TWI305009B - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
305009 玖、發明說明: iL術領域 本發明係關_有金屬佈線之半導體裝置之製造方法, 特別係關於具有以雙道金 劁忐、屬,表瓜法(duaI damascene meth〇d) 1成《金屬佈線之铸體裝置之製造料。 先前#撤 朝著微細化和多層化之方向發展 下面’參考附圖,說明 月自知又丰導體裝置中之多層化金 屬佈線之形成方法。 i 圖7⑷)〜目7(C)、圖8⑷及圖8(b)係按習知之半導體裝 置之製造方法下之4順序顯示之多層料中之含通2 (V!a hole)之部份之剖面結構。 〜圖7⑷所不,於半導體基板(未示)上依次沉積由氧化石夕 寺製成之第1絕緣膜1()1及第2絕緣膜m。接著,於第2 絕緣膜1〇2之一定區域上形成下佈線形成溝,隔著由氮化 _成之第1 p且擒膜1G3及由叙製成之第2阻擔膜ι〇4於 所形成之下伟線形成溝中填滿由銅製成之下侑線1〇5。之 後再依'人,儿積由氮化珍製成之第3絕緣膜1 06、由氧化石夕 I成之第4絕緣膜丨〇7及第5絕緣膜〗〇8。接著,於第$ 絕緣膜108之對應於下佈線1〇5之上侧區域上形成上佈線 形成溝⑽a。接著,於第3絕緣膜1〇6及第4絕緣膜1〇7 之對應於上佈線形成溝丨08a之下側區域有選擇地形成使下 佈線1 05露出之通孔1 〇7a。
O:\87\870 丨 2-95072l.DOC 1305009 如圖7(b)所示,利用、像 J用錢射法等於第5絕緣膜ι〇8上, 包含通孔107a及上佈緩 ^ 果禾成溝108a之底面及壁面之整個 面上依次沉積由氮化叙製成之第!阻播膜1〇9及“製成 之第2阻擋膜11〇。 成 如圖7⑷所示,利用賤射法等於第2阻擔膜110上,於 。《通孔107a及上佈線形成溝ι〇8&之底面及壁面之整個 面上沉積鍍銅種予層lu,之後,如圖8⑷所示,利用 鍍膜法,將由銅製成之上饰線形成層腸埋於通孔咖 及上佈線形成溝1 08a中。 如圖8(b)所τ ’利用化學機械研磨法等將沉積於第$絶 緣膜_上之上佈線形成層U2A除掉,且將其上面平扭 化’而從上佈線形成層U2A形成上佈線U2B及通道 (Via)U2C。之後,再於已平坦化之第5絕緣膜108及上佈 線11 2B上形成第6絕緣膜丨丨3。 …而A上述白知 < 半導體裝置之製造方法下,若佈線 义鉍’田化it 衣入’則很難借助鍍膜法將上伟線形成層 112A埋於通孔107a中。 两 換言之,因為隨著饰線之微細化,㈣1〇7a之縱橫比(= 深度和開口直徑之比)增大’故要求於對通孔咖沉積第i 阻擔膜109、第2阻播膜11〇及鑛膜種子層⑴時,各自之 濺射原子具有更高之直進性(非等向性)。 另一方面’若賤射原予之直進性增大,則如圖9⑷之滅 射工序所示’便無法於通孔驗之壁面下部充分地沉積第 1阻擋膜109、第2阻擒膜11〇及鍍膜種子層ηι,而導致
0:\8 7\8 7012-950721. DOC 1305009 薄膜化。尤其是,於第1阻擋膜109、第2阻擋膜110之膜 厚很薄 < 情形,構成鍍膜種子層n i之銅原子會凝聚起來, 而無法形成膜厚-樣之膜’導致膜不連續。結果係,如圖 9(b)之鐘膜工序所示’上佈線形成| ιΐ2Α纟充填於通孔 1〇73中,而"見了被稱為空隙(v〇id)或者縫p(seam)107b 之空洞狀態之缺陷。 、=不能保n線形成層1Ϊ2Α確實充填於通孔i〇7a中 《情形’便會出現以τ現象’即通道(via)112c及佈線、 ⑽《私阻增大’發生電子遷移或者應力遷移等而導致多 層件線之可靠性大大地下降。 若此時增大第1阻擋膜1〇9、第2阻擋膜n〇及鍍膜種子 層⑴各自之膜厚,又會如圖1〇⑷之錢射工序所示,形成 通孔1 07a之開口邵份上端之突出部份⑴&會變大。結 2 ’於圖尋)之鍵膜工序中,通孔胸之幾乎整個内 #都成為縫口 l〇7c。 於本=明正是為解決這些問題而研究開發者。其目的係在 戈广…伟線形成溝及通孔,製成不會出 次者縫口且埋入特性優1之金屬佈線。 製^達成本么明疋目的,本發明提高了一種半導體裝置之 ::法’即對藉由滅射法形成之底層中位於連 ^_份以’至少有—部份沉積於連接孔之壁面之7 具體而言,本發明所 關係又半導體裝置之製造方法,係 3:'S7\S70|2.95〇721 D〇c 1305009 2於基板上形成擁有連接孔之絕緣膜之第1工序;於 連接孔《壁面及底面之絕緣膜上形成導電性之底層之 弟2工序;對底層施行賤射蚀刻而將沉積於連接孔底面上 2展層之至少一部份沉積於連接孔之壁面之下部之第3工 序;以及利用鑛膜法於底層上形成金屬層之第4工序。 根據本發明之半導體奘 I虫列以义. 置之製造万法,對底層施行丨賤射 後,設於絕緣財之連接孔之底面上之底層之至少 =份:沉積於連接孔之壁面之下部,故沉積於連接孔之 戶下奴履層 <膜厚增大。是以於連接孔之壁面下部底 ^係連續著沉積者。結果係,於連接孔之 厂 之覆蓋力提高,而可防止衮 土 D辰層 、一 防止谷易出現於連接孔底部之角落里 <不連續(膜破損洛里 而且係於沉積好底層之後,對所沉於 > 产 ^ μ. , su -r ,λ. ' <底層施行賤射 = 使形成於連接孔之開口部份上端之突出部份 疋以為利用鍍膜法將金屬層埋入連接孔中確保了 個充分大之開口面積。結要孔中確保了— 現空品 、"防止於連接孔之内部出 '逢寺,而可提高金屬層之埋入特性。 於底層為阻播層4梏犯 ^ , -連接孔之辟二 猎由輪 虫刻,該阻播層中覆 皿連接孔《壁面下邵之部份變厚且復 覆蓋起來,故可抑製構成金屬層之原子:連接孔之壁面 絕緣膜之界面。結果儀, “ ’ D •同原子擴散至 力遷移性等。…、、而抗電子遷移性或者是抗應 而且,於底層為阻擋層之情形, 面之部份會因為.賤# Ί ^ s中位於連接孔之底 為物刻而變薄’金屬原子亦即容易在充
O:\87\S70J2-95072I.DOC 1305009 、、;匕接孔中之金屬層和形成於其下側之下佈線之間擴 政’結果係’能抑制於連接孔底部出現空隙,亦即提高了 抗電子遷移性。而且,由於底層變薄了,故可減小佈 阻。 % ,於本發明之半導體裝置之製造方法中,較佳者,係底層 為由金屬製成之錄膜種子層,鍵膜種子層及金屬層以銅: 主成份。 八於本發明之半導體裝置之製造方法中,底層為防止構成 至屬層《原予擴散至絕緣膜中之阻擔層,於本發明之 體裝置之製造方法中,於第3工序和第4工序之間,進: ^羅有.於包含連接孔之壁面及底面之阻擔層上形成由金 屬製成之鍍膜種子層之第5工序。 … 進於=形’較佳者,係於第5工序和“工序之間, 接孔广面對麵膜種子層施行賤射钮刻,而使沉積於連 面底面上之鐘膜種子層之至少-部份沉積於連接孔之壁 面^下邵之第6工序。 於:層為阻擔層之情形,較佳者,係鍍 層以銅為主成份。 ㈢夂至屬 於底層為阻播層之情形’較佳者, 去阻擒層中沉積於連接孔底面之部份。 序中除 於底層為阻擋層之情形,較佳 凰十土你阻擒層由南橡點令 屬或者孩高熔點金屬之氮化物製成。 此時之阻擋層,較佳者,係由下阻擋; 下阻擋層由高炼點金屬之氮化物'且^層構成, 成,上阻擋層由高熔點
O:\87\870I2-95072I.DOC 1305009 金屬製成。對上阻挎s 及第3工序。%和下阻擔層各自重覆施行第2工序 實施方式 (第一個實施形態) 參考附圖,說明本發明之—個實施形態。 圖1(a)、圖1(b)〜圖仏、 ()、圖6(b)係顯示按本發明 固實爾所關係之半導體裝置之製造方法中 顯示之多層佈線中含通孔(連接孔)之部份之剖面結構。貝序 之:二2 Γ所示:例如利用CVD法於由邦i)製成 “眼土(不)上依次沉積由於氧化矽中加入硼和 而獲得之BPSG(Boron Ph〇sph〇_s版咖⑴咖)製成舞 1:緣膜U及第2絕緣膜12;利用微影法及乾式蝕刻法, 於第2絕緣膜12之—定區域形成下佈線形成溝。之後,利 用歲射法4含有下佈線形成溝之m緣膜12這整個面 上沉積由氮化㈣TaN)製成之下阻擒層13及由㈣叫製成 《上阻擋層i4。接著’再利用濺射法於上阻擋層14上沉積 由鋼(Cu)製成或者由以銅為主成份之合金製成之鍍膜種子 層(未不)。《後,利用電解鍍膜法,於鍍膜種子層上沉積由 銅或者銅合金製成之金屬層。接著,利用化學機械研磨 (CMP)法除去沉積於第2絕緣膜12上之下阻擋層、上阻擔 層及金屬層,藉此由充填於下佈線形成溝中之金屬層形成 下佈線1 5。 之後,例如利用CVD法依次沉積由氮化矽(Si3N4)製成 之第3絕緣膜16、由BPSG製成之第4絕緣膜17及由μ% O:\87\87O12.9S0721.DOC -Π - 1305009 製成之第5絕緣膜18。接著,於第5絕緣膜18之對應於下 佈線15之上側區域上形成上佈線形成溝18&。接著,於第 3絕緣膜及第4絕緣膜17之對應於上佈線形成溝w 《下側區域有選擇地形成使下佈線15露出之通孔…。之 後,再施行利用了氛(Ar+)氣體之賤射蚀刻將氧化銅(形成於 =通孔m露出之下佈線15之表面上之自然氧化膜)等除 如圖Ub)所示,經過該濺射蚀刻以後,上佈線形成溝… 及通孔m之開口部份之上端分別變圓,擴張開了,故於 以後之工序中沉積阻擒層和鐘膜種子層之後,開口部份之 面積變大。結果係,鍍膜法下之金屬層之埋入特性良好。 如圖2⑷所示,利用賤射法於包含通孔m及上佈線形 成溝w之壁面及底面之第4絕緣膜17上沉積厚度約 25_、由驗製成之下阻擒層19。此時之賤射係於對乾 材施加約10kw之直流電源之條件下施行者。之後,約將 直’“源降至2kw左右,對半導體基板(試樣)施加約200w 之RF電源,對下阻擔層19施行使用了氯氣、额刻量為5峨 左右《濺射蝕刻,藉此將沉積於通孔17a之底面之下阻擋 層之至少-部份沉積於通孔17a之壁面之下部。該由^ 化4s製成之下阻擔声1 9 ^ , 入 说盾19’係為防止於後工序巾所形成之上 佈線及構成通孔之鋪肩子批典3 e / W > 〈幻原于擴政至罘4絕緣膜丨7及第5絕 膜1 8中而設者。藉此,阶κ 7 j 精 防止銅原子擴散之下阻擋層;[9於 通孔之至少壁面之下部其覆蓋力提高了,同時厚 了。
O:\87\870I2-95072I.DOC •】2- 1305009 如圖3(a)所示,利用濺射法於包含通孔丨化及上佈線形 成溝18a之壁面及底面之下阻擂層19上沉積厚度約 10nm、由/3 _麵(石-Ta)製成之上阻播層2〇。和下阻擋層19 —樣,此時之濺射係於對靶材施加約1〇kw之直流電源之 條件下施行者。這裡,由钽製成之上阻擋層2〇係作為於後 工序中形成鍍膜種子層之底層而設者。鍍膜種子層與第4 絕緣膜17及第5絕緣膜18間之㈣性便由於該上阻擒層 2〇之存在而提高了。需提—下,已知:與^起相比,万_ 备相對銅(Cu)之粘著性更高。 如上所述,因為若使半導體裝置微細化,通孔i7a之縱 铖比便.菱大’所以若想於下阻擋層i 9及上阻擋層上獲 得至通孔Ha之壁面下部為止厚度約3nm〜5nm左右這樣 足夠之厚度’就必須於第4絕緣膜17及第5絕、緣膜18上 面沉積厚度約30nm〜50nm左右之阻擋層19、2〇。結果係, 如圖3(a)所不’於通孔! 7a之開口部份之上端形成突出部 份20a,而使通孔17a之開口面積變小。 心圖3⑻所不《工序中’使直流電源約為2kW,對半導 體基板施加约2卿之RF電源,對上阻擔層2〇施行利用 了氬孔、蝕刻里在5nm左右之濺射蝕刻。藉由該濺射蝕刻, 而將沉料通孔17a底面之上阻擒層2G之至少―部份沈積 万、通孔1 7a《壁面《下部之下阻擒層工9上。藉此,上㈣ 層j〇(鍍膜種子層之底層)於通孔l7a之至少壁面之下部= 覆蓋力提南了,同時也變厚了。 藉此,根據本實施形態,因為通孔i7a壁面下部之下阻
O\S7\870l2-950721.DOC 13 1305009 =19及±㈣層20之覆蓋力,較沉積後再分別施行之 阻^性之__所實現之覆蓋力為高,故即使每—個 ,* Η 19 20之-開始之沉積膜厚減小了’也能確保下阻 擒層19對銅原子之阻擋性及上阻擔層⑼對鐘膜種子層之 枯著性。 曰 《後’因為對每—個阻擔膜19、2G而言,沉積後之賤射 姓刻’也可將沉積於第4絕緣膜η及第5絕緣膜18上面 =個阻擋膜19、20之膜厚減小,故開口部份上端之突出 Ρ知便減少了。同時,因為也能使每一個阻擋層1 9、中 通孔17a之底面上部份之膜厚減少,故通孔之佈線電阻減 小。因此,若對每一個阻擋層19、2〇之濺射蝕刻,僅僅係 施行至除去每一個阻擋層19、2〇中通孔i7a之底面上部份 之程度,通孔之佈線電阻便減少。 其次,如圖4(b)所示,利用對靶材施加約3〇kw之直流 電源之濺射法,於包含通孔丨7a及上佈線形成溝i 8a之壁 面及底面之上阻擋層20上沉積厚度約1〇〇nm、由銅(Cu)製 成或者由以銅為主成份之合金製成之鍍膜種子層21 ^鍍膜 種子層2 1和阻擋層1 9、20 —樣,若想獲得至通孔2 7a之 壁面下部為止厚度約l〇nm〜15nm這樣足夠之厚度,就必 須於第5絕緣膜18上面沉積厚度約100nm〜 i5〇nm左右之 鍍膜種子層21。結果係’如圖4(b)所示,於通孔} 7a之開 口部份之上端形成突出部份21a’而使通孔na之開口面積 變小。更有甚者,係於該工序中形成缝口 1 7b。因鍍膜種子 層2 1係為後工序之鍍膜工序中之鍍銅之底層,故不能使該 O:\S7\S70i2-9S072LDOC • M- 1305009 鍍膜種子層2】於半導體基板上中斷,而是應該連續。因此, 於鍵膜:種子層2】又〇、击接· 4 ττν 不疋連、.男耆形成之情形,於鍍膜工序中, 會於通孔之下部形成空隙等,如圖9(b)所示。 於圖5(a)所示之下一個工序中,使直流電源約為2請, 對半導體基板施加約·RF電源,對鏟膜種子層η 施行利$ 了氬氣、蚀刻量在5〇nm纟右之_姓刻。藉由該 濺射蝕刻’而將沉積於通孔17a底面之鍍膜種子層η之至 J β卩知'儿積於通孔1 7a之壁面之下部之下阻擋層1 9上, 如圖5(b)所示。藉此,鐘膜種子層2ι(鐘膜種子層之底層) 於通孔I7a之至少壁面之下部其覆蓋力提高了。而且,鍍 膜種子層2 1巾《第4絕緣膜】7及第5絕緣膜j 8上部份之 、旱也減丨、故通孔17a之開口部份上端之突出部份2 ! & 之大出量便鲶小。結果係,給通孔17 a確保了一個於後工 序中施行鍍銅所必需之開口直徑。 如圖6(a)所示,利用電解鍍膜法,於通孔17&及上佈線 形成溝1 8a中埋入由銅製成之上佈線形成層22a。 如圖6(b)所不,藉由CMP法等將沉積於第5絕緣膜 上 < 上佈線形成層22A除去並將其上面平坦化,而由由銅 I成之上佈線形成層22A形成上佈線22B及通道22C。 而k 下,於本貫施形態中,第4絕緣膜17、第5絕緣 膜18與鍍膜種子層21之間之下阻擋層19及上阻擋層2〇, 為由氮化妲(TaN)和钽(Ta)之疊層結構’並不限於此,既可 例如使下阻擋層丨9為氮化鎢(WN),使上阻擋層2〇為鎢; 又可使阻擋層為其他高熔點金屬或者其氮化物。而且,阻
O:\87\870J2-950721.DOC •15- 1305009 闲層1 9、2 0也不必為叠層結構。 用銅作了構成下佈線1 5、上佈線22Β及通道22C之金屬 材科,並不限於此,還可使用銘(Α1)、銀(Ag)等金屬或者是 其之合金。 係用賤射法沉積下阻擒層19、上阻擒層2〇及鍵膜種子 層21者’並不限於此’還可使用CVD法來沉積下阻擋層 19、上阻擋層20及鍍膜種子層21。 發明效果 根據本發明所關係之半導體裝置之製造方法,因為可將 ’几積於連接孔壁面τ部之底層之膜厚形成得較厚,故於連 接孔之壁面下部底層亦係連續者。結果係,料接孔之壁 面下部底層之覆蓋力提高,而可防止容易出現料接^ 郅之角落處之不連續。 而且,因為可使連接孔之開口部份上端之突出部份減 小’藉此為利㈣膜法將金屬層埋人連接孔中確保了—個 充分大之開口面積’故可防场連接孔内部出現空隙或者 缝口,提高金屬層之埋人特性。結果係,能實現半導體裝 置之多層佈線之進一步微細化。 附圖簡單說明 圖i⑷及圖Ub)係顯示按本發明之_個實_態 之半導體裝置之製造方法中之工藝順序顯示之多層,、 含通孔之部份之剖面結構。 之 - 卿員她邓態所關 半導體裝置之製造方法中之工蓺 、 5 -順序頜不 < 多層佈铸 O:\87\87012-950721 .DOC 一 16- 1305009 含通孔之部份之剖面結構。 圖3(a)及圖3(b)係顯示按本發明之—個實a 之半導體裝置之製造方法中之工藝順序顯示她:態所關係 含通孔之部份之剖面結構。 夕層佈線中 圖4(a)及圖4(b)係顯示按本發明之—個 之半導體裝置之製造方法中之工藝順序顯示施,態所關係 含通孔之部份之剖面結構。 < 夕層佈線中 圖5(a)及圖5(b)係顯示按本發明之一個/ 之半導體裝置之製造方法中之工藝順序顯示所關係 含通孔之部份之剖面結構。 夕胃佈、線中 圖6(a)及圖6(b)係顯示按本發明之一 之半導體裝置之製造方法中之工蓺施形態所關係 含通孔之部份之剖面結構。^序顯^多層佈線中 圖7⑷、W 7(b)關7(⑽_示按習知之半導 製造方法中之工藝順序顯示之多 姐罝乏 剖面結構。層佈線中含通孔之部份之 圖8⑷及圖8⑻係顯示按習知之半導體裝置之製 中之工藝順序顯示之多層体線中 、:/ 構。 〜#份I剖面結 圖9⑷及圖9(b)係顯示按習知之半導體裳置之製 工藝順序顯示之多層稀線中含通孔之部份之剖面結 圖⑽及圖剛係顯示按習知之半導體裝置之 法中之工藝順序顯示之多層佈線 〈。卩份之剖面結
O:\87\87Ol2-9S072I.DOC -17- 1305009 構。 符號說明 11 第1絕緣膜; 12 第2絕緣膜; 13 下阻擋層; 14 上阻擋層; 15 下佈線; 16 第3絕緣層; 17 第4絕緣層; 17a 通孔(連接孔), 18 第5絕緣層; 18a 上佈線形成溝; 19 下阻檔層(底層); 20 上阻擋層(底層); 20a 突出部份; 21 鍵膜種子層(底層); 21a 突出部份; 22A 上佈線形成層; 22B 上佈線; 22C 通道。 O:\87\S7OI2-95072I.DOC -18 -
Claims (1)
1305009 拾、申請專利範園: 1 ·—種半導體裝置之製造方法,其特徵係在於: 擁有: 於基板上形成擁有連接孔之絕緣膜之第1工序; 於包含所述連接孔之壁面及底面之所述絕緣膜上形成 導電性之底層之第2工序; 對所述底層施行濺射蝕刻而將沉積於所述連接孔底面 上 < 辰層之至少—部份沉積於所述連接孔之壁面之下部 之第3工序;以及 Q 利用鎮膜法於所述底層上形成金屬層之第4工序; 、水且於前述第3工序中,使前述底層之—部份殘留於前 圮I接孔之底面上,同時使沉積於前述連接孔壁面下部 之前述底層的膜厚增厚。 2‘如叫求項丨 < 半導體裝置之製造方法,其中: 所述底層’係為由金屬製成之鍍膜種子層, 所述鑛膜種子層及金屬層,係以銅為主要成份。 3·如請求項1之半導體裝置之製造方法,其中: 所述底層,係為防止構成所述金屬層之原子擴散至所 述絕緣膜中之阻擒層; 於所述第3工序和所述第4工序之間,進一步擁有: 於包含所述連接孔之壁面及底面之所述阻擋層上形成由 金屬製成之鍍膜種子層之第5工序。 4.如,青求項3之半導體装置之製造方法,其中: 於所述第5工序和所述第4工序之間’進一步擁有: O:\87\870l2-950721.DOC 1305009 對所述鍍膜種子層施彳,而使沉積於所述連接 孔底面上之鍍膜種子層之至少_部份沉積於所述連接孔 之壁面之下部之第6工序; 且於前述第6工序中,使前述鍍膜種子層之-部份殘 留於前述料孔之底面上,同時使沉積於前述連接孔壁 面下。卩之如述鍍膜種子層的膜厚增厚。 5. 如請求項4之半導體裝置之製造方法,其係於前述第6 工序中’使沉積於前述連接孔壁面下部之前述鍍膜種子 層的膜厚增厚,且使位於前述連接孔的開口部上端之前 述鍍膜種子層之突出部分縮小。 6. 如請求項4之半導體裝置之製造方法,其係於前述第6 工序中,使沉積於前述連接孔壁面下部之前述鍍膜種子 層的膜厚增厚’且以前述鐘膜種子層均句覆蓋前述連接 孔。 7·如請求項4之半導體裝置之製造方法,其係^前述第$ 工序中’對I巴材施加直流電源’以濺射法沉積前述鍛膜 種子層; 並於第6工序中,降低前述直流電源,對前述基板施 加RF電源,且利用氬氣以賤射姓刻之方式姓刻前述鐘膜 種子層。 8. 如請求項3之半導體裝置之製造方法,其中: 所述鐘膜種子層及金屬層’係以趣j為主成彳八。 9. 如請求項3之半導體裝置之製造方法,其中. 於所述第3工序中,除去所述阻擋層中沉積於所述連 O:\87\87012-95072l.DOC -2- 1305009 接孔底面之部份。 I 0.如請求項3至9中任—項夕主道μ . Τ1頁< +導體裝置之製造方法,其 中. ’、 係由高炫點金屬或者該高炫點金屬之氮 所述阻擒層 化物製成。 中任—項之半導體裝置之製造方法,其 11.如請求項3至 中: 所l阻擔層’係由下阻擔層和上阻播層構成 層由高熔點金屬之氮化物製成, 丨擋 製成; 上阻检層一點金屬 對料上阻精層和下阻擒層各自重㈣㈣” 2 I 序及弟3工序。 12•如請^項^《半導體裝置之製造方法,其係於前述第3 工序中使冰積於前述連接孔壁面之二 二部分部上端之前述底層 i3.m”導體裝置之製造方法’其係於前述第: = 述連接孔壁面Μ之前述 居曰 乂則述底層均勻覆蓋前㈣接孔。 14 _如猜求項1之本道祕斯苗、 工序中,對把材、“' 方法,其係於前述第 且第3工去况積則返底層 嗜,並對 層之激射触刻,係降低前述 則迷基板施加RF電源,且利用氬氣。 〇A87\87〇12-950721.D〇C 1305009 柒、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(2 )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明: 捌、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 11 第1絕緣膜; 12 第2絕緣膜; 15 下佈線; 16 第3絕緣層; 17 第4絕緣層; 17a 通孔(連接孔); 18 第5絕緣層; 18a 上佈線形成溝; 19 下阻擋層(底層) O:\87\87012-950721.DOC
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