cover)覆蓋於LED晶粒之上’如此便可 以對於η-摻雜矽：氮化鎵層5 〇 6之表面圖樣進行保護。蓋 玻片140係藉由全熔或半熔之玻璃粉料（glassy fri t)而貼 附於支承構件142之上，此玻璃粉料係於熔爐（furnace)之 中進行熔化作業。舉例而言’於複數支承構件丨4 2之相對 的端部之間係藉由邊蓋焊接（cap we 1 d)或環氧樹脂而達到 相互的連接。一般而言，支承構件丨42係具有鍍鎳 (Ni-plated)層，藉此以加速其焊接至封裝之鍍金表面（Au plated surface)之上。可以確信的是，在LED i〇〇之封裝 層的作用下’其係可以在單位面積下容許較高電力負載 (tolerable power loads)。此外，對於標準LEDs 而言， 通常係將封裝層之劣化（degradat ion)視為破壞機制 (failure mechanism)，如此便可避免封裝層之使用。 由於L E D s係經由大面積之平坦化晶圓所進行切割而 得’其每單位之光輸出（light output)並不會隨著面積而 降低。此外，由於晶圓所切割之個別L E D s的斷面係僅略大 於 LED 之發光表面積（light-emitting surface area)，這 些個別且分離之可定址LEDs係可採用陣列（array)方式進

1057-6274-PF(N2).ptd 第54頁 1332715 五、發明說明（52) 如：至少約為50 nm、至少約為1 〇〇 nm)及/或至多約為1微 米（例如：至多約為5〇〇 nm、至多約為250 nm)。於部分實 施例中，光產生區域丨3 〇之厚度係可至少約為丨〇 (例 如：至少約為2 5 n m、至少約為5 Ο n m、至少約為1 〇 〇 n m) 及/或至多約為5 00 nm(例如：至多約為250 nm、至多約為 1〇 〇 nm )。 一一由其它例子可知，雖然於上述說明中揭露了相關於發 光二極體（iight-emitting diodes)之各項特徵，然其並 ，非用以做為限制，其它的發光二極體亦可具有相同的特 徵’類似的裝置包括了雷射及光學放大器（laser and optical amplifiers)。 μ i由其它例子可知，上述所提出之氮化鋁鎵層1 3 2係可 古為矽晶摻雜（n—摻雜）氮化鎵層134之一分離層（separate ^ = 2 於部分實施例中，電流散佈層係可一體成型於石夕 =呷佑jT)摻雜）氮化鎵層1 34之上。於部分實施例中，電 (:二二？可為相對於相鄰層之間、相對高之矽晶掺雜 氣體ί 2 D 5化鎵層1 34或異質接面，藉此以形成二維電子 虱體C2D eiectr〇n gas)。 如另

導體材料之：：可：立雖然於上述說明中揭露了相關於 材料亦可應用：各；以'為限制’其它的半導 料（例如：第二m 般而言，任何半導體 materials)、有 ^道=體材料（III-V semiconductor materials)、導體材料（〇rganic semiconductor (silicon))係可應用在發光裝置之中，

1332715 五、發明說明（53) 它的光產生材料（light-generating material)包括了 . 銦鎵砷磷（InGaAsP)、鋁銦氮化鎵（AlInGaN)、鋁鎵神 (AlGaAs)、銦鎵氮化鋁（InGaAlP)。有機發光材料 (organic 1 i ght-emi tt i ng ma t e r i a 1 s )包括了三 ~ g _ 羥義 奎琳化紹（電子轉移材料（AlQ3))(aluminum tris-8-hydroxyquinoline(Alq3))之小分子、聚[2 -甲氣 基- 5- (2-乙基己氧基）-1，4 -對位笨乙二烯] 孔 [poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-l, 4-vinylenephenylene]】或對苯乙炔（MEH_ppv)之共軛聚 合物（conjugated polymers)。 又如另一例子可知，雖然於上述說明中揭露了具有大 面積之LEDs，然其並非用以做為限制，小面積UDs亦同樣 可達到相同的特徵（例如：LEDs之邊緣係以3〇〇微米小於椤 準值（s t anda rd) )。 $ 又如另一例子可知，雖然於上述說明中揭露了介電函 數係可根據具有孔洞之圖樣而進行空間改變，然其並非用 :::限制，圖樣亦可採用其它樣式來達成，<列如：於適 择# 卡 連續脈紋（veins)及/或不連 -F -Λ- άτ 4W. ^ ^ 在不採用孔洞或脈紋之情況 下亦可對於介電函數進行改蠻。 夕鉍袓4 π 4 η I例如.具有不同介電函數 之材枓係可被圖樣化於一適當層結 此類型圖樣進行組合（c〇mbinai_. 此外籍由將 的改變 认於贼 口 Uomblnati〇ns)下亦可達到介電函數 又如另—例子可知’雖然於上述說明中揭露了利用 銀

1332715 五、發明說明（55) 變介電函數中的圖樣（於實質上係具有降低表面再結合載 子損失（surface recombination carrier losses)之可 能）°於部分實施例中，藉由延伸超過了矽晶摻雜（n_搀 雜）氮化鎵層1 34的方式亦可改變介電函數中的圖樣（例 如：延伸進入氮化鋁鎵層132、光產生區域130及/或鎂摻 雜（P-摻雜）氮化鎵層128)。 又如另一例子可知，雖然於上述實施例中提出了可將 空氣設置於上表面110、蓋玻片140之間，於其它實施例中 係可將其它材料及/或空氣設置於上表面110、蓋玻片14〇 之間。一般而言，此類型之材料之折射率係必須至少約為 1、至少約小於1 5 (例如：至少約小於1. 4、至少約小於1. 3、至少約小於丨.2、至少約小於1. 1 )，其材質係包括了氮 (nitrogen)、空氣’或是其它具高導熱性（thermal conductivity)之氣體。於此實施例中，上表面丨1〇係可或 不必被圖樣化處理，例如：上表面丨丨〇係可為粗糙化處理 之非圖樣（non-pat terned)表面（例如：可為具有任意分 佈 '各式尺寸及形狀之外貌’其波長係小於λ / 5 )。 於部分實施例中，發光裝置係可包括了磷材料層 (layer of a ph〇Sph〇r material layer)，此填材料層係 塗覆於上表面110、蓋玻片140及支承構件142之上。 於部分實施例中，發光裝置中之蓋玻片丨4 〇之中係可 設置有碟材料’其上表面11 〇係可或不必被圖樣化處理。 於另—種實施方式中，由光產生區域130所發出之光 線係可為UV(或紫（vi〇iet)或藍（blue))，並且於含磷材料

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第59頁 1332715 五、發明說明（56) 層180之中係包括了紅色磷材料（red phosphor material) (例如：L2 02 S : Eu3+)、綠色磷材料（green phosphor material)(例如：ZnS : Cu，A1，Μη)、藍色填材料（blue phosphor material)(例如：（Sr，Ca，Ba，Mg)1Q(P04)6Cl :

Eu2+)。

1057-6274-PF(N2).ptd 第60頁 1332715 圖式簡單說明 第1圖係表示具有圖樣表面（patterned surface)之一 發光二極體（LED)的侧視圖。 第2圖係表示根據第1圖之發光二極體（LED)之圖樣表 面的上視圖。 第3圖係表示相關於具有圖樣表面之一發光二極體 (LED)之引出效率（extraction efficiency)的圖形，其 中’圖樣表面係用以作為一調變參數（detuning parameter) ° 第4圖係表示一發光二極體（LED)之圖樣表面之的示 意圖（schematic representation) ° 第5圖係表示具有圖樣表面之一發光二極體（LED)之引 出效率的圖形，其中，圖樣表面係用以作為一最近相鄰距 離（nearest neighbor distance)。 第6圖係表示具有圖樣表面之一發光二極體（LED)之引 出效率的圖形，其中，圖樣表面係用以作為一填充因子 (filling factor) ° 第7圖係表示一發光二極體（LED)之圖樣表面的上視 圖。 第8圖係表示具有不同圖樣表面之複數發光二極體 (LEDs)之引出效率的圖形。 第9圖係表示具有不同圖樣表面之複數發光二極體 (LEDs)之引出效率的圖形。 第10圖係表示具有不同圖樣表面之複數發光二極體 (LEDs)之引出效率的圖形。

1057-6274-PF(N2).ptd 第61頁 1332715 圖式簡單說明 第11圖係表示具有 (LEDs)之引出效率的圖 第1 2圖係表示具有 (LEDs)之傅立葉轉換的 係相比較於兩發光二極 (radiation emission 第1 3圖係表示具有 (LEDs)之引出效率的圖 以作為一角度（angle) 第14圖係表示具有 且在圖樣表面上形成有 圖。 第1 5圖係表示經由 precursor)之製作下所 體（L E D )的側視圖。 第1 6圖係表示經由 有圖樣表面之一發 第1 7圖係表示經由 有圖樣表面之一發光^ _ 第1 8圖係表示經由 有圖樣表面之一發光^ _ 第1 9圖係表示經由 有圖樣表面之一發& _ 不同圖樣表面之複數發光二極體 形。 不同圖樣表面之兩發光二極體 示意圖，其中，此不同的圖樣表面 體（LEDs)之輻射發射光譜 spectrum)而得。 不同圖樣表面之複數發光二極體 形，其中，此不同的圖樣表面係用 〇 圖樣表面之一發光二極體（LED)、 一磷層（phosphor layer)的側視 遙晶層前驅物（epitaxial layer 形成之具有圖樣表面之一發光二極 磊晶層前驅物之製作下所形成之具 極體（LED)的側視圖。 蟲晶層前驅物之製作下所形成之具 極體（LED )的側視圖。 蟲晶層前驅物之製作下所形成之具 極體（LED)的側視圖。 遙晶層前驅物之製作下所形成之具 極體（LED)的側視圖。

1057-6274-PF(N2).ptd 第62頁 1332715 圖式簡單說明 704〜阻層 A7、A19 a〜晶格常數（最近相鄰距離（NND)) a’〜中心至中心間距 G ~倒晶格向量 η〜階數 △ a〜調變參數 ω〜光線頻率 貼圖

Fk ~傅立葉分量 k、k’~平面内波向量 Sk〜發射源 εΓ，〜介電函數（散射強度）

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Claims (1)

1. -- 修正 --ftfti 93110210 年+ 月如曰 六、申請專利範圍 1. 一種發光裝置，包括： 一多重堆疊材料層，包括一η摻雜材料層、一p摻雜材 料層、一光產生區域；以及 一反射材料層，可將經由該光產生區域所產生、且撞 擊在具有該反射材料層上之至少約5 0 %之光線係會被該反 射材料層之該反射材料所反射， 其中’經該η摻雜材料層之一表面的設計下，由該光 產生區域所產生之光線便可經由該η摻雜材料層之該表面 而自該發光裝置發出； 該η摻雜材料層之該表面係具有一介電函數，該介 電函數係根據一圖樣而進行空間上的改變；以及 該Ρ摻雜材料層與該反射材料層之間的距離係小於 該η摻雜材料層與該反射材料層之間的距離。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該 多重堆疊材料層包括一多重堆疊半導體材料層。 3·如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該 η摻雜材料層包括一η摻雜半導體材料層，該ρ摻雜材料層/ 包括一Ρ摻雜半導體材料層。 4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該 光產生區域係位於該η摻雜材料層、該Ρ摻雜材料層、之間了 5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，1 二二 支承構件，該支承構件係用以支承該多重堆疊材料層。— 6·如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更二虹 Ρ型歐姆式接觸層’該ρ型歐姆式接觸層係位於該二括材-

   1024-6274X1-PFl(N2).ptc 第65頁 4 m%-- 3110210 年 月_ θ 修正 六、申請專利範圍 料層與該反射材料層之間。 7.如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一 電流散佈層’該電流散佈層係位於該第一層與該光產生區 域之間。 8. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該 多重材料堆疊層包括半導體材料。 9. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置’其中，該 圖樣係不會延伸進入該光產生區域。

   10. 如f請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中， 該圖樣係不會延伸超過了該η摻雜村料層。 11. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中， 該圖樣係延伸超過了該η摻雜材料層。 12. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置’更包括 複數電接觸墊，該等電接觸墊係用以將電流注入於該發光 裝置。 13·如申請專利範圍第12項所述之發光裝置，其中， 該等電接觸墊係用以將該電流垂直注入於該發光裝置。 14·如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，

   該圖樣係局部地經由該η摻雜材料層之該表面上形成了複 數扎洞、於該η摻雜材料層之中形成有複數柱體結構、於 該η摻雜材料層之中形成有複數連續赚紋、於該η摻雜材料 層之中形成有複數不連續脈紋或其相互間的組合所構成之 群組中選出一構成方式而形成。 15.如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置’其中，

   ----- Ι3β¥ηβ-- 93110210 牟月―2^---- •‘六、申請專利範圍 該圖樣之變化係選自於非周期性圈樣、複雜周期性圖樣、 具有想一晶格常數及大於零之一調變參數所構成之群組中 選出。 16. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置’其中， 該圖樣係局部由該第一層之該表面上之複數孔洞所形成。 17. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中， 該圖樣係經由設計下，由該η摻雜材料層之該表面所發出 之光線係具有複數輻射模態之一光譜’並且具有該等輻射 模態之該光譜係於實質上相同於光產生區域之一特徵發 射。 18. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中， 該發光裝置係由複數發光二極體、複數雷射、複數光放大 器及其複數組合件所構成之群組中選出。 19·如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中， 該發光裝置係包括一發光二極體。 20. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中， 該發光裝置係由複數有機發先二極體、複數面射型發光二 極體、複數高亮度發光二極體及其複數組合件所構成之群 組中選出。 21. —種發光裝置，包括： 一反射材料層’包括一光產生區域及一第一層，該第 —層係由該光產生區域所支承，該第一層之一表面經由設 計下，由該光產生區域所產生之光線便可經由該第一層之 該表面而自該發光裝置發出，該表面係具有一介電函數，

   1024-6274X1-PFl(N2).ptc 第67頁 93110210 月 修正 六'申請專利範圍 該介電函數係根據一圖樣而進行空間上的改變；以及 一反射材料層，可將經由該光產生區域所產生 '且撞 擊在具有該反射材料層上之至少約5〇%之光線係會被該反 射材料層之該反射材料所反射， 其中，該光產生區域係位於該反射材料層、該第—層 之間’並且該圖樣係不會延伸超過了該η摻雜材料層。 22. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置，其中， 該多重堆疊材料層包括一多重堆疊半導體材料層。 23. 如申請專利範圍第22項所述之發光裝置，其中， 該第一層包括一η摻雜半導體材料層，該多重材料堆疊層 更包括一 ρ摻雜半導體材料層。 24. 如申請專利範圍第23項所述之發光裝置，其中， 該光產生區域係位於該η摻雜半導體材料層 '該ρ摻雜半導 體材料層之間。 25. 如申凊專利範圍第24項所述之發光裝置’更包括 一支承構件，該支承構件係用以支承該多重堆疊材料層。 26. 如申請專利範圍第25項所述之發光裝置，其中， 該Ρ摻雜材料層與該反射材料層之間的距離係小於該η摻雜 材料層與該反射材料層之間的距離。 27. 如申請專利範圍第26項所述之發光裝置，更包括 一Ρ型歐姆式接觸層，該ρ型歐姆式接觸層係位於該ρ摻雜 材料層與該反射材料層之間。 28. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置’更包括 一電流散佈層’該電流散佈層係位於該第一層與該光產生

   9.^10210___年 月 二修正___ 六、申請專利範圍 區域之間。 29. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置，其中， 該多重材料堆疊層包括半導體材料。 30. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置，其中， 該圖樣係不會延伸進入該光產生區威。 31. 如申請專利範圍第2 1項所述之發光裝置，更包括 複數電接觸墊，該等電接觸墊係用以將電流注入於該發光 裝置。

   32. 如申請專利範圍第31項所述之發光裝置，其中， 該等電接觸墊係用以將該電流垂直注入於該發光裝置。 •如申凊專利範圍第21項所述之發光裝置，其中， 該圖樣係局部地經由該第一層之該表面上形成了複數孔 洞、，於該第一層之中形成有複數柱體結構、於該第一層之 中形成有複數連續脈紋、於該第一層之中形成有複數不連 續脈紋或其相互間的組合所構成之群組中選出一構成方式 而形成。 34.如申請專利範圍第？！項所述之發光裝置，其中， 該，ί:,括了選自於非周期性圖樣、複雜周期性圖樣、 Ba格常數及大於零之一調變參數所構成之群组中 之至少一者。 \ -Γ 3 5 办 , ' 甲請專利範圍第21項所述之發光裝置，其中， 該圖樣係局杳| # J ,ρ, F由該第一層中之複數孔洞所形成。 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置，其中， “圖樣具有一調變參數，該調變參數係至多約為該圖樣之

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   六、申請專利範圍 該理想晶格常數之25%。 37. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置’其中， 該圖樣具有一調變參數，該調變參數係至少約為該圖樣之 該理想晶格常數之1 %。 38. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置’其中， 於該介電函數中之該圖樣的變化係對應於一理想圖樣，該 理想圖樣於實質上係為任意調變。 39. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置，其中， 該圖樣係為一非周期性圖樣。 40. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置’其中， 該圖樣係經由設計下，由該第一層之該表面所發出之光線 係具有複數輻射模態之一光譜，旅立具有該等轄射模態之 該光譜係於實質上相同於光產生區威之一特徵發射。 41·如申請專利範圍第21項所述之發光裝置，其中， 該發光裝置係由複數發光二極體、複數雷射、複數光玫大 器及其複數組合件所構成之群組中選出° 42. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置’其中， 該發光裝置係包括一發光二極體。 43. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置’其中， 該發光裝置係由複數有機發光二極體、複數面射型發光二 極體、複數高亮度發光二極體及其複數組合件所構成之群 組中選出。 44. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中， 該η摻雜材料層之該表面係具有尺寸約小於又/ 5之特徵，

   1024-6274X1-PFl(N2).ptc 第70頁 iprm Mm 93110210 修正 曰 六、申請專利範圍 其中’ λ係為經由該光產生區域所產生、且可經由該n摻 雜材料層之該表面而自該發光裝置發出之光線的波長。 45.如申請專利範圍第21項所述之發光裝置，其中， 該第一層之該表面係具有尺寸約小於λ / 5之特徵，^中，’ λ係為經由該光產生區域所產生、且可經由該第之該 表面而自該發光裝置發出之光線的波長。 δ 46·如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中， 該圖樣係為一非周期性圖樣。 I

   第71貢 1024-6274X1-PFl(N2).ptc 1332715 -中文圖式修正頁 年月日修正替換頁 l-OOr^^Q- 修正日期：99.4.30

   第15圖

   500

   第16圖 1332715

   修正曰期 99.4.30 ^ 第17B

   第18圖 1332715 —.—_—0號中文圖式修正頁 修正日期：99.4.30 年月曰修正替換頁

   第19圖

   93110210

   (一） 、本案代表圖為：第___1___圖 (二） 、本案代表圖之元件代表符號簡單說明： 1 0 0〜發光二極體（LED) 110〜上表面 120〜载具 122~多重堆疊層 1 2 4〜:½合層 12 6〜銀層（層結構、鏡面層或p_接觸層） 128〜鎂摻雜（P_捧雜）氮化鎵層 ^0〜光f生區域 氮化紹鎵層 134〜梦晶換雜（η〜换 136〜接觸墊 穆雜）氣化鎵層 14〇~蓋玻片 U8〜Ρ邊接觸塾 144〜封膠材料； 142〜支承構件 1 5 0〜開孔 14 6〜深度

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