JP2017111328A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示品位に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、無機層の上に形成されたカラーフィルタCFRと、カラーフィルタCFRの上方に形成された無機膜ILと、無機膜ILの上方に形成された半導体層SCと、を備える。平面視にて、無機膜ILは、カラーフィルタCFRと重なる第1領域A1と、第1領域を取囲む第2領域A2と、にわたって設けられる。第2領域A2にて、無機膜ILは、カラーフィルタCFRの外側に形成されている。
【選択図】図2
【解決手段】液晶表示装置は、無機層の上に形成されたカラーフィルタCFRと、カラーフィルタCFRの上方に形成された無機膜ILと、無機膜ILの上方に形成された半導体層SCと、を備える。平面視にて、無機膜ILは、カラーフィルタCFRと重なる第1領域A1と、第1領域を取囲む第2領域A2と、にわたって設けられる。第2領域A2にて、無機膜ILは、カラーフィルタCFRの外側に形成されている。
【選択図】図2
Description
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
液晶表示パネルは、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのOA(office automation)機器やテレビジョン受像機などの表示パネルとして各種分野で利用されている。近年では、液晶表示パネルは、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示パネルとしても利用されている。
液晶表示パネルは、アレイ基板と、対向基板と、これら両基板間に保持された液晶層とを備えている。アレイ基板は、成膜やフォトリソグラフィ法を用いたエッチングを繰り返すことにより形成されている。例えば、アレイ基板側に、カラーフィルタが設けられ、カラーフィルタにコンタクトホールが形成される場合がある。
本実施形態は、表示品位に優れた液晶表示装置を提供する。
一実施形態に係る液晶表示装置は、無機層の上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタの上方に形成された無機膜と、前記無機膜の上方に形成された半導体層と、を備え、平面視にて、前記無機膜は、前記カラーフィルタと重なる第1領域と、前記第1領域を取囲む第2領域と、にわたって設けられ、前記第2領域にて、前記無機膜は、前記カラーフィルタの外側に形成されている。
以下に、本発明の一実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
図1は、本実施形態に係る液晶表示装置DSPの構成を示す斜視図である。本実施形態では、第1方向X及び第2方向Yは、互いに直交しているが、90°以外の角度で交差していてもよい。第3方向Zは、第1方向X及び第2方向Yのそれぞれと互いに直交している。
液晶表示装置DSPは、アクティブマトリックス型の液晶表示パネルPNL、液晶表示パネルPNLを駆動する駆動部3、液晶表示パネルPNLを照明するバックライトユニットBL、制御モジュールCM、フレキシブル基板1,2などを備えている。
液晶表示装置DSPは、アクティブマトリックス型の液晶表示パネルPNL、液晶表示パネルPNLを駆動する駆動部3、液晶表示パネルPNLを照明するバックライトユニットBL、制御モジュールCM、フレキシブル基板1,2などを備えている。
液晶表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第1基板SUB1に対向配置された第2基板SUB2とを備えている。本実施形態において、第1基板SUB1はアレイ基板として機能し、第2基板SUB2は対向基板として機能している。液晶表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAを囲む額縁状の非表示領域NDAと、を備えている。液晶表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配列された複数の主画素MPXを備えている。主画素MPXは、後述する3個の副画素のグループに相当する。
バックライトユニットBLは、第1基板SUB1の背面に配置されている。このようなバックライトユニットBLとしては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。駆動部3は、第1基板SUB1に実装されている。フレキシブル基板1は、液晶表示パネルPNLと制御モジュールCMとを接続している。フレキシブル基板2は、バックライトユニットBLと制御モジュールCMとを接続している。
このような構成の液晶表示装置DSPは、バックライトユニットBLから液晶表示パネルPNLに入射する光を各副画素で選択的に透過することによって画像を表示する、いわゆる透過型の液晶表示装置に相当する。
このような構成の液晶表示装置DSPは、バックライトユニットBLから液晶表示パネルPNLに入射する光を各副画素で選択的に透過することによって画像を表示する、いわゆる透過型の液晶表示装置に相当する。
以下の説明において、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向を上方、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かう方向を下方とする。このため、第3方向Zはここで言う上方である。また、「第1部材の上方の第2部材」及び「第1部材の下方の第2部材」とした場合、第2部材は、第1部材に接していてもよく、又は第1部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第1部材と第2部材との間に、第3の部材が介在していてもよい。一方、「第1部材の上の第2部材」及び「第1部材の下の第2部材」とした場合、第2部材は第1部材に接している。また、本実施形態においては、第2基板SUB2から第1基板SUB1を見ることを平面視と定義する。
図2は、液晶表示パネルPNLを示す断面図である。
図2に示すように、液晶表示パネルPNLは、第1基板SUB1、第2基板SUB2、液晶層LC、シール材SE、第1光学素子OD1、第2光学素子OD2などを備えている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1の上方に位置し第1基板SUB1に所定の間隔を置いて対向配置されている。液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持されている。第1基板SUB1及び第2基板SUB2の詳細については後述するが、ここでは、第1基板SUB1の一部を説明する。
図2に示すように、液晶表示パネルPNLは、第1基板SUB1、第2基板SUB2、液晶層LC、シール材SE、第1光学素子OD1、第2光学素子OD2などを備えている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1の上方に位置し第1基板SUB1に所定の間隔を置いて対向配置されている。液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持されている。第1基板SUB1及び第2基板SUB2の詳細については後述するが、ここでは、第1基板SUB1の一部を説明する。
第1基板SUB1は、第1絶縁基板10、カラーフィルタCFR、オーバーコート膜OC、無機膜IL、半導体層SCなどを備えている。
第1絶縁基板10は、カラーフィルタCFRの下に位置している。第1絶縁基板10は、透明な絶縁材料で形成され、一例では無機材料としてホウケイ酸ガラスなどのガラスで形成されている。本実施形態において、第1絶縁基板10は、ガラスで形成されたガラス基板である。第1絶縁基板10の上面は、無機層上面として機能している。
第1絶縁基板10は、カラーフィルタCFRの下に位置している。第1絶縁基板10は、透明な絶縁材料で形成され、一例では無機材料としてホウケイ酸ガラスなどのガラスで形成されている。本実施形態において、第1絶縁基板10は、ガラスで形成されたガラス基板である。第1絶縁基板10の上面は、無機層上面として機能している。
カラーフィルタCFRは、第1絶縁基板10の上に形成されている。カラーフィルタCFRは、表示領域DAに設けられている。本実施形態において、平面視にて、カラーフィルタCFRと重なる領域を第1領域A1、第1領域A1を取囲む領域を第2領域A2、とする。第1領域A1は概ね表示領域DAに相当し、第2領域A2は概ね非表示領域NDAに相当している。
カラーフィルタCFRは、遮光層SHと、複数色の色層CF1,CF2,CF3と、を備えている。カラーフィルタCFRは、例えば、第1色の色層CF1、第2色の色層CF2、及び第3色の色層CF3を備えている。色層CF1と色層CF2との隣接部分、色層CF2と色層CF3との隣接部分、色層CF3と色層CF1との隣接部分は、それぞれ遮光層SHの上に位置している。
ここで、カラーフィルタCFRの第1絶縁基板10に接する面を底面Sa、カラーフィルタCFRの底面Saと反対側の面を上面Sb、平面視にてカラーフィルタCFRの輪郭に沿った面を外周面Sc、とする。
ここで、カラーフィルタCFRの第1絶縁基板10に接する面を底面Sa、カラーフィルタCFRの底面Saと反対側の面を上面Sb、平面視にてカラーフィルタCFRの輪郭に沿った面を外周面Sc、とする。
オーバーコート膜OCは、カラーフィルタCFRの上に設けられている。オーバーコート膜OCは、有機質の絶縁材料で形成されている。オーバーコート膜OCは、必要に応じて設けられていればよい。オーバーコート膜OCを利用する場合、オーバーコート膜OCは、少なくともカラーフィルタCFRの上面Sbの上に設けられていればよい。本実施形態において、オーバーコート膜OCは、カラーフィルタCFRの上面Sbの全域及び外周面Scの全域に接し、カラーフィルタCFRの全体を覆っている。
無機膜ILは、第1絶縁基板10、カラーフィルタCFR及びオーバーコート膜OCの上方に形成されている。本実施形態において、無機膜ILは、オーバーコート膜OCの表面の全体に接し、第2領域A2(非表示領域NDA)の全周にわたって第1絶縁基板10の上面の上に形成されている。第2領域A2にて、無機膜ILは、カラーフィルタCFRの外側に形成されている。無機膜ILは、第2領域A2(非表示領域NDA)の全周にわたって隙間無しに第1絶縁基板10の上面に接している。無機膜ILは、カラーフィルタCFRの上面Sb及び外周面Scを覆っている。
複数の半導体層SCは、無機膜ILの上方に形成されている。本実施形態において、複数の半導体層SCは、無機膜ILの上に形成されている。
複数の半導体層SCは、無機膜ILの上方に形成されている。本実施形態において、複数の半導体層SCは、無機膜ILの上に形成されている。
シール材SEは、非表示領域NDAに配置され、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを貼り合わせている。液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持されている。第1光学素子OD1は、第1基板SUB1の液晶層LCに接する面の反対側に配置されている。第2光学素子OD2は、第2基板SUB2の液晶層LCに接する面の反対側に配置されている。第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、それぞれ偏光板を備えている。なお、第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、位相差板などの他の光学素子を含んでいてもよい。
図3は、図1及び図2に示した液晶表示パネルPNLの一部を示す拡大断面図であり、第1絶縁基板10、カラーフィルタCFR、オーバーコート膜OC、及び無機膜ILを示す図である。
無機膜ILは、無機の材料で形成される少なくとも1層の無機層を有している。その無機の材料としては、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などの無機の透明な絶縁材料を利用することができる。本実施形態において、無機膜ILは、第1無機層としての絶縁層11、及び第2無機層としての絶縁層12を有している。
無機膜ILは、無機の材料で形成される少なくとも1層の無機層を有している。その無機の材料としては、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などの無機の透明な絶縁材料を利用することができる。本実施形態において、無機膜ILは、第1無機層としての絶縁層11、及び第2無機層としての絶縁層12を有している。
絶縁層11は、シリコン窒化物で形成されている。このため、無機膜ILは、シリコン窒化物で形成された絶縁層11を含む複数の無機層の積層体で形成されている。絶縁層11は、無機膜ILを構成する複数の無機層のうち最も下に位置している。絶縁層11は、オーバーコート膜OCの表面の全体に接し、第2領域A2(非表示領域NDA)の全周にわたって第1絶縁基板10の上面の上に形成されている。第2領域A2にて、絶縁層11は、カラーフィルタCFRの外側に形成されている。
絶縁層12は、シリコン酸化物で形成されている。絶縁層12は、第1領域A1及び第2領域A2にて、絶縁層11の上に形成されている。
上述したように、無機膜ILは少なくとも1層の無機層を有していればよい。これにより、無機膜ILは、第1絶縁基板10とともにカラーフィルタCFRへの水分や空気の浸入を抑制することができる。そして、カラーフィルタCFRに水分や空気が浸入した場合に生じ得る不具合の発生を抑制することができる。例えば、液晶表示装置DSPの製造過程において、無機膜ILを形成した後に、温度の高い環境下や、湿度の高い環境下にカラーフィルタCFRなどが置かれても、カラーフィルタCFRの色層CF1,CF2,CF3の酸化を抑制することができる。この場合、色層CF1,CF2,CF3の退色を抑制することができる。
上述したように、無機膜ILは少なくとも1層の無機層を有していればよい。これにより、無機膜ILは、第1絶縁基板10とともにカラーフィルタCFRへの水分や空気の浸入を抑制することができる。そして、カラーフィルタCFRに水分や空気が浸入した場合に生じ得る不具合の発生を抑制することができる。例えば、液晶表示装置DSPの製造過程において、無機膜ILを形成した後に、温度の高い環境下や、湿度の高い環境下にカラーフィルタCFRなどが置かれても、カラーフィルタCFRの色層CF1,CF2,CF3の酸化を抑制することができる。この場合、色層CF1,CF2,CF3の退色を抑制することができる。
さらに、無機膜ILは、少なくともシリコン窒化物で形成された無機層を有していた方が望ましい。
又は、無機膜ILが1層の無機層で形成される場合、その無機層はシリコン窒化物で形成されている方が望ましい。
又は、無機膜ILがシリコン窒化物で形成された無機層を含む複数の無機層の積層体で形成される場合、シリコン窒化物で形成された無機層は、積層体の最も下に位置していた方が望ましい。
又は、無機膜ILにおいて、シリコン窒化物で形成された無機層が積層体の最も下に位置していない場合、シリコン窒化物で形成された無機層は、第2領域A2の全周にわたって隙間無しに第1絶縁基板10の上面に接していた方が望ましい。
上記のように無機膜ILをいくつか例示したように、望ましい無機膜ILを利用した方が、カラーフィルタCFRへの水分や空気の浸入を、一層、抑制することができる。
又は、無機膜ILが1層の無機層で形成される場合、その無機層はシリコン窒化物で形成されている方が望ましい。
又は、無機膜ILがシリコン窒化物で形成された無機層を含む複数の無機層の積層体で形成される場合、シリコン窒化物で形成された無機層は、積層体の最も下に位置していた方が望ましい。
又は、無機膜ILにおいて、シリコン窒化物で形成された無機層が積層体の最も下に位置していない場合、シリコン窒化物で形成された無機層は、第2領域A2の全周にわたって隙間無しに第1絶縁基板10の上面に接していた方が望ましい。
上記のように無機膜ILをいくつか例示したように、望ましい無機膜ILを利用した方が、カラーフィルタCFRへの水分や空気の浸入を、一層、抑制することができる。
図4は、図1から図3に示した第1基板SUB1を示す平面図であり、第1絶縁基板10、カラーフィルタCFR、及び無機膜ILを示す図である。図中、無機膜ILには斜線を付している。
図4に示すように、カラーフィルタCFRの輪郭は、サイズ及び形状に関して、表示領域DAに対応している。本実施形態に係る表示領域DAの形状は、矩形状であるが、これに限定されるものではない。表示領域DAの形状は、円形などの矩形状と異なる形状であってもよい。カラーフィルタCFRの輪郭は概ね矩形状である。カラーフィルタCFRの外周面Scは、表示領域DAの4辺に一対一で対応した4つの側面を有している。
図4に示すように、カラーフィルタCFRの輪郭は、サイズ及び形状に関して、表示領域DAに対応している。本実施形態に係る表示領域DAの形状は、矩形状であるが、これに限定されるものではない。表示領域DAの形状は、円形などの矩形状と異なる形状であってもよい。カラーフィルタCFRの輪郭は概ね矩形状である。カラーフィルタCFRの外周面Scは、表示領域DAの4辺に一対一で対応した4つの側面を有している。
平面視にて、無機膜ILは、第1領域A1と、第2領域A2と、にわたって設けられている。無機膜ILは、第1絶縁基板10の端まで広げられ、第1絶縁基板10のサイズと同一のサイズを有している。
本実施形態において、無機膜ILは、第1領域A1の全体に隙間無しに重ねられ、第2領域A2の全周にわたって隙間無しに重ねられている。上記のことから、平面視にて、無機膜ILには開口が形成されていない。また、平面視にて、無機膜ILは、互いに間隔を置いて位置した複数の分割部で形成されていない。
本実施形態において、無機膜ILは、第1領域A1の全体に隙間無しに重ねられ、第2領域A2の全周にわたって隙間無しに重ねられている。上記のことから、平面視にて、無機膜ILには開口が形成されていない。また、平面視にて、無機膜ILは、互いに間隔を置いて位置した複数の分割部で形成されていない。
図5は、液晶表示パネルPNLの表示領域DAにおける画素配列の一例を示す図である。図5には、2種類の単位画素UPX1及び単位画素UPX2を示している。
図5に示すように、液晶表示パネルPNLは、2種類の単位画素を有している。単位画素としては、単位画素UPX1及び単位画素UPX2を挙げることができる。単位画素UPX1及び単位画素UPX2は、それぞれカラー画像を表示するための最小単位に相当する。単位画素UPX1は、副画素PXR1、副画素PXG1及び副画素PXB1を含んでいる。単位画素UPX2は、副画素PXR2、副画素PXG2及び副画素PXB2を含んでいる。
図5に示すように、液晶表示パネルPNLは、2種類の単位画素を有している。単位画素としては、単位画素UPX1及び単位画素UPX2を挙げることができる。単位画素UPX1及び単位画素UPX2は、それぞれカラー画像を表示するための最小単位に相当する。単位画素UPX1は、副画素PXR1、副画素PXG1及び副画素PXB1を含んでいる。単位画素UPX2は、副画素PXR2、副画素PXG2及び副画素PXB2を含んでいる。
副画素PXR1及び副画素PXR2は、第1色の副画素であり、第1色の色層CF1を備えている。副画素PXG1及び副画素PXG2は、第1色とは異なる第2色の副画素であり、第2色の色層CF2を備えている。副画素PXB1及び副画素PXB2は、第1色及び第2色とは異なる第3色の副画素であり、第3色の色層CF3を備えている。一例では、第1色が赤色であり、第2色が緑色であり、第3色が青色である。色層CF1乃至CF3は、それぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。
但し、単位画素UPX1及び単位画素UPX2は、赤色、緑色及び青色以外の色を表示する副画素を含んでいてもよいし、赤色、緑色及び青色の副画素を他の色の副画素に置換してもよい。
本明細書では、一例として、380nm乃至780nmの波長範囲の光を「可視光」として定義する。「青色」は、380nm以上490nm未満の第1波長範囲内に透過率ピークを有する色と定義する。「緑色」は、490nm以上590nm未満の第2波長範囲内に透過率ピークを有する色と定義する。「赤色」は、590nm以上780nm以下の第3波長範囲内に透過率ピークを有する色と定義する。
単位画素UPX1は、第1方向Xに繰り返し配置されている。同様に、単位画素UPX2は、第1方向Xに繰り返し配置されている。第1方向Xに並ぶ単位画素UPX1の列と、第1方向Xに並ぶ単位画素UPX2の列は、第2方向Yに交互に繰り返し配置されている。
色層CF1乃至CF3については、それぞれ上記の副画素のレイアウトに従って配置され、また、それぞれの副画素のサイズに応じた面積を有している。本実施形態において、色層CF1乃至CF3は、それぞれストライプ状に形成され、屈曲しつつ第2方向Yに延在し、第1方向Xに並べられている。
また、上記の副画素の形状は、図示したような略平行四辺形の例に限らず、正方形や例えば第2方向Yに延在した長方形などであってもよい。
例えば、副画素の形状が図示したような略平行四辺形の場合、単位画素UPX1及び単位画素UPX2の2個の単位画素を組み合わせることにより、各色の副画素に関しても多くのドメインを形成することが可能となり、視野角特性に関して補償することができる。このため、視野角特性に注目すると、単位画素UPX1及び単位画素UPX2の組み合わせ(2個の単位画素)が、カラー画像を表示するための最小単位に相当する。
なお、単位画素UPX1及び単位画素UPX2は、それぞれ1個の主画素MPXで形成されている。
例えば、副画素の形状が図示したような略平行四辺形の場合、単位画素UPX1及び単位画素UPX2の2個の単位画素を組み合わせることにより、各色の副画素に関しても多くのドメインを形成することが可能となり、視野角特性に関して補償することができる。このため、視野角特性に注目すると、単位画素UPX1及び単位画素UPX2の組み合わせ(2個の単位画素)が、カラー画像を表示するための最小単位に相当する。
なお、単位画素UPX1及び単位画素UPX2は、それぞれ1個の主画素MPXで形成されている。
図6は、第1基板SUB1の構成を示す平面図である。
図6に示すように、第1基板SUB1は、走査線G、信号線S、画素電極PE、画素スイッチング素子SW、第1駆動回路DR1、第2駆動回路DR2を含む駆動部3などを備えている。
図6に示すように、第1基板SUB1は、走査線G、信号線S、画素電極PE、画素スイッチング素子SW、第1駆動回路DR1、第2駆動回路DR2を含む駆動部3などを備えている。
複数の走査線Gは、表示領域DAにおいて、第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。この実施形態において、走査線Gは、第1方向Xに直線的に延在している。複数の信号線Sは、表示領域DAにおいて、第2方向Yに延在し、複数の走査線Gと交差し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。なお、信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、一部が屈曲していたり、第1方向X及び第2方向Yに交差する方向に延出していたりしてもよい。画素電極PE及び画素スイッチング素子PSWは、各副画素PXに配置されている。画素スイッチング素子PSWは、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。画素電極PEは、画素スイッチング素子PSWと電気的に接続されている。
図示した例において、3個の副画素PXR1,PXG1,PXB1を含む単位画素UPX1には、3本の信号線Sと、1本の走査線Gとが割り当てられている。一方、3個の副画素PXR2,PXG2,PXB2を含む単位画素UPX2にも、3本の信号線Sと、1本の走査線Gとが割り当てられている。
第1駆動回路DR1及び第2駆動回路DR2は、非表示領域NDAに配置されている。第1駆動回路DR1は、非表示領域NDAに引き出された走査線Gと電気的に接続されている。第2駆動回路DR2は、非表示領域NDAに引き出された信号線Sと電気的に接続されている。第1駆動回路DR1は、各走査線Gに制御信号を出力する。第2駆動回路DR2は、各信号線Sに画像信号(例えば、映像信号)を出力する。
図7は、第1基板SUB1の一部を拡大して示す平面図であり、走査線G、信号線S、画素スイッチング素子PSW、第2電極E2、コンタクトホールCH及び画素電極PEを示す図である。なお、図7では、説明に必要な構成のみを図示しており、カラーフィルタCFR、無機膜ILなどの図示を省略している。
図7に示すように、複数の走査線Gは、第1方向Xに延出し、直線状に形成されている。なお、走査線Gは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。複数の信号線Sは、概ね第2方向Yに延出し、その一部が屈曲している。図示した例では、隣合う2本の走査線Gの間においては、信号線Sは、第1方向X及び第2方向Yとは異なる方向に延出している。なお、信号線Sは、第2方向Yに沿った直線状に形成されていてもよい。図中において、副画素PXは、隣合う2本の走査線Gと、隣合う2本の信号線Sによって区画される領域に相当する。
画素スイッチング素子PSWは、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。画素スイッチング素子PSWの詳細については後述する。第2電極E2は、画素スイッチング素子PSWと電気的に接続されている。画素電極PEは、図中に破線で示したように、各副画素PXに配置されている。画素電極PEは、第2電極E2と電気的に接続されている。図示した例では、画素電極PEは、2本の帯状電極EAを有している。帯状電極EAは、第1方向に隣合う信号線Sの部分と略平行に延出している。平面視において、コンタクトホールCHは、第2電極E2と画素電極PEとの両方に重ねられている。コンタクトホールCHは、画素電極PEを第2電極E2に電気的に接続するために利用される。
図8は、上記第1基板SUB1の一部を拡大して示す他の平面図であり、遮光層SH、走査線G、信号線S、画素スイッチング素子PSW、第2電極E2及びコンタクトホールCHを示す図である。図中、遮光層SHのみを実線で示している。
図8に示すように、第1基板SUB1は、遮光層SHを備えている。遮光層SHは、複数の第1遮光部SH1と、複数の第2遮光部SH2とが一体となって形成されている。遮光層SHは、副画素PXを区画するように形成されている。
図8に示すように、第1基板SUB1は、遮光層SHを備えている。遮光層SHは、複数の第1遮光部SH1と、複数の第2遮光部SH2とが一体となって形成されている。遮光層SHは、副画素PXを区画するように形成されている。
第1遮光部SH1は、平面視において、走査線Gに沿って延在し、走査線Gに重なっている。本実施形態において、第1遮光部SH1は、帯状に形成され、走査線G、第1方向Xに並ぶ複数の画素スイッチング素子PSW及び第1方向Xに並ぶ複数の第2電極E2と重なっている。
第2遮光部SH2は、平面視において、信号線Sに沿って延在し、信号線Sに重なっている。
遮光層SHは、少なくともバックライトユニットBLから照射される光を遮蔽する機能を有している。遮光層SHは、黒色の樹脂などの光吸収率の高い材料で形成されている。又は、遮光層SHは、金属などの光反射率の高い材料で形成されている。
遮光層SHは、少なくともバックライトユニットBLから照射される光を遮蔽する機能を有している。遮光層SHは、黒色の樹脂などの光吸収率の高い材料で形成されている。又は、遮光層SHは、金属などの光反射率の高い材料で形成されている。
図9は、図7の線IX−IXに沿った液晶表示パネルPNLを示す断面図である。
図9に示すように、第1基板SUB1は、第1絶縁基板10、カラーフィルタCFR、絶縁層11,12,13,14,15,16、信号線S、共通電極CE、画素電極PE、配向膜AL1などを備えている。
図9に示すように、第1基板SUB1は、第1絶縁基板10、カラーフィルタCFR、絶縁層11,12,13,14,15,16、信号線S、共通電極CE、画素電極PE、配向膜AL1などを備えている。
絶縁層11〜16は、いずれも透明である。絶縁層11〜14及び16は、無機絶縁層である。一例では、絶縁層13,14,16は、シリコン窒化物、シリコン酸化物で形成されている。絶縁層15は、透明な有機絶縁層であり、一例ではアクリル樹脂などの樹脂製である。絶縁層11は、第1絶縁基板10及びカラーフィルタCFRの上方に位置している。絶縁層12は、絶縁層11の上に位置している。絶縁層13は、絶縁層12の上に位置している。絶縁層14は、絶縁層13の上に位置している。
信号線Sは、絶縁層14の上に位置している。色層CF1と色層CF2との隣接部分、及び色層CF2と色層CF3との隣接部分は、それぞれ別の信号線Sの下方に位置している。
絶縁層15は、絶縁層14及び信号線Sの上に位置している。
信号線Sは、絶縁層14の上に位置している。色層CF1と色層CF2との隣接部分、及び色層CF2と色層CF3との隣接部分は、それぞれ別の信号線Sの下方に位置している。
絶縁層15は、絶縁層14及び信号線Sの上に位置している。
共通電極CEは、絶縁層15の上に位置している。共通電極CEは、複数の副画素にわたって延在している。図示した例では、共通電極CEは、信号線Sの上方で途切れることなく、絶縁層15の直上に延在している。
絶縁層16は、共通電極CEの上に位置している。
絶縁層16は、共通電極CEの上に位置している。
画素電極PEは、絶縁層16の上に位置している。画素電極PEは、各副画素に配置されている。
配向膜AL1は、絶縁層16、及び画素電極PEを覆っている。
液晶層LCは、第1基板SUB1の上に位置している。液晶層LCは、正の誘電率異方性を有するポジ型の液晶材料で形成されていてもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型の液晶材料で形成されていてもよい。
配向膜AL1は、絶縁層16、及び画素電極PEを覆っている。
液晶層LCは、第1基板SUB1の上に位置している。液晶層LCは、正の誘電率異方性を有するポジ型の液晶材料で形成されていてもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型の液晶材料で形成されていてもよい。
第2基板SUB2は、液晶層LCの上に位置している。第2基板SUB2は、第2絶縁基板20、配向膜AL2などを備えている。第2絶縁基板20は、透明な絶縁材料で形成され、一例では無機材料としてホウケイ酸ガラスなどのガラスで形成されている。本実施形態において、第2絶縁基板20は、ガラスで形成されたガラス基板である。配向膜AL2は、第2絶縁基板20の下に形成されている。
図10は、図7の線X−Xに沿った液晶表示パネルPNLを示す他の断面図である。ここでは、主に図9に示した断面図とは異なる部分について説明する。
図10に示すように、第1基板SUB1は、画素スイッチング素子PSWを備えている。画素スイッチング素子PSWは、半導体層SCを備えている。半導体層SCは、絶縁層12と絶縁層13との間に位置している。
図10に示すように、第1基板SUB1は、画素スイッチング素子PSWを備えている。画素スイッチング素子PSWは、半導体層SCを備えている。半導体層SCは、絶縁層12と絶縁層13との間に位置している。
半導体層SCは、多結晶シリコンで形成されているが、アモルファスシリコン、酸化物半導体などによって形成されていてもよい。酸化物半導体としては、インジウム、ガリウム及び亜鉛の少なくとも1つを含む酸化物が好適に用いられる。酸化物半導体の体表的な例としては、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)、酸化インジウムガリウム(IGO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、亜鉛スズ酸化物(ZnSnO)、亜鉛酸化物(ZnO)、及び透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)などが挙げられる。
カラーフィルタCFRに与える熱的影響を考慮すると、半導体層SCは酸化物半導体で形成されていた方が望ましい。酸化物半導体を利用する方が、多結晶シリコンを利用する場合より、低温の環境下にて半導体層SCを形成することができるためである。
カラーフィルタCFRに与える熱的影響を考慮すると、半導体層SCは酸化物半導体で形成されていた方が望ましい。酸化物半導体を利用する方が、多結晶シリコンを利用する場合より、低温の環境下にて半導体層SCを形成することができるためである。
走査線Gの一部である2つのゲート電極GEは、絶縁層13と絶縁層14との間に位置している。走査線Gは、金属材料として、例えばモリブデンタングステン合金で形成されている。第1電極E1及び第2電極E2は、絶縁層14と絶縁層15との間に位置している。第1電極E1は、信号線Sと一体に形成されている。第1電極E1(信号線S)及び第2電極E2は、金属材料で形成されている。第1電極E1(信号線S)及び第2電極E2は、一例では、チタン、アルミニウム、及びチタンの順に積層した金属製である。
第1電極E1は、絶縁層13,14に形成されたコンタクトホールを通って半導体層SCの第1領域に接触している。第2電極E2は、絶縁層13,14に形成された他のコンタクトホールを通って半導体層SCの第2領域に接触している。第1電極E1がソース電極として機能し、第2電極E2がドレイン電極として機能する場合、半導体層SCの第1領域がソース領域として機能し、半導体層SCの第2領域がドレイン領域として機能する。又は、第1電極E1がドレイン電極として機能し、第2電極E2がソース電極として機能する場合、半導体層SCの第1領域がドレイン領域として機能し、半導体層SCの第2領域がソース領域として機能する。
本実施形態に係る画素スイッチング素子PSWは、トップゲート型の薄膜トランジスタで形成されている。しかし、画素スイッチング素子PSWは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタで形成されていてもよい。
また、本実施形態に係る画素スイッチング素子PSWは、ダブルゲート構造を有している。しかし、画素スイッチング素子PSWは、シングルゲート構造を有していてもよい。
また、本実施形態に係る画素スイッチング素子PSWは、ダブルゲート構造を有している。しかし、画素スイッチング素子PSWは、シングルゲート構造を有していてもよい。
画素電極PEは、絶縁層15に形成されたコンタクトホールCH及び絶縁層16に形成されたコンタクトホールを通り、第2電極E2に接触している。
共通電極CE及び画素電極PEは、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:ITO)、インジウム亜鉛酸化物、(Indium Zinc Oxide:IZO)、酸化亜鉛(Zinc Oxide:ZnO)などの透明な導電材料によって形成されている。
共通電極CE及び画素電極PEは、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:ITO)、インジウム亜鉛酸化物、(Indium Zinc Oxide:IZO)、酸化亜鉛(Zinc Oxide:ZnO)などの透明な導電材料によって形成されている。
上記のような第1基板SUB1は、各色の画素毎に、画素電極PEと、色層CF1〜CF3の何れかと、を備えている。また、画素電極PEとカラーフィルタCFRとの間に液晶層LCが介在せず、画素電極PEとカラーフィルタCFRとが接近して配置される。このため、混色を防止することが可能となる。
上記のように構成された実施形態に係る液晶表示装置DSPによれば、液晶表示パネルPNLは、カラーフィルタCFRと、無機膜ILと、半導体層SCと、を備えている。カラーフィルタCFRは、第1絶縁基板10の上に形成されている。無機膜ILは、カラーフィルタCFRの上方に形成されている。半導体層SCは、無機膜ILの上方に形成されている。平面視にて、無機膜ILは、カラーフィルタCFRと重なる第1領域A1と、第1領域A1を取囲む第2領域A2と、にわたって設けられている。第2領域A2の全周にわたって、無機膜ILは、第1絶縁基板10の上面(無機層上面)の上に形成されている。第2領域A2にて、無機膜ILは、カラーフィルタCFRの外側に形成されている。
無機膜ILは、第1絶縁基板10とともにカラーフィルタCFRへの水分や空気の浸入を抑制し、色層CF1,CF2,CF3の酸化を抑制することができる。色層CF1,CF2,CF3の退色を抑制することができるため、高色純度を有する液晶表示パネルPNLを形成することができる。液晶表示パネルPNLの製造後においても、長期にわたって、色層CF1,CF2,CF3に退色の生じ難い液晶表示パネルPNLを得ることができる。
また、液晶表示パネルPNLは、画素スイッチング素子PSWと、絶縁層15と、コンタクトホールCHと、画素電極PEと、をさらに備えている。画素スイッチング素子PSWは、半導体層SCを含んでいる。絶縁層15は、画素スイッチング素子PSWの上方に位置し有機材料で形成されている。絶縁層15にはコンタクトホールCHが形成されている。画素電極PEは、絶縁層15の上方に形成されコンタクトホールCHを通って画素スイッチング素子PSWに接続されている。
上記のように、本実施形態に係るカラーフィルタCFRは、画素スイッチング素子PSWの下方に位置し、画素スイッチング素子PSWの上方に位置していない。すなわち、コンタクトホールCHは絶縁層15に形成され、色層CF1,CF2,CF3にコンタクトホールを形成しなくともよい。
例えば、絶縁層15の厚みを色層CF1,CF2,CF3の厚みより小さくすることができ、この場合、平面視におけるコンタクトホールCHのサイズの小型化を図ることができる。
また、絶縁層15は、色層CF1,CF2,CF3と異なり、透明な樹脂で形成されるため、露光の際に光が通り易く、樹脂を変質させ易い。このことからも、平面視におけるコンタクトホールCHのサイズの小型化を図ることができる。
液晶層LCにおいて、コンタクトホールCHの上方に配向不良が生じる範囲を縮小することができる。これにより、配向不良に起因した光漏れを抑制することができるため、高コントラスト比を有する液晶表示パネルPNLを得ることができる。
また、絶縁層15は、色層CF1,CF2,CF3と異なり、透明な樹脂で形成されるため、露光の際に光が通り易く、樹脂を変質させ易い。このことからも、平面視におけるコンタクトホールCHのサイズの小型化を図ることができる。
液晶層LCにおいて、コンタクトホールCHの上方に配向不良が生じる範囲を縮小することができる。これにより、配向不良に起因した光漏れを抑制することができるため、高コントラスト比を有する液晶表示パネルPNLを得ることができる。
その他、カラーフィルタCFRは、第2基板SUB2側ではなく第1基板SUB1側に設けられている。このため、高精細な液晶表示パネルPNLであっても、開口率の低下を抑制しつつ、混色の発生を抑制することができる。
上記のことから、表示品位に優れた液晶表示装置を得ることができる。
上記のことから、表示品位に優れた液晶表示装置を得ることができる。
本発明の実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上記新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。上記実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、図11に示すように、第1絶縁基板10は、有機材料として、プラスチックなどの樹脂で形成されていてもよい。この変形例では、第2絶縁基板20も、有機材料として、プラスチックなどの樹脂で形成されている。
無機膜I1は、第1絶縁基板10の上に形成され、第1絶縁基板10を覆っている。無機膜I1は、1層の無機層又は複数層の無機層の積層体で形成されている。この変形例において、無機膜I1の上面は、無機層上面として機能している。カラーフィルタCFRは、無機膜I1の上面の上に形成されている。無機膜ILは、第2領域A2の全周にわたって隙間無しに無機膜I1の上面に接している。
無機膜I2は、第2絶縁基板20の下に形成され、第2絶縁基板20を覆っている。無機膜I2は、1層の無機層又は複数層の無機層の積層体で形成されている。
上記の変形例においても、無機膜ILは、無機膜I1とともにカラーフィルタCFRへの水分や空気の浸入を抑制することができ、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。
無機膜I1は、第1絶縁基板10の上に形成され、第1絶縁基板10を覆っている。無機膜I1は、1層の無機層又は複数層の無機層の積層体で形成されている。この変形例において、無機膜I1の上面は、無機層上面として機能している。カラーフィルタCFRは、無機膜I1の上面の上に形成されている。無機膜ILは、第2領域A2の全周にわたって隙間無しに無機膜I1の上面に接している。
無機膜I2は、第2絶縁基板20の下に形成され、第2絶縁基板20を覆っている。無機膜I2は、1層の無機層又は複数層の無機層の積層体で形成されている。
上記の変形例においても、無機膜ILは、無機膜I1とともにカラーフィルタCFRへの水分や空気の浸入を抑制することができ、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。
上述した実施形態では、液晶表示パネルPNLは、FFSモードを採用している。しかしながら、これに限定されるものではなく、液晶表示パネルは、FFSモード以外の表示モードを採用してもよい。
上述した実施形態は、上述した液晶表示装置DSPに限定されるものではなく、各種の液晶表示装置に適用可能である。
上述した実施形態は、上述した液晶表示装置DSPに限定されるものではなく、各種の液晶表示装置に適用可能である。
DSP…液晶表示装置、PNL…液晶表示パネル、SUB1…第1基板、SUB2…第2基板、LC…液晶層、10…第1絶縁基板、IL,I1…無機膜、CFR…カラーフィルタ、CF1,CF2,CF3…色層、SH…遮光層、Sa…底面、Sb…上面、Sc…外周面、11,12,13,14,15,16…絶縁層、CH…コンタクトホール、PSW…画素スイッチング素子、SC…半導体層、PE…画素電極、DA…表示領域、NDA…非表示領域、A1…第1領域、A2…第2領域。
Claims (7)
- 無機層の上に形成されたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの上方に形成された無機膜と、
前記無機膜の上方に形成された半導体層と、を備え、
平面視にて、前記無機膜は、前記カラーフィルタと重なる第1領域と、前記第1領域を取囲む第2領域と、にわたって設けられ、
前記第2領域にて、前記無機膜は、前記カラーフィルタの外側に形成されている、
液晶表示装置。 - 前記無機膜は、シリコン窒化物で形成された第1無機層を有している、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記無機膜は、シリコン窒化物で形成された第1無機層を含む複数の無機層の積層体で形成されている、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1無機層は、前記複数の無機層のうち最も下に位置している、
請求項3に記載の液晶表示装置。 - 前記カラーフィルタの下に位置しガラスで形成された絶縁基板をさらに備え、
前記無機層の上面は、前記絶縁基板の上面である、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記半導体層を含む画素スイッチング素子と、
前記画素スイッチング素子の上方に位置し有機材料で形成された絶縁層と、
前記絶縁層に形成されたコンタクトホールと、
前記絶縁層の上方に形成され前記コンタクトホールを通って前記画素スイッチング素子に接続された画素電極と、をさらに備える、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記カラーフィルタ、前記無機膜、及び前記半導体層を備える第1基板と、
前記第1基板の上方に位置し前記第1基板に間隔を置いて対向配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備える、
請求項1に記載の液晶表示装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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