TWI304511B - Liquid crystal display device having light-shield color filter pattern and method for fabricating the same - Google Patents

Liquid crystal display device having light-shield color filter pattern and method for fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
TWI304511B
TWI304511B TW092133743A TW92133743A TWI304511B TW I304511 B TWI304511 B TW I304511B TW 092133743 A TW092133743 A TW 092133743A TW 92133743 A TW92133743 A TW 92133743A TW I304511 B TWI304511 B TW I304511B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
color filter
electrode
liquid crystal
layer
display device
Prior art date
Application number
TW092133743A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200500753A (en
Inventor
Kim Woong-Kwon
Park Seung-Ryull
Original Assignee
Lg Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Display Co Ltd filed Critical Lg Display Co Ltd
Publication of TW200500753A publication Critical patent/TW200500753A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI304511B publication Critical patent/TWI304511B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

1304511 _案號 92133743_年月日__ 五、發明說明（1) 本發明申請案於2 0 0 2年1 2月2 6日以韓國專利申請第 P 2 0 0 2 - 0 0 8 4 6 1 1號提出中請，本說明書於此一併述明以為 參照。 · 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種具有光遮蔽彩色濾光片圖案之液晶 顯示裝置，更詳細地說，本發明是關於在薄膜電晶體的結 構上，製作一個具有彩色濾光片圖案，沒有黑色矩陣陣列 基板的方法。雖然本發明有著很廣泛的應用領域，但特別 適合運用來增加開口率並減化其製造程序。
的 耗 消 能 電 低 輕 薄 有 具 置 裝 示 顯 面 平 為 3 因 術， 技常 前通 先 rL 攜運 可泛D) C 在廣 L 用被C 運最示 被，顯 常中晶 經當液 以置是 所裝便 ，示器 性顯示 特面顯 平的 的腦 多電 眾型 在上 。桌 置及 裝型 示上 顯膝， 的在 式用、 彩 度 析 解 在 其 為 因 置 裝 向 異 的 學 光 子 分 晶 。液 越到 優用 當運 相會 者 ， 上像 質影 品的 示要 顯需 、生 示產 顯了 像為 影 色 齊齊 對對 /ov /OW /9 BZCTH 定定 特特 有該 子正 分修 晶夠 液能 性小 特大 的場 殊電 特子 其分 於晶 源液 。在 性加 極施 偏。 和向 性方 改根 夠會 能光 ，射 小入 大， 場性 電向 的異 上學 子光 分其 晶於 液由 在。 加向 施方 ’齊 說對 話的 句子 換分 。晶 向液 方變 隔 間 被 面 '對 面 個 兩 了 含 包 。置 射裝 折示 而顯 齊晶 對液 的， 子說 分來 晶體 液具 該 據
1304511 案號 92133743 年η 曰 修正 五、發明說明（2) Β曰 開的、帶有電極的上、下基板，並會於其中注入一種液 物質。因此，當施加一個電壓經由上下基板的電極到該液 晶物質時，液晶分子的對齊方向會隨著施加的電壓而改 變，進而顯示影像。藉由控制施加的電壓大小，該液晶顯 示裝置能夠提供不同的光線穿透以顯示影像資料。 液晶顯示（LCD)裝置由於具有輕、薄、低電能消耗 的特性，因而被廣泛的應用在辦公室自動化（0A)和影像 設備中。在眾多不同型態的的液晶顯示裝置當中，主動陣 列液晶顯示（AM-LCDs)以矩陣的方式排列其薄膜電晶體 和像素電極，因而能提供高的解析度及優良的移動影像品 質。一個典型的液晶顯示面板包含了上、下基板，並有一 液晶層注入其間。該上基板（請參照為一個彩色濾光片基 板）包含一個共同電極和數個彩色濾光片。該下基板（請 參照為一個陣列基板）包含了數個薄膜電晶體 (TFT’ s)，譬如像數個切換單元和數個像素電極。 如同之前所述，液晶顯示裝置是基於施加電場於該共 同電極和該像素電極，造成液晶分子的排列方向不同的原 理來運作。因此，該液晶分子的功能就如一種光學模組單 元，隨著施加電壓的極性而產生不同的光學特性。 圖1的展視圖舉例說明了先前技術的一個主動陣列液 晶顯示裝置。如圖1所示，該液晶顯示裝置1 1包含了一個 上基板5 (請參照為一個彩色濾光片基板）和一個下基板 2 2 (請參照為一個陣列基板），其間注入的一個液晶層 1 4。在該上基板5上，一個黑色矩陣6和一個彩色滤光片層
第8頁 1304511 案號 92133743_年 j j 修正_ 五、發明說明（3) 8以一種陣列矩陣的方式形成一個有複數個紅（R)、綠 (G)、藍（B)彩色濾光片，且被該黑色矩陣6圍繞的集 合體。此外，在該上基板5上亦形成了一個覆蓋該彩色濾 光片層8和該黑色矩陣6的共同電極1 8。
在該下基板2 2上，相對應於彩色濾光片層8的陣列矩 陣，設有複數個薄膜電晶體T。另設有線路彼此垂直交錯 的複數條閘極線1 3和複數條資料線1 5，使得每一個薄膜電 晶體T鄰接於每一條閘極線1 3和資料線1 5的交錯點。此 外’複數個像素電極1 7形成在該下基板2 2之閘極線1 3和資 料線1 5所定義出的像素區域p上。該像素電極1 7由一種具 高導電性的透明導體所組成，譬如氧化銦錫（丨τ〇)或氧 化銦鋅（I Ζ 0)。 仍如圖1 ’ 一個儲存電容C被安置於對應的一個像素Ρ ，’亚且平行地連接其電極1 7。該儲存電容C是由一作為 第一電容電極的部分閘極線1 3，一作為第二電容電極的儲 ，^屬層3 0，以及_注入於其間的絕緣體（如圖2數字工6 $不）所組成。因為該儲存金屬層3 0通過一個接觸孔和像 I Ϊ極1 7連接’因而該儲存電容味電性上可視為與該像 素電極1 7相接觸。
，圖1先前技術的液晶顯示裝置所示，一個掃瞄訊號 =t ΐ閘極ί 1 3施加到薄膜電晶體T的閘電極；一個資料 k ，忒貝料線丨5施加到薄膜電晶體Τ的源電極。結 來Μ = Γ = 14的液晶分子便會依據該薄膜電晶體τ的操作 ' 列入射光通過該液晶層1 4後會被其控制而顯
第9頁 _案號 92133743 1304511 修正
五、發明說明（4) 示-個影像。即是說’感應在該像素電極和共同 18的電場會重新排列液晶層14的液晶分子，.使得 丄7和 根據該感應電場轉換成想要的影像。 、光％ 當製造如圖1的液晶顯示裝置丨丨時，該上基板5备 基板22對齊並黏貼。在此製程中，該上基板5可能和下 基板22不對齊。由於黏貼該上、下基板（5及22)如σ = 個微小錯誤’就可能會造成製造完成的液晶顯了 漏光現象。 夏11有 圖2為一沿著圖1線丨丨—丨丨，的橫斷面概圖，舉例說 先前技術的液晶顯示裝置的一個像素。 了 如圖2所示’先箾技術的液晶顯示裝置包含了上基板 5，下基板22，和注入其間的液晶層i 4。該上下基板5和u 被彼此隔開’並於其間注入該液晶層1 4。該上下基板5和 22經常個別地被參照為一個彩色濾光片基板和一個陣列基 板’因為該彩色濾光片層8形成在碎上基板上，並且複數 個陣列單元形成在該下基板2 2上。 在圖2中，薄膜電晶體τ在下基板2 2的前表面上形成。 該薄膜電晶體Τ包含一個閘電極3 2、一個活性層3 4，一個 源電極3 6和一個汲電極3 8。在該閘電極3 2和活性層3 4之 間’會注入一個閘絕緣層1 6，為了保護閘電極3 2和閘極線 1 3 °如圖1所示，該閘電極3 2為閘極線丨3的延伸，該源電 極3 6為貧料線1 5的延伸。所有的閘電極、源電極、和汲電 極3 2、3 6和3 8均由金·屬物組成，同時，活性層3 4則由矽組 成。在該薄膜電晶體Τ上另外形成一個鈍化層4 0作保護之
1304511 _案號 92133743_年月日 修正 五、發明說明（5) 用。在像素區域P中，由透明導電物形成的該像素電極1 7 被配置在該鈍化層4 0上，並且接觸到沒電極3 8和儲存金屬 層3 0 〇 同時，如之前所述，該閘電極1 3係作為儲存電容C的 一第一電極，並且，該儲存金屬層3 0係作為儲存電容C的 一第二電極。因此，該儲存電容C為由閘電極1 3和儲存金 屬層3 0所構成，並於其間插入閘絕緣層1 6。 仍參考圖2，該上基板5與下基板2 2間隔開來，且位於 薄膜電晶體T之上。在上基板5的後表面，配置一個黑色矩 陣6，其位置係對應到該薄膜電晶體T，該閘極線1 3和資料 線1 5。該黑色矩陣6形成在上基板5的整個表面上，並且， 如圖1所示，有許多的開口對應到下基板2 2的像素電極 1 7。除了該像素電極1 7的部分外，該黑色矩陣6的作用在 防止液晶顯示面板的漏光。該黑色矩陣6保護薄膜電晶體T 不會曝露於光線中，使得該黑色矩卩車6防止了在薄膜電晶 體T内光電流的產生。該彩色濾光片層8形成在上基板5的 後表面上並覆蓋了該黑色矩陣6。每一個彩色濾光片8都有 一個紅色彩色濾光片層8 a、綠色彩色濾光片層8 b或藍色彩 色濾光片層8 c的顏色，並且對應到像素電極1 7上的一個像 素區域P。一個由透明導電物質形成的共同電極1 8被配置 在該彩色濾、光片層8，並於上基板5之上。 如上之先前技術的液晶顯示裝置所述，該像素電極1 7 會與彩色濾光片一對一的對應。除此之外，為了防止該像 素電極1 7、閘極線和資料線1 3和1 5的串音現象，如圖2所
1304511 案號 92133743 年 月 修正 五、發明說明（6) 示，該像素電極1 7和資料線1 5會以距離A隔開，和閘極線 1 3會以距離B隔開。在該像素電極1 7、閘極和資料線1 3和 1 5之間所形成的開放空間A和B會造成液晶顯示裝置的失 靈，例如，漏光現象。即是說，該漏光現象主要發生在該 開放空間A和B，因此形成在上基板5的黑色矩陣6必須要覆 蓋該開放空間A和B。然而，當上基板5要和下基板2 2安置 在一起時或以相反的方式安置時，該上基板5和下基板2 2 可能會不對齊。因此，該黑色矩陣6會延伸至完全覆蓋該 開放空間A和B。也就是說，該黑色矩陣6設計用來提供一 個對齊的餘裕空間以防止漏光。然而，在該延伸黑色矩陣 6的情況中，——個液晶顯示面板的開口率會隨著該黑色矩 陣6餘裕空間的加大而減少。此外，如果該黑色矩陣6的餘 裕空間有錯誤的話，漏光現象仍會在開放空間A和B發生， 並且使液晶顯示裝置的影像品質惡化。 此外，在圖1和2的先前技術中，，該黑色矩陣6是以對 應到薄膜電晶體T的位置形成在上基板5上’而後保護該薄 膜電晶體T不受外面入射光的影響。因此，在薄膜電晶體T 的活性層3 4上，該黑色矩陣6防止了因入射光引起可能會 有光電流現象的發生。然而，當上基板5和下基板2 2發生 不對齊時，該黑色矩陣6未必能保護薄膜電晶體T，致光電 流仍於薄膜電晶體T的活性層上產生，於此，降低了液晶 顯示裝置的影像品質。 【發明内容】
第12頁 1304511 _案號 92133743_年月日__ 五、發明說明（7) 因此，本發明係為了液晶顯示裝置，提出一種製造具 有一彩色濾、光片在薄膜電晶體T( color fiiter-〇n-thin f i 1 m t r a n s i s t o r， C 0 T)結構的陣列基板的方法（該陣列 基板也一並提出），使其能從實質上來消除先前製造技術 的限制及缺點。 因此，本發明的實施例提供了一個陣列基板和使其呈 現一個高開口率的一種形成方法。 本發明的一個實施例係為了液晶顯示裝置，提出一種製造 一個具有一 C0T結構的陣列基板的方法，其將簡化製造過 程並增加製造的良率。 本發明的另一個實施例提供了一個陣列基板和該基板 的一種形成方法，藉由使用複數個彩色濾光片圖案，此方 法能夠保護薄膜電晶體，並且藉由使用彩色濾光片圖案而 防止光電流。 本發明其他的特徵和優點，將烈舉於接下來的說明 中，部份將顯見於其中之說明，或可由實施本發明而習 得。本發明之目的和其它的優點，可由所載明之說明和申 請專利範圍，加上所附諸圖所特別指出的結構，得以實現 並達成。 如同文中廣泛且實例的說明，為了達到本發明這些及 其他的特色、優點，一個液晶顯示裝置包含了複數個閘極 線，其係沿著橫方向，形成在第一基板上，每一個閘極線 都包含一個閘電極；一個第一絕緣層，其係形成在第一基 板上，以覆蓋閘極線和閘電極；複數個資料線，其係沿著
1304511 _案號92133743_年月日__ 五、發明說明（8) 縱方向，形成在第一絕緣層上，該些資料線和閘極線定義 了複數個像素區域，每個像素區域包含了一 ’個源電極；一 個薄膜電晶體，其係形成在每條閘極線和資料_的交叉區 域，每個該薄膜電晶體包含一個閘電極、一個半導體層.、 一個源電極和一個沒電極；一個在每一個像素區域内的第 一絕緣層上的彩色濾光片，每一個彩色濾光片具有紅、綠 和藍三種顏色中的一個顏色，該彩色濾光片並有複數個汲 接觸孔接觸到汲電極；一個光遮蔽彩色濾光片圖案，其係 在每個薄膜電晶體上，每一個該彩色濾光片圖案包含紅、 綠和藍色的彩色合成樹脂中的至少兩種；一個在每一個像 素區域内，及該彩色濾光片上的像素電極，每一個像素電 極會接觸到一個汲電極；一個在第二基板上的共同電極， 該共同電極面對第一基板；以及一個注入在該共同電極和 該像素電極之間的液晶層。 本發明的另一種實施方式，一種製造液晶顯示裝置的 方法包含：在第一基板上沿著橫方向，形成複數個閘極 線，每一條閘極線包含一個閘電極；在第一基板上，形成 一個第一絕緣層，以覆蓋閘極線和閘電極；在第一絕緣層 上沿著縱方向，形成複數條資料線，該些資料線和閘極線 定義了複數個像素區域，每一個該像素區域包含了 一個源 電極；在每一條閘極線和資料線交叉區域的形成一個薄膜 電晶體，每一個薄膜電晶體包含一個閘電極、一個半導體 層、一個源電極和一個沒電極；在每一個像素區域内的第 一絕緣層上，形成一個彩色濾光片，每一個該彩色濾光片
1304511 案號 92133743 月 曰 五、發明說明（9) 都有紅、綠和藍三種顏色中 有一個汲接觸孔接觸到汲電 成一個光遮蔽彩色濾光片圖 包含了紅、綠和藍三種顏色 色；在每一個像素區域内的 素電極，每一個像素電極會 基板上，形成一個共同電極 以及在該共同電極和該像素 另一個實施方式為，一 種陣列基板的製造方法，其 數個閘極線和複數個閘電極 線，該閘電極為該閘極線的 第一絕緣層，以覆蓋閘極線 形成非晶態矽的活化層和摻 配置每一個活化層和歐姆接 資料線、複數個源電極和複 極線定義了複數個像素區域 到歐姆接觸層，並且被互相 該資料線的延伸，於此，在 一個薄膜電晶體；在一個紅 色的彩色濾光片，且在每一 的彩色濾光片圖案；在一個 綠色的彩色慮光片9且在每 色的彩色濾光片圖案；在一 的一個顏色，該彩色濾光片並 極；在每一個半’導體層上，形 案，每一個該彩色濾光片圖案 彩色合成樹脂的至少兩種顏. 該彩色濾光片上，形成一個像 接觸到一個沒電極；在一第二 ，該共同電極面對第一基板； 電極之間，形成一個液晶層。 種為了液晶顯示裝置使用的一 包含：在一個基板上，形成複 ，並沿著橫方向配置該閘極 延伸；在該基板上，形成一個 和閘電極；在第一絕緣層上， 雜非晶態矽的歐姆接觸層，並 觸層在閘電極上；形成複數個 數個〉及電極’該些貢料線和閘 ，其中，該源和汲電極會接觸 間隔開，且其中，該源電極為 閘極線和資料線的交叉點完成 色的像素區域内，形成一個紅 個薄膜電晶體之上，形成紅色 綠色的像素區域内，形成一個 一個薄膜電晶體之上，形成綠 個藍色的像素區域内，形成一
第15頁 1304511 案號 92133743 -ί：_η 曰 修正 五、發明說明 個藍色的 藍色的彩 濾光片之 中，形成 紅-綠和 光片圖案 (10) 彩色濾光片，且 色濾光片圖案； 上的每一個像素 該紅、綠和藍色 藍色中至少兩種 在每一個薄膜電晶體之上，形成 並且，在該紅、綠和藍色的彩色 區域内形成一個像素電極；其 的彩色渡光片會形成一個包含. 彩色濾光片圖案的光遮蔽彩色濾 閘極 個該 在第 其係 極線 極； 交叉 體層 成在 個在 一個 一個 一和 綠和 濾光 得該 光的 另一 線， 閘極 一基 沿著 定義 複數 區域 、該 第一 第二 液晶 在像 第二 藍色 片圖 光遮 侵入 個實 其係 線包 板上 縱方 了複 個薄 ，每 源電 基板 基板 層， 素區 基板 合成 案被 蔽彩 ，每 施方 沿著 含一 ，以 向， 數個 膜電 式為，一個液晶顯示裝置包含：複數個 橫方向 個閘電 覆蓋閘極線和閘 形成在 像素區 晶體， 極； 形成在一個第一基板上，每一 第一絕 第一 一個薄膜電 極和 上的 上的 其係 域内 其中 樹脂 配置 一個汲 像素區 共同電 注入在 具有複 域， 其係 晶體 電極 域内 極， 該共 數個 個 絕緣 每個 形成 都包 ;複 ，並 該共 同電 彩色 一個之上，每一 的其中一種；並 在第一和第二基 案能夠覆 光片圖案 色濾光片圖 一個彩色濾 電極； 層上， 資料線 在閘極 含該閘 數個像 且接觸 同電極 極和該 濾光片 個彩色且，複 板的其 蓋半導 包含紅 緣層，其 複數個資 該些資料 係形成 料線， 線和閘 包含一個源電 線和資料線一個 電極、一 素電極 到該 面對 像素 ，其 濾光 數個 中一 體層 、綠 源電 第一 電極 被配 片包 光遮 個之 以遮 和藍 個半導 其係形 極；一 基板； 之間； 置在第 含紅、 蔽彩色 上，使 蔽入射 色的合
第16頁 1304511 案號 92133743 年月曰 修正 五、發明說明（11) 成樹脂中的至少兩種，且該樹脂被依序配置在該半導體層 和弟二基板之間。 應理解的是’本發明之以上一般性說明和以下之詳細 說明’係屬於示範性和解釋性，以及意在對申請專利範圍 所凊求之本發明’提供更進一步的說明。 【實施方式】
兹將詳細說明本發明的實施例，其範例係圖示在所附 諸圖中。在諸圖中會盡可能地，從頭至尾以相同的參考數 字描述圖中相同或相似的部品。 下述之圖示’係為了提供本發明更進一步之了解而成 為本說明書之一部分，並且與本發明之實施例，共同用以 解釋本發明之原理。 圖3為依據本發明的第一實施例，在薄膜電晶體結構 上有一個彩色濾光片的一個陣列基槔的部分擴大平面圖。
如圖3所示’ 一個陣列基板1 〇〇包含配置在橫方向的複 數個閘極線1 1 6和配置在縱方向的複數個資料線1 2 6。該複 數個閘極線1 1 6和該複數個資料線1 2 6彼此交錯並定義出數 個像素區域P。一個薄膜電晶體τ在該閘極線u 6和該資料 線1 26的每一個交點形成。該薄膜電晶體丁包含一個閘電極 1 1 2、一個活性層1 2 〇、一個源電極i 2 2和一個汲電極1 2 4。 5亥閘電極1 1 2為閘極線1 1 6的延伸’該源電極1 2 2為資料線 12 6的延伸。該汲電極124橫過閘電極112與源電極122隔 開’並且，外型如島狀的該活性層會配置在源電極122和
第17頁 1304511
汲電極1 2 4之間。 在閘極線116和資料線126定義出的像 有複數個彩色濾光片132a、132b、U2c。此1内— 像素區域P，會配置一個對應的像 」在每一 4 134會和旁邊的資料線126重叠，以達成高的開3素電名 一步的是，該像素電極134會和前一個像素閘率。更幻 部分重疊，以接觸到一個儲存電容 ^電1|6的- 會接觸到薄膜電晶體τ的没電極124,使得ί J : t 4並 薄膜電晶體T溝通。 便仔/、此在電性上孽
同時，該儲存電容cs被包含於該閘極線116的— 分、一個絕緣體（未顯示）和一個儲存金屬層127中。 此，該閘極線i丨6的一部分可當作該儲存電容q妁一= 一電極來用，該儲存金屬層1 2 7可當作該儲存電容c _ 個第一電極來用。如上所述，該像素電極丨3 4在電性3上 觸到該儲存金屬層丨27，使得其在電性上與該
並聯。 · 卞屯谷C 如图3的陣列基板1 〇 〇有一個彩色渡光片在薄膜電晶體 (cot)上的結構。在如此的c〇T結構上，該彩色濾光片曰_ 1 3 2形成在陣列基板1 〇 〇上。更進一步說，一個黑色矩陣並 未f成在該陣列基板1 0 0，而是對應於薄膜電晶體T，會配 f複數個光遮蔽彩色濾光片圖案1 3 6，使得每一個光遮蔽 彩色渡光片圖案1 3 6能保護薄膜電晶體T不受入射光侵犯， 並防止在/舌性層1 2 〇產生的光電流的干擾。雖然未在圖3上 顯不’但每一個光遮蔽彩色濾光片圖案1 3 6包含了二或三
1304511 ___案號92133743_年月 曰 佟庀 _ 五、發明說明（13) 層的彩色合成樹脂圖案。該光遮蔽彩色濾光片圖案1 3 6的 厚度幾乎與每一個彩色濾光片層1 3 2相同。囱為當形成陣 列基板1 0 0時，防止入射光侵犯的黑色矩陣並奉使用到， 所以就可減少製程步驟的數目並達到製程的穩定。 圖4為一個沿著圖3線I V - I V的斷面圖，舉例說明了依 據本發明製成一個液晶顯示的一個實施例。 如圖4，一個閘電極1 1 2在一個第一基板上形成，具有 一個第一電容電極11 4的一條閘極線1 1 6也在該第一基板上 形成。雖然未在圖4上顯示，但顯示在圖3當中，該閘電極 11 2為該閘極線11 6的延伸。一個閘絕緣層1 1 8在該基板上 形成，以覆蓋該閘電極11 2、該第一電容電極1 1 4和該閘極 線1 1 6。一個非晶態矽的活性層1 2 0 a在閘絕緣體1 1 8上，特 別也在閘電極11 2之上，攙入雜質之非晶態；ε夕的歐姆接觸 層1 2 0 b在活性層1 2 0 a上形成。這些活性層1 2 0讲歐姆接觸 層1 2 0 b建構了 一個半導體層1 2 0。源、和汲電極1 2 2和1 2 4是 為了覆蓋該半導體層1 2 0的歐姆接觸層1 2 0 b而形成。該源 和沒電極1 2 2和1 2 4橫過閘電極11 2被彼此隔開。該源電極 1 2 2連接到一與閘極線1 1 6定義出一個像素區域p的資料線 1 2 6。在該第一電容電極11 4之上，會形成一個外型如島狀 的第二電容電極128。該第一電容電極Π4和第二電容電極 1 2 8會與注入其間的閘絕緣層11 8形成一個儲存電容c ST。 在該源和沒電極1 2 2和1 2 4之間，該歐姆接觸層1 2 0 b的 一部分會被餘去，使得一個通道c h可在該活性層1 2 0 a露出 的部分形成。該閘電極1 1 2，半導體層1 2 〇，源和汲電極
1304511 _案號 92133743_年月日__ 五、發明說明（14)
1 2 2和1 2 4建構了一個薄膜電晶體T。一個有紅色彩色濾光 片（R) 132a、綠色彩色濾光片（G) 13 2b和藍色彩色濾光 片（B) 1 3 2 c的彩色濾光片層1 3 2在像素區域P内形成。即 便是，該紅（R) 132a、綠（G) 132b、藍（B) 132c色的 彩色濾光片被個別地配置在一個紅色的像素區域P r•、一個 綠色的像素區域P浐一個藍色的像素區域p朽。該彩色濾 光片層1 3 2有一個汲接觸孔1 3 0以露出部分的汲電極1 2 4。 此外，該彩色濾光片層1 3 2有一個電容接觸孔1 3 1以露出部 分的第二電容電極1 2 8。一個像素電極1 3 4會在每一個彩色 濾光片132a、132b、或132 c上形成，並且配置在每一個像 素區域P r、P我P朽。該像素電極1 3 4經由該沒接觸孔1 3 0和 電容接觸孔1 3 1會個別地接觸到該汲電極1 2 4和第二電容電 極 128〇 同時，一個光遮蔽彩色濾光片圖案1 3 6會配置在該薄 膜電晶體T上。該光遮蔽彩色濾光片圖案1 3 6包含了依序在 薄膜電晶體T上層疊的紅、綠和藍色彩色濾光片圖案 1 3 6 a、1 3 6 b和1 3 6 c。該紅色的彩色濾光片圖案1 3 6 a與該紅 色的彩色濾光片1 3 2 a—起形成，該綠色的彩色濾光片圖案 1 3 6 b與該綠色的彩色濾光片1 3 2 b —起形成，該藍色的彩 色濾光片圖案1 3 6 c與該藍色的彩色濾光片1 3 2 c —起形 成。在圖4中，該紅色的彩色濾光片圖案1 3 6 a與鄰接的該 紅色彩色濾光片1 3 2 a形成如一個結合體，該藍色的彩色濾 光片圖案1 3 6 c也與鄰接的該藍色彩色濾光片1 3 2 c形成如一 個結合體。
1304511 案號 92133743 Λ_η 曰 修正 五、發明說明（15) 仍如圖4，一個第二基板1 5 0與該第一基板Π 0隔開配 置並互相面對。在第二基板1 5 0的一個後表®，會形成一 個共同電極1 5 2。一個液晶層1 7 0注入在第一和第二基板 1 1 0和1 5 0之間。該液晶層1 7 0的厚度稱為液晶盒間隙。 如圖4，該光遮蔽彩色濾光片圖案1 3 6有1 3 6 a、1 3 6 b和’ 1 3 6 c 三種彩色濾光片圖案，並且保護薄膜電晶體T不受入射光 的干擾。當形成該彩色濾光片1 3 2 a、1 3 2 b和1 3 2 c時，該光 遮蔽彩色濾光片圖案1 3 6也會同時形成。因此，防止入射 光干擾到薄膜電晶體的黑色矩陣就不需要了 。因為與黑色 矩陣相同，用以防止入射光干擾的光遮蔽彩色濾光片圖案 1 3 6與彩色濾光片層1 3 2—起形成，因此可以減少製程步驟 的數目。 該光遮蔽彩色濾光片圖案1 3 6的厚度是相同於或小於 在每一個像素區域P r、P戎P内，每一個彩色濾光片1 3 2的 厚度。更進一步說，該光遮蔽彩色濾光片圖案1 3 6是在製 造的過程中，利用繞射曝光的方法來調整其厚度。如果該 紅、綠和藍色彩色濾光片132a、132b和132c厚度的代表符 號為T R、T和T B，且該紅、綠和藍色彩色濾光片圖案1 3 6 a、 13 6b和13 6c厚度的代表符號為Tr、T浐Tb，則該彩色濾光片 1 3 2和彩色濾光片圖案1 3 6能以下述不等式表示：
Tr<TR，T#口 Tg TB Tg<TG， T < Uv Τ,< ΤΒ Tb<TB，Τ < Τ < TR 更進一步說，如果在光遮蔽彩色濾光片圖案13 6和共
第21頁 1304511 -案號.一^mzi3 一一年月—曰 倏正_ 五、發明說明（16) " 同電極152之間的該液晶盒間隙以c為其代表符號，則該液 晶盒間隙應該要大於零，也就是說，C 〇。. 當該紅、綠和藍色f色濾光片132^ 132晌132c依序 地形成時，該紅、綠和藍色彩色濾光片圖案i 36a、J 36b和 1 3 6c的堆疊順序能夠運用到所有的陣列基板上。 圖5為一個斷面圖，舉例說明了依據本發明製成一個 液晶顯不的另一個實施例。在圖5中，該光遮蔽彩色濾光 片圖案有著與圖4不同的結構和配置。因為圖5與圖4中的 液晶顯示相似’將於此處及其後略過一此解釋。 在圖5中，擁有一個閘電極212、一個半導體層220、 一個源電極2 2 2和一個汲電極2 2 4的一個薄膜電晶體τ在一 個第一基板2 1 0上形成。更進一步地，擁有一個第一電容 電極2 1 4、一個閘絕緣層2 1 8和一個第二電容電極2 2 8的儲 存電容C sltiL在該第一基板2 1 〇上形成。紅、綠和藍色彩色 濾光片2 3 2 a、2 3 2 b和2 3 2 c也在該儲卉電容c s和薄膜電晶體 T之上’像素區域p内形成。該彩色濾光片層2 3 2有一個汲 接觸孔2 3 0，其曝露出汲電極2 2 4的部分和一個電容接觸孔 2 3 2，其曝露出第二電容電極2 2 8的部分。一個像素電極 2 3 4在每一個彩色濾光片2 3 2 a、2 3 2 b和2 3 2 c上形成，並經 由該沒接觸孔2 3 0和電容接觸孔2 3 1個別地接觸到該汲電極 224和第二電容電極228。 同時，一個第二基板2 5 0會與該第一基板2 1 0隔開。一 個共同電極2 5 2會在第二基板2 5 0的一個後表面形成。一個 液晶層2 7 0會注入於該像素電極2 3 4和共同電極2 5 2之間。
第22頁 1304511 案號 92133743 _η 修正 五、發明說明（17) 擁有一個紅色彩色濾光片圖案2 3 6封口 一個藍色彩色濾光片 圖案2 3 6b的一個光遮蔽彩色濾光片圖案2 3 6是在薄膜電晶 體T的正上方形成。不似圖4的光遮蔽彩色濾光片圖案 1 3 6，圖5的光遮蔽彩色濾光片圖案2 3 6有兩層的彩色濾光 片圖案2 3 6a和2 3 6b。此外，該彩色濾光片圖案2 3 6_ '2 3 6b 也可以是紅和綠色，或者綠和藍色。該紅、綠和藍色彩色 濾光片2 3 2 a、2 3 2 b和2 3 2 c在照相平板印刷的各個製程中， 使用光敏感合成樹脂而形成。因此，當形成該紅色彩色濾、 光片2 3 2 a時，該紅色彩色濾光片圖案2 3 6 a也會同時形成， 並且，當形成該藍色彩色濾光片2 3 2 c時，該藍色彩色濾光 片圖案2 3 6 b也會同時形成。如圖5實施例所舉例說明，當 形成該綠色彩色濾光片2 3 2 b時，在薄膜電晶體T之上並無 彩色濾光片圖案形成。 如果該紅、綠和藍色彩色濾光片2 3 2a、2 3 2b和2 32c厚 度的代表符號為T R、T和T b，並且，，如果該紅和藍色彩色濾 光片圖案2 3 68^ 2 3 61}厚度的代表符號為1'和1\，則該彩色 濾光片2 3 2和彩色濾光片圖案2 3 6的關係能以下述不等式表 不 ·
TjXTr’ 和 /或 Ί\ TR，和/或T在TB Ί\〈Τβ’ 和 /或 更進一步說，如果在光遮蔽彩色濾光片圖案2 3 6和共 同電極2 5 2之間的液晶盒間隙以C為其代表符號^則該液晶 盒間隙應該要大於零，也就是說，C t> 0。
第23頁 1304511 _案號92133743 玍 日 五、“7兒明⑽---_ 為了形成相對較小厚度τ和τ的 圖案2 3 6咖2 3 6 b，會使用一鍤鲈且復 孤巴心色慮先片 少光照射的劑量。…優點地繞’射曝光法來減 在薄膜電晶體和彩色濾光片層之間 ； 的絕緣層。當形成該附加的絕緣層日寺，；曰的展σ 該有一個汲接觸孔，其曝露出爷 ^付加的、、、邑緣層應 孔，其曝露出該第二電；；和-個電容接觸 性上與薄膜電晶體和儲存電容接觸’該像素電極在電 …6;為數個沿著圖3線1 V-1¥的斷面圖，舉例說明 了依據本毛明的一個實施例，製造一 光片圖案陣列基板製程的各步驟。固”有先遮敝衫色慮 在圖6A中，一個第一金屬層沉積在一美 卜，你曰拍械甘m也 個基板1 1 0的表 Λ Λ 成一條閘極、線116和一個閘電極 -電容㈣114的作用，並且盥之後J丄16的-部分作為第 建構出一個儲存電容。後形成的第二電容電極 在圖6Β中，一個閘絕緣層U8 (第 "〇上形成，以覆蓋該問極線116和閑電二層；= 層脳-個非有機物質形成，譬如氮化二二，二緣 化H1〇2)。一個内部為晶態矽層（a-Si:H)和Χ -個η型 的晶態石夕層（A— Si:H)依序地沉積在該閘絕 緣層118整個的表s，然後，經過一個遮罩印刷過程同時 地產生圖案，以形成一個活性層^ 2 〇 a和一個歐姆接觸層 12 0b。該活性層120a位於該閘電極1 12之上，該歐姆接觸
1304511 ——_ —__案號92133743_年月 日 佟1_ 五、發明說明（19) 層1 2 0 b則位於該活性層1 2 0 a之上。該活性層1 2 0 a和歐姆接 觸層120b建構了 一個半導體層120。
在圖6 C中，在形成該活性層1 2 0 _歐姆接觸層1 20 b之 後，一個第二金屬層會沉積在基板1 1 0上，然後，經過一 個遮罩印刷過程產生圖案，以形成一個源電極1 2 2、一個 汲電極1 2 4、一條資料線1 2 6和一個第二電容電極1 2 8。該 第二金屬層可由鉻（Cr)、銅（Cu)、猛（Μη)和在此處 的任一元素所組成的合金的其中之一所形成。該源電極 1 2 2為該資料線1 2 6的延伸，並接觸到該歐姆接觸層1 2 0 b的 一部分。該沒電極1 2 4與該源電極1 2 2分開，並接觸到到該 歐姆接觸層1 2 0 b的其它部分。該第一電容電極1 2 8會與部 分的閘極線1 1 6重疊，使得與閘極線1 1 6重疊的部分變成第 一個的第二電容電極1 2 8。因此，在該源電極和汲電極1 2 2 和1 2 4之間歐姆接觸層1 2 0 b的一部分，會用該源電極和汲 電極1 2 2和1 2 4的遮罩樣式來钱刻，以露出活性層1 2 〇 a，至 此’完成一個薄膜電晶體T和一個儲存電容c S]^j製作。參 知圖3和4的說明’該薄膜電晶體T是由該閘電極1 1 2、該半 導體層1 2 0、該源電極1 2 2和該汲電極1 2 4所組成。並且， 該儲存電容Cs是由該部分的閘極線n 6、第二金屬層1 28和 注入的第一絕緣層11 8所組成。 在圖6D中，一個紅色的合成樹脂132R會在該基板110 的整個表面上形成’以覆蓋該薄膜電晶體T，該儲存電容 Cs和該資料線126。因此，會配置一個第一遮罩Ma在該基 板1 1 0之上’以產生邊紅色合成樹脂1 3 2 R的圖案。該第一
第25頁 1304511 _ ___案號 92133743___年月 日 修正 五、發明說明（20) 遮罩M a擁有傳遞的部分、遮蔽的部分Μ 2和半傳遞的部分 Μ 3。該傳遞的部分Μ 1允許光線完全的通過，.並且，對應到 除了給薄膜電晶體區域Τ使用之外的像素區域ρ。特別在製 作這紅色合成樹脂1 3 2 R圖案的過程中，該傳遞的部分η對 應到該紅色像素區域P r。該遮蔽的部分M 2在這遮罩的製程 中徹底地排除光線’並且，對應到其它綠和藍色的像素區 域P # P b。该半傳遞的部分μ 3包含複數個狹縫或一個半穿 透膜’使得其僅容一部分的光穿過。該半傳遞的部分Μ 3對 應到該閘電極1 1 2 ’特別是該活性層1 2 〇 a露出的部分。 如圖6D所示，在光照穿透該第一遮罩Ma後，該紅色合 成樹脂132R會形成，使得一個紅色的彩色濾光片132a和一 個紅色的彩色濾光片圖案1 3 6 a留在基版1 1 0上。如圖6 E所 示，該紅色的彩色濾光片1 3 2 a對應到該紅色像素區域P r， 並且有一個露出部分汲電極1 2 4的汲接觸孔1 3 0。雖然未於 圖6 E顯示，該紅色的彩色濾光片1 3 2 a有一個曝露出相應在 該紅色像素區域Pr内的第二電容電極的電容接觸孔。此 外，該紅色的彩色濾光片1 3 2 a是配置在閘電極11 2之上， 特別是該活性層1 2 0 a露出的部分之上。 在圖6 F中，在形成該紅色的彩色濾光片1 3 2咖紅色的 彩色濾光片圖案1 3 6 a之後，一個綠色的合成樹脂1 3 2 G會在 該基板1 1 0的整個表面上形成，然後，會配置一個第二遮 罩M b在該基板1 1 〇之上，以產生該綠色合成樹脂1 3 2 G的圖 案。類似於該第一遮罩Ma，該第二遮罩Mb擁有傳遞的部分 M4，對應到該綠色像素區域pg、遮蔽的部分M5，對應到其
1304511 _ 案號 92133743 五、發明說明（21) 它紅和藍的像素區域p和p b、和半傳遞的部分Μ 6，對應到 4 /舌f層1 2 0 a露出的部分。一個遮蔽部分Μ 5也對應到該第 二電容電極1 28。在配置該第二遮罩Mb在該綠色合成樹脂 132G上後，光照會穿透該第二遮罩，以產生綠色合成樹脂 132G的圖案。 、在光照穿透該第二遮罩，該綠色合成樹脂丨3 2〇就 生成了 。因此，如圖6G所示，一個綠色合成樹脂丨32G已形 成並被配置在綠色像素區域p乃，並且，一個綠色的彩色 濾光=，案136b也會在該紅色的彩色濾光片圖案i36a上形 、:才 在產生綠色合成樹脂1 3 2 G的時候，該綠色的彩 色濾=片132b會形成具有一個露出部分第二電容電極128 ^ ί ί接觸孔1 3卜此外，•然、未於圖6 G顯示，對應到綠 會形成電極Pg，一個露出薄膜電晶體汲電極的汲接觸孔也 的整2H 一個藍色的合成樹，旨132β會在該基板11 ° 板1 1 〇之上，/成，然後，會配置一個第三遮覃Mc在該基 上’以產生該藍色合成如 相似於 該第一和第-谀罢M 4 刼脂132B的圖案。類 M7,對庫㈡=Mb’胃第三遮罩Me擁有傳遞的部分 主丁應到該藍色像素區域p 料雁到其 它紅和綠色的像素區域P和P匕遮蔽的部分M8,二應心 到該活性异】？ n ^ ^ + g和半傳遞的部分Μ 9，封心 曰1 2 0 a。雖然未於圖6 ώ〆祁分Μ 5也 對應到相應在該藍色像素區域，-個遮蛛：;28。在
配置該第三遮罩以在該藍色々的第二電容電極12 J 牙透4二遮罩Mc以產生藍色合成樹脂13_圖案。
1304511 案號921^7“ 五、發明說明（22) 就生照=透：第三遮罩Mc後’該藍色合成樹脂132B 就生成了 口此，如圖61所示，一個藍色滹， 成並被配置在藍色像素區域P朽，並且，：個获片132以 遽光片圖案136C也會在該綠色的彩色遽光片;色的吐 成。雖然未於圖61顯示，產生該該色人成 Q案136b上形 藍色的彩色遽光片i32c，i = :i: = :132B會形成 和一個露出部分對應沒電極較 接觸孔。此％，如圖61，該彩色濾光片層13 锡开?一個像素電極134的步驟。一=化钢 (IZ0)的透明電極層沉積在該基板 110的整個表面上，以覆蓋該彩色渡光片層132，並且接觸 及電極1 2 4和第二電容電極1 2 8露出的部分。之後，該透明 電極層經由一個遮罩過程產生圖案，使得該像素電^ 134 對應於每一個像素區域P r、P g或p b而形成。如圖6 J所示， 該像素電極1 3 4接觸該汲電極1 3 4和第二電容電極1 2 8。 圖7A到7L為數個沿著圖3線IV-IV的斷面圖，舉例說明了依 據本發明的另一個實施例，〆個具有光遮蔽彩色濾光片圖 案陣列基板製程的各步驟。 圖7 A到7 C與6 A到6 C相同，因此一些細節的解釋將於此 處及其後省略。 在圖7 D中，一個第二絕緣層1 2 9ί儿積在該基板11〇的整 個表面上，以覆蓋有圖案的第二金屬層。即便是，該第二 絕緣層129覆蓋並保護該薄膜電晶體Τ、閘極線126和儲存 電容CST。該第二絕緣層129可由氮化矽（SiNx)或二氧化矽
1304511 月 a 修正 案號 92133743
五、發明說明（23) (S i 〇 2)所形成。該第二 之有機層的黏著。換 絕緣廣I:絕以^ 中 句話説’該乐一…a九‘ _ -色濾光片層的黏.著。 该活性層120咖之後形成之w % 色 在形成該第二絕緣層 第一遮罩Ma會配置在基板1 1 〇上 部 σ成枒 脂132R的圖案。該第一遮罩Ma擁 儿八M1介“、遮蔽的 部分M2和半傳遞的部分M3。該傳遞的部=^許光線完全 的通過，並且，對應到除了給薄膜電晶體區域Τ'使用之外 的像素區域ρ。特別在製作這紅色合成樹脂1 3 2 R圖案的過 程中，該傳遞的部分…對應到該紅色像素區域Pr。該遮# 的部分M2在這遮罩的製程中徹底地排除光線，並且，對1 到，它綠和藍色的像素區域p和p，該半傳遞的部分M 含複數個狹縫或一個半穿透膜，使得其僅容_部分的匕 過。該半傳遞的部分M3對應到該閘，電極1 1 2，特別暑一穿 性層120a露出的部分。 、 疋該活 如圖7E所示，在光照穿透該第一遮罩Ma後，兮么 成樹脂132R會形成，使得一個紅色的彩色濾光片γ =色合 個紅色的彩色濾光片圖案13 6a留在該第二絕緣層12 &和— 士=圖7 F所不’該紅色的彩色濾光片1 3 2 a對應到該紅上。 區域Pr，並且有一個對應到汲電極i 2 4的汲接觸工像素 然未於圖7F顯示，該紅色的彩色濾光片132a也有一 〇。雖 於第二電容電極1 2 8的電容接觸孔，並對應到誃έ么個對應 區域Pr。此外，該紅色的彩色濾光片圖案i ^像素 d疋配置在第 案號 92133743 1304511 五、發明說明（24) 二絕緣層1 2 9之上，特別是在該閘電極11 2之上。 在圖7G中，在形成該紅色的彩色濾光片·丨32_紅色的 彩色濾光片圖案136a之後’ 一個綠色的合成樹脂132G會在 該基板1 1 〇的整個表面上形成’特別是在該第二絕緣層1 2 g 之上，然後，會配置一個第二遮罩Mb在該基板u 〇之上，
以產生该綠色合成樹脂1 3 2 G的圖案。類似於該第一遮罩 M a，該第二遮罩M b擁有傳遞的部分Μ 4，對應到該綠色像素 區域P g、遮蔽的部分Μ 5，對應到其它紅和藍的像素區域ρ 和P b、和半傳遞的部分Μ 6，對應到該活性層1 2 〇 a。一個遮 蔽部分Μ 5也對應到該第二電容電極1 2 8。在配置該第二遮 罩M b在该綠色合成樹脂1 3 2 G上後，光照會穿透該第二遮罩 Mb以產生綠色合成樹脂132G的圖案。
在光知、牙透该第二遮罩M b後’該綠色合成樹脂1 3 2 G就 生成了 。因此’如圖7 Η所示，一個綠色的彩色濾光片丨3 2 b 會在该第二絕緣層1 2 9之上形成，以對應綠色像素區域ρ〆 並且γ —個綠色的彩色濾光片圖案1361}也會在該紅色的^ 色濾光片圖案1 3 6 a上形成。同時，在產生綠色合成樹脂 132G的時候，該綠色的彩色濾光片132b會形成一個對應到 該第二電容電極1 2 8的電容接觸孔1 3 1。此外，雖然未於圖 7H顯示’也會形成一個對應於薄膜電晶體汲電極的汲接觸 孔，並對應到該綠色像素區域p g。 在圖71中’ 一個藍色的合成樹脂132β會在該基板n〇 的整個表面上形成，特別是在該第二絕緣層1 2 9之上，然 後’會配置一個第三遮罩M 〇在該基板1丨〇之上，以產生該
第30頁 1304511 92133743 - 五、發明說明（25) 藍色合成樹脂1 3 2 B的圖案° Mb，該第三遮罩Me擁有傳遞 區域Pb、遮蔽的部分M8，對 P和P g、和半傳遞的部分Μ 9 未於圖6 Η顯示，一個遮蔽部 素區域Ρ内的第二電容電極 色合成樹脂1 3 2 Β上之後，光 生藍色合成樹脂1 3 2 Β的圖案 在光照穿透該第三遮罩 生成了 。因此，如圖7J所示 類似於該第一和第二遮罩Ma和 的部分M7，對應’到該藍色像素 應到其它紅和綠色的像素區域 ，對應到該活性層1 2 0 a。雖然 分Μ 5也對應到相應在該藍色像 。在配置該第三遮罩Me在該藍 福射會穿透該第三遮罩Me以產 0
Me後，該藍色合成樹脂1 32B就 ，一個藍色慮光片1 3 2 c已形成 並被配置在藍色像素區域Pb内，並且，一個藍色的彩色濾 光片圖案1 3 6 c也會在該綠色的彩色濾光片圖案1 3 6 b上形 成。同時，雖然未於圖7 J顯示，產生藍色合成樹脂1 3 2 B時 會形成該藍色的彩色渡光片1 3 2 c，並且其會對應到一個相 應苐二電容電極的電容接觸孔、和對應到一個相應沒電極 的汲接觸孔。此時，如圖7 J，該彩色濾光片層1 3 2便完成 了 。 在完成該彩色濾光層1 3 2之後，該汲接觸孔1 3 0和電容 接觸孔ί 3 1會延伸到金屬層下方。如圖7K所示，該第二絕 緣層1 2 9的露出部分會被蝕刻，使得該汲和電容接觸孔1 3 0 和1 3 1可個別地延伸到汲電極1 2 4和第二電容電極1 2 8下 方。該沒接觸孔1 3 0會露出一部分的汲電極1 2 4，而該電容 接觸孔1 3 1會露出一部分的第二電容電極1 2 8。 圖7 L顯示形成一個像素電極1 3 4的步驟。一個氧化銦
1304511
----EM_92jJ3743 五、發明說明（26) 錫 (ΙΤ0)或氧化銦鋅（ 汲 電 0 〇的整個表面上，以/ )的透明電極層沉積在該基板 .電極1 24和第-Φ t覆蓋該彩色濾光片層1.32，並且接觸 極層經由一個披、 ^ 8路出的部分。之像，該透明 對應於每一個像素^域 生圖案’使得該像素電極1 34 像素電極1 34經由、方技' "P威形成。如圖7L所示，該 接觸到該汲電極〗9 # 丄3 0和電谷接觸孔1 3 1，個別地 圖8A到8C為數；斷面-圖電，容電極、1 28。 個實施例，製造一個呈° 舉例說明了依據本發明的另 程序步驟。因為^有*遮蔽彩色渡光片陣列基板的 SC僅顯示圖η的製r ^ &和圖7_ 71相同，因此圖_ $ Μ Μ ^^驟之後的製程。因此，在形成該彩 色履光片層之削劍寂沾％ 】表私的坪細說明，將在此處和之後被 略0 在圖8Α中承=個第三絕緣層133在該基板ιι〇的整個表面上 形成，以覆蓋該彩色濾光片層132和光遮蔽彩色濾光片層 圖案1 3 6 4第二絕緣層1 3 3可能是一種無機物質，譬如氮 化石夕（S 1 Ν χ)或二氧化矽（s i 〇 2)。
之後’如圖8B所示，該第二絕緣層1 2 9露出部分會被 餘刻’使得該汲和電容接觸孔1 3 〇和1 3丨可個別地延伸到汲 電極1 2 4和第—電容電極1 2 8下方。該汲接觸孔1 3 〇會露出 一部分的沒電極1 2 4，而該電容接觸孔1 3 1會露出一部分的 第二電容電極128。 圖8 C顯示形成一個像素電極1 3 4的步驟。一個氧化銦 锡（ιτο)或氧化銦鋅（IZ0)的透明電極層沉積在該基板
第32頁 1304511 _案號92133743_年月日__ 五、發明說明（27) 1 0 0的整個表面上，以覆蓋該有圖案的第三絕緣層1 3 3，並 且接觸汲電極1 2 4和第二電容電極1 2 8露出的部分。之後， 該透明電極層經由一個遮罩過程產生圖案，使得該像素電 極1 3 4對應於每一個像素區域P r、P戎P両形成。如圖8 C所 示，該像素電極1 3 4經由擴展的没接觸孔1 3 0和擴展的電容 接觸孔1 3 1，個別地接觸到該汲電極1 2 4和第二電容電極 128〇 如前所述，因為在本發明實施例中的陣列基板，以一 個光遮蔽彩色濾光片替代一個黑色矩陣，因此能簡化製程 並減少製造成本。此外，因為該彩色濾光片在陣列基板上 形成，因此，當設計和對齊下、上基板時，無需考慮一個 對齊的餘裕空間，於此，增加了開口率。 熟習本發明技藝之人士可輕易理解，在不背離本發明 的精神和領域太遠的情形下，可對本發明進行各種修飾和 變更形式，只要彼等係在所附申請專利之界定範圍及其均 等物之内。
第33頁 1304511 ___案號 92133743_年月 圖式簡單說明 圖1為一展開透視圖，舉例說明了一個先前技術的液晶顯 示裝置； 圖2為一個沿著圖1線I I - I Γ的概略斷面圖，舉例說明了一 個先前技術液晶顯示裝置的一個像素； 圖3為依據本發明的第一實施例，在薄膜電晶體結構上具 有一個彩色渡光片的一個陣列基板的部分擴大平面圖。 圖4為一個沿著圖3線I V - I V的斷面圖，舉例說明了依據本 發明製成一個液晶顯示的一個實施例。 圖5為一個斷面圖，舉例說明了依據本發明製成一個液晶 顯示的另一個實施例。 圖6 A到6 J為數個沿著圖3線I V - I V的斷面圖，舉例說明了依 據本發明的一個實施例，製造一個具有光遮蔽彩色濾光片 圖案陣列基板製程的各步驟； 圖7 A到7 L為數個沿著圖3線I V - I V的斷面圖，舉例說明了依 據本發明的另一個實施例，一個具有光遮蔽彩色濾光片圖 案陣列基板製程的各步驟； 圖8 A到8 C為數個斷面圖，舉例說明了依據本發明的另一個 實施例，製造一個具有光遮蔽彩色濾光片陣列基板的程 序。 曰 修正
[ 元件符號說明】 A 距離（開放空間） B 距離（開放空間） C 儲存電容 C S T 儲存電容 C t液晶盒間隙 C h 通道
第34頁 1304511 案號 92133743 _Ά 曰 修正 圖 式簡單說明 Μ a 第 一 遮 罩 Mb 第 二遮 罩 Μ c 第 二 遮 罩 Μ 1 第 一遮 罩 ’傳 遞 的 部 分 Μ 2 第 一 遮 罩 遮 蔽 的 部 分 M3 第， 一遮 罩 半 傳 遞 的 部 Μ 4 第 二 遮 罩 傳 遞 的 部 分 Μ 5 第、 二遮 罩 遮 蔽 的 部 分 Μ 6 第 二 遮 罩 半 傳 遞 的 部 分 Μ 7 第 三 遮 罩 傳 遞 的 部 分 Μ 8 第 二 遮 罩 遮 蔽 的 部 分 Μ 9 第- 三遮 罩 半 傳 遞 的 部 Ρ 像 素 區 域 P r 紅 色像 素 區 域 Ρ g 綠 色 像 素 區 域 Ρ b 藍 色像 素 區 域 τ 薄 膜 電 晶 體 τ r 紅 色 彩 色 濾 光 片 圖 案 的厚度 丁 R 紅 色 彩 色 渡 光 片 的 厚 度 τ g 綠 色 彩 色 濾 光 片 圖 案 的厚度 τ G 綠 色 彩 色 渡 光 片 的 厚 度 τ b 藍 色 彩 色 濾 光 片 圖 案 的厚度; 丁 B 藍 色 彩 色 渡 光 片 的 厚 度' 5 上 基 板 6 色矩陣 8 彩 色 濾、 光 片 層 8 a 紅色 彩 色 濾 光 片 層 8 b 綠色彩色濾光> ί層 8 c 藍色 彩 色 濾 光 片 層 1 1 液 晶 顯 示 裝 置 13 閘 極線 1 4 液 晶 層 15 資 料線 1 6 閘 絕 緣 層 17 像 素電招 k 1 8 共 同 電 極 2 2 下 基板 3 0 儲 存 金 屬 層 3 2 閘 電極 %
第35頁 1304511 案號 92133743 曰 修正 圖式簡單說明 3 4 活 3 8 沒 10 0 118 12 0 12 0a 12 2 12 6 12 8 12 9 13 0 1 3 2 13 2b 1 3 2 R 1 3 2 G 13 4 13 6 13 6a 13 6b 13 6c 15 0 17 0 性層 電極 陣列基 閘電極 閘極線 閘絕緣 活性層 非晶 源電極 資料線 第二電 第二絕 汲接觸 彩色濾 綠色彩 紅色的 綠色的 像素電 光遮蔽 紅色光 綠色光 藍色光 第二基 液晶層 板 3 6 源電極 4 0 鈍化層’ 110 基板 4 第一電容電極 層（第一絕緣層） (半導體層） 態矽的活性層1 2 0 b歐姆接觸層 12 4 沒電極 127 儲存金屬層 容電極（第二金屬層） 緣層 13 1 電容接觸孔 1 3 2 a紅色彩色濾光片 1 3 ,2 c藍色彩色濾光片 1 3 2 B藍色的合成樹脂 13 3 第三絕緣層 孔 光片層 色濾光片 合成樹脂 合成樹脂 極 彩色濾光片圖案 遮蔽彩色濾光片圖案 遮蔽彩色濾光片圖案 遮蔽彩色濾光片圖案 板 2 共同電極 0 第一基板
第36頁 1304511 案號 92133743 年 月 曰 修正 圖式簡單說明 2 1 2 2 18 2 2 2 2 2 8 2 3 1 2 3 2 a 閘電極 閘絕緣層 源電極 第二電容電極 電容接觸孔 紅色彩色濾光片 214 第一電容電極 2 2 0 半導體層 224 没電極 2 3 0 沒接觸孔 2 3 2 彩色濾光片 2 3 2 b綠色彩色濾光片 2 3 2 c藍 色 彩 色 濾· 光 片 2 3 4 像 素 電 極 2 3 6 光 遮 蔽 彩 色 濾、 光 片 圖 案 2 3 6 a紅 色 光 遮 蔽 彩 色 慮 光 片 圖 案 2 3 6 b藍 色 光 遮 蔽 彩 色 濾 光 片 圖 案 2 5 0 第 二 基 板 2 5 2 共 同 電 極 2 7 0 液 晶 層
(I «
第37頁

Claims (1)

  1. J304511 ΰ 案叙 92133743 年 月 修正 ?T、f ¥¥利範圍 1、一個液晶顯示裝置 複數個閘極線，其係沿 成 個 極線 複數 成， 每一 一個 交叉 一個 一個 上， 顏色 孔； 一個 上， 的彩 色滤 每一 第一 和該 個資 該些 該像 薄膜 區域 半導 彩色 每一 ，該 閘極 絕緣 閘電 料線 資料 素區 電晶 内形 體層 濾光 該彩 彩色 含一 其係包含： 著橫方向，在一個 個閘電極； 第一基板上形 線包 層，其係在該第一基板上形成，以覆蓋該閘 極； ，其 線和 域都 體， 成， 係沿 該閘 包含 其係 著縱方向，在該第 極線定義了複數個 了 一個源電極； 在每一該閘極線和 一絕緣層上形 像素區域，並且 該資料線的一個 每一該薄膜電晶體都包含一個閘電極、 、一個源電極和一個沒電極 片，其係在每一像素區域内 色濾光片具有紅、綠和藍三 濾光片具有露出該汲電極的 光遮蔽彩色濾光片 每一該彩色濾、光片 色濾光片圖案，其 的第一絕緣層之 種顏色中的一種 複數個汲接觸 圖案，其係位在每一薄膜電晶體 圖案包含紅、綠和藍色中至少兩種 中，紅、綠和藍色 光片圖案具有一溝槽，該溝槽係容納 中至少一種的彩 有另一種彩色濾 光片圖案； 一個像素電極，其係位 上，每一該像素電極會 一個共同電極，其係位在第二基板 第一基板；以及 在每一像素區域内的該彩色濾光片 接觸到一個汲電極； ，該共同電極面對該
    第38頁 1304511 案號 92133743 年 修正 六、申請專利範圍 一個液晶層，其係注入在該共同電極和該像素電極之間。 2、 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝1，其中每一 半導體層包含一個非晶態矽的活性層和一個摻雜非晶態矽 的歐姆接觸層。 3、 如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置，其中該源 和汲電極係形成在該歐姆接觸層之上，並且會相互隔開。 4、 如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置，其中每一 該薄膜電晶體包含一個在該源和該汲電極之間，該活性層 上的通道。 5、 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該光 遮蔽彩色濾光片圖案和該彩色濾光片都以相同的物質形 成。 6、 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中一個 在該光遮蔽彩色濾光片圖案和該共同電極之間的液晶盒間 隙要比零大。 7、 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該 彩色濾光片是經由一個照相平板印刷的過程，使用一種光 敏感的合成樹脂所形成。 8、 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該 紅、綠和藍色的彩色濾光片由該半導體層依序地向該液晶 層形成。 9、 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中每一 紅、綠和藍色的彩色濾光片圖案的厚度比每一紅、綠和藍 色彩色濾光片的厚度小。
    1304511 _案號92133743_年 月 日__ 六、申請專利範圍 1 0、如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中每 一光遮蔽彩色濾·光片圖案具有一個紅色的彩色濾、光片圖 案、一個綠色的彩色濾光片圖案和一個藍色的彩色濾光片 圖案。 11、如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，進一步 包含：一個在該薄膜電晶體和該光遮蔽彩色濾光片圖案之 間，以及在該第一絕緣層和該彩色濾光片之間的第二絕緣 層，其中該第二絕緣層覆蓋該源電極、該沒電極和該資料 線，並且，其中該汲接觸孔經由第二絕緣層延伸出去。 1 2、如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，進一步 包含··一個在該彩色濾光片和該像素電極之間的第三絕緣 層，其中該第三絕緣層覆蓋該彩色濾光片和該光遮蔽彩色 濾光片圖案。 1 3、如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中每 一閘極線的一部分的作用作為第一電容電極。 1 4、如申請專利範圍第1 3項所述之液晶顯示裝置，進一步 包含：一個在每一閘極線一部分之上，及該第一絕緣層上 的第二電容電極。 1 5、如申請專利範圍第1 4項所述之液晶顯示裝置，其中每 一該第二電容電極、該閘極線的一部分和注入在閘極線一 部分及第二電容電極之間的該第一絕緣層，構成一個儲存 電容。 1 6、如申請專利範圍第1 5項所述之液晶顯示裝置，其中每 一個彩色濾光片包含一個露出該第二電容電極的電容接觸
    1304511 _案號92133743_年月日__ 六、申請專利範圍 孔。 1 7、如申請專利範圍第1 6項所述之液晶顯示裝置，其中該 像素電極經由該電容接觸孔接觸到該第二電容電極。 1 8、一種製造液晶顯示裝置的方法，其係包含： 沿著橫方向，在一個第一基板上形成複數個閘極線，每一 該閘極線包含一個閘電極； 在第一基板上，形成一個第一絕緣層，以覆蓋該閘極線和 該閘電極； 沿著縱方向，在該第一絕緣層上，形成複數個資料線，該 些資料線和閘極線定義了複數個像素區域，並且，每一該 | 像素區域包含了 一個源電極； 在每一該閘極線和該資料線的一個交叉區域，形成一個薄 膜電晶體，每一該薄膜電晶體都包含一個閘電極、一個半 導體層、一個源電極和一個汲電極； 在每一像素區域内的該第一絕緣層f上，形成一個彩色濾 光片，每一該彩色濾光片具有紅、綠和藍色中的一種顏色 和一個露出該汲電極的汲接觸孔； 利用具有半傳遞的部分之遮罩在每一半導體層之上，形成 一個光遮蔽彩色濾光片圖案，每一該彩色濾光片圖案包含 紅、綠和藍三種彩色合成樹脂的至少兩種； 在每一像素區域内，該彩色濾光片之上，形成一個像素電 極，每一該像素電極會接觸到一個汲電極； 在一個第二基板上，形成一個共同電極，該共同電極面對 該第一基板；以及
    第41頁 1304511 _案號 92133743 _年月日___ 六、申請專利範圍 在該共同電極和該像素電極之間，形成一個液晶層。 1 9、如申請專利範圍第1 8項所述之製造液晶顏示裝置的方 法，其中每一半導體層包含一個非晶態矽的活性層和一個 摻雜非晶態矽的歐姆接觸層。 2 0、如申請專利範圍第1 9項所述之製造液晶顯示裝置的方 法，其中該源和沒電極在該歐姆接觸層上形成，並且相互 隔開。 2 1、如申請專利範圍第1 9項所述之製造液晶顯示裝置的方 法，其中形成每一薄膜電晶體包含：形成一個在源和汲電 極之間，該歐姆接觸層，上的通道。 2 2、如申請專利範圍第1 8項所述之製造液晶顯示裝置的方 法，其中形成該光遮蔽彩色濾光片圖案包含：其係和該彩 色濾光片在相同的時間，以相同的物質形成。 2 3、如申請專利範圍第1 8項所述之製造液晶顯示裝置的方 法，其中形成該液μ層包含：在光遮蔽彩色渡光片圖案和 共同電極之間，形成一個比零大的液晶盒間隙。 2 4、如申請專利範圍第1 8項所述之製造液晶顯示裝置的方 法，其中每一該彩色濾光片是經由照相平板印刷的過程， 使用一種光敏感的合成樹脂所形成。 2 5、如申請專利範圍第1 8項所述之製造液晶顯示裝置的方 法，其中形成每一該彩色濾光片包含：紅、綠和藍色的彩 色濾光片由該半導體層依序地向該液晶層形成。 2 6、如申請專利範圍第2 5項所述之製造液晶顯示裝置的方 法，其中形成每一光遮蔽彩色濾光片圖案包含：使用繞射
    1304511 案號 92133743 曰 修正 六、申請專利範圍 曝光法形成紅 綠和藍色的彩 光片小。 2 7、如申請專 、綠和藍 色濾光片 色的彩色濾光片圖案，使得該紅、 圖案的厚度比紅、綠和藍色彩色濾、 法， 濾光 色濾 28、 法， 圖案 成一 其中每一 利範圍第 光遮蔽彩 片圖 光片 如申 進一 之間 個第 極和 汲電 29^ 法， 該汲 電極 3 0、如申 如申 進一 接觸 的一 法，進 成一 和該 個第 光遮 3 1、如申 法，進一 一部分， 以露出每 案， 圖案 請專 步包 ，以 二絕 該資 請專 步包 孔可 部分 請專 步包 三絕 蔽彩 請專 步包 使得 一個 1 8項所述之製造液晶顯示裝置的方 色濾光片圖案具有一個紅色的彩色 個綠色的彩色濾光片圖案和一個藍色的彩 利範圍第 含：在該 及在該第 緣層，其 料線。 利範圍第 含：^虫刻 經由該第 〇 利範圍第 含：在該 緣層，其 色濾光片 利範圍第 含：對應 該汲接觸 汲電極的 1 8項所述之製造液晶顯示裝置的方 薄膜電晶體和該光遮蔽彩色濾光片 一絕緣層和該彩色濾光片之間，形 中該第二絕緣層覆蓋該源電極、該 2 8項所述之製造液晶顯示裝置的方 談第二絕緣層露出的一部分，使得 二絕緣層延伸出來，以露出每一汲 1 8項所述之製造液晶顯示裝置的方 彩色濾光片和該像素電極之間，形 中該第三絕緣層覆蓋該彩色濾光片 圖案。 3 0項所述之製造液晶顯示裝置的方 該汲接觸孔，蝕刻該第三絕緣層的 孔可經由該第三絕緣層延伸出來， 一部分。
    第43頁 1304511 案號 92133743 曰 修正 六、申請專利範圍 3 2、如申請專 利範圍第 閘極線的 3 3、如申請專利範圍第 法，其中每 1 8項所述之製造液晶顯示裝置的方 一部分的作用作為第一電容電極。 3 2項所述之製造液晶顯示裝置的方 法，進一步包含： 在每一 第二電 和注入 絕緣層 3 4、如 法，其 電容接 觸到該 閘極線 容電極 在該閘 ’構成 一部分之 ，其中該 極線一部 一個儲存 申請專利範圍第 中每一彩色濾光 並且，其 觸孔， 第二電 3 5、一種製造 上，及該第一絕緣層上，形成一個 第二電容電極、該閘極線的一部分 分和該第二電容電極之間的該第一 電容。 3 3項所述之製造液晶顯示裝置的方 片包含一個露出該第二電容電極的 中該像素電極經由該電容接觸孔接 容電極。 供液晶顯示裝置使用之陣列基板的方法，其 係包含： 在一個基板上 著橫方 形成複數 向配置， 個閘極線和複數個閘電極，該閘極 並且，該閘電極為該閘極線的延 線會沿 伸； 在該基板上，形成一個第一絕緣層，以覆蓋閘極線和該閘 電極， 在該第一絕緣 摻雜非晶態矽 配置在 形成複 資料線 一個閘 數個資 和閘極 層上，形 的歐姆接 電極之上 料線、複 線定義了 成複數個非晶態矽活性層和複數個 觸層，每一活性層和歐姆接觸層都 贅 數個源電極和複數個汲電極，該些 複數個像素區域，其中，該源和汲
    第44頁 1304511 案號 92133743 年月曰 修正 六、申請專利範圍 電極接觸到該 電極為該貧料 [，其係位在每一個該 域； 歐姆接觸 線的延伸 在一個紅色的像素區域 並且，在每一薄膜電晶 片圖案； 在一個綠色的像素區域 溥膜電晶 並且， 片圖案 在每 在一個藍色的像素區域 薄膜電晶 並且， 片圖案 在每一 上，形 其中， 具有半 濾光片 遮蔽彩 3 6、如 用之陣 包含： 道° 3 7、如 在每一 ；以及 像素區 成一個 在形成 傳遞的 圖案中 色濾光 申請專 列基板 形成一 域内，每 像素電極 該紅、綠 部分之遮 至少兩種 片圖案。 利範圍第 的方法， 個在源和 層，且相互隔開，並且，其中該源 ，於此，就完成了 一個薄膜電晶 閘極線和該資料線的一個交叉區 内，形成一個紅色的彩色濾光片， 體之上，形成一個紅色的彩色濾光 内，形成一個綠色的彩色濾光片， 體之上，形成一個綠色的彩色濾光 内，形成一個藍色的彩色濾光片， 體之上，形成一個藍色的彩色濾光 一紅、綠和藍色的彩色濾光片之 ， 和藍色的彩色滤光片時，包括使用 罩來形成一個由紅、綠和藍色彩色 顏色之彩色濾光片圖案所組成的光 3 5項所述之製造供液晶顯示裝置使 其中形成該活性層和該歐姆接觸層 没電極之間，每一個活性層上的通 申請專利範圍第3 5項所述之製造供液晶顯示裝置使
    第45頁 1304511 案號 92133743 曰 修正 六、申請專利範圍 用之陣列基板 圖案組成的每 層向該液晶層 3 8、如申請專 用之陣列基板 和藍色的彩色 光片圖案的厚 3 9、如申請專 用之陣列基板 圖案是經由一 合成樹 4 0、如 用之陣 光遮蔽 光片之 層覆蓋 4 1、如 用之陣 像素電 覆盍該 42、如 用之陣 為第一 4 3、如 脂所形 申請專 列基板 彩色滤 間，形 該源電 申請專 列基板 極之間 彩色濾 申請專 列基板 電容電 申請專 的方法，其中由紅、綠和藍色的彩色渡光片 一光遮蔽彩色濾光片，會依序地由該半導體 來配置。 利範圍第 的方法， 濾光片圖 度比紅、 利範圍第 的方法， 個照相平 成。 利範圍第 的方法， 3 5項所述之製造供液晶顯示裝置使 其中係使用繞射曝光法形成紅、綠 案’使得該紅、綠和藍色的彩色濃 綠和藍色彩色濾光片小。 3 5項所述之製造供液晶顯示裝置使 其中該紅、綠和藍色的彩色濾光片 板印刷的過程，使用一種光敏感的 3 5項所述之製造供 進一步包含：在該 光片圖案之間， 成一個第二絕緣 極、該沒電極和 利範圍第 的方法， 3 5項所 進一步 ，形成一個第三 光遮蔽 3 5項所 其中每 光片和該 利範圍第 的方法， 極。 利範圍第 以及在第一 層，並且， 該資料線。 述之製造供 包含：在該 絕緣層，其 彩色濾光片 述之製造供 一閘極線的 液晶顯不裝置使 薄膜電晶體和該 絕緣層和彩色濾 其中該第二絕緣 液晶顯示裝置使 彩色濾光片和該 中該第三絕緣層 圖案。 液晶顯示裝置使 一部分的作用作 3 5項所述之製造供液晶顯示裝置使
    第46頁 1304511 案號 92133743 曰 修正 六、申請專利範圍 用之陣列基板 閘極線一部分 容電極，其中 在該閘極線一 層，構成一個 4 4、如申請專 用之陣列基板 光片包含一個 其中該像素電 極 ° 4 5、如申請專 用之陣列基板 光片包含一個 素電極經由該 4 6、一種液晶 複數個閘極線 上，每 一個第 一該閘 一絕緣 該閘電 資料線 極線和 複數個 該些貨料線和 區域包 複數個 叉區域 含了一 薄膜電 内形成 的方法， 之上，及 該第二電 部分及該 儲存電容 利範圍第 的方法， 露出該第 極經由該 利範圍第 的方法， 露出該汲 汲接觸孔 顯示裝置 ，其係沿 極線包含 層，其係 極； ，其係沿 閘極線定 個源電極 晶體，其 其中形成每一資料線包含：在每一 該第一絕緣層上，形成一個第二電 容電極、該閘極線的一部分和注入 第二電容電極之間的該第一絕緣 〇 43項所述之製造供液晶顯示裝置使 其中每一個紅、綠和藍色的彩色濾 二電容電極的電容接觸孔，並且， 電容接觸孔接觸到該第二電容電 3 5項所述之製造供液晶顯示裝置使 其中每一個紅、綠和藍色的彩色濾 電極的汲接觸孔，並且，其中該像 接觸到該没電極。 ，其係包含： 著橫方向，形成在一個第一基板 一個閘電極； 形成在該第一基板上，以覆蓋該閘 著縱方向，形成在第一絕緣層上， 義了複數個像素區域，每一該像素 係在該閘極線和該資料線的一個交 ，每一該薄膜電晶體包含該閘電極、一個半
    第47頁 1304511 案號 92133743 曰 修正 六、申請專利範圍 導體層、該源 複數個像素電 形成，並且， 一個共同電極 面對該第一基 •個液 複數個 基板的 色彩色 複數個 基板的 導體層 遮蔽彩 彩色濾 二基板 片圖案 案。 晶層， 彩色滤 其中一 電極 極， 接觸 ，其 板， 其係 光片 個上 脂中 合成樹 光遮蔽彩色 其中之一上 ，以遮 色濾光 光片圖 之間 具有 蔽該 片圖 案， 其中 溝槽 和一個汲電極； 在該像素區域内 電極； ，及該第一基板上 其係 該沒 係位在一個第二基板上，該共同電極係 注入在該 ，其係配 面， 的一 濾光 ，使 半導 案包 其係 ，紅 ，該 每一 種顏 片圖 得該 體層 含紅 依序 、綠 溝槽 共同電極和該像素電極之間； 置在像素區域内的第一和第二 該彩色濾光片包含紅、綠和藍 色；以及 案，其係配置在該第一和第二 光遮蔽彩色濾光片圖案覆蓋半 不受到入射光的侵擾，每一光 、綠和藍色中至少兩種顏色的 地被配置在該半導體層和該第 和藍色中至少一種的彩色濾光 係容納有另一種彩色濾光片圖 I 4 7、如申請專 一光遮蔽彩色 彩色合成樹脂 4 8、如申請專 蔽彩色 成樹脂。 申請專利範圍第4 6項所述之液晶顯示裝置，其中該 —光遮 彩色合 4 9、如 利範圍第 濾光片圖 〇 利範圍第 濾光片圖 4 6項所述之液晶 案包含紅、綠和 4 6項所述之液晶 案包含紅、綠和 顯示裝置，其中每 藍色中兩種顏色的 顯示裝置，其中每 藍色中三種顏色的
    第48頁 1304511 案號 92133743 月 曰 修正 六、申請專利範圍 光遮蔽彩色濾光片圖案與該彩色濾光片形成的製程步驟相 同。 5 0、如申請專 每一紅 紅、綠 51、如 光遮蔽 板上， 遮蔽彩 片之間 該〉及電 緣層延 5 2、如 該光遮 板上， 素電極 濾光片 5 3、如 包含： 層，該 片圖案 5 4、如 汲接觸 、綠和 和藍色 申請專 彩色濾 並且， 色濾光 的一個 極和該 伸出去 申請專 蔽彩色 並且， 之間的 和該光 申請專 在該彩 第三絕 〇 申請專 孔經由 利範 藍色 彩色 利範 光片 該裝 片圖 第二 資料 ，以 利範 濾光 圍第46項 的彩色濾 濾光片小 圍第46項 所述之液晶顯示裝置，其中該 光片圖案的厚度個別地比每一 所述之液晶顯 圖案與該彩色濾光片係 置進一步包含：在該薄 以及在第一絕 該第 案之間， 絕緣層， 線’並且 露出該汲 圍第46項 片圖案與 該裝置進一步 一個第三絕緣 遮蔽彩色濾光 利範圍第5 1項 色濾光片和該 緣層覆蓋該彩 利範圍第5 3項 該第三絕緣層 ，一個 電極。 所述之 該彩色 包含： 層，該 片圖案 所述之 像素電 色濾光 絕緣層 没接觸 示裝置，其中該 配置在該第一基 膜電晶體和該光 緣層和彩色濾光 覆蓋該源電極、 孔經由該第二絕 液晶顯示的裝置，其中 濾光片係配置在第一基 在該彩 第三絕 色滤、光片和該像 緣層覆蓋該彩色 示裝置，進一步 的一個第三絕緣 液晶顯 極之間 片和該光遮蔽彩色濾光 所述之液晶顯示裝置，其中該 延伸出來。
    第49頁
TW092133743A 2002-12-26 2003-12-01 Liquid crystal display device having light-shield color filter pattern and method for fabricating the same TWI304511B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020084611A KR100905409B1 (ko) 2002-12-26 2002-12-26 액정표시장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200500753A TW200500753A (en) 2005-01-01
TWI304511B true TWI304511B (en) 2008-12-21

Family

ID=29775050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092133743A TWI304511B (en) 2002-12-26 2003-12-01 Liquid crystal display device having light-shield color filter pattern and method for fabricating the same

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8107038B2 (zh)
JP (1) JP3878172B2 (zh)
KR (1) KR100905409B1 (zh)
CN (1) CN1265233C (zh)
GB (1) GB2396732B (zh)
TW (1) TWI304511B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI483038B (zh) * 2008-11-28 2015-05-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4417072B2 (ja) * 2003-03-28 2010-02-17 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
KR101198819B1 (ko) * 2003-06-25 2012-11-07 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100752950B1 (ko) * 2004-04-30 2007-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 씨오티구조 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100607519B1 (ko) * 2004-05-24 2006-08-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 칼라 필터를 구비한 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101067526B1 (ko) * 2004-09-02 2011-09-27 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
CN100412636C (zh) * 2004-11-19 2008-08-20 统宝光电股份有限公司 主动元件阵列基板、彩色滤光片及其制作方法
KR20060073826A (ko) * 2004-12-24 2006-06-29 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101121997B1 (ko) * 2004-12-31 2012-02-29 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 및 그의 제조 방법
EP1843194A1 (en) 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
TWI585498B (zh) 2006-05-16 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置和半導體裝置
KR100843623B1 (ko) * 2006-07-10 2008-07-04 아이티엠 주식회사 터치스크린이 구비된 디스플레이 장치 및 그 것의 제조방법
KR101398643B1 (ko) * 2006-09-18 2014-05-30 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판과 이의 제조 방법 및 이를 구비한액정표시패널
KR101300819B1 (ko) 2006-12-05 2013-08-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101319334B1 (ko) 2007-03-20 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그의 제조방법
KR101389466B1 (ko) * 2007-11-28 2014-04-25 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
WO2009069362A1 (ja) * 2007-11-29 2009-06-04 Sharp Kabushiki Kaisha カラーフィルタ基板、液晶表示パネル、液晶表示装置、及び、カラーフィルタ基板の製造方法
KR101424274B1 (ko) * 2007-12-31 2014-08-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR101423970B1 (ko) * 2008-04-15 2014-08-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101285637B1 (ko) 2008-12-26 2013-07-12 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치용 어레이 기판과 그 제조 방법 및 리페어 방법
US8471973B2 (en) * 2009-06-12 2013-06-25 Au Optronics Corporation Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD
WO2011145468A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
TWI412857B (zh) * 2010-08-05 2013-10-21 Au Optronics Corp 主動元件陣列基板
JP5437971B2 (ja) * 2010-10-29 2014-03-12 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP2012243935A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Sony Corp デバイスおよび表示装置
TWI447983B (zh) * 2011-05-24 2014-08-01 Au Optronics Corp 半導體結構以及有機電致發光元件
KR101908460B1 (ko) * 2011-09-29 2018-10-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN102402043A (zh) * 2011-11-03 2012-04-04 深圳市华星光电技术有限公司 像素阵列及其制作方法
JP6033071B2 (ja) * 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN103000661B (zh) * 2012-12-12 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103165530B (zh) 2013-02-22 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制造方法、显示装置
US10170504B2 (en) 2013-02-22 2019-01-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Manufacturing method of TFT array substrate, TFT array substrate and display device
CN103219283A (zh) * 2013-03-19 2013-07-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
JP2015031914A (ja) * 2013-08-06 2015-02-16 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置
CN103489826B (zh) * 2013-09-26 2015-08-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、制备方法以及显示装置
US20150116606A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch screen sensing device, method for manufacturing the same, and touch screen sensing assembly having the same
US20150116640A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal component, method for fabricating the same, and liquid crystal display having the same
US20150185574A1 (en) * 2013-12-30 2015-07-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin-film transistor liquid crystal display device and signal line therefor
KR102122402B1 (ko) * 2013-12-31 2020-06-15 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치 및 이의 제조방법
CN103984147A (zh) * 2014-05-04 2014-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 阵列面板及其制作方法
CN104393003A (zh) * 2014-10-31 2015-03-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft基板及其制造方法
CN104375313A (zh) * 2014-11-12 2015-02-25 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示面板的制造方法
CN105810642B (zh) * 2014-12-31 2018-09-07 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜晶体管基板、其制作方法及显示面板
KR102272422B1 (ko) * 2015-01-14 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
TW201631367A (zh) * 2015-02-25 2016-09-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製作方法
KR102498604B1 (ko) * 2015-07-22 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN105137683B (zh) * 2015-07-24 2018-01-12 深圳市华星光电技术有限公司 一种像素单元、coa基板和液晶显示面板
CN105068346B (zh) * 2015-08-17 2017-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 一种彩色滤光阵列基板及液晶显示面板
CN105045010B (zh) * 2015-08-26 2019-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN105204217B (zh) * 2015-10-13 2018-05-01 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板
WO2017094644A1 (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 シャープ株式会社 半導体基板及び表示装置
JP2017111328A (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN105867039A (zh) * 2016-06-21 2016-08-17 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶面板、其制作方法及显示器
KR102563686B1 (ko) 2016-11-30 2023-08-07 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
CN106842744B (zh) * 2017-02-14 2019-10-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法
CN107329340A (zh) * 2017-08-16 2017-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft阵列基板以及coa型tft液晶面板
CN107731789A (zh) * 2017-10-13 2018-02-23 青岛海信电器股份有限公司 基于coa面板的tft及coa面板
KR102482967B1 (ko) * 2017-11-29 2022-12-28 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102470901B1 (ko) 2017-12-22 2022-11-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
CN109633966A (zh) * 2019-01-11 2019-04-16 惠科股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN111029343A (zh) * 2019-11-13 2020-04-17 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN114647109A (zh) * 2022-03-30 2022-06-21 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及显示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3153620C2 (zh) * 1980-04-01 1992-01-23 Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp
JPS62250416A (ja) * 1986-04-23 1987-10-31 Stanley Electric Co Ltd Ｔｆｔ組込型カラ−液晶表示素子
JP3277732B2 (ja) * 1994-11-24 2002-04-22 ソニー株式会社 カラー表示装置
KR100338480B1 (ko) * 1995-08-19 2003-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법
JPH0980447A (ja) * 1995-09-08 1997-03-28 Toshiba Electron Eng Corp 液晶表示素子
KR100209277B1 (ko) * 1996-04-25 1999-07-15 구자홍 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
JP2853656B2 (ja) * 1996-05-22 1999-02-03 日本電気株式会社 液晶パネル
JP3264364B2 (ja) * 1997-01-21 2002-03-11 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100262402B1 (ko) * 1997-04-18 2000-08-01 김영환 박막 트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법
JP3844846B2 (ja) * 1997-06-12 2006-11-15 東芝電子エンジニアリング株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3738530B2 (ja) * 1997-06-30 2006-01-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JPH1164885A (ja) * 1997-08-21 1999-03-05 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
KR100628679B1 (ko) * 1999-11-15 2006-09-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 어레이 패널, 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에따른액정표시장치
JP2001183648A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Nec Corp カラー液晶表示装置及びその製造方法
JP3471692B2 (ja) * 2000-01-21 2003-12-02 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 カラー液晶表示パネル
JP4041336B2 (ja) * 2001-06-29 2008-01-30 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
JP2003149431A (ja) * 2001-11-12 2003-05-21 Fuji Photo Film Co Ltd カラーフィルター
JP2004212814A (ja) * 2003-01-07 2004-07-29 Sharp Corp カラーフィルタ製造方法、カラーフィルタ、及び表示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI483038B (zh) * 2008-11-28 2015-05-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
US10008608B2 (en) 2008-11-28 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10424674B2 (en) 2008-11-28 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10985282B2 (en) 2008-11-28 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11869978B2 (en) 2008-11-28 2024-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
GB2396732B (en) 2007-08-01
US8107038B2 (en) 2012-01-31
JP3878172B2 (ja) 2007-02-07
JP2004212972A (ja) 2004-07-29
US20120099059A1 (en) 2012-04-26
GB2396732A (en) 2004-06-30
KR100905409B1 (ko) 2009-07-02
US8233120B2 (en) 2012-07-31
US20040125277A1 (en) 2004-07-01
TW200500753A (en) 2005-01-01
CN1265233C (zh) 2006-07-19
CN1512227A (zh) 2004-07-14
KR20040057798A (ko) 2004-07-02
GB0327846D0 (en) 2004-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI304511B (en) Liquid crystal display device having light-shield color filter pattern and method for fabricating the same
JP4856318B2 (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP4373789B2 (ja) 配線構造とこれを利用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
US7659130B2 (en) Thin film transistor array panel for display and manufacturing method thereof
TWI237726B (en) Active matrix substrate having column spacers integral with protective layer and process for fabrication thereof
JP5466665B2 (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
KR100945579B1 (ko) 표시 장치용 표시판 및 그의 제조 방법과 그 표시판을포함하는 액정 표시 장치
JP2001005038A (ja) 表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
US7995162B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US9054266B2 (en) IR sensing transistor and manufacturing method of display device including the same
US7643114B2 (en) Transflective display device with reflection pattern on the color filter substrate
KR20040043629A (ko) 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
US20090273747A1 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
KR101012784B1 (ko) 표시 장치용 표시판 및 그 표시판을 포함하는 액정 표시장치
US11822178B2 (en) Array substrate, fabrication method thereof, liquid crystal display panel and display device
KR100947525B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법
KR100309925B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법 및 이에 사용되는 광마스크
JP4638227B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板
KR100237684B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100601170B1 (ko) 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
KR20030055125A (ko) 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
WO2017145941A1 (ja) 表示パネル用基板の製造方法
KR100831224B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
KR100905471B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20040102519A (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent