TWI647065B - 研磨墊及其製造方法以及研磨方法 - Google Patents

Abstract

一種研磨墊，包括研磨層、至少一偵測窗、黏著層、離型層及偵測窗保護層。研磨層具有彼此相對的研磨面及背面。至少一偵測窗位於研磨層中。黏著層配置於研磨層的背面下方，且黏著層具有至少一第一開口暴露出至少一偵測窗。離型層配置於黏著層的下方，且離型層具有至少一第二開口暴露出至少一偵測窗。偵測窗保護層連接於離型層且橫跨至少一第二開口。

Description

研磨墊及其製造方法以及研磨方法

本發明是有關於一種研磨墊及其製造方法以及研磨方法，且特別是有關於一種偵測窗受到保護的研磨墊及其製造方法以及使用所述研磨墊的研磨方法。

在產業的元件製造過程中，研磨製程是現今較常使用來使待研磨的物件表面達到平坦化的一種技術。在研磨製程中，物件是藉由其本身與研磨墊彼此進行相對運動，以及選擇於物件表面及研磨墊之間提供一研磨液來進行研磨。

對於具有光學偵測系統的研磨設備，研磨墊之研磨層的某部分區域通常設置有偵測窗，其功能是當使用此研磨墊對物件進行研磨時，使用者可藉由研磨設備的光學偵測系統，透過偵測窗來偵測物件的研磨情況，以作為研磨製程的終點偵測（End-Point Detection）並確保研磨品質。一般而言，為了使操作人員在進行裝置研磨墊於研磨平台時能準確的將偵側窗與研磨平台上的光學偵測系統進行對位貼合以執行研磨製程的終點偵測，偵測窗的設計會暴露於環境中，因此在進入研磨製程前研磨墊的運送及存放的過程中或是進行裝置研磨墊的過程中，偵測窗容易沾附髒汙或是碰到尖銳的外來物而產生刮傷，進而影響偵測效果。進一步而言，操作人員在開始進行研磨程序之前會以水先清洗包含偵測窗頂面的研磨面，以去除研磨墊表面的髒汙；但與研磨層背面共平面的偵測窗底面的髒汙或刮傷卻較不易清除或不易發覺，也因此若在研磨製程進行前，偵測窗底面沾附髒汙又無法清除的狀況下，將影響光學偵測的效果進而影響研磨品質。

有鑑於此，本發明提供一種研磨墊，其能夠有效保護偵測窗不受到外來物沾附，進而使得在研磨方法中能夠提供完善的偵測效果。

本發明的研磨墊包括研磨層、至少一偵測窗、黏著層、離型層以及偵測窗保護層。研磨層具有彼此相對的研磨面及背面。至少一偵測窗位於研磨層中。黏著層配置於研磨層的背面下方，且黏著層具有至少一第一開口暴露出至少一偵測窗。離型層配置於黏著層的下方，且離型層具有至少一第二開口暴露出至少一偵測窗。偵測窗保護層連接於離型層且橫跨至少一第二開口。

本發明的研磨墊包括研磨層、至少一偵測窗、第一黏著層、基底層、第二黏著層、離型層以及偵測窗保護層。研磨層具有彼此相對的研磨面及背面。至少一偵測窗位於研磨層中。第一黏著層配置於研磨層的背面下方，且第一黏著層具有至少一第一開口暴露出至少一偵測窗。基底層配置於第一黏著層的下方，且基底層具有至少一第二開口暴露出至少一偵測窗。第二黏著層配置於基底層的下方，且第二黏著層具有至少一第三開口暴露出至少一偵測窗。離型層配置於第二黏著層的下方，且離型層具有至少一第四開口暴露出至少一偵測窗。偵測窗保護層連接於離型層且橫跨至少一第四開口。

本發明的研磨方法適用於研磨物件，且研磨方法包括以下步驟。提供研磨墊，其中研磨墊如上所述的任一種研磨墊。移除研磨墊中的離型層，以使研磨墊配置於研磨平台上。對物件施加壓力以壓置於研磨墊上。對物件及研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。

本發明的研磨墊包括研磨層、至少一偵測窗、黏著層以及偵測窗保護層。研磨層具有彼此相對的研磨面及背面。至少一偵測窗位於研磨層中。黏著層配置於研磨層的背面下方，且黏著層具有至少一開口暴露出至少一偵測窗。偵測窗保護層配置於黏著層的下方且橫跨至少一開口。

本發明的研磨墊包括研磨層、至少一偵測窗、第一黏著層、基底層、第二黏著層以及偵測窗保護層。研磨層具有彼此相對的研磨面及背面。至少一偵測窗位於研磨層中。第一黏著層配置於研磨層的背面下方，且第一黏著層具有至少一第一開口暴露出至少一偵測窗。基底層配置於第一黏著層的下方，且基底層具有至少一第二開口暴露出至少一偵測窗。第二黏著層配置於基底層的下方，且第二黏著層具有至少一第三開口暴露出至少一偵測窗。偵測窗保護層配置於第二黏著層的下方且橫跨至少一第三開口。

本發明的研磨方法適用於研磨物件，且研磨方法包括以下步驟。提供研磨墊，其中研磨墊如上所述的任一種研磨墊。移除研磨墊中的偵測窗保護層，以使研磨墊配置於研磨平台上。對物件施加壓力以壓置於研磨墊上。對物件及研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。

本發明的研磨墊的製造方法包括以下步驟。形成具有至少一偵測窗的研磨層，研磨層具有彼此相對的研磨面與背面。於研磨層的背面下方依序形成黏著層及離型層。對黏著層及離型層進行切削移除程序，以於黏著層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一第一開口及於離型層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一第二開口。形成偵測窗保護層，其中偵測窗保護層連接於離型層且橫跨至少一第二開口。

本發明的研磨墊的製造方法包括以下步驟。形成具有至少一偵測窗的研磨層，研磨層具有彼此相對的研磨面與背面。於研磨層的背面下方依序形成黏著層及暫存層。對黏著層及暫存層進行切削移除程序，以於黏著層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一開口及於暫存層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一暫存開口。移除暫存層。形成偵測窗保護層，其中偵測窗保護層配置於黏著層的下方且橫跨所述至少一開口。

本發明的研磨墊的製造方法包括以下步驟。形成具有至少一偵測窗的研磨層，研磨層具有彼此相對的研磨面與背面。於研磨層的背面下方依序形成第一黏著層、基底層、第二黏著層及離型層。對第一黏著層、基底層、第二黏著層及離型層進行切削移除程序，以於第一黏著層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一第一開口、於基底層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一第二開口、於第二黏著層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一第三開口、及於離型層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一第四開口。形成偵測窗保護層，其中偵測窗保護層連接於離型層且橫跨至少一第四開口。

本發明的研磨墊的製造方法包括以下步驟。形成具有至少一偵測窗的研磨層，研磨層具有彼此相對的研磨面與背面。於研磨層背面下方依序形成第一黏著層、基底層、第二黏著層及暫存層。對第一黏著層、基底層、第二黏著層及暫存層進行切削移除程序，以於第一黏著層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一第一開口、於基底層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一第二開口、於第二黏著層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一第三開口、及於暫存層中形成暴露出至少一偵測窗的至少一暫存開口。移除暫存層。形成偵測窗保護層，其中偵測窗保護層配置於第二黏著層的下方且橫跨至少一第三開口。

基於上述，本發明的研磨墊透過包括配置於黏著層的下方且橫跨黏著層的開口的偵測窗保護層，或者透過包括配置於第二黏著層的下方且橫跨第二黏著層的開口的偵測窗保護層，藉此使得在進入研磨製程前的運送及存放的過程中或是裝置研磨墊的過程中，偵測窗保護層能夠保護偵測窗的底面，使得在進行研磨製程之前不會沾附外來物或髒汙而產生刮傷或缺陷，進而使得在研磨製程期間，偵測窗能夠提供完善的偵測效果。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施方式，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依照本發明的一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。圖2是依照本發明的一實施方式的研磨墊的後視示意圖。

請同時參照圖1及圖2，研磨墊100具有彼此相對的前側F及後側B，而圖2即繪示研磨墊100的後側B的結構。

在本實施方式中，研磨墊100包括研磨層102、偵測窗104、黏著層106、離型層108以及偵測窗保護層110。詳言之，研磨層102配置於前側F，而離型層108及偵測窗保護層110則共同配置於後側B。其中，研磨層102具有研磨面PS以及相對於研磨面PS的背面BS

在本實施方式中，當使用研磨墊100對物件進行研磨程序時，物件會與研磨層102的研磨面PS接觸。值得一提的是，雖然圖1中未繪示，但任何所屬技術領域中具有通常知識者應周知研磨面PS上包括溝槽圖案，且溝槽圖案可具有多種不同態樣的圖案分布，例如是同心環狀、不同心環狀、橢圓環狀、波浪環狀、不規則環狀、多條直線狀、平行直線狀、放射直線狀、放射弧線狀、螺旋狀、多角格狀、或其組合，但本發明並不限於此。

另外，研磨層102例如是由聚合物基材所構成，其中聚合物基材可以是聚酯（polyester）、聚醚（polyether）、聚氨酯（polyurethane）、聚碳酸酯（polycarbonate）、聚丙烯酸酯（polyacrylate）、聚丁二烯（polybutadiene）、或其餘經由合適之熱固性樹脂（thermosetting resin）或熱塑性樹脂（thermoplastic resin）所合成之聚合物基材，但本發明並不限於此。

偵測窗104位於研磨層102中。如圖1所示，偵測窗104具有彼此相對的頂面TS及底面US，其中偵測窗104的頂面TS與研磨層102的研磨面PS相鄰接，且偵測窗104的底面US與研磨層102的背面BS也相鄰接。換言之，偵測窗104的頂面TS及底面US分別與研磨層102的研磨面PS及背面BS共平面，但不以此限定本發明。在其他實施方式的結構中，偵測窗的頂面TS及底面US亦可選擇不與研磨層的研磨面PS及背面BS共平面，也就是偵測窗的頂面TS不與研磨層的研磨面PS相鄰接及/或偵測窗的底面US不與研磨層的背面BS相鄰接。在此要特別說明的是，即使偵測窗104的頂面TS及底面US未與研磨層102的研磨面PS及背面BS共平面，偵測窗的頂面TS與研磨層的研磨面PS仍是位於同一側，而偵測窗的底面US與研磨層的背面BS亦位於同一側。另外，偵測窗104可以由任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的可使用於研磨墊的偵測窗的材料所構成。舉例而言，偵測窗104的材質可以是透明的高分子聚合物，例如熱固性塑膠或熱塑性塑膠。

黏著層106配置於研磨層102的背面BS下方，且具有暴露出偵測窗104的第一開口O1。如圖1所示，黏著層106僅黏附於研磨層102的背面BS，但不黏附於偵測窗104的底面US。換言之，黏著層106僅覆蓋於研磨層102的背面BS而未覆蓋於偵測窗104的底面US。在本實施方式中，偵測窗104的邊緣對齊第一開口O1的邊緣。而所使用的黏著層106例如是（但不限於）：無載體膠或雙面膠。黏著層106的材料例如是（但不限於）：壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠系膠、環氧樹脂系膠或聚氨酯系膠，但本發明並不限於此。

離型層108配置於黏著層106的下方。其中，離型層108的主要作用是保護黏著層106，以避免黏著層106的黏性消失。如圖1所示，離型層108僅覆蓋於黏著層106，並未覆蓋於偵測窗104的底面US，因而形成具有暴露出偵測窗104的第二開口O2。同時，偵測窗104的邊緣對齊第二開口O2的邊緣。在此所使用的離型層108可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的離型層。舉例而言，離型層108的材料可以是（但不限於）：聚醯亞胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含矽酮聚合物或含氟素聚合物，但本發明並不限於此。

偵測窗保護層110連接於離型層108且橫跨第二開口O2。詳細而言，如圖2所示，偵測窗保護層110的面積例如大於偵測窗104的面積但小於研磨墊100的面積。

在本實施方式中，偵測窗保護層110在可見光下具有透光性。詳言之，對於波長介於380 nm至780 nm之間的光，偵測窗保護層110的透光率為20%至100%。如此一來，在裝置研磨墊100至研磨平台上時可透過相重疊的偵測窗104及偵測窗保護層110來與研磨平台上的光學偵測系統進行對位後，再一併移除離型層108及偵測窗保護層110以進行研磨墊100與研磨平台的貼合。另外，在本實施方式中，所使用的偵測窗保護層110可例如包括（但不限於）：離型膜、膠帶或靜電吸附膜。

值得說明的是，在本實施方式中，研磨墊100透過包括連接於離型層108且橫跨第二開口O2的偵測窗保護層110，使得能夠有效地保護偵測窗104的底面US不會在進入研磨製程前的運送或存放的過程中沾附外來物。如此一來，在進入研磨製程前的運送及存放的過程中或是裝置研磨墊的過程中，偵測窗104的底面US不會沾附髒汙或產生刮傷或缺陷，藉此使得在研磨製程期間，偵測窗104能夠提供完善的偵測效果。

以下，將參照圖3A至圖3C來說明研磨墊100的製造方法。圖3A至圖3C是依照本發明的一實施方式的研磨墊的製造流程的剖面示意圖。

請參照圖3A，首先，形成具有偵測窗104的研磨層102。其中，於研磨層102中形成偵測窗104的方法可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一方法，例如：利用機械切削的方式於研磨層中裁切出預定大小的偵測窗開口後，於前述偵測窗開口內灌入偵測窗材料，並藉由固化程序使偵測窗材料固化以形成偵測窗。由於前述研磨層102、偵測窗104的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

之後，於研磨層102的背面BS下方依序形成黏著層106及離型層108。此時，黏著層106及離型層108是全面性地黏附於研磨層102的背面BS下方。換言之，黏著層106亦形成於偵測窗104的底面US下方。

接著，請參照圖3B，對黏著層106及離型層108進行切削移除程序，去除預定部分的黏著層106及離型層108，使得黏著層106中形成暴露出偵測窗104的第一開口O1及離型層108中形成暴露出偵測窗104的第二開口O2。換言之，在本實施方式中，第一開口O1及第二開口O2是在同一個切削移除程序中被同時形成。在此所進行的切削移除程序可使用任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一方法來進行，例如使用機械切削或電腦數值控制(CNC)雷射切割的方式。切削移除程序例如是透過與偵測窗104相同形狀大小的刀模來進行，或是透過輸入與偵測窗104相同形狀大小的電腦數值控制程式以進行雷射切割。而對位的方式例如是以光線自偵測窗104的頂面TS透射至研磨墊100的後側B的方式，或是將偵測窗104的頂面TS對準至預形成於切削平台上的對準標記，而刀模或電腦數值控制程式之位置亦對準至預形成於切削平台上的對準標記的對位方式，因此第一開口O1及第二開口O2的邊緣都會對齊偵測窗104的邊緣。由於前述黏著層106及其第一開口O1、離型層108及其第二開口O2的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

最後，請參照圖3C，形成連接於離型層108且橫跨第二開口O2的偵測窗保護層110，以完成研磨墊100的製作。在本實施方式中，偵測窗保護層110連接離型層108的方式可例如包括（但不限於）：熱融合、黏著或靜電吸附。前述偵測窗保護層110的其他相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

另外，雖然圖2中繪示偵測窗104為橢圓形，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，依照實際所需，偵測窗104可設計成各種其他形狀，例如梭形、圓形、方形或是任何適用之形狀。

另外，雖然圖2中繪示偵測窗104的數量為一個，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，依照實際所需，偵測窗104的數量也可以是多個。也就是說，只要研磨層102中設置有至少一個偵測窗104即落入本發明的範疇。進一步而言，由於黏著層106的第一開口O1及離型層108的第二開口O2皆用以暴露出偵測窗104，因此依據偵測窗104的數量，黏著層106也可以具有多個第一開口O1，且離型層108也可以具有多個第二開口O2。

另外，雖然圖2中繪示偵測窗保護層110的面積小於研磨墊100的面積，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，偵測窗保護層110的面積也可以是等於研磨墊100的面積。

另外，在圖1的實施方式中，離型層108與研磨層102之間僅配置有黏著層106，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，離型層與研磨層之間也可配置有基底層。以下，將參照圖4進行詳細說明。

圖4是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。請同時參照圖4及圖1，圖4的研磨墊200與圖1的研磨墊100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明即不再贅述。值得一提的是，研磨層202、偵測窗204、離型層208及其第四開口2O4、以及偵測窗保護層210可與圖1的實施方式中對應者相同或相似，故相關說明即不再贅述。另外，圖4的研磨墊200的後側B的結構請參考圖2。以下，將就研磨墊200與研磨墊100之間的差異處進行說明。

請參照圖4，在本實施方式中，研磨墊200包括配置於研磨層202的背面BS下方的第一黏著層206a。詳言之，由於第一黏著層206a僅黏附於研磨層202的背面BS，並未黏附於偵測窗204的底面US，因此第一黏著層206a具有暴露出偵測窗204的第一開口2O1。同時，偵測窗204的邊緣對齊第一開口2O1的邊緣。在本實施方式中所使用到的第一黏著層206a可例如是（但不限於）：無載體膠、雙面膠、熱熔膠或溼氣硬化膠。而第一黏著層206a的材料可例如是（但不限於）：壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠系膠、環氧樹脂系膠或聚氨酯系膠，但本發明並不限於此。

研磨墊200包括配置於第一黏著層206a下方的基底層212。詳言之，基底層212的主要作用在於襯墊研磨層202，藉由前述第一黏著層206a的黏合作用而使得研磨層202與基底層212得以連結在一起。另外，由於基底層212僅覆蓋於第一黏著層206a，並未覆蓋於偵測窗204的底面US，而使得基底層212具有暴露出偵測窗204的第二開口2O2，且偵測窗204的邊緣對齊第二開口2O2的邊緣。在本實施方式中所使用到的基底層212的材質可例如為聚氨酯、聚丁二烯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯與乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物、或聚丙烯與乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物，但本發明並不限於此。

研磨墊200包括配置於基底層212下方的第二黏著層206b。在本實施方式中，第二黏著層206b黏附於基底層212之遠離第一黏著層206a的背面上。換言之，基底層212是介於第一黏著層206a與第二黏著層206b之間。其中，由於第二黏著層206b僅覆蓋於基底層212，並未覆蓋於偵測窗204的底面US，而使得第二黏著層206b具有暴露出偵測窗204的第三開口2O3，且偵測窗204的邊緣對齊第三開口2O3的邊緣。在此所使用到的第二黏著層206b可例如是（但不限於）：無載體膠或雙面膠。第二黏著層206b的材料例如是（但不限於）：壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠系膠、環氧樹脂系膠或聚氨酯系膠，但本發明並不限於此。

在研磨墊200中，離型層208配置於第二黏著層206b的下方。其中，離型層208的主要作用是用來保護第二黏著層206b，以避免第二黏著層206b的黏性消失。藉由第二黏著層206b的黏合作用，使得基底層212及離型層208得以連結在一起。

值得說明的是，基於圖1的實施方式的內容可知，在本實施方式中，研磨墊200透過包括連接於離型層208且橫跨第四開口2O4的偵測窗保護層210，使得能夠有效地保護偵測窗204的底面US不會在進入研磨製程前的運送或存放的過程中沾附外來物。如此一來，在進入研磨製程前的運送及存放的過程中或是裝置研磨墊的過程中，偵測窗204的底面US不會沾附髒污或產生刮傷或缺陷，藉此使得在研磨製程期間，偵測窗204能夠提供完善的偵測效果。

以下，將參照圖5A至圖5C來說明研磨墊200的製造方法。圖5A至圖5C是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的製造流程的剖面示意圖。

請參照圖5A，首先，形成具有偵測窗204的研磨層202。在本實施方式中，於研磨層202中形成偵測窗204的方法可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一方法，例如：利用機械切削的方式於研磨層中裁切出預定大小的偵測窗開口後，於前述偵測窗開口內灌入偵測窗材料，並藉由固化程序使偵測窗材料固化以形成偵測窗。由於前述研磨層202、偵測窗204的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

之後，於研磨層202的背面BS下方依序形成第一黏著層206a、基底層212、第二黏著層206b及離型層208。此時，第一黏著層206a、基底層212、第二黏著層206b及離型層208均是全面性地覆蓋於研磨層202的背面BS下方。換言之，第一黏著層206a、基底層212、第二黏著層206b及離型層208皆形成於偵測窗204的底面US下方。

接著，請參照圖5B，對第一黏著層206a、基底層212、第二黏著層206b及離型層208進行切削移除程序，去除預定部分的第一黏著層206a、基底層212、第二黏著層206b及離型層208，以於第一黏著層206a中形成暴露出偵測窗204的第一開口2O1、於基底層212中形成暴露出偵測窗204的第二開口2O2、於第二黏著層206b中形成暴露出偵測窗204的第三開口2O3、及於離型層208中形成暴露出偵測窗204的第四開口2O4。換言之，在本實施方式中，第一開口2O1、第二開口2O2、第三開口2O3及第四開口2O4是在同一個切削移除程序中被同時形成。在本實施方式中所進行的切削移除程序可使用任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一方法來進行，例如使用機械切削的方式或電腦數值控制(CNC)雷射切割的方式。切削移除程序例如是透過與偵測窗204相同形狀大小的刀模來進行，或是透過輸入與偵測窗204相同形狀大小的電腦數值控制程式以進行雷射切割。對位的方式例如是以光線自偵測窗204的頂面TS透射至研磨墊200的後側B的方式，或是將偵測窗204的頂面TS對準至預形成於切削平台上的對準標記，而刀模或電腦數值控制程式之位置亦對準至預形成於切削平台上的對準標記的對位方式，因此第一開口2O1、第二開口2O2、第三開口2O3及第四開口2O4的邊緣都會對齊偵測窗204的邊緣。由於第一黏著層206a及其第一開口2O1、基底層212及其第二開口2O2、第二黏著層206b及其第三開口2O3、離型層208及其第四開口2O4的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

最後，請參照圖5C，形成連接於離型層208且橫跨第四開口2O4的偵測窗保護層210，以完成研磨墊200的製作。在本實施方式中，偵測窗保護層210連接離型層208的方式可例如包括（但不限於）：熱融合、黏著或靜電吸附。由於偵測窗保護層210的其他相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

另外，基於圖4的實施方式的內容可知，偵測窗保護層210在可見光下具有透光性，藉此使得在裝置研磨墊200至研磨平台上時可透過相重疊的偵測窗204及偵測窗保護層210來與研磨平台上的光學偵測系統進行對位後再一併移除離型層208及偵測窗保護層210以進行研磨墊200與研磨平台的貼合。

另外，由於第一黏著層206a的第一開口2O1、基底層212的第二開口2O2、第二黏著層206b的第三開口2O3及離型層208的第四開口2O4皆用以暴露出偵測窗204，因此依據偵測窗204的數量，第一黏著層206a也可以具有多個第一開口2O1、基底層212也可以具有多個第二開口2O2、第二黏著層206b也可以具有多個第三開口2O3，且離型層208也可以具有多個第四開口2O4，但本發明並不限於此。

圖6是依照本發明的一實施方式的研磨方法的流程圖。此研磨方法適用於研磨物件。詳細而言，此研磨方法可應用於製造工業元件的研磨製程，例如是應用於電子產業的元件，其可包括半導體、積體電路、微機電、能源轉換、通訊、光學、儲存碟片、及顯示器等元件，而製作這些元件所使用的物件可包括半導體晶圓、ⅢⅤ族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但並非用以限定本發明的範圍。

請參照圖6，首先，進行步驟S10，提供研磨墊。詳言之，在本實施方式中，研磨墊可以是前述實施方式中所述的任一種研磨墊，例如研磨墊100、200。而研磨墊100、200的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

接著，進行步驟S12，移除研磨墊100、200中的離型層108、208，以使研磨墊100、200配置於研磨平台上。在本實施方式中，離型層108是配置於黏著層106的下方，且離型層208是配置於第二黏著層206b的下方，因此移除離型層108、208後會使得黏著層106及第二黏著層206b暴露出。基於此，研磨墊100是以貼合方式透過黏著層106而黏著固定於研磨平台上，而研磨墊200是以貼合方式透過第二黏著層206b而黏著固定於研磨平台上。另外，如前文所述，偵測窗保護層110、210連接於離型層108、208，因此偵測窗保護層110、210會隨著離型層108、208一併被移除。

接著，進行步驟S14，對物件施加壓力。藉此，物件會被壓置於研磨墊上，並與研磨墊接觸。在此步驟S14中，物件會與研磨層102、202的研磨面PS接觸。其中，對物件施加壓力的方式例如是使用能夠固持物件的載具來進行。

之後，進行步驟S16，對物件及研磨墊提供相對運動，以利用研磨墊對物件進行研磨程序，而達到平坦化的目的。其中，對物件及研磨墊提供相對運動的方法可例如是：透過研磨平台進行旋轉來帶動固定於研磨平台上的研磨墊旋轉。

另外，在圖1及圖2的實施方式中，研磨墊100、200包括離型層108、208，且偵測窗保護層110、210連接於離型層108、208，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，研磨墊所具有的偵測窗保護層也可以是其他形式。以下，將參照圖7~12進行詳細說明。

圖7是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。圖8是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的後視立體示意圖。請同時參照圖7及圖1，圖7的研磨墊300與圖1的研磨墊100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明即不再贅述。值得一提的是，研磨層302、偵測窗304、黏著層306及其開口3O可與圖1的實施方式中對應者相同或相似，故相關說明即不再贅述。另外，圖8繪示的是研磨墊300的後側B的立體結構。以下，將就研磨墊300與研磨墊100之間的差異處進行說明。

請同時參照圖7及圖8，研磨墊300包括配置於黏著層306的下方的偵測窗保護層308。其中，黏著層306配置於研磨層302的背面BS下方，且具有暴露出偵測窗304的開口3O。在本實施方式中，黏著層306黏附於研磨層302的背面BS，但不黏附於偵測窗304。換言之，黏著層306僅覆蓋研磨層302的背面BS，而未覆蓋偵測窗304的底面US。因此，使得黏著層306形成具有暴露出偵測窗304的開口3O，且偵測窗304的邊緣對齊開口3O的邊緣。再者，藉由黏著層306的黏合力得以使研磨層302及偵測窗保護層308能黏合在一起，且偵測窗保護層308橫跨黏著層306的開口3O。另外，如圖7所示，偵測窗保護層308的面積等於研磨墊300的面積。

另外，在本實施方式中，偵測窗保護層308在可見光下具有透光性。詳言之，對於波長介於380 nm至780 nm之間的光，偵測窗保護層308的透光率為20%至100%。如此一來，在裝置研磨墊300至研磨平台上時可透過相重疊的偵測窗304及偵測窗保護層308來與研磨平台上的光學偵測系統進行對位後再移除偵測窗保護層308以進行研磨墊300與研磨平台的貼合。另外，在本實施方式中，偵測窗保護層308可例如包括（但不限於）：離型膜，而離型膜的材料例如包括（但不限於）：聚醯亞胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含矽酮聚合物或含氟素聚合物，但本發明並不限於此。

值得說明的是，在本實施方式中，研磨墊300透過包括配置於黏著層306的下方且橫跨開口3O的偵測窗保護層308，使得能夠有效地保護偵測窗304的底面US不會在進入研磨製程前的運送或存放的過程中沾附外來物。如此一來，在進入研磨製程前的運送及存放的過程中或是裝置研磨墊的過程中，偵測窗304的底面US不會沾附髒汙或產生刮傷或缺陷，藉此使得在研磨製程期間，偵測窗304能夠提供完善的偵測效果。

進一步而言，如前文所述，偵測窗保護層308是配置於黏著層306的下方，因此偵測窗保護層308除了能夠有效地保護偵測窗304的底面US不會在進入研磨製程前的運送及存放的過程中或是裝置研磨墊的過程中沾附外來物，還能夠有效地保護黏著層306，以避免黏著層306的黏性消失。也就是說，偵測窗保護層308同時具有保護偵測窗304及黏著層306的功用。

以下，以下，將參照圖9A至圖9D來說明研磨墊300的製造方法。圖9A至圖9D是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的製造流程的剖面示意圖。

請參照圖9A，首先，形成具有偵測窗304的研磨層302。於研磨層302中形成偵測窗304的方法可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一方法，例如利用機械切削的方式於研磨層中裁切出預定大小的偵測窗開口後，於前述偵測窗開口內灌入偵測窗材料，並藉由固化程序使偵測窗材料固化以形成偵測窗。由於研磨層302、偵測窗304的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

之後，於研磨層302的背面BS下方依序形成黏著層306及暫存層310。此時，黏著層306及暫存層310是全面性地覆蓋於研磨層302的背面BS下方。換言之，黏著層306與偵測窗304的底面US相黏合。另外，在本實施方式中，暫存層310可例如包括（但不限於）：離型膜，且離型膜的材料例如包括（但不限於）：聚醯亞胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含矽酮聚合物或含氟素聚合物，但本發明並不限於此。

接著，請參照圖9B，對黏著層306及暫存層310進行切削移除程序，去除預定部分的黏著層306及暫存層310，以於黏著層306中形成暴露出偵測窗304的開口3O及於暫存層310中形成暴露出偵測窗304的暫存開口X。換言之，開口3O及暫存開口X是在同一個切削移除程序中被同時形成。在本實施方式中，所使用到的切削移除程序可使用任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一方法來進行，例如使用機械切削或電腦數值控制(CNC)雷射切割的方式。切削移除程序例如是透過與偵測窗304相同形狀大小的刀模來進行，或是透過輸入與偵測窗304相同形狀大小的電腦數值控制程式以進行雷射切割。而對位的方式例如是以光線自偵測窗304的頂面TS透射至研磨墊300的後側B的方式，或是將偵測窗304的頂面TS對準至預形成於切削平台上的對準標記，而刀模或電腦數值控制程式之位置亦對準至預形成於切削平台上的對準標記的對位方式，因此開口3O及暫存開口X的邊緣都會對齊偵測窗304的邊緣。前述黏著層306及其開口3O的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。另外，由於暫存層310的暫存開口X也用以暴露出偵測窗304，因此依據偵測窗304的數量，暫存層310也可以具有多個暫存開口X。

之後，請參照圖9C，移除暫存層310，以暴露出黏著層306。在本實施方式中，移除暫存層310可透過撕除的方式來進行。

最後，請參照圖9D，形成配置於黏著層306的下方且橫跨開口3O的偵測窗保護層308，以完成研磨墊300的製作。由於偵測窗保護層308的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

另外，在圖7的實施方式中，偵測窗保護層308與研磨層302之間僅配置有黏著層306，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，偵測窗保護層與研磨層之間也可配置有基底層。以下，將參照圖10進行詳細說明。

圖10是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。請同時參照圖10及圖7，圖10的研磨墊400與圖7的研磨墊300相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明即不再贅述。值得一提的是，研磨層402、偵測窗404、以及偵測窗保護層408可與圖7的實施方式中對應者相同或相似，故相關說明即不再贅述。另外，圖10的研磨墊400的後側B的立體結構請參考圖8。以下，將就研磨墊400與研磨墊300之間的差異處進行說明。

請參照圖10，研磨墊400包括配置於研磨層402的背面BS下方的第一黏著層406a。在本實施方式中，第一黏著層406a黏附於研磨層402的背面BS，且具有暴露出偵測窗404的第一開口4O1。詳言之，第一黏著層406a僅覆蓋於研磨層402的背面BS，並未覆蓋偵測窗404的底面US，因此得以形成具有暴露出偵測窗404的第一開口4O1，且偵測窗404的邊緣對齊第一開口4O1的邊緣。其中，第一黏著層406a例如是（但不限於）：無載體膠、雙面膠、熱熔膠或溼氣硬化膠。第一黏著層406a的材料例如是（但不限於）：壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠系膠、環氧樹脂系膠或聚氨酯系膠，但本發明並不限於此。

研磨墊400包括配置於第一黏著層406a下方的基底層410。其中，基底層410的主要作用在於襯墊研磨層402，藉由第一黏著層406a的黏合力得以使研磨層402及基底層410連結在一起。另外，由於基底層410僅覆蓋於第一黏著層406a，並未覆蓋於偵測窗404的底面US，而使得基底層410具有暴露出偵測窗404的第二開口4O2。而且，偵測窗404的邊緣對齊第二開口4O2的邊緣。在本實施方式中所使用到的基底層410的材質可例如為聚氨酯、聚丁二烯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯與乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物、或聚丙烯與乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物，但本發明並不限於此。

研磨墊400包括配置於基底層410下方的第二黏著層406b。在本實施方式中，第二黏著層406b黏附於基底層410之遠離第一黏著層406a的背面上。換言之，基底層410是介於第一黏著層406a與第二黏著層406b之間。其中，由於第二黏著層406b僅覆蓋於基底層410，並未覆蓋於偵測窗404的底面US，而使得第二黏著層406b具有暴露出偵測窗404的第三開口4O3，且偵測窗404的邊緣對齊第三開口4O3的邊緣。在此所使用到的第二黏著層406b可例如是（但不限於）：無載體膠或雙面膠。第二黏著層406b的材料例如是（但不限於）：壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠系膠、環氧樹脂系膠或聚氨酯系膠，但本發明並不限於此。

在研磨墊400中，偵測窗保護層408配置於第二黏著層406b的下方且橫跨第二黏著層406b的第三開口4O3。藉由第二黏著層406b的黏合力使得基底層410及偵測窗保護層408得以黏合在一起。

值得說明的是，在本實施方式中，研磨墊400透過包括配置於第二黏著層406b的下方且橫跨第三開口4O3的偵測窗保護層408，使得能夠有效地保護偵測窗404的底面US不會在進入研磨製程前的運送或存放的過程中沾附外來物。如此一來，在進入研磨製程前的運送及存放的過程中或是裝置研磨墊的過程中，偵測窗404的底面US不會沾附髒污或產生刮傷或缺陷，藉此使得在研磨製程期間，偵測窗404能夠提供完善的偵測效果。

進一步而言，如前文所述，偵測窗保護層408是配置於第二黏著層406b的下方，因此偵測窗保護層408除了能夠有效地保護偵測窗404的底面US不會在進入研磨製程前的運送及存放的過程中或是裝置研磨墊的過程中沾附外來物，還能夠有效地保護第二黏著層406b，以避免第二黏著層406b的黏性消失。也就是說，在本實施方式中，偵測窗保護層408同時具有保護偵測窗404及第二黏著層406b的功用。

另外，基於圖10的實施方式的內容可知，偵測窗保護層408在可見光下具有透光性，藉此使得在裝置研磨墊400至研磨平台上時可透過相重疊的偵測窗404及偵測窗保護層408來與研磨平台上的光學偵測系統進行對位後再移除偵測窗保護層408以進行研磨墊400與研磨平台的貼合。

另外，由於第一黏著層406a的第一開口4O1、基底層410的第二開口4O2、第二黏著層406b的第三開口4O3皆用以暴露出偵測窗404，因此依據偵測窗404的數量，第一黏著層406a也可以具有多個第一開口4O1、基底層410也可以具有多個第二開口4O2、且第二黏著層406b也可以具有多個第三開口4O3，但本發明並不限於此。

以下，將參照圖11A至圖11D來說明研磨墊400的製造方法。圖11A至圖11D是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的製造流程的剖面示意圖。

請參照圖11A，首先，形成具有偵測窗404的研磨層402。於研磨層402中形成偵測窗404的方法可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一方法，例如利用機械切削的方式於研磨層中裁切出預定大小的偵測窗開口後，於前述偵測窗開口內灌入偵測窗材料，並藉由固化程序使偵測窗材料固化以形成偵測窗。由於研磨層402、偵測窗404的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

之後，於研磨層402的背面BS下方依序形成第一黏著層406a、基底層410、第二黏著層406b及暫存層412。此時，第一黏著層406a、基底層410、第二黏著層406b及暫存層412是全面性地覆蓋於研磨層402的背面BS下方。換言之，第一黏著層406a、基底層410、第二黏著層406b及暫存層412皆形成於偵測窗404的底面US下方。

接著，請參照圖11B，對第一黏著層406a、基底層410、第二黏著層406b及暫存層412進行切削移除程序，去除預定部分的第一黏著層406a、基底層410、第二黏著層406b及暫存層412，以於第一黏著層406a中形成暴露出偵測窗404的第一開口4O1、於基底層410中形成暴露出偵測窗404的第二開口4O2、於第二黏著層406b中形成暴露出偵測窗404的第三開口4O3、及於暫存層412中形成暴露出偵測窗404的暫存開口Y。也就是說，在本實施方式中，第一開口4O1、第二開口4O2、第三開口4O3及暫存開口Y是在同一個切削移除程序中被同時形成。在此所進行的切削移除程序可使用任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一方法來進行，例如使用機械切削或電腦數值控制(CNC)雷射切割的方式。切削移除程序例如是透過與偵測窗404相同形狀大小的刀模來進行，或是透過輸入與偵測窗404相同形狀大小的電腦數值控制程式以進行雷射切割。而對位的方式例如是以光線自偵測窗404的頂面TS透射至研磨墊400的後側B的方式，或是將偵測窗404的頂面TS對準至預形成於切削平台上的對準標記，而刀模或電腦數值控制程式之位置亦對準至預形成於切削平台上的對準標記的對位方式，因此第一開口4O1、第二開口4O2、第三開口4O3及暫存開口Y的邊緣都會對齊偵測窗404的邊緣。前述第一黏著層406a及其第一開口4O1、基底層410及其第二開口4O2、第二黏著層406b及其第三開口4O3的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。另外，由於暫存層412的暫存開口Y也用以暴露出偵測窗404，因此依據偵測窗404的數量，暫存層412也可以具有多個暫存開口Y，但本發明並不限於此。

之後，請參照圖11C，移除暫存層412，以暴露出第二黏著層406b。在本實施方式中，移除暫存層412可透過撕除的方式來進行

最後，請參照圖11D，形成配置於第二黏著層406b的下方且橫跨第三開口4O3的偵測窗保護層408，以完成研磨墊400的製作。前述偵測窗保護層408的其他相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

圖12是依照本發明的另一實施方式的研磨方法的流程圖。此研磨方法適用於研磨物件。詳細而言，此研磨方法可應用於製造工業元件的研磨製程，例如是應用於電子產業的元件，其可包括半導體、積體電路、微機電、能源轉換、通訊、光學、儲存碟片、及顯示器等元件，而製作這些元件所使用的物件可包括半導體晶圓、ⅢⅤ族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但並非用以限定本發明的範圍。

請參照圖12，首先，進行步驟S20，提供研磨墊。詳細而言，在本實施方式中，研磨墊可以是圖7、圖10的實施方式中所述的研磨墊300、400。而前述研磨墊300、400的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

接著，進行步驟S22，移除研磨墊300、400中的偵測窗保護層308、408，以使研磨墊300、400配置於研磨平台上。詳言之，如前文所述，偵測窗保護層308是配置於黏著層306的下方以及偵測窗保護層408是配置於第二黏著層406b的下方，因此移除偵測窗保護層308、408後會使得黏著層306及第二黏著層406b暴露出。基於此，研磨墊300是以貼合方式透過黏著層306而黏著固定於研磨平台上，而研磨墊400是以貼合方式透過第二黏著層406b而黏著固定於研磨平台上。

接著，進行步驟S24，對物件施加壓力。藉此，物件會被壓置於所述研磨墊上，並與所述研磨墊接觸。在此步驟S24中，物件會與研磨層302、402的研磨面PS相接觸。另外，對物件施加壓力的方式例如是使用能夠固持物件的載具來進行。

之後，進行步驟S26，對物件及研磨墊提供相對運動，以利用研磨墊對物件進行研磨程序，而達到平坦化的目的。在此步驟S26中，對物件及研磨墊提供相對運動的方法例如是：透過研磨平台進行旋轉來帶動固定於研磨平台上的研磨墊旋轉。

另外，前述各實施方式中，偵測窗保護層與偵測窗之間的開口內可以置入支撐層，例如是泡棉塞去填滿開口，以避免開口在使用前受到不當的外力而造成變形。而在使用研磨墊之前，也就是裝置研磨墊於研磨平台的過程，可將偵測窗保護層與偵測窗之間的開口支撐層移除。

綜上所述，本發明的研磨墊透過包括配置於黏著層的下方且橫跨黏著層的開口的偵測窗保護層，或者透過包括配置於第二黏著層的下方且橫跨第二黏著層的開口的偵測窗保護層，藉此使得在進入研磨製程前的運送及存放的過程中或是裝置研磨墊的過程中，偵測窗保護層能夠保護偵測窗的底面不會沾附外來物或產生刮傷或缺陷，進而使得在研磨製程期間，偵測窗能夠提供完善的偵測效果。

另外，本發明的研磨墊透過包括偵測窗保護層，使得可以防止在進入研磨製程前的運送及存放的過程中水氣經由偵測窗下方的黏著層或是基底層的開口滲透到黏著層或是基底層，因而黏著層的黏著力或是基底層的物性不會受到破壞進而確保研磨墊的品質良好。

另外，偵測窗保護層也可有效地防止研磨墊的離型層在進入研磨製程前的運送及存放的過程中因為應力的關係產生皺摺，使得研磨墊原本互相黏接的離型層與黏著層不會因皺摺而產生剝離，進而導致黏著層可能沾附外來物而影響黏著力。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400‧‧‧研磨墊

102、202、302、402‧‧‧研磨層

104、204、304、404‧‧‧偵測窗

106、306‧‧‧黏著層

108、208‧‧‧離型層

110、210、308、408‧‧‧偵測窗保護層

206a、406a‧‧‧第一黏著層

206b、406b‧‧‧第二黏著層

212、410‧‧‧基底層

310、412‧‧‧暫存層

B‧‧‧後側

BS‧‧‧背面

F‧‧‧前側

O1、2O1、4O1‧‧‧第一開口

O2、2O2、4O2‧‧‧第二開口

2O3、4O3‧‧‧第三開口

2O4‧‧‧第四開口

3O‧‧‧開口

PS‧‧‧研磨面

S10、S12、S14、S16、S20、S22、S24、S26‧‧‧步驟

TS‧‧‧頂面

US‧‧‧底面

X、Y‧‧‧暫存開口

圖1是依照本發明的一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的一實施方式的研磨墊的後視示意圖。 圖3A至圖3C是依照本發明的一實施方式的研磨墊的製造流程的剖面示意圖。 圖4是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。 圖5A至圖5C是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的製造流程的剖面示意圖。 圖6是依照本發明的一實施方式的研磨方法的流程圖。 圖7是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。 圖8是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的後視立體示意圖。 圖9A至圖9D是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的製造流程的剖面示意圖。 圖10是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。 圖11A至圖11D是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的製造流程的剖面示意圖。 圖12是依照本發明的另一實施方式的研磨方法的流程圖。

Claims (29)

1. 一種研磨墊，包括：研磨層，具有彼此相對的研磨面及背面；至少一偵測窗，位於所述研磨層中，且所述偵測窗的底面與所述研磨層的所述背面共平面；黏著層，配置於所述研磨層的所述背面下方，所述黏著層具有至少一第一開口暴露出所述至少一偵測窗；離型層，配置於所述黏著層的下方，所述離型層具有至少一第二開口暴露出所述至少一偵測窗；以及偵測窗保護層，連接於所述離型層且橫跨所述至少一第二開口，其中所述至少一偵測窗的邊緣對齊所述至少一第一開口與所述至少一第二開口的邊緣。
2. 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層在可見光下具有透光性。
3. 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層包括離型膜、膠帶或靜電吸附膜。
4. 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層的面積大於所述偵測窗的面積且小於或等於所述研磨墊的面積。
5. 一種研磨墊，包括：研磨層，具有彼此相對的研磨面及背面； 至少一偵測窗，位於所述研磨層中，且所述偵測窗的底曲與所述研磨層的所述背面共平面；黏著層，配置於所述研磨層的所述背面下方，所述黏著層具有至少一開口暴露出所述至少一偵測窗；以及偵測窗保護層，配置於所述黏著層的下方且橫跨所述至少一開口，其中所述至少一偵測窗的邊緣對齊所述至少一開口的邊緣。
6. 如申請專利範圍第5項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層在可見光下具有透光性。
7. 如申請專利範圍第5項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層包括離型膜。
8. 如申請專利範圍第7項所述的研磨墊，其中所述離型膜的材料包括聚醯亞胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含矽酮聚合物或含氟素聚合物。
9. 如申請專利範圍第5項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層的面積等於所述研磨墊的面積。
10. 一種研磨墊，包括：研磨層，具有彼此相對的研磨面及背面；至少一偵測窗，位於所述研磨層中，且所述偵測窗的底面與所述研磨層的所述背面共平面；第一黏著層，配置於所述研磨層的所述背面下方，所述第一黏著層具有至少一第一開口暴露出所述至少一偵測窗； 基底層，配置於所述第一黏著層的下方，所述基底層具有生少一第二開口暴露出所述至少一偵測窗；第二黏著層，配置於所述基底層的下方，所述第二黏著層具有至少一第三開口暴露出所述至少一偵測窗；離型層，配置於所述第二黏著層的下方，所述離型層具有至少一第四開口暴露出所述至少一偵測窗；以及偵測窗保護層，連接於所述離型層且橫跨所述至少一第四開口，其中所述至少一偵測窗的邊緣對齊所述至少一第一開口、所述至少一第二開口、所述至少一第三開口及所述至少一第四開口的邊緣。
11. 如申請專利範圍第10項所述的研磨墊，其中偵測窗保護層在可見光下具有透光性。
12. 如申請專利範圍第10項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層包括離型膜、膠帶或靜電吸附膜。
13. 如申請專利範圍第10項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層的面積大於所述偵測窗的面積且小於或等於所述研磨墊的面積。
14. 一種研磨墊，包括：研磨層，具有彼此相對的研磨面及背面；至少一偵測窗，位於所述研磨層中，且所述偵測窗的底面與所述研磨層的所述背面共平面； 第一黏著層，配置於所述研磨層的所述背面下方，所述第一黏著層具有至少一第一開口暴露出所述至少一偵測窗；基底層，配置於所述第一黏著層的下方，所述基底層具有至少一第二開口暴露出所述至少一偵測窗；第二黏著層，配置於所述基底層的下方，所述第二黏著層具有至少一第三開口暴露出所述至少一偵測窗；以及偵測窗保護層，配置於所述第二黏著層的下方且橫跨所述至少一第三開口，其中所述至少一偵測窗的邊緣對齊所述至少一第一開口、所述至少一第二開口及所述至少一第三開口的邊緣。
15. 如申請專利範圍第14項所述的研磨墊，其中偵測窗保護層在可見光下具有透光性。
16. 如申請專利範圍第14項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層包括離型膜。
17. 如申請專利範圍第16項所述的研磨墊，其中所述離型膜的材料包括聚醯亞胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含矽酮聚合物或含氟素聚合物。
18. 如申請專利範圍第14項所述的研磨墊，其中所述偵測窗保護層的面積等於所述研磨墊的面積。
19. 一種研磨方法，適用於研磨物件，包括：提供研磨墊，所述研磨墊如申請專利範圍第1至4項、第10至13項中任一項所述的研磨墊； 移除所述研磨墊中的所述離型層，以使所述研磨墊配置於研磨平台上；對所述物件施加壓力以壓置於所述研磨墊上；以及對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。
20. 如申請專利範圍第19項所述的研磨方法，其中移除所述研磨墊中的所述離型層的步驟同時移除所述偵測窗保護層。
21. 一種研磨方法，適用於研磨物件，包括：提供研磨墊，所述研磨墊如申請專利範圍第5至9項、第14至18項中任一項所述的研磨墊；移除所述研磨墊中的所述偵測窗保護層，以使所述研磨墊配置於研磨平台上；對所述物件施加壓力以壓置於所述研磨墊上；以及對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。
22. 一種研磨墊的製造方法，包括：形成具有至少一偵測窗的研磨層，所述研磨層具有彼此相對的研磨面與背面，且所述偵測窗的底面與所述研磨層的所述背面共平面；於所述研磨層的所述背面下方依序形成黏著層及離型層；對所述黏著層及所述離型層進行切削移除程序，以於所述黏著層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一第一開口及於所述離型層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一第二開口；以及形成偵測窗保護層，其中所述偵測窗保護層連接於所述離型 層且橫跨所述至少一第二開口，其中所述至少一偵測窗的邊緣對齊所述至少一第一開口與所述至少一第二開口的邊緣。
23. 如申請專利範圍第22項所述的研磨墊的製造方法，其中所述偵測窗保護層連接於所述離型層的方式包括熱融合、黏著或靜電吸附。
24. 一種研磨墊的製造方法，包括：形成具有至少一偵測窗的研磨層，所述研磨層具有彼此相對的研磨面與背面；於所述研磨層的所述背面下方依序形成黏著層及暫存層；對所述黏著層及所述暫存層進行切削移除程序，以於所述黏著層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一開口及於所述暫存層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一暫存開口；移除所述暫存層；以及形成偵測窗保護層，其中所述偵測窗保護層配置於所述黏著層的下方且橫跨所述至少一開口。
25. 如申請專利範圍第24項所述的研磨墊的製造方法，其中所述暫存層包括離型膜，且所述離型膜的材料包括聚醯亞胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含矽酮聚合物或含氟素聚合物。
26. 一種研磨墊的製造方法，包括：形成具有至少一偵測窗的研磨層，所述研磨層具有彼此相對的研磨面與背面，且所述偵測窗的底面與所述研磨層的所述背面 共平面；於所述研磨層的所述背面下方依序形成第一黏著層、基底層、第二黏著層及離型層；對所述第一黏著層、所述基底層、所述第二黏著層及所述離型層進行切削移除程序，以於所述第一黏著層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一第一開口、於所述基底層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一第二開口、於所述第二黏著層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一第三開口、及於所述離型層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一第四開口；以及形成偵測窗保護層，其中所述偵測窗保護層連接於所述離型層且橫跨所述至少一第四開口，其中所述至少一偵測窗的邊緣對齊所述至少一第一開口、所述至少一第二開口、所述至少一第三開口及所述至少一第四開口的邊緣。
27. 如申請專利範圍第26項所述的研磨墊的製造方法，其中所述偵測窗保護層連接於所述離型層的方式包括熱融合、黏著或靜電吸附。
28. 一種研磨墊的製造方法，包括：形成具有至少一偵測窗的研磨層，所述研磨層具有彼此相對的研磨面與背面；於所述研磨層的所述背面下方依序形成第一黏著層、基底層、第二黏著層及暫存層； 對所述第一黏著層、所述基底層、所述第二黏著層及所述暫存層進行切削移除程序，以於所述第一黏著層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一第一開口、於所述基底層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一第二開口、於所述第二黏著層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一第三開口、及於所述暫存層中形成暴露出所述至少一偵測窗的至少一暫存開口；移除所述暫存層；以及形成偵測窗保護層，其中所述偵測窗保護層配置於所述第二黏著層的下方且橫跨所述至少一第三開口。
29. 如申請專利範圍第28項所述的研磨墊的製造方法，其中所述暫存層包括離型膜，且所述離型膜的材料包括聚醯亞胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含矽酮聚合物或含氟素聚合物。