JPH02125440A

JPH02125440A - 薄板加工装置及び薄板加工方法

Info

Publication number: JPH02125440A
Application number: JP63278644A
Authority: JP
Inventors: Chiaki Endo; 千昭遠藤; Kazuo Ichikawa; 市川　一雄
Original assignee: Takashima Sangyo KK
Current assignee: Takashima Sangyo KK
Priority date: 1988-11-04
Filing date: 1988-11-04
Publication date: 1990-05-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野］本発明は、薄板加工装置及び薄板加工方法に関するもの
である。そして本発明は、ＩＣを作り込んだウェハー等
の薄板状の物品であれば何でも適用できるものである。

〔従来の技術〕

一般的に、薄板の一方の面に対して研摩、研削等の加工
をする場合は、薄板の他方の面を固定する必要がある。

そして、さらにその固定される薄板の他方の面は保護す
る必要がある。その理由は、固定時に薄板の他方の固定
される面を傷つけないようにするためと、その他方の固
定される面を平坦に保ち確実に固定を行うためである。

そして、この薄板の固定する側の面の保護として最も良
く行われている手段は、保護テープとなる粘着テープ等
を張りつけるものである。

ここで、第２図（ａ）、　（ｂ）及び第３図（ａ）　〜
（ｆ）を用いて、従来の薄板の加工について説明する。

ここでは、薄板としてＩＣが作り込まれたウェハーを例
にとって説明する。

第２図（ａ）、　（ｂ）において、２１はウェハー、２
２は保護テープ、２３はテープ、２４は接着剤、２１ａ
はＩＣ等が作り込まれるウェハー２１の第１面、２１ｂ
は２１ａと反対の第２面を示す。そして、第２図（ａ）
、（ハ）は薄板としてのウェハー２１に、ウェハーの固
定面の保護等を行う粘着テープとなる保護テープ２２を
形成した状態を示す。第２図（ａ）はその斜視図を示し
、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ−Ａ’断面図を示す
。ここでテープ２３の厚さと接着剤２４の厚さとを合計
した保護テープ２２の厚さは通常７０μｍ程度であり、
加工前のウェハー２１の厚さは通常４（１０〜６５０　
Ｂｍ程度である。

次に、第２図（ａ）、　（ｂ）のように保護テープ２２
がウェハー２１の固定面に形成した後に行う、従来の薄
板の加工について第３図（ａ）〜（ｆ）を用いて説明す
る。

第３図（ａ）　〜（ｆ）において、３１はウェハー、３
１ａはＩＣ等が作り込まれるウェハー３１の第１面、３
１ｂは３１ａと反対の第２面、３２は保護テープ、３３
はグラインダー、３４は固定チャック、３５はローダー
、３６は剥離テープ、３７は圧着ローラ、３８は洗浄液
、３９は洗浄容器である。

−船釣に、ウェハー中にＩＣ等の素子を作り込むＩＣの
製造工程中は、ウェハーが簡単に割れないように充分な
強度を持たせることが必要である。

そのため、ＩＣの製造工程中のウェハーは比較的厚い状
態となっている。その後、ウェハーをＩＣチップ１個１
個にスクライブしてモールド等する段階においては、Ｉ
Ｃチップの厚みは薄い方が良い。そのため、ＩＣを作り
込んだウェハーのＩＣが形成されていない面、すなわち
第２図、第３図における第２面２１ｂまたは３１ｂを研
摩してウェハーを薄くするのである。この時、ＩＣを作
り込んだウェハーのＩＣが形成されている面、すなわち
第２図、第３図における第１面２１ａまたは３１ａは、
第２面２１ｂまたは３１ｂの研摩時に固定チャック３４
に負圧等により保護テープ２２または３２を介して固定
される。

第３図（ａ）は、ウェハー３１の研摩工程を示す。

ウェハー３１のＩＣ等が作り込まれている第１面３１ａ
が保護テープ３２を介して、真空チャック等の固定チャ
ック３４に負圧等により固定される。

そして、ウェハー３１のＩＣ等が作り込まれていない第
２面３１ｂが、回転するグラインダー３３等により研摩
される。このグラインダー３３の径は、ウェハー３１に
対してさらに大きくても、また小さくてもかまわない、
これにより、ウェハー３１を所望の厚さにする。この時
、保護テープ３２はウェハー３１の第１面３１ａに形成
されているＩＣ等の素子の保護を行っている。

そして、第３図（ロ）のように研摩されたウェハー３１
をローダ−３５に入れて、１枚ずつ次工程・へ送る。

第３図（Ｃ）は、第３図（ａ）の研摩工程で保護テープ
３２上に付着した異物、ゴミ等を保護テープ３２上に純
水等を滴下後、ウェハー３１を回転して除去するスピン
ナー工程である。

第３図（ｄ）は、ウェハー３１を最終的に方向をそろえ
てホルダーに収納するため、また保護テープ３２を剥離
する時の状態を整えるための工程である。この時、ウェ
ハー３１の進行方向りに対してオリエンテーションフラ
ットの中心点Ｐまでのウェハー３１の中心Ｃに対する角
度ｎは３０’〜６０＠、好ましくは４５″等ある程度と
っておく。

この理由は次の３点である。まず、オリエンテーション
フラット正面からだと保護テープ３２を剥離しずらいこ
と、ウェハー３１の結晶方向に平行又は直角方向に保護
テープ３２を剥離すると剥離時にウェハー３１が割れ易
いこと、そしてグラインダー３３が大径であるときその
研削方向に直角方向に保護テープ３２を剥離するとウェ
ハー３１が割れ易いことである。

第３図（ｅ）は、保護テープ３２をそれよりもさらに粘
着力の強い剥離テープ３６を圧着ローラ３７で圧着する
ことにより剥離する。この剥離テープ３６は通常細長い
形状でロールされている。この保護テープ３２の剥離は
剥離テープ３６ではなくて、他の機械的手段による剥離
でもかまわない。

第３図（ｆ）は、保護テープ３２を剥離した後に、ウェ
ハー３１を洗浄する工程であり、洗浄容器３９内に設け
られる洗浄液３８としてはエチルアルコール、イソ・プ
ロピル・アルコール等が使われる。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述の従来技術によると以下のような問題が生じる。

保護テープ３２がウェハー３１の第１面３１ａと固定チ
ャック３４との間に存在し光状態で保護テープ３２をさ
らに第１面３１ａへ接着する方向の圧力が加わること、
また保護テープ３２に研摩時に熱が加わること、さらに
ウェハー３１の第２面３１ｂを研摩した時の削りかすの
異物、ゴミ等が保護テープ３２上に付着して、第３図（
Ｃ）のスビンナー工程だけでは完全に除去できないこと
により、保護テープ３２が剥離テープ３６では完全に剥
離されない場合が発生する。

これにより、保護テープ３２が完全に剥離されない事態
が発生するたびに製造ラインが停止していた。

また、このような問題点を解決するために保護テープ３
２の剥離を機械的手段によらず剥離テープで行う場合に
は、高価な剥離テープの幅を広げたり、剥離テープを２
本またはそれ以上使用したりしていた。しかし、この場
合には保護テープ３２の剥離に多大な費用が必要となり
、処理工程のコストアップとなっていた。しかも、その
ような方法を用いたとしてもやはりどのような状態の保
護テープをも１（１０％剥離テープにより剥離するのは
不可能であった。

そこで本発明の目的は、コストアップを伴わずにウェハ
ー等の薄板から保護テープの剥離が１（１０％行える薄
板加工装置及び薄板加工方法を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

そこで本発明では、ウェハー等の薄板から保護テープを
剥離テープまたは他の機械的手段により剥離する機構ま
たは工程の前に、保護テープの一部を予め剥離するプレ
リムーブ機構またはプレリムーブ工程を設けることによ
り、保護テープを信軌性良く完全に剥離するのである。

〔作用〕

本発明は、ウェハー等の薄板の第１面を保護テープを介
して固定した状態で、第１面とは反対の第２面を研摩し
て厚さを薄くする工程等の後の工程に関するものである
。ただし、この研摩工程は必ず必要なものではなく、他
の一部研削工程または各種物質のコーティング工程等で
もかまわない。

そして、この研摩工程等の摩擦による熱及び固定時の強
い圧着力により保護テープが剥離しにくくなり、さらに
研摩工程等で発生する異物、ゴミ等が保護テープ表面上
に付着することにより保護テープが剥離しにくくなる。

そのため、本発明は保護テ〒ブを剥離テープまたは他の
機械的手段により完全に剥離する前に、保護テープの一
部を予め剥離するプレリムニブ機構またはプレリムーブ
工程を設けることにより、保護テープの１（１０％剥離
を達成しているのである。

ここで、本発明の前提となることを説明する。

保護テープを剥離する場合には、予め保護テープのサイ
ズを一部または全部、ウェハーのサイズよりも大きくし
て、ウェハーからはみ出る状態にしておけば剥離段階に
おいて非常に好都合である。

しかしながら、このように、保護テープをウェハーから
一部または全部はみ出させて設けると、後のウェハーの
片面の研摩工程等においてグラインダーまたはウェハー
の固定チャック等が保護テープを捲き込んでしまい、ウ
ェハーの割れる原因となる。そこで、第２図（ａ）、　
（ｂ）のように保護テープ２２のサイズはウェハー２１
のサイズとほぼ同じサイズとするか、多少小さいサイズ
としなければならないのである。このような状況も、ウ
ェハーから保護テープを剥離しずらくする要因の１つと
なっているのである。

通常薄板の一例であるウェハーは、ＩＣ等の素子を作り
込んだ直後の厚さは４（１０〜６５０μｍである。そし
て、ウェハーのＩＣ等の素子を作り込んでいない面を研
摩してウェハーの厚さを最終的に２（１０〜４（１０μ
ｍとするのである。

このため、ウェハーには研摩時の摩擦熱が加わったり、
研摩時の異物、ゴミ等が付着したりして、さらにウェハ
ーから保護テープを剥離しすらくしでいるのである。

また、保護テープは一般的に６０〜８０μｍ、または約
７０μｍの厚さとなっている。この厚さは、テープの厚
さと接着剤の厚さを合計した値である。

そして、保護テープを完全に剥離する前に、保護テープ
の一部を予め剥離するのを機械的に金属または硬質樹脂
等の物質からなる刃等を保護テープの一部にひっかけた
状態でウェハーに対して水平方向に移動させて行う場合
には、刃等は保護テープの表面からその保護テープの厚
さの半分以上ウェハー側へ突出させてひっかける必要が
ある。

逆に、半分未満の場合はプレリムーブできないことが生
ずることが実験により明らかになっている。

さらに、刃等とウェハーとの間隔は最低約２０μｍ余裕
をとる必要がある。これは、機械的な誤差等に対する余
裕であり、ウェハーのＩＣ等の素子が作り込まれた面に
傷をつけて、素子の破壊を防ぐために重要である。

また、刃等を保護テープに一部ひっかけて、ウェハーに
対して水平方向に移動させる量は約１〜５ｍ＋＋＋程度
が好ましく、さらに好ましくは約２〜４胴であり、最も
好ましくは３ＸＩＩＩ１１程度が良いものである。

以上のように、本発明は保護テープを一部予め剥離する
場合のいくつかの数値制限の存在を述べているが、これ
らの更に詳しい説明は後に行うこととする。

また、本発明の後に詳述する実施例では、保護テープの
プレリムーブの前に薄板の研摩工程が存在しているが、
必ずしもこの工程は必要でなく、他の工程に置き換わっ
ても良いものである。

〔実施例〕

本発明の実施例を第１図及び第４図（ａ）〜（匂を中心
に用いて以下に詳述する。

本実施例では薄板として半導体集積回路、いわゆるＩＣ
の基板となるシリコン、ゲルマニウム等の半導体ウェハ
ーを用いて、そのウェハーのＩＣ等の素子が作り込まれ
ていない面を研摩した後にウェハーのＩＣ等の素子が作
り込まれている面上の保護テープの剥離を例として説明
する。

まず、第１図は本実施例の保護テープを完全に剥離する
前に保護テープの一部を予め剥離する機構の概略な断面
説明図を示す。

そして、第１図は、薄板加工装置の保護テープを完全に
剥離する剥離手段を省略しである。

第１図において、１０はウェハーストッパシリンダ、１
１はウェハー　１２は保護テープ、１３は下ステージ、
１４は上ステージ、１５ａは刃、１５ｂは刃固定用プレ
ート、１６ａは刃ストッパ、１６ｂは刃ストッパシリン
ダ、斜線部を示す１７はクロスローラーテーブル、１日
は水平移動シリンダ、１９はウェハーストッパである。

まずウェハー１１が上ステージ１４と下ステージ１３の
間に挿入されて、ウェハーストッパ１９がウェハースト
ッパシリンダｌＯにより押し上げられる（Ａ：図中点線
で示された位置までウェハーストッパ１９が移動する）
ことにより、ウェハー１１は所定位置で停止する。この
後ウェハーストッパ１９が下がる（Ｂ）。次に下ステー
ジ１３が上昇しくＣ）、上ステージ１４との間にウェハ
ー１１を圧着固定する。そして、刃１５ａが水平移動シ
リンダ１日及び横方向にスライドするベアリングを有す
るスライドユニットであり、かつ誤差が数μｍであるク
ロスローラーテーブル１７により所定距離だけ水平移動
（Ｄ）して、保護テープ１２の一部を剥離する。その後
、刃１５ａが初期状態に戻り（Ｅ）、下ステージ１３が
下降（Ｆ）して、一部剥離された保護テープ１２を表面
に持つウェハー１１が次の保護テープ１２をビンセット
等の機械的手段または接着力の強い剥離テープ等の物理
的手段により完全に剥離する工程へ向かう。

ここで、刃ストッパ１６ａ及び刃ストッパシリンダ１６
ｂはウェハー１１のサイズが異なると、ウェハー１１の
停止端部位置が異なるので、これを補正するためのもの
であり、ウェハー１１のサイズが小さくなると下がるも
のである。

つまり、ウェハーストッパ１９がウェハー１１の進行方
向に対して直交方向に固定の２点でウェハー１１を停止
させる場合に、その２点間を結ぶ線から、ウェハー１１
の端面の突き出る量はウェハー１１のサイズが小さくな
るほど多くなるのである。そのため、ウェハー１１のサ
イズが小さいときには刃ストッパ１６ａが降下してきて
、刃固定用プレート１５ｂのストッパーとして働くので
、必要以上に保護テープ１２を剥離しなくなる。これに
より、保護テープ１２のプレリムーブはウェハーサイズ
に関係なく常に同じ量だけなされるようになるのである
。

また、刃１５ａと保護テープ１２との重なりは、後の第
４図（ａ）〜（６）を用いた実施例中に詳述しであるよ
うに保護テープ１２の表面から保護テープの厚さの好ま
しくは５０％以上７５％以下程度で、さらに好ましくは
５５％以上７０％以下程度で、最も好ましくは６０％以
上６５％以下程度である。

これは他の実施例においても適用できる数値であり、我
々の実験により確かめられたものである。

また、第１図においては省略されているが、上ステージ
１４上にはスプリング等の緩衝材が存在していて、下ス
テージ１３がせり上がって上ステージ１４との間にウェ
ハー１１及び保護テープ１２を常に一定の圧着力で固定
するようになっている。この場合、ウェハー１１及び保
護テープ１２を固定する際に下ステージ１３がせり上が
っていく場合でも、上ステージ１４が降下して来る場合
でも、スプリング等の緩衝材は上ステージ１４側と下ス
テージ１３側のどちらに設けられていてもいいものであ
る。これは、後の実施例全てに適用可能な構成である。

さらに、刃１５ａは金属または硬質樹脂等の物質が好ま
しく、またウェハーはシリコン、ゲルマニウム等の半導
体ウェハーでも良く、他の薄板でも良い。これらの応用
も、他の実施例においても適用できることである。

次に、第１図のウェハー１１、保護テープ１２、下ステ
ージ１３、上ステージ１４、刃１５ａの部分だけを用い
た薄板加工方法の工程順断面図を示す第４図（ａ）〜（
６）を用いて、保護テープのプレリムーブ方法について
説明する。

ここで、図中４１はウェハー、４２は保護テープ、４３
は下ステージ、４４は上ステージ、４５は刃である。

第４図（ａ）は、ウェハー４１がＩＣ等の素子が作り込
まれている面と反対の面、つまり第２図の第２面２１ｂ
が研摩された状態で、しかも保護テープ４２が形成され
たＩＣ等の素子が作り込まれている面を上にして下ステ
ージ４３と上ステージ４４の間に挿入される工程を示す
。

第４図（ハ）は下ステージ４３及び上ステージ４４間に
挿入されたウェハー４１が、例えば第１図に示すような
ウェハーストッパ１９により両ステージ間に位置決めさ
れた後、固定された上ステージ４４に対し下ステージ４
３がせり上がることにより、ウェハー４１及び保護テー
プ４２が下ステージ４３と上ステージ４４との間に圧着
固定された状態を示す。この圧着固定は、ウェハー４１
のそり及び歪みをなくし、ウェハー４１を平坦化するた
めに必要である。もし、ウェハー４１を平坦化しない場
合は、後の保護テープ４２のプレリムーブ時にウェハー
４１の表面に傷をつける可能性が出てしまうのである。

また、ウェハー４１及び保護テープ４２の圧、着固定は
、固定された下ステージ４３に対し上ステージ４４が降
下して行っても良い。

第４図（Ｃ）は、保護テープ４２を一部剥離するための
金属または硬質樹脂等の物質からなる刃４５が降下する
状態を示す。この刃４５の降下量は、保護テープ４２が
剥離して、かつウェハー４１表面に傷がつかなければど
のくらいの量でも良い。

しかし、好ましくは刃４５の降下量は、詳しくは刃４５
と保護テープ４２の重なる量は、テープと接着剤の合計
の厚さを示す保護テープ４２の厚さの保護テープ４２の
表面からウェハー４１の方向へ半分以上の量で、かつウ
ェハー４１表面と刃４５の先端とは少なくとも約２０ｕ
ｍの余裕が存在する量が好ましい。つまり、保護テープ
４２の一般的な厚さが６０〜８０ａｍであるので、刃４
５と保護テープ４２との重なりは３０（なぜならば、６
０／２）〜６０（なぜならば、８Ｏ−２０）μｍが好ま
しい。言い換えると、刃４５は、保護テープ４２の表面
からウェハー４１の表面の方向へ、保護テープ４２の厚
さの５０％以上で７５％（なぜならば、（８０−２０）
／８０Ｘ１（１０）以下程度であるのが好ましい。さら
に好ましくは５５％以上７０％以下で、最も好ましくは
６０％以上６５％以下である。

第４図回は、第４図（Ｃ）に示すように刃４５が降下し
た後に、刃４５がウェハー４１の表面に対して水平な方
向へ移動して保護テープ４２の一部をプレリムーブする
状態を示す。この時、一部剥離した保護テープ４２は、
刃４５が移動する部分に設けられた上ステージ４４の切
り抜き部（図示せず）に逃げる。この刃４５の水平移動
量、正確に言うと保護テープ４２のウェハー４１周辺か
らの最長剥離量は、前にも述べたように我々の実験によ
ると、ウェハー４１が４インチ、５インチ、６インチ等
ウェハー４１のサイズが変化してもだいたい同じ量が適
している。つまり、保護テープ４２のウェハー４１周辺
からの最長剥離量は、好ましくは約１〜５Ｍで、さらに
好ましくは約２〜４鴫で、最も好ましくは３ｍｍ程度で
ある。

第４図（ｅ）は、保護テープ４２をウェハー４１からプ
レリムーブした後に刃４５を第４図（Ｃ）のような初期
状態に戻すための工程を示すものである。

この時、保護テープ４２の完全な剥離を保護テープ４２
よりも接着力の強い剥離テープを利用して行う場合は一
度剥離された保護テープ４２は、再度ウェハー４１と非
常に軽く、または前よりは弱いある程度の力で接してい
るか、または−度剥離された保護テープ４２とウェハー
４１との間に極く狭い空隙が存在した方が良い。なぜな
ら、−度剥離された保護テープ４２が、めくれた状態で
ウェハー４１のＩＣ等の素子が作り込まれた面の一部が
露出していると、強力な接着力を持つ剥離テープが間違
ってそのウェハー４１の露出面に直接接触した時に、Ｉ
Ｃ等の素子が破壊されかねないからである。しかも、予
め一部剥離された保護テープが前よりも弱いある程度の
力で、再度接着されていたとしても、その後の完全な剥
離を剥離テープで行う場合には何ら問題はなく、１（１
０％剥離されるのである。また、保護テープ４２の完全
な剥離を他の機械的手段により行う場合はこの限りでは
なく、−度剥離された保護テープ４２が逆にめくれた状
態であった方が都合の良い時もある。

なお、後に示す本発明の一実施例を示す第５図げ）にお
いては、予め一部剥離された保護テープは、圧着ローラ
で前よりも弱いある程度の力で再度ウェハーに接着され
ている。

第４図（ｆ）は、保護テープ４２のプレリムーブが終了
したので、刃４５が上昇してウェハー４１を次工程へ送
る際に、ウェハー４１に傷をつけにくくしている状態を
示すものである。この時、第４図（Ｃ）とこの第４図（
ｆ）の工程は必ずしも必要ではないとも考えられる。つ
まり、刃４５が常に上ステージ４４から、第４図（Ｃ）
で説明した量だけ突出した状態で固定されていれば充分
であると考えられるからである。つまり、第４図（Ｃ）
、　（ｆ）は使用者の任意選択により必要に応じて取り
入れたり排除したりするとか可能である。

第４図（ｇ）は、一部剥離された保護テープ４２を表面
に持つウェハー４１を次工程へ送るために、下ステージ
４３が下降して上ステージ４４と保護テープ４２及びウ
ェハー４１との間隔を充分に取った状態を示す。この場
合、必ずしも上ステージ４４が固定されて下ステージ４
３が下降しなくても、下ステージ４３が固定されて上ス
テージ４４が上昇しても良い。

また、この一連のウェハー４１の保ＩＩ　＋−１４２が
形成されていない面、つまり第２図で言う第２面を下ス
テージ４３に密着させて、かつ刃４５を上ステージ４４
側に設けている例を説明した。

これは保護テープ４２と下ステージ４３が直接接触して
いて、かつ刃４５が下ステージ４３側に設けられていて
も全く同じ動作で、保護テープ４２のプレリムーブが行
えることをここに付言しておく。

また、もちろん刃４５は他の機械的、物理的手段に置き
換っても良く、圧風でも良い。つまり、要は保護テープ
４２がプレリムーブされる手段であれば何でも良いので
ある。

次に、従来技術の薄板加工方法を説明した第３図に対応
する、本発明の薄板加工方法の一実施例を示している第
５図（ａ）〜Ｑ１）を説明する。

ここで、第５図（ａ）　〜（ｄ）は第３図（ａ）〜（ｄ
）に各々対応している。また、第５図（ｆ）、　Ｑｌ）
は第３図（ｅ）、　（ｆ）に各々対応している。この第
５図は、第３図と同様に、薄板としてＩＣ等の素子が作
り込まれるウェハーを例にとり、そのウェハーの研摩か
ら保護テープを剥離して、ウェハーの洗浄までを説明す
るものである。そして、従来技術を示す第３図（ａ）〜
（ｆ）と、本発明の実施例を示す第５図（ａ）〜（ハ）
の違いは、第５図（ｅ）、　（ｇ）の存在である。

次に、もう−度簡単に本発明の実施例としてのウェハー
の加工工程を説明する。

図において、５０はローダ−１５１はウェハー５１ａは
ウェハーのＩＣ等の素子が作り込まれた第１面、５１ｂ
は第１面５１ａと反対のＩＣ等の素子が作り込まれてい
ない第２面、５２は保護テープ、５３はグラインダー、
５４は固定チャック、５５は刃、５６は剥離テープ、５
７は圧着ローラ、５８は洗浄液、５９は洗浄容器、６０
はピンセットである。

第５図（ａ）では、ウェハー５１の第１面５１ａを保護
テープ５２を介して固定チャック５４に固定した状態で
、ウェハー５１の第２面５１ｂを所定の厚さだけグライ
ンダー５３により研摩している。

第５図（ｂ）では、第２面５１ｂが研摩されたウェハー
５１が収納されているローダ−５０から、ウェハー５１
を一枚一枚取り出している。

第５図（Ｃ）では、保護テープ５２上にクリーニング液
または純水等をたらして、スピンナーによりウェハー５
１を回転させ保護テープ５２の表面をクリーニングして
いる。

第５図（ｄ）では、ウェハー５１の向きを整えており、
通常はオリエンテーションフラットの中心点Ｐの位置が
、ウェハー５１の進行方向りに対して中心Ｃに基づく角
度ｎが３０°〜６０°、好ましくは４５＠等にしている
。この理由は、次の３点である。まず、オリエンテーシ
ョンフラット正面からだと保護テープ５２を剥離しずら
いこと、ウェハー５１の結晶方向に対して平行方向又は
垂直方向に保護テープ５２を剥離すると、その剥離時に
ウェハー５１が割れ易いこと、そしてグラインダー５３
が大径であるとその研削方向がウェハー５１に表われ、
この研削方向に対して直角方向に保護テープ５２を剥離
すると、その剥離時にウェハー５１が割れ易いことであ
る。

第５図（ｅ）は、本実施例の最も特徴的な工程であり、
保護テープ５２を後に１（１０％剥離させるために予め
その一部を金属または硬質樹脂等の物質からなる刃５５
で剥離している状態を示す。いわゆる保護テープ５２の
プレリムーブである。この詳しい説明は第４図に関する
記載で行っている。

この実施例の特徴は刃５５で保護テープ５２を一部剥離
することではなく、保護テープ５２を一部剥離する、つ
まりプレリムーブすること自体である。すなわち、本実
施例では保護テープ５２のプレリムーブに刃５５を用い
ているが、これはこれに限るものではなく、他の機械的
、物理的手段でも良く、圧力のかかった風、圧風でも良
いのである。

第５図（ｆ）では、プレリムーブされた保護テープ５２
を、保護テープ５２よりも接着力の強い剥離テープ５６
を圧着ローラ５７で保護テープ５２に張り付けることに
より完全に剥離している。この剥離テープ５２は、通常
長細い形状をロールしたものを回転させながら伸ばす、
いわゆるビニールテープのような形状をしている。この
保護テープ５２の完全な剥離は、剥離テープ５６に限定
されず第５図（６）のようなピンセット６０、例えば真
空ピンセット、単なる機械的なピンセット等の他の機械
的、物理的手段でも良く、圧力のかかった空気、圧風で
も良い。つまり、保護テープ５２が完全に剥離される手
段であれば何でも良いのである。

第５図（５）では、保護テープ５２が完全に剥離された
ウェハー５１の洗浄を行っている。この洗浄容器５９内
に設けられる洗浄液５８は、−船釣にエチルアルコール
、イソ・プロピル・アルコール等が用いられる。

以上述べた本発明の実施例の特徴を、もう−度整理して
以下に述べる。

本実施例は、半導体装置、つまりＩＣ等の素子が作り込
まれるシリコン、ゲルマニウム等の半導体ウェハーや、
他の円形または多角形の薄板から、保護テープを完全に
剥離する前工程に特徴のあるものである。すなわち、保
護テープを完全に剥離する前に、その保護テープをどん
な場合でも１（１０％剥離が行えるために、予め一部剥
離、プレリムーブすることに特徴がある。

保護テープをウェハー等の薄板に張りつけている理由は
、例えば薄板の片面を何らか加工する場合にその他方面
を加工中に傷つけないようにするためである。そのため
、保護テープは加工中の摩擦熱や異物、ゴミの付着によ
り非常に剥離しずらくなっており、本実施例はこの対応
策として極めて有効である。この薄板の加工とは実施例
で述べた研摩以外の一部研削や各種物質のコーティング
等の加工でもよいものである。つまり、研摩工程は本実
施例の最も特徴的な構成ではないのである。

さらに、保護テープのプレリムーブは刃以外の他の機械
的、物理的手段または圧風に置き換えることも可能で、
同様に保護テープの完全な剥離は、剥離テープ以外の他
のピンセット等の機械的、物理的手段または圧風に置き
換えることも可能である。

〔発明の効果〕

本発明は、ウェハー等の薄板から保護テープを完全に剥
離する前に、保護テープを一部プレリムーブすることに
より以下の効果を有するものである。

まず、どのような状態で加工された薄板であっても、そ
の薄板から１（１０％保護テープの剥離が簡単な機構及
び方法により行えることにより、非常に信頼性、確実性
の高い薄板加工装置及び薄板加工方法が提供できる効果
がある。

また、保護テープの完全な剥離を剥離テープで行う場合
においては、従来の剥離を完全に行うため、非常に高価
な剥離テープの幅を広くしたり、剥離テープを複数本平
行にして保護テープに圧着したりしていた（この方法で
は、保護テープの完全な剥離は不可能であった）が、本
発明は剥離テープの幅を広くしたり、剥離テープを複数
本設けなくても保護テープの完全な剥離が可能になりコ
スト的に有利なものであるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の薄板加工装置の一実施例を示す断面
説明図である。第２図（ａ）、　（ｂ）はウェハーと保護チーブの形状
を説明する概略図であり、（ａ）は斜視図で（ｂ）は断
面図である。第３図（ａ）〜げ）は、従来の薄板加工方法を示す工程
順説明図である。第４図（ａ）〜（樽は、本発明の薄板加工方法の特徴的
な工程の一実施例を示す工程順断面図である。第５図（ａ）〜（ハ）は、本発明の薄板加工方法の一実
施例を示す工程順説明図である。図において、１０・・・ウェハーストッパシリンダ１１．２１，３１，４１．５１・・・ウェハー１２．２
２，３２．４２．５２・・・保護テープ１３．４３・・
・下ステージ１４．４４・・・上ステージ１５ａ、４５．５５・・・刃１５ｂ・・・刃固定用プレート１６ａ・・・刃ストッパ１６ｂ・・・刃ストッパシリンダ１７・・・クロスローラーテーブル１８・・・水平移動シリンダ１９・・・ウェハーストッパ２１ａ、３１ａ、５１ａ・・・第１面２１ｂ、３１ｂ、５１ｂ・・・第２面２３・・・テープ２４・・・接着剤３３．５３・・・グラインダー３４．５４・・・固定チャック３５．５０・・・ローダ− ３６，５６・・・剥離テープ３７．５７・・・圧着ローラ３８．５８・・・洗浄液３９．５９・・・洗浄容器６０・・・ピンセット以上

Claims

【特許請求の範囲】

（１）保護テープが第１面のほぼ全面に形成された薄板
を互いに両側から圧着する上ステージ及び下ステージ、
前記上ステージ及び前記下ステージの間に固定された前
記薄板上の前記保護テープの一部を、前記薄板の任意周
辺から所定距離だけ剥離するプレリムーブ手段、前記薄
板上の前記所定距離だけ剥離された前記保護テープの一
部から前記保護テープを完全に剥離する剥離手段を有す
ることを特徴とする薄板加工装置。
（２）前記プレリムーブ手段は、機械的手段または物理
的手段を有することを特徴とする請求項１記載の薄板加
工装置。
（３）前記機械的手段は、金属または硬質樹脂等の物質
からなり、前記保護テープの一部を剥離する刃を有する
ことを特徴とする請求項１記載の薄板加工装置。
（４）前記刃と前記保護テープの表面に対して垂直方向
の厚さとの重なりは、好ましくは前記保護テープの表面
から前記保護テープの厚さの５０％以上７５％以下程度
であることを特徴とする請求項３記載の薄板加工装置。
（５）前記所定距離は、好ましくは１〜５ｍｍ程度であ
ることを特徴とする請求項１記載の薄板加工装置。
（６）前記剥離手段は、機械的手段または物理的手段を
有することを特徴とする請求項１記載の薄板加工装置。
（７）前記機械的手段は、ピンセット等の一部剥離され
た前記保護テープをつまむ手段を有することを特徴とす
る請求項６記載の薄板加工装置。
（８）前記物理的手段は、前記保護テープよりも接着力
の強い剥離テープを有することを特徴とする請求項６記
載の薄板加工装置。
（９）前記物理的手段は、圧力を持つ風を出力する手段
を有することを特徴とする請求項６記載の薄板加工装置
。
（１０）前記薄板は、シリコン等の半導体ウェハーであ
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７
、８または９記載の薄板加工装置。
（１１）保護テープが第１面のほぼ全面に形成された薄
板を上ステージと下ステージとの間に圧着固定する工程
、前記薄板上の前記保護テープの一部を前記薄板の任意
周辺から所定距離だけ剥離するプレリムーブ工程、前記
薄板上の前記所定距離だけ剥離された前記保護テープの
一部から前記保護テープを完全に剥離する剥離工程を有
することを特徴とする薄板加工方法。
（１２）前記プレリムーブ工程は、機械的手段または物
理的手段により、前記保護テープの一部を剥離する工程
を有することを特徴とする請求項１１記載の薄板加工方
法。
（１３）前記機械的手段は、金属または硬質樹脂等の物
質からなる刃により、前記保護テープの一部を剥離する
工程を有することを特徴とする請求項１２記載の薄板加
工方法。
（１４）前記刃と前記保護テープの表面に対して垂直方
向の厚さとの重なりを、好ましくは前記保護テープの表
面から前記保護テープの厚さの５０％以上７５％以下程
度に設定した後に、前記保護テープの一部を剥離する工
程を有することを特徴とする請求項１３記載の薄板加工
方法。
（１５）前記所定距離は、好ましくは１〜５ｍｍ程度で
あることを特徴とする請求項１１記載の薄板加工方法。
（１６）前記剥離工程は、機械的手段または物理的手段
により前記保護テープを完全に除去する工程を有するこ
とを特徴とする請求項１１記載の薄板加工方法。
（１７）前記機械的手段は、ピンセット等により一部剥
離された前記保護テープをつまむことにより、前記保護
テープを完全に剥離する工程を有することを特徴とする
請求項１６記載の薄板加工方法。
（１８）前記物理的手段は、前記保護テープよりも接着
力の強い剥離テープにより、前記保護テープを完全に剥
離する工程を有することを特徴とする請求項１６記載の
薄板加工方法。
（１９）前記物理的手段は、圧力を持つ風を出力するこ
とにより、前記保護テープを完全に剥離する工程を有す
ることを特徴とする請求項１６記載の薄板加工方法。
（２０）前記薄板は、シリコン等の半導体ウェハーであ
ることを特徴とする請求項１１、１２、１３、１４、１
５、１６、１７、１８または１９記載の薄板加工方法。