JPH03199976A - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
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- JPH03199976A JPH03199976A JP1336661A JP33666189A JPH03199976A JP H03199976 A JPH03199976 A JP H03199976A JP 1336661 A JP1336661 A JP 1336661A JP 33666189 A JP33666189 A JP 33666189A JP H03199976 A JPH03199976 A JP H03199976A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は半導体装置の電気的特性を測定する際に使用
されるプローブカードに関する。
されるプローブカードに関する。
(従来の技術)
集積回路チップの電気的特性をウェーハ状態で測定して
良否の判定を行う、いわゆるウェーハ・ブロービング・
テストの際にはプローブカードが使用される。このプロ
ーブカードには、集積回路チップ上の電極パッドと接触
して、測定器との間で信号の授受を可能にさせる触子、
いわゆる接触針が設けられている。このようなプローブ
カードは、電極形状が小さくかつ電極間ピッチが小さな
被測定物に対する最適な触子として、はとんどのウェー
ハーブロービング・テストに用いられている。
良否の判定を行う、いわゆるウェーハ・ブロービング・
テストの際にはプローブカードが使用される。このプロ
ーブカードには、集積回路チップ上の電極パッドと接触
して、測定器との間で信号の授受を可能にさせる触子、
いわゆる接触針が設けられている。このようなプローブ
カードは、電極形状が小さくかつ電極間ピッチが小さな
被測定物に対する最適な触子として、はとんどのウェー
ハーブロービング・テストに用いられている。
ところで、最近、LSI(大規模集積回路)の多ピン、
高密度の実装方法の一つとして、第8図の上面図に示す
ように、フィルム41上に導電パターン42が形成され
、この導電パターン42の一部上にLSIチップ43が
ダイボンディングされたT A B (Tape Au
tomated Bonding)技術が知られている
。フィルム41上に搭載されたLSIチップ43は、ポ
ツティング樹脂とかトランスファモールド等による封止
用樹脂44によってパッケージジグされた後、個々の集
積回路に分離される。なお、フィルム41の両端(−刃
端部のみ図示)には送り用のスプロケットホール45が
一定間隔で形成されている。
高密度の実装方法の一つとして、第8図の上面図に示す
ように、フィルム41上に導電パターン42が形成され
、この導電パターン42の一部上にLSIチップ43が
ダイボンディングされたT A B (Tape Au
tomated Bonding)技術が知られている
。フィルム41上に搭載されたLSIチップ43は、ポ
ツティング樹脂とかトランスファモールド等による封止
用樹脂44によってパッケージジグされた後、個々の集
積回路に分離される。なお、フィルム41の両端(−刃
端部のみ図示)には送り用のスプロケットホール45が
一定間隔で形成されている。
上記TAB方式の集積回路は、最終製品の電極形状、寸
法等がウェーハ上の集積回路チップと類似している。こ
のため、従来、このTAB方式の集積回路の電気的特性
を測定する際には、つj−−ハ・ブロービング・テスト
で使用されるプローブカードと同じ構造のものが使用さ
れている。すなわち、第9図の側面図に示すように、プ
ローブカード本体46に設けられた接触針(ニードル)
47を、フィルム41上の導電パターン42に接触させ
ることによりブロービングが行われる。
法等がウェーハ上の集積回路チップと類似している。こ
のため、従来、このTAB方式の集積回路の電気的特性
を測定する際には、つj−−ハ・ブロービング・テスト
で使用されるプローブカードと同じ構造のものが使用さ
れている。すなわち、第9図の側面図に示すように、プ
ローブカード本体46に設けられた接触針(ニードル)
47を、フィルム41上の導電パターン42に接触させ
ることによりブロービングが行われる。
ところで、TAB方式の集積回路のブロービングに用い
られるプローブカードは、ウェーハ・ブロービング・テ
スト用のものに比べて寸法的に、例えば位置、ピッチ、
高さ等の点で製造が若干楽であり、この点については問
題はないが、根本的に異なるのは測定すべき集積回路の
形状にある。
られるプローブカードは、ウェーハ・ブロービング・テ
スト用のものに比べて寸法的に、例えば位置、ピッチ、
高さ等の点で製造が若干楽であり、この点については問
題はないが、根本的に異なるのは測定すべき集積回路の
形状にある。
ウェーハ・ブロービングは、はとんど平坦なチップ上の
電極パッドを探針するため、カードの針に余分な機械的
ストレスや変形を与えることなしに、安定した測定を行
うことができる。しかし、TAB方式では、連続したフ
ィルム上に電極が形成されているため、フィルム自体に
反りや変形が生じる。さらに、ダイボンディング後にチ
ップを樹脂で封止しており、この樹脂の硬化後の収縮に
よりフィルムは平面的な形状を保つことが困難になる。
電極パッドを探針するため、カードの針に余分な機械的
ストレスや変形を与えることなしに、安定した測定を行
うことができる。しかし、TAB方式では、連続したフ
ィルム上に電極が形成されているため、フィルム自体に
反りや変形が生じる。さらに、ダイボンディング後にチ
ップを樹脂で封止しており、この樹脂の硬化後の収縮に
よりフィルムは平面的な形状を保つことが困難になる。
このため、フィルム上に形成された電極に対しても、結
局、平面性がない状態でプローブカードの接触針が当て
られる。これにより、例えばフィルムが盛り上がった部
分では余分な機械的ストレスが接触針に加わり、針が変
形を起こし易くなる。
局、平面性がない状態でプローブカードの接触針が当て
られる。これにより、例えばフィルムが盛り上がった部
分では余分な機械的ストレスが接触針に加わり、針が変
形を起こし易くなる。
また、安定した測定を確保するために、接触針の一つ毎
に所定の加重をかける必要があり、そのためにはオーバ
ードライブ量(針が電極に軽く触れた点を0μmの原点
とし、この原点がらさらに数十μm〜数百μmだけ針を
食い込ませる量)を均一にかけることが要求されるが、
フィルムが変形しているために難しい。このフィルム変
形を軽減するために左右からテンションをかけて補正し
たり、チップを押さえたりして対処している。第10図
(a)は従来のプローブカードを用いてTAB方式の集
積回路に対してブロービングを行う際の状態を示す側面
図である。なお、図中の48は加圧骨は部である。
に所定の加重をかける必要があり、そのためにはオーバ
ードライブ量(針が電極に軽く触れた点を0μmの原点
とし、この原点がらさらに数十μm〜数百μmだけ針を
食い込ませる量)を均一にかけることが要求されるが、
フィルムが変形しているために難しい。このフィルム変
形を軽減するために左右からテンションをかけて補正し
たり、チップを押さえたりして対処している。第10図
(a)は従来のプローブカードを用いてTAB方式の集
積回路に対してブロービングを行う際の状態を示す側面
図である。なお、図中の48は加圧骨は部である。
上記のようにフィルムの変形を取り除くためにテンショ
ンをかけたり、チップを押さえたりしても、実際には数
十μm〜数百μmの範囲で反りが発生している。この状
態で第10図(b)の側面図に示すようにブロービング
を行うと、凸部と凹部とでは針に対する加重が異なり、
これによって針が変形するという不都合が生じる。また
、前記のように所定のオーバードライブを加えると、フ
ィルムが変形しているため、どの針が電極に触れた点を
0μmの原点とするか決定することができない。従って
、オーバードライブ量が少ない場合には接触抵抗が高く
なり、測定が不安定になる。
ンをかけたり、チップを押さえたりしても、実際には数
十μm〜数百μmの範囲で反りが発生している。この状
態で第10図(b)の側面図に示すようにブロービング
を行うと、凸部と凹部とでは針に対する加重が異なり、
これによって針が変形するという不都合が生じる。また
、前記のように所定のオーバードライブを加えると、フ
ィルムが変形しているため、どの針が電極に触れた点を
0μmの原点とするか決定することができない。従って
、オーバードライブ量が少ない場合には接触抵抗が高く
なり、測定が不安定になる。
逆にオーバードライブ量が大き過ぎると針が変形し易く
なり、電極の下地層(Cu層)まで突き抜け、接触抵抗
がさらに高くなり測定が極めて不安定になる等の不具合
があった。
なり、電極の下地層(Cu層)まで突き抜け、接触抵抗
がさらに高くなり測定が極めて不安定になる等の不具合
があった。
(発明が解決しようとする課題)
このように従来のプローブカードを用いてTAB方式の
集積回路に対しブロービングを行うと、測定が不安定に
なったり、プローブカードの接触針が変形したりすると
いう問題があった。
集積回路に対しブロービングを行うと、測定が不安定に
なったり、プローブカードの接触針が変形したりすると
いう問題があった。
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その目的は、安定な測定が行えると共に接触針の
変形を防止することができるプローブカードを提供する
ことにある。
あり、その目的は、安定な測定が行えると共に接触針の
変形を防止することができるプローブカードを提供する
ことにある。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
この発明のプローブカードは、被測定半導体装置の電気
的特性を測定器により測定して良否判定を行う際に、被
測定半導体装置上の導電パターンと接触し、測定器との
間で信号の授受を可能にする測定用接触子が設けられた
プローブカードにおいて、上記測定用接触子が接触する
導電パターンの近傍を押圧するための押圧手段を設けた
ことを特徴とする。
的特性を測定器により測定して良否判定を行う際に、被
測定半導体装置上の導電パターンと接触し、測定器との
間で信号の授受を可能にする測定用接触子が設けられた
プローブカードにおいて、上記測定用接触子が接触する
導電パターンの近傍を押圧するための押圧手段を設けた
ことを特徴とする。
この発明のプローブカードは、前記押圧手段が前記信号
の授受を行うための測定用接触子と同様の構成でなる押
圧用接触子で構成されていることを特徴とする。
の授受を行うための測定用接触子と同様の構成でなる押
圧用接触子で構成されていることを特徴とする。
この発明のプローブカードは、前記被測定半導体装置が
、フィルム上に半導体チップが搭載されたTAB方式の
半導体装置であることを特徴とする。
、フィルム上に半導体チップが搭載されたTAB方式の
半導体装置であることを特徴とする。
この発明のプローブカードは、前記押圧手段が、前記信
号の授受を行うための測定用接触子と同様の構成でなる
押圧用接触子で構成され、測定時にはこの押圧用接触子
の先端部が測定用接触子の先端部よりも先に被測定半導
体装置と接触するように構成されていることを特徴とす
る。
号の授受を行うための測定用接触子と同様の構成でなる
押圧用接触子で構成され、測定時にはこの押圧用接触子
の先端部が測定用接触子の先端部よりも先に被測定半導
体装置と接触するように構成されていることを特徴とす
る。
(作用)
この発明のプローブカードでは、測定の際に押圧手段に
より測定用接触子が接触する導電パターンの近傍を押圧
することにより、被測定半導体装置の平面性が確保され
、これにより安定な測定が行えると共に接触針の変形を
防止することができる。この発明は、特に、被測定半導
体装置がフィルム上に半導体チップが搭載されたTAB
方式の半導体装置である場合に極めて有効である。
より測定用接触子が接触する導電パターンの近傍を押圧
することにより、被測定半導体装置の平面性が確保され
、これにより安定な測定が行えると共に接触針の変形を
防止することができる。この発明は、特に、被測定半導
体装置がフィルム上に半導体チップが搭載されたTAB
方式の半導体装置である場合に極めて有効である。
(実施例)
以下、図面を参照してこの発明を実施例により説明する
。
。
第1図はこの発明に係るプローブカードを、このプロー
ブカードを用いて測定が行われるTAB方式の半導体装
置と共に示す側面図である。図において、11は例えば
ガラス・エポキシ基板からなるプローブカード本体であ
り、このカード本体11の表面には図示しないが所定の
配線パターンが形成されている。また、上記カード本体
11には、例えばタングステンによって構成された複数
の接触針(ニードル)12が樹脂等からなる固定部13
によって固定されている。これら各接触針12はカード
本体1■の表面に形成されている配線パターンと電気的
に接続されており、各接触針12はこの配線パターンを
介して図示しない測定器と接続されるようになっている
。さらに、上記カード本体11には、上記接触針12と
同様に例えばタングステンによって構成された複数の接
触針(ニードル)14が固定されている。これら各接触
針14は測定器とは接続されていない。
ブカードを用いて測定が行われるTAB方式の半導体装
置と共に示す側面図である。図において、11は例えば
ガラス・エポキシ基板からなるプローブカード本体であ
り、このカード本体11の表面には図示しないが所定の
配線パターンが形成されている。また、上記カード本体
11には、例えばタングステンによって構成された複数
の接触針(ニードル)12が樹脂等からなる固定部13
によって固定されている。これら各接触針12はカード
本体1■の表面に形成されている配線パターンと電気的
に接続されており、各接触針12はこの配線パターンを
介して図示しない測定器と接続されるようになっている
。さらに、上記カード本体11には、上記接触針12と
同様に例えばタングステンによって構成された複数の接
触針(ニードル)14が固定されている。これら各接触
針14は測定器とは接続されていない。
また、15はTAB方式の半導体装置である。この半導
体装置15は第2図の平面図に示すように、両端(−刃
端部のみ図示)に送り用のスプロケットホール16が一
定間隔で形成されている樹脂製のフィルム17、このフ
ィルム17の表面上に選択的に形成された導電パターン
18及び図示しない集積回路チップや封止用樹脂等で構
成されている。
体装置15は第2図の平面図に示すように、両端(−刃
端部のみ図示)に送り用のスプロケットホール16が一
定間隔で形成されている樹脂製のフィルム17、このフ
ィルム17の表面上に選択的に形成された導電パターン
18及び図示しない集積回路チップや封止用樹脂等で構
成されている。
そして、第1図に示すように、上記一方の接触針12は
ブロービングの際にフィルム17上の導電パターン18
と接触するような位置に配置され、他方の接触針14は
ブロービングの際に導電パターン18近傍のフィルム1
7と接触するような位置に配置されている。また、上記
他方の接触針14の先端部は一方の接触針12の先端部
よりも距離L(導電パターン18の膜厚よりも厚い、例
えば0.5mm〜1mm)だけ低くなるように固定され
ている。上記接触針14は、第3図の斜視図に示すよう
に、複数の接触針12毎に1本ずつ配置されている。
ブロービングの際にフィルム17上の導電パターン18
と接触するような位置に配置され、他方の接触針14は
ブロービングの際に導電パターン18近傍のフィルム1
7と接触するような位置に配置されている。また、上記
他方の接触針14の先端部は一方の接触針12の先端部
よりも距離L(導電パターン18の膜厚よりも厚い、例
えば0.5mm〜1mm)だけ低くなるように固定され
ている。上記接触針14は、第3図の斜視図に示すよう
に、複数の接触針12毎に1本ずつ配置されている。
このような構成のプローブカードを用いてブロービング
を行う場合には、第4図(a)の側面図に示すように、
フィルム17の下部に加圧受は部19を設置した状態で
カード本体11を降下させる。カ 0 −ド本体]1を降下させることにより、まず接触針14
が前記第2図中の領域Aに当接し、フィルム17を押圧
する。これにより、第4図(b)の側面図に示すように
、予めフィルム17に生じていた反りが除去され、フィ
ルム17が平坦化される。この後、さらにカード本体1
1を降下させると、接触針12が平坦化されたフィルム
17上の導電パターン18と接触する。
を行う場合には、第4図(a)の側面図に示すように、
フィルム17の下部に加圧受は部19を設置した状態で
カード本体11を降下させる。カ 0 −ド本体]1を降下させることにより、まず接触針14
が前記第2図中の領域Aに当接し、フィルム17を押圧
する。これにより、第4図(b)の側面図に示すように
、予めフィルム17に生じていた反りが除去され、フィ
ルム17が平坦化される。この後、さらにカード本体1
1を降下させると、接触針12が平坦化されたフィルム
17上の導電パターン18と接触する。
このように上記実施例のプローブカードによれば、予め
押圧用の接触針14によりフィルム17を押圧して平坦
化した後に、測定用の接触針12をフィルム17上の導
電パターン18と接触させるようにしているため、測定
用の接触針I2には均一の加重が加わり、これら接触針
12が変形することを防止することができる。また、所
定のオーバードライブを加える場合にも、容易に0μm
の原点が決定でき、所望のオーバードライブ量を加える
ことができるため、安定な測定を行うことができる。
押圧用の接触針14によりフィルム17を押圧して平坦
化した後に、測定用の接触針12をフィルム17上の導
電パターン18と接触させるようにしているため、測定
用の接触針I2には均一の加重が加わり、これら接触針
12が変形することを防止することができる。また、所
定のオーバードライブを加える場合にも、容易に0μm
の原点が決定でき、所望のオーバードライブ量を加える
ことができるため、安定な測定を行うことができる。
第5図はこの発明の他の実施例に係るプローブカードの
一部の構成を示す斜視図である。上記実1 施例ではフィルム17を押圧する手段として、測定用の
接触針12と同様の構成でなる押圧用の接触針14を設
ける場合について説明したが、この実施例ではこの押圧
用の接触針14の代わりに、前記スプロケットホール1
6の配列方向に延長された棒状の押圧体20を設けるよ
うにしたものである。この実施例では、特にフィルム1
7のパターン形状の制約により、接触針で押圧するべき
箇所が得られないとき、この押圧体20により導電パタ
ーン18の端部を押圧してフィルム17を平坦化するこ
とができる。
一部の構成を示す斜視図である。上記実1 施例ではフィルム17を押圧する手段として、測定用の
接触針12と同様の構成でなる押圧用の接触針14を設
ける場合について説明したが、この実施例ではこの押圧
用の接触針14の代わりに、前記スプロケットホール1
6の配列方向に延長された棒状の押圧体20を設けるよ
うにしたものである。この実施例では、特にフィルム1
7のパターン形状の制約により、接触針で押圧するべき
箇所が得られないとき、この押圧体20により導電パタ
ーン18の端部を押圧してフィルム17を平坦化するこ
とができる。
なお、この場合、押圧体20は絶縁性材料で構成するか
、もしくは表面を絶縁性樹脂で被覆する等して絶縁加工
する必要がある。
、もしくは表面を絶縁性樹脂で被覆する等して絶縁加工
する必要がある。
第6図はこの発明のさらに他の実施例に係るプローブカ
ードの構成を示す平面図であり、第7図(a)、(b)
はこのプローブカードをTAB方式の半導体装置と共に
示す側面図である。この実施例のプローブカードは、プ
ローブカード本体11に測定用の接触針12を設けると
共に、中央部に方形の窓部31が形成された押え板32
をバネ33を介し2 て固定するようにしたものである。そして、上記押え板
32に形成された窓部31を通じて各接触針12がフィ
ルム17上の導電パターンと接触するようになっている
。なお、前記各実施例の場合も同様であるが、プローブ
カード本体11の平面形状は図示のように円形をなして
いる。
ードの構成を示す平面図であり、第7図(a)、(b)
はこのプローブカードをTAB方式の半導体装置と共に
示す側面図である。この実施例のプローブカードは、プ
ローブカード本体11に測定用の接触針12を設けると
共に、中央部に方形の窓部31が形成された押え板32
をバネ33を介し2 て固定するようにしたものである。そして、上記押え板
32に形成された窓部31を通じて各接触針12がフィ
ルム17上の導電パターンと接触するようになっている
。なお、前記各実施例の場合も同様であるが、プローブ
カード本体11の平面形状は図示のように円形をなして
いる。
このような構成のプローブカードを用いてブロービング
を行う場合には、第7図(a)に示すように、フィルム
17の下部に加圧受は部19を設置した状態でカード本
体11を降下させることにより、まず押え板32がフィ
ルム17に当接し、押圧する。
を行う場合には、第7図(a)に示すように、フィルム
17の下部に加圧受は部19を設置した状態でカード本
体11を降下させることにより、まず押え板32がフィ
ルム17に当接し、押圧する。
これにより、予めフィルム17に生じていた反りが除去
され、フィルム17が平坦化される。この後、さらにカ
ード本体11を降下させると、接触針12が平坦化され
たフィルム17上の導電パターン(図示せず)と接触す
る。
され、フィルム17が平坦化される。この後、さらにカ
ード本体11を降下させると、接触針12が平坦化され
たフィルム17上の導電パターン(図示せず)と接触す
る。
この実施例のプローブカードは、前記第1図、第5図の
実施例のプローブカードにおける押圧用の接触針14や
棒状の押圧体20による押圧が不十分な場合や、これら
接触針14や押圧体20を取り付け3 る箇所が確保できない場合に有効である。
実施例のプローブカードにおける押圧用の接触針14や
棒状の押圧体20による押圧が不十分な場合や、これら
接触針14や押圧体20を取り付け3 る箇所が確保できない場合に有効である。
[発明の効果]
以上説明したようにこの発明によれば、安定な測定が行
えると共に接触針の変形を防止することができるプロー
ブカードを提供することができる。
えると共に接触針の変形を防止することができるプロー
ブカードを提供することができる。
第1図はこの発明に係るプローブカードを半導体装置と
共に示す側面図、第2図は上記第1図中の半導体装置の
詳細な構成を示す平面図、第3図は第1図のプローブカ
ードの接触針の配置状態を示す斜視図、第4図(a)+
’ (b)は上記構成のプローブカードを用いてブロー
ビングを行う場合の状態を示す側面図、第5図はこの発
明の他の実施例に係るプローブカードの一部の構成を示
す斜視図、第6図はこの発明のさらに他の実施例に係る
プローブカードの平面図、第7図(a)、(b)は上記
第6図の実施例のプローブカードを用いてブロービング
を行う場合の状態を示す側面図、第8図はTAB技術に
よる集積回路の上面図、第9図は従来のプローブカード
を半導体装置と共に示4 す側面図、第10図(a)、(b)は上記従来のプロー
ブカードを用いてブロービングを行う場合の状態を示す
側面図である。 11・・・プローブカード本体、12・・・接触針(ニ
ードル)13・・・固定部、14・・・接触針(ニード
ル)、15・・・TAB方式の半導体装置、16・・・
スプロケットホール、17・・・樹脂製のフィルム、1
8・・・導電パターン、19・・・加圧骨は部、20・
・・押圧体、31・・・窓部、32・・・押え板、33
・・・バネ。
共に示す側面図、第2図は上記第1図中の半導体装置の
詳細な構成を示す平面図、第3図は第1図のプローブカ
ードの接触針の配置状態を示す斜視図、第4図(a)+
’ (b)は上記構成のプローブカードを用いてブロー
ビングを行う場合の状態を示す側面図、第5図はこの発
明の他の実施例に係るプローブカードの一部の構成を示
す斜視図、第6図はこの発明のさらに他の実施例に係る
プローブカードの平面図、第7図(a)、(b)は上記
第6図の実施例のプローブカードを用いてブロービング
を行う場合の状態を示す側面図、第8図はTAB技術に
よる集積回路の上面図、第9図は従来のプローブカード
を半導体装置と共に示4 す側面図、第10図(a)、(b)は上記従来のプロー
ブカードを用いてブロービングを行う場合の状態を示す
側面図である。 11・・・プローブカード本体、12・・・接触針(ニ
ードル)13・・・固定部、14・・・接触針(ニード
ル)、15・・・TAB方式の半導体装置、16・・・
スプロケットホール、17・・・樹脂製のフィルム、1
8・・・導電パターン、19・・・加圧骨は部、20・
・・押圧体、31・・・窓部、32・・・押え板、33
・・・バネ。
Claims (4)
- (1)被測定半導体装置の電気的特性を測定器により測
定して良否判定を行う際に、被測定半導体装置上の導電
パターンと接触し、測定器との間で信号の授受を可能に
する測定用接触子が設けられたプローブカードにおいて
、 上記測定用接触子が接触する導電パターンの近傍を押圧
するための押圧手段を設けたことを特徴とするプローブ
カード。 - (2)前記押圧手段が前記信号の授受を行うための測定
用接触子と同様の構成でなる押圧用接触子で構成されて
いる請求項1記載のプローブカード。 - (3)前記被測定半導体装置が、フィルム上に半導体チ
ップが搭載されたTAB方式の半導体装置である請求項
1記載のプローブカード。 - (4)前記押圧手段が、前記信号の授受を行うための測
定用接触子と同様の構成でなる押圧用接触子で構成され
、測定時にはこの押圧用接触子の先端部が測定用接触子
の先端部よりも先に被測定半導体装置と接触するように
構成されている請求項3記載のプローブカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1336661A JPH03199976A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1336661A JPH03199976A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | プローブカード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03199976A true JPH03199976A (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=18301485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1336661A Pending JPH03199976A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | プローブカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03199976A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6686753B1 (en) | 1999-09-13 | 2004-02-03 | Nec Electronics Corporation | Prober and apparatus for semiconductor chip analysis |
WO2006132243A1 (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Nhk Spring Co., Ltd. | 検査装置 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP1336661A patent/JPH03199976A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6686753B1 (en) | 1999-09-13 | 2004-02-03 | Nec Electronics Corporation | Prober and apparatus for semiconductor chip analysis |
WO2006132243A1 (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Nhk Spring Co., Ltd. | 検査装置 |
JP2006343197A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Nhk Spring Co Ltd | 検査装置 |
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