TWI330569B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI330569B
TWI330569B TW096117369A TW96117369A TWI330569B TW I330569 B TWI330569 B TW I330569B TW 096117369 A TW096117369 A TW 096117369A TW 96117369 A TW96117369 A TW 96117369A TW I330569 B TWI330569 B TW I330569B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
polishing
field
polishing pad
diisocyanate
Prior art date
Application number
TW096117369A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200804033A (en
Inventor
Takeshi Fukuda
Junji Hirose
Yoshiyuki Nakai
Tsuyoshi Kimura
Original Assignee
Toyo Tire & Rubber Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Tire & Rubber Co filed Critical Toyo Tire & Rubber Co
Publication of TW200804033A publication Critical patent/TW200804033A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI330569B publication Critical patent/TWI330569B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技彳标領滅】 發明領域 本發明係有關一種研磨墊之製造方法，其可安定地以 較高之研磨效率進行以透鏡、反射鏡等光學材料及矽晶 圓、硬碟用之玻璃基板、鋁基板及一般金屬研磨加工等之 高度表面平坦性為必要之材料平坦加工。本發明之製造方 法所製得之研磨墊則特別適用於對矽晶圓及於其上形成有 氧化物層、金屬層等而成之裝置進而積層形成該等氧化層 及金屬層前之平坦化步驟。 發明背景 製造半導體裝置時，係進行於晶圓表面形成導電祺， 並藉光刻法、蝕刻法等形成配線層之形成步驟，以及於配 線層上形成層間絕緣膜之步驟等，而藉該等步驟於晶圓表 面形成由金屬等導電體及絕緣體所構成之凹凸。近年來， 雖為半導體積體電路之高密度化目標而發展配線之微細化 及多層配線化，但隨之亦使晶圓表面之凹凸之平坦化技術 曰趨重要。 晶圓表面之凹凸之平坦化方法一般係採用化學機械研 磨（以下稱為CMP)。CMP係於晶圓之被研磨面緊貼研磨墊 之研磨面之狀態下，使用已分散研磨材之漿劑狀之研磨劑 (以下稱為漿劑）而進行研磨之技術》CMP—般使用之研磨裝 置係諸如第1圖所示，包含用以支持研磨墊丨之研磨定盤2、 用以支持被研磨材（半導體晶圓）4之支持台（研磨頭）5、用以 進行晶圓之均一加壓之支材及研磨劑之供給機構。研磨墊工 可藉諸如雙面膠等進行貼附而裝著於研磨定盤2。研磨定盤 2與支持台5係配置成可使其等分別所支持之研磨塾1與被 研磨材4相對，而各具有旋轉軸6、7。又，於支持台5側， 設有用以使被研磨材4緊貼於研磨墊丨之加壓機構。 進行CMP後，則有判定晶圓表面之平坦度之問題。即， 必須檢知已到達所預之表面特性及平面狀態之時點。以 在，關於氧化膜之膜厚及研磨速度等，係藉定期處理測試 晶圓並確認結果後，乃對產品晶圓進行研磨處理。 然，該方法較為浪費處理測試晶圓之時間與成本，且， 若未預先加工測試晶圓與產品晶圓，則將因CMp特有之負 荷效果而使研磨結果不同，若未實際測試加工產品晶圓， 則難以正確預測加工結果。 因此，最近為解決上述問題，急待開發可於cMP處理 時即時偵測已獲得所欲之表面特性及厚度之時點之方法。 上述之檢知可使用各種方法，而就測定精度及非接觸測定 時空間分解能之觀點而言，係由光學檢知機構漸成主流。 所謂光學檢知機構，係使光束具體通過窗口（透光領威) 而穿越研磨墊並照射晶圓，再監測因其反射而產生之千棲 訊號而檢知研磨之終點之方法。 現在，光束一般多使用具有300〜4〇〇nm之波長光之鹵 素燈之白色光。 上述方法係措監測晶圓表面層之厚度變化檢知表面四 凸之近似深度而決定終點。在上述厚度變化相等於凹凸之 深度之時點’即結束CMP處理。又，已❹種使用上述之 光學機構之研磨終點檢知法及㈣於上述方法之研磨塾揭 露於世。 舉例言之，已揭露有-種至少於局部具有固體而可穿 透均質之刚〜35〇〇11111之波長光之透明聚合物薄片之研磨 塾(專利文獻υ。又’亦已揭露有—種插入有階型之透明栓 塞之研磨墊(專利文獻2)。另，尚已揭露有—種具有身為拋 光面之同-面之透塞之研磨墊(專利文獻3)。 如前所述，光束雖使用商素燈之白色光等，但使用白 色光時可朝上對晶圓照射各種波長光，而具有可獲得多數 晶圓表面之外形資訊之優點。使用該白色光作為光束時， 必須提高在較廣之波長範_之彳貞測精確度。然而，具有 習知窗口（透光領域)之研磨塾在短波長域(紫外、線域)之偵 測精確度極差，而有於仙光學終點時發生誤作動之門 題。今後，在半導體製造之高紐化、超小型化之發展上°， 可預測積體電路之配線寬度將愈趨減小，此時必須可以高 精確度檢知光學終點，然習知之終點檢知収h在較= 之波長(尤其短波長域)内並不具備充分之精確度。' 另，亦已揭露有一種用以使研磨領域與透光領&域之交 界(接縫)不致發生衆賴出之㈣（專利文獻4、5)。又，2 揭露有-種為防止漿劑漏出’而於上層墊與下層塾之間= 置於上下面上塗有麟劑之透L之方法(專利文獻6)。 然而，完全未解決短波長域之偵測精確度不佳之上述問題。 1330569 專利文獻1 :特表平11-512977號公報 專利文獻2:特開平9-7985號公報 專利文獻3 :特開平10-83977號公報 專利文獻4 :特開2001-291686號公報 5 專利文獻5 :特表2003-510826號公報 專利文獻6 :特開2003-68686號公報 【發明内容】 發明概要 發明所欲解決之問題 10 本發明之目的在提供一種研磨墊，其具有在較廣之波 長範圍（尤其在短波長域)下之優異光學檢知精確度，且可防 止自研磨領域與透光領域之間發生漿劑漏出。又，本發明 之目的並在提供一種半導體裝置之製造方法，包含使用該 研磨墊而研磨半導體晶圓表面之步驟。 15 解決問題之方法 本發明人有鑑於上述現狀而反覆鑽研，終而發現可藉 下述之研磨墊解決上述問題。 即，本發明係有關於一種研磨墊，係於由研磨領域及 透光領域所構成之研磨層之一面上積層有至少透明支持薄 20 膜者，而包含至少透光領域及透明支持薄膜之光學檢知領 域之透光率在波長300〜400nm之全範圍内為40%以上。 通過研磨墊之光學檢知領域之光之強度減衰愈少，愈 可提高研磨終點之偵測精確度及膜厚之測定精確度。因 此，所使用之測定光之波長之透光率高低，對於研磨終點 8 之偵測精確度及膜厚之測定精確度之決定甚為重要。本發 明之光學檢知領域特別在短波長域之透光率之減衰較少， 而可將較廣之波長範精確度維持為較高。此之 所謂光學檢知領域用以穿透來自膜厚測定裝置照射之光束 及由晶圓表面反射之光束之領域，包含至少透光領域及透 明支持薄膜。 如上所述，一般所使用之膜厚測定裝置係使用具有 3〇〇’〇nm左右之發訊波長之雷射，若特別是短波長域 (300〜40〇nm)之光學檢知領域之透光率為4〇%以上則可獲 得較高之反射光’而可大幅提昇端點偵測精確度及膜厚债 測精確度。 該短波長域之透光率宜為45%以上，而以5〇%以上為更 佳。另，本發明之透光率係光學檢知領域之厚度為imm時 之值，或換算成lmm之厚度時之值。一般而言，透光率依 Lambert-Beer之法則係隨物體之厚度變化。厚度愈大，透光 率愈低，故必須算出厚度一定時之透光率。 本發明中，構成光學檢知領域之各構件之主原料之聚 合物之芳環濃度總計宜為2重量百分比以下，而以丨重量百 分比以下為更佳。藉使構成光學檢知領域之各構件（透光領 域、透明支持薄膜等）之主原料之聚合物之芳環濃度總計為 2重董百分比以下，即可將波長3〇〇〜4〇〇11111之全範圍之光學 檢知領域之透光率調整至40%以上。此之所謂芳環濃度， 係指聚合物中之芳環之重量比例。 又’透光領域之主原料之聚合物係聚胺酯樹脂，該聚 胺酿樹脂之異氰酸酸成分宜為選自於由Μ-六亞甲基二異 處,、4,4，·二環己基甲炫二異氰酸酿及二異氰酸異佛爾 __之群之至少1。包含上述異氰_旨成分之聚胺 醋樹脂因芳環毅較小而適㈣為透光領域之主原料。 另透明支持薄骐之主原料之聚合物宜為選自於由聚 丙m烯、脂肪族聚酿胺、聚甲基丙稀酸醋、聚甲基 丙烯酸《«氣乙烯所組成之群之至少—種。上述聚合 物因不含芳環而適用作為透明支持薄膜之主原料。 本發明中’透光領域之形成材料宜為無發泡體。若使 用…發/包體’即可抑制光散射，而可偵測正確之反射率， 並提昇研磨之光學終點之_精確度。 又透光領域之研磨側表面宜不具有用以保持、更新 研磨液之凹凸構造。若於透光領域之研磨侧表面具有大量 之表面凹凸，則將於凹部殘留含有研磨材等添加劑之聚 劑’而導致光散射H產生影響㈣精確度之傾向。 進而’透光領域之他面絲面亦以不具有A量之表面凹凸 為佳此因右具有大量之表面凹凸，則易導致光散射，而 可能影響偵測精確度之故。 本發明中，W磨領4之形成材料宜為微細發泡體。 又，刖述微細發泡體之平均氣泡徑宜為70μιη以下，而 以50μηι以下為更佳。平均氣泡徑若為7〇师以下則平坦性 (planarity)較佳。 另，前述微細發泡體之比重宜為〇5〜卜而以〇7〜〇9為 更佳。比#若未達G.5，則研磨領域表面強度將降低，被研 1330569 - 磨材之平坦性降低，若超過l，則研磨領域表面之微細氣泡 數量減少’平坦性雖良好，但將產生研磨速度減小之傾向。 又，前述微細發泡體之Asker-D硬度宜為40〜70度，而 以45〜60度為更佳。Asker-D硬度未達40度時，被研磨材之 5 平坦性將降低’若超過70度，則平坦性雖良好，但被研磨 材之均一性(uniformity)則有降低之傾向。 此外’本發明係有關於一種半導體裝置之製造方法， φ 包含使用前述研磨墊而研磨半導體晶圓表面之步驟。 圖式簡單說明 10 第1圖係顯示CMP研磨所使用之習知研磨裝置之一例 之概略構造圖。 第2圖係顯示本發明之研磨墊之一例之概略截面圖。 第3圖係顯示本發明之研磨墊之他例之概略截面圖。 C實施方式】 15 較佳實施例之詳細說明 # 本發明之研磨墊於由研磨領域及透光領域所構成之研 磨層之單面上具有至少透明支持薄膜。其次，包含至少前 述透光領域及透明支持薄膜之光學檢知領域之透光率則波 長300〜4〇〇nm之全範圍内須為4〇%以上。 2〇 前述透光領域之形成材料之聚合物若為具備前述特性 ' 之材料則無制限制，但可為諸如聚賴麟、聚自旨樹脂、 • 聚酿胺樹脂、丙稀酸樹脂、《樹脂(聚氯乙烯、聚四氣乙 烯 '聚偏二氟乙稀樹脂等）、烯類樹脂（聚⑽、聚丙締等 及％氧樹脂素等。該等樹脂可單獨使用，亦可2種以上併 11 1330569 用。其等之中，宜使用芳環濃度較小之聚合物，而以使用 芳環濃度較小之聚胺酯樹脂為更佳。聚胺酯樹脂之耐磨性 高，可抑制研磨時之修整痕跡所造成之透光領域之光散 射，故為適合之材料。 5 前述聚胺酯樹脂係由異氰酸酯成分、聚醇成分（高分子 量聚醇、低分子量聚醇等）及鏈伸長劑所構成者。 異氰酸酯成分可為2,4-雙異氰酸甲苯酯、2,6-雙異氰酸 曱苯酯、2,2’-二苯曱基二異氰酸酯、2,4’-二苯曱基二異氰 酸酯、4,4’-二苯甲基二異氰酸酯、1，5-萘二異氰酸酯、p-10 苯撐二異氰酸酯、m-苯撐二異氰酸酯、p-二異氰酸二曱苯 酯、m-二異氰酸二甲苯酯等芳香族二異氰酸酯；亞曱二異 氰酸酯、2,2,4-三曱基己撐二異氰酸酯、1，6-六亞甲基二異 氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯；1,4-環己烷二異氰酸甲苯、 4,4’-二環已基曱烷二異氰酸酯、二異氰酸異佛爾酮、降冰 15 片烷二異氰酸酯等脂環式二異氰酸酯。其等可使用1種或2 種以上混合皆無妨。其等之中，為降低芳環濃度而宜使用 脂肪族二異氰酸酯及/或脂環式二異氰酸酯，尤以使用選自 於由1,6-六亞甲基二異氰酸酯、4,4’-二環己基曱烷二異氰酸 酯及二異氰酸異佛爾酮所組成之群之至少1種二異氰酸酯 20 為更佳。 高分子量聚醇可為聚四甲基醚二醇所代表之聚醚醇、 聚丁二醇酯二醇所代表之聚醚多元醇、聚環己内酯聚二 醇、聚己内酯多元醇等聚酯雙醇與碳酸亞烴酯之反應物等 所例示之聚酯聚碳酸酯聚二醇、碳酸伸乙酯與多價醇反 12 1330569 應，其次使所得之反應混合物與有機二羧酸反應後所得之 聚酯聚碳酸酯聚二醇及多羥化合物與芳基碳酸酯之酯交換 反應而得之聚碳酸酯聚醇等。其等可單獨使用，亦可2種以 上併用。其等之中，為降低芳環濃度，宜使用不具有芳環 5 之高分子量聚醇。又，為提高透光率，宜使用不具較長之 共鳴構造之高分子量聚醇或極少具備電子吸引性、電子供 給性較高之架構之高分子量聚醇。 又，聚醇成分除上述高分子量聚醇以外，亦可併用乙 二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-六二醇、 10 新戊二醇、1，4-環己二甲醇、3-甲烷基-1,5-戊二醇、二伸乙 甘醇及三伸乙甘醇等低分子量聚醇。又，亦可使用乙二胺 及二次乙基三胺等低分子量聚胺。為降低芳環濃度，宜使 用不具備芳環之低分子量聚醇或低分子量聚胺。 鏈伸長劑則可為上述低分子量聚醇、上述低分子量聚 15 胺或4,4-亞曱基二(〇-氯苯胺)(1\/[〇0八）、2,6-二氯1-氨基二苯 胺、4,4’-亞曱基二（2,3-二氯苯胺）、3,5-二（甲基硫)-2,4-甲 苯二胺、3,5-二（曱基硫)-2,6-曱苯二胺、3,5-二乙基曱苯-2,4-二胺、3,5-二乙基曱苯-2,6-二胺、伸丙基乙二醇-二-P-氨基 苯曱酸酯、1,2-二(2-氨基苯基硫）乙烷、4,4’-二胺-3,3’ -二 20 甲-5,5’-二苯基曱烷、N，N’-二-sec-丁基-4,4’-二胺二苯基曱 烷、3,3’-二乙基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、m-二甲苯二胺、 Ν,Ν’-二-sec-丁基-p-苯二胺、m-苯二胺及p-二甲苯二胺等所 例示之芳香族聚胺。其等可使用1種或2種以上混合使用亦 無妨。惟，為降低聚胺酯樹脂之芳環濃度，前述芳香族聚 13 胺宜不使用，但亦可調配至不影響上述透光特性之程度。 别述聚胺酯樹脂之異氰酸酯成分、聚醇成分及鏈伸長 劑之比例可依個別之分子量及其等所製成之透光領域之所 欲物性等而適當加以變更。為得到前述特性，透光領域之 聚醇與鏈伸長劑之官能基總計（氫氧基+胺基)數之相對異氰 酸醋成分之異氰酸酯基數宜為〇.95〜U5，而以 更佳。 月il述聚胺酯樹脂雖可應用熔融法、溶液法等周知之胺 曱酸乙酯化技術而製造，但將成本、作業環境等列入考慮 時，則宜藉熔融法製造之。另，視實際需要亦可對聚胺酯 樹脂添加氧化防止劑等安定劑、觸媒、界面活性劑、潤滑 劑、顏料、充填劑、帶電防止劑、其它添加劑。 月’J述聚胺酯樹脂之聚合步驟雖可為預聚合法、一段式 製寿°法之任 但且採用事前由異氰酸醋成分與聚醇成分 合成異氰酸酯末端預聚合物，再使鏈伸長劑與之反應之預 聚合法。 透光領域之製作方法並無特別限制 ，可以周知之方法 裝作之。舉例§之’可為以下之方法，即，使用帶鑛方式 或飽方式之切料機使前迷方法所製成之聚胺自旨樹脂之塊體 Μ預疋厚度之方法、朝具有預定厚度之空腔之模具内注 入樹脂而使之硬化之方法、使用成膜技術或薄片成形技術 之方法等。另’透光領域内有氣泡時，將產生反射光之減 衰將因光散射而增大’且研磨端點偵測精4度及膜厚測定 精確度降低之傾向。gj此，為去除上述之氣泡，宜在混合 :;材=壓至10如以下以充分去除材料中所包含之 為妓合後之㈣步驟中避免氣泡混入，若為 通之授拌翼式授拌器，則宜攪拌轉數馳pm以下。 另，授拌_1宜在降壓環境下進行。進而，由於自轉公 轉式混:機即便在高轉數時亦不易〜氣泡，故使用該混 合機進㈣拌、除泡亦不失為—好方法。 透光領域之形狀、大小並無特別限制，但宜為與研磨 領域之開口部相同之形狀、大小。 、，透光，域之厚度宜與研磨領域之厚度相同或更小。若 透光頁域厚度大於研磨領域，則可能於研磨時發生突出部 分傷及晶圓之問題。另’若過薄’則耐久性不足。又，透 光領域之研肖彳性宜與研磨領域相同或更小。若透光領域較 研磨領域更難以研削，則可能於研磨時發生突出部分傷及 晶圓之問題。 前述透明支持薄膜之形成材料之聚合物若為具備前述 特性之材_無特舰制，但宜為相性高、雜性佳並 具可撓性之聚合物。具體而言’可為聚酯、聚乙烯聚丙 烯聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸鹽、聚醯胺、聚醯亞胺、 t歸醇、聚氣乙烯 '聚氟乙烯、等含氟樹脂；尼龍、纖 ’隹素t碳酸酯等泛用工程塑膠；聚醚酿亞胺、聚醚醚酮 及聚鍵規等特殊卫程轉等。為降低转濃度，宜使用不 八有芳環之聚合物，特別以使用選自於由聚丙烯、聚乙烯、 月曰肪％聚醯胺、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸曱酯及聚 氣缔所組成之群之至少1種為更佳。 透明支持薄m之厚度並“ 性等觀點而言， 宜為特!限制’但由強度及捲曲 亦可經電暈放電處理。 另，透明支持薄膜之表面 研磨領域之形成材料若:、 則無特別之限制，但本\為通#用於作為研磨層之材料 細發泡體，可保持宜使用微細發泡體。藉使用微 速度。 、®之氣泡部分’並可增加研磨 脂、聚如聚胺_，樹 10 脂等。直等可單獨、Λ _等）、環氧樹脂及感光性樹 ”等早獨使用’亦可併用2種以上。 聚細旨樹脂之耐純佳，藉改變各種補組成即可輕 15 得到具備所欲祕之聚合物，故為㈣如作為研磨領 _之形成材料者。聚則旨樹脂之原料與前述相同。 月1J述聚胺酷樹脂可藉與前述方法相同之方法製造。 ，使前述聚胺酯樹脂進行微細發泡之方法並無特別限 制’可為諸如添加中空珠之方法、機械性發泡法及化學性 20 發泡法等進行發泡之方法等。另，亦可併用各方法，而以 使用作為聚烧基石夕氧與聚峻之共聚體之石夕系界面活性劑之 機械性發泡法為更佳。該矽系界面活性劑則可適當例示為 阳-192、L-5340 (Toray Dowcorning Silicone製）等化合物。 以下就研磨領域所使用之獨立氣泡型之聚胺酯發泡體 之製造方法之例。上述之聚胺酯發泡體之製造方法包含以 16 1330569 下步驟。 1) 製作異氰酸酯末端預聚合物之氣泡分散液之發泡步驟 對異氰酸酯末端預聚合物添加矽系界面活性劑，於存 在非反應性氣體狀態下加以攪拌，使非反應性氣體為微細 氣泡而使之分散以形成氣泡分散液。前述預聚合物若於常 溫下為固體，則以適當溫度加以預熱熔融後再使用。 2) 硬化劑(鏈伸長劑）混合步驟
對上述氣泡分散液添加、混合鏈伸長劑並加以攪拌以 製成發泡反應液。 10 3)注模步驟 將上述之發泡反應液注入模具。 4)硬化步驟 加熱已注入模具之發泡反應液，使其反應硬化。
使用於微細氣泡之形成之非反應性氣體宜為不具可燃 15性者:具體而言，可例示為氮、氧、二氧化碳、氦、氬等 稀有氣體及其等之現合氣體，而乾燥無水分之空氣之使用 亦在成本考量上為最適用者。 使非反應性氣體形成微細氣泡狀而分散於包含石夕系界 面活性劑之異氰酸略末端預聚合物之授拌裝置可使用周知 2〇之授摔裝置而無特別限制，具體而言可例示為勻合器、溶 解器、2轴行星型擅址 1見计盗（planetary mixer)等。擾拌裝置之擾 、 <爿亦…、特別限定，但使用授打型之搜拌翼可得到 微細之氣泡而較為適用。 、 另’於攪拌步驟中製作氣泡分散液之攪拌，以及混合 17 1330569 步驟中添加鏈伸長劑而混合之攪拌亦宜使用不同之授拌裝 置。尤其混合步驟之攪拌亦可不為形成氣泡之攪拌，宜使 用不致拌入大型氣泡之攪拌裝置。上述攪拌裝置宜使用行 星型攪拌器。攪拌步驟與混合步驟之攪拌裝置亦可使用相 5同之攪拌裝置而無妨，亦可視實際需要而進行調整攪拌翼 之轉速等攪拌條件之調整而加以使用。 前述聚胺酯發泡體之製造方法中，對將發泡反應液注 入模具並進行反應至不再流動之發泡體進行加熱、後硬 化’具有提昇發泡體之物理特性之效果，而極為適用。其 10亦可作為對模具注入發泡反應液並立即加以置入烘箱中進 行後硬化之條件，在上述條件下，仍不致立即傳熱至反應 成分，故氣泡徑不致增大。硬化反應在正常壓下進行可使 氣泡形狀安定，故較適合。 前述聚胺酯樹脂之製造時，亦可使用第3級胺系、有機 15錫系等周知之可促進聚胺酯反應之觸媒。觸媒之種類、添 加量則需將混合步驟後注入預定形狀之模具之流動時間而 加以選擇。 前述聚胺酯發泡體之製造亦可採用計量各成分而加以 投入於容器中再加以搜拌之批次方式，或對授拌裝置連續 2〇供給各成分與非反應性氣體再加以攪拌，而送出氣泡分散 液以製成成形品之連續生產方式。 研磨領域係將上述方式製成之聚胺酯發泡體裁切成預 定尺寸而製造者。 微細發泡體所構成之研磨領域宜於被研磨材所接觸之 18 1330569 研磨側表面設有用以保持、更新漿劑之溝槽。該研磨領域 係由微細發泡體所形成，故研磨表面上具有多數開口，具 有保持漿劑之作用，但為更有效地進行毀劑之保持與浆劑 之更新，或亦防止因與被研磨材間之吸附而破壞被研磨 5材，宜於研磨側表面設有溝槽。溝槽若為可保持、更新漿 劑之表面形狀則無特別之限制，可為諸如又¥格子溝槽、同 心圓狀溝槽、貫通孔、未貫通之孔洞、多角柱、圓柱、螺 旋狀溝槽、偏心圓狀溝槽、放射狀溝槽及該等溝槽組合而 成者。X，溝間距、溝寬、溝深等皆無特別限制而可適當 10選擇而形成。進而，該等溝槽一般均為具有規則性者，因 需要漿劑之保持、更新性，故亦可能在各一定範圍内改變 溝間距、溝寬'溝深等。 前述溝槽之形成方法並無特別限制，舉例言之，可為 使用預定尺寸之切削刀具i等工具之機械切削方法、朝具有 15預疋之表面开》狀之模具注入樹脂而使之硬化之方法、以具 有預定之表面形狀之加壓板加壓樹脂而成形之方法、使用 光刻法成形之方法、使用印刷技術成形之方法及使用二氧 化碳雷射專之藉雷射光成形之方法等。 研磨領域之厚度並無特別p艮制，通常為08〜4麵，而 20以Umm為宜。製作前述厚度之研磨領域之方法可為使用 帶鑛方式或鉋方式之切料機使前述聚胺_泡體之塊體形 成預定厚度之方法、朝具有預定厚度之空腔之模具内注入 樹脂而使之硬化之方法、使用成膜技術或薄片成形技術之 方法等。 19 1330569 第2圖及第3圖係本發明之研磨墊8之截面圖。該研磨墊 之製造方法並無特別限制，可採用各種方法，具體例則說 明如下。 例1(第2圖） 5 於研磨領域9形成用以設置透光領域10之開口部13。於 研磨領域9之單面上形成黏著層12，並以對應光學檢知領域 14之大小在該黏著層12鑽孔。其後，對前述黏著層12貼合 透明支持薄膜11，再將透光領域10嵌入於開口部13内而與 前述黏著層12貼合。此時，光學檢知領域14即由透光領域 10 10及透明支持薄膜1丨所構成。 例2(第3圖） 於研磨領域9形成用以設置透光領域10之開口部13。於 透明支持薄膜11之單面上形成黏著層12，對前述黏著層12 貼合研磨領域9。其後，再將透光領域1〇嵌入於開口部13内 15而與刚述黏著層12貼合。此時，光學檢知領域14即由透光 領域10、透明支持薄膜11及黏著層12所構成。 刖述研磨墊之製造方法中，研磨領域及黏著層之開口 方法並無特別限制’可為諸如對具有切削能力之工具加壓 而開口之方法、利用碳酸雷射等雷射之方法'藉切削刀具1 20等工具進行研削之方法等。另，研磨領域之開口部之大小 及形狀則無特別之限制。 黏著層12可為諸如使用雙面膠或塗布黏著劑而硬化者 等。雙面膠可使用於不織布或薄膜等基材之兩面上設有黏 著層之-般常見者。若將防止漿劑之渗透等列入考慮，則 20 宜使用薄膜作為基材。又，黏著層之原料之黏著劑則可為 諸如橡膠系黏著劑或丙烯酸酯系黏著劑等一般常見者。 但，若如上述例2般，光學檢知領域14包含黏著層12，為使 光予檢知領域14之透光率在波長3〇〇〜4〇〇nm之全範圍内為 40%以上，前述雙面膠之基材宜為纖維素、聚乙烯及聚丙 烯等非芳香族系聚合物所形成者。又，黏著劑之主要材質 亦宜使用不含芳環者。 本發明之研磨墊亦可於前述透明支持薄膜之單面上積 層緩衝片（緩衝層）。 刖述緩衝片係用以彌補研磨層之特性者。緩衝片係於 進行CMP時，用以兼顧權衡取捨關係下之平坦性與均一性 二者之所必要者。平坦性係指研磨具有圖形形成時所發生 之微小凹凸之晶圓時之圖形部之平坦性，均一性係指晶圓 整體之均一性。可藉研磨層之特性改善平坦性，並藉緩衝 片之特性改善均一性。本發明之研磨墊中，緩衝片宜使用 較研磨領域柔軟者。 前述緩衝片可為諸如聚酯不織布、尼龍不織布、丙烯 Sic Sa不織布等纖維不織布及聚胺自旨所浸渗之聚醋不織布等 樹脂浸滲不織布、聚胺酯發泡體、聚乙烯發泡體等高分子 樹脂發泡體、丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠等橡膠性樹脂、 感光性樹脂等。 貼合透明支持薄膜與緩衝片之方法可為諸如中隔雙面 膠而積層透明支持薄膜與緩衝片再予以加壓之方法。但， 緩衝片上須於對應光學檢知領域14之部分預設開口部。 1330569 製二導=係使用前述猶研磨半導趙晶圓表面而 二成者金屬及氧化 制，舉例言之，如二所:π使研磨裝置並無特別限 势1之研麻〜 使用包含用以支持研磨 - 、疋盤2、用以支持半導體晶圓4之支持台（研磨 頭)5用叫晶®進行均—加壓之紐之 構之研磨裝置黧而之供給機 置等而進仃。研磨墊1係諸如可藉雙面睞、鱼〜 10附，而裝著於研磨定盤2 >仃、 其等分別支持之研她與==圓^；5係配置成使 旋轉轴6、7。V 卞㈣曰曰圓4相對’而個別具有 ，於支持台5側設有用以使半 貼於研磨墊i之加壓機構。 相曰曰Μ緊 台_並使半導體晶圓4緊貼於研磨=研而磨：與支持 15時進行研磨。藥劑之流量、研磨荷重、研磨Γ劑並同 圓轉數並無特別限制，而可適當調整再進行Γ盤轉數及晶 藉此，即可去除半導體晶圓4之表面 研磨成平坦狀。其後’再藉切割、 出=以 半導體裝置。半導體裝置則可用於演算處序製造 20等。 瑕置及記憶體 實施例 以下’就㈣展現本發明之構造與致果 以說明。另，實施例等之評價項目係藉以下方二例等加 (光學檢知領域之透光率之測定） 進行測疋。 22 1330569 實施例1~8、比較例1及2 將製成之各透光領域切成10mmx50mm之大小，並於其 周圍貼合1mm寬之雙面膠（積水化學工業公司製、double tucktape#5782、厚130μιη)。其後，將各實施例及比較例所 5 使用之透明支持薄膜（10mmx50mm)貼合於前述雙面膠而製 成透光率測定用試樣。 實施例9 將製成之光學檢知領域切成10mmx50mm之大小，作為 透光率測定用試樣。 10 將製成之透光率測定用試樣置入充填有超純水之玻璃 槽（光路徑長l〇mmx光路徑寬lOmmx高45mm、相互理化學 硝子製作所製），再使用分光光度計（島津製作所製、 UV-1600PC)，以300〜900nm之測定波長域測定透光率。所 得之透光率之測定結果再依Lambert-Beer之法則換算成厚 15 度1mm時之透光率。另，透光率測定用試樣在透光領域與 透明支持薄膜間尚有空間時，則以包含空間之厚度為基礎 而換算。 實施例1 [研磨領域之製作] 20 於反應容器内混合聚鍵系預聚合物(Uniroyal公司製、
Adiprene L-325、NCO濃度：2.22meq/g) 1〇〇重量份及石夕系 界面活性劑（Toray Dowcorning Silicone公司製、SH-192) 3重量份，並將溫度調整為80°C。使用攪拌翼而以90〇rpm之 轉數朝反應系内吸入氣泡，如此激烈檀拌約4分鐘。再添加 23 1330569 預先以120 C溶融之4,4’-亞甲基二（〇-氣笨胺）(IHaba Chemical公司製、IHABA Cuamine MT) 26重量份。其後， 持續攪拌約1分鐘，再將反應溶液注入盤型之敞模。待該反 應溶液不再具有流動性時’加以置入熱爐，以1 1 進行後 5硬化6小時，而得到聚胺酯發泡體塊體。以帶鋸型之切料機 (Fecken公司製）薄切該聚胺酯發泡體塊體，而得到聚胺酯發 泡體薄片。其次，使用拋光機(Amitec公司製）對該薄片進行 表面拋光至預定之厚度，而製成已調整厚度精確度之薄片 (薄片厚度：1.27mm)。對該業經拋光處理之薄片以直徑61cm 10進行鑽孔，並使用溝槽加工機（東邦鋼機公司製）對表面進行 同心圓狀之溝槽加工。於該業經構槽加工之薄片之預定位 置上藉鑽孔形成用以嵌入透光領域之開口部 (57mmx20mm)。其次，使用貼合機對該薄片之溝槽加工面 之相反側之面貼合雙面膠（積水化學工業公司製、d〇uble 15 tuck tape #5782、厚度：Ι30μηι、基材：不織布、黏著劑： 丙稀酸醋系、方ί哀濃度：〇%)。其後，以51 mmx 13mm之大 小對前述開口部内之雙面膠進行鑽孔而製成雙面膠研磨領 域。 [透光領域之製作] 20 將1，6-六亞甲基二異氰酸酯（以下略稱為HDI) 770重量 份及1，3-丁二醇（以下略稱為U-BG) 230重量份置入容器， 並於80°C下加熱攪拌120分鐘，而製成異氰酸酯末端預聚合 物A。 又，將數目平均分子量650之聚四曱基醚二醇（以下略 24 稱為PTMG-650) 29重量份與三甲醇基丙烷（以下略稱為 了MP) 13重量份，以及觸媒（花王製、Kao Ν〇.25) 〇.43重量 份在80°C下混合攪拌而得到混合液。其後，對調溫至8(rc 之該混合液添加前述異氰酸酯末端預聚合物A(l〇〇重量 5 份），並以混合擾拌器（Keyence公司製）加以充分搜拌，然後 進行除泡。使該反應液自業經脫模處理之模具上滴下，再 於其上覆蓋業經脫模處理之PET薄膜，並藉夾輥將厚度調整 為1.25mm。其後’將該模具置入1〇〇。(：之熱爐，進行後硬 化16小時，而製成聚胺酯薄片。使用Thomson刀具對該聚胺 1〇略薄片依57mmxl9mm之大小進行鑽孔，而製成透光領域a (厚度：1.25mm)。 [研磨塾之製作] 使用貼合機對前述雙面膠研磨領域貼合聚丙稀製之透 明支持薄膜（東洋紡績公司製、pylenotfilm-OTP-2161、厚 15度5〇μηι、芳環濃度：〇%)。其後，將前述透光領域a插入研 磨領域之開口部内，並貼合於雙面膠而製成研磨墊。 實施例2 於實施例1中，以聚丙烯製之透明支持薄膜（東洋紡績 公司製、pylenot film-OT P2002、厚度：50μιη、芳環濃度： 20 0%)取代pylenot film-OT Ρ-2161，此外皆使用與實施例^目 同之方法製作研磨墊。 實施例3 於實施例1中，以聚乙烯製之透明支持薄膜（東洋紡績 公司製、Lix film L-6100、厚度：60μπι、芳環濃度：〇%) 25 1330569
取代卩乂1€11(^^1111-0丁？-2161，此外皆使用與實施例 方法製作研磨墊。 1相同 實施例4 於實施例1中，以脂肪族聚醯胺製之透明支持镇 /守膜（東 5 洋紡績公司製、harden film N-1100、厚度：25μιη、芳環濃 度：0%)取代pylenot film-OT Ρ-2161，此外皆使用與實施例 1相同之方法製作研磨墊。 實施例5
[透光領域之製作]
10 將PTMG-650(242重量份）、l，3-BG(134重量份）及HDI (625重量份）置入容器’在80°C下加熱攪拌120分鐘，而製成 異氰酸酯末端預聚合物B。 又，在80°C下混合攪拌1,3-BG(6重量份）、ΤΜΡ(1〇重量 份)及觸媒(Kao Νο·25) 0.35重量份，即得到混合液。其後， 15 對已調溫至80°C之該混合液添加前述異氰酸酯末端預聚合 物B (100重董份）’再以混合授拌器（Keyence公司製）充分加 以授拌，而後進行除泡。其後，使用與實施例1相同之方法 製作透光領域b(57mmxl9mm、厚度：i.25mm)。 [研磨墊之製作] 20 於實施例1中，以透光領域b取代透光領域a，此外皆使 用與實施例1相同之方法製作研磨塾。 實施例6 [透光領域之製作] 將PTMG-650 (2W重量份）、i,3-BG(3重量份)及M’-二 26 丄 ^己基甲烷二異氰酸酯（以下略稱為HMDI) 067重量份置入 令器，在80C下加熱攪拌120分鐘，而製成異氰酸酯末端預 聚合物C。 又’在80°C下混合攪拌i，3-bg(6重量份）、ΤΜΡ(7重量 5份)及觸媒(Ka〇No.25) 0.33重量份，即得到混合液。其後， 對已調溫至8〇t之該混合液添加前述異氰酸酯末端預聚合 物C(100重量份）’再以混合攪拌器（Keyence公司製）充分加 以授拌，而後進行除泡。其後，使用與實施例1相同之方法 製作透光領域c (57mmxl9mm、厚度：1.25mm)。 10 [研磨墊之製作] 於實施例1十，以透光領域c取代透光領域a，此外皆使 用與實施例1相同之方法製作研磨墊。 實施例7 [透光領域之製作] 15 將ρτμ〇-650 (279重量份）、1,3-BG(90重量份)及二異氰 酸異佛爾酮631重量份置入容器，在8〇。(：下加熱攪拌120分 鐘，而製成異氰酸酯末端預聚合物D。 又，在80°C下混合攪拌1，3-BG(7重量份）、TMP(5重量 份)及觸媒(Kao No.25) 0.34重量份，即得到混合液。其後， 20對已調溫至8〇°C之該混合液添加前述異氰酸酯末端預聚合 物D(l〇〇重量份），再以混合攪拌器（Keyence公司製）充分加 以攪拌，而後進行除泡。其後，使用與實施例1相同之方法 製作透光領域d (57mmxl9mm、厚度：1.25mm)。 [所磨墊之製作] 27 1330569 於實施例1中，以透光領域d取代透光領域a，此外皆使 用與實施例1相同之方法製作研磨墊。 實施例8 [透光領域之製作] ' 5 將數目平均分子量1000之聚四曱基二醇(462重量份）、 二伸乙甘醇（54重量份）及HMDI(484重量份）置入容器，在 80°C下加熱攪拌120分鐘，而製成異氰酸酯末端預聚合物E。 又，在80°C下混合擾拌Ethacure 100 (Albemable公司 製、3,5-二乙基-2,6-甲苯二胺與3,5-二乙基-2,4-甲苯二胺之 10 混合物）4重量份、TMP(5重量份)及觸媒(Kao No.25) 0.43重 量份，即得到混合液。其後，對已調溫至80°C之該混合液 添加前述異氰酸酯末端預聚合物E(100重量份），再以混合 攪拌器（Keyence公司製）充分加以攪拌，而後進行除泡。其 後，使用與實施例1相同之方法製作透光領域e 15 (57mmxl9mm、厚度：1.25mm)。 [研磨墊之製作] 於實施例1中，以透光領域e取代透光領域a，此外皆使 用與實施例1相同之方法製作研磨墊。 實施例9 20 [研磨領域之製作] 於實施例1中，未對開口部内之雙面膠進行鑽孔，此外 皆皆使用與實施例1相同之方法製作雙面膠研磨領域。 [研磨墊之製作] 以前述之雙面膠研磨領域取代實施例之雙面膠研磨領 28 1330569
域此外白使用與實施例1相同之方法製作研磨墊。 比較例1 於實施例1中’以聚乙烯對苯二甲酸醋製之透明支持薄 膜（東洋、方、責A司製、東洋紡ester film E-5001、厚度： ΙΟΟμιη 芳環，辰度.38%)取代p 2⑹此 外皆使用與實施例i相同之方法製作研磨塾。 比較例2 [透光領域之製作] 以降壓槽計量聚醚系預聚合物（Unir〇yal公司製、 10 AdiPrene L-325、NCO濃度：2.22meq/g)i〇〇重量份，再藉降 壓（約lOTorr)將殘存於預聚合物中之氣泡去除。對業經脫泡 之上述預聚合物添加已預先以120。(：加以溶融之4,4，-亞甲 基二(〇-氣苯胺）29重量份’並以混合攪拌器（Keyence公司製) 充分加以攪拌’而後進行除泡。其後，使用與實施例1相同 15 之方法製作透光領域f(57mmxl9mm、厚度：i.25mm)。 [研磨墊之製作] 於實施例1中，以透光領域f取代透光領域a，此外皆使 用與實施例1相同之方法製作研磨墊。 29 1330569 [表i] 先之學微度域 (%) 透光率(％) 300nm 350η 400nm 500nm 600mn 700nm 800nm 900nm 實施例1 0 69.2 85.2 94.1 95.8 96.2 96.4 96.5 96.5 實施例2 0 65.7 81.2 92.6 94.3 95.6 96.1 96.2 96.2 實施例3 0 63.9 79.1 93.1 94.5 95.0 95.2 95.2 95.2 實施例4 0 67.2 80.2 90.7 93.4 93.8 93.9 93.9 93.9 實施例5 0 70.4 86.1 93.6 94.9 94.9 95.0 95.0 95.0 實施例6 0 64.3 80.9 91.2 94.1 94.3 94.3 94.3 94.3 實施例7 0 68.1 83.9 91.8 93.5 93.7 93.7 93 7 93 7 實施例8 50.1 75.2 88.1 93.5 93.7 93.9 93.9 93.9 實施例9 0 54.3 73.1 85.6 86.7 86.9 87.1 87.2 87.2 比較例1 2.8 0 70.1 84.3 90.1 91.6 91.6 91.6 91.7 比較例2 21.4 0 2.1 50.6 80.1 85.9 89.6 91.2 92.6
由表1可知，本發明之研磨墊之短波長侧之透光率極高，故 與習知之研磨墊相較，其光學檢知精確度較佳。 5 【圖簡-^言兒明】 第1圖係顯示CMP研磨所使用之習知研磨裝置之一例 之概略構造圖。 第2圖係顯示本發明之研磨塾之一例之概略截面圖。 第3圖係顯示本發明之研磨塾之他例之概略截面圖。 10 【主要元件符號說明】 1…研磨墊 2…研磨定盤 3…研磨劑 4···半導體晶圓 5…支持台 6'7…旋轉軸 30 1330569 8···研磨塾 12· 9···研磨領域 13· 10…透光領域 14· 11…透明支持薄膜 •黏著層 •開口部 •光學檢知領域
31

Claims (1)

1330569 十、申請專利範圍： 1. 一種研磨墊，係於由研磨領域及透光領域所構成之研磨 層之一面上積層有至少透明支持薄膜者，而包含至少透 光領域及透明支持薄膜之光學檢知領域之透光率在波 5 長300〜400nm之全範圍内為40%以上。 2. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中構成前述光學檢 知領域之各構件之主原料之聚合物之芳環濃度總計為2 重量百分比以下。 3. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中前述透光領域之 10 主原料之聚合物係聚胺酯樹脂，該聚胺酯樹脂之異氰酸 酯成分係選自於由1,6-六亞曱基二異氰酸酯、4,4’-二環 己基曱烷二異氰酸酯及二異氰酸異佛爾酮所組成之群 之至少一種。 4. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中前述透明支持薄 15 膜之主原料之聚合物係由選自於由聚丙烯、聚乙烯、脂 肪族聚醯胺、聚甲基丙烯酸酯、聚曱基丙烯酸甲酯及聚 氯乙烯所組成之群之至少一種。 5. —種半導體裝置之製造方法，包含使用申請專利範圍第 1、2、3或4項之研磨墊而研磨半導體晶圓表面之步驟。
32
TW096117369A 2006-05-17 2007-05-16 Polishing pad TW200804033A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006137353A JP5110677B2 (ja) 2006-05-17 2006-05-17 研磨パッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200804033A TW200804033A (en) 2008-01-16
TWI330569B true TWI330569B (zh) 2010-09-21

Family

ID=38693943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096117369A TW200804033A (en) 2006-05-17 2007-05-16 Polishing pad

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7874894B2 (zh)
JP (1) JP5110677B2 (zh)
KR (1) KR101055248B1 (zh)
CN (1) CN101443157B (zh)
TW (1) TW200804033A (zh)
WO (1) WO2007132854A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI616277B (zh) * 2014-04-29 2018-03-01 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 具終點偵測窗之化學機械硏磨墊

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7927452B2 (en) * 2005-07-15 2011-04-19 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Layered sheets and processes for producing the same
JP4884726B2 (ja) * 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッドの製造方法
CN101511536A (zh) * 2006-09-08 2009-08-19 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫的制造方法
SG177961A1 (en) 2007-01-15 2012-02-28 Toyo Tire & Rubber Co Polishing pad and method for producing the same
JP5255286B2 (ja) * 2008-01-25 2013-08-07 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4593643B2 (ja) * 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5385377B2 (ja) * 2008-05-15 2014-01-08 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 終点窓を持った研磨パッドおよびこれを用いたシステムおよび使用方法
JP5563208B2 (ja) * 2008-08-05 2014-07-30 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US8697217B2 (en) * 2010-01-15 2014-04-15 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Creep-resistant polishing pad window
CN102133734B (zh) * 2010-01-21 2015-02-04 智胜科技股份有限公司 具有侦测窗的研磨垫及其制造方法
JP5620141B2 (ja) * 2010-04-15 2014-11-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
TWI510328B (zh) * 2010-05-03 2015-12-01 Iv Technologies Co Ltd 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
US8257545B2 (en) * 2010-09-29 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith
SG190249A1 (en) * 2010-11-18 2013-06-28 Cabot Microelectronics Corp Polishing pad comprising transmissive region
US8920219B2 (en) * 2011-07-15 2014-12-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment aperture
US9156125B2 (en) * 2012-04-11 2015-10-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with light-stable light-transmitting region
JP2013233691A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Akebono Kikai Kogyo Kk 表面保護フィルム
US9597769B2 (en) * 2012-06-04 2017-03-21 Nexplanar Corporation Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer
JP5453507B1 (ja) * 2012-10-31 2014-03-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
JP2014113644A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
US9186772B2 (en) 2013-03-07 2015-11-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with broad spectrum, endpoint detection window and method of polishing therewith
US9446497B2 (en) 2013-03-07 2016-09-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Broad spectrum, endpoint detection monophase olefin copolymer window with specific composition in multilayer chemical mechanical polishing pad
US9064806B1 (en) 2014-03-28 2015-06-23 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad with window
US9216489B2 (en) 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9259820B2 (en) 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
US9333620B2 (en) 2014-04-29 2016-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window
CN105922126B (zh) * 2016-06-03 2018-05-11 湖北鼎龙控股股份有限公司 化学机械抛光垫的检测窗及其制备方法
US10293456B2 (en) * 2017-04-19 2019-05-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aliphatic polyurethane optical endpoint detection windows and CMP polishing pads containing them
TWI647065B (zh) * 2017-08-07 2019-01-11 智勝科技股份有限公司 研磨墊及其製造方法以及研磨方法
CN109202694B (zh) * 2018-09-27 2020-07-24 江西龙正科技发展有限公司 一种多层纳米纤维化学机械抛光垫
KR102421208B1 (ko) * 2020-09-10 2022-07-14 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마 패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
CN114227530B (zh) * 2021-12-10 2022-05-10 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫及半导体器件的制造方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69635816T2 (de) 1995-03-28 2006-10-12 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung zur In-Situ-Kontrolle und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgängen
US5893796A (en) 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5605760A (en) 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
JP2001071414A (ja) * 1998-12-10 2001-03-21 Oji Paper Co Ltd 金属蒸着フィルム
US6454630B1 (en) * 1999-09-14 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Rotatable platen having a transparent window for a chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
US6524164B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
WO2001023141A1 (en) 1999-09-29 2001-04-05 Rodel Holdings, Inc. Polishing pad
JP2002001647A (ja) * 2000-06-19 2002-01-08 Rodel Nitta Co 研磨パッド
KR100858392B1 (ko) * 2001-04-25 2008-09-11 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 웨이퍼용 연마 패드와, 이를 구비한 반도체웨이퍼용 연마 적층체와, 반도체 웨이퍼의 연마 방법
JP4131632B2 (ja) * 2001-06-15 2008-08-13 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び研磨パッド
JP3904854B2 (ja) * 2001-06-28 2007-04-11 セントラル硝子株式会社 含フッ素脂環式ジカルボン酸化合物の製造方法
JP4570286B2 (ja) * 2001-07-03 2010-10-27 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US6722249B2 (en) * 2001-11-06 2004-04-20 Rodel Holdings, Inc Method of fabricating a polishing pad having an optical window
US7435165B2 (en) * 2002-10-28 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
TW200416102A (en) 2002-11-27 2004-09-01 Toyo Boseki Polishing pad and method for manufacturing semiconductor device
US6960120B2 (en) * 2003-02-10 2005-11-01 Cabot Microelectronics Corporation CMP pad with composite transparent window
US6832947B2 (en) * 2003-02-10 2004-12-21 Cabot Microelectronics Corporation CMP pad with composite transparent window
JP4849587B2 (ja) * 2003-03-11 2012-01-11 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
US7238097B2 (en) * 2003-04-11 2007-07-03 Nihon Microcoating Co., Ltd. Polishing pad and method of producing same
KR20040093402A (ko) * 2003-04-22 2004-11-05 제이에스알 가부시끼가이샤 연마 패드 및 반도체 웨이퍼의 연마 방법
JP2005001059A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 研磨用積層体
US7195539B2 (en) * 2003-09-19 2007-03-27 Cabot Microelectronics Coporation Polishing pad with recessed window
US6984163B2 (en) * 2003-11-25 2006-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with high optical transmission window
US7871685B2 (en) * 2004-04-08 2011-01-18 Tdk Corporation Methods for producing optical recording medium and optical recording medium
JP4627149B2 (ja) * 2004-05-10 2011-02-09 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
EP1766473B1 (en) 2004-06-28 2015-09-09 Canon Kabushiki Kaisha Cationic photopolymerizable epoxy resin composition, minute structural member using the same and method for manufacturing minute structural member
JP4498232B2 (ja) * 2004-06-28 2010-07-07 キヤノン株式会社 光カチオン重合性エポキシ樹脂組成物、並びに、これを用いた微細構造体の製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法
JP2006021290A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Nitta Haas Inc 研磨パッドおよび該研磨パッドの製造方法
JP2006110686A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
US7764377B2 (en) * 2005-08-22 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Spectrum based endpointing for chemical mechanical polishing
JP2006102940A (ja) * 2006-01-10 2006-04-20 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI616277B (zh) * 2014-04-29 2018-03-01 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 具終點偵測窗之化學機械硏磨墊

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007307638A (ja) 2007-11-29
CN101443157A (zh) 2009-05-27
KR20080096566A (ko) 2008-10-30
CN101443157B (zh) 2011-06-01
TW200804033A (en) 2008-01-16
US7874894B2 (en) 2011-01-25
US20090137189A1 (en) 2009-05-28
JP5110677B2 (ja) 2012-12-26
KR101055248B1 (ko) 2011-08-08
WO2007132854A1 (ja) 2007-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI330569B (zh)
TWI330571B (zh)
TWI361217B (zh)
JP5078000B2 (ja) 研磨パッド
JP5088865B2 (ja) 研磨パッド
TW201141661A (en) Polishing pad
TW201429622A (zh) 研磨墊
JP4986129B2 (ja) 研磨パッド
TWI480942B (zh) Polishing pad
JP2009190121A (ja) 研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP5276502B2 (ja) 研磨パッド及びその製造方法
JP4128606B2 (ja) 研磨パッド
JP2017132013A (ja) 研磨パッド
JP4128607B2 (ja) 研磨パッド
JP5009020B2 (ja) 研磨パッド
JP2009214220A (ja) 研磨パッド
JP5087440B2 (ja) 研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP2009220249A (ja) 研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP2017119316A (ja) 研磨パッド
JP2017119314A (ja) 研磨パッドの使用方法
JP2017119315A (ja) 積層研磨パッド製造用光透過領域積層部材、及び研磨領域積層部材、並びに積層研磨パッド製造用キット、並びに積層研磨パッド
JP2017117976A (ja) 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP2017119313A (ja) 研磨パッドの製造方法