TWI327682B - Lithographic apparauts and device manufacturing method utilizing data filtering - Google Patents

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TWI327682B
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Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans
Johannes Jacobus Matheus Baselmans
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Asml Netherlands Bv
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Description

1327682 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造元件之方 法0 【先前技術】 微影裝置係將所要圖案施加至基板上通常為基板之目標 部分上的機器。微影裝置可用於例如平板顯示器、積體電 路（ic)、微電機械系統（MEMS)及其他包括精細結構之元件 的製造中。在習知裝置中，可被稱作遮罩或主光罩之對比 元件或圖案化元件可用於產生對應於平板顯示器或其他元 件之個別層的電路圖案。此圖案可轉印至基板（例如玻璃板） 上之目標部分（例如包含一或多個晶粒之部分）上。圖案之轉 印一般係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料層(例 如抗敍劑）的。 替代電路圖案’圖案化元件可用於產生其他圖案，例如 彩色濾光圖案或點矩陣。替代遮罩，圖案化元件可包含一 圖案化陣列’該陣列包含可個別控制部件陣列。與基於遮 二 匕而。，可更為迅速地且以更小的代價改變圖 案0 般而。，平板顯示基板之形狀為矩形。用來曝光此類 基板之=的微影裝置—般提供—曝光區域其覆蓋矩形 土板之全見或其覆蓋寬之部分(例如，約半寬 下掃描基板，而經由#击门止^ 阳么由先束同步地掃描遮罩或主光罩。如此 一來’將圖案轉印至基板。料光區域覆蓋基板之全寬， 1088I3-990503.doc oz 則用單掃描完成曝光。若曝光區域覆蓋例如基板之半寬， 則在第一掃描之後將基板橫向移動並執行第二掃描以曝光 基板之剩餘部分。 另-成像方法包括像素柵格成像，其中藉由連續光點曝 光而實現圖案。 在基板上之圖案係建立自定域曝m點曝^"拇格的 情況下’發現形成於特定點 疋點上之圖案之品質可視相對於光 點曝光栅格位置將彼點定位於何處而定。此外，可發現存 2與圖案特徵的相對於界定柵格之軸線的角度相關聯的圖 案品質變化。此等變化之任一者或兩者均可對待製造之元 件的品質產生負面影響。 圖案之影像對數斜率判定在經曝光基板之處理之後所形 成的特徵之抗姓劑側壁角。淺影像對數斜率意味著淺側壁 角，其可用於例如達成平拓骷-明 一 迓珉十板顯不器之較寬的視角或可減小 覆蓋誤差之影響。f為#姑& 更為陡峭的影像對數斜率及側壁角提供 更大的對比度。最大影像對數斜率係藉由拇格中之光點曝 光之點擴散函數及柵格之幾何特性而判定的。所以，一妒 μ…旦確定對應硬體部件’則影像對數斜率便為以 的。然而’可能需要根據應用性質而改變影像對數斜率。 臨界尺寸（CD)係指最小可印刷特徵之尺寸。儘管劑量圖 案之CD可在曝光之則十分精確地界定，然在後曝光處理之 後預測圖案之C D特性更為阳说； 更马困難。常常需要在檢查經處理之 基板之後調整CD以根據用戶、之要求而最優化經處理之圖 案。可達成此的一個方法*奸 為改邊輻射源之強度。輻射源強 108813-990503.doc 1327682 度越強，則所得之圖案越為展開（通常產生增加的CD)。然 而以此方式的CD偏差僅可均衡地且以圓對稱方式應用於 基板之表面上。 基板表面之位置相對於最佳焦點平面的變化可引起形成 於基板上之景> 像之品質的劣化。可提供複雜的伺服及控制 系統來轉移及/或傾斜基板台及/或投影系統以保持基板接 近於最佳焦點平面但難以達成完全的補償。往往依然保留 剩餘焦點誤差。 在利用可個別控制部件陣列作為圖案化元件的情況下， 某個形態的轉換工具將所要求的光點曝光劑量轉變成適合 於在適當時期致動陣列之對應部件的電壓。舉例而言，在 可個別控制部件陣列包含鏡面陣列的情況下，將選擇電壓 以使得個別鏡面或幾組鏡面以偏轉經由投影系統之入射輻 射之適當部分的方式發生傾斜。偏轉輻射之部分與電壓/傾 角之間的關係可能係複雜的（例如，非線性的）。影響入射於 可個別控制部件陣列上的輻射之強度/均一性及投影系統 組件之光學特性變化（例如，不同的光學柱之間的變化）的因 素亦可影響到達基板之輻射的強度且進而降低所形成的圖 案之品質。 在利用可個別控制部件陣列作為圖案化元件的情況下， 鬼影光（思即，來自除設定為有助於輻射之特定子光束之彼 等部件之外的部件之光）可引起形成於基板上之圖案的誤 差。 所以，需要一種更為有效地且更為有力地執行無遮罩微 108813-990503.doc 1327682 景> 之系統與方法。 【發明内容】 根據本發明之一實施例，提供一種包含投影系統、圖案 化兀件、低通濾波器及資料調處元件之微影裝置。投影系 統杈射輻射光束至基板上作為輻射子光束陣列。圖案化元 件調變輻射子光束以在基板上大體上產生所要之劑量圖 案。劑量圖案係建立自光點曝光陣列的，纟中至少相鄰光 點曝光係相對於彼此非相干成像的且每一光點曝光係藉由 輻射子光束之一者在特定時間上產生的。配置低通渡波器 來操作得自所要的劑量圖案之圖案資料以形成限幅頻率目 枯劑$圖案，該劑量圖案主要包含僅低於選定之臨限頻率 的二間頻率成分。資料調處元件基於光點曝光強度與限幅 頻率目標劑量圖案之直接代數最小平方擬合而產生包含待 由圖案化元件產生之光點曝光強度的控制訊號。 根據本發明之-實施例’提供_種包含投影系統、圖案 化疋件、資料調處元件及低通濾波器之微影裝置。投影系 統投射輻射光束至基板上作為輻射子光束陣列。圖案化元 件調變輻射子光束以在基板上大體上產生所要之劑量圖 案。劑量圖案係建立自光點曝光陣列的，#中至少相鄰光 點曝光係相對於彼此非相干成像的且每一光點曝光係藉由 輻射子光束之-者在特定時訂產生H㈣處元❹ 生包含待由圖案化元件產生之光點曝光強度的控制訊號。 控制訊號係基於光點曝光強度與得自所要之劑量圖案之資 料的直接代數最小平方擬合的。最小平方擬合藉由將擬反 1088J3-990503.doc 1327682 轉（pSeud〇-inverted)形式的點擴散函數矩陣與表示得自所 要劑量圖案之圖案資料的行向量相乘而執行最小平方擬 合’其中該點擴散函數矩陣包含關於在特定時間上於基板 上待由輻射子光束之_者而曝光之每一光點的點擴散函數 之形狀及相對位置的資訊。低通渡波器移除高於選定之臨 ，的訊號之空間頻率成分，低通滤波器藉由如下之運 離線地併入至準備執行最小平方擬合的擬反轉形式的 點擴散函數矩陣中：[K] +經過㈣=F低通’其中[κ] + 及[Κ]、…分別表示滤波之前及之後的擬反轉形式的點擴 散函數矩陣，且其仏“ “表示在”域中低㈣波器^ 數學定義。 根據本發明之—實施例，提供-種包含投影系統、可個 別控制部件陣列、掃描場解析器元件、資料調處元件及焦 點判定單元之微影裝置。投影系統投射賴射光束至基板上 作為輻射子光束陣列。可個別控制部件陣列調變輻射子光 $以在基板上大體上產生所要之劑量圖案，所要之劑量圖 案係隨時間之推移而建立自光點曝光陣列的，且每—光點 曝光係藉由輻射子光束之—者在特定時間上產生的。朴 π析器元件將界定所要之劑量圖案的資料轉換至表“ t對應點序射的所要劑量之資料序列。資料調處元
件接收資料序列並由4卜$ #A J並由此產生適合於控制可個別控制部 列的控制訊號。焦點判定單元量測基板之至少一個部分 對於最佳焦點平面之位置。資料調處元件包含焦點補償單 疋其基於基板之至少一部分相對於最佳焦點平面之量測 108813-990503.doc •】0- 偏差而調適控制訊號。 忠根據本發明之—實施例，提供—種包含圖案化元件、投 二系統及CD偏錢、波器之微影裝置。圖案化元件調變賴射 光束。投影系統投射經調變之輻射光束至基板上。CD偏差 據波器操作得自所要之劑量圖案的待饋入圖案化元件之圖 案資料以控制藉由圖案化元件所產生的輻射劑量圖案之臨 界尺寸特點。 /根據本發明之一實施例，提供一種包含照明系統、投影 系統、圖案化元件及資料調處元件之微影裝置。照明系統 調節輻射光束。投影系統投射輻射光束至基板上作為輻射 * 子光束陣列。圖案化元件調變輻射子光束以在基板上大體 . 上形成所要之劑量圖案。劑量圖案係建立自光點曝光陣列 的’每一光點曝光均係藉由輻射子光束之一者在特定時間 上產生的。根據圖案化元件之對應部分之活化狀態而控制 特定輕射子光束之輻射強度。資料調處元件將包含得自所 φ 要之劑量圖案的光點曝光輻射劑量之訊號轉變至表示圖案 化7L件之活化狀態的控制訊號以大體上產生所要之劑量圖 案。該轉變經調適以校正藉由下述内容之至少一者所引起 的強度變化：投影系統之組件、照明系統之組件、照明系 統之輻射源及圖案化元件之組件。 根據本發明之一實施例，提供一種包含下述步驟之元件 製造方法。提供一投影系統以投射輻射光束至基板上作為 輕射子光束陣列。提供圖案化元件，其調變輻射子光束以 在基板上大體上產生所要之劑量圖案。劑量圖案係建立自 108813-990503.doc 1327682 光點曝光陣列的，其中至少相鄰光點曝光係相對於彼此非 相干成像的且每一光點曝光係藉由輻射子光束之一者在特 疋時間上產生的。利用低通遽波器來操作得自所要之劑量 ，案的圖f資料以形成限幅頻率目標劑量圖案，該目標= 量圖案僅包含低於選定之臨限頻率的空間頻率成分。利用 資料調處元件以基於光點曝光強度與限幅頻率目標劑量圖 案之直接代數最小平方擬合而產生包括待由圖案化元件所 產生之光點曝光強度之控制訊號。 根據本發明之一實施例，提供一種包含下述步驟之元件 製k方法。提供投影系統，其投射輻射光束至基板上作為 輻射子光束陣列。提供圖案化元件，其調變輻射子光束以 在基板上大體上產生所要之劑量圖案。劑量圖案係建立自 光點曝光陣列的，#中至少相鄰光點曝光係相對於彼此非 相干成像的且每一光點曝光係藉由輻射子光束之一者在特 定時間上產生的。利用資料調處元件以基於光點曝光強度 與得自所要之劑量圖案之資料之直接代數最小平方擬合= 產生包括待由圖案化元件所產生之光點曝光強度之控制訊 號，其中藉由將擬反轉形式的點擴散函數矩陣與表示得自 所要劑置圖案之圖案資料的行向量相乘而執行最小平方擬 合，擬反轉形式的點擴散函數矩陣包含關於在特定時間上 ，基板上待由輕射子光束之__者而曝光之每—光點的點擴 散函數之形狀及相對位置的資訊。利用低通渡波器來移除 高於選定之臨限頻率的訊號之空間頻率成分，低通濾波器 藉由如下之運算而離線地併入至準備進行最小平方擬合的 108813-990503.doc ι^Ζ/082 ^反轉形式的點擴散函數矩陣中：[K]%U的=F低U波器 []其中[K]及[K]+s i& a的分別表示濾波之前及之後的擬 反轉形式的點擴散函數矩陣’且其”…波g表示在空間域 中低通慮波器之數學定義。 口根據本發明之—實施例，提供一種包含下述步驟之元件 ^ k方法。提供投影系統，其投射輻射光速至基板上作為 轄射子光束陣列。提供可個別控制部件陣列，其調變輻射 光束以在基板上大體上形成所要之劑量圖案。所要之劑 里圖案係隨時間之推移而建立自光點曝光陣列的，每一光 1曝光均係藉由㈣子光束之—者在特定時間上產生的。 *提供掃描場解析器元件，其將界定所要之劑量圖案的資料 . 、表示圖案中之對應點序列下的所要之劑量的資料序 列。利用資料調處元件來接收資料序列並由此產生適合於 控，可個別控制部件陣列的控制訊號。利用焦點判定單元 來量測基板之至少一部分相對於最佳焦點平面之位置。利 φ帛焦點補償單元以基於基板之至少-部分相對於最佳焦點 平面之量測偏差而調適控制訊號。 =據本發明之—實施例，提供—種包含下述步驟之元件 製造方法。提供圖案化元件，其調變轄射光束。提供投影 系，’其投射經調變之輻射光束至基板上。利用CD偏差 波器來操作得自所要之劑量圖案的待饋入至圖案化元件之 圖案資料以控制藉由圖案化件 臨界尺寸特點。 1之輪射劑量圖案的 根據本發明之_實施例，提供—種包含下述步驟之元件 108813-990503.doc 叫/682 製造方法。提供照明系統，其調節輕射光束。提供投 統’其投射輻射光束至基板上作為輻射子光束陣列=供 圖案化元件，其調變輻射子光束以在基板上大體上產生所 要之劑量圖案。劑量圖案係建立自光點曝光陣列的，每2 光點曝光均係藉由輻射子光束之一者在特定時間上產生 的。根據圖案化元件之對應部分之活化狀態而控制特定輻 射子，束之ϋ射強度1用資料财元件將包含得自所要 之劑ϊ圖案的光點曝光輕射劑量之訊號轉變至表示圖案化 元件之活化狀態之控制訊號以大體上產生所要之劑量圖 案。調適該轉變以校正藉由下述内容之至少一者所引起的 強度變化：投影系統之組件、照明系統之組件、照明系統 之輪射源及圖案化元件之組件。 y' ' 下文將參看所附諸圖詳細地描述本發明之進一步實施 例、特徵與優職本發明之多種㈣例之結構與運作。 【實施方式】 在本發明之-實施例中，於可個別控制部件陣列（例如， 對比元件)的一區中提供閃耀部分。在閃耀部分中之所有部 件具有安置於相同角度上的其可個別控制部件，此形成閃 耀部分。在-實射，此可藉由利用超像素而完成。閃耀 部分用於以第一繞射級增強藉由陣列所調變之光束的光強 度。此藉由大體上消除負第一繞射級調變光束以使得正第 一繞射級調變光束與典型的正第一繞射級調變光束相比實 際上具有等於或大於兩倍的強度來完成。舉例而言，當利 用λ/4極尖偏轉時，大體上所有入射光以第一繞射級反射。 108813-990503.doc 14 1327682 在另一實施令，替代第一繞射級，更高極尖偏轉可利用 更高繞射級。舉例而言，對於λ/2極尖偏轉所有光以第二繞 射級聚集。應瞭解對於η倍的λ/4極尖偏轉而言所有光便以 第η繞射級而聚集。 在另一實施例中，垂直投影藉由將光導向至所關注繞射 級下的陣列（其用於投影部分中）上來完成，其中光亦可衝擊 陣列之閃耀部分以使得投射光垂直地離開對比元件。
因此在貫例中，藉由利用閃耀部分則可能大體上以 所關注級（例如繞射級）聚集所有繞射能量朝向基板。 在另一實施例中，可利用，，部分相干成像"模式，其中可 個別控制部件陣列成像於基板上，然而並不利用超像素。 概述及術語 所使用的"物件"、"基板"、"工件"或其類似詞語在本申請 案中係可互換的，其可為但不限於工件、基板（例如，平板 顯示器玻璃基板）、晶圓（例如，用於積體電路製造之半導體 晶圓）、列印頭、微或奈米流體元件、投影顯示系統中之顯 示面板或其類似物。 本文所使用的術語"對比元件”、"圖案化元件圖宰化 陣列"或"可個別控制部件陣列，，應廣義地解釋為涉及可用 於調變輻射光束之橫截面以在基板（物件）之目標部分中建 立圖案的任- it件。應注意的是賦予_光束之圖案可妒 無法準確地對應於基板之目標部分中 倘若圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵。類似地，最铁 在基板上所產生的圖案可能無法對應於任_瞬時在可個別 1088l3-990503.doc 15 1327682 控制部件陣列上所形成的圖案。在如下之配置中可出現此 隋況·基板之每一部分上所形成的最終圖案係經一段特定 時間或特定數目的曝光而建立的，其中可個別控制部件陣 列之圖案及/或基板之相對位置發生變化。一般地，在基板 114/214/3 14之目標部分上所建立之圖案將對應於在目標部 分中所建立的元件（諸如積體電路）中之特定功能I。術語 "光閥”及"空間光調變器”（SLM)亦可用於本文中。此等圖案 化元件之實例包括： 可程式化鏡面陣列。此可包含具有黏彈性（例如，具有黏 性及彈性性質）控制層之矩陣可定址表面及反射性表面。此 裝置之基本原則在於例如反射性表面之定址區域將入射光 作為繞射光反射，而非定址區域卻將入射光作為非繞射光 反射。利用適當的空間濾光器可將非繞射光自反射光束濾 出，僅使繞射光到達基板，如此一來，光束根據可定址表 面之定址圖案而變為圖案化的。 將瞭解，作為選擇，濾光器可濾波出繞射光，僅使非繞 射光到達基板。 亦可以對應方式利用繞射光學MEMS元件陣列（微電機械 系統）。每一繞射光學MEMS元件均係由複數個反射性扁帶 組成的，該等扁帶可相對於彼此而變形以形成將入射光作 為繞射光而反射的格柵。 ~T私式化鏡面陣列之又一替代實施例使用微小鏡面矩陣 配置’可藉由應用合適的定域電場或藉由使用壓電驅動構 件而個別地使微小鏡面之每一者圍繞一軸線發生傾斜。再 1088 丨 3-990503.doc 1327682 —次地’胃等鏡面係矩陣可^址的，以使得定址鏡面將以 與非定址鏡面不同的方向反射入射輻射光束；如此—來， 根據矩陣可址鏡面之定址圖案而圖案化反射光束。可利 用〇適的電子構件而執行矩陣定址。舉例而言，在美國專 利 5’296,891 與 5,523，193 及 PCT專利中請案 WO 98/38597與 W0 98/3 3096中描述了鏡面陣列，此等案之整體揭示内容以 引用的方式併入本文。
微影裝置可包含一或多個圖案化陣列。舉例而言，其可 具有複數個可個別控制部件陣列，每一者相對於彼此係獨 立地控制的。在此配置中，可個別控制部件陣列之某些或 全部可具有共同照明系統（或照明系統之部分）、可個別控制 部件陣列的共同支持結構及共同投影系統（投影系統之部 分）之至少一者。 本文所用的術語"投影系統"應廣義地解釋為包含任一類 型的投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁 及靜電光學系統，或任一其組合，應廣義地解釋為適合於 所利用的曝光輻射或其他因素諸如利用浸潰液體或利用真 空。本文中任一所使用的術語”投影透鏡，，可看作與更通用 之術5吾”投影系統"係同義的。 投景^系統可將可個別控制部件陣列上之圖案成像，以使 得圖案相干地形成於基板上。或者’投影系統可成像次要 源，對於其而言可個別控制部件陣列的部件充當遮光器。 在此方面，投影系統可包含諸如微透鏡陣列（通常所說的 MLA)或費涅（Fresnel)透鏡陣列之聚焦部件陣列，以例如形 I08813-990503.doc •17· 1327682 成次要源及將光點成像 珉像至基板上。在此配置中，聚焦部件 陣列中之聚焦部件之每一者可與可個別控制部件陣列中的 ^別控制部件之-麵„ 4者，投料統可經組態 ’自可個別控制部件陣列中的複數個可個別控制部件 ^射導向至聚焦部件陣财之聚焦部件之-者並自此導 向至基板上。 如下文在圖中所述的，裝置為反射型的(例如，使用反射 性可個別控制部件陣列)。或者，裝置可為透射型的(例如， 使用透射性可個別控制部件陣列）。 微影裝置可為具有兩個（例如雙級）或兩個以上⑼如多旬 基板台的類型。在此"多級,,機器中可平行利用額外台或 可在一或多個臺上執行預備步驟而一或多個其他台則用於 曝光。 微影裝置亦可為如此的類型：其中可藉由—具有相對較 高折射指數之”浸潰液體”例如水而覆蓋基板之至少一部分 以填充投影系統與基板之間的空隙。浸潰液體亦可應用於 微影裝置中之其他空隙’例如對比元件與投影系統之間的 空隙。在此項技術中浸潰技術熟知的係用於增加投影系統 之數值孔徑。本文所使用的術語”浸潰”並不意味著諸如基 板之-結構必須浸沒於液體中，而是僅意味著液體在曝光 中係位於投影系統與基板之間的β 儘管本文特別參考在IC之製造中的微影裝置之用途，然 應瞭解本文所述之微影裝置可具有其他應用，諸如整合光 學系統、磁域記憶體之導引與偵測圖案、平板顯示器、液 108813-990503.doc 1327682 晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等之製造。熟習此項技術者將瞭 解在此等替代應用之情形中本文所使用的任一術語”晶圓" 或·'晶粒"可看作係分別處於更通用之術語"基板”或"目標部 分••的範疇中的。本文所涉及之基板可在曝光之前或之後用 例如磁軌（一般將抗蝕劑層塗覆至基板並顯影經曝光之抗 蝕劑的工具）、度量工具及/或檢驗工具進行處理。在適用的 情況下’本揭示案可應用於此等及其他基板處理工具。此 外，基板可多次進行處理，例如為了建立多層，以使得 本文所用之術語基板亦可涉及已含有多個經處理之層的基 板。
儘管上文可能已特別參考在光學微影情形令的本發明之 實施例之用途，然而將瞭解本發明可用於其他應用中，例 如若情況允許可用於壓印微影中，而並不限於光學微影 中。在壓印微影中，圖案化元件中之構形界定建立於基板 上之圖案。圖案化元件之構形可壓入供應至基板u4/2i4/ 314之抗姓劑層中，隨即藉由應用電磁輕射、熱量、壓力或 其組合而固化抗蝕劑。在抗蝕劑固化之後將圖案化元件移 出抗蝕劑，從而在抗蝕劑中留下圖案。 隹另一實例中，本發 ω ν ° 取夕個描述上述 法的機器可讀指令序列之電腦程式或具有此電腦程 存於其中的資㈣㈣體（例如，半導體記憶體 碟）的形式。 例示性環境 圖1示意性地描述根據本發 明之一實施例之微影投影裝 1088l3-990503.doc 1327682 置100。裝置1〇〇包括至少輻射系統102、可個別控制部件陣 列1〇4(例如，對比元件或圖案化元件）、物件台1〇6(例如， 基板台）及投影系統（"透鏡，，）1〇8。 輻射系統102可用於供應輻射（例如uv(紫外線）輻射，248 193 nm、157 nm; EUV(遠紫外線）輻射，例如 ι〇 ΐ3 ^ ; 等等）光束110,輻射系統102在此特定情況下亦包含輻射源 112。 可個別控制部件陣列1 〇4(例如，可程式化鏡面陣列）可用 於施加圖案至光束110。一般而言，可個別控制部件陣列 之位置可相對於投影系統108而固定。然而，在替代配置 中，可個別控制部件陣列104可連接至用於相對於投影系統 1〇8而精確定位其的定位元件（未圖示）。如此處所述，可個 別控制部件104為反射型的（例如，具有反射性可個別控制 部件陣列）。 物件台106可具備基板固持器（未明確圖示）用於固定基板 114(例如抗蝕劑塗覆之矽晶圓或玻璃基板）且物件台1〇6可 連接至用於相對於投影系統1 〇 8而定位基板114之定位元件 116。 投影系統108(例如，石英及/或CaF2透鏡系統或包含有由 此等材料製成的透鏡部件之反射折射系統或鏡面系統）可 用於投射接收自導向元件118(例如，光束分光器）之圖案化 光束。 將光自導向元件118導向至基板1丨4之目標部分12〇(例 如’一或多個晶粒）上。投影系統108可將可個別控制部件 108813-990503.doc •20· 1327682 陣列104之影像投射至基板114上。 照明器124可包含調整元件128用於設定光束122之強度 分佈之外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱作σ外部及〇内 )。另外’照明态12 4 —般將包括多種其他組件。在此實 例中’與上述之實例相比而言，部件13〇可為積光器13〇而 部件13 2可為聚光器13 2。如此一來’衝擊可個別控制部件 陣列1 04之光束11 〇在其橫截面中便具有所要的均一性及強 度分佈。 應注思的是對於圖1而言源1 1 2可處於微影投影裝置i 〇 〇 之外殼中。在替代實施例中，源丨丨2可遠離微影投影裝置 100。在此情況下’輻射光束122將被導向至裝置1〇〇中（例 如，在合適的導向鏡面之幫助下）。應瞭解此等情形均係涵 蓋於本發明之範嘴中的。 光束110隨後在利用導向元件118導向之後與可個別控制 部件陣列104相交。已藉由可個別控制部件陣列1 04所反射 的光束11〇通過投影系統108，投影系統1〇8將光束11〇聚焦 至基板114之目標部分120上。 在定位元件116的幫助下（且視需要亦可在底板136上之 干涉里測元件134的幫助下，其經由光束分光器M〇而接收 干涉光束138)，可移動基板台6以在光束ι10之路徑中定位 不同的目標部分12〇。在被利用的情況下，用於可個別控制 邻件陣列1 〇4之定位元件（未圖示）可用來例如在掃描中校正 可個別控制部件陣列1 〇4相對於光束1丨〇之路徑的位置。— 般而言，在長衝程模組（粗定位）及短衝程模組（精定位）的幫 108813-990503.doc -21 · 1327682 此等模組在圖1中未明確地加
1〇6及/或可個別控制部件陣列1〇4可具有固定位置以 固定位置以 助下實現物件台106之移動，
以描述。類似的系統亦可用 104。將瞭解本去11 m祛/k I 提供相對運動。
106在平坦頂部表面上具備大量開口，通過該等開口饋入氣 體以提供能夠支撐基板114的氣墊。此習知地被稱作空氣承 載配置。利用一或多個致動器（未圖示）而使基板丨14在基板 台106上方移動，致動器能夠相對於光束11〇之路徑而定位 基板114。或者，可藉由有選擇性地啟動及停止氣體通過開 口之傳輸而使基板114在基板台106上方移動。 儘管本文中所描述之根據本發明之微影裝置1 〇〇係用於 曝光基板上之抗蝕劑的，然將瞭解本發明並不限於此用途 且裝置100可用來投射圖案化光束11〇用於無抗蝕劑微影 中。 所述之裝置100可用於複數個模式中： 1 ·步進模式：將可個別控制部件陣列1 04上之整個圖案一 次性地（意即，單"閃光"）投射至目標部分12〇上。隨後在χ 及’或y方向上將基板台106移至不同的位置以藉由圖案化 光束110而照射不同的目標部分1 2 0。 2.掃描模式：與步進模式類似，除了並非在單"閃光"中曝 光特定目標部分120。實情為，可個別控制部件陣列1〇4係 108813-990503.doc -22· 1327682 可在特疋方向（所謂的，,掃描方向"例如y方向）上以速度V移 動的，以便使圖案化光束11 〇掃描整個可個別控制部件陣列 104。同時，基板台1〇6在相同或相反方向上以速度 同步地移動，其中Μ為投影系統1〇8之放大率。如此一來， 可在無須損害解析度的情況下曝光相對較大的目標部分 120 ° 3.脈衝模式：基本上保持可個別控制部件陣列ι〇4為固定 的並利用脈衝輻射系統1〇2將整個圖案投射至基板U4之目 ‘邛刀120上。基板台以基本上恆定的速度移動以便使圖案 化光束110沿橫貫基板1〇6之直線掃描。可個別控制部件陣 歹J 104上之圖案於輻射系統ι〇2脈衝之間經(ul〇4/ 204ated)的且脈衝係定時的以便在基板114上之位置處曝光 連續的目標部分12〇()因此圖案化光束11〇可橫貫基板114掃 描以曝光用於基板114之一條帶的完整圖案。重複此處理直 至逐線地曝光完整的基板114為止。 5_連續掃描模式：與脈衝模式類似，除了利用大體上恆 定的輻射系統102且當圖案化光束110橫貫114掃描且使其 曝光時可個別控制部件陣列丨04上之圖案經u丨〇4/2〇4 (ui 〇4/ 204ated)的。 在此等首批四個例示性模式中，一般執行"部分相干成像 用於積體電路形成。利用此成像，可個別控制部件陣列中 之每一部件具有獨特的傾角。該陣列係定位於物件平面上 的而基板係定位於成像投影光學裝置之影像平面上的。可 應用多種照明模式：環形、習知、四級、偶極等等。又， 108813-990503.doc •23- 1327682 可個別控制部件陣列中之每一元件之不同組態可用來增加 負極黑色值.相位跳躍鏡面、應用更大的傾角、定形鏡 面（蝶开>、Η形）或其類似方面。 亦可使用上述使用模式之組合及/或變體或完全不同的 用途模式。 圖2描述根據本發明之一實施例之微影裝置2〇〇。舉例而 言，裝置200可特別地用於利用像素栅格成像模式的平板顯 示器之製造中，下文將對此加以論述。 投影系統208可投射次要源之影像，對於次要源而言可個 別控制部件陣列204之部件充當遮光器。 在成像栅格陣列實施例中，投影系統2〇8亦可包含微透鏡 陣列（MLA)以形成次要源並將微光點投射至基板214上。 源212(例如，在像素柵格成像模式中為三倍頻率之 Nd:YAG雷射或在其他模式中為準分子雷射）可產生輕射光 束222。直接地或例如在穿過諸如光束放大器之調節元件 226之後將光束222饋入照明系統（例如，照明器pa中。 在-實例中，當裝置200在像素柵格成像模式中運作時 (下文對此予㈣述），照明ϋ22何包含難元❹於設定 調U束瓜之光點尺寸β另外，照明器224 一般 將包括多種其他組件，諸如光點產生器及聚光 言’光點產生器可為但不限於折射或繞射格拇 器。舉你丨而 、分段鏡面 擊可個別控制部件 要的變焦距、光點 陣列、波導或其類似物。如此一來，_ 陣列2〇4之光束210在其橫截面中具有所 尺寸、均一性及強度分佈。 108813-990503.doc •24· 1327682 如圖2所示，投影系統208包括光束放大器，其包含兩個 透鏡250及252。第一透鏡250經配置以接收經調變之輕射光 束2 1 0並使其聚焦通過孔徑光闌254中之孔。在一實例中， 透鏡256位於孔中。輻射光束210隨後發散並藉由第二透鏡 252(例如，場透鏡）而聚焦。 投影系統208進一步包含經配置以接收經擴展調變輜射 210之透鏡陣列258(例如，微透鏡陣列（MLA)卜對應於圖案 化或對比元件204中的可個別控制部件之一或多者的經調 變輻射光束210之不同部分通過MLA 258中之個別透鏡 260。每一透鏡260將經調變輻射光束210之對應部分聚焦於 處於基板2 14上之一點。如此一來’將輻射光點陣列262曝 光至.基板214上。儘管僅展示八個透鏡260 ’然MLA 258可 包含數千個透鏡，對於用作圖案化或對比元件2〇4之可個別 控制部件陣列中之可個別控制部件的數目而言亦是如此。 圖2中之系統慮及另一運作模式：像素柵格成像模式。在 此模式中，形成於基板214上之圖案藉由光點產生器13〇所 形成的被導向至陣列204上之光點的後續曝光而實現。經曝 光之光點具有大體上相同的形狀。在基板214上將光點印入 大體上一栅格中。在一實例中，光點尺寸大於印刷像素柵 格之間距但遠遠小於曝光光點柵格。藉由改變印入之光點 的強度而實現圖案。在曝光閃光之間改變光點上的強度分 佈。 在一實例中，利用一般用於平板顯示器之形成的此模 式，可個別控制部件便可歸類為超像素❶一個超像素調變 I08813-990503.doc -25· 基板上之-個光點的丨。超冑素成像於每一印入之光點之 出射光瞳中的MLA之入口處。光點形狀可藉由利用光點界 疋部件（例如光點產生器）、閃耀功能之變焦距或其類似物而 交到照明器的影響。 圖3示意性地說明如何根據本發明之一實施例而在基板 314上產生圖案。舉例而言，可利用上述之像素栅格成像模 式而執行此實施例。 黑圓圈362表示最近藉由投影系統（例如圖2所示之投影 系統）中之MLA而投射至基板314上之光點。隨著一系列曝 光曝露於基板3 14上，基板3 14相對於投影系統在γ方向上移 動。 開放圓圈364表示之前已曝露於基板314上之光點。如圖 所示，利用投影糸統中之透鏡陣列而投射至基板3 1 *上之每 光點362曝露基板3 I4上之一列366光點曝光362/364。藉 由光點362所曝露的所有列366光點曝先364之總和而產生 基板3 14之完整圖案。此配置通常稱作"像素柵格成像"，上 文已對此進行了描述。 可以看出輻射光點362陣列相對於基板314係成Θ角而配 置的（意即’當基板3 14之邊緣與X及Y方向平行時）。如此一 來使得當基板314在掃描方向（例如Y方向）上移動時，每— 轄射光點362將通過基板314之不同區域，從而使輻射光點 陣列覆蓋整個基板。將瞭解為了便於說明在圖3中誇大了角 Θ ° 應瞭解儘管在MLA之兩個相鄰光點之間展示5x5光點，然 108813-990503.doc •26- 1327682 在一實例中可利用多達約⑽χ1⑽光點。 在一實例中’基板上之光點柵格為約待印人的最小線寬 之半（例如約0.1微米至幾微米），而MLA上之光點間距為 約100微米至約幾百微米。
圖4示意性地展示如何根據本發明之一實施例而用利用 複數個光學引擎之單掃描曝光整個平板顯示基板414。藉由 八個光學引擎(未圖示)而產生八個輻射光點陣列彻，將其 配置於，，棋盤”組態中之兩個列47〇、472十以使得輕射光里占 之-個陣列的邊緣略微重疊於⑽如，在掃描方向叫輕射 光點之鄰近陣列的邊緣。在此實例中，輻射帶延伸過基板 之寬度’從而允許用單掃描執行整個基板之曝光。將瞭 解可利用任一合適數目的光學引擎。 在-實例中，如上所述’每一光學引擎可包含獨立照明 系統、圖案化元件及/或投影系統。然而，應瞭解兩個或兩 個以上光學引擎可共用照明系統、圖案化元件及投影系統 之一或多者之至少一部分。 如上所述，每-光學引擎可包含獨立照明系、统、圖案化 元件及投影系統。然而，應瞭解兩個或兩個以上光學引擎 可共用照明系統、圖案化元件及投影系統之一或多者之至 少一部分。 為了利用微影方法製造產品’而將抗餘劑均—地塗覆於 基板之表面。隨後將輻射圖案曝露於抗蝕劑上以使得抗蝕 劑上之某些區域接收相對較高的輻射劑量，而抗蝕劑之其 他區域則接收相對較低的輻射劑量。在特定輻射劑量臨限 I08813-990503.doc •27· 1327682 之上的抗勉劑發生反應且其穩定性發生變化。在曝光過程 之後，使基板經党進-步處理操作，此移除尚未發生反應 之抗银劑。因此，抗鞋劑在接收特定臨限之上的輕射劑量 之區域中保留於基板上但自接收低於臨限之輻射劑量的區 域中則移除抗姓劑’由此來曝露基板。因此，抗截劑在接 收相對較高輻射劑量之區域中仍然保留於基板上而自基板 上之接收相對較低轄射劑量之區域則移除抗钱劑。所以， 猎由施加適當的圖案至曝光基板之輻射光束，則可能產生 具有曝露基板之區域及抗姓劑所覆蓋之區域的圖案之基板 η4/214/314β隨後執行後續處理步驟以在基板上形成元件 之部分。舉例而言，若在抗韻劑之前塗覆一金屬層至基板 上，則未受到圖案化抗姓劑層保護之金屬層可能會被钱刻 掉因此，-旦移除抗钱劑，則基板便剩下根據抗餘劑圖 案例如根據輻射光束圖案而圖案化之金屬層。 將瞭解微影系統並不限於上述之實例。舉例而言，可利 用所謂的”負性抗㈣”。當利用負性抗㈣時，抗_之 輻射曝光使其更加地不穩定。因此，正是接收高於特定水 準之輪射劑量的抗姓劑在後曝光處理中被移除。因此，保 留於基板上之抗钱劑的圖案對應於基板上的接收低於特定 臨限之輻射劑量的區域。類似地，可出於多種目的而利用 基主板上之抗姓劑的圖案。舉例而言，可使基板之曝露區域 (意即’未受抗蝕劑層保護之彼等區域）經受諸如離子植入之 處理步驟。 待建立於基板上之產品圖案可利用諸如之向量設 108813-990503.doc -28· 1327682 计封震而界定。在無遮罩系統中，自此設計封裝之輸出檔 案經處理用以獲得適用於控制圖案化元件之控制訊號以便 其在基板上盡可能精確地再現所要之輕射劑量映射。在圖 案化元件包含可個別控制部件陣列的情況下，控制訊號含 有資訊用以管理可個別控制部件陣列之每一部件之切換以 用於待由該陣列所圖案化之輻射的每一閃光(例如，在5〇 他區域中之典型的選通頻率便用於此應用卜該處理之部 刀可在基板之曝光開始之前執行（例如，此便是通常所說的 離線影像處理）及/或該處理之部分可同步執行或在對應曝 光之前的較短時期（例如幾秒鐘）中即刻執行（例如，此便是 通常所說的線内處理)。由於巨大容量的資料，線内處理必 須仔細管理以便可在可接受的速度及合理的成本下將控制 .訊號提供至圖案化元件。 圖5描述根據本發明之一實施例之具有資料調處元件之 資料路徑51〇。資料路徑5職念上併入所有資料處理及傳 輸組件，該等組件一起使所要之劑量映射（如由用戶經由輸 入兀件504所界定的）以適當的形態被轉印至圖案化元件 104/204。資料路徑510包含一或多個資料調處元件，每一 者經配置以分析包含所要之劑量映射之（通常部分經處理 的）變型的傳入資料流並將訊號輸出至圖案化元件1〇4/2〇4 或輸出至在訊號傳送至圖案化元件1〇4/2〇4上之前將進一 步處理資料流的元件。舉例而t ’可提供"反光學，，資料調 處元件512(料其如此稱謂係因為其主要與投影系統之光 學配置的影響有關），其經組態用於為所要之劑量映射之每 108813-990503.doc -29· 1327682 一像素（其可例如在相對於基板114/214/3 14之點柵格上而 界定）計算自圖案化元件104/204中之起作用的像素或若干 組像素的強度以產生具有適當劑量的光點曝光SE。反光學 元件5 12隨後以使得隨著輻射光點陣列s在基板1丨4/2 14/3 14 表面上方移動可隨時間之推移建立所要之劑量映射之方式 將資料傳向圖案化元件104/204。 對於在其上界定所要之圖案的每一栅格點而言，反光學 元件512必須處理柵格點區域中之大量光點364的光點曝光 強度 > 料。此資料又得自柵格點區域中之所要之圖案。一 般而言，可界定，，内容半徑（c〇ntextradius)"係關於所要之圖 案中之任一栅格點的，”内容半徑"界定所要之圖案區域， 當計算如何在特定精確性的情況下在所考慮柵格點上達成 所要的圖㈣必須考量該區域。内容半徑之尺寸將視光點 364之點擴散函數之形狀及位置偏差(自經準確界定之柵格 位置）而疋。其一般選定為光點間距及/或每一印入光點之點 擴散函數之半幅值全寬（FWHM)的若干倍，此可能因此要延 伸超k若干微米。下文將描述諸如”反圖案化元件”資料調 處元件514之其他資料調處元件。 /在典型的應用中’待寫入基板ll4/2i4/3i4之特徵的數目 係巨大的且在任—時間向圖案化元件104/204饋料之資料 路仫10中之硬體不能獲得表示整個所要之劑量圖案的資 料。如圖5所示’可提供掃描場解析器元件506,其將藉由 用戶經由凡件504而輸入之所要的圖案之描述性表示轉換 至大體上對應於待形成於基板114,214/314上之光點364序 1088l3-990503.doc 1327682 列之資料序列（並不必須係於其中實際產生光點364之相同 的序列·參看下文）。表示經光柵處理的所要之劑量圖案的資 料逐漸地在一個時期中藉由掃描場解析器5〇6而在資料路 徑51〇上運送（資料路徑中之虛線部分表示可包含處理圖案 化過私之其他態樣之其他資料調處元件的區），直至所有所 要之圖案被寫入至基板114/214/314上為止。
所要之劑量映射可表示為行向量，該行向量包含表示在 基板114/2 14/3 14上界定的大量栅格位置之每一者上的劑量 之部件。在所要之劑量映射中的柵格位置可相對於其在計 量訊框座標系統中之座標而指定：Xmf、^。如上文所提 及的，此所要之劑量映射待建立自光點364之集合。此等光 點364之每一者將具有特定點擴散函數，該函數描述光點 364之強度的橫截面空間依賴性。另外，將存在有光點之每 一者自光點柵格中之其預期位置的位置變化，此歸因於用 於聚焦光點之微透鏡陣列ML A的不規則性。光點位置及光 點點擴散函數形狀均可經由校正資料儲存元件5()2而輸入 至反光學元件512中。 以此方式形成影像的方法稱作像素柵格成像。在數學 上，將所要之劑量映射設置為等於所有可能光點364在每一 光點上的強度乘以每一光點之點擴散函數而得到的總數。 此可書寫為如下之等式： w 所有繫巧點 (XMF’yMF)= ^：In .PSFnd'U)， 其中1表示光點η之個別光點曝光"強度"（其習知的係指，, 108813-990503.doc •31 · 1327682 強度"但此處通常耗與能㈣量成比例的 焦耳表示），PSFn ((XMF-Xn)，（yMF_yn))表 /數有時用 田Λ , 點擴散函數（在弁 點η之位置XMF_Xn及上的 ^ ^ 别里貝獻），、及）^指示個別 曝先先點之位置而D(XMF，yMF)則表示支持微影裳置 訊框之座標中的所要之劑量映射。 °里 反光學元件5U經組態以解決如下之問題：在假定 劑量映射及點擴散函數資訊（此作為校正資料而提 況下，盡可能精確地錢所要之劑量映射而需要提供的: 別光點曝光強度（或對應所要的子光束強度）是什麼。 上述之等式可用向量/矩陣形式按如下方式改寫為： [D] = [K]. [I]， 其中行向量P]表示離散的（意即，僅在特殊基板拇格位 置所指定的）所要之劑量映射’行向量附示個別光點曝光 強度而矩陣[κ]則表示離散的點擴散函數。 矩陣[κ]含有關於每一個別光點曝光點擴散函數（位置盘 形狀)的資訊。所以，根據本實施例，利用如下之資訊以產 生矩陣[K]:丨）掃描速㈣射選通頻率；2)微透鏡陣列光點 位置；3)微透鏡陣列關散函數㈣（整個光學系統（投影/ SL職照明）之光點點擴散函數）；及4)微透鏡陣列相對於基 板掃描方向（Υ軸平臺）的旋轉位置。 為了解決上述問題，反光學元件512經配置以判定個別曝 光光點強度以便最小化叫阶⑴。為了評估此最小值而利 用標準化。由於存在此方法必須在管線環境中應用（因為並 非基板上之所有光點曝光均係同時寫入的）的事實及利用 108813-990503.doc •32- U27682 / _ MLA光點來印刷許多光點364(利用許多不同的雷射脈 育）的事實’所以待利用通用標準化，其中無法利用所要之 圖案的特殊知識。原則上可併人此特殊知識的使用但將導 致裝置成本的大量增加。 斤X最小平方方法係合適的且待由反光學元件512而解 決的問題因此可表示為：
多種方法已用於解決此通用類型的最小平方。此等方法 可按如下方式分類⑴幾何的，利用雅可比行列式（-—η) (此為迭代方法）等；2)代數的，利用迭代方法（例如高斯-賽 ，法(Gauss-Seidel));及3)代數的，利用直接方法（例如高斯_ 約旦法（Gauss-Jordan)，利用矩陣求逆）。 在一實例中，本f施例之方法屬於此等類別之第三者。 其相對於需要迭代的選擇可為較快的（―旦判定逆矩陣），且 允許有效地即時執行最小平方擬合。另外，其顯示判定行 為’此在更多的條件下允許可預測的收斂及速度。相反， 在利用迭代方案的情況下，"何能較為料地預測解 決方案將花費多長時間收斂於可接受的誤差界限中。此 外，對於此方法而言由於資料路徑硬體中之限制字長所引 起的舍入係最小的，此歸因於避免中間結果之再利用。最 後’存在有實施益處，因為可在較大字長域中例如在浮動 點域中離線地執行困難的預備計算（矩陣求逆等），而無項在 實際成像過程中執行額外計算（當f料路徑已處理較大= 108813-990503.doc •33· 1327682 量的資料時）。 本實施例之一個方面係矩陣[κ]並非正方形的。其具有藉 由光點曝光η之數目及離散柵格光點之數目而判定的尺 寸，其中在離散柵袼光點上指定所要之劑量映射（行向量 之長度所以，可能無法利用標準數學技術來計算矩陣[K] 之逆。然而，可能藉由計算”擬反轉"（參看例如” Unear AIgebra and its Appiicati_"，第三版，⑴比州 ，第 449與第450頁’此全部内容以引用的方式併入本文）而繼續 下去。在隨後的描述中，將擬反轉表示為[κ]+。舉例而言， 可利用擬反轉之莫耳_潘羅斯（M〇〇re_Penr〇se)定義但其°他 類似定義亦可為合適的。 八 莫耳-潘羅斯矩陣求逆係通用類擬反轉（通常所說的”矩陣 1-逆"）的特殊情況。其有時被稱作”廣義逆,,或簡單地稱作” 擬反轉"。矩陣[κ]之莫耳-潘羅斯逆[ΚΓ滿足下述關係（對於 實值矩陣而言）： ' [Κ][Κ]+[Κ]=[Κ], [Κ]+[Κ][Κ]+= [Κ]+ , ([κ1[κΓ)τ = [κ】【κ】+，及 ([Κ]+[Κ])Τ = [Κ】+[Κ；]。 對於网=[ΚΗ/]之最短的最小平方解決方案（其表示 min/n||[D]-[K].[/]||2 ’見上文）可按如下形式書寫：[小町词。‘’、、 若（[K]T[K】)之逆存在，則擬反轉[κ]+可表示為： [K]+ = ([KftKD-'tKf , 108813-990503.doc ·34· 1327682 其中[κ]τ為矩陣轉置。此可藉由將等式[D]= [κ] [/]兩邊均預 先乘以[κγ以建立正方形矩陣（[κ]τ[κ])而看出，此通常可倒置 [/]= [k]+.[d]。 在直接代數最小平方擬合、子光點曝光柵格位置依賴性 及圖案角形依賴性中避免負性強度解決方案
所要之劑量映射（其可等於例如經光柵處理之平板顯示 益圖案）經常用來產生經清晰界定抗蝕劑特徵。對應劑量圖 案係建立自光點364的（其例如可經高斯定形）且擬合常用程 式（諸如上文所述之最小平方擬合）一般將產生具有負性強 ，成分（意即’將易於導致減少基板114/214/314上之點的劑 1之光點364，其係落於基板114/214/3 14上的）之解決方 案。不幸的是，在相鄰光點364係非相干形成（例如，因為 其到達的時間不同)的系統中負性貢獻也許係不可能的，因 為相關聯的輻射子光束無法破壞性地彼此干涉。基板 114/214/314上之特定點的劑量隨後係建立自不同子光束的 強度之總和的而不是建立自振幅之總和的。 可忽略負性強度成分(例如將其設定為零)但此導致僅在 有限精確性下再現所要之劑量圖案的擬合。 相關的問題係形成於基板1M/214/314上之圖案中的非吾 人所樂見的位置依賴性。詳言之，存在有在光點⑽之陣列 中的柵格位置附近更完美地獲得料之劑量圖案的趨向。 此所以發生的-個原因係與無力產生負性強度相聯繫的誤 差在相對於柵格位置之間的點的此等區域中係更不明顯的 108813-990503.doc -35- 1327682 (參看下文）。結果’印入接近於柵格段的一段上的密集特徵 將經受低頻率（特徵段與柵格段的差異頻率）特徵形狀變化 Γ差拍"）。 此子光點曝光栅格位置依賴性之影響之一者為元件特徵 將視其相對於柵格之位置及/或方向而以不同的方式形 成。舉例而S，可特別好地（若邊緣位於柵格位置本身的沿 線）或特別差地（若邊緣恰好位於柵格列之間）形成具有平行 於栅格的邊緣之特徵。具有中角邊緣之特徵在顯微鏡下可 為鋸齒狀的。 又，輻射光點之栅格可對所得之圖案具有平移或旋轉影 響（尤其影像對數斜率變化作為_於輕射光點之拇格的 位置及角度函數）。 很撅丰發明 '、一.，— V 07 TIT m ^ ^ }g 508(例如二維濾波器）應用於所要之劑量圖案資料（或表 生物）以形成饋入反光學元件512中之限幅頻率目標劑邊
二 / °卩刀地克服此等問題。或者，該濾波器可在序 放力上併入至點擴散函數矩陣[K]。 低通濾波态可包括任—自訊號完全地或部分地移除声 選定之臨限頻率之頻率成分的渡波器。頻率截斷可為突 的/急劇的或逐漸的且截斷之形狀可經調整例如以更好 :所：之劑量映射之振幅頻率回應與光點曝光及/或圖 別設計之振怜頻率回應相匹配。更一般化地。慮波器可 或圖幸4將所要之劑$映射之振幅頻率回應與光點364 5 /、匕元件之振幅頻率回應相匹配。 I08813-990503.d〇c -36- 1327682 滤波器之展開及應用可自如下之等式開始描述： .所有曝光光點 〇(χ^Υμρ)= Iln-PSFn((XMF_XnMy^_yn)) 並將其變換至傅裏葉域中。在—實例中，光點364之每一 者之點擴散函數為二維高斯的（替代實例為埃氏光環㈨巧 disc)，本發明並不限於任一特定形狀的光點曝光364)，將 其定義為：
或就半幅值全寬而言則改寫為： DCI7 ff 4·2·1η(2) 2’dfwh ρβ((ΛΜΡ - ')，〇MF -凡))=-Γ—,~rexp 2^-«fwhm 、在上文假設下 所有曝光光點
D(XMF，yMF)= Σ!η *PSFn((XMF -Χ„)5(Υμρ -yn)) η 之傅裏葉變換為： 〜 所有曝光光點 f \ 〇= £ In.exp(-jxnkx-jynky)exp ’-(kx2+k2).d Μ _ν χ y / ufivfam 、 16·1η(2) 其中kx& 1^為二維角形空間頻率而5則為DOW，％)之傅裏 葉變換。 此最後的等式表明圖案位置資訊係用方之相位表示的而 形狀資訊則係用振幅表示的。 將空間濾波器F用作戶_5(意即，傅裏葉域中的乘法）^該 108813-990503.doc ·37· 1^2/082 運t亦可看作對應非傅裏葉變換濾波器厂與之間 的卷積。 濾波器不應影響圖案位置資訊。所以，選定之濾波器應 八有線性相位行為。舉例而言，可利用具有合適的線性相 位行為之對稱pIR(有j：艮脈衝回應）滤波器（出於此應用之目 的為具有對稱形狀之卷積係屬於此類的）。可藉由應用 額外平移而使此等渡波器之任_所得之相位效應為零。 濾波器通^不應影響圖案形狀之尺寸/劑量，所以dc濾波 器增益通常選定為i。 如上所述，光點364之振幅頻率回應所帶有的一個問題係 在非相干成像的情況下無法建立負光（意即負振幅）(儘管此 在相干成像的情況下是可能的）。又一問題係光點364之頻 率回應根據圖案相對於個別光點曝光栅格位置的位置而改 變（意即，此為上文提及的子曝光柵格位置依賴性的一個原 口）此思味著用於子曝光柵格之一部分中的劑量圖案部件 之滤波器可能無法有效地用於在子曝光柵&中之其他位置 處所界定的劑量圖案部件。 子曝光柵格位置依賴性問題的嚴重程度一般而言將視光 點曝光糖格之性質而定。舉例而言，元件部件之直線性質 意味著正方形/矩形光點曝光柵格（其中可識別具有正方形 或矩形對稱之單位晶格）更有可能受損，此歸因於曝 中之位於"最差情況"沿線的元件部件及邊緣之增加可能性 (參看下文所謂的"最差情況"）。在此情形τ ’需要組態遽波 器508以處理子曝光柵格中的”最差情況"點。另一方面，子 1088l3-990503.doc -38- 1327682 曝光柵格變化對於其他曝光栅格幾何形狀（例如六邊形或 準六邊形）中之元件結構的影響可易於達到平均水平以使 得可利用更輕㈣波器，其經組態以僅處理平均情況而不 疋"最差情況"位置。對於準六邊形形態而言，其意味著可 藉由將純六邊形幾何形狀沿乂及/或乂轴簡單定比而引出的 配置（純六邊形幾何形狀界定為栅格幾何形狀，其可建立自 具有六邊形對稱的單位晶格_類似於2D"密集,，結構一般而 言，遽波器5G8之適當的強度將視特定光點曝光柵格幾何形 狀而定。 根據一實例，濾波器5〇8係基於光點曝光柵格脈衝回應 \此係指光點曝光栅格對於由特定點之迪拉克⑴㈣德爾 «函數且成之所要之劑量圖案的回應）之傅裏葉變換而展 開的° —般而t -或多個光點將用於使脈衝成像，數目 視子曝光柵格位置及曝光柵格幾何形狀而定，下文將進一 步對此加以描述。
圖6描述根據本發明之一實施例的正方形光點曝光栅格 之一部分及一"最差情況"位置。圖7描述根據本發明之一實 細例的/、邊形光點曝光柵格之一部分及一"最差情況"位 置。因此’圖6及7展示例示性柵格幾何形狀(分別為矩形及 /、邊形）對於矩形柵格而言，至多四個光點曝光用於曝光 衝回應對於六邊形柵格而言，至多三個光點曝光用於 曝光脈衝回應。在每-情況下’實際數目將視需要脈衝回 應的子拇格位置而定。 柵格（假設為高斯光點形狀）之脈衝回應之廣義傅裏葉變 I088I3-990503.doc -39- 丄:5//082 換為： (kx2 +ky2)-dfWhm2> 16·1η(2) 〜 所有曝光光黏 H= ? In.exp(-Wjynky).exp 其中^及以二維角形空間頻率，t指示光點364之半 幅值全寬，示光點a光點曝光強度，而山肩指示 光點η之光點曝光位置。 右在柵格位置上正好需要脈衝回應，則活化—個光點曝 光364以將其曝光。此稱作"最佳情況"。光點曝光柵格之此 最佳情況脈衝回應之傅裏葉變換為： 百s佳情況=exp -IjL^ky’.dftvhm l 16.1n(2), 所謂的最差情況情形對於所要之脈衝而言正好出現在兩 個曝光光點（六邊形與矩形）之中間。圖6及7給出了此等位置 之只例（由指示）。此最差情況脈衝回應之一維傅襄葉變 換（沿最差情況彈道所得，及=0)如下所示： _3 / 16. In ⑵-
Ha佳情況= ~exp(-j.〇.5-kyp + j.〇.5.kyp).exp| 中P指示光點曝光柵格間距。 圖8描述根據本發明之一實施例的具有"最差情況"線及" 最佳情況”位置之正方形光點曝光柵格之一部分。圖9描述 根據本發明之一實施例的具有"最差情況"位置及”最佳情 况位置之六邊形光點曝光栅格之一部分。圖8及9分別展示 最差情況及最佳情況（” + ”）位置在矩形及六邊形柵格幾 何形狀中係如何分佈的。可以看出，在六邊形光點曝光柵 108813-990503.doc •40- 1327682 的清況下’離散的點顯示在特殊角度下的最差情況脈衝 f應仃為。在矩形光點曝光栅格的情況下，最差情況點沿 =連續線分佈，其覆蓋整個基板H線位於特殊的但非 常通用的元件特徵角度上。可以看出，在矩形拇格中，最 差情況脈衝回應之位置的數目（統計上地）遠遠超過六邊形 光點曝光柵格令的類似位置的數目。所以，自此點看來六 邊形栅格之平均效能可能好於矩形光點曝光拇格之效能。 &改良係有關於系統行為的，其尤其係藉由上述之低通擬 • 合據波器5 0 8而判定的。 可在二⑼斗年^月Μ日申請之18 Ser第11/〇18,929號中 .4現矩形及六邊形光點曝光栅格之最佳及最差情形的例示 . 性論述，此案之全部内容以引用的方式併入本文。 可出於多種原因而應用低通擬合濾波器5〇8，例如：1)為 了避免需要負光；2)為了最小化子光點曝光柵格位置之影 B及3 )為了最小化影像特徵與光點曝光柵格之間的角度 φ 對於所付之空中影像之影響。對於六邊形光點曝光栅格而 言，發現可允許更高的空間頻率進入反光學元件512之擬合 演算法，而相對於利用矩形光點曝光栅格的情況而言並不 增強最大負面解決方案。 在一實例中，濾波器508經組態而以圓形對稱方式運作 (相對於位於基板之平面中之徑向轴線而言）且匹配於最差 情況光點曝光柵格脈衝回應。用於慮及最差情況脈衝回應 的程度可視柵格之形狀而定。在最差情況點位於離散柵格 位置上（而不是沿線的）的柵格中，利用較弱濾波器可為足夠 108813-990503.doc 1327682 的。在不同形狀栅格的情況下，可更為有效地選擇中間位 置（相對於最差及最佳情況位置），尤其在最差情況點位於離 散位置上（而不是沿線的）的情況下。 根據此實例，濾波器508亦經設計以同步地最大化像素柵 格成像在CD、CDU及劑量均-性方面的效能（藉由移除恰好 足夠的較高頻率以解決上述之問題，且理想地不再發生）。 矩形光點曝光柵格濾波器 如上文所述，最差情況脈衝回應之一維傅裏葉變換可寫 為： ” 百最佳情況=TexP(-j.〇.5.kyp +j.〇.5.k P).exp ~(^x +^y )'dfwhm "l 16·1η(2) ^ 其中/7指示光點曝光柵格間距。上述等式所描述的此最差 情況脈衝回應之量值在&=；Γ/2下變為負數以便具有諸如抑 制尚於此值之空間頻率的低通特性之濾波器將避免負振 巾田。若濾波器508強至足以處理最差情況柵格點，則亦將充 分地避免子曝光柵格中的其他位置之負振幅。利用較強濾 波器508(例如，具有更低頻率之截斷）未必會降級光點曝光 柵格之效能並導致解析度減弱的劑量圖案。 緊接於上述内容’合適的濾波器可為二維圓形對稱FIR濾 波斋，其基於如下之一維舍位： 擬合迷波s 0 其中ω = 頻率。 Γ/ρ為對應於光點曝光柵格間距之一維角形空間 108813-990503.doc .42- 1327682 六邊形光點曝光柵格濾波器 圖1〇描述根據本發明之實施例的六邊㈣點曝光柵格幾 何形狀並展示根據本發明之實施例的"中間情況"位置。用 於此幾何形狀曝光柵格之濾、波器可自正好在三個光點之間 的位置之傅裏葉變換脈衝回應開始展開。圖㈣示之位^ 表示最差與最好情況(參看圖9)之間的中間位置。所示之中 間位置的傅裏葉變換脈衝回應為： Η 中心；六邊形=一 1exp ’τ·ρ、 -exp ί3 Ρ ky P ky exp • exp ^ fivht 2\ 16 ln(2) 其中Θ指示光點曝光拇格間距。 在此情況下合適的濟減51 -5J·炎_ & π 恩/反态可為一維圓形對稱FIR濾波 器，其基於如下之一維舍位： 擬合瀘波器；六邊形 Η最差情況 f kx =0,^ =當《<竺1 < 3P J 0 當 3ρ 其中…為對應於〇.75倍光點曝光拇格間距之一維角 形空間頻率。 對於上述之矩形及六邊形光點曝光拇格滤波器5〇8而 言’反光學元件512所提供的擬合解決方案並不利用較大的 負性曝光光點強度以在精確度級別較高的情況下使所要之 劑I映射成像。事實上’典型的解決方案將含有僅極小的 108813-990503.doc •43- 1327682 強度’其可削減為零。在-實例中，作為副 毅過程產生之較小的”雜散，w可· 此等數值可以其仙古斗、土從 A 他方式在退離圖案特徵之邊緣區域中導致 較小但較為顯著量的”雜散光'此削減之影響在無需光的 與影像特徵相鄰的區域之較小部分中產生一些極弱的劑量 強^此等位置-般位於離實際邊緣約15微米之帶中，以 使知·通4可忽略對待形成之元件的影響。 -般而言’低通濾波器可經配置以在光柵處理之後部分 地或完全地在資祕徑之離線部分中運作，或作為光拇處 理過程之部分而運作。另外，儘管上述實施例涉及光點曝 光強度與限幅頻率目標劑量圖案之直接代數最小平方擬 合，但將亦可能調適低通濾波器之用途以適應利用間接/迭 代方法的情況。 影像銳化濾波器 圖11描述根據本發明之一實施例之低通濾波器11〇2及銳 化濾波器1104。圖11展示本發明之一替代實施例，其中濾 波器5 0 8具有为裂或雙重功能性，其包含低通渡波器部分 1102及銳化濾波器部分11〇4。銳化濾波器11〇4可用於改良 劑1圖案中之特徵的清晰度，其使用待形成之產品特徵的 知識。一般而言，銳化濾波器1104將包含對應於待銳化之 影像特徵（在傅裏葉域中）之反換式的貢獻。以最小可能圓形 產品特徵（具有等於臨界尺寸（CD)之直徑）為例，銳化濾波 器函數在空間域中可按如下方式定義： 108813-990503.doc -44 - »2 穴銳化 Ο
t^x2 +y2 <R 銳化 #λ/? + ^2 其中為影像特徵之半徑（此處為CD之一半） 將影像特冑變換為傅裏葉域獲得 銳化 Η = 2 * - R銳化· y/k χ2 + ky2 其中 <為第一種貝塞耳（Bessel)函數。 應於此實例之銳㈣波器nG4則為最小可能圓形 像特徵之傅裏葉變換之振幅頻率回應的反換式： 銳化瀘波器 a-R銳化 < 2以祕銳] ( JI t銳化逋波器 CO =— l ρ 當ω<[ Ρ j當6；>三 用於控制影像對數斜率之濾波器 圖12描述根據本發明^^ 每& 爪像不1,明之一實施例之影像對數斜 器。"影，斜率，，係指寫入基板之劑量圖案之空心 I·生且特u之係指在編距離τ劑量之變化速 率）。對於微影機器之使用者而言，基於若干原因考慮許热 調整此斜率可為有料。第―，較淺影像㈣斜率意^著 在基板處理之後所形成之特徵將往往具有更圓的邊緣 可減小靜電放電(瞬間放電)之風險。第二，較淺影像對數： 率可使得易於在基板上之不同處理層上之特徵之間人 人滿意的重疊。重疊—般必須更為精確地加以控制，其: 特徵本身清晰地界定於任—處理層中(意即，具有陡崎影像 對數斜率）。第三，舉例而言，在藉由微影術所產生的平板 I088l3-990503.doc -45- 丄327682 :示器中’視角依賴於個別特徵之影像對數斜率 :::對數斜率可產生較大的視角(可能會以損失解析度、對 匕率等為代價），其對於特定應用（例如 ' 可為理想的。 在電視或視訊中） 出於此㈣’遽波器508可包含影像對數斜率 差^ 可能以此方絲將對^調整為高於藉由最 障況光點曝光脈衝回應所判定的最 器-般作用在於減小對比度。 ★所以過濾 在空間域中例示性影像對數斜率渡波器函數為： π.κ索 0 Γ 當 虽 渡波器函數經判定以使得據波器之Dc增益為卜半h 為影響影像對數斜率的參數。 斜率 濾波器之替代物 在一實财，作為利⑽Μ來調處待發送 件1〇4/2〇4之控制訊號的替代方式 ⑽化疋 光學以改變光點形狀。可藉由光束定更照明及投影 的光點形狀。所實現之光點形狀 如實現不同 重雷射光束傳播的情況下）、埃氏 九束（在夕 分㈣t .… 埃氏先架(藉由戴孔)、圓頂光 刀佈或上述之任一形狀之卷積。 =實例中，渡波器可提供更為便宜及更易 Π右因為其並不需要新類型硬體之主要附加物。實情 為，現有硬體及/或重組態之容量的增加可為充分的。 108813-990503.doc -46- 1327682 組合據波器 之Ϊ:Γ:Γ可能產生組合據波器，其執行上述渡波器 波器1102广之功能。在組合濾波器係形成自低通渡 情 、銳化渡波H11Q4及影像對數斜钱波器12〇2的 的·，組合據波器在空間域中則係藉由如下之卷積而形 = Fi8合_器 ® F斜率 其"表V卷積於，，（此處及全域是如 算滿足/®g=g(8/ ) 口為卷積運 重要。 ㈣性，戶斤以渡波器進行乡且合的順序並不 例中，如此（彼此組合或以其他方式）而界定的渡波 二可WT方式組合於擬反轉料[Kr(而不利用獨立遽 波步驟來過濾'所要之劑量[別）： W = ^ffi^ssag ® [κ]+ · [d] » 此產生 [I] = [K]+經遇濾的.[D]。 過濾核[ΚΓ而不過濾所要之劑量[D]可具有如下之屬性： a)減小核之動態範圍（抹除核值），此減小字長；及μ大體上 減小内容半徑（對於類似的成像效能而言）。 在-實例中，經過濾之核[ΚΓ““可完全離線地製備。 至少’下述内容在某種程度上係真實的：在單基板曝光中 MLA光點位置不發生改變；MLA點擴散函數形狀不發生改 變；可在資料路徑中補償MLA位置變化；及掃描速度及雷 1088l3.990503.doc •47- 1327682 射頻率係恆定的。 用於應用CD偏差之濾波器 在一實例中，利用臨界尺寸偏差（CD偏差）。CD偏差關係 到根據用戶需要調整最小線寬的步驟。經常利用此步驟， 因為雖然可高度預測劑量圖案之線寬’但處理之後所形成 的特徵之實際線寬係較為不可預測的且可自調整受益以達 成最佳效能。可藉由CD偏差而實施此調整（意即，增加CD 以形成更粗的線或減小CD以形成更細的線）。 在基於遮罩之微影系統中，C D偏差通常藉由改變輻射源 之總強度而達成。每一輻射子光束之所增加之強度易於展 開與個別圖案特徵相聯繫之劑量，此引起CD發生變化（CD 增加可用於使空中影像變得清晰，CD減小可用於使空中影 像變得暗淡-明視場）。此方法及類似方法具有如下缺點：沿 著一個平行於基板之轴線所引起的CD變化可能伴隨著沿 著正交軸線之對應的CD變化。若用戶需要沿著X與γ軸線進 行同等的調整，則此限制便不成問題，但若對於每一轴而 言可獨立調整CD(例如，沿著X而不沿著γ改變cd)的話則更 尚級別的最佳化一般將係可能的。更重要的是，對於一子 組特徵或全部特徵類型（例如，密集的、隔離的、線、接觸 等等）而言，在逐個特徵基礎上調整尺寸及密度將為較佳 的。 圖13描述根據本發明之一實施例之CD偏差濾波器 1302。藉由提供CD偏差濾波器1302來調處待發送至圖案化 元件104/204之控制訊緣而執行獨立的X及γ CD偏差，而不 1088l3-990503.doc -48- 1327682 是提供照明劑量來改變CD。此方法亦可用於提供隨著基板 Π4/214/314上之位置（且可能獨立地在X及γ上）而改變的 CD °此可藉由用與上述之濾波器相類似的方式使用cd偏差 濾波器1302而達成。詳言之’ CD偏差濾波器1302可用於變 更待輸入至資料調處元件5〇〇(出於說明性之目的展示兩個 此等元件）之所要之劑量映射資料。此濾波操作通常經配置 以離線地執行’因為在擬合演算法本身中可能難以執行此 功能性（如反光學元件512所執行的）。在此實例中，在掃描 場解析器506之前定位CD偏差濾波器1302。在一實例中， 务·利用線内控制，則此仍然可藉由例如改變輻射源之強度 或利用擴張或腐蝕演算法（參看上文）（或許與上述之離線方 法相結合）而達成。 替代地或另外地，可利用通常稱為擴張及腐蝕之數學形 態學操作而應用CD偏差。稀釋操作可應用於經數學方式界 定之物件以使其擴張使其尺寸增大，而腐蝕則使物件收 縮。使物件增大或收縮之量及方式藉由所謂的結構化部件 而指定。此方法可以數位方式在線内或離線地應用。 即時焦點校正 焦點权正可藉由回應於最佳焦點位置之量測而改變基板 〇WT 106/206之位置來達成，因為基板台WT 1〇6/2〇6相對 於基板114/2 14/314係移動的。原則上，投影系統1()8/2〇8之 或刀亦可移動以達成相同的效果。在任一情況下， 均可利用平移及旋轉（傾斜）位移。 諸如此等之系統就用於有效實施例之伺服系統及額外系 108813-990503.doc -49- 1327682 統而言係昂貴的。另外焦點校正之空間解析度充其量不過 受到與特定MLA及光學柱相聯繫的光點撕格之尺寸的限 制。光學柱及/或基板台106/206之子區通常無法相對於彼此 及基板114/214/314而獨立地移動。另外，由於待移置之組 件的慣性’此等系統響應最佳焦點位置變化的快捷程度受 到限制。 在一實例令，經由資料路徑（意即，藉由調處待饋入至圖 案化元件104/204之控制訊號）而執行最佳聚焦。此係可能 的，因為聚焦影響每一光點曝光364之點擴散函數之半幅值 全寬。基於相對於基板114/214/314上之特定點所進行的實 焦點位置之量測而得到的計算結果可作為校正資料輸入至 點擴散函數矩陣[κ]。發送至圖案化元件104/2〇4之控制訊號 可因此經調適以顧及基板114/214/314上之焦點外區域，其 中光點曝光形狀將比正常情況略寬闊些。此光點校正之結 果為可在更高程度上有效地達成聚焦。此部分歸因於所增 加之空間解析度(受到個別光點曝光之尺寸的限制而不是 受到整個光點柵格之尺寸的限制）且部分地係藉由更快的 回應時間的（並不執行額外的機械運朴此可藉由附加任一 主要的新硬體（諸如伺服/控制系統）而達成，儘管額外計算 硬體可用於增加資料路徑510之額外容量。在一實例中，以 此方式之焦點㈣可允許移除或簡化機械焦點控制裝置， 因此減Μ本及/或㈣。或者’可利用機械焦點控制（作為 ”粗略”調整）及資料路徑焦點校正（作為”精細"控制）之組合 而設計出高解析度系統。粗略及精細調整可分別涉及主要 108813-990503.doc •50- 1327682 低空間頻率及主要高空間頻率校正。 在一實例中，資料路徑所應用之校正可考慮到逐次掃描 時保持恆定的影響，例如在河乙八中沿逐個透鏡發生的焦點 變化。在此情形下，校正可經由離線計算及離線調整反光 學資料調處元件512所用之點擴散函數矩陣[κ]而實施。然 才父正亦可在線内地應用以對隨著掃描逐次改變的影塑 (諸如與基板拓撲中或基板台傳送中的缺陷相關聯的彼等 影響）提供"即時"校正。 鲁圖14描述根據本發明之一實施例的適合於經由資料路徑 之即時焦點校正之裝置。此實施例亦可利用上述之粗略及 . 精細控制。藉由分析自輻射源1410之輻射而獲取焦點資 • 料，其中該輻射在自基板114/214/314及/或基板台106/206 上之多種位置反射後藉由輻射偵測器14〇8而接收。此分析 可藉由焦點控制元件丨4〇2而執行。或者，可藉由量測由硬 式附著至投影系統1 08/208之一或多個超音波傳感器發射 φ 的超音波在自基板U4/214/314及/或基板台106/206反射之 後的傳播時間而在多種點上判定基板台i 〇6/2〇6及基板 114/214/3 14之位置。 基於因此而獲取的焦點資料，焦點控制元件〗4〇2計算基 板114/2 14/3 14之一部分的最佳焦點位置並沿著資料路徑 14 12與1414之任一者或兩者而將控制訊號輸出至投影系統 位置及/或傾斜控制器1404與基板台位置及/或傾斜控制器 1406之任一者或兩者。因此使得投影系統位置及/或傾斜控 制器1404及/或基板台位置及/或傾斜控制器14〇6執行投影 108813-990503.doc •51 - 1327682 系統108/208及/或基板台WT 106/206之平移及/或傾斜操作 以將基板114/214/314上的待曝光之區域引入至更接近於最 佳焦點平面之位置中。根據此實施例，此為所謂"粗略"控 制。 經由貧料路徑510而達成精細控制。焦點控制元件14〇2 在將控制訊號轉發至控制器14〇4及1406之後，經組態亦用 以將焦點資料轉發至資料路徑焦點控制元件1416，元件 1416計算矩陣[K]需要作出的調整以顧及點擴散函數效能 變化’該變化預期應係歸因於焦點品質之變化的。 在一貫例中，粗略及精細校正之組合可按如下次序而實 施：量測焦點；執行粗略校正；再量測焦點；執行精細校 正。在此次序中，發送至粗略元件之焦點資料每次均將不 同於發送至精細校正元件之焦點資料（假設總是偵測到一 些焦點誤差或者，粗略及精細校正可同步執行。在此情 況下，發送至資料路徑焦點控制元件1416之資料包括發送 至控制器1404及1406之控制訊號。對矩陣[κ]校正將顧及基 板台106/206及/或投影系統1〇8/2〇8之預期運動。發送至控 制β 1404及1406之一或兩者之控制訊號之數值與所得焦點 變化之間之關係可記錄於校正表中。 在所不之實施例中，經由儲存元件5〇2而將焦點校正資料 傳送至資料路徑，其將光點位置及光點點擴散函數資訊（其 可藉由焦點校正資料而更新）提供至反光學資料調處元件 512。杈正資料亦可在不脫離本發明之範疇的情況下而於其 他線内點上併入於資料路徑中。 108813-990503.doc -52- 1327682 校正資料路徑中之強度不均一性 可個別控制部件陣列中之每一部件均可活化至依賴控制 。、之狀I、在所述之部件係由鏡面組成的情況下，活化 可採取圍繞鏡面之平面中的—軸線而傾斜的形式。活化狀 態將隨後對應於特定傾斜角^活化狀態亦可稱作反射率 ^ 例如在可個別控制部件陣列中利用具有可變反射 :'寺疋方向上）之部件的情況下。已藉由一或多個此等部 件而圖案化之輻射子光束的輻射強度依賴於相關部件之活 7狀態。強度與控制電壓之間的轉換可作為兩級過程而實 轭在第一級中，執行乘法運算以將強度轉換至對應活化 狀態(例如，反射率)。第二級隨後關係到選#適當的控制電 堅以自陣列1 04/204獲取此等部件活化狀態。控制電壓與所 得=件活化狀態之間㈣係—般不是簡單的線性形式， 且通常提供校正表（例如檢查表）以使得能夠執行此轉換。可 利用内插法來轉換位於校正表中之離散點之間的數值。或 者，數學函數（例如Chebyshef多項式）可擬合於校正表中之 資料的全部或部分並可利用所得之擬合函數而執行轉換。 在實例中，經由”反圖案化元件”資料調處元件5 14而執 行總轉換。正如上文根據圖5加以論述的，此可包含倍增器 516(用於執行第一級轉換_自光點強度至部件活化狀態或反 射率設定點）及檢查表元件518(用於執行第二級轉換自部 件活化狀態或反射率設定點至部件控制電壓）。 在貝例中，強度不均一性可獨立於可個別控制部件陣 列之特性而發生，此歸因於裝置中的多種光學效應。結果 I08813-990503.doc •53- 1327682 可為在個別光點曝光之間、個別光學柱之間、個別雷射系 統之間等等發生非吾人樂見的強度變化。原則上，可藉由 將額外校正資訊併入至沿資料路徑所發送的所要之劑量資 料而考慮到此等變化。儘管可能有效的用於移除強度變 化，但此種方法可能導致能夠處理之資料路徑内部動態強 度範圍的不良增加。此可導致成本的增加。 在—實例中’反圖案化元件資料調處元件514經調適以至 少部分地校正強度不均一性。舉例而言，校正量測可用於 為元件518建立新的檢查表，該檢查表不僅考慮到圖案化元 件104/204之特性，且考慮到對強度不均一性起作用之因 素。此等校正量測可在全裝配機器（意即，所有影響強度因 素均為活性的）中執行。舉例而言，系統可配備有一或多個 劑量感應器’均用以量測源強度及光點強度。兩個量之比 率與強度不均一性有關。此外，光點感應器可包括於基板 層級上，其可量測光點對準位置。替代地或另外地，可利 用基板底座技術’其在於印入圖案（或個別光點）並隨後利用 離線加工而獲得強度不均一性特點。一旦建立不均一性特 點便可利用標準内插方案來計算新的檢查表數值。 作為調整兀件518中之檢查表數值的替代方式，可藉由調 處倍增器516之特性而實施強度不均一性校正。舉例而言， 增益（或此等增益）可經改變以顧及不均一性影響。 在資料路徑中之此後-級中校正強度不均-性減小對在 資料路徑中的前級中增加之帶寬/動態範圍的要求。此實例 亦可幫助減小捨入誤差β 108813-990503.doc -54· 1327682 避免執行全黑或全白數值之計算 在一實例中，諸如反光學元件512所執行的彼等演算法之 影像處理演算法執行矩陣乘法。用於執行此等乘法之硬體 經特別修整以適合於待執行的計算類型，所以其經最佳化 以達成每秒最佳心的MAC(乘法累計）。所述之硬體泮可 為或更通用的CPU)包含具有一可建立自經特別建構以 執灯mac運算之乘法單元的乘法區之_或多個Fp叫場可 喊化閘極陣列）。因為待處理之影像的詳細情況並未預先 仔知。硬體通常設計為能夠處理界定影像之柵格位置之每 -者上的非零值。此需要大量的MAc且因此便為較貴的硬 體。 f諸如反光學元件512之微影應用中，在所要之劑量圖案 向量附大多數項對應於特徵之缺乏或存在而將為〇或 1，或在利用灰度色調成像的情況下，將為〇與15。此等之 MAC運算可為相對簡單的（例如，並不執行真實的乘法卜 在—實例中，MAC輸出零或乘法係數，其可移位大量的位 置至左邊且在最不顯著側上填補有零。在影像中僅元件部 二之邊緣區域由灰度值组成，對於此等灰度值而言執行真 貫的乘法。黑色及白色區域可廿：!?：4|丨0：>_^| 巴匕域了並不利用乘法單元所提供的 全功能性。 在一實例中，在乘法級之前將專用預處理器提供於PM 中’其能夠識別並掌控所要之劑量映射中之黑色及白色區 域。乘法區利用主要由所要之劑量映射中之灰色區域组成 的經減小之輸入，其可不利用乘法單元之全功能性。此配 108813^990503.doc -55- 1327682 置允許每秒MAC的數目（且因此成本）大量地減小，而並不 對影像處理效能產生顯著的負面影響。 圖15描述根據本發明之一實施例的具有減小計算負載之 預處理器15〇0的乘法級。如上文所述’預處理器15 00可形 成為FPGA之組成部分。 鬼影光抑制 在一實例中，可產生鬼影光，其為設法達到基板 114/2 14/3 14之非吾人樂見的或雜散光。此可例如經由系統 光學裝置中之内部反射及/或經由相鄰ml A光點之間的串 擾而引起。微影裝置之光學部件通常經設計以盡可能地避 免此現象但全部移除卻是極其困難。 在一實例中，利用所要之劑量圖案與光點曝光陣列之直 接最小平方擬合，便可藉由將項併入至點擴散函數矩陣岡+ 而校正鬼衫光。在相鄰光點曝光可相干成像的情況下，則 可旎在較南水準上校正雜散光。在相鄰光點曝光係在不同 時間曝露的情況下’可能達成較低水準的校正。此方法並 不利用矩陣[Κ]+中之額外非零項，其導致資料路徑中之額 卜乘法累。十。此可導致稍向的成本，但此一方面可藉由潛 在較高品質影像而抵消或另—方面藉由減少光學系統設計 之成本而抵消(因為若龙影光可補償的話則需要較低的費 用專用於避免鬼影光抑制）。 結束語
…、'上文已描述本發明之多種實施例，但應瞭解其僅 例的方式而U以限制的方式呈現的。對於熟習此項 108813-990503.doc • 56 · 1327682 術者而言料楚地看料在殘離本㈣之料及範嘴的 情況下於其中作出多種形式及細節上的變化。因此，本發 明之廣度及㈣不應受到上述之例示性實施例之任—者的 限制，但應僅根據下述之中請專利範圍及其等效物而界定。 應瞭解實施方式部分而不是發明内容及發明摘要部分係 意在用於解釋申請專利範圍的。發明内容及發明摘要部分 如發明者所期望的可闡述本發明之—或多個但並非所有例 示性實施例，且因此並非意在以任何方式限制本發明及附 加之申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 圖1描述根據本發明之一實施例之微影裝置。 圖2描述根據本發明之一實施例的可用於例如平板顯示 器之製造中的微影裝置。 圖3描述根據本發明之一實施例的利用微影裝置將圖案 轉印至基板的模式。 圖4描述根據本發明之一實施例之將圖案曝露於基板上 例如用以製造平板顯示器的光學引擎之配置。 圖5描述根據本發明之一實施例之具有資料調處元件之 資料路徑。 圖6描述根據本發明之一實施例之正方形光點曝光柵格 之一部分及”最差情況”位置。 圖7描述根據本發明之一實施例之六邊形光點曝光柵格 之一部分及"最差情況"位置。 圖8描述根據本發明之一實施例的具有"最差情況"線及" 108813-990503.doc • 57· 1327682 取佳情況"位置之正方形光點曝光柵格之一部分。 圖9描述根據本發明之一實施例的具有"最差情况，，位 及"最佳情況'，位置之六邊形光點曝光柵格之一部分。 圖10描述根據本發明之實施例的六邊形光點曝光柵格之 為何形狀及展示根據本發明之實施例之，，中間情況"位置 圖11描述根據本發明之一實施例之低通及銳化組合漁 器。 α 圖12描述根據本發明之一實施例之影像對數斜率濾波 器。 … 圖13描述根據本發明之一實施例之CD偏差濾波器。 圖14描述根據本發明之一實施例的適合於經由資料路徑 之即時焦點校正之裝置。 圖15描述根據本發明之一實施例的具有減小計算負載之 預處理器的乘法級。 在此將參看所附諸圖描述本發明》在圖中，類似的參考 數字可指示相同的或功能上相似的部件。 【主要元件符號說明】 100 微影投影裝置 102 輻射系統 104 ' 204 可個別控制部件陣列 106 、 206 物件台（基板台） 108 、 208 投影系統 110、210 輻射光束 112 、 212 輻射源 108813-990503.doc .58- 1327682 114 、 214 、 314 116 118 120 122
124 ' 224 128 130 132 134 136 138 140 200 226 250 ' 252 ' 256、260 254 258 262 > 468 362 364 366 、 470 、 472 414 500 基板 定位元件 導向元件 目標部分 光束 照明器（照明系統） 調整元件 部件（積光器、光點產生器） 部件（聚光器） 干涉量測元件 底板 干涉光束 光束分光器 微影裝置 調節元件 透鏡 孔徑光闌 透鏡陣列 輻射光點陣列 黑圓圈（光點曝光） 開放圓圈（光點曝光） 列 平板顯示基板 貧料調處元件 108813-990503.doc 59- 1327682 502 校正資料储存元件 504 輸入元件 506 掃描場解析器元件 508 低通慮波器 510 資料路徑 512 "反光學”資料調處元件 514 "反圖案化元件"資料調處元件 516 倍增器 518 檢查表元件 1102 低通遽波器 1104 銳化遽波器 1202 影像對數斜率濾波器 1302 CD偏差濾波器 1402 焦點控制元件 1404 投影系統位置及/或傾斜控制器 1406 基板台位置及/或傾斜控制器 1408 輻射偵測器 1410 輻射源 1412 、 1414 資料路徑 1416 資料路徑焦點控制元件 1500 預處理器 108813-990503.doc -60-

Claims (1)

1327682 十、申請專利範圍： L 一種微影裝置，其包含·· 才又衫系統，其將一輻射光束投射至一基板上作為一 輻射子光束陣列；
—一圖案化元件，其調變該等輻射子光束以在該基板」 實質上產生一所要之劑量圓案，該劑量圖案係建立自一 光點曝光陣列，其中該等光點曝光之至少相鄰者係相到 於彼此非相干成像的且該等光點曝光之每一者係藉由該 等輻射子光束之一者在特定時間上產生的； 一低通遽波器，其操作得自該所要之劑量圖案的圖案 貧料以形成主要包含僅低於一選定之臨限頻率之空間頻 率成分的一限幅頻率目標劑量圖案；及 -資料調處元件，其產生包含待由該圖案化元件而產 生的光點曝光強度之-控制訊號，該控制訊號係基於將 該等光點曝光強度對該限幅頻率目標劑量㈣之 代數最小平方擬合而產生的。 2.如請求们之微影裝置，其t該臨限頻率經選擇以使得在 該基板上之一點處所接收之一劑量與該點處所要之劑量 之間的異係獨立於相對於與該曝光光點陣列相二繫 之柵格位置的該點之一位置的。 如請求们之微影裝置，其中該臨限頻率大體上等於 其中P為一光點曝光間距。 (如請求们之微影裝置，其中該光點曝光陣列具有—矩形 108813-990503.doc 1327682 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 形態。 如請求項1之微影裝置，其中該臨 4 巴限頻率大體上等於 4π/3ρ ’其中p為一光點曝光間距。 如，求項5之微歸置’其中該光料光陣料—六 形恕或—準六邊形形態之一者。 :請求項i之微影裝置，其中該遽波器具有一大體上與該 、'點曝光陣列之振幅頻率回應相等的振幅頻率回應。 如請求項1之微影裝置，其進一步包含： 心 叙化遽波器’其銳化待形成之一目標產品特徵。 :請求項8之微影裝置，其中該銳化濾波器定義為具有一 空間傅襄葉（F〇Urier)變換之一數學函數㈣，= 如下： /、疋我 |ΐ/Η(®)|#ω <«M 、|1沿(6?=%)|當似>似〜 為1標產品…一傅裏葉變換 J ，ωΜ為一選定之臨限空間頻率，而、及、為 別對應於位於該基板之一平面中的垂直軸線X蛊y之1 頻率成分。 月求項9之微影装置，其中ωΜ= π/ρ且p為該光點曝光 列之一間距。 如:求項8之微影裴置，其中將該銳化濾波器之一應用 傅裏葉域中定義為如下之乘法：己…“的 〜化“㈠未經過“， '、D未經過*的為得自該所要之劑量圖案的該圖案賓 F, 銳化迹波器 108S13.990503.d〇( 1327682 之一傅襄葉域表示，？低dA s為該低通濾波器之—傅裏葉 域表不，？銳a波s為該銳化濾波器之一傅立葉域表示，而 D經& 4博的為在該銳化濾波器及該低通濾波器濾波之後得 自該所要之劑量圖案的圖案資料之—傅裏葉域表示。 12. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含： 一影像對數斜率濾波器，其控制待形成於該基板上的 圖案之—影像對數斜率。 13. 如請求項12之微影裝置，其中將該影像對數斜率濾波器 在空間域中定義為如下之數學函數： r斜率 y —民斜串 〇 當 >/x2 + y2 >R斜串 其中X及y為相對於位於該基板之一平面中之軸線而定 義的位置座標’而R"為可用於控制該影像對數 可變控制參數。 ， U.如明求項12之微影裝置，其中將該影像對數斜率渡波器 之一應用在該傅裏葉域中定義為如下之乘法：^ 〜D經……F斜率…低通…6未經過渡的 其中δ“…為得自該所要之劑 之一傅寘签a主_〜 口木刃这圖案貢料 ㈣域表不，F ““ s為該低通濾波器之— 不’ …為該影像對數斜率較器之—傅:域 :不:。而〜…“為在藉由該對數斜率渡波器及該低甬 濾波盗進行濾波之後得自 * ^ 所要之劑量圖案的圖案資料 I08813-990503.doc 1327682 之一傅裏葉域表示。 15·如請求項丨之微影裝置，其進一步包含： 一組合渡波器’其操作得自該所要之劑量圖案之該圖 案資料以控制待形成於該基板上的圖案之一影像對數斜 率並銳化得自該所要之劑量圖案之該圖案資料的—目標 產品特徵。 16.如明求項15之微影裝置，其中將該組合濾波 該傅裏葉域中定義為如下之乘法： ^ 迷波《5 F组合波波8 D未經過遲的= 斜率滅波3* 1?親化渡波器.f低通在波β未經過渡的 其中δ未經**的為得自該所要之劑量圖案的該圖案資料 裏葉域表示，波3為該低通滤波器之一傅裏葉 戍表不，波波s為一銳化濾波器之一傅裏葉域表示， h M A s為—影像對數斜率濾波器之一傅立葉域表示，
17. —種微影裝置，其包含 ’其包含： 一投影系統， 射子光束陣列； 其t射一轄射光束至一基板上作為一輕 一圖案化元件， 實質上產生— 牛’其調變該等輻射子光束以在該基板上 所要之劑量圖案，該劑量圖案係建立自一 108813-990503.doc -4- 1327682 光點曝光陣列’其中該等光點曝光之至少相鄰者係 於彼此非相干成像的且該等光點曝光之每一者係藉由該 等輻射子光束之一者在特定時間上產生的； 该 —資料調處元件，其產生包含待由該圖案化元件而產 生的光點曝光強度之—控制訊號，該控制訊號係基於將 光點曝光強度對來自該所要之劑量圖案之資料之—直接 代數最小平方擬合而產生的，其中藉由將一擬反轉 (pSeUdo-inverted)形式的點擴散函數矩陣與—表示得自該 所要之劑量圖案之圖像資料的一行向量相乘而執行該最 小平方擬合’該點擴散函數矩陣包含有關於待藉由該等 輻射子光束之一者在一特定時間上曝光於該基板上之每 一光點的該點擴散函數之—形狀及相對位置的資訊；及 〇低通濾波态，其移除高於一選定之臨限頻率的一訊 號之空間頻率成分，該低通m藉由如下之運算而離 線地併人至準備進行該最小平方擬合的該擬反轉形式的 該點擴散函數矩陣中： [K]+經過㈣低通《*S®[K] + 其中[K]+及[κ]、過“分別表示遽波之前及之後的該點 擴散函數矩陣的該擬反轉形式， /、中低U “表示在—空間域中該低通濾波器之一數 學定義。 18. 如請求項17之微影裝置 ’其進一步包含： 一銳化渡波器 其銳化待形成之一目標產品特徵，該 108813-990503.doc -5. 1327682 銳化濾波器在一空間域中藉由數學函數F銳化速波g而定 義’其中將該銳化濾波器及該低通濾波器離線地併入至 該擬反轉形式的該點擴散函數矩陣[K]+中以經由如下之 運算而形成一經過濾的點擴散函數矩陣過s的： [K]經過“ =F组合速波s®[K] + =; (1?低通述波s0F銳化法“冷[κ] + 其中F組"波器表示在空間域中該低通濾波器與該銳化 遽波器之組合行為之一數學定義。 19. 如請求項17之微影裝置，其進—步包含： 一衫冢對數斜率滤波g ’其控制待形成於該基板上的 圖案之-影像對數斜率，該影像對數斜率濾波器在該空 門域中藉由數學函數F斜"“而定義，其中將該影像對數 斜率遽'波器及該低通據波器離線地併人至該點擴散函數 矩陣[吖中以經由如下之運算而形成—經濾波之點擴散 函數矩陣[K] +經過速的： [Κ] +經過渡的=F組合咖叫κ]+= (?低繼卿侧波器)哪广 、皮器之έ f表不在空間域中該低通濾波器與該銳化濾 波盗之組合行為之—數學定義。 20. 如請求項17之微影裝置，其進-步包含： 一銳化濾波器，1岛 銳化渡波n在-空間域=形成之—目標產品特徵，該 影像對數斜率濾波。/曰由數學函數〜_8而定義，- 上的圖案之—影像2其經調適以控制待形成於該基板 該空間域巾h & 斜# 像對數斜錢波器在 |』a r稭由教昼 ㈡ ㈣*波3而定義，其中將該銳化濾 108813-990503.doc 1327682 波器°亥景y像對數斜率濾波器及該低通濾波器離線地併 入至該點擴散函數矩陣[κ]+中以經由如下之運算而形成 一經渡波之點擴散函數矩陣[κ]+㈣“： [Κ]Fi^s<S)[K]+= (F 低繼 3®F⑽獅 <S)F 刪抑)⑧[Κ] + 其中表示在空間域中該低通濾波器、該銳化濾 波盜及該影冑對數_率濾〉皮器之組合行為之一數學定 義。 21· —種微影裝置，其包含： 技影系統，其投射一輻射光束至一基板上作為一輻 射子光束陣列； 可個別控制部件陣列，其調變該等輻射子光束以在 該基板上實質上形成—所要之劑量圖案，該所要之劑量 圖案係隨時間之推移建立自—光點曝光陣列的，該等光 點曝光之每一者均係藉由該等輻射子光束之一者在一特 定時間上產生的； 一掃描場解析器元件，其將界定該所要之劑量圖案的 資料轉換至表示該圖案中一對應系列點上之該所要之劑 量的一系列資料； β 一資料調處元件，其接收該系列資料並由此產生—控 制訊號，該控制訊號係用於控制該可個別控制部件陣 列；及 一焦點判定單元，其量.測柑對於一最隹焦點平面的該 基板之至少一部分之一位置，其中該資料調處元件包含 • Ί · 1088I3-990503.doc 1327682 一焦點補償單元，其基於相對於該最佳焦點平面的該基 板之該至少一部分之量測偏差而改變該控制訊號。 22. 23. 24. 25. 26. 如請求項21之微影裝置，其中該焦點判定單元包含： 至少一個超音波傳感器及接收器，其硬式連接至該投 影系統，且其在一或多點上.藉由量測經反射之超音波的 傳播時間而量測該基板表面之相對於該投影系統之位 置。 一種微影裝置，其包含： 一圖案化元件，其調變一輻射光束； 一投影系統，其將該經調變之輻射光束投射至一基板 上；及 一CD(臨界尺寸）偏差濾波器，其操作得自一所要之劑 ϊ圖案的待傳輸至該圖案化元件之圖案資料，該CD偏差 濾波器控制該圖案化元件所產生之一輻射劑量圖案的臨 界尺寸特徵。 如請求項23之微影裝置，其中該(：1)偏差濾波器調整該劑 量圖案之至少一部分之放大率，而不調整該部分之相對 於該劑量圖案之其他部分的位置。 如請求項23之微影裝置，其中該01)偏差濾波器獨立地調 整該劑量圖案之多個區域之臨界尺寸。 如請求項23之微影裝置’其中該CD偏差濾波器調整與該 劑量圖案之一平面中之一第一軸線平行的—臨界尺寸， 此係獨立於與該劑量圖案之該平面中之一第二非平行轴 108813-990503.doc 1327682 線平行的臨界尺寸的。 27. —種微影裝置，其包含； 一照明系統，其調節一輻射光束； 一技〜系統，其將該輻射光束投射至該基板上作為一 輕射子光束陣列； 杏=圖案化元件’其調變該等輻射子光束以在該基板上 二貝上產生一所要之劑量®案，該劑量圖案係建立自一 • 光點曝光陣列的’該等光點曝光之每-者均係藉由該等 輻射子光束之-者在_特定時間上產生的其中一特定 • 輻射子光束之輻射強度係根據該圖案化元件之一對應部 分之一活化狀態而控制；及 ' 資料調處元件，其將包含得自該所要之劑量圖案的 光點曝光輻射劑量之一訊號變換至表示該圖案化元件之 活化狀態之一控制訊號以產生該所要之劑量圖案，其中 該變換校正藉由該投影系統之組件、該照明系統之組 • 件、該照明系統之輻射源及該圖案化元件之組件的至少 一者所引起的強度:變化。 28.如請求項27之微影裝置，其中該資料調處元件包含： 一儲存一檢查表之記憶體元件，該資料調處元件存取 該檢查表以自該圖案化元件之一特定部分的一活化狀態 轉換至一對應控制電壓，以產生彼部分之該活化狀態， 其中藉由改變該檢查表中之數值之至少一個子集而執行 該變換。 108813-990503.doc -9- 1327682 29. 如凊求項27之微影裝置，其中該資料調處元件包含： 倍增器，其將待由該圖案化元件之一特定部分產生 的一光點曝光輻射劑量轉換至彼部分之一活化狀態，其 中藉由改變該倍增器之增益特點而執行該變換。 30. 一種元件製造方法，其包含： 將一輻射光束投射至一基板上作為一輻射子光束陣 列； 調變該等輻射子光束以在該基板上實質上產生一所要 之劑量圖案，該劑量圖案係建立自一光點曝光陣列的， 其中該等光點曝光之至少相鄰者係相對於彼此非相干成 像的且該等光點曝光之每一者係藉由該等輻射子光束之 一者在一特定時間上產生的； 過濾得自該所要之劑量圖案之圖案資料以形成一限幅 頻率目標劑量圖案，該目標劑量圖案僅包含低於一選定 之Ba限頻率之空間頻率成分；及 產生包含待由该調變而產生之光點曝光強度的一控制 訊號，此係基於將該等光點曝光強度對該限幅頻率目標 劑量圖案之一直接代數最小平方擬合。 "" 31. 一種元件製造方法，其包含： 將一輻射光束投射至一基板上作為一輻射子光束陣 列； 調變該等輻射子光束以在該基板上實質上產生—所要 之劑量圖案’該劑量圖案係建立自一光點曝光陣列，其 108813-990503-doc •10· 1327682 中該等光點曝光之至少才目鄰者係相冑於彼此非相干成像 的且該等光點曝光之每一者係藉由該等輻射子光束之一 者在一特定時間上產生的；
產生包含待由該調變而產生之光點曝光強度的—控制 訊號’此絲於將該等光點曝光強度對得自該所要之劑 量圖案的資料之-直接代數最小平方擬合，其中藉由將 -擬反轉形式的一點擴散函數矩陣與表示得自該所要之 劑量圖案之圖案資料的—行向量相乘而執行該最小平方 擬合’該點擴散函數矩陣包含關於待由該等輻射子光束 之-者在-給定時間在該基板上曝光的每一光點之點擴 散函數之形狀及相對位置的資訊；及 過濾、以移除高於一選定之臨限頻率的一訊號之空間步 率成分，該過據藉由如下之運算而離線地併入準備進个 最小平方擬合的該點擴散函數矩陣的該擬反轉形式中·· [κ]+經…低通…Θ[κ]+
其中[Κ]及[κ] +經過*的分別矣；·產.办> 竹 刀乃J表不濾波之舸及之後的該黑 擴散函數矩陣的該擬反轉形式， " 、 且/、甲t低通速波3表示在 間域中該濾波之一數學定義。 = 32. —種元件製造方法，其包含： 將一輻射光束投射至一 列； 基板上作為一 輻射子光束陣 調變該等輻射子光束以在竽其 所 你这基板上貫質上形成一所 之劑量圖案，該所要之劑番国电及丨* 士 里圖案係隨時間之推移建立 1088!3-990503.d〇( -11 - 1327682 -光點曝光陣列’光點曝光之每一者均係藉由該等輻射 子光束之一者在一給定時間上產生的； 將界定該所要之劑量圖案的資料轉換為表示在該圖案 中之一對應系列點上的所要之劑量的一系列資料； 自該系列資料產生—控制訊號用於控制該調變： 量測相對於一最佳焦點平面的該基板之至少-部分之 位置；及 2於相S於該最佳焦點平面的該基板之該纟少一部分 之量測偏差而修正該控制訊號。 33. —種元件製造方法，其包含： 調變一輻射光束； 將該經調變之輻射光束投射至一基板上；及 CD偏差過濾得自—所要之劑量圖案用於執行該調變之 圖案負料，以控制藉由号：占二玄 k割精由該調.憂所產生的一輻射劑量圖案 之臨界尺寸特徵。 〃 34. —種元件製造方法，其包含·· 調節一輻射光束； 列將該輻射光束投射至該基板上料一輻射子光束陣 調變該等輻射子光束以在該基板上實質上產生_所要 ，劑量圖案’該劑量圖案係建立自—光點曝光陣列，該 等光點曝光之每-者均係藉由該等輻射子光束之—者在 一特定時間上產生的； 108813-990503.doc ^27682 根據執行該調變之一圖案化元件 ㈣該等輻射子光束特定之-者==.活 一將，：得自該所要之劑量圖案之光點曝光輕射劑；的 /號茭換至表示該圖案化元件之活化狀態的—控制訊 號以實質上產生該所要之劑量圖案，·及 修正該變換步驟以校正藉由該投影系統之組件、該照 明系統之組件、該照明系統之輻射源及該圖案化元件之 組件的至少一者所引起的強度變化。
108813-990503.doc 13-
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