TWI316617B - - Google Patents

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TWI316617B TW094116496A TW94116496A TWI316617B TW I316617 B TWI316617 B TW I316617B TW 094116496 A TW094116496 A TW 094116496A TW 94116496 A TW94116496 A TW 94116496A TW I316617 B TWI316617 B TW I316617B
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Description

1316617 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光電變換元件陣列、其集成裝置及其 等之安裝構造、以及光資訊處理裝置者。 【先前技術】 當前,LSI (大規模積體電路)等半導體晶片間之信號傳送 皆為通過介以基板配線之電氣信號而實現。然而,伴隨當 月il之MPU咼機能化,晶片間所必需之資料收發量顯著增 大,作為結果,會導致各種易產生之問題。作為該等之代 表者,可列舉RC信號遲延、阻抗失配、EMC/EMI、串擾等。 為解決上述問題,之前以安裝業界等為中心,使用將配 線配置最優化或開發新素材等各種方法,以實現解決。 *然而,近年來,上述配線配置之最優化或新素材之開發 等的效果已到達物理性之界限,故而今後為實現系統之^ 高機能化,必須以單純半導體晶片之安裝為前提改善印刷
配線板之構造。近年來,為解決該等問題提出有各種對策, 以下揭示其中之代表者。 藉由多晶片模組(MCM)化之微細配線結合 將高機能晶片安裝於陶:是/石夕等精密安裝基板上,實現於 主機板(多層印刷基板)上無法形成之微細配線結合。藉此, 可實現配線之小間距化,擴大匯流排寬度,從而使資料收 發量飛躍性地增大。 體化之電氣配線結 精由各種半導體晶片之密封 使用聚醯亞胺樹脂等將各種半導體晶片二次元密封 99998.doc 1316617 體化,於該被一體化之基板上實行微細配線結合。藉此’ 可實現配線之小間距化,擴大匯流排寬度,從而使資料收 發量飛躍性地增大。 • 半導體晶片之三次元結合 於各種半導體晶片設置貫通電極,使該等貼合,藉此成 為積層構造。藉此’異種半導體晶片間之結線被物理性地 短路化,作為結果’可避免信號遲延等問題。然而,另外 會產生因積層化而造成之發熱量增加、半導體晶片間之熱 應力等問題。 進而,如上所述,為實現信號收發之高速化以及大容量 化,開發有使用光配線之光傳送結合技術(例如,參照下述 經電子、"與光配線之遭遇"2001年12月3日之122頁、123 頁、124 頁、125 頁、圖 4、圖 5、圖 6、圖 7以及NTT R&D, vol.48, no.3, ρρ.271-280 (1999)。)。光配線可使用於電子機器間、 電子機器内之板間或板内之晶片間等各種部位。 例如圖10A至圖10C所示,於印刷配線基板5〇上形成光導 波路5 1,使藉由發光元件(例如面發光雷射)兄而被信號調 變之光線(例如雷射光)入射至光導波路5丨,入射之光線導波 於光導波路51,自光導波路51出射之光線藉由受光元件(例 如光電二極體)53而受光。如此,可構築將光導波路51作為 經#號調變之雷射光等之傳送路的光傳送/通信系統。 光導波路51含有覆蓋層60、61以及由該等夹住之核層 57,於覆蓋層60上相當於光入出射部之位置設有透鏡構件 58。又,如圖I0B所示,核層57並列配置有複數個。再者, 99998.doc 1316617 圖10B中覆蓋層61未圖示。 接著’發光元件52以及受光元件53分別於基體56a以及 56b上對應複數個核層57之各光入出射部而設置,構成發光 元件陣列62以及受光元件陣列63。又,於各發光元件52以 及受光元件53配置光學零件59,藉此可有效地出射以及入 射光線。進而’發光元件陣列62以及受光元件5 3安裝於具 有驅動電路元件55等之安裝基板(例如内插器)54上。 又’如圖10C所示’外部連接端子64連接於發光元件52 , • 該等對應於複數個核層57之各光入出射部而並列配置於基 體56a上’構成發光元件陣列62。關於受光元件陣列63亦與 此結構相同。 . 【發明内容】 然而’於上述先前例之光導波路5 1中,核層57之高密度 陣列化(例如100 μιη間距以下)於技術上難以實現。其原因 說明如下。 如圖10Α所示,先前例之光導波路51於45。鏡面形成光入 ®出射部,其可藉由圓板板形鋸等機械加工而形成。藉此, 圖示之複數個核層57之光入出射部對於光線之導波(傳送) 方向成垂直方向之直線排列。再者,亦討論有藉由等方姓 刻等選擇形成鏡片部之方法,但精度、安定性等並非充分, 目前無法量產化。 接著,發光元件52以及受光元件53因對應核層57之光入 出射部而配置,故而該等之排列亦為直線排列。 」而,發光元件52以及受光元件53為避免與鄰接之元件 99998.doc 1316617 之光學干涉(因光線具有10°左右之擴張,故而會對鄰接經 路產生信號干涉)、因元件發熱產生之串擾(因發光發熱而使 鄰接之元件之特性產生變化)等不良影響,而無法高密度陣 列化。因此,核層5 7亦必需某程度之間距,故而無法高密 度陣列化。 根據以上原因’於將光導波路51作為經信號調變之雷射 光等之傳送路的先前例之光傳送/通信系統中,難以使光配 線t5j松、度集成至100 μιη間距以下。又,該原因亦為光傳送 通道被限制為數+ch左右之原因。 本發明係鑒於上述問題開發而成者,其目的在於提供一 種可高密度集成光配線且可降低因光電變換元件造成之光 學干涉或串擾等,有效傳送光線之光電變換元件陣列、其 集成裝置及其等之安裝構造、以及光資訊處理裝置。 即,本發明係關於一種光電變換元件陣列,該光電變換 元件陣列含有配置為陣列狀之複數個光電變換元件,該等 光電變換元件於陣列方向上以間隔一個位於同一直線上之 方式交互地配置於不同位置上。 又,本發明係關於一種光電變換元件陣列集成裝置,其 並列配置有複數個光電變換元件陣列,且於相互鄰接之光 電變換70件陣列間,各光電變換元件於陣列方向配置於不 同位置上,該光電變換元件陣列含有配置為陣列狀之複數 個光電變換元件,,亥等光電變換元件於陣列方向上以間隔 個位於同一直線上之方式交互地配置於不同位置上。 又’本發明係關於—種光電變換元件陣列或光電變換元 99998.doc 1316617 件陣列集成裝置之安裝構造,其於光電變換元件陣列或光 電變換元件陣列集成裝置中,於内插器基板上對向配置發 光元件陣列與文光元件陣列’該等陣列介以上述外部連接 端子安裝於上述内插器基板。 進而,本發明係關於一種光資訊處理裝置,其具有光電 變換元件陣列或光電變換元件陣列集成裝置、以及對向於 上述光電變換元件陣列之各元件的光導波路。 本發明者關於上述高密度集成化加以銳意研究後,於日 本專利特願2002-3 64841號(亦稱為先願發明)中提出有一種 光導波路’該《導波路形成為其核I並歹配置複數個,於 鄰接之核層間光入出射部之位置偏離光線之導波方向;且 終於發現如此之構造可藉由放射光光微影製程而實現。藉 此,對應核層之光入出射部而配置之上述光電變換元件(發 光元件以及受光元件)亦可偏離上述導波方向而配置。其結 果為,即使於尚密度集成化之情形時,與上述先前例相比 亦可增大相互鄰接之發光元件(或受光元件)間的距離,故而 可較先前例之構造降低與鄰接之光電變肖元件之光學干 涉'因元件發熱造成之串擾等不良影響。 然而’本發明者為進-步提高特性而銳意研究後發現, 即使根據先願發明之構造,相互鄰接之發光元件(或受光元 件)間之距離亦並非充分,會產生光學干涉或串擾等問題。 針對於此’本發明之光電變換元件陣列具有配置為陣列 狀之上述複數個光電變換元件(發光元件或受光元件),該等 99998.doc 1316617
•光電變換s件於陣列方向上以間隔—個位於同—直線上之 方式交互地配置於X 置上,因此即使提高集成密度, 亦可將鄰接之上述光雷變 ― &九電變換兀件間之距離設為充分大。因 此’可降低安裝時之難 度,有效防止上述光電變換元件之 先學性以及電性之干涉 送容量化、低成本化。“步實現系統之高傳 【實施方式】 本發明中’較好的是於上述複數個光電變換元件分別連 接有外料接料,該光電變·件與外 合於上述陣列方向形成反轉之圖案。又,較好二= 上述組合於與陣列方向正交之 、疋、 向又互地偏離配置。藉 此,可更加增大鄰接之上述光電變換元件間以及外部連接 端子間之距離,故而可不產生光學干涉或串進 ^高上⑽變換元件之集成密度,較容易地配置鄰接之 波路之核層之高集成密度化。 實地實現下述光導 進而,本發明之光電變換元件陣列較好的是 件陣列或受光元件陣列而構成,該發光元件陣列或^ ^ 件陣列較好的是介以上料部連接端子安|於配置= 電路元件之内插器基板上。 =下’參照圖式就本發明之較好實施形態力^說明。 第1實施形態 圖1A乃至圖1C係依據本發明之光電 又状7L件陣列隼成 裝置以及光資訊處理裝置的概略圖。如 八 闽iA所不,本發明 99998.doc •10- 1316617 之光資訊處理裝置丨於印刷配線基板2上形成光導波路3,使 藉由作為上述光電變換元件之發光元件(例如面發光雷射) 4而被k號調變之光線(例如雷射光)入射至光導波路3,入射 之光線導波於光導波路3,自&導波路3出射之光線藉由作 為上述光電變換兀件之受光元件(例如光電二極體)$而受 光如此,可構築將光導波路3作為經信號調變之雷射光等 之傳送路的光傳送/通信系統。 又,如圖1A以及圖1 b所示,本發明之光電變換元件陣列 馨集成裝置6於基體8上並列配置有複數個光電變換元件陣 列,且於相互鄰接之光電變換元件陣列間,各光電變換元 件4 (或5)於陣列方向配置於不同位置上,該光電變換元件 陣列含有配置為陣列狀之複數個發光元件4 (或受光元件 5),该等光電變換元件4 (或5)於陣列方向上以間隔一個位 於同—直線上之方式交互地配置於不同位置上。 又’較好的是於上述複數個光電變換元件4 (或5)分別連 接有外部連接端子(陽極電極)7,該光電變換元件4 (或5) 與外部連接端子7之組合於上述陣列方向形成為反轉之圖 案進而’較好的是鄰接之上述組合於與陣列方向正交之 方向父互地偏離配置。藉此,可進一步增大鄰接之光電變 換兀件4 (或5)間之距離,故而可不產生光學干涉或串擾 等進步提南光電變換元件4 (或5)之集成密度,其結果 為’可谷易且確實地實現下述光導波路之核層之高集成密 又化又’對應光電變換元件4 (或5 )形成有接地電極(陰極 電極)12。 99998.doc 1316617 ^此’本發明之光電變換元件陣列作為發光元件陣列或 文光元件陣列而構成。 一 美述發光元件陣列與上述受光元件陣列於内插器 基板9對向配置,該等陣列介以外部連接端子7以及谭料凸 塊1〇安裝於内插器基板9。再者,於内插器基板9上安裝有 連接於光電變換元件4 (或5)之配線(未圖示)以及㈣電路 元件11。 又,較好的是對應發光元件4以及受光元件5配置透鏡構 件13。藉此,可更有效地入射或出射光線。再者,圖叫 透鏡構件13未圖示。 接著,如圖1A以及圖10所示’光導波路3含有覆蓋層Μ、 15以及由該等夾住之核層16,於覆蓋層14上相當於光入出 射部之位置上設有透鏡構件17。χ,核層16並列配置有複 數個,光入射部以及光出射部形成於45。鏡面。又,相互鄰 接之核層之光入射部以及光出射部對應發光元件4以及受 光元件5,於光線導波(傳送)方向形成於偏離之位置上。再 者,圖1C中覆盍層14未圖示。具有如此構造之光導波路可 藉由使用例如放射光光微影製程而實現。 本發明之光資訊處理裝置1之機制為,藉由發光元件4而 被k號調變之光線(例如雷射光)經透鏡構件〗3而被校準。該 k號光進而藉由形成於光導波路3之光入射部之透鏡構件 17而被聚光,有效地入射至光導波路3之核層16。入射之光 線導波於光導波路3,藉由形成於光導波路3之光出射部的 透鏡構件Π而被校準’自光導波路3出射。接著,出射光藉 99998.doc 12· 1316617 由透鏡構件u而被聚光’有效地受光至受光元件5。如此, 可構築將光導波路3作為經信號調變之雷射光等之傳送路 的光傳送/通信系統。
根據本實施形態’本發明之光電變換元件陣列具有配置 為陣列狀之複數個光電變換元件4、5,該#光電變換元件 4、5於陣列方向上以間隔一個位於同一直線上之方式交互 地配置Μ同位置上’因此即使提高核㈣之集成密度, 亦可將鄰接之光電變換元件4、5間之距離設為充分大。因 此’可降低安裝時之難度,有效防止光電變換元件4、以 光學性以及電性之干涉或串擾笨 ^ a ^ &甲孩1寺,進一步實現系統之高傳 送容量化、低成本化。 又’因可獲得透鏡構件13之佔有面積,故而可提高結合 效率’作為結果’可提高系統之可靠性,抑制消耗電力等。 進而’因亦可擴大鄰接之外料接料7(以及焊料凸塊 10)間之距離,故而可提高可靠性、量產性。 圖2A係表示先願發明之配置例的模式圖,圖靖、表示本 實施形態之配置例的模式圖。 -般於鄰接之元件4、5中,一元件之熱量會傳送至另一 元件’藉此會降低高頻特性,故而將鄰接之元件之間隔確 保為約H)0_即可解決問題。如圖2A所示,於先願發明之 配置例中’亦可將鄰接之元件之間隔形成為2〇〇 -。針對 於此’如圖2Β所示,於本實施形態之配置例中,可將上述 光電變換元件陣列間之元件間隔Α設為256叫,又可同樣 將上述光電變換元件陣列内之元件間隔Β設為223 μπι,可較 99998.doc -13- 1316617 先願發明之配置例更大地形成。 又’雖焊料凸塊ίο之焊料尺寸之微小化正在發展,但考 慮到可靠性、量產性’較好的是該尺寸為Ο—以上。又, 較好的是料㈣距為該尺寸之大致2倍即⑽㈣以上。若 為100 μιη以下,則鄰接之焊料凸塊1〇於溶解時產生結合, 有可能造成接觸不良。如圖2Α所示,於先願發明之配置例 中,亦可將鄰接之焊料凸塊1〇之間隔形成為2〇〇 。針對 於此,如圖2Β所示’於本實施形態之配置例中,可將焊料 凸塊10之間隔設為223 μιη,可較先願發明之配置例更大地 形成。 進而,對應元件4、5而配置之透鏡構件13之透鏡徑為鄰 接之元件間之距離以下的大小。又,考慮到因安裝而造成 之偏差,通過透鏡構件13之光線之光束為去除安裝允許誤 差的值(其原因在於,光信號洩漏至相鄰之信號系)。但,上 述光束亦必須儘量增大,以提高透鏡構件13間之結合效 率。圖2 Α中雖未圖示,但於先願發明之配置例中,可將透 鏡構件之最大徑形成為φ200 μηι。針對於此,如圖2B所示, 於本實施形態之配置例中,可將透鏡構件13之最大徑設為 Φ223 μηι,可較先願發明之配置例更大地形成。 再者,複數個光電變換元件4、5與分別連接於複數個光 電變換元件4、5之焊料凸塊1〇的距離,一般為例如1〇〇 左右。 自上述說明可知,根據本實施形態,本發明之光電變換 元件陣列具有配置為陣列狀之複數個光電變換元件4、5, 99998.doc -14- 1316617 該等光電變換元件4、5於陣列方向上以間隔一個位於同一 直線上之方式交互地配置於不同位置上,因此即使提高核 層16之集成密度,亦可將鄰接之光電變換元件4、5間以及 外部連接端子7間之距離設為充分大。因此,可降低安裝時 之難度有效防止光電變換元件4、5之光學性以及電性之 干涉或串擾等,進一步實現系統之高傳送容量化、低成本 化。 又,因可獲得透鏡構件13之佔有面積,故而可提高結合 效率,作為結果,可提高系統之可靠性,抑制消耗電力等。 進而,因亦可擴大鄰接之外部連接端子7(以及焊料凸塊 10)間之距離,故而可提高可靠性、量產性。 第2實施形態 為進一步增大鄰接之光電變換元件4、5之距離,如圖所 述,亦可於本發明之光電變換元件陣列中將光電變換元件 以於陣列方向上間隔一個之方式向核層之光導波方向移動 (例如26 μιη)。藉此,可將上述光電變換元件陣列間之元件 間隔Α (以及鄰接之焊料凸塊1〇間之距離)設為236 ,又 同樣可將上述光電變換元件陣列内之元件間隔B設為2% μΐϊΐ,可較圖2B所示之第1實施形態之配置例形成為更大。 進而,可將透鏡構件!3之最大徑設為φ236 μηι,可較圖⑼ 所示之第1實施形態之配置例形成為更大。藉此,可進一步 提高光線之結合效率。 第3實施形態 本發明之光資訊處理裝置如上所述,具有本發明之光電 99998.doc •15· 1316617 變換元件陣列與對向於該光電變換元件陣列之光導波路, 其構造可於不脫離本發明内容之範圍内適當地選擇,例 如’可較好地使用具有插槽與設置於上述插槽内之光導波 路的構造。 圖4Α以及圖4Β係上述插槽之概略立體圖。圖々a係自上述 插槽之設置上述光導波路之面側觀看之概略立體圖,圖 係自圖4Α之相反面側觀看之概略立體圖。 如圖4Α以及圖4Β所示,於插槽2〇中設有
上述光導波路之具有凹凸構造的定位機構。具體的是,上 述凹凸構造具有:凹部21,其嵌入上述光導波路,且定位 其寬度方向;以及突起部22,其定位上述光導波路之長度 方向。又,凹部21之深度亦大於上述光導波路之厚度。 又,於插槽20之上述凹凸構造之凸面23設有用以導通插 槽20之内外面的導通機構,例如引線插頭24。接著,於該 凹凸構造之凸面23上如下所述,固定本發明之光電變換元 件陣列或光電變換元件陣列集成裝置。 作為插槽20之材質若為絕緣性樹脂,則可使用先前眾所 周知之材料’例如可列舉添加有玻璃之pES (pQiye师_ SUlflde)樹脂、添加有玻螭之 PET (polyethylene terephthalate,聚對苯二甲乙二醇§旨)樹脂等。此種插槽 2〇之材料已有好關於其種類、絕緣性、可靠性等之資料, 又處理材料之薇家亦多方獲得。因此,其為於機能、成本、 可靠性等所有方面易獲得之構造物,纟易實現與已有印刷 配線基板安裝製程之融合。 99998.doc -16- 1316617 插槽20之製造方法未有特別限定,例如可使用具有上述 凹凸構造之模具通過成形而容易地製作。 圖5A以及圖5B係使用上述插槽20之本發明的光資訊處 理裝置1之概略立體圖。 如圖5A以及圖5B所示,使用插槽20之本發明之光資訊處 理裝置1具有一對插槽20以及設置於該插槽2〇之光導波路 3 ’於該一對插槽20間架設有光導波路3。再者,光導波路3 雖未圖示’但於其内部具有並列配置之複數個核層。此時, • 光導波路3與下述印刷配線基板未接觸,故而可有效地防止 因使用時產生之熱量而破壞光導波路3之問題。 又’於插槽20之上述凹凸構造之凸面23上固定具有本發 明之光電變換元件陣列(或光電變換元件陣列集成裝置)的 内插器基板9。内插器基板9之一面側安裝有本發明之光電 變換元件陣列(或光電變換元件陣列集成裝置)6,於另一面 側安裴有驅動電路元件11 a、1丨b。 内插器基板9如圖6A以及圖6B所示’於—面侧安裝有驅 動電路元件1U、llb,於另一面側安褒有作為本發明之光 電變換元件陣列之(或光電變換元件陣列集成裝置中之)發 光元件陣物、受光元件陣_。再者,於内插器基板9之 周邊部設有其他信號配線用電極27。 接著,固定於凹部21設有光導波路3之一 口。 對插槽20與内插 益基板9打,構成為使内插器基板9 _ 心女表有先電變換元件 陣物、6b之面側接於插㈣之凸面23, Μ插槽2〇之引 線插頭24與内插器基板9之其他 %用電極(未圖示)電 99998.doc -17- 1316617 性連接之方式而固定。 又,藉由使插槽20之凹部21深度形成為大於光導波路3 之厚度(例如1 mm)(例如將上述深度設為2 mm),可如圖5Α 以及圖5Β所示,於光導波路3之一面26側與内插器基板9之 間形成空間25。 如上所述,於插槽20上介以内插器基板9安裝驅動電路元 件11a、lib,且於光導波路3之一面26側與内插器基板9之 間形成空間25,藉此即使於使用光資訊處理裝置“夺,驅動 電路元件11a、lib發熱,亦可有效防止因該熱量導致光導 波路3破壞之問題。 該動作之機制為,將自一驅動電路元件丨la發送之電氣信 號轉換為光信號,自發光元件作為雷射光之光信號而出 射。所出射之光信號入射至對應光導波路3之一個核層之光 入射部,被導波至光導波路延伸之導波方向,自他方核層 之光出射部㈣。接著’自光導波路出射之光信號受光於 對應之受光元件,變換為電氣信號,作為電氣信號傳送至 他方之驅動電路元件11 b。 本實施形態之光資訊處理裝置丨可構成光導波路3作為光 配線而使用之光配線系統。即,將該光資訊處理裝置丨以電 性連接於印刷配線基板之狀態而固定。 根據本實施形態,本發明之光電變換元件陣列具有配置 為陣列狀之上述複數個光電變換元件,該等光電變換元件 於陣列方向上以間隔-個位於同—直線上之方式交互地配 置於不同位置上’因此即使提高上述核層之集成密度,亦 99998.doc -18· 1316617 可將鄰接之上述光電變換元件間之距離設為充分大。因 此可降低文裝時之難度,有效防止上述光電變換元件之 光學性以&電性之干涉或串擾等,* 步實現系統之高傳 送谷量化、低成本化。 又,因可獲得透鏡構件13之佔有面積,故而可提高結合 效率,作為結果,可提高系統之可靠性,抑制消耗電力等。 ”進而,因亦可擴大鄰接之上述外部連接端子(以及上述焊 料凸塊)間之距離,故而可提高可靠性、量產性。 又,亦可使驅動電路元件11&、llb與上述光電變換元件 間之信號線縮短且等長。因此,亦可容易地實現電氣信號 之雜訊對策、串擾對策,提高光調變速度。 又,其構造為,光導波路3於設置於插槽2〇之凹部21之狀 悲下,電性連接於上述印刷配線基板,故而可直接利用已 有之上述印刷配線基板之安裝構造。因此,若設置可於上 述印刷配線基板上設置插槽2〇之區域,則可以先前之製程 形成其他一般電性配線。 又,即使光導波路3不適於高溫製程,因可於例如包括於 上述印刷配線基板上固定插槽2〇,進而回流烊、填底膠樹 脂密封等高溫製程之所有安裝製程結束後,於插槽2〇之凹 部21上設置光導波路3,故而可不受高溫損害地安裝光導波 路3。 又,與上述印刷配線基板相比,可藉由高剛性之樹脂製 作插槽20,於該插槽2〇上實行上述發光元件或受光元件、 以及光導波路3間之光線結合,故而可容易地確保光線結合 99998.doc •19- 1316617 所必須之安裝精度。例如’根據現有之模具技術,可組裝 數μηι級而確保精度。因此’亦可實現光匯流排之高密度化。 又’於先前例之電氣配線構造中,因於印刷配線基板上 直接設置光導波路,故而當伴隨驅動電路元件丨丨a、1丨b之 高機能化而增加自驅動電路元件11 a、11 b引出之插腳或配 線數時’則會因光導波路而限制印刷配線基板之設計自 由度。因此,印刷配線基板之高機能化難以實現,作為結 果,成為依賴將所有機能收容於一晶片之S〇c (SyStem on chip ’系統單晶片)化的狀況。針對於此,根據本發明之光 資訊處理裝置1 ’因光導波路3可於設置於插槽2〇之凹部21 之狀態下電性連接於上述印刷配線基板,故而可綠保上述 印刷配線基板之高密度配線與其設計上之自由度,且可低 成本且咼自由度地於上述印刷配線基板上展開光配線系 統,期望實現上述印刷配線基板上之高速分散處理、電子 機器整體之高機能化、以及開發之短TAT (turil around time ’作業完成時間)化等。 以下’關於本發明之光資訊處理裝置1之製造方法的一 例,參照圖7A至圖7E〜圖9A以及圖9B加以說明。 首先’如圖7A以及圖7B所示,於印刷配線基板2上安裝 一對插槽20。此時,對準印刷配線基板2上之電極(未圖示) 與插槽20之引線插頭24,以上述電極與插槽2〇電性連接之 方式加以安裝。 再者,雖未圖示,但於印刷配線基板2上預先安裝有其他 電子零件等以及形成有電配線。 99998.doc -20- 1316617 於該—對插槽20間架設光導波路3。此時,藉由設於插槽2〇 之作為上述凹凸構造的突起部22,可容易地定位光導波路3 之長度方向,又藉由凹部21可容易地定位光導波路3之寬度 方向。再者,因於插槽20之凹部21設置光導波路3,故而光 導波路3與印刷配線基板2為未接觸之狀態。 作為光導波路3對插槽20之黏接固定機構,並無特別限 定。可使用例如黏接性樹脂。具體的是,首先如圖8A所示, 於插槽20之凹部21之底面以任意形狀形成溝28。此時,溝 • 28之端部以位於至插槽20之突起部22之周邊部的方式而形 成。接著,如圖8B所示,於插槽20之凹部21設置並列配置 有複數個核層16而成之光導波路3 ^如上所述,光導波路3 之長度方向以及寬度方向之定位可藉由設置於插槽2〇之突 起部22以及凹部η而容易地實行。此處,溝28以位於至突 起部22之周邊部的方式而形成,故而溝28之一部分為未被 光導波路3覆蓋之狀態。接著’如圖8C所示,自未被光導波 路3覆蓋之溝2 8之部分’使用分配器29等注入黏接性樹脂, 籲使其凝固’藉此可將光導波路3黏接固定於插槽20之凹部 21° 如上所述’於插槽20設置光導波路3後,如圖所示,於 插槽20之凸面23上固定内插器基板9。再者’於内插器基板 9之一面側安裝作為上述驅動電路元件之例如MPU (micro processor unit’ 被處理器)11&或 dram (dynamic random access memory,動態隨機記憶體)丨lb,於另一面側安裝光 電變換元件陣列6a、6b。此時,構成為使内插器基板9之安 99998.doc 1316617 裝有光電變換7C件陣列6a、6b之面側與插槽2q之凸面Μ相 接’又以電性連接露出於插槽2〇之凸面23之弓i線插頭(未圖 不)與内插器基板9之其他信號配線用電極27之方式而固 定。 接著,如圖7E所示,sMpuila、DRAMUb上分別設置 鋁散熱片30。 11 如上所述,使用本發明之光資訊處理裝置丨,可構成光導 波路3作為光配線而使用之光配線系統。
此處’圖9A以及圖9B係表示於印刷配線基板2上展開本 發明之光資訊處理裝L之例的模式圖。例如,藉由使光導 波路模組規格化,可於四方向自由展開。 根據本實施形態,本發明之光電變換元件陣列具有配置 為陣列狀之上述複數個光電變換元件,該等光電變換元件 於陣列方向上關隔-個位於同—直線上之方式交互地配 置於不同位置上’因此即使提高上述核層之集成密度,亦 可將鄰接之上述光電變換元件間之距離設為充分大。因 此,可降低安裝時之難度,有效防止上述光電變換元件之 光學性以及電性之干涉或串擾等,進—步實現系統之高傳 送容量化、低成本化。 又’因可獲得透鏡構件"之佔有面積,故而可提高結合 效率’作為結果’可提高系統之可靠性,抑制消耗電力等。 進而’因亦可擴大_之上述外部連接端子(以及上述焊 料凸塊)間之距離,故而可提高可靠性、量產性。 又,亦可使驅動電路元件11&、Ub與上述光電變換元件 99998.doc -22· 1316617 間之#號線縮短且等長。因此,亦可容易地實現電氣信號 之雜訊對策、串擾對策,提高光調變迷度。 又’光導波路3於設置於插槽2〇之凹部2丨之狀態下,電性 連接於印刷配線基板2 ’故而可直接利用已有之印刷配線基 板2之安裝構造。因此,若設置可於印刷配線基板2上設置 插槽20之區域,則可以先前之製程形成其他一般電配線。 又,即使光導波路3不適於高溫製程,如上所述,因可於 包括於印刷配線基板2上固定插槽2〇,進而回流焊、填底膠 樹脂密封等高溫製程之所有安裝製程結束後,於插槽2〇之 凹部21上没置光導波路3,故而可不受高溫損害地安裝上述 光導波路。 又,與印刷配線基板2相比,可藉由高剛性之樹脂製作插 槽20,於該插槽20上實行上述發光元件或受光元件、以及 光導波路3間之光線結合,故而可容易地確保光線結合所必 需之安裝精度。例如,根據現有之模具技術,可組裝數# m級而確保精度。因此,亦可實覌光匯流排之高密度化。 又,因光導波路3可於設置於插槽2〇之凹部21之狀態下電 性連接於印刷配線基板2,故而可確保印刷配線基板2之高 密度配線與其設計上之自由度,且可低成本且高自由度地 於上述印刷配線基板上展開光配線系統,期望實現上述印 刷配線基板上之高速分散處理、電子機器整體之高機能 化、以及開發之短TAT (turn around time)化等。 進而,於插槽20上介以内插器基板9安裝驅動電路元件 11 a、11 b,且於光導波路3之一面26側與内插器基板9之間 99998.doc •23· 1316617 形成空間25’藉此即使於使用光f訊處理裝置w,驅動電 路兀件11a、lib發熱,亦可有效防止因該熱量導致光導波 路3破壞之問題。 以上,就本發明之實施形態加以說明,但上述例可依據 本發明之技術思想加以各種變形。 例如,本發明可適用於使信號加於雷射光之上述光配線 系統,但除此以外亦可藉由光源等之選擇而適用於顯示器 用等。 [產業上之可利用性] 本發明可適用於具有以下構成之光配線等光資訊處理裝 置·藉由光導波路有效地聚光為特定光束而出射,或有效 入射至光導波路後,使出射之信號光入射至下一段電路之 受光元件(光配線或光電偵測器等)。 【圖式簡單說明】 圖1A至圖1C係本發明之第!實施形態之本發明的光資訊 處理裝置以及光電變換元件陣列(或光電變換元件陣列集 成裝置)之概略圖。 圖2A以及圖2B係比較本發明之第!實施形態之本發明的 光電變換元件陣列集成裝置之配置例之模式圖。 圖3係表示本發明之第2實施形態之本發明之光電變換元 件陣列集成裝置的其他配置例之模式圖。 圖4A以及圖4B係本發明之第3實施形態之插槽的概略立 體圖。 圖5A以及圖5B係本發明之第3實施形態之使用插槽之本 99998.doc -24- 1316617 發明的光資訊處理裝置之概略立體圖。 圖6A以及圖6B係本發明之第3實施形態之内插器基板的 概略立體圖。 圖7 A至圖7E係以步驟順序表示本發明之第3實施形態之 使用插槽之本發明的光資訊處理裝置之製造方法之一例的 概略剖面圖。 圖8A至圖8C係表示本發明之第3實施形態之使用插槽之 本發明的光資訊處理裝置之部分製造步驟的概略平面圖。 圖9A以及圖9B係本發明之第3實施形態之使用插槽之本 發明的光資訊處理裝置之一例的模式圖。 圖10A至圖10C係先前例之使用光導波路之系統的概略 圖。 【主要元件符號說明】 1 光資訊處理裝置 2,50 印刷配線基板 3,51 光導波路 4,52 發光元件 5,53 受光元件 6 光電變換元件陣列集成裝置 6a,62 發光元件陣列 6b,63 受光元件陣列 7,64 外部連接端子 8 , 56a , 56b 基體 9 内插益基板 99998.doc -25- 1316617 ίο 焊料凸塊 11,11 a,11 b,5 5 驅動電路元件 12 接地電極 13,17,58 透鏡構件 14,15,60,61 覆蓋層 1 6,5 7 核層
20 21 22 23 24 25 26 插槽 凹部 突起部 凸面 引線插頭 空間 面 27 信號配線用電極 28 溝 29 籲54 59 分配器 安裝基板 光學零件 99998.doc -26·

Claims (1)

13 1祕49?116496號專利申請案 阼餐?1 年月 _无I 中文申請專利範圍替換本(98年2月) 十、申請專利範圍: 1. 一種先電變換元件陳列, . 領 J其含有配置為陣列狀之ing 光電變換元件,該篝去卷h 1U 先電k換元件於陣列方向上以間隔 一個位於同一直線上之 万式交互地配置於不同位置上. 於上述複數個光電變換元件分別連接有外部連接端子: 該光電變換元件與外部連接端子之組合於上述陣列方向 形成為反轉之圖案。 2. 如請求項1之光電變拖;从# τ t ' 电變換兀件陣列’其中鄰接之上述組合於 與陣列方向正交之方命μ I万向上父互地偏離配置。 3. 如請求項1之光電變旅; 變換7G件陣列,其中構成為發光元件 列或受光元件陣歹。 4.如請求項1之光電變換元件陣列,其中該光電變換元件陣 列介以上述外部連接端子安裝於配置有驅動電路元件之 内插器基板上。 5. -種光電變換元件陣列集成裝置,其並列配置有複數個 光電變換元件陣列’且於相互鄰接之光電變換元件陣列 間’各光電變換元件於陣列方向配置於不同位置上,該 光電變換7C件陣列含有配置為陣列狀之複數個光電變換 兀件’該等光電變換元件於陣列方向上以間隔—個位於 同一直線上之方式交互地配置於不同位置上;於上述複 數個光電變換元件分料接有外部連接端子,該光電變 換元件與外部連接端子之組合於上述陣列方向形成為反 轉之圖案。 6·如請求項5之光電變換元件陣列集成裝置,其中鄰接之上 99998-980204.doc 1316617 述組合於與陣列方向正交之方向上交互地偏離配置。 8. ^奢求項5之光電變換元件陣列集成裝置,其中上述光電 、換凡件陣列構成為發光元件陣列或受光元件陣列。 :種光電變換元件陣列或光電變換元件陣列集成裝置之 安裝構造,其將如請求項3或5之發光元件陣列與受光元 件陣列對向配置於内插器基板上4該等陣列介以上述 外部連接端子安裝於上述内插器基板上。 9.如請求項8之光電變換元件陣列或光電變換元件陣列集 成裝置之安裝構造,其中於上述複數個光電變換元件分 別連接有外部連接料,該光f變換元件與外部連接端 子之組合於上述陣列方向形成為反轉之圖案。 1 〇 ·如請求項9之光電變換元件陣列或光電變換元件陣列集 成裝置之安裝構造,其中鄰接之上述組合於與陣列方向 正交之方向上交互地偏離配置。 11. 一種光資訊處理裝置,其具有如請求項丨至7中任—項之 光電變換元件陣列或光電變換元件陣列集成襞置、以及 對向於上述光電變換元件陣列之各元件的光導波路。 99998-980204.doc
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103376516A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光纤传输模组
US9354410B2 (en) 2012-01-31 2016-05-31 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Monolithically integrated, self-aligning, optical-fiber ferrule
TWI561881B (en) * 2012-04-27 2016-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Fiber optical transceiver

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101057565B1 (ko) 2006-09-21 2011-08-17 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 광 도파로 기판 및 그것을 이용한 광전기 하이브리드 회로 실장 기판
US20090065053A1 (en) * 2007-08-24 2009-03-12 Julian Gulbinski Photovoltaic device
JP2010191365A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Hitachi Ltd 光インターコネクション実装回路
KR101256000B1 (ko) * 2011-04-13 2013-04-18 엘지이노텍 주식회사 광 모듈용 인터포저 및 이를 이용한 광모듈, 인터포저의 제조방법
TW201610495A (zh) * 2014-09-09 2016-03-16 鴻海精密工業股份有限公司 光耦合模組、光電轉換裝置以及光通訊裝置
CN109115250A (zh) * 2018-08-08 2019-01-01 珠海格力电器股份有限公司 感光器件的阵列结构和光电编码器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE10410T1 (de) * 1981-01-14 1984-12-15 Morton Nadler Verfahren und vorrichtung fuer die bildabtastung.
JPS6450557A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Fujitsu Ltd Infrared-ray detector array
JPS6450557U (zh) 1987-09-25 1989-03-29
JPH06991A (ja) * 1992-06-22 1994-01-11 Fuji Xerox Co Ltd レーザビームプリンタ
JP3306130B2 (ja) * 1992-11-17 2002-07-24 三洋電機株式会社 発光ダイオードアレイ装置
JP3143053B2 (ja) * 1995-10-31 2001-03-07 キヤノン株式会社 リニアイメージセンサ
JP2000022215A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Oki Electric Ind Co Ltd Ledアレイ
JP3920540B2 (ja) 2000-07-04 2007-05-30 三洋電機株式会社 空気調和装置
JP2002189137A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光配線基板
JP4574006B2 (ja) * 2000-12-26 2010-11-04 キヤノン株式会社 画像形成装置
JP2002280655A (ja) * 2001-01-10 2002-09-27 Ricoh Opt Ind Co Ltd 光出力装置および光出力装置用レンズ素子
JP2003222746A (ja) * 2002-01-29 2003-08-08 Mitsubishi Electric Corp 光電気結合装置
JP4038586B2 (ja) 2002-04-26 2008-01-30 高砂香料工業株式会社 粉末ゴマおよびその製造方法
JP4711322B2 (ja) * 2002-11-29 2011-06-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ccdイメージセンサ
JP2004212847A (ja) * 2003-01-08 2004-07-29 Fujitsu Ltd 光結合器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9354410B2 (en) 2012-01-31 2016-05-31 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Monolithically integrated, self-aligning, optical-fiber ferrule
CN103376516A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光纤传输模组
CN103376516B (zh) * 2012-04-27 2016-07-06 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光纤传输模组
TWI561881B (en) * 2012-04-27 2016-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Fiber optical transceiver

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Publication number Publication date
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