TWI300163B - Positive photoresist composition for manufacturing lcd and formation method of resist pattern - Google Patents

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Satoshi Niikura
Yasuhide Ohuchi
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Description

1300163 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明爲關於製造在一個基板上集成電路部分爲與顯 示部分同時形成之LCD用之正型光阻組成物及光阻圖型 之形成方法。 【先前技術】 迄今’於玻璃基板上形成液晶顯示部分之液晶顯示元 件（LCD)的製造中，由於較便宜，且可形成靈敏度，解像 性及形狀優良的光阻圖型，故常利用半導體元件製造中所 用之酚醛清漆樹脂-含萘醌二疊氮基之化合物系所構成的 正型光阻材料（例如，參照專利文獻1〜4 ；)。 上述之酚醛清漆樹脂-含萘醌二疊氮基化合物系所構 成之光阻’爲用以形成顯不器畫素部分之僅非常粗糖圖型 (3〜5μιη左右）的材料，爲適於§11丨射線（含§射線、11射線 、i射線全部之光線）曝光之材料。 現在，第二代之LCD已廣泛進行於1枚玻璃基板上， 將驅動器、DAC(數模轉換器）、圖像處理器、視頻控制器 、RAM等之集成電部部分爲與顯示部分同時形成，所謂 「LCD系統」之高機能LCD的技術開發（Semiconductor FPD World 2001.9，pp 50-67)。 此時，於基板上，除了顯示部分，加上亦形成集成電 路部分，故基板有再大型化的傾向。 於此LCD系統中，例如，顯示部分之圖型尺寸爲 -5- 1300163 (2) 2〜ΙΟμπι左右，相對地，集成電路部分爲以〇·5〜2·0μιη左 右微細之尺寸形成。因此，以可形成0.5〜2· Ομπι左右之微 細光阻圖型爲佳，期望比先前之LCD製造用光阻材料更 高解像度的光阻材料。 又，對於適合製造LCD系統之材料爲要求令微細圖 型和粗糙圖型可同時以良好形狀形成之能力（線性）提高、 高解像化、微細圖型之D OF特性的提高，對於離子注入 步驟之耐熱性提高。 又，於LCD系統之製造中，於光微影步驟中，因爲 預測i射線（3 65nm)的導入，故要求於該波長下之適於曝 光的i射線曝光用光阻材料。 又，靈敏度降低在液晶元件的製造領域中，造成致命 性的產量（每單位時間的處理數量）降低，故要求滿足上述 特性，並且不會產生靈敏度降低。 另一方面，適於i射線曝光和形成微細之光阻圖型的 高解像性光阻材料，已知爲半導體製造領域中所使用的正 型光阻組成物 但是，例如，於半導體元件之製造中，最大使用直徑 8吋（約200mm)〜12吋（約300mm)之圓盤型矽晶圓，相對地 ，於LCD之製造中，最小亦使用360mmx460mm左右的方 形玻璃基板。 如此，於LCD之製造領域中，塗佈光阻材料的基板 當然於材質和形狀方面爲不同，但於其大小方面，乃與半 導體元件製造中所用者大爲不同。 -6 - (3) 1300163 因此，於L C D系統製造用之光阻材料中’要求可對 廣闊的基板面全面形成形狀及尺寸安定性等特性良好的光 阻圖型。 [專利文獻1] 特開2000-1 12120號公報 [專利文獻2] 特開2000-131835號公報 [專利文獻3] 特開2000-181055號公報 [專利文獻4] 特開2001-75272號公報 如專利文獻1〜4中記載之先前的LCD用光阻爲如上述 般適於ghi射線曝光，又，適於形成粗糙圖型，但於利用 i射線曝光之單波長曝光的微影術，和形成2μιη以下之微 細光阻圖型上，具有靈敏度降低，解像性差等之難點。 又，半導體製造中所用之矽晶圓和LCD製造中所用 之玻璃基板爲如上述般，基板大小爲以玻璃基板者較大， 與矽晶圓不同的玻璃基板爲於其表面具有凹凸，且基板本 身的彎曲亦大。因此，於具有此類特徵之玻璃基板面全面 ，於原理上難以形成膜厚均勻的光阻被膜。其結果，若愈 爲微細的光阻圖型，則愈無法無視於光阻被膜之膜厚差所 造成之光阻圖型的尺寸變化率，發生半導體製造步驟中所 未產生的光阻圖型尺寸的偏差現象。 因此，爲了實現系統LCD的製造，除了適用i線曝 1300163 (4) 光’再加上期望實現微細的光阻圖型於廣闊的基板面上不 會發生尺寸偏差般形成的光阻材料。 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 本發明爲以提供可於廣闊的基板面全面，形成無尺寸 偏差之微細的光阻圖型之LCD系統製造用正型光阻組成 物爲其課題。 [解決課題之手段] 爲了解決前述課題，本發明之LCD用正型光阻組成 物爲於一個基板上令集成電.路部分爲與顯示部分同時形成 之LCD製造用正型光阻組成物，光阻被膜之B參數値爲 〇·1〜0.6爲其特徵。 又，本發明之光阻圖型之形成方法其特徵爲包含下列 步驟。 (1)將本發明之正型光阻組成物於基板上塗佈，形成 塗膜之步驟，（2)將形成上述塗膜之基板予以加熱處理（預 烘烤），於基板上形成光阻被膜之步驟，（3)對於上述光阻 被膜，使用形成2.0//m以下之光阻圖型用光罩圖型，和形 成超過2·0μιη之光阻圖型用光罩圖型兩者予以描繪之光罩 且進行選擇性曝光之步驟，（4)對於上述選擇性曝光後之 光阻被膜，施以加熱處理（後曝光烘烤）之步驟，（5)對於上 述熱處理後之光阻被膜，施以使用鹼水溶液的顯像處理， 且於上述基板上，令圖型尺寸2·0 μιη以下之集成電路用之 -8 - 1300163 (5) 光阻圖型、和超過2 · 0 // m之液晶顯示部分用之光阻圖型可 同時形成之步驟。 [發明之實施形態] 本發明之LCD用正型光阻組成物其特徵爲光阻被膜 之B參數値爲0.1〜0.6，較佳爲0.2〜0.4。 於本發明中，B參數値爲以下述數式（1)所規定之値 B = (- l/ d)xlnT〇〇 (1) [數式（1)中，T〇〇 :塗佈光阻組成物，進行紫外線照射且 感光劑完全分解後之光線穿透率/100，d :光阻被膜之膜 厚（μπι)] 〇 此Β參數値爲如下測定、算出。 1) 於附有防止反射膜之石英玻璃基板（2吋）上將光阻組成 物旋塗塗佈成1.5μιη。 2) 以烤爐（95°C，30分鐘）進行預烘烤令溶劑飛散。 3) 以膜厚測定器測定烘烤後之光阻膜厚。 4) 對於上述玻璃基板上之光阻被膜進行紫外線照射令感光 劑完全分解。此紫外線照射爲採用例如使用紫外線照射裝 置PLA-501F(Canon公司製），並以照度l〇mw/cm2下照射 30秒鐘紫外線之方法。 5)對於感光劑完全分解後之光阻被膜，使用分光光度 計（日立製C-2000)以測定波長區域：500〜250nm(燈切換 340nm)間測定，並求出以形成圖型之曝光光線，例如i射 -9- (6) 1300163 線（3 6 5 n m)下的穿透率。 6)根據上述數式算出參數B。 B參數的控制方法並無特別限制，其有效手段爲將^ 射線中具有吸收之染料於光阻組成物中配合的方法，且以 採用此方法爲佳。 經由令B參數値爲在特定之範圍，可減低光阻圖型之 尺寸變化，推測係根據如下之機制。 光阻圖型曝光時，除了照射光以外，亦存在於基板面 所反射的反射光。即，存在照射光（進行波）和反射光（反 射波）。此進行波與反射波並非各別被觀測，而爲兩者以 分成之駐波型式觀測。基板若爲無凹凸和彎曲之美麗的平 面，則反射波亦垂直基板面反射，且此駐波爲在曝光部全 面呈現均勻。但是，若基板具有凹凸和彎曲，則反射光爲 以各種角度反射，推測駐波爲呈不均勻。即，包含反射光 之曝光部所照射的照射量爲視情況而異，並且反射光亦進 入未曝光部。進入未曝光部的反射光爲被感光劑吸收且感 光劑分解並且令感光性樹脂組成物於鹼中可溶化。因此， 根據基板之凹凸，推測所形成之光阻圖型爲不均勻。 又，隨著光阻圖型之圖型大小（尺寸）的微細化’特別 若變成次微等級，則曝光時，來自頭道基板之Ti、A1、 Ta、Cr等之金屬膜的光反射令光阻圖型形狀惡化變得更 加顯著。還有，此類駐波之影響在增強化學性型正型光阻 之情況更加顯著。 B參數値爲顯示感光劑以外之成分所造成之光吸收尺 -10- 1300163 (7) 度値。 B參數値若爲0.1以上，例如於未曝光部所侵入之反 射光幾乎完全被光阻組成物中之感光劑以外的成分所吸收 ，且推測抑制感光劑的分解。因此，抑制基板之凹凸、彎 曲所造成之反射光紊亂的影響，且取得曝光部和未曝光部 之邊界清楚的短形圖型。經由令B參數値爲0 ·6以下則可 使得感光劑以外之成分的光吸收過度，防止因上方和下方 之光吸收量不同所造成的上方膜減薄，且防止圖型剖面變 成錐狀，不會發生低靈敏度化和形狀惡化之問題。 <組成物之說明> 本發明之LCD系統用正型光阻組成物爲含有產酸劑 (PAG)之所謂增強化學性型的光阻組成物，特別以含有（A) 鹼可溶性樹脂，（B)含非二苯酮系醌二疊氮基之化合物， 及（C)分子量1000以下之含有酚性羥基之化合物及（E)i射 線（365nm)吸收性染料溶解於（D)有機溶劑之溶液爲佳。 (A)成分爲鹼可溶性樹脂。 (A)成分並無特別限制，可由正型光阻組成物中通常 使用做爲形成被膜物質者中，任意選擇使用一種或二種以 上。 可列舉例如，酚類（苯酚、間-甲苯酚、對-甲苯酚、 二甲苯酚、三甲基苯酚等）、和醛類（甲醛、甲醛前體、丙 醛、2 -羥基苯甲醛、3 -羥基苯甲醛、4 -羥基苯甲醛等）和/ 或酮類（甲基乙基酮、丙酮等），於酸性觸媒存在下縮合所 -11 - 1300163 (8) 得之酚醛清漆樹脂。 羥基苯乙烯之單聚物、和羥基苯乙烯與其他苯乙烯系 單體之共聚物、羥基苯乙烯與丙烯酸或甲基丙烯酸或彼等 衍生物之共聚物等之羥基苯乙烯系樹脂。 丙烯酸或甲基丙烯酸與彼等衍生物之共聚物丙嫌酸或 甲基丙烯酸系樹脂等。 特別以含有間-甲苯酚、對-甲苯酚、3，4-二甲苯酣 及2，3，5 -三甲基苯酚中選出至少二種之酚類與含有甲醛 之醛類縮合反應所得之酚醛清漆樹脂爲適於調製高靈敏度 且解像性優良之光阻材料。 (A)成分可根據常法製造。 (A)成分以凝膠參透層析所得之換算成聚苯乙烯的質 量平均分子量（Mw)雖根據其種類而異，但由靈敏度和形 成圖型之觀點而言，爲以2000~100000、較佳爲 3000〜30000 。 <B成分> (B)成分爲含有非二苯酮系醌二疊氮基之化合物，以 非二苯酮系苯酚化合物與萘醌二疊氮基化合物之酯化物爲 佳。萘醌二疊氮基化合物以i，2-萘醌二疊氮基-4-磺酸化 合物和/或1，2-萘醌二疊氮基-5_磺酸化合物爲佳。 (B)成分若爲一般正型光阻組成物中，使用做爲感光 成分之含有非二苯酮系醌二疊氮基之化合物即可，並無特 別限制’可任意選擇使用一種或二種以上。 -12- 1300163 (9) 其中，特別以丨述一般式⑴
[式中’ Rl〜RS爲分別獨立表示氫原子、鹵原子、碳數1~6 個之院基、碳數1〜6個之烷氧基、或碳數3〜6個之環烷基； R1G、R11爲分別獨立表示氫原子或碳數個之烷基；R9 可爲氫原子或碳數1〜6個之院基，此時，Q1爲氫原子、碳 數1〜6個之烷基或下述化學式（π)所示之殘基
(式中，R12及R13爲分別獨立表示氫原子、鹵原子、碳數 1〜6個之烷基、碳數1~6個之烷氧基、或碳數3~6個之環烷 基；c爲表示1~3之整數），或者’ Q1可與R9之終端結合’ 此時，Q1爲表示R9及⑴與r9之間的碳子共同形成碳鏈 3〜6個之環烷基；a、b爲表示1~3之整數；d爲表示0〜3之 整數；a、b或d爲3時’分別不爲r3、r6、r8 ; n爲表示 〇〜3之整數]所示之苯酣化合物’和蔡驅一 K氣基礦酸化合 -13- 1300163 (10) 物之酯化物爲適於使用i射線的光微影術，或於低ΝΑ條 件下良好形成2.0 μιη以下之微細光阻圖型形狀之情況中爲 合適。即，高解像度方面爲佳，且於線性方面亦爲佳。 還有，Q1與R9、及Q1與R9之間之碳原子共同形成碳 鏈3〜6個之環烷基之情形中，Q1與R9爲結合，形成碳數 2~5個的伸烷基。 相當於一般式（I)的苯酚化合物可列舉三（4-羥苯基）甲 烷、雙（心羥基-3-甲基苯基）-2-羥苯基甲烷、雙（4-羥基-2 ，3，5-三甲基苯基）-2-羥苯基甲烷、雙（4-羥基-3, 5-二甲 基苯基）-4-羥苯基甲烷、雙（4-羥基-3，5-二甲基苯基）-3-羥苯基甲烷、雙（4-羥基-3，5-二甲基苯基）-2-羥苯基甲烷 、雙（4-羥基-2，5-二甲基苯基）·4_羥苯基甲烷、雙（4-羥 基-2，5-二甲基苯基）·3-羥苯基甲烷、雙（4_羥基·2，5-二 甲基苯基）-2 -羥苯基甲烷、雙（4 -羥基-3，5 -二甲基苯基）-3 ，4 -二經苯基甲院、雙（4 -經基-2，5 -二甲基苯基）-3，4 -二 羥苯基甲烷、雙（4-羥基-2，5-二甲基苯基）-2，4-二羥苯 基甲烷、雙（4-羥苯基）-3-甲氧基-4-羥苯基甲烷、雙（5-環 己基-4-羥基-2-甲基苯基）-4-羥苯基甲烷、雙環己基_4_ 羥基-2-甲基苯基）-3-羥苯基甲烷、雙環己基-4-羥基-2-甲基苯基）-2-羥苯基甲烷、雙環己基羥基-2_甲基苯 基）-3，4-二羥苯基甲烷等之三酚型化合物； 2’ 4-雙（3，5-二甲基-4-羥苄基）-5-羥基苯酚、2，6-雙（2，5-二甲基-4-羥苄基）-4-甲基苯酚等之線型三核體苯 酚化合物；1，1-雙[3-(2-羥基-5 -甲基苄基）-4-羥基-5-環 1300163 (11) 己基苯基]異丙烷、雙[2，5-二甲基-3-(4-羥基-5-甲基苄基 )-4-羥苯基]甲烷、雙[2，5-二甲基-3-(4-羥苄基）-4-羥苯基 ]甲烷、雙[3-(3，5-二甲基-4-羥苄基）-4-羥基-5-甲基苯基] 甲烷、雙[3-(3，5-二甲基-4-羥苄基）-4-羥基-5-乙基苯基] 甲烷、雙[3-(3，5-二乙基-4-羥苄基）-4-羥基-5-甲基苯基] 甲烷、雙[3-(3，5-二乙基-4-羥苄基）-4-羥基-5-乙基苯基] 甲烷、雙[2-羥基-3-(3，5-二甲基-4-羥苄基）-5-甲基苯基] 甲烷、雙[2-羥基-3-(2-羥基-5-甲基苄基）-5-甲基苯基]甲 烷、雙[4-羥基-3-(2-羥基-5-甲基苄基）-5-甲基苯基]甲烷 、雙[2，5-二甲基-3-(2-羥基-5-甲基苄基）-4-羥苯基]甲烷 等之線型四核體苯酚化合物，2，4-雙[2-羥基-3-(4-羥苄 基）-5-甲基苄基]-6-環己基苯酚、2，4-雙[4-羥基-3-(4-羥 苄基）-5-甲基苄基]-6-環己基苯酚、2，6-雙[2，5-二甲基-3-(2-羥基-5-甲基苄基）-4-羥苄基]-4-甲基苯酚等之線型五 核體苯酚化合物等之線型多酚化合物； 雙（2，3，4-三羥苯基）甲烷、雙（2，4-二羥苯基）甲烷 、2，3，4-三羥苯基-4、羥苯基甲烷、2-(2，3，4-三羥苯 基）-2-(2^ 3’，4’-三羥苯基）丙烷、2-(2，4-二羥苯基- 2-(2’，4’-二羥苯基）丙烷、2-(4-羥苯基）-2-(4’-羥苯基）丙烷 、2-(3-氟基-4-羥苯基）-2-(3’-氟基羥苯基）丙烷、2-(2 ，4-二羥苯基）-2-(4’-羥苯基）丙烷、2-(2，3，4-三羥苯基 )-2·(4’-羥苯基）丙烷、2-(2，3，4-三羥苯基）-2-(4’-羥基-3\，5’-二甲基苯基）丙烷等之雙酚型化合物；1-[1·(4-羥苯 基）異丙基]-4-[1，1-雙（4-羥苯基）乙基]苯、1-[1-(3-甲基- (12) 1300163 4-羥苯基）異丙基]-4-[1，1-雙（3-甲基-4-羥苯基）乙基]苯等 之多核分支型化合物；1，1·雙（4-羥苯基）環己烷等之縮合 型苯酚化合物等。 彼等可使用一種或組合使用二種以上。 其中，以三苯酚型化合物做爲主成分者就高靈敏度化 和解像性方面而言爲佳，特別以雙（5-環己基-4-羥基-2-甲 基苯基）-3，4-二羥苯基甲烷[以下簡寫爲（ΒΓ)]、雙（4-羥 基-2，3，5-三甲基苯基）-2-羥苯基甲烷[以下簡寫爲（B3’）] 爲佳。又，於調製解像性、靈敏度、耐熱性、DOF特性、 線性等光阻特性之全部平衡優良的光阻組成物之目的中， 令線型多酚化合物、雙酚型化合物、多核分支型化合物、 及縮合型苯酚化合物等與上述三苯酚型化合物倂用爲隹’ 特別若倂用雙酚型化合物中之雙（2，二羥苯基）甲烷[以 下簡稱爲（B 2’）]，則可調整全部平衡優良的光阻組成物。 還有，以下，將前述（ΒΓ)、（B2f)、（B3’）之各個萘醌 二疊氮基酯化物簡寫爲（Bl)、（B2)、（B3)。 使用（Bl)、（B3)時，（B)成分中之配合量分別爲10質 量％以上，更且以1 5質量％以上爲佳。又，分別爲9 0質量 %以下，較佳爲85質量％以下。 又，全部使用（Bl)、（B2)、（B3)時’由效果方面而言 分別之配合量爲（B1)爲50~90質量％，較佳爲60-80質量％ ，（B2)之配合量爲5~25質量％’較佳爲1〇〜15質量％，（B3) 之配合量爲5~25質量％，較佳爲1〇~15質量％。 令上述一般式（I)所示化合物之全部或一部分酚性羥 (13) 1300163 基予以萘醌二疊氮基磺酸酯化之方法，可依常法進行。 例如，萘醌二疊氮基磺醯氯與上述一般式（I)所示之 化合物縮合則可取得。 具體而言，例如令上述一般式（I)所示之化合物，與 萘醌-1，2-二疊氮基-4-(或5)-磺醯氯，於二哼烷、正甲基 吡咯烷酮、二甲基乙醯胺、四氫呋喃等之有機溶劑中以指 定量溶解，並於其中加入一種以上三乙胺、三乙醇胺、吡 啶、碳酸鹼、碳酸氫鹼等之鹼性觸媒且反應，將所得之產 物水洗、乾燥則可調製。 (B)成分爲如上述，除了此處例示之較佳的萘醌二疊 氮基酯化物以外，亦可使用其他的萘醌二疊氮基酯化物， 例如亦可使用沒食子酸烷酯等之苯酚化合物與萘醌二疊氮 基磺酸化合物的酯化反應產物等。 此等其他之萘醌一疊氮基酯化物之使用量爲（B)感光 性成分中，以8 0質量％以下，特別爲5 0質量％以下，就提 高本發明效果之觀點爲佳。 含有二苯酮系醌二疊氮基之化合物爲吸收較多量之i 射線，相對地，含有非二苯酮系醌二疊氮基之化合物爲i 射線吸收量較少’故含有二苯酮系醌二疊氮基之化合物做 爲感光性成分爲其主成分的正型光阻，對於i射線曝光， 易於高靈敏度下形成高解像性的光阻圖型。 光阻組成物中之（B)成分的配合量爲相對於（A)成分和 下述（C)成分之合計量以20〜70質量％，較佳爲25〜60質量％ 1300163 (14) 經由令（B)成分的配合量爲上述下限値以上，則可取 得對圖型忠實的畫像，且提高轉印性。經由作成上述上限 値以下，則可防止靈敏度的惡化，且提高所形成光阻膜的 均質性，取得提高解像性的效果。 <(C)成分> (c)成分爲含有酚性羥基之化合物。經由使用此（c)成 分，則提高靈敏度效果優良，且即使於低N A(開口數： numerical aperture)條件之i射線曝光步驟中，亦可取得 高靈敏度，高解像度、適於製造LCD的材料，更佳爲取 得線性優良之適於LCD系統的材料。 (C)成分之分子量爲1000以下，較佳爲7〇〇以下，實質 上爲200以上，較佳爲300以上，就上述效果而言爲佳。 (C)成分爲提商靈敏度之材料，或增感劑，爲一般光 阻組成物中所使用之含有酚性羥基的化合物，較佳爲滿足 上述分子量之條件即可，並無特別限制，但以非二苯酮系 爲佳。此（C)成分可任意選擇使用〜種或二種以上。其中 ，亦以下述一般式（III)
(III) [式中’ r21~r爲分別獨立表示氫原子、鹵原子、碳數 -18- 1300163 (15) 1~6個之烷基、碳數1~6個之烷氧基、或碳數3〜6個之環烷 基；R3G、R31爲分別獨立表示氫原子或碳數1~6個之烷基 ;R29可爲氫原子或碳數1〜6個之烷基’此時，Q2爲表示氫 原子、碳數1〜6個之烷基或下述化學式（IV)所示之殘基 R32
(式中，R32及R33爲分別獨立表示氫原子、鹵原子，碳數 1〜6個之烷基、碳數1〜6個之烷氧基、或碳數3〜6個之環烷 基；g爲表示〇〜3之整數），或者，Q2可與R29之終端結合 ，此時，Q2爲與R29及、Q2與R29間之碳原子共同表示碳 鏈3〜6個之環院基；e、f爲表示1〜3之整數；h爲表示0〜3 之整數；e、f或h爲3時，分別不爲R23、r26、r28 ; m爲 表示0~3之整數]所示之化合物爲良好顯示上述之特性，故 爲佳。 具體而言’例如上述（B)成分中所例示之苯酚化合物 之萘醌二疊氮基醋化物中所用之苯酚化合物以外，以雙 (3 -甲基-4-羥苯基）·4-異丙苯基甲烷、雙（3 -甲基-4-羥苯基 )-苯基甲烷、雙（2-甲基-4-羥苯基苯基甲烷、雙（3-甲基-2-羥苯基）-苯基甲烷、雙（3，5·二甲基-4-羥苯基）-苯基甲 烷、雙（3-乙基-4-羥苯基）-苯基甲烷、雙甲基羥苯基 -19- 1300163 (16) )-苯基甲院、雙（2 -第三丁基·4，5 -二經苯基）-苯基甲院等 等之三苯基型化合物爲適於使用。其中亦以雙（2 -甲基_4_ 羥苯基苯基甲烷、1-[1-(4_羥苯基）-異丙基]-[[1，1-雙 (4 -經苯基）乙基]本爲佳。 (C) 成分的配合量由效果方面而言’相對於（A)成分以 10〜70質量％，較佳爲20〜60質量％之範圍。 <(D)成分> (D) 成分若爲光阻組成物中所用之一般的有機溶劑即 可，並無特別限制，可選擇使用一種或二種以上’但以含 有丙二醇單烷醚醋酸酯、及/或2-庚酮者爲塗佈性優良’ 且於大型玻璃基板上之光阻被膜的膜厚均勻性優良’故爲 佳。 還有，亦可使用丙二醇單烷醚醋酸酯和2 -庚酮兩者， 但多以分別單獨使用、或與其他有機溶劑混合使用’就利 用旋塗法等之塗佈時的膜厚均勻性方面而言爲佳。 丙二醇單烷醚醋酸酯爲於（D)成分中，含有50〜100質 量％爲佳。 丙二醇單院醚醋酸醋爲例如具有碳數1〜3個的直鏈或 分支鏈狀烷基，其中，以丙二醇單甲醚醋酸酯（以下’簡 寫爲PGMEA)因爲於大型玻璃基板上之光阻被膜的膜厚均 勻性非常優良，故爲特佳。 另一方面，2-庚酮並無特別限定，爲如上述般之（B) 萘醌二疊氮基酯化物，與非二苯酮系之感光性成分組合時 -20- 1300163 (17) 的適當溶劑。 2-庚酮若與：PGMEA相比較，則耐熱性優良，且具有 提供減低源渣發生之光阻組成物的特性’爲非常良好的溶 劑。 2-庚酮於單獨，或與其他有機溶劑混合使用時，於 (D)成分中，含有50〜100質量％爲佳。 又，於此些較佳之溶劑中，亦可混合其他溶劑供使用 。例如，若配合乳酸甲酯、乳酸乙酯等（較佳爲乳酸乙酯 之乳酸烷酯，則光阻被膜之膜厚均勻性優良，且可形成形 狀優良的光阻圖型，故爲佳。 將丙二醇單烷醚醋酸酯與乳酸烷酯混合使用時，相對 於丙二醇單烷醚醋酸酯配合質量比0.1~10倍量，較佳爲 1〜5倍量之乳酸烷酯爲佳。 又，亦可使用7 -丁內酯和丙二醇單丁醚等之有機溶 劑。 於使用r - 丁內酯之情形中，相對於丙二醇單烷醚醋 酸酯配合質量比0.01~1倍量，較佳爲0.05~0.5倍量之範圍 爲佳。 還有，其他可配合之有機溶劑具體而言可列舉例如下 列溶劑。 即，丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異成基酮等之 酮類；乙二醇、丙二醇、二甘醇、乙二醇單醋酸酯、丙二 醇單醋酸酯、二甘醇單醋酸酯、或彼等之單甲醚、單乙醚 、單丙醚、單丁醚或單苯醚等之多元醇類及其衍生物；二 -21 - 1300163 (18) 鸣烷等之環式醚類；及醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、 丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸 乙酯等之酯類等。 使用此些溶劑時，（D)成分中期望以50質量％以下。 <E成分> E成分爲控制B參數値之成分。b參數値之控制方法 雖無特別限制’但期望於光阻組成物中配合i射線 (3 6 5 n m)吸收性染料。 所謂i射線（3 65nm)吸收性染料爲一般對於i射線吸 收大的染料，若爲此類染料，則無特別限定可使用，例如 ，特開平9-292714號公報，特開2001-100406號公報所記 載之對於365 urn波長之光線具有吸收的化合物（染料），特 別爲對於365nm波長之光線的克吸光係數爲30〜200、特別 5 0〜100之化合物爲佳。 其中適於本發明用途之i射線吸收性染料可列舉例如 4，4’-雙（二烷胺基）二苯酮；下述一般式（V)所示之羥基二 苯酮類，下述一般式（VI)所示之具有羥基和胺基的二苯酮 (以下，合倂稱爲二苯酮系苯酚化合物）；下述一般式（VII) 所示之4-苯基偶氮基-5-羥基吡唑類；羥苯基苯並三唑類 ;水楊酸衍生物；偶氮苯類；香豆素衍生物；上述之二苯 酮系苯酚化合物、4-苯基偶氮-5-羥基吡唑類、羥苯基苯 並三唑類、與1，2-萘醌二疊氮基磺酸化合物之酯化反應 產物等之染料；及，彼等之二種以上的組合。1，2 -萘醌 -22- 1300163 (19) 二疊氮基磺酸化合物可列舉1，2-萘醌二疊氮基-4-磺酸化 合物和/或1，2-萘醌二疊氮基-5-磺酸化合物。
HO
(式中之R41及R42爲羥基或低烷氧基，η爲1或2之整數，m 爲0或1~3之整數）
(〇H)p (VI)
(式中之R43及R44爲氫原子或低烷基，P爲1〜3之整數）
(VII) (式中之R45及R46爲氫原子、鹵原子、羥基、硝基、羧基 -23- 1300163 (20) 、經院基、氰基、低院基或低院氧基，R4 7爲芳基、低院 基或二烷胺苯基，R48爲氫原子或低烷基，R49爲羥基或胺 基）。 4 ’ 4’-雙（二烷胺基）二苯酮可例示例如4，4’_雙（二甲 胺基）二苯酮、4，4’ -雙（二乙胺基）二苯酮、4，4，-雙（二正 丙胺基）二苯酮、4，4f-雙（二異丙胺基）二苯酮、4，4丨_雙（ 二丁胺基）二苯酮、4-二甲胺基二乙胺基二苯酮、4_ (N-甲基-N-乙胺基）-4’-(N-甲基-N-乙胺基）二苯酮、彼等之 二種以上的組合等。 其中以4，4’-雙（二甲胺基）二苯酮、4, 4’-雙（二乙胺 基）二苯酮爲佳。 上述一般式（V)所示之化合物可例示例如2，3，4_三 羥基二苯酮、2，4，4、三羥基二苯酮、2，4，5-三經基二 苯酮、2’ 4，6 -三經基二苯酮、2，2f，3，4 -四經基二苯 酮、2，3，4，4、四經基二苯酮、2，2’，4，41-四經基二 苯酮、2，2，，3，4，4’-五羥基二苯酮、2，3，，4，4，， 五羥基二苯酮、2，2’，3，4，4’-五羥基二苯酮、2，3，， 4，5，5’’ 6 -六經基二苯酮、2，3，3’，4，4’，5、六經基 二苯酮、2-羥基-4-甲氧基二苯酮、2，2’-二羥基甲氧基 二苯酮、2，2’-二羥基-4，4’二甲氧基二苯酮、彼等之二 種以上的組合等之羥基二苯酮類。 其中以2，4，5-三羥基二苯酮、2，3，4，4，-四經基 二苯酮、2，2，，4，4、四羥基二苯酮、2，2，，3，4，4，_ 五羥基二苯酮、2，3，3’，4，4’，5’-六羥基二苯酮、2， -24 - 1300163 (21) 2’-二羥基-4 ’ 4’-二甲氧基二苯酮於其吸光特性上之防眩 效果高，且靈敏度，曝光充裕度特性優良，故爲佳。其中 特別以2，2’，4，4、四羥基二苯酮爲佳。 上述一般式（VI)所示之化合物可例示例如4-胺基-2’-經基二苯酮、4 -胺基-4^經基二苯酮、4_二甲胺基-經基 二苯酮、4-二甲胺基-4’-羥基二苯酮、二乙胺基_2，_羥基 二苯酮、4-二乙胺基-4、羥基二苯酮、4-二甲胺基-2’，4’· 二經基二苯酮、4 -二乙胺基-21，4’ -二經基二苯酮、4 -胺 基- 2’，4’，6’ -三經基二苯酮、4-二甲胺基- 2，，4，，6'-三羥 基二苯酮、6-二甲胺基- 2’，4’，6^三羥基二苯酮、彼等之 二種以上的組合等。 其中以4_二甲胺基-2’-羥基二苯酮、4_二乙胺基-2’·羥 基二苯酮等之4-二院胺基-21-羥基二苯酮類、和4-二甲胺 基-2’，4’-二羥基二苯酮、4-二乙胺基-21，4、二羥基二苯 酮等之4_二烷胺-2’ ’ 4’-二羥基二苯酮類在其吸光特性上 之防眩效果高，且靈敏度、曝光充裕度特性優良故爲特佳 〇 上述一般式（VII)所示之化合物可例示例如5-胺基-1-苯基-4-苯基偶氮吡唑、5-胺基-3-甲基-1-苯基苯基偶氮 吡唑、5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(4-羥苯基偶氮基）吡唑、 5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(2-羥苯基偶氮基）D[i唑、5-胺基_ 3- 甲基-1-苯基-4-(4-羧苯基偶氮基）Dtt唑、5-胺基-3-甲基_ 1-苯基-4-(3-羧苯基偶氮基）D(±唑、5-胺基-3_甲基-1-苯基- 4- (4 ·羥乙苯基偶氮基）吡唑、5-胺基-1-乙基-3-甲基-4-(4- 1300163 (22) 硝苯基偶氮基）批唑、5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(4-羥基-2-硝苯基偶氮基）吼唑、5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(4-氯基-2-甲基苯基偶氮基）批唑、5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(4-氰苯 基偶氮基）吡唑、5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(4-乙氧苯基偶 氮基）哦唑、5-胺基-3·二甲胺苯基苯基偶氮基吡唑、彼 等之二種以上之組合等之4-苯基偶氮基-5 ·胺基吡唑類； 例如1-苯基-4-苯基偶氮基-5-羥基吡唑、3-甲基-1-苯 基-4-苯基偶氮基-5-羥基吡唑、1-苯基-4-(2，5·二氯苯基 偶氮基-5-羥基吡唑、1-乙基-3-甲基-4-(4-氯基-2-甲基苯 基偶氮基）-5-羥基吡唑、3-甲基對-甲苯基-4-(3-硝苯基 偶氮基）-5-羥基吡唑、3-甲基-1-對-甲苯基-4-(4-羥乙苯基 偶氮基）-5-羥基吡唑、3-甲基-1-對-甲苯基-4-(2-甲氧基-4-硝苯基偶氮基）-5-羥基吡唑、3-乙基-1-苯基-4-(4-甲氧基 )-2-硝苯基偶氮基）-5-羥基吡唑、3-甲基-1-苯基-4-(4-氯 基-2-硝苯基偶氮基）-5-羥基吡唑、1-對-二甲胺苯基-3-甲 基-4-苯基偶氮基-5-羥基吡唑、1-對-二甲胺苯基-3-甲基- 4- (4-甲基-2-氯苯基偶氮基）-5-羥基吡唑、1-對-二甲胺苯 基-3-甲基-4-(4-甲基-2-硝苯基偶氮基）-5-羥基吡唑、1-苯 基-4-(4-甲氧苯基偶氮基）-5-羥基吡唑、C.I·溶劑黃16、 C.I.溶劑黃21、彼等之二種以上之組合等之4-苯基偶氮基- 5- 羥基吡唑類等。 其中，以5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(4-羥苯基偶氮基） 吡唑爲佳。 羥苯基苯並三唑類可例示例如2-(2羥基- 5’-甲基苯基 1300163 (23) )苯並三唑、2-(2，-羥基-3’，5，-二-第三丁基苯基）苯並三唑 、2·(2，·羥基-3，-第三丁基-5，-甲基苯基）-5-氯基苯並三唑 等。 水楊酸衍生物可例示例如水楊酸苯酯、對第三丁基水 楊酸苯酯、對-辛基水楊酸苯酯等。 偶氮苯類可例示對-羥基偶氮苯、4-羥基-甲基苯基偶 氮伸苯基偶氮苯等。 香豆素衍生物可例示Cay alight B(製品名、日本化藥（ 股）製）等。 上述染料中，二苯酮系苯酚化合物、與1，2-萘醌二 疊氮基-4-磺酸化合物和/或1，2-萘醌二疊氮基-5-磺酸化 合物之酯化反應產物爲昇華性低的化合物，故於光阻膜形 成時不會污染處理室內，且爲佳。 (E)成分之配合量由效果方面而言，相對於光阻固形 成分以〇.1~5質量％，較佳爲0.5〜2質量％之範圍。此處所 謂之光阻固形成分，爲指（A)〜（C)成分、（E)成分及視需要 所使用之其他成分。 於本發明中，若使用含有非二苯酮系醌二疊氮基之化 合物做爲（B)成分，且使用i射線吸收性染料做爲（E)成分 ，則即使曝光部之（E)成分吸收i射線，亦不會令多量含 有的（B)成分吸收i射線，故可形成高靈敏度且高解像性 的光阻圖型，另一方面，即使基板之凹凸等之非曝光部進 入反射光，亦可經由（E)成分而被吸收，可有效抑制非曝 光部的鹼可溶化。即，爲了抑制非曝光部之感光性成分感 -27- 1300163 (24) 光現象所使用的（E)成分，對於曝光部所造成之不良影響 可在使用含有非二苯酮系醌二疊氮基之化合物做爲（…成 分下而發揮有效地抑制效果。 <光阻組成物之調製方法> 本發明之正型光阻組成物較佳爲令（A)成分、（B)成分 、（C)成分、（E)成分及視需要之其他成分於（D)有機溶劑 中溶解，且視需要進行過濾則可調製。 還有，（D)成分之使用量爲較佳令（A)~(C)、（E)成分及 視需要使用之其他成分（將其稱爲「全固形成分」）溶解， 且可取得均勻之正型光阻組成物般適當調整。較佳之全固 形成分濃度爲使用10〜40質量％，較佳爲20〜30質量％。 如此處理所調製之光阻組成物，期望令該光阻組成物 中所含之固形成分的質量平均分子量（Mw)爲5000~30000 、特別爲60 00 ~ 10000之範圍般調整。經由如此處理，則具 有高耐熱性、高解像性，且焦點深點幅度特性（DOF特性） 優良。 經由令該光阻組成物之固形成分的Mw爲上述之範圍 ，則不會使得靈敏度降低，且可達成高耐熱性，高解像性 ，並且取得線性及DOF特性優良的正型光阻組成物。 該光阻組成物之固形成分的Mw若小於上述範圍，則 耐熱性、解像性、線性、及D〇F特性不夠充分，若超過 上述範圍則靈敏度的降低顯著，恐損害光阻組成物的塗佈 性。 -28- 1300163 (25) 此類光阻組成物中所含之固形成分之Mw的調整方法 可列舉例如下列之方法。 調整方法1 :令全部成分混合後之Mw爲上述範圍般 ，於混合前對於（A)成分進行分級操作等，將（A)成分之 Mw預先調整至適當範圍的方法。 調整方法2 :準備數個Mw不同的（A)成分，且適當配 合，將該固形成分之Mw調整至上述範圍之方法。 調整方法並非選擇特別手段，特別若使用上述的調整 方法2，則就光阻分子量之調整，及靈敏度調整容易而言 爲佳。 還有，光阻分子量可根據以下之測定而予以特定。 裝置名：SYSTEM11(製品名、昭和電工公司製） Precolumm: KF-G(製品名、Shodex 公司製） 柱：KF-805、KF-803、KF-802(製品名：Shodex 公司 製） 檢測器：UV41(製品名、Shodex公司製），以280nm 測定。 溶劑等：以流量1.0毫升/分鐘流過四氫呋喃，且於35 °C中測定。 測定試料調製方法：將欲測定之光阻組成物，調整成 固形成分濃度爲30質量％，並以四氫呋喃稀釋，作成固形 成分濃度爲0 · 1質量％的測定試料。 將該測定試料之20微升打入上述裝置進行測定。 -29- 1300163 (26) <光阻圖型之形成方法> 以下，示出本發明之光阻圖型之適當的形成方法一例 〇 首先，將上述本發明之正型光阻組成物，以旋塗器於 基板上塗佈形成塗膜。基板以玻璃基板爲佳。玻璃基板通 常爲使用非晶質矽石，但於LCD系統之領域中，以形成 低溫多矽層之玻璃基板等爲佳。此玻璃基板爲了令本發明 之正型光阻組成物於低NA條件下之解像性優良，故可使 用500mmx600mm以上，特別爲550mmx650mm以上之大型 基板。. 其次，將此形成塗膜之玻璃基板例如以100〜14(TC加 熱處理（預烘烤）除去殘存溶劑，形成光阻被膜。預烘烤方 法爲於熱板與基板之間進行具有間隙的鄰近烘烤爲佳。 更且，對於上述光阻膜，使用指出光罩圖型之光罩進 行選擇性曝光。 光源以使用形成微細圖型之i射線（3 6 5nm)爲佳。又 ，此曝光所採用的曝光過程爲NA爲0.3以下，較佳爲0.2 以下，更佳爲0.15以下之低NA條件的曝光過程爲佳。 其次，對於選擇性曝光後之光阻被膜，施行加熱處理 (後曝光烘烤：PEB)。PEB方法可列舉於熱板與基板之間 具有間隙的鄰近烘烤，不具有間隙的直接烘烤。爲了不會 發生基板彎曲，且以PEB取得擴散效果，乃於進行鄰近 烘烤後，進行直接烘烤之方法爲佳。還有，加熱溫度爲 90〜150°C，特別以1〇〇〜140°C爲佳。 1300163 (27) 對於上述PEB後之光阻被膜，若施以使用顯像 '液’ 例如1〜1 〇質量％氫氧化四甲基銨水溶液般之鹼水溶液的顯 像處理，則曝光部分被溶解除去，於基板上同時形成集成 電路用之光阻圖型和液晶顯示部分用之光阻圖型。 更且，將光阻圖型表面殘留的顯像液以純水等之洗滌 液予以洗掉，則可形成光阻圖型。 於此光阻圖型之形成方法中，於製造LCD系統之情 形中，於進行上述選擇性曝光之步驟中，使用指出形成 2.0μιη以下之光阻圖型用之光罩圖型，和形成超過2·0μιη 之光阻圖型用光罩圖型兩者之光罩做爲光罩爲佳。 本發明之LCD用正型光阻組成物爲解像性優良，故 可取得令光罩圖型之微細圖型忠實再現的光阻圖型。因此 ，於同時形成上述光阻圖型之步驟中，可於上述基板上， 同時形成圖型尺寸2. Ομιη之集成電路用之光阻圖型，和超 過2.Ομιη之液晶顯示部分用之光阻圖型。 【實施方式】 [實施例] 以下，使用實施例，更加詳細說明本發明。 (1)線性評價： 將正型光阻組成物使用大型基板用光阻塗旋裝置（裝 置名：TR36000東京應化工業（股）製），於形成Ti膜之玻 璃基板（550mmx650mm)上塗佈後，令熱板溫度爲l〇〇°C， 且以約1 m m間隔之鄰近烘烤進行9 0秒鐘之第1回乾燥，其 -31 - 1300163 (28) 次令熱板之溫度爲90°C，以〇.5mm間隔之鄰近烘烤施以90 秒鐘之第2回乾燥，形成膜厚1·48μηι的光阻被膜。 其次，透過同時描出令3·0μηι線/空間（L&S)及1·5μιη L&S之光阻圖型再現之光罩圖型的 Testchart光罩 (Reticule)，使用i射線曝光裝置（裝置名：FX - 7 0 2 J， Nikkon公司製；ΝΑ = 0·14)，並以可忠實再現1.5μπι L&S 之曝光量（Εορ曝光量）進行選擇性曝光。 其次，令熱板溫度爲120°C，以0.5mm之間隔，經由 鄰近烘烤，施以30秒鐘的加熱處理，其次以相同溫度且無 間隔的直接烘烤施以60秒鐘的加熱處理。 其次，於23°(：，使用具有將2.38質量％丁^^11水溶液（ 製品名：NMD-3、東京應化工業公司製）予以狹縫塗層管 嘴的顯像裝置（裝置名：TD-3 9000型機，東京應化工業公 司製），且如圖1所示般由基板端部X經過Y至Z，歷10秒 鐘溢液，保持5 5秒鐘後，水洗3 0秒鐘，旋轉乾燥。 其後，以SEM(掃描型電子顯微鏡）照片觀察所得光阻 圖型的剖面形狀，且評價3·0μιη L&S的光阻圖型再現性。 尺寸變化率爲±10%以下者以Α表示，超10%〜15%以下者 以B表示，超過15 %以C表示。 (2)靈敏度評價： 靈敏度評價之指標爲以可忠實再現1.5 μιη L&S光阻圖 型之曝光量（Εορ曝光量）表示。（mJ/cm2)。 1300163 (29) (3) DOF特性評價： 於上述Εορ曝光量中，將焦點適當地上下移動，於 1·5μιη L&S爲±10%尺寸變化率之範圍內所得之焦點深度 範圍以μπα單位求出。 (4) 解像性評價： 求出上述Εορ曝光量中的界限解像度。 (5) 尺寸偏差評價： 計測圖1中之a〜i點（9點）所形成之15μιη L&S之光阻 圖型尺寸，將光阻圖型之尺寸爲1.5 μπι ±10%以下之數爲8 點以上者以Α表示，5〜7點者以Β表示，4點以下者以C 表示。 (實施例1〜5、比較例1〜3) 以下述表1記載之配合量使用下述（A)〜（C)、及（E)成 分，並且相對於彼等之合計質量使用相當於45 Oppm份量 之界面活性劑（製品名「Megafac R-08」；大日本油墨化 學工業（股）製），並將其溶解於下述表1記載之（D)成分且調 整至26質量％濃度（固形成分濃度）’再使用孔徑0·2μιη之 膜濾器過濾，調製正型光阻組成物。 所得光阻之分子量及Β參數示於表1。 -33- 1300163 (30) B參數 0.247 0.301 0.277 0.556 0.409 00 〇 C 〇\ 〇 〇 0.920 光阻分 子量 5500 同上 i 同上 同上 同上 同上 同上1 同上 有機 溶劑 rH 1 Q 同上 同上 同上 同上 同上 同上 同上 染料 (配合量） E-1 (相對於（A)〜（C) 合計之1%) E-2 0.3% • m W ο E-4 5% 莲 1 E-1 0.05% E-1 6% (C)成分 (配合量） C-1 (25g) ί 同上 同上 同上 同上 同上 同上 同上 (B)成分 (配合量） Β:1/Β:2 (質量比3/1) _(35g)_ 同上 同上 同上 同上 同上 同上. 同上 (A)成分 (配合量） A- 1 (lOOg) 同上 同上 同上 同上 同上 同上 同上 rH (N 寸 vn rH (N m
-34 - 1300163 (31) 方令表1中， 使用間·甲苯酚/3，C二甲苯酚=8/2(莫耳比）之混合 一 耳’甲醒0·82莫耳依常法所合成之Mw = i〇〇〇〇的酚 醛清漆樹脂 B-1·雙（5-環己基_4-羥基·2_甲基苯基卜3，4-二羥苯基甲 k (B 1 ) 1吴耳與i，2 ·萘醌二疊氮基· 5 _磺醯氯[以下，簡寫 爲（5-NQD)]2莫耳的酯化反應產物
B-2·雙（4·羥基-2，3，三甲基苯基）·2·羥苯基甲烷 (B3f)l莫耳與5-NQD2莫耳的酯化反應產物 C-1:雙（2·甲基羥苯基）-苯基甲烷 D-l . PGMEA E·1 : 2，2’，4，4’-四羥基二苯酮 E-2 : 4，4’-雙（二乙胺基）二苯酮 E-3 : Cay alight B (製品名：日本化藥（股）製）
E-4: 2，3，4，4’-四羥基二苯酮1莫耳與5-NQD 2.34莫耳 的酯化反應產物。 進行此些光阻組成物的評價。其結果示於表2。 表2
線性 靈敏度（mJ) DOF(Mm) 解像性（μιη) 尺寸偏差 實 施 例 1 A 50 15 1.2 A 2 A 52 15 1.2 A 3 A 50 15 1.2 A 4 A 40 15 1.2 **" A 5 A 55 15 1.2 A 比 較 例 1 A 47 15 1.2 C 2 A 47 15 1.2 C 3 A 85 9 1.3 ----- B -35- 1300163 (32) 如表2所闡明般，b參數値爲未滿0.1的比較例1、2中 ，光阻圖型的尺寸偏差大，且B參數超過〇·6的比較例3中 靈敏度爲顯著變差，且發生光阻圖型的膜減薄，並且圖型 剖面變成錐狀的傾向強，故D Ο F特性差。相對地，本發 明之實施例1〜5均爲線性優良，即使爲微細的光阻圖型， 亦可知靈敏度、解像性優良，且D Ο F特性優良，並且尺 寸的偏差亦少。 [發明之效果] 如以上所說明般，若根據本發明，則可提供於廣闊的 基板面全面，可形成無尺寸偏差之微細的光阻圖型的製造 LCD用正型光阻組成物。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]說明爲了評價低N A條件下的線性’乃將正型光 阻組成物於玻璃基板上塗佈，且烘烤乾燥’將圖型曝光後 ，以具有狹縫塗層器的顯像裝置將顯像液由基板端部X 至Z中裝滿液體的情況，及示出尺寸偏差評價的尺寸測定 點之圖。 -36-

Claims (1)

  1. (1) 1300163 拾、申請專利範圍 1· 一種製造於一個基板上集成電路部分爲與顯示部分 同時形成之LCD用正型光阻組成物，其特徵爲含有（A)鹼 可溶性樹脂、相對於（A)成分及下述（C)成分的合計爲 2 0〜7 0質量％之（B)含有非二苯酮系醌二疊氮基之化合物、 相對於（A)成分爲1〇〜70質量％之（〇分子量1000以下之含有 酚性羥基之化合物、及相對於固形成分爲0.1〜5質量％之 (E) i射線吸收性染料。 2 ·如申請專利範圍第1項之組成物，其中i射線吸收 性染料爲二苯酮系苯酚化合物與1，2-萘醌二疊氮基磺酸 化合物的酯化反應產物。 3·—種光阻圖型之形成方法，其特徵爲包含（1)如申請 專利範圍第1或2項之正型光阻組成物於基板上塗佈，形成 塗膜之步驟，（2)將形成上述塗膜之基板予以加熱處理（預 烘烤），於基板上形成光阻被膜之步驟，（3)對於上述光阻 被膜，使用描繪形成2.0 μπι以下之光阻圖型用光罩圖型、 和形成超過2.0 μηι之光阻圖型用光罩圖型兩者之光罩且進 行選擇性曝光之步驟，（4)對於上述選擇性曝光後之光阻 被膜，施以加熱處理（後曝光烘烤）之步驟，（5)對於上述熱 處理後之光阻被膜，施以使用鹼水溶液的顯像處理，且於 上述基板上，令圖型尺寸2. Ομιη以下之集成電路用之光阻 圖型，和超過2.0 μιη之液晶顯示部分用之光阻圖型同時形 成之步驟。 4.如申請專利範圍第3項之光阻圖型之形成方法，其 -37- 1300163 (2) 中進行上述（3)選擇性曝光之步驟爲於光源使用i射線，且 於NA爲0.3以下之低NA條件下之曝光過程進行。 i
    攀 -38- 1300163 柒、（一）、本案指定代表圖為：第1圖 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明： a〜i :光阻圖型尺 X〜z : 基板端咅 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：
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