JPS639122A - シリコンウエハ−保護用マスキングシ−トの剥離方法 - Google Patents

シリコンウエハ−保護用マスキングシ−トの剥離方法

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JPS639122A
JPS639122A JP15326086A JP15326086A JPS639122A JP S639122 A JPS639122 A JP S639122A JP 15326086 A JP15326086 A JP 15326086A JP 15326086 A JP15326086 A JP 15326086A JP S639122 A JPS639122 A JP S639122A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
tape
peeling
sheet
peeler
Prior art date
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Pending
Application number
JP15326086A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Ki
季 昌浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teikoku Seiki KK
Original Assignee
Teikoku Seiki KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Teikoku Seiki KK filed Critical Teikoku Seiki KK
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Publication of JPS639122A publication Critical patent/JPS639122A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Separation, Sorting, Adjustment, Or Bending Of Sheets To Be Conveyed (AREA)
  • Folding Of Thin Sheet-Like Materials, Special Discharging Devices, And Others (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、IC,LSl、超LSIなどのシリコンウェ
ハーの裏面をラッピング又は切削した後において、該シ
リコンウェハーの一側面に粘着したマスキングシートを
シリコンウェハーから安全かつ確実に自動的に剥離する
方法に関するものであり、いわゆるIC製造工程中でい
えば、結晶プロセスのスライシングからラッピング、ポ
リッシング、又はバックグラインダーを終えた後の工程
で主として利用されるものである。
(従来の技術) いわゆるIC製造工程は、結晶プロセス、ウェハープロ
セス前工程、ウェハープロセス後工程、組立プロセス、
検査プロセスというように段階分けすることができるが
、このうちの結晶プロセスにおいては、Si結晶成長か
らスライシングを経てラッピング及びポリッシング又は
バックグラインダ一工程に至る。このラッピングの目的
は、スライシングにおいてスライス表面にできた歪層の
大部分を取除くとともに、スライシング後の厚目のスラ
イスをラッピングによって規定の厚さまで薄くし回路面
形成のため表面を鏡面に仕上げることにある。当然に表
面荒さ及び平担度に相当な精度が要求されることはいう
までもない。
また、ウェハープロセス後工程においても、昨今の軽薄
短小の要求のため、ICのパッケージそのものにも、チ
ップサイズの短縮とともに実装上の都合及び発熱の問題
等の解決のため、ウェハープロセス終了後にウェハーそ
のものの厚さを薄くする工程がとられているものが多く
なっている。勿論、本来発熱の少ない0MO5等であれ
ば薄くする必要はないともいえるがこれとてもパッケー
ジを小さくする場合には、ウェハーを薄くする必要が当
然生じる。この工程においても薄くするためには裏面を
削ることになり、ラッピング又はバックグラインダ一工
程が必要なことはいうまでもない。
ところで、従来から、このラッピング又はパックグライ
ンダーの前段階において、シリコンウェハーの回路面に
マスキングシート(例えば、ラミネート)を粘着して回
路面を吸着固定し、ラッピング、エツチング又はバック
グラインダ一工程に際し回路面を保護していた。
しかし、これらの工程が終った後、シリコンウェハー表
面に貼着されていたマスキングシートを剥がす必要があ
ったが、実際には、マスキングシートを熟練工の爪の先
でひっかけて剥離する方法が殆どであり、一部に自動化
された装置も存するが、マスキングシートの上方からハ
ガシテープを貼り付け、ハガシテープを上方へ引き上げ
てマスキングテープをシリコンクエバーから剥離するも
のであった。
(発明が解決しようとする問題点) 上記のような従来技術においては、まず人手によるil
l M方法では、その手数、労力の甚大さ、非能率性に
おいて著しい欠点があっただけでなく、爪による剥離方
法のため、シリコンウェハーの外周辺部に不規則・不必
要な外圧をかけてしまうので、該外周部にかけやエツジ
チップスが発生するという歩留まり率の低下や誤まって
回路を痛めてしまうというミスも避けられないところで
あった。
したがって、自動化の要求は高いのであるが、従来の自
動化の装置によれば、マスキングシートの上方からハガ
シテープを貼り付け、ハガシテープを上方へ引き上げて
、マスキングシートをシリコンウェハーから剥離するも
のであった。
これは、上方へ牽引する方がシリコンウェハーから、マ
スキングシートを剥離し易いという原理に基づくもので
あるが、そのかわり、シリコンウェハーを下方から吸着
しているバキュームテーブルの吸着力を高めなければ上
方からの牽引力に耐えられないため、シリコンウェハー
自体に相当強いストレスを与えてしまうという問題点が
不可避的に内在していた。そのためパターンに対するダ
メージが相当あり、不良品がかなり発生してしまうとい
う欠点を有していたのである。
(1問題点を解決するための手段) 本発明においては、自動化の要求を満たすとともに、シ
リコンウェハー自体にストレスを出来つる限り与えず、
しかも、シリコンウェハーからのマスキングシートの剥
離をより確実に行なわせる目的で、マスキングシートを
シート面に対し上方へ剥離するのではなくシート面に対
しほぼ平行に剥離するとともに、剥離に失敗した場合再
度新しいハガシテープを貼着し、剥離をリトライする方
法を自動化したものである。
(実 施 例) 本発明の好ましい一実施例を図面に従って説明すれば次
のとおりである。
第1図は、本発明の方法を実施する概略機構図であるが
、まず、矢印a方向ヘローラ上を搬送されてきたシリコ
ンウェハー1に粘着されているウェハー保護シート2の
上面に、ハガシテープ3の粘着面をゴム等の弾性体の貼
付ローラ8にて押圧してハガシテープ3を貼り付け、ハ
ガシテープ3が第1刃に示すように捲取りローラ5を経
てj7J8するにつれてシリコンウェハー1も矢印す方
間に濶劫し矢印Cのウニへ−停止点で停止すると、下方
から矢印り、E、F方向にバキュームテーブル7が上昇
しシリコンウエバー1を矢印S方向へ吸着固定する。ウ
ェハー保護シート2上にハガシテープ3を貼着する位置
及び方法は上記実施例に限定されず、シリコンウェハー
1をバキュームテーブル7で吸着固定した後に貼着した
りその他の方法を採択することができる。
他方、シリコンウェハー1が貼付ローラ8付近からバキ
ュームテーブル7上に摺動する際にゴム等の弾性体の押
えローラ4とハガシガイドローラ6も矢印へ方自から矢
印B方向へ移動し、シリコンウェハー1がウェハー停止
点C上に到達したときは、押えローラ4及びハガシガイ
ドローラ6はウェハー停止点上を通過させておく。
但し、ハガシテープ3がウェハー保護シート2の全面に
貼着されておればよいので、押えローラ4は必ずしもウ
ェハー停止点上を通過させておく必要はない。
次に、第2図ないし第5図は、本発明の方法を実施する
剥離過程を説明した概略図であるが、まずバキュームテ
ーブル7によって吸着固定されたシリコンウェハー1の
ウェハー保護シート2に貼着されたハガシテープ3は、
押えローラ4の下周部及び捲取りローラ5の上周部を経
て位置固定された後、押えローラ4及び捲取りローラ6
がウェハー保護シート2のシート面に対しほぼ平行に矢
印G方向にバック移動する。そのため、ハガシテープ3
は第4図に示すようにハガシガイドローラ6の外周部に
当接し、さらに、第5図に示すようにハガシガイドロー
ラ6が矢印H方向に移動するが、この過程においてハガ
シテープ3は常に捲取りローラ5上へ捲き取られテンシ
ョンのかかづた状態に置かれているため、ウェハー保護
シート2はハガシテープ3のハガシテープ糊面3°で貼
着されているので、シリコンウェハー1上から剥離する
こととなる。
この剥離方法によれば、ウェハー保護シート2はシリコ
ンウェハー1上をスライドするように剥離するため、矢
印S方向すなわち下方へ吸着力の生じているシリコンウ
ェハー1に対し上方へのストレスをあまり与えないので
シリコンウェハ−1自体を痛めることはない。
もっとも、この方法によれば、シリコンクエバー1に対
するウェハー保護シート2の粘ず力とクエへ−保護シ−
ト2に対するハガシテープ3の貼着力との関係で、シー
ト面とほぼ平行に8勤するハガシテープ3がウェハー保
護シート2の端部から剥がれてしまい、ウェハー保護シ
ート2をシリコンウェハー1から剥離することができな
い場合が生ずる。この剥離の失敗の確率は、実験上約2
%である。そこでこの剥離の失敗率を下げるため、本発
明では、ハガシガイドローラ6は矢印H方向に移動しシ
リコンクエバー1上をバック移動し終った時点でセンサ
ー(図示せず)によりウェハー保護シート2が剥離した
かどうかをチェックする。このセンサーは、たとえばハ
ガシガイドローラ6の上部付近に設置しておき、ウェハ
ー保護テープ2の直径の方がハガシテープ3の幅より犬
とし、ハガシテープ3の幅よりはみ出たウニへ−保護テ
ヲブ2を感知させるようにすればよい。
そして、ウェハー保護シート2の剥離に失敗した場合に
は、再び押えローラ4を矢印B方向に8勅させハガシテ
ープ3を送り出せば、ゴム等の弾性体の押えローラ4の
押圧力によりバキュームテーブル7上で吸着固定されて
いるシリコンウェハー1のウェハー保護シート2上に新
しいハガシテープ3が貼着されることとなる。
そこで、再度第3図ないし第5図に示す過程を繰り返し
剥離のりトライをさせれば、剥離の失敗率は2%×2%
となる。このリトライを3回以上行なえるようにしてお
けば剥離の失敗率は問題とするに足りない程度になって
しまうのである。
(本発明の効果) 本発明は上記のような構成であり、(1)人手による場
合の人件費を格安に低廉化し、(2)かつ高価なシリコ
ンウェハー(チップ)の歩留まり率を極めて高くして生
産性を飛躍的に向上させ、(3)歩留まり率の向上のた
めシリコンウェハーへのストレスを減らすことによる剥
離の失敗に対し、新しいハガシテープを再貼着して71
1Mのりトライをさせることによって、より安全かつ確
9実に剥離させる、等その実用的効果はまことに著しい
ものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の方法を実施する概略機構図、第2図
ないし第5図は、本発明の方法を実施する剥離過程の概
略説明図である。 [符号の説明] 1・・・シリコンウェハー、2・・・ウェハー保護シー
ト、3・・・ハガシテープ、3°・・・ハガシテープ糊
面、4・・・押えローラ、5・・・捲取りローラ、6・
・・ハガシガイドローラ、7・・・バキュームテーブル
、8・・・貼付ローラ、a、b・・・シリコンウェハー
1の)8勤方向を示す矢印、A、B、G、H・・・押え
ローラ4、捲取りローラ5、ハガシガイドローラ6の移
動方向を示す矢印、C・・・ウェハー停止点を示す矢印
、D、E、F、!・・・バキュームテーブルの移動方向
を示す矢印。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 シリコンウェハーに粘着したウェハー保護シート上
    にハガシテープを貼着し、該ハガシテープをウェハー保
    護シート面とほぼ平行に移動させてシリコンウェハーか
    らウェハー保護シートを剥離するとともに、剥離できな
    かった場合においてウェハー保護シート面に再び新たな
    ハガシテープを押圧貼着した後この剥離過程を所要数リ
    トライさせることを特徴とするシリコンウェハー保護用
    マスキングシートの剥離方法。
JP15326086A 1986-06-30 1986-06-30 シリコンウエハ−保護用マスキングシ−トの剥離方法 Pending JPS639122A (ja)

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JPS639122A true JPS639122A (ja) 1988-01-14

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5310442A (en) * 1991-05-13 1994-05-10 Nitto Denko Corporation Apparatus for applying and removing protective adhesive tape to/from semiconductor wafer surfaces
JPH06232257A (ja) * 1993-02-01 1994-08-19 Nec Corp 半導体チップの分割分離方法
US7846289B2 (en) * 2004-04-28 2010-12-07 Lintec Corporation Sheet peeling apparatus and sheet peeling method

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60218257A (ja) * 1984-04-10 1985-10-31 Nitto Electric Ind Co Ltd 保護フイルムの剥離方法
JPS61219138A (ja) * 1985-03-25 1986-09-29 Mitsubishi Electric Corp 保護テ−プの引剥し装置
JPS6293167A (ja) * 1985-10-18 1987-04-28 Disco Abrasive Sys Ltd 粘着フイルムの剥離装置

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