TWI326467B

TWI326467B - Method for quartz photomask plasma etching

Info

Publication number: TWI326467B
Application number: TW095100528A
Authority: TW
Inventors: Scott Alan Anderson; Ajay Kumar
Original assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2005-01-08
Filing date: 2006-01-05
Publication date: 2010-06-21
Also published as: US20060154151A1; KR20060081379A; JP2006243712A; US7879510B2; KR101095694B1; KR20080089315A; KR100886514B1; TW200629405A; EP1679741A1

Description

1326467 玖、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明之實施例大體來說係有關於一種電漿蝕刻石之方法，更明確地說，係有關於一種用於蝕刻石英光罩方法。【先前技術】在積體電路（1C)，或晶片，之製造中，代表晶片不層之圖案係由晶片設計者設計出。一系列的可重複使用幕，或光罩，係從這些圖案創造出，以在生產製程期間每一個晶片層之設計轉移至一半導體基材上。罩幕圖案生系統使用精確的雷射或電子束來將晶片每一層的設計映至各自的罩幕上。然後以非常類似照相負片的方式使該等罩幕，以將每一層電路圖轉移至一半導體基材上。些層係利用一連串製程建構出，並且轉移至含有每一個整晶片之極小電晶體和電路中。因此，罩幕之任何缺陷可能會轉移至該晶片，潛在性地對效能產生不良影響。夠嚴重的缺陷可能使罩幕完全無用。一般來說，使用一 1 5至3 0個的罩幕來建構晶片，並且可以重複使用。罩幕通常是具有一層鉻在一側上之玻璃或石英基材罩幕也可含有一層摻雜鉬（Mo)之氮化矽（SiN)。鉻層係經蓋以一反反射塗層以及一感光性光阻劑。在圖案化製程間，電路設計係藉由將一部分的光阻劑暴露在紫外光中使暴露出的部分可以在顯影劑中溶解來寫入該罩幕上。英之同罩將產反用這完皆足組覆期 j 献 < *»、 5 1326467

後除去光阻劑之可溶解部分，使暴露出之下方的蝕刻。蝕刻製程從罩幕上光阻劑被除去的位置處反反射層，也就是說，暴露出之鉻被除去。另一種用來圖案化之罩幕稱為石英相位移罩相位移罩幕與上述罩幕類似，除了透過該圖案化出之石英區域之間隔之相鄰區域係經蝕刻至約等製造期間將該電路圖案轉移至基材之光波長的度。因此，當光線透過該石英相位移罩幕顯現出置在該基材上之光阻劑時，透過罩幕中之一開口光阻劑上之光線相對於通過鄰接開口之光線呈現反相。因此，可能在罩幕開口邊緣散射之光線被口邊緣散射之1 8 0度光線抵消，導致光線在光阻區域中有更緊密的分佈。光線之更緊密分佈促進關鍵尺寸之特徵的寫入。同樣地，無鉻蝕刻微影也使用通過兩個罩幕之石英部分之光線之相位移映像該光阻劑，因此改善用來顯影該光阻劑圖案佈。在一蝕刻製程中，稱為乾式蝕刻、反應性離或電漿蝕刻，使用電漿來輔助化學反應以及蝕刻罩幕之石英區域。不預期的，習知石英蝕刻製程具有不同關鍵尺寸之特徵間產生反應性離子蝕刻 lag)。例如，大寬度特徵之水平和垂直蝕刻速率特徵之水平和垂直蝕刻速率不同。習知石英蝕刻他屬性，例如蝕刻在該石英層中之溝槽之側壁角鉻可以被除去絡和幕。石英鉻層暴露於用來在一半之深以暴露配照射在該 180度的在鄰接開劑之預定具有較小用之罩幕，以依序之光線分子姓刻、暴露出之通常會在延遲（RIE 與小寬度製程之其度及微溝 6 1326467 槽化（microtrenching)，在關鍵尺寸小於約5微米之罩幕上並沒有可接受的成果。這導致罩幕之蝕刻特徵之不一致並且相當程度地降低利用該罩幕生產具有小關鍵尺寸之特徵之能力。隨著罩幕之關鍵尺寸持續縮小，蝕刻均勻度之重要性隨之增加。因此，高度期望具有高蝕刻均勻度和低蝕刻延遲之石英蝕刻製程。因此，存在有對於改善之石英蝕刻製程之需要。

【發明内容】

本發明大體來說提供一種用於蝕刻石英之方法。在一實施例中，一種姓刻石英之方法包含在一银刻反應室中提供一薄膜堆疊，該薄膜堆疊具有一石英層，其透過一圖案化層部分暴露，提供至少一種氟碳製程氣體至一製程反應室中，以複數個低於600瓦之功率脈衝偏壓配置在該製程反應室中之一基材支撐上之石英層，並透過一圖案化光罩來蝕刻石英層。在本發明之另一觀點中，提供一種形成光罩之方法。在一實施例中，該方法包含圖案化一石英層上之罩幕層，利用一蝕刻製程蝕刻透過該罩幕層暴露出之石英部分至一深度，在預定深度處終止蝕刻該石英層，以及除去該罩幕層，其中該蝕刻製程包含提供至少一種氟碳製程氣體至一製程反應室中，以及以複數個低於600瓦之功率脈衝偏壓配置在該製程反應室中之一基材支撐上之石英層。 7 1326467 【實施方式】

第1圖描繪一蝕刻反應器10 0之一實施例之簡要圖式，其中可實施本發明之石英蝕刻方法。適於與在此揭示之技術併用之反應器包含，例如，去耦合電漿源（DPS®) Π 反應器，或是Tetra I和Tetra Π光罩蝕刻系統，所有這些皆可從加州聖塔克拉拉之應用材料公司取得。DP S® Π反應器也可用來做為Centura®整合式半導體晶圓製程系統之製程模組，也可從應用材料公司取得。在此所示之反應器 1 00之特定實施例僅提供做為例示用，且不應用來限制本發明之範圍。

反應器100 —般含有一製程反應室102，其具有一基材座124在一導電主體（壁）104内，以及一控制器146。該反應室102具有一基本上平坦之介電頂板108。反應室102 之其他變異可具有其他類型的頂板，例如，圓頂狀頂板。一天線110係經配置在該頂板108上。該天線110包含一或多個感應線圈組件，其可被選擇性地控制（第1圖示出兩個同軸組件11 0a和1 1 Ob)。該天線1 1 0係透過一第一匹配網路11 4連接至一電漿功率來源1 1 2。該電漿功率來源1 1 2 一般能夠在從約50千赫茲至約13.56百萬赫茲範圍内之可調頻率下產生高至約3 000瓦（W)的功率。在一實施例中，該電漿功率來源112提供約300至約600瓦之感應耦合RF 功率。該基材座（陰極）124係透過一第二匹配網路142連接 8 偏壓功率來源1 40。該偏壓來源i 4〇在範圍約i 〇千赫之可調脈衝頻率下提供介於約〇至約6〇〇

率 J 。該偏壓來源140產生脈衝rf功率輸出。或者，源14 0可產生脈衝直流功率輸出。預期到該來渴走*可提供固定功率輸出》在一實施例中，該偏壓來源14〇係經配置以在介 1至約1〇千赫間之頻率下提供低於約600瓦之RF功边具有介於約1〇至約95%的工作週期（duty eycle)。〜實施例中，該偏壓來源14〇係經配置以提供介於< 至約150瓦之功率，在介於約2至約5千赫間之具有介於約8 0至約9 5 %的工作週期。貫施例中，如在D P S Π反應器中，該基材 124可包含_靜電夾盤16〇<>該靜電夾盤16〇含有至鉗電極1 32 ’並且係由一夹盤電源供應器丨66控制實把例中’該基材座124可含有基材留置機構，圓承座失環、機械夾盤、以及諸如此類者。配氣盤120與該製程反應室1〇2連接，以提及/或其他氣體至該製程反應室1〇2内部。繪之實施例中，，該配氣盤120與一或多個形成在該 1 〇2之側壁内之通道Π8中之進氣營116連接到該—或多個户該製程反應〜氣管116可提供在其他位置上。例在.、至1 02之頂板1 08内。 ,,,知例中，該配氣盤1 2 0係適於經由嗜算 116挺供氟化之.•由μ等 <製程氣體進入該製程反應室1〇2内至約之功該偏 140 於約率，在另 )20 下，撐座一夾在另如晶製程所描應室預期，在氣管。在 1326467

製程期間，電漿係從該製程氣體形成，並透過感應耦自該電漿功率來源112之功率來維持。或者該電漿可端形成或利用其他方法點燃。在一實施例中，該配氣盤供應之製程氣體至少包含三氟甲烷及/或四氟甲烷。氟化氣體可包含氟化二碳（C2F)、六氟化四碳（C4F6)、化三碳（C3F8)和八氟化五碳（C5F8)之一或多個。該反應室1 0 2内之壓力係利用節流閥1 6 2以及真浦164控制。該真空幫浦164和節流閥162能夠將反壓力維持在約1至約2 0毫托耳範圍内。該側壁1 04之溫度可利用穿過該側壁1 04之含液導管（未示出）來控制。側壁溫度通常維持在約6 5 °C。來說，反應室側壁1 0 4係由金屬形成（例如鋁、不鏽鋼及諸如此類者，並且連接至一電氣接地 106。該製程室10 2也包含製程控制、内部診斷、終點偵測、以及此類之習知系統。此類系統集合顯示為支持系統1 5 4 c 使用一標線片接合器1 82來將基材（例如標線片他工作件）122固定在該基材支撐座124上。該標線片器182 —般包含一下半部份184，其係經研磨以覆蓋樓座 124之上表面（例如，該靜電夾盤 160)，以及一部份 1 86，其具有按尺寸訂製並經塑形以抓持該基材之開口 1 8 8。一般來說，該開口 1 8 8基本上係位於該座1 24中央。該接合器1 82通常係由單一件耐蝕刻、溫之材料形成，例如聚亞醯胺陶瓷或石英。一適合之片接合器在20 01年6月26號核准之美國專利第6,251 合來在遠 120 其他八氟空幫應室體之一般、以反應諸如或其接合該支上半 122 支撐耐南標線 10 ,217 1326467 號中揭示，並在此藉由引用的方式併入本文中。一邊緣環 120可覆蓋及/或固定該接合器ι82在該支撐座ι24上。使用一舉升機構138來降低或升高該接合器182，因而該基材122，至該基材支撐座124上或從其上移開。一般來說，該舉升機構138含有複數個舉升捎（示出一個舉升梢1 3 0) ’其行進通過各自之導引孔1 3 6。操作時’該基材1 22之溫度係藉由穩定該基材座1 24 之溫度來控制。在—實施例中，該基材支撐座丨24含有一加熱器144以及一選擇性的加熱槽ι28。該加熱器144可以疋經配置以在其中流通熱傳輸流體之一或多個流體導管。在另一實施例中，該加熱器丨44可包含至少一個加熱組件1 3 4 ’其係由一加熱器電源供應器i 6 8來調節。選擇性地’透過一氣體導管！ 5 8從一氣體來源〗5 6提供一背側氣體（例如氦氣（He))至形成在該支撐座表面内該基材122 下方之通道。該背側氣體係用來促進該支撐座丨24和該基材間之熱傳輸。在製程期間，該支撐座1 24可由嵌入式加熱器144加熱至一穩定態溫度，其與該氦氣背側氣體聯合’促進該基材之均勻加熱。該控制器146含有中央處理單元（CPU)1 50、記憶艎 148 '以及CPU 150用之支持電路152，並促進該製程反應室1 02之零組件之控制，因之該蝕刻製程之控制，如在下方進一步詳細討論者。該控制器146可以是任何類型的通用電腦處理器之一，其可用來控制各種反應室及子處理器之工業設定。CPU 1 50之記憶體丨48可以是一或多種能輕 11 1326467

易取得之記憶體，例如隨機存取記憶體（RAM)、唯體（ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他類型之數位儲位或遠端的。該等支持電路152與CPU 150連接以知方式支持該處理器。這些電路包含快取、電源供脈電路、輸入/輸出電路及子系統，以及諸如此類發明方法一般儲存在記憶體148或可由CPU 150存體常式之其他電腦可讀媒介中。或者，此種軟體常由一第二 CPU(未示出）儲存及/或執行，其位於 CPU 150控制之硬體遙遠處。第2圖係用於蝕刻石英之方法2 0 0之一實施例圖。雖然該方法 200在下面參考用來生產光罩之述，但方法2 0 0也可有利地使用在其他石英蝕刻應方法200，其可儲存在該控制器146之記憶體電腦可讀形式或其他儲存媒介中，在步驟202處將 1 2 2置於支撐座1 2 4上時開始。在一實施例中，該基靜置在該接合器182之開口 188上。第1圖描繪之 1 2 2包含一透光之矽基材料，例如石英（即，二氧化石; 層 192)，其具有一不透明之金屬阻光層，稱為光 190，其在該石英層192表面上形成圖案化之罩幕。可使用分離的罩幕，或者在其他應用中，配置在該 192上之罩幕可由不同材料組成，並且可包含在該或藉由一或多個中間層與該基材分離。典型的適於為光罩層190之金屬包含鉻及/或氮氧化鉻。該基也可包含一層（未示出）介於該石英層192和光罩層言買記憶存，原利用習應、時者。本取為軟式也可距離該之流程基材描用上。 148之該基材 .材 12 2 該基材 ^ > Si02 罩材料預期到石英層基材中用來做材122 190間 12 1326467 之摻雜鉬（Mo)氮化矽（SiN)。在步驟204，經由該進氣口 116將一或多種氟化製程氣體通入該製程反應室102中。例示製程氣體可包含四氟曱烷和三氟曱烷，除了其他的之外。該製程氣體可進一步包含惰性氣體，例如氣氣、氬氣、氣氣、氖氣、和氪氣。

在一實施例中，含絡之基材1 2 2係利用T e t r a I、T e t r a Π或DPS® I[蝕刻模組藉由提供速率為每分鐘2至50標準立方公分（seem)之四氟化碳和速率為2至50 seem之一氟曱烷（CFH3)來進行蝕刻。一特定製程配方提供速率為 9 seem之四氣曱院、速率為26 seem之三氟甲烧。該製程反應室内之壓力控制在低於約 40毫托耳，並且在一實施例中，介於約1和約10毫托耳間，例如2毫托耳。在步驟206，低於約600瓦，並且在一第一實例中，低於約10 0瓦，並且在一第二實例中，介於2 0和約1 5 0 瓦間，之脈衝基材偏壓功率係經施加至該支撐座1 2 4以偏壓該基材1 2 2。一特定製程配方施加約6 5瓦之偏壓功率。

在一實施例中，該偏壓來源1 4 0係經配置以在介於約 1至約10千赫之頻率下提供低於約600瓦之RF功率，並具有介於約1 0至約9 5 %之工作週期。在另一實施例中，該偏壓來源1 4 0係經配置以提供介於約2 0至約1 5 0瓦之功率，在介於約2至約5千赫間之頻率下，並具有介於約20 至約9 5 %的工作週期。

在該石英層含有一層圖案化光阻在其上之實施例中，.該偏壓來源140提供介於約20至約150瓦之脈衝RF 13 1326467 功率，在介於約2至約5千赫間之頻率下，並具有介於約 70至約90 %的工作週期。在該石英層不具有一層圖案化光阻在其上之實施例中，該偏壓來源1 4 0提供介於約2 0至約 150瓦之脈衝RF功率，在介於約2至約5千赫間之頻率下，並具有介於約2 0至約4 0 %的工作週期。

在步驟2 0 8，電漿係藉由從該電漿功率來源1 1 2施加介於約300至約600瓦之RF功率至該天線110從該等製程氣體形成。預期到該電漿可用其它方式點燃。在一實施例中，在約13.56百萬赫茲之頻率下施加約420瓦之RF 功率至該天線11 0。在步驟210，蝕刻該基材122上暴露出之石英層192 直到達到終點為止。該終點可由時間、光學干涉（optical interferometry)或利用其他適合方法判定。石英蝕刻方法2 0 0優於習知蝕刻方法處包含減少蝕刻延遲、微溝槽化和更佳的垂直側壁角度控制，因此使方法 2 00在生產小電路尺寸之蝕刻應用中成為極受歡迎的。

第3 A — G圖描繪出薄膜堆疊3 0 0 i之一實施例，其係利用上述方法200製造成為石英相位移罩幕3 1 8。下標”i” 係表示第 3A— G圊所示之薄膜堆疊之不同製造階段之整數。該薄膜堆疊30(h，在第3A圖中描繪出，包含一石英層302，其具有一光罩層304配製在其上。該光罩層304 一般是鉻或其他適合材料，例如上述者。可在該光罩層304 上沉積選擇性的反反射層 306(以虛線示出）。一第一光阻 14 1326467

層308係經配置在該光罩層304或反反射層306上在時。將該第一光阻層3 0 8圖案化並用來做為蝕刻該 304之蝕刻罩幕，以形成暴露出下方石英層 302 3 1 0，如第3 B圖所描繪者。可利用從含氯氣體（例：或含氟氣體（例如六氟化硫或四氟曱烷）形成之電漿該光罩層304。一例示蝕刻製程在2002年9月4號請之美國專利申請案第1 0/23 5，223號中揭示，其在引用其全文的方式併入本文中。預期到也可使用其之金屬蝕刻製程。在該等特徵310形成在該光罩層之後，將餘下的第一光阻層3 0 8去除，例如，利用在而留下如第3C圖所示之薄膜堆疊3003。如第3 D圖所示，一第二光阻層3 12係經配置膜堆疊3004上，填充該等特徵310。接著圖案化該阻層 312。通常在形成一石英相位移罩幕時，該圖第二光阻層 312暴露出間隔之特徵 310底部處之 3 02，如第3E圖所示般。利用上述方法200來蝕刻透過該圖案化之第二 3 1 2暴露出之石英層3 02。該石英蝕刻之終點係經選第3F圖所示之蝕刻出之石英溝槽316之深度314 欲與該石英相位移光罩318並用之預定之光波長透英層3 02之180度相位移長度。典型的波長是193 奈米。因此，深度314通常約是172或240奈米，可為欲與不同之微影光波長並用之罩幕使用其他深，當存光罩層之特徵 p氯氣）來#刻提出申此藉由他適合 304中化法，在該薄第二光案化之石英層光阻層擇而使約等於過該石和248 雖然也度。在 15 1326467

蝕刻該石英溝槽316後，除去餘下之第二光阻層3 如，利用灰化法，而使餘下之薄膜堆疊3007形成一位移罩幕3 1 8，如第3 G圖所示般。第4A — E圖描繪出薄膜堆疊40〇i之一實施例，用上述方法200製造成為無鉻蝕刻微影罩幕418。係表示第 4 A — E圖所示之薄膜堆疊之不同製造階數。該薄膜堆疊400!，在第4A圖中描繪出，包含層4 02，其具有一罩幕層404配製在其上。該罩幕通常適於利用氟化之電漿化學品選擇性地蝕刻石英在一實施例中係鉻或其他光阻材料。可在該罩幕層沉積選擇性的反反射層 406(以虛線示出）。一光阻係經配置在該罩幕層404或反反射層406上，當存. 將該光阻層4 0 8圖案化並用來做為蝕刻該罩幕之蝕刻罩幕，以形成暴露出下方石英層402之特徵如第3 B圖所描繪者。可如上所述般利用含氣或氟成之電漿來蝕刻該罩幕層404。在該等特徵410形罩幕層404中之後，將餘下的光阻層408去除，例用灰化法，而留下如第4C圖所示之薄膜堆疊4003 地，可讓該光阻層408遺留在該罩幕層404上，並後製程期間之腐蝕及/或去光阻來去除。如第4D圖所示，利用上述方法200來蝕刻透幕層404暴露出之位於該等特徵410底部之石英層該石英蝕刻之終點係經選擇而使第4 D圖所示之蝕 12，例石英相其係利下標” i” 段之整一石英層 404 ，並且 404上層 408 在時。層404 410，氣體形成在該如，利。選擇透過隨過該罩 402 ° 刻出之 16 1326467 石英溝槽416之深度414約等於欲與該無鉻蝕刻微影罩幕 418並用之預定之光波長透過該石英層402之180度相位移長度，例如，深度414係如上參考該罩幕318所述般選擇。

在蝕刻該石英溝槽416後，除去該罩幕層404之餘下部分。例如，可利用選擇性蝕刻來除去該罩幕層404之餘下部分，例如，使用用來圖案化該罩幕層4 0 4之化學品。從該薄膜堆疊4005餘下之石英層402形成如第4E圖所示之無鉻蝕刻微影罩幕4 1 8。因此，已經提供一種用於蝕刻石英之方法，其相對於習知製程有利地改善溝槽特性。因此，在此所述之蝕刻石英之方法有利地促進適於圖案化具有次5微米關鍵尺寸之特徵之相位移光罩之製造。雖然前述係針對本發明之實施例，但本發明之其他及進一步實施例可在不背離其基本範圍下設計出，並且其範圍係由下述申請專利範圍決定。

【圖式簡單說明】因此可以詳細瞭解上述本發明之特徵的方式，即對本發明更明確的描述，簡短地在前面概述過，可以藉由參考實施例來得到，其中某些在附圖中示出。但是需要注意的是，附圖只示出本發明之一般實施例，因此不應被認為係對其範圍之限制，因為本發明可允許其他等效實施例。第1圖係適於蝕刻石英之蝕刻反應器之簡要圖式； 17 1326467 第2圖係一種蝕刻石英之方法之一實施例之流程圖；第 3 A _ G圖係利用本發明之石英蝕刻方法之一實施例製造之石英相位移罩幕之一實施例；以及第4 A — E圖係利用本發明之石英蝕刻方法之一實施例製造之石英相位移罩幕之一實施例。為了促進了解，在可能時使用袓同的元件符號來表示圖式共用之相同元件。

【主要元件符號說明】 100 ik 刻反應器 102 製程反應室 1 04 側壁 106 接地 108 頂板 110、 11 0 a 、 1 1 Ob 天線 112 電漿功率來源 114、 142 匹配網路 116 進氣管 118 通道 120 配氣盤 122 基材 124 基材座 126 邊緣環 128 加熱槽 130 舉升捎 132 夾鉗電極 134 加敎組件 136 導引孔 138 舉升機構 140 偏壓功率來源 144 加熱器 146 控制器 148 記憶體 150 中央處理單元 152 支持電路 154 支持系統 156 氣體來源 158 氣體導管 160 靜電夹盤

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1 62 節流閥 164 真空幫浦 166 夾盤電源供應器 168 加熱器電源 182 接合器 184 接合器下半 186 接合器上半部份 188 開口 190、 304 光罩層 192、 302 ' 402 200 方法 202 放置步驟 204 氣體通入步驟 206 脈衝偏壓步 208 電漿形成步驟 2 10 蝕刻步驟 300、 400 薄膜堆疊 306、 406 反反秦' 308 第一光阻層 3 10、 410 特徵 3 12 第二光阻層 3 14、 414 深度 316、 416 石英溝槽 3 18 相位移罩幕 404 罩幕層 408 光阻層 418 無鉻蝕刻微影罩幕供應器部份石英層驟 ί層

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Claims

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第號專利案”年（月修正拾、申請專利範圍： 1. 一種钱刻石英之方法，其至少包含：在配置於一製程反應室中之一基材支撐上提供一薄膜堆疊，該薄膜堆疊具有一石英層，其中該石英層透過一圖案化層部分暴露；提供至少一種氟碳製程氣體至該製程反應室中；

以複數個低於600瓦之功率脈衝偏壓該石英層，其中該石英層係配置在該製程反應室中之該基材支撐上，偏壓功率係被脈衝化在介於約1至約1 0千赫之頻率，而具有介於約 2 0至約9 5 %之工作週期；以及透過該圖案化層來蝕刻該石英層。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之提供至少一種氟碳製程氣體之步驟至少包含：通入四氟曱烷（CF4)至該製程反應室中。

3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之提供至少一種氟碳製程氣體之步驟至少包含：通入三氟甲烷（CHF3)至該製程反應室中。 4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之提供至少一種氟碳製程氣體之步驟至少包含：通入約 2至約 50 seem之四氟曱烧至該製程反應室 20 1326467

中；以及通入約2至約50 sc cm之三氟甲烷至該製程反應室中。 5.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之圖案化層並非光阻；並且偏壓之步驟至少包含：產生工作週期介於約20至約40%之脈衝功率。

6.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之圖案化層包含光阻；並且偏壓之步驟至少包含：產生工作週期介於約70至約90%之脈衝功率。 7. —種形成一光罩之方法，其至少包含： a) 圖案化一罩幕層，其中該罩幕層係配置在一製程反應室中之基材支撐上之一石英層上；

b) 利用一#刻製程而蚀刻透過該罩幕層暴露出之石英. 部分至一深度，其至少包含：提供至少一種氟碳製程氣體至該製程反應室中；以複數個低於600瓦之功率脈衝偏壓石英層，其中該石英層係配置在該基材支撐上，偏壓功率係被脈衝化在介於約1至約1 0千赫之頻率，而具有介於約2 0至約9 5 %之工作週期；以及維持該製程反應室中之該製程氣體電漿； c) 在一預定蝕刻深度處终止蝕刻該石英層；以及 21 1326467

d)除去該罩幕層。 8.如申請專利範圍第7項所述之方法，其中上述之圖案化一罩幕之步驟至少包含：圖案化該罩幕層上之一光阻層，其中該罩幕層含有鉻；蝕刻該鉻罩幕層以形成穿過其間之開口；以及從該絡罩幕層上除去該光阻層。

9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中上述之提供至少一種氟碳製程氣體之步驟至少包含三氟甲烷（CHF3)、六氟化二碳（C2F6)、八氟化三碳（C3F8)、四氟曱烷（CF4)或八氟化五碳（C5F8)之至少一種。 10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中上述之提供至少一種氟碳製程氣體之步驟至少包含：

通入四氟曱烷和三氟曱烷至該製程反應室中。 11. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中上述之維持該電漿之步驟進一步包含：感應耦合介於約1 00至約600瓦間之射頻功率至配置在該製程反應室鄰近處之一天線。 12. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中上述之圖案 22 ί S 1326467

化一罩幕之步驟至少包含：圖案化位於一不透明金屬阻光層上之第一光阻層；蝕刻該金屬阻光層以形成穿過其間之至少一第一開口以及一第二開口；圖案化位於該不透明金屬阻光層上之第二光阻層以形成該罩幕層，其+該金屬阻光層中之該第一開口在圖案化之後保持被該第二光阻層填滿之狀態。

13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中上述之提供至少一種氟碳製程氣體之步驟至少包含三氟甲烷、六氟化二碳、八氟化三碳、四氟甲烧或八氟化五碳之至少一種。 14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中上述之偏壓步驟至少包含：產生工作週期介於約20至約95%之脈衝功率。

15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中上述之偏壓步驟進一步包含：在介於約1至約1 0千赫之頻率下產生脈衝功率。 16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中上述之形成一電漿之步驟進一步包含：感應耦合介於約1 0 0至約6 0 0瓦間之射頻功率至配置 23 1326467 ff年/月A

,—«τ'* 铜兄在該製程反應室鄰近處之一天線。 17. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中上述之不透明金屬阻光層是鉻。 18. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中上述之功率脈衝低於1 5 0瓦。

19. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中上述之罩幕層並非光阻；並且偏壓之步驟至少包含：產生工作週期介於約20至約40%之脈衝功率。 20. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中上述之罩幕層是光阻；並且偏壓之步驟至少包含：產生工作週期介於約70至約90%之脈衝功率。

21. —種形成一光罩之方法，其至少包含： a) 圖案化位於一鉻層上之第一光阻層； b) 蝕刻該鉻層以形成穿過其間之至少一第一開口以及一第二開口； c) 除去該第一光阻層； d) 圖案化位於該鉻層上之第二光阻層，其中該鉻層中之該第一開口在圖案化之後保持被該第二光阻層填滿之狀 24 [S1 1326467

e) 利用一蝕刻製程而蝕刻透過該鉻層暴露出之石英層部分至一深度，其中該深度係介於約1 93至約248奈米間之微影光波長之一半，其至少包含：

提供至少一種氟碳製程氣體至一製程反應室中；以複數個低於600瓦之功率脈衝偏壓石英層，其中該石英層係配置在該製程反應室内之基材支撐上，偏壓功率係被脈衝化在介於約1至約1 0千赫之頻率，而具有介於約 2 0至約9 5 %之工作週期；以及以介於約1 00至約600瓦間之功率維持該製程氣體電漿；以及 f) 除去該鉻層。 22.如申請專利範圍第21項所述之方法，其中上述之提供至少一種氟碳製程氣體之步驟至少包含三氟甲烷、六氟化二碳、八氟化三破、四氟曱烧或八氟化五碳之至少一種。

23.如申請專利範圍第21項所述之方法，其中上述之提供至少一種氟碳製程氣體之步驟至少包含：通入四氟曱烷和三氟甲烷至該製程反應室中。 24.如申請專利範圍第23項所述之方法，其中上述之提供一種氟碳製程氣體之步驟至少包含： 25

1326467 » 通入約 2至約 50 seem之四氟曱院至該製程反應室中；以及通入約2至約50 seem之三氟甲烧至該製程反應室中。 25.如申請專利範圍第21項所述之方法，其中上述之偏壓步驟至少包含：產生工作週期介於約7 0至約9 0 %之脈衝功率。

26.如申請專利範圍第21項所述之方法，其中上述之蝕刻該石英層部分之步驟至少包含：施加工作週期介於約2 0至約9 0 %之低於約1 5 0瓦之偏壓功率；感應耦合低於約600瓦之射頻功率至配置在該製程反應室鄰近處之一天線；通入低於約15 seem之四氟曱烧至該製程反應室中；以及通入低於約3 0 seem之三氟甲烷至該製程反應室中。 27.如申請專利範圍第21項所述之方法，其中上述之偏壓功率介於約2 0至約1 5 0瓦間。 26