TWI299875B - Stacked capacitor and method of fabricating the same - Google Patents

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TWI299875B
TWI299875B TW095117774A TW95117774A TWI299875B TW I299875 B TWI299875 B TW I299875B TW 095117774 A TW095117774 A TW 095117774A TW 95117774 A TW95117774 A TW 95117774A TW I299875 B TWI299875 B TW I299875B
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Takeshi Saitou
Hitoshi Takata
Katsuhiro Yoshida
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Nec Tokin Corp
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Description

1299875 • 九、發明說明: (一) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用平板鋁箔之薄型鋁質電解電容器 , 及其製造方法,特別是關於一種超小型、堆疊式、大容量及 低阻抗之薄型鋁質固態電解電容器及其製造方法。本發明係 關於一種使用鋁箔並具有低阻抗性之堆疊式、薄型鋁質固態 電解電容器之構造及製造方法。 (二) 【先前技術】 > 近年來,隨著電子裝置之小型化、產能之提高及數位化 等,以電容器之領域而言,乃強烈需求小型、大容量之電容 器,而其需具有阻抗之優異高頻特性。 然而,使用於高頻區之電容器爲傳統多層陶瓷電容器, 其未能滿足減小尺寸、增大容量、及降低阻抗之需求。 大容量的電容器爲諸如傳統式鋁質電解電容器及鈦質固 態電解電容器。但是,此等電容器所使用之電解溶液或電解 質(錳氧化物)均各具有高電阻値(1Ω · cm至100Ω · cm), | 因而即困難獲得在高頻區中具有足夠低阻抗之電容器。 但近年中,已開發了固態電解電容器,各電容器係使用 諸如聚卩比咯(polypyrrole)或聚噻吩(polythiophen)之導電 性聚合物(PQ 1 yme r )作爲固態電解質。比較例如錳氧化物之 金屬氧化物半導體型式的傳統固態電解質’導電性聚合物型 式之固態電解質的電阻値較小(〇 . Ω · cm至0 . 1 Ω · cm)。 高頻區中之阻抗値Z和所使用電解質之電阻率値p係成比例 ,亦即,Z 〇〇 P,因此,使用電阻値較小之導電性聚合物作爲 1299875 <固態電解質之固態電解電容器可將高頻區中之阻抗値抑制 爲較低値’故此等電容器乃被廣泛地應用。 使用導電性聚合物作爲固態電解質之銘質固態電解電容 器一實例,其爲平板元件構造者,將於以下說明。亦即是: 在帶狀、表面粗化(蝕刻而成)之鋁箔表面上,形成陽極的氧 化物被覆層’且在預定的部分上形成以例如環氧樹脂之絕緣 樹脂作成的阻擋(r e s〗s e )條帶,用以形成陽極部及陰極部。 其後’在預定的部分上形成導電性聚合物膜,及在其上依序 >地形成石墨層及銀膏層,因而形成陰極部。其後,使用銀膏 把陰極邰及外部的陰極端子予以連接在一起。因爲以阻擋條 帶所形成的陽極部係成不可焊接的鋁箔型式,故藉超音波焊 接、電阻焊接、雷射焊接、或類似之其他焊接等,將可焊接 之金屬板焊接於該陽極部達成電氣連接。 另一方面,近數年中,爲了以有限的底部面積達成大容 量及低阻抗特性,乃有堆疊式電容器之提供,其中使用導電 性聚合物作爲固態電解質之複數個鋁質固態電解電容器係 > 堆疊在一起,複數個陰極係以導電膏結合在一起,此外,複 數個陽極被戳入並在該部分施加導電膏,因此,乃在其間達 成電氣連接。以上之實例揭示於日本尙未審查之第 2004-158577號公開專利案(JP-Α)、第0011〜0021段及第1 圖。 又,爲了達成高頻區中阻抗之降低,日本尙未審查之第 (JP-A ) 2004 - 1 5 706號專利公開案,第〇〇2 3〜00 2 5段及第1圖 中’揭不了 3端子構造之電容器,其係一種具有3端子構造 -6- 1299875 ^ 之鋁質固態電解電容器,其中某種尺寸之表面粗化、平板鋁 質底部構件的兩個端部係作爲陽極,具有電解質之陰極則設 在中央,及在陰極與各陽極間則形成絕緣層。 在堆疊式鋁質固態電解電容器中,在堆疊多數個單一板 片元件所形成的多數個陽極端子間之連接及多數個陰極端 子間之連接將產生接觸電阻,當堆疊的元件數量越多,用於 連接之導電膏電阻率的影響越大。因此,堆疊式鋁質固態電 解電容器實難以達成阻抗之降低。 > 又,使用平板鋁箔之傳統式薄型鋁質固態電解電容器之 問題爲,元件底部越減少,佔據元件底部面積之陰極部的比 例即越減少。例如,假設堆疊式鋁質固態電解電容器之元件 底部爲^寬41^(長)=4.3\7.3(1111112)或較小時,在有效底部面 積(佔據元件底部之陰極部面積)和元件底部面積之比例、亦 即,有效底部面積/元件底部面積,約爲60%或小些。又,當 底部面積爲W(寬)xL(長)= 2.8x3.5(mm2)時,或W(寬)xL(長 ) = 1.6x3.2(mm2)時有效底部面積,則約爲50%或少些。因此 ^ ,傳統構造不適合用於形成小型、大容量、堆疊式固態電解 電容器。 (三)【發明內容】 鑑諸上述狀況,本發明乃提供一種堆疊式電容器,其可 抑制在複數電容器元件間作連接之導電膏電阻率的影響,即 使該等電容器元件爲多層堆疊亦然,結果,阻抗乃可降低; 本發明亦提供製造該種堆疊式電容之方法。 同時,本發明所提供之堆疊式電容器的構造爲,即使是 -7- 1299875 小的元件底部面積,佔據元件底部面積之陰極部的比例亦不 致減少,本發明更提供製造此種堆疊式電容器的方法。 爲了解決上述問題,本發明係提供如下述之堆疊式電容 器及其製造方法。 特別者,本發明係提供一種將多數個電容器元件堆疊形 成爲堆疊式電容器,其中各電容器包括導體板;第1條帶, 其含有絕緣體並繞著導體板設置;第2條帶,其含有絕緣體 並繞著導體板設置且實質上與第1條帶平行;絕緣被覆,係 覆蓋第1與第2條帶間所包夾之該導體的區域;第1電極, 其含有電解材料並係形成在絕緣被覆上;及第2電極,其含 有該導體板並係形成在第1與第2條帶中之至少一個條帶上 的一外表面上,該等電容器元件之第1電極係經第1導電路 徑及第2導電路徑相互作電氣性連接,第1導電路徑係把相 鄰兩個電容器元件之面對的兩個第1電極予以鄰接而成,第 2導電路徑則係使多數個電容器元件之第1電極互相成並聯 連接,而複數個第2電極則係使此等第2電極成並聯連接之 第3導電路徑達成相互之電氣連接。此處,導體板爲例如鋁 箔或金屬板之金屬箔。第1及第2條帶爲例如阻擋層(r e s 1 s t 。絕緣被覆例如爲鋁氧化物被覆。第1、第2、及第3導電 路徑例如用導電膏形成。 第3導電路徑最好是包括於諸個第2電極間作焊接所形 成的金屬接合(met al bon cUng)。藉此,跨於第2電極間之 電阻所造成的阻抗可降低。 第2導電路徑最好包括覆蓋第1電極之導電膏及覆蓋導 1299875 電膏至少一部分的金屬元件。特別地,倘金屬元件係繞著在 第1與第2條帶間之導體設置的金屬箔時,在降低阻抗方面 具有功效。 各第1電極可具有導電膏作爲最外層。但是,倘第丨電 極之最外層以電鍍層代替導電膏層時,對降低阻抗較具功效 〇 各電容器可包括一金屬板,其至少一面被覆電鍍並接合 於至少1個第2電極,金屬板可經由被覆電鍍之該面接合於 第2電極。藉此,即使是使用例如困難焊接之鋁箔作成導電 板,但可以容易焊接的端子提供於堆疊式電容器,其係選用 例如銅板之適當材料作爲金屬板。金屬板的兩面亦可施加電 鍍。當實行焊接作業時,即不須選擇擬作接合之面,此對作 業有助益。例如該種電鍍可爲鎳鍍或銀鍍。 除了接合施以電鍍金屬板之外,亦可在各電容器元件之 至少1個第2電極覆蓋以蒸鍍的金屬膜,且,蒸鍍的金屬膜 亦可再覆蓋以電鍍。在接合施加電鍍之金屬板時,需要焊接 步驟。比較此一步驟,於蒸鍍的金屬膜上施行電鍍的步驟在 生產性上最優。 本發明之堆疊式電容器可爲兩端子型、3端子型、4端子 型之任何一種。在例如爲4端子型時,有2個端子電氣連接 於第1電極層,另2個端子電氣連接於第2電極。 又,本發明亦提供一種以多數個電容器元件堆疊在一起 之堆疊式電容器製造方法,包括的步驟爲··準備多數個電容 器元件’各電容器元件包含在以絕緣被覆覆蓋之導體板上的 1299875 第1條帶與第2條帶,第1條帶爲含絕緣體並繞著導體板設 置。而第2條帶含有絕緣體並係繞著導體板設置以便實質上 與該第1條帶平行,陰極層;係位在第1與第2條帶間之絕 緣被覆上,及陽極,包含位在第1與第2條帶之至少1個條 帶外側上的導體板;形成第1導電路徑,第2導電路徑,第 1導電路徑係將鄰近的2個電容器元件之面對的2個陰極層 予以鄰接而成,第2導電路徑係使多數電容器元件之陰極相 互成並聯連接;及形成第3導電路徑,使複數個陽極相互成 並聯連接。 形成第3導電路徑之步驟最好包括在諸陽極間用焊接形 成金屬接合的步驟。 形成第2導電路徑之步驟最好包括以導電膏覆蓋諸陰極 層及以屬構件覆蓋該導電膏之至少一部分之步驟。又,倘金 屬構件係圍繞第1與第2條帶間之導體板設置的金屬箔,可 有效的降低阻抗。 各陰極層可用導電膏或電鍍層作最外層。 準備步驟尙包括:在金屬板之至少一面上施加電鍍之步 驟;及將金屬板經由被覆電鍍之該面接合於陽極之步驟。此 狀況中,電鍍可施設在金屬板的兩面。電鍍可例如鎳鍍或銀 鍍。 此外,準備步驟復可包括;在各電容器元件之至少1個 陰極層覆蓋蒸鍍的金屬膜步驟;及在該蒸鍍的金屬膜覆蓋電 鍍之步驟。 依本發明,可提供一種小型、大容量、低阻抗、具有優 -10- 1299875 異高頻特性的堆疊式電容器,並提供一種製造該堆疊式電容 器的方法。 (四)【實施方式】: 茲參照附圖說明依本發明一實施例之堆疊式電容器製造 方法。爲了說明構造起見,圖面上所示之金屬箔、阻擋條帶 '及其他等的尺寸比例和實際比例不盡相符。 如第1 A〜1E圖所示,將說明有關用於電容器中之電容器 元件的製造方法。 將例如鋁箔之金屬箔(或金屬板)1以蝕刻使表面粗化並 在金屬的表面上形成例如氧化物被覆的絕緣被覆以獲得化 學性變換的箔片、或以絕緣被覆的箔片,之後,裁切成預定 形狀之化學性變換的箔片(第1 A圖)。 之後,利用絕緣樹脂在箔片1之表面上形成阻擋條帶2 及3,因而形成了複數個陽極部及1個陰極部(第1 B圖)。絕 緣樹脂可用例如環氧樹脂作成。本例示中,所形成的阻擋條 帶係用以把化學性變換的范片分成3個部分,亦即,兩個端 部(陽極部)及1個中心部(陰極部)。 之後,在陰極部上形成電極層4,或陰極層(第1C圖)。 陰極電極層4例如包括依序堆疊之:用作固態電解質的導電 聚合物層、石墨層、及導電膏層。 之後,利用拋光或類似方式,絕緣被覆自化學性變換的 箔片1兩端部除去,因而露出金屬以形成陽極電極5及6 ( 第1 D圖)。第1 D圖中,絕緣被覆自突出阻擋條帶之各端部 的約一半位置除掉。但是,絕緣被覆亦可自各該端部全部 -11- •1299875 除掉。 最後,端部覆蓋導電膏7、8,使得含有複數端部之整個 電容器元件乃形成爲矩形平行六面體(第1 E圖),在此狀況 中,電極5、6的表面爲外露。 現參考第2A〜2C圖.,說明如第1E圖所示之電容器元件堆 疊而製造堆疊式電容器的過程。 首先,藉由施加導電膏在諸陰極部上所形成之諸電極層 上而將複數個電容器元件堆疊在一起(第2A圖)。藉此,在 相鄰近之電容器元件陰極電極層間即建立了電氣連接路徑 ’同時,經由第1 E圖步驟所被覆之導電膏(導電膏層7、8 ) ,在相鄰近的電容器元件之兩端部間亦建立了電氣連接路 徑。 之後,到在圖式前方顯露的複數個陰極電極層上金屬箔9 接合,以便可和全部堆疊的電容器元件之陰極電極屬相接 觸(第2B圖)。在第2B圖中,所示的金屬箔9只在前方, 但金屬箔亦可以相同方式接合在後方。第2B圖中,雖然金 屬箔9僅覆蓋在阻擋條帶2、3間之部分區域,但金屬箔亦 可在圖示之前方、後方、上側及下側繞著在阻擋條帶2、3 間之區域。 之後,依需要,可對圖面右側顯露之3個電極5以焊接 形成金屬接合1 0 (第2 C圖)。形成金屬接合1 0之方法,可 例如用雷射焊接、超音波焊接、電阻焊接、或其他方式等 。當藉由焊接可焊接之金屬形成之金屬接合1 0時,可提供 可焊接的陽極端子至堆疊式電容器。在第2C圖的右側雖然 -12- J299875 ~ 僅有金屬接合1 Ο,金屬接合亦可形成在左側之諸電極6。 最後,堆疊式電容器之諸個端子被設在各金屬箔9及金 膽接合10上,以製成完整的電容器。除了兩個端子外,亦 可製成爲3個端子的構造,其中分別提供複數個端子於圖 面兩側所形成之金屬接合且提供金屬箔9設1個端子。此 外,亦可製成如第3Α、3Β圖所示之4端子構造。本案發明 人已作確認的是,以4端子構造可獲得最具效果之低阻抗 特性。因此,下述例示之堆疊式電容器的阻抗測量係以4
I ^ 端子電容器所實行者。因爲用於通常2端子電容器之阻抗 測量無法應用於4端子之阻抗測量,而爲了比較特性,乃 先測量代表4端子裝i置構造。本案發明人已作確認的是,4 端子構造可獲得最具效果之低阻抗特性。因此,下述例示 之堆疊式電容器的阻抗測量係以4端子電容器所實行者。 因爲用於2端子電容器之阻抗測量無法應用於4端子之阻 抗測量,而爲了比較特性,乃先測量代表4端子裝置特性 之S參數,之後再變換爲阻抗。 ’(第1例) 茲說明堆疊式電容器之第1例。首先,以第4圖說明用 於堆疊式電容器中之電容器元件20。電容器元件20包括表 面粗化的鋁箔2 1 ;覆蓋除了鋁箔21之兩端部以外之鋁氧化 物被覆層22 ;以由絕緣樹脂製並形成在鋁氧化物被覆層22 上之阻擋條帶2 3,用以把鋁箔2 1之表面分成多個陽極部及 1個陰極部;及依序形成在阻擋條帶2 3間之鋁氧化物被覆 層2 2上的導電聚合物層2 4、石墨層2 5、及陰極一側銀膏 -13- P99875 層26 〇 電容器元件20之製造過程如下。準備整個被覆有鋁氧化 物被覆層22之鋁箔21。形成阻擋條帶23,用以構成帶形 陰極部鋁箔,橫過鋁箔2 1之雙面及之陽極部兩端部。在陰 極部上形成導電聚合物層2 4、石墨層2 5、及陰極一側銀膏 層26。之後,用拋光或類似方式將鋁氧化被覆層22自陽極 部去除。 如第.5圖所示,將複數個電容電器元件20堆疊即形成堆 > 疊電容器2 7。在堆疊後,在電容器元件2 0間之每一陰極側 銀膏層26a、26b、及26d,以熱固化而與相鄰電容器元件 20之陰極側導電膏層成爲一體並用以使相鄰電容器元件20 之陰極部成相互的電氣連接。藉此,在相鄰電容器元件2 0 之面對銀膏層之間乃各形成了導電路徑。又,藉位在堆疊 式電容器27側面上一體的銀膏層,形成令電容器元件20 之複數個陰極成爲並聯連接的導電路徑。後者的導電路徑 係相當於第2B、2C圖中之金屬箔9。 ί 又,自阻擋條帶2 3突出於外之金屬箔21的端部,係以 陽極側導電膏層2 8加以覆蓋。陽極側導電膏層2 8亦係加 熱固化’故§者電谷器兀件20之陽極部被製合在一起。諸陽 極側導電膏28係將5個鋁箔2 1彼此成電氣連接。 最後,爲了在組裝盼能予之操作,使堆疊的電容器2 7裝 於外殼内並配設相關的端子,乃完成了製品。 (第2例) 茲以第6、7圖說明堆疊式電容器3 0之第2例。因係使 -14- •1299875 用第4圖所示及第1例所述之電容器元件20形成堆疊式電 容器3 0,故其詳細說明即予省略。銅膏層3 1施加在第1圖 所示電容器元件20之各鋁箔21的兩個端部上。 此外,在1個電容器元件20之陰極最外層的銀膏層26 上被覆銀膏,之後,使陰極側銀膏層26和另1個電容器元 件2 0之陰極側銀膏層2 6相對正並相重疊。其後,對諸個 電容器元件20施加熱,使銀膏熱固化而使諸個銀膏層26 成爲一體。重復此項,5個電容器元件20乃堆疊在一起。 之後,在5個堆疊的電容器元件之阻擋條帶2 3及陽極部 間所介設的中心部分別施加銀膏,再將銀膏作熱固化。 之後,如第6圖所示,在堆疊的電容器陰極部兩側上施 加銀膏,且將銅箔條3 2接合於其上。藉此,各別電容器元 件之陰極即可經極低電阻之銅箔條3 2以最短距離相互成電 氣連接。 之後’藉雷射焊接使諸個陽極端子部成爲整體。此狀況 中,如第6及7圖所示,在堆疊前被覆在陽極端子部之銅 膏層31係沿著鋁箔21被熔化,因而形成金屬接合3 3。因 之’比較僅銘泊2 1作雷射焊接之狀況,其可減少連接電阻 〇 最後,爲了能夠在組裝時操作,將堆疊的電容器3 〇裝於 外殼内,並配設相關的端子即成爲製品。 (第3例) 茲以第8圖說明堆疊式電容器40之第3例。較諸之前的 堆疊式電容器3 0,本例之堆疊式電容4 〇不同之處在於使用 -15- 1299875 銅箱帶4 1取代銅箔條3 2。電容器元件2 0則與第1、2例者 相同。 在第2例中’銀膏係施加於堆疊電容器陰極部之兩側且 銅箱條3 2係接合其上。另一方面,在本實施例中,如第8 圖所示,銀膏則成帶狀2 1係接合於其上。而本實例中,如 第# 8圖所系’銀膏則成帶狀圍繞堆疊電容器陰極部而施加 ,且銅箔帶41接合於其上。在此例中,銅箔帶4 1之厚度 設定爲10# ιώ °但是,依擬堆疊之電容器元件20數量,較 佳地,該厚度可作增加。 (第4例) 第4例之堆疊式電容器與第3例堆疊式電容器40之不同 處爲,以銅膏取代銀膏,陰極部上施加於圍繞。此處,可 使用固化後電阻率爲 ΙπιΩ-cm或少些之銅膏。通常,銅膏 比銀膏價廉,故可有利於降低生產成本。 (第5例) 在第5例中’堆疊式電容器係將第9圖所示之電容器元 件50堆疊而製成。較諸第4圖所示的電容器元件20,電容 器元50不同之處爲,在形成石墨層25後,並不形成導電 膏層2 6,而係施以銅鍍以形成銅鍍層5 1。 如第3例之方式,將該等電容器元件5 0堆疊在一起並將 銅箔帶4 1繞著陰極部加以覆蓋。 在此例之堆疊式電容器中,陰極部上係以銅鍍取代銀膏 ,故陰極部之電阻率乃降至1 / 1 〇或更小,故阻抗乃更降低 -16- .1299875 ‘ (第6例) 在此例中,堆疊式電容器係堆疊第10圖所示之電容器元 件60而製成。電容器元件60與第4圖所示電容器元件20 類似,惟其不同處係’以電阻焊接將一面實施鎳鍍6 1之銅 板62焊接於去除氧化物被覆層22之鋁箔2 1的各兩端部上 。藉著經由鎳鍍6 1 1的焊接,即可確保和鋁箔2 1的優異焊 接狀態,因而可改善焊接部的確實性。銅板6 2可利用超音 波焊接、電阻焊接、雷射焊接、或類似方式加以焊接。 _ 在此例中,在把該等電容器元件60堆疊在一起後,如第 3圖之方式,將銅箔帶41繞著陰極部予以覆蓋。之後,如 第1 1圖所示,用作陰極部之銅板62以導電膏63覆蓋且用 雷射焊接或類似方式形成金屬接合64。 (第7例) 兹以第1 2圖說明第7例。在第6例中,一面施加有鎳鍍 6 1之複數銅板6 2係焊接於鋁箔2 1。另一方面,在本例之 電容器元件70中,複數銅板7 1焊接於鋁箔2 1,各銅板71 t 之雙面均施加有鎳鍍7 2。在第6例中,因係僅作單面施加 鎳鍍,故在施行焊接作業時,須先確定銅板6 2之位向。另 一方面,在本例中,因雙面施加鎳鍍,故不須該種確認。 因而可容易地完成焊接作業。 (第8例) 在第6、7例中,單面或雙面施加有鎳鍍之銅板係焊接於 鋁箔21。另一方面,在本第8例中,焊接於鋁箔21中複數 銅板,其各銅板單面或雙面上係施加有銀鍍。亦即,倘在 -17- 1299875 -單面施加有銀鍍之情況,如第1 0圖所示,電容器元件60 之銀鍍取代了鎳鍍61 ’同時,倘雙面均施加有銀鍍之情況 ,如第12圖所不’電谷益7〇之線鑛72被銀鑛所取代。 在第6、7例中,藉經由鎳鍍對鋁箔21焊接,可改善之 焊接性。同樣的’在本例中,因爲以銀鍍執行對鋁箔2 1的 焊接,故可改善焊接性。在雙面均銀鍍時,如第7例可助 益作業。 又,請注意陽極部之端部,銀鍍部在陽極部最外面被顯 I 露。因此,在組裝階段,利用最近已開發之銀膏取代焊林 ,可容易地完成組裝。 (第9例) 在第6、7、8例中,施加有鎳鍍或銀鑛之銅板係焊接於 各陽極部的端部。另一方面,在於第9例之電容器元件8 0 中,如第1 3圖所示,在各陽極部之端部形成蒸鍍的白金膜 81,之後,銅鍍82施加在蒸鍍的白金膜81上。 如第3例方式,複數個電容器元件80係堆疊在一起,且 i p 銅箔帶4 1係圍繞著電容器元件80包括諸陰極部等中心部 分。之後,如第14圖所示,在諸陽極部上覆蓋導電膏83 並藉雷射焊接或類似方式形成金屬接合8 4。 在第6~8例中,銅板係焊接於陽極部。另一方面,在本 例中’對陽極部則完成蒸鍍及鍍著。因此,本例之優點爲 ’比較先前各例,生產性最爲優異。又,因未施作銅板焊 接’故具有高連接確實性優點。 (第1 0例) -18- •1299875 > 參考第1 5圖,本例之電容器元件90之構造,如第5例 方式,在陰極部上設有銅鍍層5 1,及一面施加有鎳鍍6 1之 銅板62 ’如第6圖之方式,係焊接於各陽極部。 第16圖爲先前第2〜10例之阻抗一頻率特性圖。在第2 例中,各別電容器元件之陰極部將經導電膏相互連接。另 一方面,在第3、4例中,金屬箔帶係接合在該導電膏上, 故可降低跨越各別電容元件之陰極部的電阻。在第6〜9例 中,在陽極部上施加電鍍、蒸鍍等方式而降低了電阻。在 I 第5例中,在諸陰極部上係以銅鍍取代銀膏,故陰極部之 電阻率乃降低至1 / 1 0或更小,並因此進一步降低阻抗。在 第1 0例中,如同第5例,在陰極部上以電鍍取代導電膏且 與第6例相同地,電鍍及其他等係施加於陽極部,故更降 低了阻抗。 同時應說明的是,本發明並非僅限制以上之諸實施例, 此道行家自可依一般智識加以修飾或改善。 例如,在前述例示中,係把5個電容器元件堆疊形成堆 I 疊式電容器。但本發明並非僅此限定,亦可將比5個多或 少的電容器元件堆疊式電容器元件。 第1 0例爲第5、6例之組合。但是,此道行家自可輕易 獲知,第5例亦可和第7〜9例之任何1例相組合。 前述諸例中,所述的堆疊式電容器爲具有4端子構造。 但是,本發明並非限制如此,此道行家亦可將本發明之堆 疊式電容器作成具有2端子構造或3端子構造。 (五)【圖式簡單說明】 -19- J299875 第1 A〜1 E圖爲斜視圖’用以說明本發明—實施例之堆曼 式電容器中、電容器元件之製造方法。 第2A〜2C圖爲斜視圖’用以說明每—個均與第ιέ圖相同 ^ 之複數個電容器元件、將該等電容器元件堆疊而製成堆疊 式電容器的過程。 第3Α及3Β說明本發明堆疊式電容器形之4端子電容器 所設的端子。 第4圖爲電容器元件20之剖面圖,該電容器元件爲形成 ® 本發明第1例堆疊式電容器27之電容器元件的}個例示。 第5圖爲堆疊式電容器27之剖面圖。 第6圖第2例堆疊式電容器3 0之斜視圖。 - 第7圖爲第2例堆疊式電容器30之剖面圖。 . 第8圖爲第3例堆疊式電容器4 0之斜視圖。 第9圖爲第5例之電容器元件5 0的剖面圖。 第1 0圖爲第6例之電容器元件6 0的剖面圖。 第11圖爲第6例之堆疊式電容器之剖面圖。 ® 第1 2圖爲第7例之電容器元件7 0的剖面圖。 弟1 3圖爲第9例之電容器兀件8 0的斜視圖。 第1 4圖爲把第9例之複數個電容器元件堆疊所製成之堆 疊式電容器剖面圖。 第15圖爲第10例之電容器元件90剖面圖。 第1 6圖爲說明第2〜1 0例之阻抗一頻率特性曲線圖。 主要部分之代表符號說明 金屬箔 -20- 1299875
2,: 3,23 阻 擋 條 帶 4 電 極 層 5,i 5 陽 極 電 極 7,: 8 導 電 膏 層 10 金 層 接 合 20, 60, 80, 90 電 容 器 元 件 21 鋁 箔 22 鋁 氧 化 物 被 覆層 24 導 電 聚 合 物 層 25 石 墨 層 26, 2 6 a〜 26d 陰 極 側 銀 膏 層 27, 30, 40, 50 堆 疊 式 電 容 器 28 陽 極 側 膏 層 3 1 銅 膏 層 32 銅 箔 條 33, 64, 84 金 層 接 合 41 銅 箔 帶 5 1 銅 鍍 層 6 1, 72 鎳 鍍 62, 82 銅 鍍 63, 71, 83 導 電 膏 81 蒸 鍍 的 白 金 膜 -21 -

Claims (1)

1299875 β十、申請專利範圍·· 1 .—種堆疊式電容器,係由複數個電容器元件堆疊構成, 其中: 各該電容器元件包括導體板;第1條帶,含有絕緣體 並係圍繞該導體板配置;第2條帶,含有絕緣體並係圍 繞該導體板配置以使實質上與該第1條帶平行;絕緣被 覆,係覆蓋在該第1與第2條帶間所夾之該導體板的區 域;第1電極,含有電解質材並係形成在該絕緣被覆上; b 及第2電極,含有該導体板並係形成在該第1與第2條 帶之至少1個條帶的外側上; 該等電容器元件之該第1電極係經第1個導電性路徑 及第2個導電性路徑兩個導電性路徑相互作電氣連接, 第1個導電性路徑係將鄰近的兩個電容器元件之面對的 兩個第1電極予以相鄰接而形成,而第2個導電性路徑 則係使該等複數個電容器元件之複數個該等第丨電極相 互成並聯連接;及 I 『 該等第2電極係經第3個導電性路徑作相互的電氣連 接’該第3個導電性路徑係使第2電極相互成並聯連接 〇 2·如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中該第3個 導電性路徑包括金屬接合,係在該等第2電極間施以焊 接而成。 3.如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中該第2個 導電性路徑包含覆蓋該等第1電極之導電性膏及覆蓋該 -22- 1299875 導電性膏至少一部分之金屬構件。 4·如申請專利範圍第3項之堆疊式電容器,其中該金屬構 件爲金屬箔,係圍繞在該等第1與第2條帶間之該導體 板設置。 5 .如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中各該第1 電極具有導電性膏層作爲最外層。 6 ·如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中該第1電 極具有電鍍層作爲最外層。 7 .如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中 各該電容器元件包括金屬板,具有至少施以電鍍並連 接於至少1個該第2電極的1個表面;及 該金屬板係經其電鍍之表面連接於該第2電極。 8 .如申請專利範圍第7項之堆疊式電容器,其中該電鍍係 施設在該金屬板的兩面上。 9 .如申請專利範圍第7項之堆疊式電容器,其中該電鍍爲 鎳鍍。 1 0 .如申請專利範圍第7項之堆疊式電容器,其中該電鍍爲 銀鍍。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中各該電容 器元件之至少1個第2電極係以蒸鍍的金屬膜加以覆蓋 ’且該蒸鍍的金屬膜係以電鍍覆蓋。 1 2 .如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中尙包恬電 氣連接於該等電容器元件之諸個第1電極的兩個端子, 及電氣連接於該等第2電極的兩個端子。 23 1299875 1 3 · —種堆疊式電容器的製造方法,係使複數個電容器堆疊 在一起所成,包括的步驟爲: 準備複數個電容器元件,各電容器元件包含第1條帶 與第2條帶,兩者係位在以絕緣被覆所覆蓋的導體板上 ,該第1條帶包含絕緣體並係圍繞該導體板設置,而該 第2條帶包含絕緣體及圍繞該導體板配置以便在實質上 與該第1條帶係相平行;陰極層,係位在該等第1與第2 條帶間之該絕緣被覆上;及陽極,其包括在該等第1與第 2條帶之至少一條帶外側上的該導體板; 形成第1導電性路徑,係將鄰近的兩個電容器元件之 面對的兩個陰極層予以相鄰而成,並形成第2導電性路 徑,其係使該等複數個電容器元件之該等陰極層成並聯 相互連接;及 形成第3導電性路徑,係將該陽極以並聯相互連接。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 該形成該第3導電性路徑之步驟包括在該陽極間以焊接 形成金屬接於之步驟。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 該形成該第2導電性路徑之步驟包括以導電膏覆蓋該等 陰極層及以金屬構件覆蓋該導電性膏至少一部分的步驟 〇 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之堆疊式電容器製造方法,其中 各該金屬構件包含圍繞在該等第1與第2環帶間之該 導體設置的金屬箔。 -24- 1299875 1 7 .如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 各該陰極層具有導電性膏層作爲最外層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 各該陰極層有電鍍層作爲外層。 1 9 ·如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 該準備步驟尙包括以下步驟: 在金屬板之至少1個表面施以電鍍;及 將該金屬板經由其施加有電鍍之表面連接於該陽極。 I 20 ·如申請專利範圍第1 9項之堆疊式電容器製造方法,其中 該電鍍係施加於該金屬板的兩個表面上。 2 1 ·如申請專利範圍第丨9項之堆疊式電容器製造方法,其中 該電鍍爲鎳鍍。 2 2 ·如申請專請範圍第1 9項之堆疊式電容器製造方法,其中 該電鍍爲銀鍍。 23 ·如申請專請範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 該準備步驟尙包括以下步驟: I 以蒸鍍的金屬膜覆蓋各電容器元件之至少1個的該陽 極;及以電鍍覆蓋該蒸鍍的金屬膜。 -25-
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8947856B2 (en) 2011-04-28 2015-02-03 Ultracap Technologies Corp. Supercapacitor and method for forming the same

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007020464A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Avx Limited Solid state capacitors and method of manufacturing them
US8027146B2 (en) * 2005-12-26 2011-09-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Electric circuit device enabling impedance reduction
JP4662368B2 (ja) * 2006-06-22 2011-03-30 Necトーキン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
TWI320191B (en) * 2006-12-29 2010-02-01 Solid electrolytic capacitor and lead frame thereof
US7626802B2 (en) * 2007-10-19 2009-12-01 Oh Young Joo Metal capacitor and manufacturing method thereof
JP2009158692A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Nec Tokin Corp 積層型固体電解コンデンサ
US8203823B2 (en) * 2008-01-11 2012-06-19 Oh Young Joo Metal capacitor and manufacturing method thereof
JP2010239089A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ
JP5587076B2 (ja) * 2010-07-20 2014-09-10 Necトーキン株式会社 固体電解コンデンサ
US9013893B2 (en) 2010-12-29 2015-04-21 Industrial Technology Research Institute Embedded capacitor module
TWI405322B (zh) 2010-12-29 2013-08-11 Ind Tech Res Inst 內藏電容基板模組
KR101499717B1 (ko) * 2013-05-21 2015-03-06 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판
CN103366957B (zh) * 2013-07-19 2016-08-10 株洲宏达陶电科技有限公司 一种多芯组陶瓷电容器及其制作方法
US9437756B2 (en) 2013-09-27 2016-09-06 Sunpower Corporation Metallization of solar cells using metal foils
JP6710085B2 (ja) * 2016-03-31 2020-06-17 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサ
JP6776731B2 (ja) * 2016-08-29 2020-10-28 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサ
US10607777B2 (en) 2017-02-06 2020-03-31 Avx Corporation Integrated capacitor filter and integrated capacitor filter with varistor function
CN109216030B (zh) * 2017-07-04 2020-09-11 卓英社有限公司 复合功能元件
WO2019058535A1 (ja) * 2017-09-23 2019-03-28 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサおよびその製造方法
CN111843166B (zh) * 2020-06-29 2022-06-07 华北水利水电大学 一种超声波焊接铜薄板和铝薄板的方法
CN114899011B (zh) * 2022-05-05 2024-08-23 肇庆绿宝石电子科技股份有限公司 一种高压叠片电容器及其制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5237248U (zh) * 1975-09-10 1977-03-16
JPH01118429U (zh) * 1988-02-04 1989-08-10
JP3631341B2 (ja) * 1996-10-18 2005-03-23 Tdk株式会社 積層型複合機能素子およびその製造方法
EP0929087B1 (en) * 1998-01-07 2007-05-09 TDK Corporation Ceramic capacitor
JP3515698B2 (ja) * 1998-02-09 2004-04-05 松下電器産業株式会社 4端子コンデンサ
US6208501B1 (en) * 1999-06-14 2001-03-27 Dielectric Laboratories, Inc. Standing axial-leaded surface mount capacitor
US6515842B1 (en) * 2000-03-30 2003-02-04 Avx Corporation Multiple array and method of making a multiple array
JP3276113B1 (ja) * 2000-05-26 2002-04-22 松下電器産業株式会社 固体電解コンデンサ
US6418007B1 (en) * 2000-08-28 2002-07-09 Motorola, Inc. Trimmable chip stub
US6418009B1 (en) * 2000-09-28 2002-07-09 Nortel Networks Limited Broadband multi-layer capacitor
JP2003282365A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Nippon Chemicon Corp チップ型固体電解コンデンサ
US6816356B2 (en) * 2002-05-17 2004-11-09 Daniel Devoe Integrated broadband ceramic capacitor array
JP3756129B2 (ja) 2002-06-11 2006-03-15 Necトーキン株式会社 伝送線路型ノイズフィルタ
JP2004158577A (ja) 2002-11-05 2004-06-03 Japan Carlit Co Ltd:The 積層型大面積アルミ固体電解コンデンサの製造方法及び該方法によるコンデンサ
JP2004289142A (ja) * 2003-03-04 2004-10-14 Nec Tokin Corp 積層型固体電解コンデンサ及び積層型伝送線路素子
US6970344B2 (en) * 2003-03-04 2005-11-29 Nec Tokin Corporation Stacked solid electrolytic capacitor and stacked transmission line element
JP2005079463A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Nec Tokin Corp 積層型固体電解コンデンサおよび積層型伝送線路素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8947856B2 (en) 2011-04-28 2015-02-03 Ultracap Technologies Corp. Supercapacitor and method for forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20060262490A1 (en) 2006-11-23
CN1866428A (zh) 2006-11-22
US7355835B2 (en) 2008-04-08
JP2006324555A (ja) 2006-11-30
CN1866428B (zh) 2010-11-03
TW200703388A (en) 2007-01-16

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