KR101055248B1 - 연마 패드 - Google Patents

연마 패드 Download PDF

Info

Publication number
KR101055248B1
KR101055248B1 KR1020087020467A KR20087020467A KR101055248B1 KR 101055248 B1 KR101055248 B1 KR 101055248B1 KR 1020087020467 A KR1020087020467 A KR 1020087020467A KR 20087020467 A KR20087020467 A KR 20087020467A KR 101055248 B1 KR101055248 B1 KR 101055248B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
region
polishing pad
light
diisocyanate
Prior art date
Application number
KR1020087020467A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080096566A (ko
Inventor
다케시 후쿠다
준지 히로세
요시유키 나카이
쓰요시 기무라
Original Assignee
도요 고무 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도요 고무 고교 가부시키가이샤 filed Critical 도요 고무 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20080096566A publication Critical patent/KR20080096566A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101055248B1 publication Critical patent/KR101055248B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

넓은 파장 범위(특히, 단파장측)에서 광학적 검지 정밀도가 우수하고, 또한 연마 영역과 광투과 영역 사이에서의 슬러리 누출을 방지할 수 있는 연마 패드를 제공하는 것을 목적으로 한다. 연마 영역 및 광투과 영역으로 형성되는 연마층의 편면에 적어도 투명 지지 필름이 적층되어 있는 연마 패드에 있어서, 적어도 광투과 영역 및 투명 지지 필름을 포함하는 광학적 검지 영역의 광투과율이 파장 300∼400nm의 전체 범위에서 40% 이상인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
연마, 패드, 슬러리, 누출, 광투과, 투명, 광학

Description

연마 패드{POLISHING PAD}
본 발명은 렌즈, 반사 미러 등의 광학 재료나 실리콘 웨이퍼, 하드디스크용 유리 기판, 알루미늄 기판, 및 일반적인 금속 연마 가공 등의 고도의 표면 평탄성이 요구되는 재료의 평탄화 가공을 안정적이면서, 동시에 높은 연마 효율로 행할 수 있는 연마 패드의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 연마 패드는, 특히 실리콘 웨이퍼와 그 위의 산화물층, 금속층 등이 형성된 디바이스를, 이들 산화물층이나 금속층을 적층·형성하기 전에 평탄화하는 공정에 바람직하게 사용된다.
반도체 장치를 제조할 때에는, 웨이퍼 표면에 도전성막을 형성하고, 포토리소그래피, 에칭 등을 행함으로써 배선층을 형성하는 공정과, 배선층 위에 층간 절연막을 형성하는 공정 등이 행해지고, 이들 공정에 의해 웨이퍼 표면에 금속 등의 도전체나 절연체로 형성되는 요철이 생성된다. 최근, 반도체 집적 회로의 고밀도화를 위하여 배선의 미세화나 다층 배선화가 진행되고 있으며, 이에 따라서, 웨이퍼 표면의 요철을 평탄화하는 기술이 중요시되고 있다.
웨이퍼 표면의 요철을 평탄화하는 방법으로서는, 일반적으로 케미컬 메커니컬 폴리싱(이하, CMP라 지칭함)이 채용되고 있다. CMP는 웨이퍼의 피연마면을 연 마 패드의 연마면에 압착한 상태에서, 연마 입자가 분산되어 있는 슬러리형 연마제(이하, 슬러리라 지칭함)를 이용하여 연마하는 기술이다. CMP에서 일반적으로 사용하는 연마 장치는, 예를 들면, 도 1에 나타낸 바와 같이, 연마 패드(1)를 지지하는 연마 정반(2)과, 피연마재(반도체 웨이퍼)(4)를 지지하는 지지대(폴리싱 헤드)(5)와 웨이퍼를 균일 가압하기 위한 지지재와, 연마제의 공급 기구를 구비하고 있다. 연마 패드(1)는, 예를 들면, 양면 테이프로 부착함으로써, 연마 정반(2)에 장착된다. 연마 정반(2)과 지지대(5)는, 각각 지지된 연마 패드(1)와 피연마재(4)가 대향 배치되며, 각각 회전축(6, 7)을 구비하고 있다. 또한, 지지대(5) 측에는, 피연마재(4)를 연마 패드(1)에 압착하기 위한 가압 기구가 설치되어 있다.
CMP를 실시하는 중에 웨이퍼 표면의 평탄도를 판정해야 하는 문제가 있다. 즉, 희망하는 표면 특성이나 평면 상태에 도달한 시점을 검지할 필요가 있다. 종래, 산화막의 막 두께나 연마 속도 등과 관련해서는, 테스트 웨이퍼를 정기적으로 처리하고, 결과를 확인한 후 제품이 되는 웨이퍼를 연마 처리해왔다.
하지만, 이 방법에서는, 테스트 웨이퍼를 처리하는 시간과 비용이 소요되며, 또한, 사전 가공이 전혀 행해지지 않은 테스트 웨이퍼와 제품 웨이퍼에 있어서는, CMP 특유의 로딩 효과에 의해 연마 결과가 상이하여, 제품 웨이퍼를 실제로 가공해 보지 않으면, 가공 결과를 정확하게 예상하기 곤란하다.
따라서, 최근에는 상기 문제점을 해소하기 위하여, CMP 가공시에 현장에서 희망하는 표면 특성이나 두께가 얻어진 시점을 검출할 수 있는 방법이 요망되고 있다. 이러한 검지에 대해서는 여러 가지 방법이 이용되고 있지만, 측정 정밀도나 비접촉 측정에 있어서의 공간 분해능의 점에서 광학적 검지 수단이 주류가 되고 있다.
광학적 검지 수단은 구체적으로는 광 빔을 창(광투과 영역)을 통하여 연마 패드 건너편의 웨이퍼에 조사하고, 그 반사에 의해 발생하는 간섭 신호를 모니터링함으로써 연마의 종점을 검지하는 방법이다.
현재, 광 빔으로서는, 300∼800nm에 파장광을 가지는 할로겐 램프를 사용한 백색광이 일반적으로 이용되고 있다.
이러한 방법에서는, 웨이퍼의 표면층의 두께의 변화를 모니터링하고, 표면 요철의 근사적인 깊이를 판단함으로써 종점이 결정된다. 이러한 두께의 변화가 요철의 깊이와 동일해진 시점에서 CMP 프로세스를 종료시킨다. 또한, 이러한 광학적 수단에 의한 연마의 종점 검지법 및 그 방법에 이용할 수 있는 연마 패드에 대해서는 여러 가지가 제안되어 왔다.
예를 들면, 고체이며 균질한 190nm 내지 3500nm의 파장광을 투과하는 투명한 폴리머 시트를 적어도 일부분에 가지는 연마 패드가 개시되어 있다(특허 문헌 1). 또한, 계단식 투명 플러그가 삽입된 연마 패드가 개시되어 있다(특허 문헌 2). 또한, 폴리싱면과 동일면인 투명 플러그를 가지는 연마 패드가 개시되어 있다(특허 문헌 3).
상기와 같이, 광 빔으로서는 할로겐 램프를 사용한 백색광 등이 이용되고 있지만, 백색광을 이용할 경우에는 다양한 파장광을 웨이퍼상에 적용할 수 있고, 많은 웨이퍼 표면의 프로파일이 얻어진다는 장점이 있다. 이 백색광을 광 빔으로서 이용할 경우에는, 넓은 파장 범위에서 검출 정밀도를 높일 필요가 있다. 그러나, 종래의 창(광투과 영역)을 가지는 연마 패드는, 단파장측(자외선 영역)에서의 검출 정밀도가 대단히 나쁘고, 광학적 종점 검출에 오작동이 생긴다는 문제가 있었다. 향후, 반도체 제조에 있어서의 고집적화·초소형화에 있어서, 집적 회로의 배선폭은 점점 작아질 것으로 예상되므로, 이 경우에는 고정밀도의 광학적 종점 검지가 필요하지만, 종래의 종점 검지용 창은 넓은 파장 범위(특히, 단파장측)에서 충분히 만족스러운 정밀도를 나타내지 못한다.
한편, 슬러리가 연마 영역과 광투과 영역의 경계(이음매)로부터 누출되지 않도록 하기 위한 제안(특허 문헌 4, 5)도 있다. 또한, 슬러리 누출을 방지하기 위하여, 상층 패드와 하층 패드 사이의 상하면에 접착제가 도포된 투명 필름을 배치하는 방법이 개시되어 있다(특허 문헌 6). 그러나, 단파장측에서의 검출 정밀도가 나쁘다는 상기 문제는 전혀 해결되지 않고 있다.
특허 문헌 1: 특표 평 11-512977호 공보
특허 문헌 2: 특개 평 9-7985호 공보
특허 문헌 3: 특개 평 10-83977호 공보
특허 문헌 4: 특개 2001-291686호 공보
특허 문헌 5: 특표 2003-510826호 공보
특허문헌 6: 특개 2003-68686호 공보
[발명이 해결하고자 하는 과제]
본 발명은 넓은 파장 범위(특히, 단파장측)에서 광학적 검지 정밀도가 우수하고, 또한 연마 영역과 광투과 영역 사이에서의 슬러리 누출을 방지할 수 있는 연마 패드를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 연마 패드를 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명자는 상술한 바와 같은 사정을 감안하여 연구를 거듭한 결과, 하기 연마 패드에 의해 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하였다.
즉, 본 발명은 연마 영역 및 광투과 영역으로 형성되는 연마층의 편면에 적어도 투명 지지 필름이 적층되어 있는 연마 패드에 있어서, 적어도 광투과 영역 및 투명 지지 필름을 포함하는 광학적 검지 영역의 광투과율이 파장 300∼400nm의 전체 범위에서 40% 이상인 것을 특징으로 하는 연마 패드에 관한 것이다.
연마 패드의 광학적 검지 영역을 통과하는 광의 강도의 쇠퇴가 적을수록 연마 종점의 검출 정밀도나 막 두께의 측정 정밀도를 높일 수 있다. 그러므로, 사용하는 측정광의 파장에서의 광투과율의 정도는, 연마 종점의 검출 정밀도나 막 두께의 측정 정밀도를 결정짓기 위하여 중요하다. 본 발명의 광학적 검지 영역은, 특히 단파장측에서의 광투과율의 쇠퇴가 작고, 넓은 파장 범위에서 검출 정밀도를 높게 유지할 수 있다. 여기에서, 광학적 검지 영역은 막 두께 측정 장치로부터 조사한 광 빔 및 웨이퍼 표면에서 반사된 광 빔을 투과시키기 위한 영역이며, 적어도 광투과 영역 및 투명 지지 필름을 포함한다.
상기한 바와 같이 일반적으로 이용되고 있는 막 두께 측정 장치는, 300∼800nm 근처에 발신 파장을 가지는 레이저를 이용하기 때문에, 특히 단파장측(300∼400nm)에서의 광학적 검지 영역의 광투과율이 40% 이상이면 높은 반사광이 얻어지고, 종점 검출 정밀도나 막 두께 검출 정밀도를 특별히 향상시킬 수 있다. 상기 단파장측에서의 광투과율은 45% 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50% 이상이다. 한편, 본 발명에 있어서의 광투과율은 광학적 검지 영역의 두께가 1mm의 경우의 값, 또는 1mm의 두께로 환산할 경우의 값이다. 일반적으로, 광투과율은 Lambert-Beer의 법칙에 의해, 물체의 두께에 따라서 변화된다. 두께가 두꺼울수록 광투과율은 저하되므로, 두께를 일정하게 할 경우의 광투과율을 산출할 필요가 있다.
본 발명에 있어서는, 광학적 검지 영역을 구성하는 각 부재의 주원료인 폴리머의 방향환 농도가 합계 2중량% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1중량% 이하이다. 광학적 검지 영역을 구성하는 각 부재(광투과 영역, 투명 지지 필름 등)의 주원료인 폴리머의 방향환 농도를 합계 2중량% 이하로 함으로써, 파장 300∼400nm의 전체 범위에서의 광학적 검지 영역의 광투과율을 40% 이상으로 조정할 수 있다. 여기에서, 방향환 농도는 폴리머 중의 방향환의 중량 비율을 말한다.
또한, 광투과 영역의 주원료인 폴리머가 폴리우레탄 수지이며, 상기 폴리우레탄 수지의 이소시아네이트 성분이 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 및 이소프론디이소시아네이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 상기 이소시아네이트 성분을 포함하는 폴리우레탄 수지는 방향환 농도가 작기 때문에 광투과 영역의 주원료로서 바람직하다.
또한, 투명 지지 필름의 주원료인 폴리머가 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 지방족 폴리아미드, 폴리아크릴산메틸, 폴리메타크릴산메틸, 및 폴리염화비닐로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 상기 폴리머는 방향환을 포함하지 않으므로 투명 지지 필름의 주원료로서 바람직하다.
본 발명에 있어서, 광투과 영역의 형성 재료는 무발포체인 것이 바람직하다. 무발포체라면 광의 산란을 억제할 수 있으므로, 정확한 반사율을 검출할 수 있고, 연마의 광학 종점의 검출 정밀도를 높일 수 있다.
또한, 광투과 영역의 연마측 표면에 연마액을 유지·갱신하는 요철 구조를 가지지 않는 것이 바람직하다. 광투과 영역의 연마측 표면에 거시적인 표면 요철이 있으면, 오목부에 연마 입자 등의 첨가제를 함유한 슬러리가 퇴적되어, 광의 산란·흡수가 일어나서, 검출 정밀도에 영향을 미치는 경향이 있다. 게다가, 광투과 영역의 다른 면 측의 표면도 거시적인 표면 요철을 가지지 않는 것이 바람직하다. 거시적인 표면 요철이 있으면, 광의 산란이 일어나기 쉽고, 검출 정밀도에 영향을 미칠 우려가 있기 때문이다.
본 발명에 있어서는, 연마 영역의 형성 재료가 미세 발포체인 것이 바람직하다.
또한, 상기 미세 발포체의 평균 기포 직경은 70㎛ 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 평균 기포 직경이 70㎛ 이하이면, 플래너리티(planarity; 평탄성)이 양호해진다.
또한, 상기 미세 발포체의 비중은 0.5∼1인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.7∼0.9이다. 비중이 0.5 미만이면, 연마 영역 표면의 강도가 저하되고, 피연마재의 플래너리티가 저하되며, 1을 초과할 경우에는, 연마 영역 표면의 미세 기포의 수가 적어지고, 플래너리티는 양호해지지만, 연마 속도가 작아지는 경향이 있다.
또한, 상기 미세 발포체의 아스카 D 경도는 40∼70도인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 45∼60도이다. 아스카 D 경도가 40도 미만인 경우에는, 피연마 재료의 플래너리티가 저하되고, 70도를 초과할 경우에는, 플래너리티는 양호해지지만, 피연마 재료의 유니포머티(uniformity; 균일성)가 저하되는 경향이 있다.
또한, 본 발명은 상기 연마 패드를 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 CMP 연마에서 사용되는 종래의 연마 장치의 일례를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 연마 패드의 일례를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 연마 패드의 다른 일례를 나타내는 개략적인 단면도이다.
- 부호의 설명 -
1: 연마 패드 2: 연마 정반 3: 연마제(슬러리)
4: 피연마재(반도체 웨이퍼) 5: 지지대(폴리싱 헤드) 6, 7: 회전축
8: 연마 패드 9: 연마 영역 10: 광투과 영역
11: 투명 지지 필름 12: 접착층 13: 개구부
14: 광학적 검지 영역 15: 접착층의 개방 부분
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
본 발명의 연마 패드는 연마 영역 및 광투과 영역으로 형성되는 연마층의 편면에 적어도 투명 지지 필름을 가진다. 그리고, 적어도 상기 광투과 영역 및 투명 지지 필름을 포함하는 광학적 검지 영역의 광투과율이 파장 300∼400nm의 전체 범위에서 40% 이상인 것이 필요하다.
상기 광투과 영역의 형성 재료인 폴리머는 상기 특성이 발현되는 재료라면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 아크릴 수지, 할로겐계 수지(폴리염화 비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리플루오로비닐리덴 등), 올레핀계 수지(폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등), 및 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들의 수지는 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이들 중에서, 방향환 농도가 작은 폴리머를 이용하는 것이 바람직하고, 특히 방향환 농도가 작은 폴리우레탄 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 폴리우레탄 수지는 내마모성이 높고, 연마 중의 드레싱 흔적에 의한 광투과 영역의 광산란을 억제할 수 있으므로 바람직한 재료이다.
상기 폴리우레탄 수지는 이소시아네이트 성분, 폴리올 성분(고분자량 폴리올, 저분자량 폴리올 등) 및 쇄연장제로 형성되는 것이다.
이소시아네이트 성분으로서는, 2,4-톨루엔디이소시아네이트, 2,6-톨루엔디이소시아네이트, 2,2'-디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, m-페닐렌디이소시아네이트, p-크실릴렌디이소시아네이트, m-크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트; 에틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트; 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 이소프론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트 등의 지환식 디이소시아네이트를 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 혼합할 수도 있다. 이들 중에서, 방향환 농도를 작게 하기 위해서 지방족 디이소시아네이트 및/또는 지환식 디이소시아네이트를 이용하는 것이 바람직하고, 특히 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 및 이소프론디이소시아네이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 디이소시아네이트를 이용하는 것이 바람직하다.
고분자량 폴리올로서는, 폴리테트라메틸렌에테르글리콜로 대표되는 폴리에테르폴리올, 폴리부틸렌아디페이트로 대표되는 폴리에스테르폴리올, 폴리카프로락톤폴리올, 폴리카프로락톤과 같은 폴리에스테르글리콜과 알킬렌카보네이트와의 반응물 등으로 예시되는 폴리에스테르폴리카보네이트폴리올, 에틸렌카보네이트를 다가 알코올과 반응시키고, 이어서 얻어진 반응 혼합물을 유기 디카르복시산과 반응시킨 폴리에스테르폴리카보네이트폴리올, 및 폴리히드록실 화합물과 아릴카르보네이트와 의 에스테르 교환 반응에 의해 얻어지는 폴리카보네이트폴리올 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이들 중에서, 방향환 농도를 작게 하기 위해서, 방향환을 가지지 않는 고분자량 폴리올을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 광투과율을 향상시키기 위해서, 긴 공명 구조를 가지지 않는 고분자량 폴리올이나, 전자 흡인성·전자 제공성이 높은 골격 구조를 많이 가지지 않는 고분자량 폴리올을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 폴리올 성분으로서 상술한 고분자량 폴리올의 이외에, 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 1,4-시클로헥산디메탄올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 디에틸렌글리콜, 및 트리 에틸렌글리콜 등의 저분자량 폴리올을 병용할 수도 있다. 또한, 에틸렌디아민, 및 디에틸렌트리아민 등의 저분자량 폴리아민을 이용할 수도 있다. 방향환 농도를 작게 하기 위해서, 방향환을 가지지 않는 저분자량 폴리올이나 저분자량 폴리아민을 이용하는 것이 바람직하다.
쇄연장제로서는, 상기 저분자량 폴리올, 상기 저분자량 폴리아민, 또는 4,4'-메틸렌비스(o-클로로아닐린)(MOCA), 2,6-디클로로-p-페닐렌디아민, 4,4'-메틸렌비스(2,3-디클로로아닐린), 3,5-비스(메틸티오)-2,4-톨루엔디아민, 3,5-비스(메틸티오)-2,6-톨루엔디아민, 3,5-디에틸톨루엔-2,4-디아민, 3,5-디에틸톨루엔-2,6-디아민, 트리메틸렌글리콜-디-p-아미노벤조에이트, 1,2-비스(2-아미노페닐티오)에탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸-5,5'-디메틸디페닐메탄, N,N'-디-sec-부틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, m-크실렌디아민, N,N'- 디-sec-부틸-p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 및 p-크실렌디아민 등으로 예시되는 방향족 폴리아민을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 혼합할 수도 있다. 단, 폴리우레탄 수지의 방향환 농도를 작게 하기 위해서, 상기 방향족 폴리아민은 사용하지 않는 것이 바람직하지만, 상기 광투과 특성을 손상하지 않는 정도로 배합할 수도 있다.
상기 폴리우레탄 수지에 있어서의 이소시아네이트 성분, 폴리올 성분, 및 쇄연장제의 비는, 각각의 분자량이나 이들로부터 제조되는 광투과 영역의 원하는 물성 등에 따라서 적절하게 변경할 수 있다. 광투과 영역이 상기 특성을 얻기 위해서는, 폴리올과 쇄연장제의 합계 작용기(수산기+아미노기)의 수에 대한 이소시아네이트 성분의 이소시아네이트 기의 수가 0.95∼1.15인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.99∼1.10이다.
상기 폴리우레탄 수지는 용융법, 용액법 등 공지된 우레탄화 기술을 응용하여 제조할 수 있지만, 비용, 작업 환경 등을 고려할 경우, 용융법으로 제조하는 것이 바람직하다. 한편, 필요에 따라서 폴리우레탄 수지에 산화 방지제 등의 안정제, 촉매, 계면활성제, 윤활제, 안료, 충전제, 대전 방지제, 그 밖의 첨가제를 첨가할 수도 있다.
상기 폴리우레탄 수지의 중합 순서로서는, 프리폴리머법, 원-샷(one-shot)법 중 어느 것일 수도 있지만, 사전에 이소시아네이트 성분과 폴리올 성분으로부터 이소시아네이트 말단 프리폴리머를 합성하고, 이에 쇄연장제를 반응시키는 프리폴리머법이 바람직하다.
광투과 영역의 제조 방법은 특별히 제한되지 않으며, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 방법에 의해 제조한 폴리우레탄 수지의 블록을 밴드 소어 방식이나 칸나 방식의 슬라이서를 이용하여 소정의 두께로 하는 방법, 소정 두께의 캐비티를 가진 금형에 수지를 주입하여 경화시키는 방법, 코팅 기술이나 시트 성형 기술을 이용한 방법 등을 들 수 있다. 한편, 광투과 영역에 기포가 있을 경우에는, 광의 산란에 의해 반사광의 쇠퇴가 커져 연마 종점 검출 정밀도나 막 두께 측정 정밀도가 저하되는 경향이 있다. 따라서, 이러한 기포를 제거하기 위해서 상기 재료를 혼합하기 전에 10Torr 이하로 감압함으로써 재료 중에 포함되는 기체를 충분히 제거하는 것이 바람직하다. 혼합 후의 교반 공정에 있어서는 기포가 혼입되지 않도록 통상적으로 이용되는 교반 날개식 믹서의 경우에는, 회전수 1OOrpm 이하로 교반하는 것이 바람직하다. 또한, 교반 공정에 있어서도 감압하에서 실시하는 것이 바람직하다. 자전 공전식 혼합기는 고회전일지라도 기포가 잘 혼입되지 않으므로, 상기 혼합기를 이용하여 교반, 탈포하는 것도 바람직한 방법이다.
광투과 영역의 형상, 크기는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 연마 영역의 개구부와 동일한 형상, 크기로 하는 것이 바람직하다.
광투과 영역은 연마 영역의 두께와 동일 두께 또는 그 이하로 하는 것이 바람직하다. 광투과 영역이 연마 영역보다 두꺼울 경우에는, 연마중에 돌출 부분에 의해 웨이퍼가 손상될 우려가 있다. 한편, 지나치게 얇을 경우에는 내구성이 불충분해진다. 또한, 광투과 영역은 연마 영역의 연삭성과 동일하거나 또는 그 이하로 하는 것이 바람직하다. 광투과 영역이 연마 영역에 의해 연마되기 어려울 경우에는, 연마중에 돌출 부분에 의해 웨이퍼가 손상될 우려가 있다.
상기 투명 지지 필름의 형성 재료인 폴리머는, 상기 특성이 발현되는 재료라면 특별히 제한되지 않지만, 투명성이 높고, 내열성을 가지는 동시에 가요성을 가지는 폴리머인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 폴리에스테르; 폴리에틸렌; 폴리프로필렌; 폴리아크릴레이트; 폴리메타크릴레이트; 폴리아미드; 폴리이미드; 폴리비닐알코올; 폴리염화 비닐; 폴리플루오로에틸렌 등의 플루오르 함유 수지; 나일론; 셀룰로오스; 폴리카보네이트 등의 범용 엔지니어링 플라스틱; 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 및 폴리에테르술폰 등의 특수 엔지니어링 플라스틱 등을 들 수 있다. 방향환 농도를 작게 하기 위해서, 방향환을 가지지 않는 폴리머를 이용하는 것이 바람직하고, 특히 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 지방족 폴리아미드, 폴리아크릴산메틸, 폴리메타크릴산메틸, 및 폴리염화비닐로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 이용하는 것이 바람직하다.
투명 지지 필름의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 강도나 권취 등의 관점에서 20∼200㎛ 정도인 것이 바람직하다. 한편, 투명 지지 필름의 표면은 코로나 방전 처리가 행해질 수도 있다.
연마 영역의 형성 재료는, 연마층의 재료로서 통상 이용할 수 있는 것이라면 특별한 제한 없이 사용할 수 있지만, 본 발명에 있어서는 미세 발포체를 이용하는 것이 바람직하다. 미세 발포체로 함으로써 표면에 있는 기포 부분에 슬러리를 유지할 수 있고, 연마 속도를 크게 할 수 있다.
연마 영역의 형성 재료로서는, 예를 들면, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 할로겐계 수지(폴리염화비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리플루오로비닐리덴 등), 폴리스티렌, 올레핀계 수지(폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등), 에폭시 수지, 및 감광성 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
폴리우레탄 수지는 내마모성이 우수하고, 원료 조성을 여러 가지로 변경함으로써 원하는 물성을 가지는 폴리머를 용이하게 얻을 수 있으므로, 연마 영역의 형성 재료로서 특히 바람직한 재료이다. 폴리우레탄 수지의 원료는 상기와 동일하다.
상기 폴리우레탄 수지는 상기 방법과 같은 방법에 의해 제조할 수 있다.
상기 폴리우레탄 수지를 미세 발포시키는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 중공 비즈를 첨가하는 방법, 기계적 발포법, 및 화학적 발포법 등에 의해 발포시키는 방법 등을 들 수 있다. 한편, 각 방법을 병용할 수도 있지만, 특히 폴리알킬실록산과 폴리에테르와의 공중합체인 실리콘계 계면활성제를 사용한 기계적 발포법이 바람직하다. 상기 실리콘계 계면활성제로서는, SH-192, L-5340(토레다우코닝실리콘 제품) 등을 바람직한 화합물로서 예시할 수 있다.
연마 영역에 이용할 수 있는 독립 기포 타입의 폴리우레탄 발포체를 제조하는 방법의 예에 대하여 아래에 설명한다. 이러한 폴리우레탄 발포체의 제조 방법은 아래의 공정을 가진다.
1) 이소시아네이트 말단 프리폴리머의 기포 분산액을 제조하는 발포 공정
이소시아네이트 말단 프리폴리머에 실리콘계 계면활성제를 첨가하고, 비반응성 기체의 존재하에서 교반하고, 비반응성 기체를 미세 기포로서 분산시켜서 기포분산액으로 한다. 상기 프리폴리머가 상온에서 고체일 경우에는 적당한 온도로 예열하고, 용융시켜 사용한다.
2) 경화제(쇄연장제) 혼합 공정
상기 기포 분산액에 쇄연장제를 첨가, 혼합, 교반하여 발포 반응액으로 한다.
3) 주형 공정
상기 발포 반응액을 몰드에 주입한다.
4) 경화 공정
몰드에 주입된 발포 반응액을 가열하고, 반응 경화시킨다.
미세 기포를 형성하기 위하여 사용되는 비반응성 기체로서는, 가연성이 아닌 것이 바람직하고, 구체적으로는 질소, 산소, 탄산 가스, 헬륨이나 아르곤 등의 희가스나 이들의 혼합 기체를 예시할 수 있으며, 건조시켜 수분을 제거한 공기의 사용이 비용적으로 가장 바람직하다.
비반응성 기체를 미세 기포형으로 하여 실리콘계 계면활성제를 포함하는 이소시아네이트 말단 프리폴리머에 분산시키는 교반 장치로서는, 공지된 교반 장치를 특별한 제한 없이 사용 가능하며, 구체적으로는 균질기, 배합기, 2축 유성형 믹서(플레너터리 믹서) 등을 예시할 수 있다. 교반 장치의 교반 날개의 형상도 특별히 한정되지 않지만, 휘퍼형 교반 날개를 사용하면 미세 기포가 얻어지기 때문에 바람직하다.
교반 공정에 있어서 기포 분산액을 제조하는 교반과, 혼합 공정에 있어서의 쇄연장제를 첨가하여 혼합하는 교반은, 상이한 교반 장치를 사용하는 것도 바람직한 태양이다. 특히, 혼합 공정에 있어서의 교반은 기포를 형성하는 교반이 아니라도 되며, 큰 기포를 생성시키지 않는 교반 장치를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 교반 장치로서는, 유성형 믹서가 바람직하다. 교반 공정과 혼합 공정의 교반 장치를 동일한 교반 장치를 사용할 수도 있고, 필요에 따라서 교반 날개의 회전 속도를 조정하는 등의 교반 조건을 조정하는 것도 바람직하다.
상기 폴리우레탄 발포체의 제조 방법에 있어서, 발포 반응액을 몰드에 주입하여 유동하지 않게 될 때까지 반응시킨 발포체를 가열, 포스트 큐어(post-cure)하는 것은, 발포체의 물리적 특성을 향상시키는 효과가 있으므로 지극히 바람직하다. 몰드에 발포 반응액을 주입한 즉시 가열 오븐에 넣어서 포스트 큐어하는 조건으로 할 수도 있으며, 이러한 조건하에서도 반응 성분에 곧장 열이 전달되지 않으므로, 기포 직경이 커지지 않는다. 경화 반응은 상압하에서 행하는 것이 기포 형상이 안정적이 되므로 바람직하다.
상기 폴리우레탄 수지의 제조에 있어서, 제3급 아민계, 유기 주석계 등의 공지된 폴리우레탄 반응을 촉진하는 촉매를 사용할 수도 있다. 촉매의 종류, 첨가량은 혼합 공정 후, 소정 형상의 몰드에 유입하는 유동 시간을 고려하여 선택한다.
상기 폴리우레탄 발포체의 제조는, 용기에 각 성분을 계량하여 투입하고, 교 반하는 배치 방식이거나, 또는 교반 장치에 각 성분과 비반응성 기체를 연속적으로 공급하면서 교반하고, 기포 분산액을 송출하여 성형품을 제조하는 연속 생산 방식일 수도 있다.
연마 영역은 이와 같이 제조된 폴리우레탄 발포체를 소정 사이즈로 재단하여 제조된다.
미세 발포체로 형성되는 연마 영역은 피연마재와 접촉하는 연마측 표면에, 슬러리를 유지·갱신하기 위한 홈이 형성된 것이 바람직하다. 상기 연마 영역은 미세 발포체에 의해 형성되므로 연마 표면에 많은 개구를 가지며, 슬러리를 유지하는 작용이 있지만, 슬러리의 유지와 슬러리의 갱신을 더욱 효율적으로 행하기 위하여, 또한 피연마 재료와의 흡착에 의한 피연마 재료의 손상을 방지하기 위해서도, 연마측 표면에 홈을 가지는 것이 바람직하다. 홈은 슬러리를 유지·갱신하는 표면 형상이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, XY 격자홈, 동심원형 홈, 관통공, 관통되지 않은 구멍, 다각 기둥, 원 기둥, 나선형 홈, 편심원형 홈, 방사형 홈, 및 이들 홈을 조합한 것을 들 수 있다. 또, 홈 피치, 홈 폭, 홈 깊이 등도 특별히 제한되지 않으며 적절하게 선택하여 형성된다. 게다가, 이들 홈은 규칙성이 있는 것이 일반적이지만, 슬러리의 유지·갱신성을 바람직하게 하기 위하여, 소정 범위마다 홈 피치, 홈 폭, 홈 깊이 등을 변화시킬 수도 있다.
상기 홈의 형성 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 소정 사이즈의 바이트와 같은 치구를 이용하여 기계 절삭하는 방법, 소정의 표면 형상을 가지는 금형에 수지를 주입하여 경화시키는 방법, 소정 표면 형상을 가지는 프레스판으로 수지를 프레스하여 형성하는 방법, 포토리소그래피를 이용하여 형성하는 방법, 인쇄 방법을 이용하여 형성하는 방법, 및 탄산 가스 레이저 등을 이용한 레이저광에 의해 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
연마 영역의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상 0.8∼4mm정도이며, 바람직하게는 1∼2mm이다. 상기 두께의 연마 영역을 제조하는 방법으로서는, 상기 폴리우레탄 발포체 블록을 밴드 소어 방식이나 칸나 방식의 슬라이서를 이용하여 소정 두께로 하는 방법, 소정 두께의 캐비티를 가진 금형에 수지를 주입하여 경화시키는 방법, 및 코팅 기술이나 시트 성형 기술을 이용한 방법 등을 들 수 있다.
도 2 및 3은 본 발명의 연마 패드(8)의 단면도이다. 상기 연마 패드의 제조 방법은 특별히 제한되지 않으며, 여러 가지인 방법이 생각할 수 있지만, 구체적인 예를 아래에 설명한다.
케이스 1(도 2)
광투과 영역(10)을 형성하기 위한 개구부(13)를 연마 영역(9)에 형성한다. 연마 영역(9)의 편면에 접착층(12)을 형성하고, 광학적 검지 영역(14)에 대응하는 크기로 상기 접착층(12)에 구멍(15)을 뚫는다. 이어서, 투명 지지 필름(11)을 상기 접착층(12)에 부착하고, 광투과 영역(10)을 개구부(13) 내에 삽입하여 상기 접착층(12)에 부착한다. 이 경우, 광학적 검지 영역(14)은 광투과 영역(10) 및 투명 지지 필름(11)으로 구성된다.
케이스 2(도 3)
광투과 영역(10)을 형성하기 위한 개구부(13)를 연마 영역(9)에 형성한다. 투명 지지 필름(11)의 편면에 접착층(12)을 형성하고, 상기 연마 영역(9)을 상기 접착층(12)에 부착한다. 이어서, 광투과 영역(10)을 개구부(13) 내에 삽입하여 상기 접착층(12)에 부착한다. 이 경우, 광학적 검지 영역(14)은 광투과 영역(10), 투명 지지 필름(11), 및 접착층(12)으로 구성된다.
상기 연마 패드의 제조 방법에 있어서, 연마 영역이나 접착층을 개구시키는 수단은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 절삭능이 있는 공구를 프레스하여 개구시키는 방법, 탄산 레이저 등에 의한 레이저를 이용하는 방법, 및 바이트와 같은 공구로 연마하는 방법 등을 들 수 있다. 한편, 연마 영역의 개구부의 크기 및 형상은 특별히 제한되지 않는다.
접착층(12)으로서는, 예를 들면, 양면 테이프, 또는 접착제를 도포하여 경화한 것 등을 들 수 있다. 양면 테이프로서는, 부직포나 필름 등의 기재의 양면에 접착층을 형성한 일반적인 것을 사용할 수 있다. 슬러리의 침투 등을 방지하는 것을 고려하면, 기재로서 필름을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 접착층의 원료인 접착제로서는, 예를 들면, 고무계 접착제나 아크릴계 접착제 등의 일반적인 것을 들 수 있다. 단, 상기 케이스 2와 같이 광학적 검지 영역(14)이 접착층(12)을 포함할 경우에는, 광학적 검지 영역(14)의 광투과율을 파장 300∼400nm의 전체 범위에서 40% 이상으로 하기 위해서, 상기 양면 테이프의 기재는, 셀룰로오스, 폴리에틸렌, 및 폴리프로필렌 등의 비방향족계 폴리머에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 접착제의 베이스 폴리머도 방향환을 포함하지 않는 것을 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 연마 패드는 상기 투명 지지 필름의 편면에 쿠션 시트(쿠션층)이 적층되어 있을 수도 있다.
상기 쿠션 시트는 연마층의 특성을 보충하는 것이다. 쿠션 시트는 CMP에 있어서 상충(trade-off) 관계인 플래너리티와 유니포머티의 양자를 양립시키기 위하여 필요하다. 플래너리티란 패턴 형성시에 생긴 미세 요철이 있는 웨이퍼를 연마했을 때의 패턴부의 평탄성을 말하며, 유니포머티란 웨이퍼 전체의 균일성을 말한다. 연마층의 특성에 의해, 플래너리티가 개선되고, 쿠션 시트의 특성에 의해 유니포머티가 개선된다. 본 발명의 연마 패드에 있어서는, 쿠션 시트는 연마 영역보다 연성인 것을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 쿠션 시트로서는, 예를 들면, 폴리에스테르 부직포, 나일론 부직포, 아크릴 부직포 등의 섬유 부직포나 폴리우레탄을 함침한 폴리에스테르 부직포와 같은 수지 함침 부직포, 폴리우레탄 폼, 폴리에틸렌 폼 등의 고분자 수지 발포체, 부타디엔 고무, 이소프렌 고무 등의 고무성 수지, 감광성 수지 등을 들 수 있다.
투명 지지 필름과 쿠션 시트를 부착하는 수단으로서는, 예를 들면, 투명 지지 필름과 쿠션 시트를 양면 테이프를 개재시켜서 적층하여 프레스하는 방법을 들 수 있다. 단, 쿠션 시트에는 광학적 검지 영역(14)에 대응하는 부분에 개구부를 형성시켜 두는 것이 필요하다.
본 발명의 연마 패드는, 투명 지지 필름 또는 쿠션층의 플래튼과 접착하는 면측에 양면 테이프가 설치될 수도 있다.
반도체 디바이스는 상기 연마 패드를 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 연마 하는 공정을 거쳐서 제조된다. 반도체 웨이퍼는 일반적으로 실리콘 웨이퍼 상에 배선 금속 및 산화막을 적층한 것이다. 반도체 웨이퍼의 연마 방법, 연마 장치는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이 연마 패드(1)를 지지하는 연마 정반(2)과, 반도체 웨이퍼(4)를 지지하는 지지대(폴리싱 헤드)(5)와 웨이퍼를 균일 가압하기 위한 지지재와, 연마제(3)의 공급 기구를 구비한 연마 장치 등을 이용하여 행해진다. 연마 패드(1)는, 예를 들면, 양면 테이프로 부착함으로써 연마 정반(2)에 장착된다. 연마 정반(2)과 지지대(5)는 각각 지지된 연마 패드(1)와 반도체 웨이퍼(4)가 대향하도록 배치되며, 각각 회전축(6, 7)을 구비하고 있다. 또한, 지지대(5) 측에는, 반도체 웨이퍼(4)를 연마 패드(1)에 압착하기 위한 가압 기구가 설치되어 있다. 연마시에는, 연마 정반(2)과 지지대(5)를 회전시키면서 반도체 웨이퍼(4)를 연마 패드(1)에 압착시키고, 슬러리를 공급하면서 연마한다. 슬러리의 유량, 연마 하중, 연마 정반 회전수 및 웨이퍼 회전수는 특별히 제한되지 않고, 적절하게 조정하여 실시한다.
이에 의해 반도체 웨이퍼(4)의 표면의 돌출된 부분이 제거되어서 평탄형으로 연마된다. 이어서, 다이싱, 본딩, 패키징 등을 행함으로써 반도체 디바이스가 제조된다. 반도체 디바이스는 연산 처리 장치나 메모리 등에 이용할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 구성과 효과를 구체적으로 나타내는 실시예 등에 대하여 설명한다. 한편, 실시예 등에 있어서의 평가 항목은 하기와 같이 측정하였다.
(광학적 검지 영역의 광투과율의 측정)
실시예 1∼8, 비교예 1 및 2
제조된 각 광투과 영역을 10mm×50mm의 크기로 잘라내고, 그 주위에 1mm 폭의 양면 테이프(積水化學工業社 제품, 더블데크 테이프 #5782, 두께: 130㎛)를 부착하였다. 이어서, 각 실시예 및 비교예에서 사용한 투명 지지 필름(1Omm×50mm)을 상기 양면 테이프에 부착하여 광투과율 측정용 시료를 제조하였다.
실시예 9
제조된 광학적 검지 영역을 10mm×50mm의 크기로 잘라내어 광투과율 측정용 시료로 하였다.
제조된 광투과율 측정용 시료를 초순수가 충전된 유리 셀(광로(光路) 길이 1Omm×광로 폭 10mm×높이 45mm, 相互理化學硝子製作所 제품)에 넣고, 분광 광도계(島津製作所 제품, UV-1600PC)를 이용하여, 측정 파장 영역 300∼900nm에서 광투과율을 측정하였다. 얻어진 광투과율의 측정 결과를 Lambert-Beer의 법칙을 이용하여, 두께 1mm의 광투과율로 환산하였다. 한편, 광투과율 측정용 시료가 광투과 영역과 투명 지지 필름 사이에 공간을 가질 경우에는, 공간을 포함시킨 두께를 기초로 하여 환산하였다.
실시예 1
[연마 영역의 제조]
반응 용기 내에, 폴리에테르계 프리폴리머(유니로얄사 제품, 아디프렌 L-325, NCO 농도: 2.22meq/g) 100중량부 및 실리콘계 계면활성제(토레다우코닝실리콘 제품, SH192) 3중량부를 혼합하고, 온도를 80℃로 조정하였다. 교반 날개를 이용 하여 회전수 900rpm으로 반응계 내에 기포을 생성시켜서 약 4분간 격렬하게 교반하였다. 여기에 미리 120℃에서 용융한 4,4'-메틸렌비스(o-글로로아닐린)(이하라케미칼사 제품, 이하라큐아민 MT) 26중량부를 첨가하였다. 이어서, 약 1분간 교반을 계속하여 빵형 오픈 몰드에 반응 용액을 주입하였다. 이 반응 용액의 유동성이 없어진 시점에서 오븐에 넣고, 110℃에서 6시간 포스트 큐어하여, 폴리우레탄 발포체 블록을 얻었다. 이 폴리우레탄 발포체 블록을 밴드 소어 타입의 슬라이서(펫켄사 제품)를 이용하여 슬라이스화하여, 폴리우레탄 발포체 시트를 얻었다. 이어서, 이 시트를 버핑기(아미텍크사 제품)를 사용하여, 소정의 두께로 표면 버핑하여, 두께 정밀도를 갖춘 시트로 하였다(시트 두께: 1.27mm). 이 버핑 처리된 시트를 직경 61cm의 크기로 구멍을 뚫고, 홈 가공기(東邦鋼機社 제품)를 이용하여 표면에 동심원형 홈을 가공하였다. 이 홈 가공된 시트가 있는 소정 위치에 광투과 영역을 삽입하기 위한 개구부(57mm×20mm)를 구멍을 뚫어서 형성하였다. 그리고, 이 시트의 홈 가공면 반대 측의 면에 척층기를 사용하고, 양면 테이프(積水化學工業社 제품, 더블데크 테이프 #5782, 두께: 130㎛, 기재: 부직포, 접착제: 아크릴계, 방향환 농도: 0%)를 부착하였다. 이어서, 상기 개구부 내의 양면 테이프를 51mm×13mm의 크기로 구멍을 뚫어서 양면 테이프 부착 연마 영역을 제조하였다.
[광투과 영역의 제조]
용기에 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트(이하, HDI라 약칭함) 770중량부, 및 1,3-부탄디올(이하, 1,3-BG라 약칭함) 230중량부를 넣고, 80℃에서 120분간 가열 교반하여 이소시아네이트 말단 프리폴리머 A를 제조하였다.
또한, 수평균 분자량 650인 폴리테트라메틸렌글리콜(이하, PTMG-650라 약칭함) 29중량부, 트리메틸올프로판(이하, TMP라 약칭함) 13중량부, 및 촉매(花王 제품, Kao No. 25) 0.43중량부를 80℃에서 혼합 교반하여 혼합액을 얻었다. 이어서, 80℃로 온도 조절한 상기 혼합액에 상기 이소시아네이트 말단 프리폴리머 A(100중량부)를 첨가하고, 하이브리드 믹서(기엔스사 제품)로 충분히 교반하고, 이어서 탈포하였다. 이 반응액을 이형 처리한 몰드 상에 적하하고, 그 위에 이형 처리한 PET 필름을 피복하고, 닙 롤에 의하여 두께를 1.25mm로 조정하였다. 이어서, 상기 몰드를 100℃의 오븐에 넣고, 16시간 포스트 큐어하여 폴리우레탄 시트를 제조하였다. 상기 폴리우레탄 시트를 톰슨 커터를 이용하여 57mm×19mm의 크기로 구멍을 뚫어서 광투과 영역 a(두께:1.25mm)를 제조하였다.
[연마 패드의 제조]
적층기를 사용하여 상기 양면 테이프 부착 연마 영역에 폴리프로필렌 재질의 투명 지지 필름(東洋紡績社 제품, 파이렌 필름-OT P-2161, 두께 50㎛, 방향환 농도: O%)을 부착하였다. 이어서, 상기 광투과 영역 a를 연마 영역의 개구부 내에 삽입하고, 양면 테이프에 부착하여 연마 패드를 제조하였다.
실시예 2
실시예 1에 있어서, 파이렌 필름-OT P-2161 대신 폴리프로필렌 재질의 투명 지지 필름(東洋紡績社 제품, 파이렌 필름-OT P2002, 두께 50㎛, 방향환 농도: 0%)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
실시예 3
실시예 1에 있어서, 파이렌 필름-OT P-2161 대신 폴리에틸렌 재질의 투명 지지 필름(東洋紡績社 제품, 릭스 필름 L6100, 두께 60㎛, 방향환 농도: 0%)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
실시예 4
실시예 1에 있어서, 파이렌 필름-OT P-2161 대신 지방족 폴리아미드 재질의 투명 지지 필름(東洋紡績社 제품, 하덴 필름 N1100, 두께 25㎛, 방향환 농도: 0%)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
실시예 5
[광투과 영역의 제조]
용기에 PTMG-650(242중량부), 1,3-BG(134중량부), 및 HDI(625중량부)를 넣고, 80℃에서 120분간 가열 교반하여 이소시아네이트 말단 프리폴리머 B를 제조하였다.
또한, 1,3-BG(6중량부), TMP(10중량부), 및 촉매(Kao No.25) 0.35중량부를 80℃에서 혼합 교반하여 혼합액을 얻었다. 이어서, 80℃로 온도 조절한 상기 혼합액에 상기 이소시아네이트 말단 프리폴리머 B(100중량부)를 첨가하고, 하이브리드 믹서(기엔스사 제품)로 충분히 교반하고, 탈포하였다. 이어서, 실시예 1과 같은 방법으로 광투과 영역 b(57mm×19mm, 두께: 1.25mm)를 제조하였다.
[연마 패드의 제조]
실시예 1에 있어서, 광투과 영역 a 대신 광투과 영역 b를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
실시예 6
[광투과 영역의 제조]
용기에 PTMG-650(252중량부), 1,3-BG(3중량부), 및 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트(이하, HMDI라 약칭함) 667중량부를 넣고, 80℃에서 120분간 가열 교반하여 이소시아네이트 말단 프리폴리머 C를 제조하였다.
또한, 1,3-BG(6중량부), TMP(7중량부), 및 촉매(Kao No.25) 0.33중량부를 80℃에서 혼합 교반하여 혼합액을 얻었다. 이어서, 80℃로 온도 조절한 상기 혼합액에 상기 이소시아네이트 말단 프리폴리머 C(100중량부)를 첨가하고, 하이브리드 믹서(기엔스사 제품)로 충분히 교반하고, 탈포하였다. 이어서, 실시예 1과 같은 방법으로 광투과 영역 c(57mm×19mm, 두께: 1.25mm)를 제조하였다.
[연마 패드의 제조]
실시예 1에 있어서, 광투과 영역 a 대신에 광투과 영역 c를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
실시예 7
[광투과 영역의 제조]
용기에 PTMG-650(279중량부), 1,3-BG(90중량부), 및 이소프론디이소시아네이트 631중량부를 넣고, 80℃에서 120분간 가열 교반하여 이소시아네이트 말단 프리폴리머 D를 제조하였다.
또한, 1,3-BG(7중량부), TMP(5중량부), 및 촉매(Kao No.25) 0.34중량부를 80℃에서 혼합 교반하여 혼합액을 얻었다. 이어서, 80℃로 온도 조절한 상기 혼합액 에 상기 이소시아네이트 말단 프리폴리머 D(100중량부)를 첨가하고, 하이브리드 믹서(기엔스사 제품)로 충분히 교반하고, 탈포하였다. 이어서, 실시예 1과 같은 방법으로 광투과 영역 d(57mm×19mm, 두께: 1.25mm)를 제조하였다.
[연마 패드의 제조]
실시예 1에 있어서, 광투과 영역 a 대신 광투과 영역 d를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
실시예 8
[광투과 영역의 제조]
용기에 수평균 분자량 1000인 폴리테트라메틸렌글리콜(462중량부), 디에틸렌글리콜(54중량부), 및 HMDI(484중량부)를 넣고, 80℃에서 120분간 가열 교반하여 이소시아네이트 말단 프리폴리머 E를 제조하였다.
또한, 에타큐어 100(알베말사 제품, 3,5-디에틸-2,6-톨루엔디아민과 3,5-디에틸-2,4-톨루엔디아민의 혼합물) 4중량부, TMP(5중량부), 및 촉매(Kao No.25) 0.43중량부를 80℃에서 혼합 교반하여 혼합액을 얻었다. 이어서, 80℃로 온도 조절한 상기 혼합액에 상기 이소시아네이트 말단 프리폴리머 E(100중량부)를 첨가하고, 하이브리드 믹서(기엔스사 제품)로 충분히 교반하고, 탈포하였다. 이어서, 실시예 1과 같은 방법으로 광투과 영역 e(57mm×19mm, 두께: 1.25mm)를 제조하였다.
[연마 패드의 제조]
실시예 1에 있어서, 광투과 영역 a 대신 광투과 영역 e를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
실시예 9
[연마 영역의 제조]
실시예 1에 있어서, 개구부 내의 양면 테이프에 구멍을 뚫지 않은 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 양면 테이프 부착 연마 영역을 제조하였다.
[연마 패드의 제조]
실시예 1의 양면 테이프 부착 연마 영역 대신 상기 양면 테이프 부착 연마 영역을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
비교예 1
실시예 1에 있어서, 파이렌 필름-OT P-2161 대신 폴리에틸렌테레프탈레이트 재질의 투명 지지 필름(東洋紡績社 제품, 東洋紡 에스테르 필름 E5001, 두께 100㎛, 방향환 농도: 38%)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
비교예 2
[광투과 영역의 제조]
폴리에테르계 프리폴리머(유니로얄사 제품, 아디프렌 L-325, NCO 농도: 2.22meq/g) 100중량부를 감압 탱크에 계량하고, 감압(약 10Torr)에 의해 프리폴리머 중에 잔존하고 있는 기체를 탈포시켰다. 탈포된 상기 프리폴리머에 미리 120℃로 용융시킨 4,4'-메틸렌비스(o-클로로아닐린) 29중량부를 첨가하고, 하이브리드 믹서(기엔스사 제품)로 충분히 교반하고, 탈포하였다. 이어서, 실시예 1과 같은 방법으로 광투과 영역 f(57mm×9mm, 두께: 1.25mm)를 제조하였다.
[연마 패드의 제조]
실시예 1의 광투과 영역 a 대신 상기 광투과 영역 f를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 연마 패드를 제조하였다.
[표 1]
Figure 112010072788513-pct00005
표 1로부터 명확한 바와 같이, 본 발명의 연마 패드는 단파장측에서의 광투과율이 대단히 높기 때문에, 종래의 연마 패드에 비하여 광학적 검지 정밀도가 우수하다.

Claims (5)

  1. 연마 영역 및 광투과 영역으로 형성되는 연마층의 편면에 적어도 투명 지지 필름이 적층되어 있는 연마 패드에 있어서,
    적어도 광투과 영역 및 투명 지지 필름을 포함하는 광학적 검지 영역의 광투과율이 파장 300∼400nm의 전체 범위에서 40% 이상 및 100% 미만이며,
    상기 광학적 검지 영역을 구성하는 각 부재의 주원료인 폴리머의 방향환 농도가 합계 0중량% 이상 및 2중량% 이하이며,
    상기 폴리머가 폴리우레탄 수지이며, 상기 폴리우레탄 수지의 이소시아네이트 성분은 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 및 이소프론디이소시아네이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    투명 지지 필름의 주원료인 폴리머가 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 지방족 폴리아미드, 폴리아크릴산메틸, 폴리메타크릴산메틸, 및 폴리염화비닐로 이루어진 군 에서 선택되는 적어도 1종인 연마 패드.
  5. 제1항 또는 제4항에 기재된 연마 패드를 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
KR1020087020467A 2006-05-17 2007-05-15 연마 패드 KR101055248B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006137353A JP5110677B2 (ja) 2006-05-17 2006-05-17 研磨パッド
JPJP-P-2006-00137353 2006-05-17
PCT/JP2007/059969 WO2007132854A1 (ja) 2006-05-17 2007-05-15 研磨パッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080096566A KR20080096566A (ko) 2008-10-30
KR101055248B1 true KR101055248B1 (ko) 2011-08-08

Family

ID=38693943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087020467A KR101055248B1 (ko) 2006-05-17 2007-05-15 연마 패드

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7874894B2 (ko)
JP (1) JP5110677B2 (ko)
KR (1) KR101055248B1 (ko)
CN (1) CN101443157B (ko)
TW (1) TW200804033A (ko)
WO (1) WO2007132854A1 (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG162797A1 (en) * 2005-07-15 2010-07-29 Toyo Tire & Rubber Co Layered sheets and processes for producing the same
JP4884726B2 (ja) * 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッドの製造方法
CN101511536A (zh) * 2006-09-08 2009-08-19 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫的制造方法
MY157714A (en) 2007-01-15 2016-07-15 Rohm & Haas Elect Mat Polishing pad and a method for manufacturing the same
JP5255286B2 (ja) * 2008-01-25 2013-08-07 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4593643B2 (ja) * 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5385377B2 (ja) * 2008-05-15 2014-01-08 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 終点窓を持った研磨パッドおよびこれを用いたシステムおよび使用方法
JP5563208B2 (ja) * 2008-08-05 2014-07-30 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US8697217B2 (en) * 2010-01-15 2014-04-15 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Creep-resistant polishing pad window
CN102133734B (zh) * 2010-01-21 2015-02-04 智胜科技股份有限公司 具有侦测窗的研磨垫及其制造方法
JP5620141B2 (ja) * 2010-04-15 2014-11-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
TWI510328B (zh) * 2010-05-03 2015-12-01 Iv Technologies Co Ltd 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
US8257545B2 (en) * 2010-09-29 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith
JP5918254B2 (ja) * 2010-11-18 2016-05-18 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 透過性領域を含む研磨パッド
US8920219B2 (en) * 2011-07-15 2014-12-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment aperture
US9156125B2 (en) * 2012-04-11 2015-10-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with light-stable light-transmitting region
JP2013233691A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Akebono Kikai Kogyo Kk 表面保護フィルム
US9597769B2 (en) * 2012-06-04 2017-03-21 Nexplanar Corporation Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer
JP5453507B1 (ja) * 2012-10-31 2014-03-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
JP2014113644A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
US9446497B2 (en) 2013-03-07 2016-09-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Broad spectrum, endpoint detection monophase olefin copolymer window with specific composition in multilayer chemical mechanical polishing pad
US9186772B2 (en) 2013-03-07 2015-11-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with broad spectrum, endpoint detection window and method of polishing therewith
US9064806B1 (en) 2014-03-28 2015-06-23 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad with window
US9259820B2 (en) 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
US9216489B2 (en) 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9314897B2 (en) 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9333620B2 (en) 2014-04-29 2016-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window
CN105922126B (zh) * 2016-06-03 2018-05-11 湖北鼎龙控股股份有限公司 化学机械抛光垫的检测窗及其制备方法
US10293456B2 (en) * 2017-04-19 2019-05-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aliphatic polyurethane optical endpoint detection windows and CMP polishing pads containing them
TWI647065B (zh) * 2017-08-07 2019-01-11 智勝科技股份有限公司 研磨墊及其製造方法以及研磨方法
CN109202694B (zh) * 2018-09-27 2020-07-24 江西龙正科技发展有限公司 一种多层纳米纤维化学机械抛光垫
KR102421208B1 (ko) * 2020-09-10 2022-07-14 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마 패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
CN114227530B (zh) * 2021-12-10 2022-05-10 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫及半导体器件的制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001071414A (ja) * 1998-12-10 2001-03-21 Oji Paper Co Ltd 金属蒸着フィルム
JP2003019658A (ja) * 2001-07-03 2003-01-21 Rodel Nitta Co 研磨パッド
JP2005001059A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 研磨用積層体

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
DE69635816T2 (de) 1995-03-28 2006-10-12 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung zur In-Situ-Kontrolle und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgängen
US5605760A (en) * 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
US6524164B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
US6454630B1 (en) * 1999-09-14 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Rotatable platen having a transparent window for a chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
WO2001023141A1 (en) 1999-09-29 2001-04-05 Rodel Holdings, Inc. Polishing pad
JP2002001647A (ja) * 2000-06-19 2002-01-08 Rodel Nitta Co 研磨パッド
KR100858392B1 (ko) * 2001-04-25 2008-09-11 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 웨이퍼용 연마 패드와, 이를 구비한 반도체웨이퍼용 연마 적층체와, 반도체 웨이퍼의 연마 방법
JP4131632B2 (ja) * 2001-06-15 2008-08-13 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び研磨パッド
JP3904854B2 (ja) * 2001-06-28 2007-04-11 セントラル硝子株式会社 含フッ素脂環式ジカルボン酸化合物の製造方法
US6722249B2 (en) * 2001-11-06 2004-04-20 Rodel Holdings, Inc Method of fabricating a polishing pad having an optical window
US7435165B2 (en) * 2002-10-28 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
AU2003302299A1 (en) * 2002-11-27 2004-06-18 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Polishing pad and method for manufacturing semiconductor device
US6960120B2 (en) * 2003-02-10 2005-11-01 Cabot Microelectronics Corporation CMP pad with composite transparent window
US6832947B2 (en) * 2003-02-10 2004-12-21 Cabot Microelectronics Corporation CMP pad with composite transparent window
JP4849587B2 (ja) * 2003-03-11 2012-01-11 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
US7238097B2 (en) * 2003-04-11 2007-07-03 Nihon Microcoating Co., Ltd. Polishing pad and method of producing same
US20040224611A1 (en) * 2003-04-22 2004-11-11 Jsr Corporation Polishing pad and method of polishing a semiconductor wafer
US7195539B2 (en) * 2003-09-19 2007-03-27 Cabot Microelectronics Coporation Polishing pad with recessed window
US6984163B2 (en) * 2003-11-25 2006-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with high optical transmission window
US7871685B2 (en) * 2004-04-08 2011-01-18 Tdk Corporation Methods for producing optical recording medium and optical recording medium
JP4627149B2 (ja) 2004-05-10 2011-02-09 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP4498232B2 (ja) 2004-06-28 2010-07-07 キヤノン株式会社 光カチオン重合性エポキシ樹脂組成物、並びに、これを用いた微細構造体の製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法
CN101103311B (zh) * 2004-06-28 2011-05-04 佳能株式会社 阳离子可光致聚合环氧树脂组合物，使用该组合物的微细结构构件以及微细结构构件的制造方法
JP2006021290A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Nitta Haas Inc 研磨パッドおよび該研磨パッドの製造方法
JP2006110686A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
US7306507B2 (en) * 2005-08-22 2007-12-11 Applied Materials, Inc. Polishing pad assembly with glass or crystalline window
JP2006102940A (ja) * 2006-01-10 2006-04-20 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001071414A (ja) * 1998-12-10 2001-03-21 Oji Paper Co Ltd 金属蒸着フィルム
JP2003019658A (ja) * 2001-07-03 2003-01-21 Rodel Nitta Co 研磨パッド
JP2005001059A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 研磨用積層体

Also Published As

Publication number Publication date
TW200804033A (en) 2008-01-16
KR20080096566A (ko) 2008-10-30
CN101443157B (zh) 2011-06-01
US7874894B2 (en) 2011-01-25
WO2007132854A1 (ja) 2007-11-22
US20090137189A1 (en) 2009-05-28
JP5110677B2 (ja) 2012-12-26
TWI330569B (ko) 2010-09-21
CN101443157A (zh) 2009-05-27
JP2007307638A (ja) 2007-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101055248B1 (ko) 연마 패드
KR101120533B1 (ko) 연마 패드
KR100817233B1 (ko) 연마 패드 및 반도체 디바이스의 제조 방법
KR101047933B1 (ko) 연마 패드 및 반도체 장치의 제조 방법
JP4943233B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
KR101475767B1 (ko) 연마 패드의 제조 방법
JP2014104521A (ja) 研磨パッド
KR101633745B1 (ko) 연마 패드
JP2007260827A (ja) 研磨パッドの製造方法
JP4744087B2 (ja) 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP2004297061A (ja) 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
JP2004297062A (ja) 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
JP3582790B2 (ja) 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP4941735B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
JP5165923B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
JP2017117976A (ja) 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP2017119316A (ja) 研磨パッド

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180628

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190718

Year of fee payment: 9