JP4849587B2 - 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
(1)ウエハとパッド間の摩擦係数をウエハ保持ヘッドや定盤の回転トルクの変化として検出するトルク検出法(特許文献1)
(2)ウエハ上に残る絶縁膜の厚さを検出する静電容量法(特許文献2)
(3)回転定盤内にレーザー光による膜厚モニター機構を組み込んだ光学的方法(特許文献3、特許文献4)
(4)ヘッドあるいはスピンドルに取り付けた振動や加速センサーから得る周波数スペクトルを解析する振動解析方法
(5)ヘッド内に内蔵した差動トランス応用検出法
(6)ウエハと研磨パッドとの摩擦熱やスラリーと被研磨対象物との反応熱を赤外線放射温度計で計測する方法(特許文献5)
(7)超音波の伝播時間を測定することにより被研磨対象物の厚みを測定する方法(特許文献6、特許文献7)
(8)ウエハ表面の金属膜のシート抵抗を計測する方法(特許文献8)
などが挙げられる。現在、(1)の方法が多く用いられているが、測定精度や非接触測定における空間分解能の点から(3)の方法が主流となりつつある。
光透過率の変化率が50(%)を超える場合には、短波長側での光透過領域を通過する光の強度の減衰が大きくなり、干渉光の振幅が小さくなるため研磨終点検出精度や膜厚測定精度が低下する傾向にある。
T1:微細発泡体に無負荷状態から30KPa (300g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の微細発泡体の厚み
T2:T1の状態から180KPa (1800g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の微細発泡体の厚み
また、前記微細発泡体の圧縮回復率は、50〜100%であることが好ましく、さらに好ましくは60〜100%である。50%未満の場合には、研磨中に繰り返しの荷重が研磨領域にかかるにつれて、研磨領域の厚みに大きな変化が現れ、研磨特性の安定性が低下する傾向にある。なお、圧縮回復率は下記式により算出される値である。
T1:微細発泡体に無負荷状態から30KPa (300g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の微細発泡体の厚み
T2:T1の状態から180KPa (1800g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の微細発泡体の厚み
T3:T2の状態から無負荷状態で60秒間保持し、その後、30KPa (300g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の微細発泡体の厚み
また、前記微細発泡体の40℃、1Hzにおける貯蔵弾性率が、150MPa以上であることが好ましく、さらに好ましくは250MPa以上である。貯蔵弾性率が150MPa未満の場合には、研磨領域の表面の強度が低下し、被研磨対象物のプラナリティが低下する傾向にある。なお、貯蔵弾性率とは、微細発泡体に動的粘弾性測定装置で引っ張り試験用治具を用い、正弦波振動を加え測定した弾性率をいう。
例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ハロゲン系樹脂(ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなど)、ポリスチレン、オレフィン系樹脂(ポリエチレン、ポリプロピレンなど)、及びエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
なお、光透過領域に気泡がある場合には、光の散乱により反射光の減衰が大きくなり研磨終点検出精度や膜厚測定精度が低下する傾向にある。したがって、このような気泡を除去するために前記材料を混合する前に10Torr以下に減圧することにより材料中に含まれる気体を十分に除去することが好ましい。また、混合後の撹拌工程においては気泡が混入しないように、通常用いられる撹拌翼式ミキサーの場合には、回転数100rpm以下で撹拌することが好ましい。また、撹拌工程においても減圧下で行うことが好ましい。さらに、自転公転式混合機は、高回転でも気泡が混入しにくいため、該混合機を用いて撹拌、脱泡を行うことも好ましい方法である。
イソシアネート末端プレポリマーにシリコーン系界面活性剤を添加し、そして非反応性気体と撹拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。イソシアネート末端プレポリマーが常温で固体の場合には適宜の温度に予熱し、溶融して使用する。
上記の気泡分散液に鎖延長剤を添加し、混合撹拌する。
鎖延長剤を混合したイソシアネート末端プレポリマーを注型し、加熱硬化させる。
作製した光透過領域部材を2cm×6cm(厚み:任意)の大きさに切り出して光透過率測定用試料とした。分光光度計(日立製作所製、U−3210 Spectro Photometer)を用いて、測定波長域400〜700nmで測定した。これらの光透過率の測定結果をLambert−Beerの法則を用いて、厚み1mmの光透過率に換算した。
作製した光透過領域部材を2cm×6cm(厚み:任意)の大きさに切り出して光透過率測定用試料を得て、それをpH11に調整したKOH水溶液(50ml、60℃)中に24時間浸漬した。その後、試料を取り出し、表面の水溶液をふき取り、前記分光光度計を用いて、測定波長域400〜700nmで測定した。これらの光透過率の測定結果をLambert−Beerの法則を用いて、厚み1mmの光透過率に換算した。
pH11のKOH水溶液に24時間浸漬した後の測定波長λにおける光透過率T1(%)と、浸漬前の測定波長λにおける光透過率T0(%)との差からΔT(%)を算出した。測定波長範囲は400〜700nmであり、測定波長λとして700、600、500、及び400nmにおける各光透過率を用いて評価を行った。
ΔT(%)=(浸漬前の光透過率T0)−(浸漬後の光透過率T1)
(平均気泡径測定)
厚み1mm程度になるべく薄くミクロトームカッターで平行に切り出した研磨領域を平均気泡径測定用試料とした。試料をスライドガラス上に固定し、画像処理装置(東洋紡績社製、Image Analyzer V10)を用いて、任意の0.2mm×0.2mm範囲の全気泡径を測定し、平均気泡径を算出した。
JIS Z8807−1976に準拠して行った。4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出した研磨領域を比重測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
JIS K6253−1997に準拠して行った。2cm×2cm(厚み:任意)の大きさに切り出した研磨領域を硬度測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み6mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーD型硬度計)を用い、硬度を測定した。
直径7mmの円(厚み:任意)に切り出した研磨領域(研磨層)を圧縮率および圧縮回復率測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で40時間静置した。測定には熱分析測定器TMA(SEIKO INSTRUMENTS製、SS6000)を用い、圧縮率と圧縮回復率を測定した。圧縮率と圧縮回復率の計算式を下記に示す。
T1:研磨層に無負荷状態から30KPa (300g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の研磨層厚み
T2:T1の状態から180KPa (1800g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の研磨層厚み
圧縮回復率(%)={(T3―T2)/(T1―T2)}×100
T1:研磨層に無負荷状態から30KPa (300g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の研磨層厚み
T2:T1の状態から180KPa (1800g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の研磨層厚み
T3:T2の状態から無負荷状態で60秒間保持し、その後、30KPa (300g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の研磨層厚み
(貯蔵弾性率測定)
JIS K7198−1991に準拠して行った。3mm×40mmの短冊状(厚み:任意)に切り出した研磨領域を動的粘弾性測定用試料とし、23℃の環境条件で、シリカゲルを入れた容器内に4日間静置した。切り出した後の各シートの正確な幅および厚みの計測は、マイクロメータにて行った。測定には動的粘弾性スペクトロメーター(岩本製作所製、現アイエス技研)を用い、貯蔵弾性率E’を測定した。その際の測定条件を下記に示す。
<測定条件>
測定温度 : 40℃
印加歪 : 0.03%
初期荷重 : 20g
周波数 : 1Hz
(膜厚検出評価A)
ウエハの膜厚の光学的検出評価Aは以下のような手法で行った。ウエハとして、8インチのシリコンウエハに熱酸化膜を1μm製膜したものを用い、その上に、まず前記浸漬前の光透過領域(厚さ:1.25mm)を設置した。干渉式膜厚測定装置(大塚電子社製)を用い、波長領域400〜700nmにおいて膜厚測定を数回行った。算出される膜厚結果、及び各波長での干渉光の山と谷の状況確認を行い、浸漬前の光透過領域の膜厚検出を以下のような基準で評価した。その後、前記浸漬後の光透過領域を設置し、同様の測定を行った。そして、浸漬前の結果と比較し、KOH水溶液浸漬前後での膜厚検出変化を以下のような基準で評価した。
浸漬前評価
○:非常に再現性良く膜厚が測定されている。
△:再現性良く膜厚が測定されている。
×:再現性が悪く、検出精度が不十分である。
浸漬前後評価
○:浸漬前後で再現性よく膜厚が測定されている。
×:浸漬前後で再現性が悪く、KOH水溶液浸漬により膜厚検出精度が低下した。
ウエハの膜厚の光学的検出評価Bは以下のような手法で行った。ウエハとして、8インチのシリコンウエハに熱酸化膜を1μm製膜したものを用い、その上に、まず前記浸漬前の光透過領域(厚さ:1.25mm)を設置した。He−Neレーザーによる干渉式膜厚測定装置を用い、波長633nmにおいて膜厚測定を数回行った。算出される膜厚結果、及び各波長での干渉光の山と谷の状況確認を行い、浸漬前の光透過領域の膜厚検出を以下のような基準で評価した。その後、前記浸漬後の光透過領域を設置し、同様の測定を行った。浸漬前の結果と比較し、KOH水溶液浸漬前後での膜厚検出変化を以下のような基準で検出評価した。
浸漬前評価
○:再現性良く膜厚が測定されている。
×:再現性が悪く、検出精度が不十分である。
浸漬前後評価
○:浸漬前後で再現性よく膜厚が測定されている。
×:浸漬前後で再現性が悪く、KOH水溶液浸漬により膜厚検出精度が低下した。
研磨装置としてSPP600S(岡本工作機械社製)を用い、作製した研磨パッドを用いて、研磨特性の評価を行った。研磨レートは、8インチのシリコンウエハに熱酸化膜を1μm製膜したものを、約0.5μm研磨して、このときの時間から算出した。酸化膜の膜厚測定には、干渉式膜厚測定装置(大塚電子社製)を用いた。研磨条件としては、アルカリ性スラリーとしてシリカスラリー(SS12、キャボット社製)を研磨中に流量150ml/minにて添加した。研磨荷重としては350g/cm2、研磨定盤回転数35rpm、ウエハ回転数30rpmとした。面内均一性の評価は、上記のように研磨を行ったウエハの面内膜厚を28点測定し、下記式により面内均一性を求めた。面内均一性は値が小さいほど均一性が優れている。
面内均一性(%)={(最大膜厚−最小膜厚)/(最大膜厚+最小膜厚)}×100
〔光透過領域の作製〕
製造例1
アジピン酸とヘキサンジオールとエチレングリコールからなるポリエステルポリオール(数平均分子量2400)128重量部、及び1,4−ブタンジオール30重量部を混合し、70℃に温調した。この混合液に、予め70℃に温調した4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート100重量部を加え、約1分間撹拌した。そして、100℃に保温した容器中に該混合液を流し込み、100℃で8時間ポストキュアを行ってポリウレタン樹脂を作製した。作製したポリウレタン樹脂を用い、インジェクション成型にて光透過領域(縦57mm、横19mm、厚さ1.25mm)を作製した。
製造例1において、アジピン酸とヘキサンジオールとエチレングリコールからなるポリエステルポリオール(数平均分子量2000)89重量部、及び1, 4−ブタンジオール31重量部に変更した以外は製造例1と同様の方法により光透過領域(縦57mm、横19mm、厚さ1.25mm)を作製した。
製造例1において、ポリエステルポリオールの代わりにポリテトラメチレングリコール(数平均分子量890)75重量部を用い、1,4−ブタンジオールの添加量を28重量部に変更した以外は製造例1と同様の方法により光透過領域(縦57mm、横19mm、厚さ1.25mm)を作製した。
製造例1において、ポリエステルポリオールの代わりにポリカプロラクトンポリオール(数平均分子量2000)120重量部、及び1, 4−ブタンジオール31重量部に変更した以外は製造例1と同様の方法により光透過領域(縦57mm、横19mm、厚さ1.25mm)を作製した。
反応容器にトルエンジイソシアネート(2,4−体/2,6−体=80/20の混合物)14790重量部、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート3930重量部、ポリテトラメチレングリコール(数平均分子量:1006、分子量分布:1.7)25150重量部、ジエチレングリコール2756重量部を入れ、80℃で120分間、加熱撹拌し、イソシアネート末端プレポリマー(イソシアネート当量:2.1meq/g)を得た。このプレポリマー100重量部を減圧タンクに計量し、減圧(約10Torr)によりプレポリマー中に残存している気体を脱泡させた。脱泡した上記プレポリマーに、予め120℃で溶融させておいた4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)29重量部を添加し、自転公転式ミキサー(シンキー社製)を用いて、回転数800rpmで約3分間撹拌した。そして該混合物を型に流し込み、110℃のオーブン中で9時間ポストキュアを行い、ポリウレタン樹脂シートを得た。その後、該ポリウレタン樹脂シートの両面をバフ研磨し、光透過領域(縦57mm、横19mm、厚さ1.25mm)を作製した。
製造例1において、アジピン酸とヘキサンジオールとエチレングリコールからなるポリエステルポリオールの代わりに、アジピン酸とエチレングリコールからなるポリエステルポリオール(数平均分子量2000)120重量部、及び1, 4−ブタンジオール31重量部に変更した以外は製造例1と同様の方法により光透過領域(縦57mm、横19mm、厚さ1.25mm)を作製した。
製造例5において、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートを4,4’−ジイソシアネートジフェニルエーテル3778重量部に変更した以外は製造例5と同様の方法により光透過領域(縦57mm、横19mm、厚さ1.25mm)を作製した。
トルエンジイソシアネート(2,4−体/2,6−体=80/20の混合物)14790重量部、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート3930重量部、ポリテトラメチレングリコール(数平均分子量:1006、分子量分布:1.7)25150重量部、及びジエチレングリコール2756重量部を混合し、80℃で120分間、加熱撹拌してイソシアネート末端プレポリマー(イソシアネート当量:2.1meq/g)を得た。反応容器内に、フィルタリングした前記プレポリマー100重量部、及びフィルタリングしたシリコーン系ノニオン界面活性剤(東レ・ダウシリコーン社製、SH192)3重量部を混合し、温度を80℃に調整した。撹拌翼を用いて、回転数900rpmで反応系内に気泡を取り込むように約4分間激しく撹拌を行った。そこへ予め120℃で溶融し、フィルタリングした4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)(イハラケミカル社製、イハラキュアミンMT)26重量部を添加した。約1分間撹拌を続け、その後パン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、110℃で6時間ポストキュアを行いポリウレタン樹脂発泡体ブロックを得た。このポリウレタン樹脂発泡体ブロックをバンドソータイプのスライサー(フェッケン社製)を用いてスライスし、ポリウレタン樹脂発泡体シートを得た。次にこのシートをバフ機(アミテック社製)を使用して、所定の厚さに表面バフをし、厚み精度を整えたシートとした(シート厚み:1.27mm)。このバフ処理をしたシートを所定の直径(61cm)に打ち抜き、溝加工機(東邦鋼機社製)を用いて表面に溝幅0.25mm、溝ピッチ1.50mm、溝深さ0.40mmの同心円状の溝加工を行った。このシートの溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ(積水化学工業社製、ダブルタックテープ)を貼り、その後、この溝加工したシートの所定位置に光透過領域をはめ込むための穴(厚み1.27mm、57.5mm×19.5mm)を打ち抜いて両面テープ付き研磨領域を作製した。作製した研磨領域の各物性は、平均気泡径45μm、比重0.86g/cm3、アスカーD硬度53度、圧縮率1.0%、圧縮回復率65.0%、貯蔵弾性率275MPaであった。
実施例1
表面をバフがけし、コロナ処理したポリエチレンフォーム(東レ社製、トーレペフ、厚さ:0.8mm)からなるクッション層を前記作製した両面テープ付き研磨領域の粘着面に、ラミ機を用いて貼り合わせた。さらにクッション層表面に両面テープを貼り合わせた。その後、研磨領域の光透過領域をはめ込むために打ち抜いた穴部分のうち、51mm×13mmの大きさでクッション層を打ち抜き、穴を貫通させた。その後、製造例1で作製した光透過領域をはめ込み、研磨パッドを作製した。作製した研磨パッドの研磨特性等を表1に示す。
製造例2で作製した光透過領域を用い、実施例1と同様の方法により研磨パッドを作製した。作製した研磨パッドの研磨特性等を表1に示す。
製造例3で作製した光透過領域を用い、実施例1と同様の方法により研磨パッドを作製した。作製した研磨パッドの研磨特性等を表1に示す。
製造例4で作製した光透過領域を用い、実施例1と同様の方法により研磨パッドを作製した。作製した研磨パッドの研磨特性等を表1に示す。
製造例5で作製した光透過領域を用い、実施例1と同様の方法により研磨パッドを作製した。作製した研磨パッドの研磨特性等を表1に示す。
製造例6で作製した光透過領域を用い、実施例1と同様の方法により研磨パッドを作製した。作製した研磨パッドの研磨特性等を表1に示す。
製造例7で作製した光透過領域を用い、実施例1と同様の方法により研磨パッドを作製した。作製した研磨パッドの研磨特性等を表1に示す。
2:定盤
3:研磨剤(スラリー)
4:被研磨対象物(ウエハ)
5:被研磨対象物(ウエハ)支持台(ポリシングヘッド)
6、7:回転軸
8:光透過領域
9:研磨領域
10、12:両面テープ
11:クッション層
13:離型紙(フィルム)
14:開口部を塞ぐ部材
15:レーザー干渉計
16:レーザービーム
Claims (8)
- ケミカルメカニカルポリッシングに用いられ、研磨領域および光透過領域を有する研磨パッドであって、前記光透過領域は、少なくとも有機イソシアネート、高分子量ポリオール、及び鎖延長剤を原料とするポリウレタン樹脂からなり、前記有機イソシアネートは、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネートであり、前記高分子量ポリオールは、ポリテトラメチレングリコール、ポリカプロラクトンポリオール、及びアジピン酸とヘキサンジオールとエチレングリコールからなるポリエステルポリオールからなる群より選択される少なくとも1種であり、前記鎖延長剤は、1,4−ブタンジオールであり、前記光透過領域は、厚さが0.5〜4mmであり、かつ波長500〜700nmの全領域における光透過率が90%以上であり、さらにpH11のKOH水溶液に24時間浸漬した後の測定波長λにおける光透過率T1(%)と、浸漬前の測定波長λにおける光透過率T0(%)との差であるΔT(ΔT=T0−T1)(%)が、測定波長400〜700nmの全範囲内で10(%)以内であり、かつ前記光透過領域は、浸漬前において、下記式で表される測定波長400〜700nmでの光透過率の変化率が50(%)以下であることを特徴とする研磨パッド。
変化率(%)={(400〜700nmにおける最大光透過率−400〜700nmにおける最小光透過率)/400〜700nmにおける最大光透過率}×100 - 前記光透過領域は、浸漬前において、測定波長400nmにおける光透過率が20%以上である請求項1記載の研磨パッド。
- 前記光透過領域は、浸漬前において、測定波長500〜700nmにおける各光透過率の差が5(%)以内である請求項1又は2に記載の研磨パッド。
- 前記光透過領域の形成材料が、無発泡体である請求項1〜3のいずれかに記載の研磨パッド。
- 前記研磨領域の形成材料が、微細発泡体である請求項1〜4のいずれかに記載の研磨パッド。
- 前記光透過領域は、研磨側表面に研磨液を保持・更新する凹凸構造を有しない請求項1〜5のいずれかに記載の研磨パッド。
- 前記研磨領域は、研磨側表面に溝が設けられている請求項1〜6のいずれかに記載の研磨パッド。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6984163B2 (en) * | 2003-11-25 | 2006-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with high optical transmission window |
JP2006237202A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Jsr Corp | 化学機械研磨用パッドおよび化学機械研磨方法 |
JP5110677B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2012-12-26 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP2007307639A (ja) | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
US8697239B2 (en) * | 2009-07-24 | 2014-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-functional polishing pad |
KR101277296B1 (ko) | 2011-07-15 | 2013-06-20 | 주식회사 엘지화학 | 폴리우레탄 수지 조성물 및 이를 이용한 폴리우레탄 흡착 패드 |
US9133299B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-09-15 | Lg Chem, Ltd. | Poly-urethane resin and poly-urethane absorbing pad using the same |
WO2018021428A1 (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社クラレ | 研磨パッドおよびそれを用いた研磨方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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