1307411 . -.九、發明說明： \【發明所屬之技術領域】 -本發明係有關對於形成有包含使用於電氣信號之輸入 或輸出的配線圖案之複數個導電區域在表面上之薄膜薄片 狀之檢查對象，進行其配線圖案之導通檢查之檢查裝置。 【先前技術】 以往，在例如構成液晶顯示器之液晶面板的驅動器電 •=等’周知有使用被稱為TAB(TapeAm〇matedB〇nding，捲 ▼自動接合）及COF(Chip On Film,薄膜覆晶安裝）等 TCP(Tape Carrier Package，捲帶式封裝）的ic封裝體之構 成名TCP係藉由在表面形成有預定的配線圖案之薄膜的 專膜基板搭載 LSI(Large Scale Integrated Circuit,大型積 體電路）等半導體晶片所形成。 、於製造TCP時，與其他半導體積體電路之情況相同， 為了檢測不良品，進行電氣特性相關檢查。更具體而言， Φ係進仃形成纟薄膜基板上之配線圖案中有無電1的短路及 斷線之檢查（導通檢查），以及於搭載半導體晶片後透過配 線圖案將預定之檢查信號輸出入至半導體晶片之動作特性 檢查等。 上述之檢查之中，有關半導體晶片搭載前之薄臈基板 的斷線檢查，周知有使用細徑之導電性接觸子與導電橡膠 ，來進行之技術（參照例如專利文獻υ。該技術中，在保持 設於薄膜基板且形成配線圖案之一部分的連接用電極與導 電性接觸子之接觸狀態下，使導電橡膠體之底面接觸於所 3]8289 5 1307411 = 動敢之電流’而將在導電性接觸子盘 ¥電橡膠體之間處於絕緣狀態之部位檢測為斷線部位。’、 、首然而，使用如上述之導電橡膠體來進行斷線檢查時， =電橡膠體係因引起磨損及變形所致之經時劣&，而容易 產生斷線檢查之精度的問題。 作為解決上述課題之技術，亦揭示有使用非接觸型感 測器來進行斷線檢查之技術（參照例如專利文獻2)。該技術 中，對於由具備有設於檢查對象之連㈣電極，以及在盘 該連接用電極之間形成電轉合之電極之感測器所構成^ 電路’供應預定之交流信號，而將因斷線所產生之檢查對 象之電極與感測器乂電極之間的靜電電容之變化，作為 氣信號之檢測位準之變化。 ‘ 專利文獻1.日本專利特開平184631號公報 專利文獻2:曰本專利特開平4_244976號公報 【發明内容】 φ (發明所欲解決之課題） 上述之薄膜基板係相較於習知之半導體基板，由於材 料厚度非常地小且富於柔軟性，因此當使用於液晶顯示器 時’有能達成裝置整體小型化等之優點，但另一方面，°° 缺乏剛性且為薄壁之故，而亦有容易產生翹曲及成波狀= 變形之問題。 ' 將如上述之薄膜基板作為檢查對象，記載於上述專利 文獻2之習知技術於進行斷線檢查時，因薄膜基板變形而 使薄膜基板與感測器之距離產生變化，而與原來應取得靜 ^18289 6 1307411 導電性接觸子14，該複數 基板2之配線圖案而設，且確立===14係對應薄膜 薄膜基板2之電氣特性的於本膑基板2與用以檢查該 位 扣性的檢查電路（未圖示）之雷柯沾、击 接。又，接觸單元】具備 ）電丨生的連 作為對於細綠古^ 争心部推堡用構件】6, 接如地彈發彈麼之㈣用構件，抵 推附於托H及配線#圖案之中心部附近而將薄膜基板2 … 灵數個周緣部推屡用構件17, _ =線圖案之周緣部推附於托台3。其中，導電： 接觸子Η及周緣部誠用構件 電（ 體狀之保持具構件η(第—保持 ^保持在大致長方 壓用構件16係收容伴持在Γ人〃 。此外’中心部推 .,乂 保持在肷合於保持具構件11之中★邻 ，之保持具構件12(第二保持具構件）。該㈣ ^ 及12係藉由使用螺蜉笤 ’、、牛1 伴牲1接1 固定支持於基座構件13。 保持具構件U所保持之導電性接觸子 推壓用構件17之軸線方向皆為平行。此外，保持I構= 接觸…周緣部推壓用= 與導電性 ，導電. 用構件17之各個轴線方向最好為相互平行，但當然 本考X明並非僅使用於該情況。 田…、 第3 2圖絲示作為檢查對象之薄膜基板2之構成圖。 之〒^不^專膜基板2係在由厚度為數十_微米）程度 規成之長形帶狀基材21，沿著其長度方向 規則性地配置複數個配線圖案22而成。配線圖案22係具 318289 10 1307411 有：於安裝時，連接於半導體晶片之内引腳… 連接用電極25以1對1方式連接之外引腳24。 ，、 在位於一群配線圖案22之大致中央部， 23之端部之中與外引腳24相連接之端部不同 腳 側，設有於安褒時搭载有預定之半導體晶片之晶片與 域26。該晶片搭載區域26當為TAB之情況時係‘： 孔（bice㈣，且形成長方形狀之開口 =為兀件 之情況下的晶片搭載區域26則並非為開口方面盆= 、同之素材所構成。另外，_基板2上之連翻、電周圍 之排列圖案，與導電性接觸子14之保持具構件 ㈣ 列圖案當然係為完全對應。 中的排 Ώ所顯示導電性接觸子14之構成的剖視圖。第4 圖所不之導電性接觸子14係在其兩端設置有針 二 及142，且該等斜壯播技】j 7 Ώ 、冓件141 及142為藉由彈簧構件143 連接彈屢而成。針狀構件⑷、142及彈 :等導電性材料所形成。又，針狀構件141 之開…u，針狀構===-11 構丄 =Γ?42之前端係連接於收容在基座 氣作號等之供0 s之令線丨5,且透過該導線接收電 件⑷更位於垂直下方之針狀構：=142f彈黃構 且發揮防止自保持具構件11職之功^凸緣#】4Ia， 】】 318289 1307411 — 當具有以上構成之導電性接觸子14 + ▲ 前端抵接於薄膜基板2上之連接用 狀=:】 彈黃構们43之彈性力而緩和 之際，猎由來自 々抑逆接用電極25撞墼。 第槿料電性接觸子14之保持具構件11係藉由使 第一構件11a及第二構件llb重疊 精由使 地進行導電性接觸子14之對開口部lu之安容易 之構:著第參5了 5圖之剖視圖說明中心部推墨二 >構成。弟5圖所示之中心部推_構件16具有：活夷 161 ’抵接於薄膜基板2，朝與導電性接觸子μ之縮二 向平行的方向以預定範圍伸縮自如；彈簧構件162，抵接 於，玄活塞161之-端而將活塞161朝轴線方向彈壓。該中 二部，壓用構件16係嵌合保持於插座型之導管構件7】。 該導管構件71係分別設在構成保持具構件12之第三構件 仏及第四構件12b，且收容在嵌人至以同軸的方式連通之 開口部12&及121b之插座72。另夕卜，由第5圖亦明顯可 知，開口部丨2丨a係僅-方開口，另—方係為閉端。相對於 此’開口部121 b係兩端皆為開口端。 中心部推壓構件16之活塞161具有：圓筒狀抵接部 161a，抵接於薄膜基板2 ;突出部161b，具有與導管構件 71之内徑大致相同的直徑，且一部分突出自導管構件7工； 前端部161c，嵌入至插座型導管構件71之連接器部分， 且發揮防止自活塞161之導管構件71脫落之功能；以及棒 狀連結部161 d，將突出部161 b及前端部161 c以同軸的方 式相連結。其中前端部丨6丨c係相同地抵接在收容保持於導 318289 12 1307411 構件71之彈簧構件162的端部，而抵接部161&抵接於 薄膜基板2之表面，亦即晶片搭載區域26之内部及/或附 近之表面，隨著接觸單元丨下降，而慢慢地進入導管構件 71之内部。因此，來自抵接部16u之保持具構件12之突 出量，慢慢地減少。此時，彈簧構件162係具有緩和活塞 161藉由來自薄膜基板2之抵抗力而馬上位移之功能。 具有以上構成之中心部推壓用構件16中，至少活塞 ⑹之抵接部161a為藉由樹脂等具有絕緣性之素材所形成 I7可另外’ n推壓㈣件16之前端的抵接部 之直徑R係最好為能避開配線圖帛22之程度的大小，具 體上為1至2mm左右。 中心部推壓用構件16之抵接部咖之直徑r 係應精由溥膜基板2使用於何種封裝體來決定。例如，薄 口Ί::吏用於TAB時’由於晶片搭載區域26係形成開 *氐接„"61a之直徑R係必須比其開口之寬度要 、二:方-V薄膜基板2使用…•，即使抵接部 =:二=區域26之寬度要小，亦能將該 之寬声要j則爭/月况知R之值比晶片搭載區域26 之抵171 J其涵義係例如周緣部推壓用構件17 之抵接4 171a之直徑與中心 1613之直徑即使不同也無所謂。 16之抵接部 形二為推壓用構件16之構成，但本實施 係具有㈣的構造。㈣，Hi6與周緣特㈣構件17 周、·表部推壓用構件17係具備具 318289 13 1307411 有分別與活塞161及彈簧 ^ 傅仵162相同構成之活基171(抵 3、犬出17lb、前端部171c以及連結部171d) 以及彈簧構件172。該周緣部推壓用構件Η亦於保持具構 件12中’收容於導管構件71而成。有關該導管構件71 :持：埋入保持具構件12之插座72之點，亦與中心部推 壓用構件16之情況相同。 觸子自制單元1之各保持具底面突出之導電性接 : 中心補壓用構件16、周緣部推麼用構件17在 ，抵接於缚膜基板2之狀態中，自活塞ΐ6ι及ΐ7ι之接觸 的本體底面之突出量Η(參照第5圖)係較自導電性 接觸子Η之針狀構件141前端 = 突出量參照第4圖）要大，即H>h。 本版底面之 /接著，說明托台3之構成。在該托台3之中央部表面 係配設有非接觸型感測器 、 中係使用厚度較薄的钢版及器31 可:==一個或複數個電極，且各電極係具有 膜以接用電極25電容_合的構成。露出於 〇茨托口 3之;>專膜基板2的恭罢二—a、， 晶片搭載區域26之：大置面之感測器31的㈣ 線檢=有St感測器31來進行薄膜基板2之斷 卞導電性接觸子14選擇性輸入交流信 U J亥父流k號，將由感測器 ::準:變:藉由預定之電路檢測。於薄膜= ::: T於曰產生原本不應存在的靜電電容，因此由感測 318289 14 1307411 器31所輸出之信號位準將變得比預想之值要小。因而，藉 由檢測该信號位準之變化，可檢測薄膜基板2之斷線部位。 第6圖及第7圖係顯示於使用本實施形態】之接觸單 元1來進行薄膜基板2之檢查之際，將接觸單元〗下降而 將導電性賤子14抵接於薄㈣板2之喊㈣Μ時之 狀況的4明圖。其中’帛6圖係顯示藉由周緣部推歷構件 17將產生翹曲及成波狀等變形的薄膜基板2予以平坦化之 狀況。此外’第7圖係顯示達到第6圖之狀態後，藉由進 -步地使接觸單元！下降而使導電性接觸子14接觸至配線 圖案22(之連接用電極25)之狀態。
f先，說明第6圖。由於周緣部推壓用構件17之抵接 部171a的底面係較導電性接觸子14之前端部要突出於下 方，因此使接觸單元丨下降時，周緣部推壓用構件17會先 到達^膜基板2,且將薄膜基板2開始向下方[此時， 由於藉由具有與中心部推壓用構件16所有之彈簧構件 叫參照f 5圖）相同構成之彈簧構件172之彈性力推壓薄 膜基板2,因此能一邊緩和施加於薄膜基板2之撞擊，一 面將薄膜基板2回復到原來之平板狀。第6圖之實線 :將周緣部推壓用構件17之内侧區域大致平坦化之狀 態。另外’雖未圖示，但中心部推壓用構件16亦為進行斑 周緣部推壓用構件17同樣之動作，當㈣將 = 26之附近區域與上述相同地予以平坦化。 。载&域 以第6圖之實線顯示之狀態中，導電性接觸子μ之吁 端期望為尚未接觸於配線圖案22。 刖 +目冷電性接觸 318289 15 1307411 •==之保持具構件n之突出量係有鐘於此點而設計即 •】工°亦:’初期狀態中來自導電性接觸子14之保持具構件 配二突幸出^係在考量來自薄膜基板2之厚度(基材2!與 一 ·案2之厚度）以及中心部推壓用構件16等之接 兀1之突出量Η等之後，再來訂定為最適#之值即可。 件二後，進一步使接觸單元1下降時，周緣部推壓用構 :7係-邊慢慢地接受彈性力一邊縮小，不久如第7圖之 畛1所不，導電性接觸子14之前端會接觸於配線圖案22 連接用電極25。第8圖係以接觸單幻全體觀看第7圖 =之狀態時的圖。如該第8圖所示，薄膜基板2之中藉 A心部推壓用構件16及周緣部推壓用構件17所推^ ==大致平坦’因此感測器31與薄膜基板2之位；關 =為大致固定。因而，薄職板2之變形所導致的靜電 二：之？化係幾乎成為可忽視之程度’且感測器31之作動 $感度提升，動作穩定。結果，能進行更高精度之斷線檢 二使接觸單元】下降時，中心部推壓用構件Μ及周 在用Γ件I7會比導電性接觸子14要快接觸於薄膜 在導電性接觸子14開始接觸之時點，薄膜基板2 ==致平坦，因此複數個導電性接觸子14之前端係 同時地開始接觸於配線圖案22。結果，經過多數的檢杳後 之各導電性接觸子14之磨損程度係成為大致相同而益關 ^置位置。因而，能使導電性接觸子Μ對薄膜基板2;接 觸穩定化’且亦能使導電性接觸子“本身之耐 318289 16 1307411 -10圖係第9圖之B-B線剖視圖。該等圖所示之托台4係具 -備用以載置薄膜基板2之載置部4卜以及固接於該載置部 .41之同時裝設有負壓抽引用之噴嘴而成之抽引部42。 在載置部41之表面大致中央部，埋人有與上述實施形 態1說明相同之非接觸型感測器31，並且在載置部41表 面之感測器31的周邊部穿設有負壓抽引用孔部43(第9圖 中穿設有6個孔部43)。又，亦在載置部41表面之緣端部 附近穿設有複數個孔部44(第9圖中為12個）。各孔部Μ 攀及44係透過連絡用通路45連通於抽引部42之直空孔部 46(後述）。孔部杓及44之直徑係lmm左右。另一方面， 抽引部42係在載置部41所相對向之表面穿設有真空孔部 46,該真空孔部46之底面係連通於在未與載置冑μ相對 向之:的表面具有開σ端之貫穿孔部421。該貫穿孔部切 係裝設有抽引用f嘴47。兮i 47該喷鳴47係透過軟管48連接 真空泵49等真空產生機器。 迓按於 • 第11圖係顯示將薄膜基板2载置於托△ 4，^+吉# 栗的施加負墨之狀態圖。如該第田错由真空 電性接觸子1…妾觸單元5係==用以收容導 於美座谨杜” + 持具構件51固定支持 線^案22而#:持具構件51係對應薄膜基板2之配 …^:有複數個導電性接觸子14(賓略引線15)。 膜臭ίί’藉由對於薄膜基板2施加負壓，薄 膜基板2之中至少载置於載置部广 結果，感測器3】愈薄膜^?〜㉟ 知大料坦化。 卜… 基板2之位置關係保持固定，且能 k鬲斷線檢查之精度。又， 且月b 於铋查叶，由於複數個導電性 318289 18 1307411 -接觸子14大約同時接觸於配線圖案（之連接用電極25)，因 •此導電性接觸子14之磨損的進行程度也成為大致相同，且 月& k面作為檢查裝置之耐久性。 根據以上說明之本發明實施形態2,藉由對於作為檢 查對象之薄膜基板施加負壓，將該薄膜基板與其托台以大 致平行地固定，因此感測器與薄膜基板之間隔成為大致固 定，且埋入托台之感測器之作動敏感度提高，其動作穩定。 因此，與上述實施形態i相同地，能以高精度確實地進行 斷線檢查，將導電性接觸子之磨損的進行程度作成大致相 同而能使耐久性提高。 又，根據本實施形態2,將薄膜基板平坦化之際只要 施加負壓即可，因此亦有幾乎不會損傷薄膜基板表面之虞 之優點。 ' (實施形態2之變形例） 第12圖係顯示適用於本實施形態2之一變形例之檢查 φ裝置的托台之構成的俯視圖。此外，第13圖係第12圖之 c-c線剖視圖。該等圖所示之托台6係在載置部61設有用 以包圍感測器附近周邊之槽部63,在該槽部〇之底面 以預定間隔穿設有孔部64(第12 _中穿設有6個孔部64)。 又，在載置部61之周緣部以沿載置部61四個角落之方式 設有四個槽部65,在各槽部65之底面以設^間隔穿設有 孔部66(第12圖中為在一個槽部65穿設有3個孔部州。 才63及65之直從係lmm左右，其深度亦為同程度。各 孔邛64及66 k透過連絡用通路67連通於抽引部之真 318289 19 1307411 -等，在不脫離由專利申請範圍所特定之技術思想之範圍 内，可施以種種設計變更等。 (產業利用可能性） 如以上所示，本發明之檢查裝置係對於形成有包含使 用於電氣信號之輸入或輸出之配線圖案之複數個導電區域 在表面上之薄膜膜狀之檢查對象，對該配線圖案之導通檢 查為有用，尤其適用於檢測薄壁且缺乏剛性之檢查對象之 斷線。 •【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明實施形態丨之檢查裝置主要部分 之構成圖。 第2圖係第1圖之箭視a方向的箭視圖。 第3圖係顯示作為檢查對象之薄膜基板之構成圖。 第4圖係顯示適用於本發明實施形態丨之檢查裝置的 導電性接觸子之構成的剖視圖。 • 第5圖係顯示適用於本發明實施形態1之檢查裝置的 推壓用構件之構成的剖視圖。 第6圖係顯示將經變形之薄膜基板藉由周緣部推壓用 構件予以平坦化之狀況的說明圖。 第7圖係顯示使導電性接觸子連接於薄膜基板之配線 圖案之狀況的說明圖。 第8圖係顯不將薄膜基板經平坦化後之檢查裝置之狀 況圖。 第9圖係顯示形成本發明實施形態2之檢查裝置的一 21 318289 1307411 部分之托台之構成的仰視圖。 第10圖係第9圖之B-B線剖視圖。 第11圖係顯示將薄膜基板載置於托台，施加負壓後之 狀態圖。 、 之變形例之檢查 第12圖係顯示形成本發明實施形態2 裝置的一部分之托台之構成的仰視圖。 第13圖係第12圖之（ 主要元件符號說明】 ' 5 接觸單元 ' 4 ' 6托台 17 22 24 26 41 43 46 48 3
Ua第一構件 l2a第三構件 3 U 基座構件 15 導線 周緣部推壓用構 配線圖案 外引腳 晶片搭载區域 61載置部 44、64、66 孔部 68真空孔部 軟管 63 ' 65槽部 72 插座 -C線剖視圖。 2 薄膜基板 11 > 12 ' 51保持具構件 lib 第二構件 12b 第四構件 14 導電性接觸子 16 中心部推壓用構件 21 基材 23 内引腳 25 連接用電極 31 感測器 42 抽引部 45、 6 7 連絡用通路 47 喷嘴 49 真空泵 71 導管構件 3】8289 22 1307411 111、121a、121b、131 開口部 141、142 針狀構件 141a 143、162、172 彈簧構件 161、 161a ' 171a 抵接部 161b 161c、171c 前端部 161d 421 貫穿孔部 Η、h R 直徑 凸緣部 171 活塞 、171b 突出部 、171d 連接部 突出量 23 318289