TWI328719B - A sensor for use in a lithographic apparatus - Google Patents
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- TWI328719B TWI328719B TW095104987A TW95104987A TWI328719B TW I328719 B TWI328719 B TW I328719B TW 095104987 A TW095104987 A TW 095104987A TW 95104987 A TW95104987 A TW 95104987A TW I328719 B TWI328719 B TW I328719B
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Description
1328719 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造一器件之方 法0 【先前技術】
微影裝置為將所要圖案應用至基板上(通常應用至基板之 目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(ic)之 裝以中在D玄貫例中,圖案化器件(或者被稱為光罩或主光 罩)可用以產生將形成於1(:之個別層上的電路圖案。可將此 圖案轉印至基板(例如,b [gi、 u』如矽日日圓)上之目標部分(例如,包含 一或幾個晶粒之部分)上。圖案之轉印通常係經由成像至提 供於基板上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。一般而言,單 一基板將含有逐次被圖案化之鄰近目標部分之—網路。已 謂的步進機,μ藉由—次性將整 個圖案曝露至目標部分上來照射每—目標部分;及所謂的 知描器,其中藉由在給定方向(“掃描,,方向)中經由輻射光束 掃描該圖t,同時與此方向平行或反平行地同步地掃描基 板來照射每—目標部分。亦可能藉由將®隸印至基板上 來將圖案自圖案化器件轉印至基板。 已建議將微影投影裝置中之基板浸人具有相對高折射率 之液體(例如,水)中,LV +古ώ 4;1_ w 真充4又衫系,·先之最終元件與基板之 間的空間。此做法之目的係使得能夠成像較小特徵,因為 在液體中將具有較短波長。(液體之作用可被認為 疋付月b夠使用糸統之較大有效ΝΑ且亦增加聚焦深度。) I08405.doc 1328719 已建議其它浸漬液體,包括其中懸浮有固體粒子(例如石英) 之水。 然而,將基板或基板及基板台浸入液體浴中(參見 4,509,852,其以全文引用的方式倂入本文中)意指在掃描曝 光期間有大量液體必須被加速。此需要額外或更強大之馬 達,且液體中之紊流可導致不良且不可預見之影響。 所建議之解決方案之一係液體供應系統使用液體限制系 統而僅在基板之局部區域上及在投影系統之最終元件盘基 板(基板通常具有比投影系統之最終元件大的表面積= 提供液體。在W0 99/49504(其以全文引用的方式倂入本文 中)中已揭示-種已建議的為此準備之方法。如圖2及3中所 說明,液體係藉由至少-入口IN,較佳沿基板相對於最線 -件移動的方向供應至基板上,並在已通過投影裝置下方 後藉由至少-出口0UT被移除。意即,由於在元件之下在χ 方向中掃描基板,故在元件之+ χ側供應液體且在_乂側移去 uP)液體。圖2示意地展示其中經由入口 m供應液體且 配:件之另一側藉由連接至低壓源之出口 out移去液體的 在圖2之說明中,沿基板相對於最終元 供,’但並不-定必須如此。位於最終元件周圍的入 出口之各種定向及數目係可能的,在圖3中說明一實 歹其甲在最終元件周圍以規則圖案提供在任 組入口及出口。 7 件已2的另一解決方案係為液體供應系統提供-密封部 ^件沿投影系統之最終元件與基板台之間的空間之 I08405.doc 1328719 ,界的至少—部分延伸。在圖4中說明該解決方案。該密封 °H牛在XY平面中相對於投影系統大體上固定,但在z方向 中(在光轴的方向中)可能有_ ° 在抢封部件與基 、之間形成密封。該密封較佳為諸如氣封之不接觸密 切在歐洲專利中請案第G3252955.4號(其以全文引用的方 式倂入本文中)中揭示了諸如具有氣封之系統。 在歐洲專利申請案第03257072 3號中揭示了雙㈣"r _ι)平臺浸潰微影裝置之觀^該裝置具備用於支樓基板 之兩平臺。使用—在第—位置處之平臺執行水準量測 (Leveling measurement)而無需浸潰液體,且使用一在第二 位置處之平臺執行曝光,其中存在浸潰液體。或者,該裝 置具有僅一平臺。 在基板層處可使用許多感應器來估計並最優化成像效 能。此等感應器可包括透射影像感應器⑽)、用於量測曝 光輻射Μ里之光點感應器及掃描器處之積體透鏡干涉儀 (ILIAS)。以下討論TIS及ILIAS。 TIS係用以量測在光罩(主光罩)層處之光罩圖案之投影空 間影像(aerial image)在基板層處之位置的感應器。在基板層 處之投影影像可為線型圖案,其具有可與曝光輻射之波長 相當的線寬。丁IS使用透射圖案用其下之光電池來量測此等 光罩圖案。可使用感應器資料來量測光罩相對於基板台之 位置,其自由度為六(三自由度為平移且三自由度為旋轉 此外,可量測投影光罩之放大及縮放比由於感 應較佳能夠量測圖案位置及所有照明設置〔(西格瑪 I08405.doc 1328719 (sigma)、透鏡ΝΑ、所有光罩(二元、psM等等)〕之影響, 故小線寬較佳。TIS亦可用以量測工具之光學效能。將不同 照明設置與不同投影影像結合使用,以量測諸如光曈形 狀、聋形像差(coma)、球面像差、散光及場曲率之特性。 ILIAS係可在高階上對透鏡像差執行靜態量測之干涉波 刖量測系、統。其可實施為用於系統初始化及校正的積體量 測系統。或者,其可用於“應需,,監控及再校正。
在具有高NA之系統中,且詳言之在浸潰系統中已發現 在基板層處之習知感應器對以對應於大於丨之N A的角到達 之輻射經受極少敏感性或無敏感性。將而定義為η如⑼, 其中η為投影系統之最終元件與基板之間之材料的折射 率’且為距法線最遠之輻射與法線之角。 【發明内容】 需要在基板層處提供一具有高敏感性且適用於高—系統 &根據本發明之—態樣,提供—歸具有―投影系、統之微 衫投影袭置中-基板層處的感應器,該投影系統經組態以 大於1之數值孔徑將圖案化之輻射光束投 部分上,該感應器包含: 至基板之目標 一輻射偵測器; 前表面及一後表面’該透射板覆蓋 板:偵測器以使得由投影系統所投影之輕射進入該透射 别表面且自該透射板之後表面穿出至該輕射制琴. I08405.doc ''發光層’其提供於該透射板之後表面上,該發光層吸 幸田射且發射不同波長之發光輻射,其中後表面係粗趟的》 根據本發明之另一態樣,提供一用於具有—投影系統之 /·、技’V裝置中一基板層處的感應器,該投影系統經組態 | 於1之數值孔徑將圖案化之賴射光束投影至基板之目 標部分上,該感應器包含: '幸畐射偵測器; 透射板,其具有一前表面及一後表面,該透射板覆蓋 。亥輻射偵;則器以们寻由投影系統所投影之輻射進入該透射 板之前表面且自該透射板之後表面穿出至該輻射偵測器; 徒供於該透射板之後表 將輕射耦合至該輻射偵測器 =據本發明之另—態樣,提供—用於具有—投影系統之 "奴〜裝置中I板層處的感應器,該投影系統經組態 =大於1之數值孔徑將圖案化之㈣光束投影至基板之目 私部分上,該感應器包含: 一輻射偵測器;及 —透射扳,其具有一前表 面及一後表面,該透射板覆蓋 έ亥轄射偵測器以使得由和旦/ 又衫糸、.先所投影之輻射進入該透射 板之前表面且自該透射板之 „ ^ 谈表面牙出至該輻射偵測器; ,、中該透射板之一被Μ射穿.a 说电 ό 被鸚射穿過之區域在其折射率上具有 梯度,以使付輪射被折射Α υ * “ λ 向该透明板之後表面之法線。 根據本發明之另一態樣, &供一用於具有一投影系統之 I08405.doc 1328719 微影投影裝置中一基板層處的感應器,該投影系統經組態 以大於1之數值孔徑將圖案化之輻射光束投影至基板之目 標部分上’該感應器包含: 一輻射偵測器; 一透射板’其具有一前表面及一後表面該透射板覆蓋 該輻射偵測器以使得由投影系統所投影之輻射進入該透射 板之前表面且自該透射板之後表面穿出至該輻射偵測器; 及 ° * 一反向溫斯頓錐,其提供於該透射板之後表面上且經配 置以將輻射耦合至該輻射偵測器。 根據本發明之另一態樣,m於具有一投影系統之 微影投影裝置中-基板層處的感應器,該投影线經組態 以大於1之數值孔徑將圖案化之輻射光束投影至基板之目 標部分上’該感應器包含: —輻射偵測器;及 一透射板,其具有一前表面及一後,該透射板覆蓋 該賴射偵測器以使得由投影系統所投影之輻射進人該透: 板之前表面且自該透射板之後表面穿出至該輻射偵測器; /、中》亥輪射偵測器係直接安裝至該透明板之後表面上。 根據本發明之另-態樣,提供-用於具有-投影系統之 微影投影裝置中-基板層處的感應器,該投影系統經組能 以大於i之數值孔徑將圖案化之輻射光束投影至基板之目 標部分上,該感應器包含: 一輻射偵測器; 10S4O5.doc 以δ/19 ^透射板,其具有一前表面及一後表面,該透射板覆蓋 4射该測器以使得由投影'系統所投影之輻射進入該透射 板之别表面且自該透射板之後表面穿出至該輻射偵測器; 及 王心、光予元件,其提供於該透射板之後表面上且經配 置以將輻射耦合至輻射偵測器。 山根據本發明之另一態I,提供一用於具有一投影系統之 铽影投影裝置中一基板層處的感應器,該投影系統經組態 、大於1之數值孔徑將圖案化之輻射光束投影至基板之目 標部分上’該感應器包含: —輻射偵測器; Α透射板,其具有一前表面及一後表面,該透射板覆蓋 該輕㈣測器以使得由投㈣統所投影之輻射進人該透射 板之前表面且自該透射板之後表面穿出至該輻射偵測器; 一凸球面透鏡,其提供於該透射板之後表面上;及 圓柱反射體,其圍繞該凸球面透鏡且經配置以將離開 該透鏡之輻射耦合至該輻射偵測器。 根據本發明之另一態樣,提供一用於具有一投影系統之 U〜才又〜裝置中一基板層處的感應器,該投影系統經組態 以大於1之數值孔徑將圖案化之輻射光束投影至基板之目 標部分上’該感應器包含: 一輻射偵測器; 一透射板,其具有一前表面及一後表面,該透射板覆蓋 該輻射偵測器以使得由投影系統所投影之輻射進入該透射 I08405.doc 12 1328719 板之前表面且自該透射板之後表面穿出至該輻射偵測器; —圓柱體’其提供於該透射板之後表面上,經配置以將 輻射耦合至該輻射偵測器,該圓柱體在其彎曲側表面上具 有反射塗層且在其面向該感應器之端面辛具有凹面凹座 (concave recess) 〇 【實施方式】
圖1示意地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝 置包括: ~ -照明系統(照明器)! L ’其經組態以調節輻射光束b (例 如,UV輻射或DUV輻射); -支撐結構(例如’光罩台)MT,其經建構以支撐一圖案 :器件(例如,光罩)MA且經連接至一第一定位器pM,該第 :定位器職組態以根據某些參數來精殘地定位該圖案化 -基板台(例如’晶圓臺)WT,其經建構以固持一基板(例 。’塗有抗㈣之晶圓)W且經連接至―第二定位器 第二定位HPW經組態以根據某些參數來精確地定位該基 板,及 土 w <现示玩)PS,其經組態以 由將器件则案化至基板…之目標部分c(例如,包括―: 多個晶粒)上來將所賦予的圖案投影至.1射光束B。 δ亥照明系統可包括各種類】 ^ ㈣之先學組件,諸如折射、反 八 匕類型之光學組件,或其任何组 白,以用於導向、成形或控制輻射。 ,, I08405.doc 2支撐結構支撐圖案化器件,意即,承_案化n件之 里。其固持該圖案化器件之方式取決於圖索化器件 ^微影裝置之設計,及諸如該圖案化器件是否固持在真 ^境中之其他條件。該支撐結構可使用機械、真空、靜 或其它夾緊技術來輯該圖案化器彳卜 (例如)框竿或a,按雨並甘π丛 叉存、,,口構可為 可碹仅其可為固定或移動的。該支撐結構 '、該圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位 本文令術語“主光罩,,或“光罩”的任何使用可認為與更普 通之術語“圖案化器件,,同義。 曰 ::中所使用之術語“圊案化器件,,應廣泛地理解為指可 =輕射光束在其橫截面中賦予一圖案,以在基板之目 -邛刀中產生一圖案之任何器件。應注意,賦予輻射 之圖案可不精確地對應於基板之目標部分中的所要圖宰, 列如當《案包括相移特徵或所謂的輔助特徵時。通常, 賦予輕射光束的圖案將對應於正在該目標部分中產生 件之特殊功能層,諸如積體電路。 圖案化器件可為透射或反射器件。圓案化器件之實例包 括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化液晶顯示器卿 面板。光罩在微影術中為熟知的’且其包括諸如二元、交 替相移及衰減相移之光罩類型以及各種混和光罩類型。可 私式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置,該等鏡 面之每一者可個別地傾斜以便反射在不同方向中之入射輻 射先束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣所反射之輻射光 一圖案。 108405.doc -14- 1328719 本文中使用之術語“投影系統”應廣泛地理 /函斋適 所使用之曝光輻射或適於諸如浸潰液體 ; &巾战真空之使 用的其它因素的任何類型之投影系統,其包括折射 反射折射、磁、電磁及靜電光學系統或其任何組合反=、 中術語“投影透鏡”的任何使用可認為與更並通 文 系統,,同義。 ' 蚀丁語“投影 如在此所描述,該裝置為透射類型(例如,使用透射光 罩)。或者,該裝置可為反射類型(例如,使用以上提及之類 型之可程式化鏡面陣列,或使用反射光罩)。 該微影裝置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及 /或兩個或兩個以上光罩台)的類型。 仕逆寺多平臺,,機器 中,可平行使用額外台,或可在一或多個其它台用於曝光 的同時在一或多個臺上執行預備步驟。 參看圖1,照明器化自輻射源so接收輕射光束。例如當輕 射源為準分子雷射時’輻射源及微影裝置可為獨立實體。 在該等狀況下,不認為輻射源形成微影裝置之部分且在光 束傳遞系統B D的幫助下將輕射光束自輻射源s 〇傳至照明 器1L,該光束傳遞系統BD包括(例如)適合之導向鏡面及/或 光束放大器。在其它狀況下,例如當輻射源為汞燈時,輻 射原可為微衫裝置之一組成部分。輻射源S〇及照明器IL以 及光束傳遞系統BD(若需要)可被稱為輻射系統。 ’ °°江了包含一用於調節輕射光束之強度分佈之調節 器AD。通常,至少可調節照明器之光瞳平面中強度分佈之 外部及/或内部徑向範圍(一般分別被稱為σ外部及σ内部)。 108405.doc 1328719 」舨明器IL可包括各種其它組件,諸如積光器ίΝ及聚 光器C0。照明器可用於調節輻射光束,以在其橫截面中具 有所要之均—性及強度分佈。 輻射光束Β在固持於支撐結構(例如,光罩台Μτ)上之圖案 化器件(例如,光罩ΜΑ)上入射且由該圖案化器件圖案化
s射光束Β在橫穿光罩μα之後穿過投影系統pS,該投影系 統ps將光束聚焦至基板w之目標部分c上。在第二定位器 pw及位置感應器IF(例如,干涉器件、線性編碼器及電容式 感應裔)的幫助下,可精輕移動基板台WT(例如)以便將不 同目‘邛为c疋位於輻射光束B之路徑中。類似地,第一定 位器PM及另一位置感應器(其在圖1中未明確描繪)可用於 在(例如)自光罩庫以機械方式取得光罩MA2後或在掃描期 間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩。一般而
言,可在一長衝程模組(粗定位)及一短衝程模組(精定位)的 幫助下實現光罩台MT之移動,該等模組形成第—定位器pM 之部分。類似地,可使用一長衝程模組及一短衝程模組來 實現基板台wt之移動,該等模組形成第二定位器pw之部 分。在步進機的狀況下(與掃描器相對),光罩台Μτ可僅連 接至一短衝程致動器或可被固定。可使用光罩對準標記 Μ!、M2及基板對準標㈣、ρ2來對準光罩心與基板w°。 儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分但是其 可位於目標部分之間之空間中(其稱為切割線對準標記)。類 似地’在其中在光罩MA上提供一個以上晶粒的情況下,光 罩對準標記可位於晶粒之間。 108405.doc 可在以下杈式之至少—者中使用所描述之裝置: _ 1.在V進模式中,保持光罩台河丁及基板台WT基本固定,
同時一次性將賦予11射光束之整個圖案投影至目標部分C t (思即’翠次靜態曝光)。隨後在X及/或Y方向中移動基板 :WT ’以便可曝露不同目標部分c。在步進模式中,曝露 琢之最大尺寸會限制在單次靜態曝光中成像之目標部分C 之尺寸。
2.在掃描模4中’同步掃描光罩台MT與基板台WT,同時 將賦予輻射光束之圖案投影至目標部分C上(意即,單次動 二曝光)。基板台WT相對於光罩台Μτ之速度及方向可由投 影系統PS之放大(或縮小)及影像反轉特徵來確定。在掃描模 2中曝路%之最大尺寸會限制在單次動態曝光中目標部 t之寬度(在非掃描方向中),而掃描運動之長度確定目標部 刀之南度(在掃描方向中)。
在另中,保持光罩台MT基本固定,其固持可程 圖案化益件,且移動或掃描基板台WT,同時將賦予輻 =光束—之圖案投影至目標部分。在此模式中,在基板台 之母移動之後或者在一掃描期間在連續轄射脈衝之 、系按而要使用脈衝輻射源並更新可程式化圖案化哭 二。此操作模式可容易地應用於利用可程式化圖案化器: : 乂上所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩 做影。 之組合及/或變體或完全 亦可使用對以上描述之使用模式 不同之使用模式。 108405.doc 132871^ 圖5中所展不’液體供應系統用於將液體供應至投影系 統之最終元件與基板之間之空間。健集層H)在投影系統之 • f彡像場關形㈣基板之残觸㈣,從而限·體使其 、充基板表面與技衫系統之最終元件之間的^間。儲集層 由位於投影系統PL之最終元件下方且環繞該最終元件的密 $ 4件12形成。使液體進人投影系統下方的空間中且進入 在封。P件12内。密封部件12延伸超出投影系統之最終元件 # 少許,且液面(liqUidl⑽”上升超出最終元件,以便提供液 豆之緩衝該⑥封部件丨2具有—内部周邊,該内部周邊在 上端較佳精密地符合投影系統或其最終元件的形狀,且可 例如為圓的。在底部,該内部周邊精密地符合影像場之形 • 狀,例如為矩形(儘管並非需要如此)。 • 氣封16在儲集層中將液體限制於密封部件12之底部與基 板W之表面之間。該氣封由例如為线或合成氣體但較佳為 N2或,、匕隋性氣體的氣體形成,該氣體在壓力下經由入口 φ 15提供至密封部件12與基板之間之間隙且經由第一出口 14 取出。氣體入口 15上之過壓、第一出口 14上之真空度 (vacuum level)及間隙之幾何形狀經配置以使得有限制液體 之高速空氣向内流動。 圖ό展示一根據先前技術之ILIAS感應器模組2〇。此模組 具有一作為輻射接收元件之剪切光柵結構2〗,該剪切光栅 結構21由一透射板22(其可由玻璃或石英製成)支撐。一量子 轉化層23定位於緊靠一相機晶片25(輻射偵測元件)上方 處°玄相機晶片2 5又安裝至基板2 8上》該基板2 8經由間隔 • J8- I08405.doc 1328719 物26連接至透射板22且接線27將輻射偵測元件連接至外部 儀器。一氣隙位於量子轉化層23與透射板22之間。在諸如 此經設計成對157 nm輻射敏感之設置中,例如,無法容易 地清除感應器内之氣隙,因此其將含有顯著比例之氧氣及 水’其吸收輻射。因此損失了訊號。由於石英或玻璃密封 板22與間隙中之空氣之間的繞射指數之大差異,故臨界角 小且彳貝失與法線成較大角(對應於N A > 1)的輻射。除訊號損 失之外,感應器之敏感度不與入射角一致。 圖7至1 5描繪根據本發明之實施例的改良之基板層感應 器。在以下實施例中,與圖6之感應器之零件等效之零件由 相同參考數字識別且為簡明起見省略詳細描述。 在圖7之實施例中,量子轉化(發光)層23定位於透明板22 之後表面上,而非相機晶片(輻射偵測元件)25之前表面上。 由於量子轉化層具有比空氣高之折射率,故臨界角較大且 在透明板22中較少輻射被内反射。然而,如圖8中所示,由 於量子轉化層之材料(其可為磷)為多孔的,故可能不完全覆 盍透明板22之後表面。因此,在透明板22中被内反射之輻 射多於預期《本發明者已發現,可藉由使透明板22之後表 面22a粗糙來改良感應器之敏感度。 表面22之粗糙度的效應在於,傳播穿過透明板之輻射以 各種角度與表面22a之區域相交。因此如圖9中所展示,在 接近(球)法線之角度有透射損失,但在離球法線更遠之角度 有透射增加。淨效應為感應器回應度與入射角的一致性增 加。雖然表面漫射會引起相機25上之影像的一些模糊,但 108405.doc 19 1328719 是此係可接受的,特別是當其小於像素尺寸(例如,25 pm) 時,且可因此被忽略。因此相機25可能需要接近或直接靠 著轉化層23。或者,可使用透鏡或光纖束來將由轉化層23 發射之輻射福合至相機而不會有空間資訊損失。 表面22a之粗糙度可由任何已知方法產生,包括省略板製 造中的最終研磨步驟。 表面粗糙度應使得斜率在表面上之變化至少與使na大於 1(意即’ ΔΘ > Sin-丨(NA·”)的量一樣大。此確保在最现 之光線在表面上之某點處將總是具有小於臨界角之入射 角0 由表面粗糙度測定器所確定的粗糙度RDq應大於〖抓 sin 1 (NA-1)),例如,在〇」至〇.5的範圍内。
圖〗〇中所展示之感應器的另一實施例3〇具有一形成於透 明板22之後表® 22a巾的f @透鏡3卜㈣③透鏡經設計以 使:穿過鉻層2】中之孔徑(例如,針孔或光栅)的所有輻射在 石英或玻璃/线界面處以小於臨界角人射。該費埋透鏡可 由許多已知技術形成,例如,微影圖案化及蝕刻。 根據另-實施例之感應器4G展示於圖"中且其在折射率 具有梯度之㈣2丨中的隸(例如,針孔或光栅)後方在透明 板中”有區域4 I。此可藉由局部地選擇性摻雜形成透明 板22的石英或玻璃來產± ’且此使得可能配置穿過孔徑的 所有光線在石英/空氣界面上以接近法線角入射。 圖12展不感應器之另一實施例5〇,其使用反向溫斯頓錐 來反射所有光線’以使得其在底表面52上以小於臨界角 I08405.doc •20- 1328719 入射,因此不存在内反射且最大透射進入感應器25中。溫 斯頓錐為離軸旋轉拋物線形,其經設計以最大化在某些視 場内之入射光線的集合,且在1970年乂 〇外心匕60, 第 245 頁至 247 頁 ’ Winston,R·的 “Light Collection within the Framework of Geometric Optics.” 中進一步描述 了該溫 斯頓錐’该文獻以全文以引用的方式倂入本文申。此實施 例中的溫斯頓錐5 1為石英或玻璃的固體片,其較佳與透明 板22整體形成’且在其側表面53上具有反射塗層。 在圖13中所展示之感應器60中,感應器25直接安裝至透 明板22之後表面22a上。為此目的,可使用一膠,該膠在待 偵測之輻射下穩定且具有接近透明板22之石英或玻璃之折 射率的折射率。 圖1 4中所展示之另一感應器7〇使用位於透明板22之後表 面上的全息元件71 ’以將輻射導向至感應器25上。所需要 之全息圖案可由已知技術容易地製成。可改為使用繞射光 學元件。 如圖15中所示’根據另一實施例之感應器80具有一形成 於透明板22之後表面中的凸球面透鏡81及一用以將輻射導 向至感應器25之反射圓柱82。該球面透鏡8 1之中心接近鉻 層21中之孔徑,因此在石英/空氣界面處之入射角對於所有 光線而言接近法線角。 雖然該球面透鏡較佳與透明板整體形成,但其亦可形成 為一獨立體並使用適合之膠(意即,在曝光輻射下穩定且具 有接近透鏡之折射率的折射率)加以附著。 108405.doc 然而,該圓柱反射體較佳被製成為—獨立體且附著至透 明基板或其後之感應器。此係因為對其附著方式及精確度 的要求顯著沒有對其形狀的要求嚴格。 在圖16之實施例中,感應㈣具有—提供於透明板以 後側面上的圓柱突出物91。該突出物之遠端具有凹剖面形 狀’其形成透鏡。研磨並塗覆突出物91之外表面%以增加 其反射率。亦可塗覆該凹表面以增加其透射率。如圖中所 :’輻射可由三路徑之一到達感應器25。以與法線的較小 ’輪射將直接穿過凹表面92到達感應心4與法線的 較大角’韓射將在凹表面92處被内反射且由側表面%反射 回至凹表面92上’其將穿過凹表面92到達感應器。以與法 線的更大角1射將由側表面93反射以穿過凹表面%並由 此到達感應器。 儘管在圖U16之實施例中尚未展示發光、或量子轉化 層’但是在方便時可將其提供於錢器上或其它地方。亦 應瞭解’ T組合本發明之不同實施例的特徵。 視感應器之功能而定’輕射接收元件可包括光柵及或具 有針孔之元件。 +感應器可位於基板層纟’且詳言之使得輻射接收元件2 ^ 離投影系統之最終元件的距離大體上與基板w相同。 儘管本文中可特定參考微影裝置在Ic之製造中之用途, 但是應瞭解’本文所描述之微影裝置可具有其它應用,諸 如積體光學系,统、用於磁域記憶體之導弓丨及偵測圖案、平 板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的製造。熟習此 108405.doc -22- 1328719 項技術者將瞭解,在該等替代應用的情形下,可認為本文 中術語“晶圓’’或“晶粒”的任何使用分別與更普通之術語“基 板”或“目標部分”同義。在曝光前或後可在(例如)-轨道㈤ 常將-層抗蝕劑應用至—基板或顯影經曝光之抗蝕劑的工 具)、一度量工具及/或一檢驗工具中處理本文所參考之基 板。本文之揭示内容案可在適用時應用於該等或其它基二 處理工具。另外,可將基板處理—次以上,(例如)以產生多 層ic’因此本文所使用的術語基板亦指已含有多個已處理 層之基板。 本文所使用的術語“輕射,,及“光束,,包含所有類型之電磁 輪射,其包括紫外(UV)㈣(例如,波長為或約為365、248、 193、157或 126 nm)。 術語“透鏡,,在本文允許時可指各種類型之光學組件(包括 折射及反射光學組件)的任一者或直组合。 雖然以上已描述本發明之特定實施例,但是將瞭解,以 與所描述㈣之方式可實施本發^舉例而言,本發明可 採取以下形成··-電腦程式,其含有—或多 :讀指令,該等指令描述以上所揭示之方法…資料儲 電腦程式。冑^'體、磁碟或光旬,其中儲存有該 本發明可應用於任何浸涪 地)㈣上述《。貝•裝置,詳言之(但並非排他 以上描述意欲為說明w ^ ^ jp ^ . 非限制性。因此,對於熟習此 項技術者而έ,在不背雜 穿離以下陳述之申請專利範圍之範疇 108405.doc -23· 1328719 的情況下可對所描述之發明進行修正係顯而易見的。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置; 圖2及3描繪用於一先前技術微影投影裝置中的液體供應 糸統, 圖4描繪根據另一先前技術微影投影裝置的液體供應系 統;
圖5描繪根據另—先前技術微影投影裝置的液體供應系 統; 圖6描繪根據先前技術的ILIAS感應器模組; 圖7描繪根據本發明之—實施例的感應器模組;
及 圖8描繪將轄射耦合至不具有表面粗糙度之發光層中 圖9描繪將輻射耦合至具有表面粗糙度之發光層中; 圖1 0描繪根據本發明之一實施例的另一感應器模組; 圖11描繪根據本發明之一實施例的另一感應器模組; 圖12描繪根據本發明之一實施例的另一感應器模組; 圖13描繪根據本發明之一實施例的另一感應器模組; 圖14描繪根據本發明之一實施例的另一感應器模組; 圖15描繪根據本發明之一實施例的另一感應器模組; 圖1 6描繪根據本發明之一實施例的另一感應器模組。 在該等圖中’對應之參考符號表示對應之零件。 【主要元件符號說明】 10 儲集層 12 密封部件 I08405.doc -24- 1328719 14 第一出口 15 入口 16 氣封 20 ILIAS感應器模組 21 輻射接收元件/鉻層/剪切光柵結構 22 透射板/透明板 22a 後表面 23 量子轉化層 2 5 感應器/相機晶片 26 間隔物 27 接線 28 基板 30 感應器 3 1 費涅透鏡 40 感應器 41 區域 50 感應器 51 反向溫斯頓錐 52 底表面 53 側表面 60 感應器 70 感應器 71 全息元件 80 感應器 108405.doc -25- 1328719
81 凸球面透鏡 82 反射圓柱 90 感應器 91 圓柱投影 92 凹表面 I08405.doc •26
Claims (1)
- 第095104987號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(99年6月) 十、申請專利範圍: < Θ年4月1曰修正本 1 · 一種用於一具有一投影系統之浸沒式微影投影裝置中基 板層處的感應器’該投影系統經組態以一大於1之數值孔 控將圖案化之輕射光束投影至基板之一目標部分上’該 感應器包含: 一輻射偵測器; 一透射板’其具有一前表面及一後表面,該透射板覆 蓋該輕射债測器以使得由該投影系統所投影之輻射進入 該透射板之該前表面且自該透射板之該後表面穿出至該 輻射偵測器;及 一發光層’其提供於該透射板之該後表面上,該發光 層吸收該輕射且發射一不同波長之發光輻射,其中該透 射板之該後表面具有一表面粗糙度Rdq,其量測在0.1至 〇.5的範圍内。 2. 如凊求項1之感應器,其中該輻射偵測器具有複數個像素 且該後表面之粗糙度引起一小於該等像素之一者之尺寸 的模糊。 3. —種用於一具有一投影系統之浸沒式微影投影裝置中基 板層處的感應器,該投影系統經組態以一大於1之數值孔 裣將圖案化之輻射光束投影至基板之一目標部分上,該 感應器包含: 一輻射偵測器;及 透射板,其具有一前表面及一後表面,該透射板覆 盍該輻射㈣器以使得由該投影系統所投影之輕射進入 108405-990609.doc 1328719 ...... ..... .:. \ 該透射板之該前表面且自該透射板之該後表面穿出至 輻射偵測器; 、 其中该透射板之一被該輻射穿過的區域之折射率具 _梯度,以使得該輻射被折射向該透射板之該後表面 法線。 該' 有 之 -2- 108405-990609.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/067,491 US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | Sensor for use in a lithographic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200641546A TW200641546A (en) | 2006-12-01 |
TWI328719B true TWI328719B (en) | 2010-08-11 |
Family
ID=36582003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095104987A TWI328719B (en) | 2005-02-28 | 2006-02-15 | A sensor for use in a lithographic apparatus |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7282701B2 (zh) |
EP (1) | EP1696272B1 (zh) |
JP (1) | JP4373987B2 (zh) |
KR (1) | KR100706926B1 (zh) |
CN (1) | CN1862382A (zh) |
DE (1) | DE602006000357T2 (zh) |
SG (1) | SG125238A1 (zh) |
TW (1) | TWI328719B (zh) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
TWI263859B (en) * | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
JP4883467B2 (ja) * | 2005-09-08 | 2012-02-22 | 株式会社ニコン | 光量計測装置、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
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DE102008017645A1 (de) | 2008-04-04 | 2009-10-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats |
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CN105118839A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN110892330B (zh) | 2017-07-10 | 2024-05-03 | Asml荷兰有限公司 | 光刻方法和设备 |
WO2019048295A1 (en) | 2017-09-07 | 2019-03-14 | Asml Netherlands B.V. | LITHOGRAPHIC METHOD AND APPARATUS |
WO2019134787A1 (en) | 2018-01-04 | 2019-07-11 | Asml Netherlands B.V. | Optical measurement method and sensor apparatus |
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JP7402243B2 (ja) | 2019-02-25 | 2023-12-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射測定システム |
WO2022008137A1 (en) * | 2020-07-10 | 2022-01-13 | Asml Netherlands B.V. | System and method for conditioning optical apparatuses |
CN112756281B (zh) * | 2021-01-15 | 2023-12-12 | 镇江润茂钢球有限公司 | 一种钢球表面粗糙度筛选装置及其使用方法 |
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US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8605257B2 (en) | 2004-06-04 | 2013-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
JP4305915B2 (ja) | 2004-06-17 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 基地局選択に用いる基準を求める方法 |
JP4305917B2 (ja) | 2004-07-14 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 映像信号処理装置及びテレビジョン装置 |
US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
JP2006339448A (ja) | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Canon Inc | 受光ユニットを有する露光装置 |
-
2005
- 2005-02-28 US US11/067,491 patent/US7282701B2/en active Active
-
2006
- 2006-02-15 TW TW095104987A patent/TWI328719B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-02-17 DE DE602006000357T patent/DE602006000357T2/de active Active
- 2006-02-17 EP EP06250875A patent/EP1696272B1/en not_active Not-in-force
- 2006-02-22 KR KR1020060017254A patent/KR100706926B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-02-24 SG SG200601220A patent/SG125238A1/en unknown
- 2006-02-27 JP JP2006049444A patent/JP4373987B2/ja active Active
- 2006-02-27 CN CNA2006100198164A patent/CN1862382A/zh active Pending
- 2006-11-02 US US11/591,674 patent/US8629418B2/en active Active
-
2007
- 2007-09-07 US US11/896,981 patent/US7453078B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4373987B2 (ja) | 2009-11-25 |
US8629418B2 (en) | 2014-01-14 |
EP1696272B1 (en) | 2007-12-26 |
TW200641546A (en) | 2006-12-01 |
KR20060095468A (ko) | 2006-08-31 |
JP2006245571A (ja) | 2006-09-14 |
SG125238A1 (en) | 2006-09-29 |
EP1696272A3 (en) | 2006-09-27 |
EP1696272A2 (en) | 2006-08-30 |
DE602006000357T2 (de) | 2008-12-11 |
US7282701B2 (en) | 2007-10-16 |
CN1862382A (zh) | 2006-11-15 |
DE602006000357D1 (de) | 2008-02-07 |
US20070108377A1 (en) | 2007-05-17 |
US20080007844A1 (en) | 2008-01-10 |
US20060192093A1 (en) | 2006-08-31 |
KR100706926B1 (ko) | 2007-04-12 |
US7453078B2 (en) | 2008-11-18 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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