TWI299875B - Stacked capacitor and method of fabricating the same - Google Patents
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Description
1299875 • 九、發明說明: (一) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用平板鋁箔之薄型鋁質電解電容器 , 及其製造方法,特別是關於一種超小型、堆疊式、大容量及 低阻抗之薄型鋁質固態電解電容器及其製造方法。本發明係 關於一種使用鋁箔並具有低阻抗性之堆疊式、薄型鋁質固態 電解電容器之構造及製造方法。 (二) 【先前技術】 > 近年來,隨著電子裝置之小型化、產能之提高及數位化 等,以電容器之領域而言,乃強烈需求小型、大容量之電容 器,而其需具有阻抗之優異高頻特性。 然而,使用於高頻區之電容器爲傳統多層陶瓷電容器, 其未能滿足減小尺寸、增大容量、及降低阻抗之需求。 大容量的電容器爲諸如傳統式鋁質電解電容器及鈦質固 態電解電容器。但是,此等電容器所使用之電解溶液或電解 質(錳氧化物)均各具有高電阻値(1Ω · cm至100Ω · cm), | 因而即困難獲得在高頻區中具有足夠低阻抗之電容器。 但近年中,已開發了固態電解電容器,各電容器係使用 諸如聚卩比咯(polypyrrole)或聚噻吩(polythiophen)之導電 性聚合物(PQ 1 yme r )作爲固態電解質。比較例如錳氧化物之 金屬氧化物半導體型式的傳統固態電解質’導電性聚合物型 式之固態電解質的電阻値較小(〇 . Ω · cm至0 . 1 Ω · cm)。 高頻區中之阻抗値Z和所使用電解質之電阻率値p係成比例 ,亦即,Z 〇〇 P,因此,使用電阻値較小之導電性聚合物作爲 1299875 <固態電解質之固態電解電容器可將高頻區中之阻抗値抑制 爲較低値’故此等電容器乃被廣泛地應用。 使用導電性聚合物作爲固態電解質之銘質固態電解電容 器一實例,其爲平板元件構造者,將於以下說明。亦即是: 在帶狀、表面粗化(蝕刻而成)之鋁箔表面上,形成陽極的氧 化物被覆層’且在預定的部分上形成以例如環氧樹脂之絕緣 樹脂作成的阻擋(r e s〗s e )條帶,用以形成陽極部及陰極部。 其後’在預定的部分上形成導電性聚合物膜,及在其上依序 >地形成石墨層及銀膏層,因而形成陰極部。其後,使用銀膏 把陰極邰及外部的陰極端子予以連接在一起。因爲以阻擋條 帶所形成的陽極部係成不可焊接的鋁箔型式,故藉超音波焊 接、電阻焊接、雷射焊接、或類似之其他焊接等,將可焊接 之金屬板焊接於該陽極部達成電氣連接。 另一方面,近數年中,爲了以有限的底部面積達成大容 量及低阻抗特性,乃有堆疊式電容器之提供,其中使用導電 性聚合物作爲固態電解質之複數個鋁質固態電解電容器係 > 堆疊在一起,複數個陰極係以導電膏結合在一起,此外,複 數個陽極被戳入並在該部分施加導電膏,因此,乃在其間達 成電氣連接。以上之實例揭示於日本尙未審查之第 2004-158577號公開專利案(JP-Α)、第0011〜0021段及第1 圖。 又,爲了達成高頻區中阻抗之降低,日本尙未審查之第 (JP-A ) 2004 - 1 5 706號專利公開案,第〇〇2 3〜00 2 5段及第1圖 中’揭不了 3端子構造之電容器,其係一種具有3端子構造 -6- 1299875 ^ 之鋁質固態電解電容器,其中某種尺寸之表面粗化、平板鋁 質底部構件的兩個端部係作爲陽極,具有電解質之陰極則設 在中央,及在陰極與各陽極間則形成絕緣層。 在堆疊式鋁質固態電解電容器中,在堆疊多數個單一板 片元件所形成的多數個陽極端子間之連接及多數個陰極端 子間之連接將產生接觸電阻,當堆疊的元件數量越多,用於 連接之導電膏電阻率的影響越大。因此,堆疊式鋁質固態電 解電容器實難以達成阻抗之降低。 > 又,使用平板鋁箔之傳統式薄型鋁質固態電解電容器之 問題爲,元件底部越減少,佔據元件底部面積之陰極部的比 例即越減少。例如,假設堆疊式鋁質固態電解電容器之元件 底部爲^寬41^(長)=4.3\7.3(1111112)或較小時,在有效底部面 積(佔據元件底部之陰極部面積)和元件底部面積之比例、亦 即,有效底部面積/元件底部面積,約爲60%或小些。又,當 底部面積爲W(寬)xL(長)= 2.8x3.5(mm2)時,或W(寬)xL(長 ) = 1.6x3.2(mm2)時有效底部面積,則約爲50%或少些。因此 ^ ,傳統構造不適合用於形成小型、大容量、堆疊式固態電解 電容器。 (三)【發明內容】 鑑諸上述狀況,本發明乃提供一種堆疊式電容器,其可 抑制在複數電容器元件間作連接之導電膏電阻率的影響,即 使該等電容器元件爲多層堆疊亦然,結果,阻抗乃可降低; 本發明亦提供製造該種堆疊式電容之方法。 同時,本發明所提供之堆疊式電容器的構造爲,即使是 -7- 1299875 小的元件底部面積,佔據元件底部面積之陰極部的比例亦不 致減少,本發明更提供製造此種堆疊式電容器的方法。 爲了解決上述問題,本發明係提供如下述之堆疊式電容 器及其製造方法。 特別者,本發明係提供一種將多數個電容器元件堆疊形 成爲堆疊式電容器,其中各電容器包括導體板;第1條帶, 其含有絕緣體並繞著導體板設置;第2條帶,其含有絕緣體 並繞著導體板設置且實質上與第1條帶平行;絕緣被覆,係 覆蓋第1與第2條帶間所包夾之該導體的區域;第1電極, 其含有電解材料並係形成在絕緣被覆上;及第2電極,其含 有該導體板並係形成在第1與第2條帶中之至少一個條帶上 的一外表面上,該等電容器元件之第1電極係經第1導電路 徑及第2導電路徑相互作電氣性連接,第1導電路徑係把相 鄰兩個電容器元件之面對的兩個第1電極予以鄰接而成,第 2導電路徑則係使多數個電容器元件之第1電極互相成並聯 連接,而複數個第2電極則係使此等第2電極成並聯連接之 第3導電路徑達成相互之電氣連接。此處,導體板爲例如鋁 箔或金屬板之金屬箔。第1及第2條帶爲例如阻擋層(r e s 1 s t 。絕緣被覆例如爲鋁氧化物被覆。第1、第2、及第3導電 路徑例如用導電膏形成。 第3導電路徑最好是包括於諸個第2電極間作焊接所形 成的金屬接合(met al bon cUng)。藉此,跨於第2電極間之 電阻所造成的阻抗可降低。 第2導電路徑最好包括覆蓋第1電極之導電膏及覆蓋導 1299875 電膏至少一部分的金屬元件。特別地,倘金屬元件係繞著在 第1與第2條帶間之導體設置的金屬箔時,在降低阻抗方面 具有功效。 各第1電極可具有導電膏作爲最外層。但是,倘第丨電 極之最外層以電鍍層代替導電膏層時,對降低阻抗較具功效 〇 各電容器可包括一金屬板,其至少一面被覆電鍍並接合 於至少1個第2電極,金屬板可經由被覆電鍍之該面接合於 第2電極。藉此,即使是使用例如困難焊接之鋁箔作成導電 板,但可以容易焊接的端子提供於堆疊式電容器,其係選用 例如銅板之適當材料作爲金屬板。金屬板的兩面亦可施加電 鍍。當實行焊接作業時,即不須選擇擬作接合之面,此對作 業有助益。例如該種電鍍可爲鎳鍍或銀鍍。 除了接合施以電鍍金屬板之外,亦可在各電容器元件之 至少1個第2電極覆蓋以蒸鍍的金屬膜,且,蒸鍍的金屬膜 亦可再覆蓋以電鍍。在接合施加電鍍之金屬板時,需要焊接 步驟。比較此一步驟,於蒸鍍的金屬膜上施行電鍍的步驟在 生產性上最優。 本發明之堆疊式電容器可爲兩端子型、3端子型、4端子 型之任何一種。在例如爲4端子型時,有2個端子電氣連接 於第1電極層,另2個端子電氣連接於第2電極。 又,本發明亦提供一種以多數個電容器元件堆疊在一起 之堆疊式電容器製造方法,包括的步驟爲··準備多數個電容 器元件’各電容器元件包含在以絕緣被覆覆蓋之導體板上的 1299875 第1條帶與第2條帶,第1條帶爲含絕緣體並繞著導體板設 置。而第2條帶含有絕緣體並係繞著導體板設置以便實質上 與該第1條帶平行,陰極層;係位在第1與第2條帶間之絕 緣被覆上,及陽極,包含位在第1與第2條帶之至少1個條 帶外側上的導體板;形成第1導電路徑,第2導電路徑,第 1導電路徑係將鄰近的2個電容器元件之面對的2個陰極層 予以鄰接而成,第2導電路徑係使多數電容器元件之陰極相 互成並聯連接;及形成第3導電路徑,使複數個陽極相互成 並聯連接。 形成第3導電路徑之步驟最好包括在諸陽極間用焊接形 成金屬接合的步驟。 形成第2導電路徑之步驟最好包括以導電膏覆蓋諸陰極 層及以屬構件覆蓋該導電膏之至少一部分之步驟。又,倘金 屬構件係圍繞第1與第2條帶間之導體板設置的金屬箔,可 有效的降低阻抗。 各陰極層可用導電膏或電鍍層作最外層。 準備步驟尙包括:在金屬板之至少一面上施加電鍍之步 驟;及將金屬板經由被覆電鍍之該面接合於陽極之步驟。此 狀況中,電鍍可施設在金屬板的兩面。電鍍可例如鎳鍍或銀 鍍。 此外,準備步驟復可包括;在各電容器元件之至少1個 陰極層覆蓋蒸鍍的金屬膜步驟;及在該蒸鍍的金屬膜覆蓋電 鍍之步驟。 依本發明,可提供一種小型、大容量、低阻抗、具有優 -10- 1299875 異高頻特性的堆疊式電容器,並提供一種製造該堆疊式電容 器的方法。 (四)【實施方式】: 茲參照附圖說明依本發明一實施例之堆疊式電容器製造 方法。爲了說明構造起見,圖面上所示之金屬箔、阻擋條帶 '及其他等的尺寸比例和實際比例不盡相符。 如第1 A〜1E圖所示,將說明有關用於電容器中之電容器 元件的製造方法。 將例如鋁箔之金屬箔(或金屬板)1以蝕刻使表面粗化並 在金屬的表面上形成例如氧化物被覆的絕緣被覆以獲得化 學性變換的箔片、或以絕緣被覆的箔片,之後,裁切成預定 形狀之化學性變換的箔片(第1 A圖)。 之後,利用絕緣樹脂在箔片1之表面上形成阻擋條帶2 及3,因而形成了複數個陽極部及1個陰極部(第1 B圖)。絕 緣樹脂可用例如環氧樹脂作成。本例示中,所形成的阻擋條 帶係用以把化學性變換的范片分成3個部分,亦即,兩個端 部(陽極部)及1個中心部(陰極部)。 之後,在陰極部上形成電極層4,或陰極層(第1C圖)。 陰極電極層4例如包括依序堆疊之:用作固態電解質的導電 聚合物層、石墨層、及導電膏層。 之後,利用拋光或類似方式,絕緣被覆自化學性變換的 箔片1兩端部除去,因而露出金屬以形成陽極電極5及6 ( 第1 D圖)。第1 D圖中,絕緣被覆自突出阻擋條帶之各端部 的約一半位置除掉。但是,絕緣被覆亦可自各該端部全部 -11- •1299875 除掉。 最後,端部覆蓋導電膏7、8,使得含有複數端部之整個 電容器元件乃形成爲矩形平行六面體(第1 E圖),在此狀況 中,電極5、6的表面爲外露。 現參考第2A〜2C圖.,說明如第1E圖所示之電容器元件堆 疊而製造堆疊式電容器的過程。 首先,藉由施加導電膏在諸陰極部上所形成之諸電極層 上而將複數個電容器元件堆疊在一起(第2A圖)。藉此,在 相鄰近之電容器元件陰極電極層間即建立了電氣連接路徑 ’同時,經由第1 E圖步驟所被覆之導電膏(導電膏層7、8 ) ,在相鄰近的電容器元件之兩端部間亦建立了電氣連接路 徑。 之後,到在圖式前方顯露的複數個陰極電極層上金屬箔9 接合,以便可和全部堆疊的電容器元件之陰極電極屬相接 觸(第2B圖)。在第2B圖中,所示的金屬箔9只在前方, 但金屬箔亦可以相同方式接合在後方。第2B圖中,雖然金 屬箔9僅覆蓋在阻擋條帶2、3間之部分區域,但金屬箔亦 可在圖示之前方、後方、上側及下側繞著在阻擋條帶2、3 間之區域。 之後,依需要,可對圖面右側顯露之3個電極5以焊接 形成金屬接合1 0 (第2 C圖)。形成金屬接合1 0之方法,可 例如用雷射焊接、超音波焊接、電阻焊接、或其他方式等 。當藉由焊接可焊接之金屬形成之金屬接合1 0時,可提供 可焊接的陽極端子至堆疊式電容器。在第2C圖的右側雖然 -12- J299875 ~ 僅有金屬接合1 Ο,金屬接合亦可形成在左側之諸電極6。 最後,堆疊式電容器之諸個端子被設在各金屬箔9及金 膽接合10上,以製成完整的電容器。除了兩個端子外,亦 可製成爲3個端子的構造,其中分別提供複數個端子於圖 面兩側所形成之金屬接合且提供金屬箔9設1個端子。此 外,亦可製成如第3Α、3Β圖所示之4端子構造。本案發明 人已作確認的是,以4端子構造可獲得最具效果之低阻抗 特性。因此,下述例示之堆疊式電容器的阻抗測量係以4
I ^ 端子電容器所實行者。因爲用於通常2端子電容器之阻抗 測量無法應用於4端子之阻抗測量,而爲了比較特性,乃 先測量代表4端子裝i置構造。本案發明人已作確認的是,4 端子構造可獲得最具效果之低阻抗特性。因此,下述例示 之堆疊式電容器的阻抗測量係以4端子電容器所實行者。 因爲用於2端子電容器之阻抗測量無法應用於4端子之阻 抗測量,而爲了比較特性,乃先測量代表4端子裝置特性 之S參數,之後再變換爲阻抗。 ’(第1例) 茲說明堆疊式電容器之第1例。首先,以第4圖說明用 於堆疊式電容器中之電容器元件20。電容器元件20包括表 面粗化的鋁箔2 1 ;覆蓋除了鋁箔21之兩端部以外之鋁氧化 物被覆層22 ;以由絕緣樹脂製並形成在鋁氧化物被覆層22 上之阻擋條帶2 3,用以把鋁箔2 1之表面分成多個陽極部及 1個陰極部;及依序形成在阻擋條帶2 3間之鋁氧化物被覆 層2 2上的導電聚合物層2 4、石墨層2 5、及陰極一側銀膏 -13- P99875 層26 〇 電容器元件20之製造過程如下。準備整個被覆有鋁氧化 物被覆層22之鋁箔21。形成阻擋條帶23,用以構成帶形 陰極部鋁箔,橫過鋁箔2 1之雙面及之陽極部兩端部。在陰 極部上形成導電聚合物層2 4、石墨層2 5、及陰極一側銀膏 層26。之後,用拋光或類似方式將鋁氧化被覆層22自陽極 部去除。 如第.5圖所示,將複數個電容電器元件20堆疊即形成堆 > 疊電容器2 7。在堆疊後,在電容器元件2 0間之每一陰極側 銀膏層26a、26b、及26d,以熱固化而與相鄰電容器元件 20之陰極側導電膏層成爲一體並用以使相鄰電容器元件20 之陰極部成相互的電氣連接。藉此,在相鄰電容器元件2 0 之面對銀膏層之間乃各形成了導電路徑。又,藉位在堆疊 式電容器27側面上一體的銀膏層,形成令電容器元件20 之複數個陰極成爲並聯連接的導電路徑。後者的導電路徑 係相當於第2B、2C圖中之金屬箔9。 ί 又,自阻擋條帶2 3突出於外之金屬箔21的端部,係以 陽極側導電膏層2 8加以覆蓋。陽極側導電膏層2 8亦係加 熱固化’故§者電谷器兀件20之陽極部被製合在一起。諸陽 極側導電膏28係將5個鋁箔2 1彼此成電氣連接。 最後,爲了在組裝盼能予之操作,使堆疊的電容器2 7裝 於外殼内並配設相關的端子,乃完成了製品。 (第2例) 茲以第6、7圖說明堆疊式電容器3 0之第2例。因係使 -14- •1299875 用第4圖所示及第1例所述之電容器元件20形成堆疊式電 容器3 0,故其詳細說明即予省略。銅膏層3 1施加在第1圖 所示電容器元件20之各鋁箔21的兩個端部上。 此外,在1個電容器元件20之陰極最外層的銀膏層26 上被覆銀膏,之後,使陰極側銀膏層26和另1個電容器元 件2 0之陰極側銀膏層2 6相對正並相重疊。其後,對諸個 電容器元件20施加熱,使銀膏熱固化而使諸個銀膏層26 成爲一體。重復此項,5個電容器元件20乃堆疊在一起。 之後,在5個堆疊的電容器元件之阻擋條帶2 3及陽極部 間所介設的中心部分別施加銀膏,再將銀膏作熱固化。 之後,如第6圖所示,在堆疊的電容器陰極部兩側上施 加銀膏,且將銅箔條3 2接合於其上。藉此,各別電容器元 件之陰極即可經極低電阻之銅箔條3 2以最短距離相互成電 氣連接。 之後’藉雷射焊接使諸個陽極端子部成爲整體。此狀況 中,如第6及7圖所示,在堆疊前被覆在陽極端子部之銅 膏層31係沿著鋁箔21被熔化,因而形成金屬接合3 3。因 之’比較僅銘泊2 1作雷射焊接之狀況,其可減少連接電阻 〇 最後,爲了能夠在組裝時操作,將堆疊的電容器3 〇裝於 外殼内,並配設相關的端子即成爲製品。 (第3例) 茲以第8圖說明堆疊式電容器40之第3例。較諸之前的 堆疊式電容器3 0,本例之堆疊式電容4 〇不同之處在於使用 -15- 1299875 銅箱帶4 1取代銅箔條3 2。電容器元件2 0則與第1、2例者 相同。 在第2例中’銀膏係施加於堆疊電容器陰極部之兩側且 銅箱條3 2係接合其上。另一方面,在本實施例中,如第8 圖所示,銀膏則成帶狀2 1係接合於其上。而本實例中,如 第# 8圖所系’銀膏則成帶狀圍繞堆疊電容器陰極部而施加 ,且銅箔帶41接合於其上。在此例中,銅箔帶4 1之厚度 設定爲10# ιώ °但是,依擬堆疊之電容器元件20數量,較 佳地,該厚度可作增加。 (第4例) 第4例之堆疊式電容器與第3例堆疊式電容器40之不同 處爲,以銅膏取代銀膏,陰極部上施加於圍繞。此處,可 使用固化後電阻率爲 ΙπιΩ-cm或少些之銅膏。通常,銅膏 比銀膏價廉,故可有利於降低生產成本。 (第5例) 在第5例中’堆疊式電容器係將第9圖所示之電容器元 件50堆疊而製成。較諸第4圖所示的電容器元件20,電容 器元50不同之處爲,在形成石墨層25後,並不形成導電 膏層2 6,而係施以銅鍍以形成銅鍍層5 1。 如第3例之方式,將該等電容器元件5 0堆疊在一起並將 銅箔帶4 1繞著陰極部加以覆蓋。 在此例之堆疊式電容器中,陰極部上係以銅鍍取代銀膏 ,故陰極部之電阻率乃降至1 / 1 〇或更小,故阻抗乃更降低 -16- .1299875 ‘ (第6例) 在此例中,堆疊式電容器係堆疊第10圖所示之電容器元 件60而製成。電容器元件60與第4圖所示電容器元件20 類似,惟其不同處係’以電阻焊接將一面實施鎳鍍6 1之銅 板62焊接於去除氧化物被覆層22之鋁箔2 1的各兩端部上 。藉著經由鎳鍍6 1 1的焊接,即可確保和鋁箔2 1的優異焊 接狀態,因而可改善焊接部的確實性。銅板6 2可利用超音 波焊接、電阻焊接、雷射焊接、或類似方式加以焊接。 _ 在此例中,在把該等電容器元件60堆疊在一起後,如第 3圖之方式,將銅箔帶41繞著陰極部予以覆蓋。之後,如 第1 1圖所示,用作陰極部之銅板62以導電膏63覆蓋且用 雷射焊接或類似方式形成金屬接合64。 (第7例) 兹以第1 2圖說明第7例。在第6例中,一面施加有鎳鍍 6 1之複數銅板6 2係焊接於鋁箔2 1。另一方面,在本例之 電容器元件70中,複數銅板7 1焊接於鋁箔2 1,各銅板71 t 之雙面均施加有鎳鍍7 2。在第6例中,因係僅作單面施加 鎳鍍,故在施行焊接作業時,須先確定銅板6 2之位向。另 一方面,在本例中,因雙面施加鎳鍍,故不須該種確認。 因而可容易地完成焊接作業。 (第8例) 在第6、7例中,單面或雙面施加有鎳鍍之銅板係焊接於 鋁箔21。另一方面,在本第8例中,焊接於鋁箔21中複數 銅板,其各銅板單面或雙面上係施加有銀鍍。亦即,倘在 -17- 1299875 -單面施加有銀鍍之情況,如第1 0圖所示,電容器元件60 之銀鍍取代了鎳鍍61 ’同時,倘雙面均施加有銀鍍之情況 ,如第12圖所不’電谷益7〇之線鑛72被銀鑛所取代。 在第6、7例中,藉經由鎳鍍對鋁箔21焊接,可改善之 焊接性。同樣的’在本例中,因爲以銀鍍執行對鋁箔2 1的 焊接,故可改善焊接性。在雙面均銀鍍時,如第7例可助 益作業。 又,請注意陽極部之端部,銀鍍部在陽極部最外面被顯 I 露。因此,在組裝階段,利用最近已開發之銀膏取代焊林 ,可容易地完成組裝。 (第9例) 在第6、7、8例中,施加有鎳鍍或銀鑛之銅板係焊接於 各陽極部的端部。另一方面,在於第9例之電容器元件8 0 中,如第1 3圖所示,在各陽極部之端部形成蒸鍍的白金膜 81,之後,銅鍍82施加在蒸鍍的白金膜81上。 如第3例方式,複數個電容器元件80係堆疊在一起,且 i p 銅箔帶4 1係圍繞著電容器元件80包括諸陰極部等中心部 分。之後,如第14圖所示,在諸陽極部上覆蓋導電膏83 並藉雷射焊接或類似方式形成金屬接合8 4。 在第6~8例中,銅板係焊接於陽極部。另一方面,在本 例中’對陽極部則完成蒸鍍及鍍著。因此,本例之優點爲 ’比較先前各例,生產性最爲優異。又,因未施作銅板焊 接’故具有高連接確實性優點。 (第1 0例) -18- •1299875 > 參考第1 5圖,本例之電容器元件90之構造,如第5例 方式,在陰極部上設有銅鍍層5 1,及一面施加有鎳鍍6 1之 銅板62 ’如第6圖之方式,係焊接於各陽極部。 第16圖爲先前第2〜10例之阻抗一頻率特性圖。在第2 例中,各別電容器元件之陰極部將經導電膏相互連接。另 一方面,在第3、4例中,金屬箔帶係接合在該導電膏上, 故可降低跨越各別電容元件之陰極部的電阻。在第6〜9例 中,在陽極部上施加電鍍、蒸鍍等方式而降低了電阻。在 I 第5例中,在諸陰極部上係以銅鍍取代銀膏,故陰極部之 電阻率乃降低至1 / 1 0或更小,並因此進一步降低阻抗。在 第1 0例中,如同第5例,在陰極部上以電鍍取代導電膏且 與第6例相同地,電鍍及其他等係施加於陽極部,故更降 低了阻抗。 同時應說明的是,本發明並非僅限制以上之諸實施例, 此道行家自可依一般智識加以修飾或改善。 例如,在前述例示中,係把5個電容器元件堆疊形成堆 I 疊式電容器。但本發明並非僅此限定,亦可將比5個多或 少的電容器元件堆疊式電容器元件。 第1 0例爲第5、6例之組合。但是,此道行家自可輕易 獲知,第5例亦可和第7〜9例之任何1例相組合。 前述諸例中,所述的堆疊式電容器爲具有4端子構造。 但是,本發明並非限制如此,此道行家亦可將本發明之堆 疊式電容器作成具有2端子構造或3端子構造。 (五)【圖式簡單說明】 -19- J299875 第1 A〜1 E圖爲斜視圖’用以說明本發明—實施例之堆曼 式電容器中、電容器元件之製造方法。 第2A〜2C圖爲斜視圖’用以說明每—個均與第ιέ圖相同 ^ 之複數個電容器元件、將該等電容器元件堆疊而製成堆疊 式電容器的過程。 第3Α及3Β說明本發明堆疊式電容器形之4端子電容器 所設的端子。 第4圖爲電容器元件20之剖面圖,該電容器元件爲形成 ® 本發明第1例堆疊式電容器27之電容器元件的}個例示。 第5圖爲堆疊式電容器27之剖面圖。 第6圖第2例堆疊式電容器3 0之斜視圖。 - 第7圖爲第2例堆疊式電容器30之剖面圖。 . 第8圖爲第3例堆疊式電容器4 0之斜視圖。 第9圖爲第5例之電容器元件5 0的剖面圖。 第1 0圖爲第6例之電容器元件6 0的剖面圖。 第11圖爲第6例之堆疊式電容器之剖面圖。 ® 第1 2圖爲第7例之電容器元件7 0的剖面圖。 弟1 3圖爲第9例之電容器兀件8 0的斜視圖。 第1 4圖爲把第9例之複數個電容器元件堆疊所製成之堆 疊式電容器剖面圖。 第15圖爲第10例之電容器元件90剖面圖。 第1 6圖爲說明第2〜1 0例之阻抗一頻率特性曲線圖。 主要部分之代表符號說明 金屬箔 -20- 1299875
2,: 3,23 阻 擋 條 帶 4 電 極 層 5,i 5 陽 極 電 極 7,: 8 導 電 膏 層 10 金 層 接 合 20, 60, 80, 90 電 容 器 元 件 21 鋁 箔 22 鋁 氧 化 物 被 覆層 24 導 電 聚 合 物 層 25 石 墨 層 26, 2 6 a〜 26d 陰 極 側 銀 膏 層 27, 30, 40, 50 堆 疊 式 電 容 器 28 陽 極 側 膏 層 3 1 銅 膏 層 32 銅 箔 條 33, 64, 84 金 層 接 合 41 銅 箔 帶 5 1 銅 鍍 層 6 1, 72 鎳 鍍 62, 82 銅 鍍 63, 71, 83 導 電 膏 81 蒸 鍍 的 白 金 膜 -21 -
Claims (1)
1299875 β十、申請專利範圍·· 1 .—種堆疊式電容器,係由複數個電容器元件堆疊構成, 其中: 各該電容器元件包括導體板;第1條帶,含有絕緣體 並係圍繞該導體板配置;第2條帶,含有絕緣體並係圍 繞該導體板配置以使實質上與該第1條帶平行;絕緣被 覆,係覆蓋在該第1與第2條帶間所夾之該導體板的區 域;第1電極,含有電解質材並係形成在該絕緣被覆上; b 及第2電極,含有該導体板並係形成在該第1與第2條 帶之至少1個條帶的外側上; 該等電容器元件之該第1電極係經第1個導電性路徑 及第2個導電性路徑兩個導電性路徑相互作電氣連接, 第1個導電性路徑係將鄰近的兩個電容器元件之面對的 兩個第1電極予以相鄰接而形成,而第2個導電性路徑 則係使該等複數個電容器元件之複數個該等第丨電極相 互成並聯連接;及 I 『 該等第2電極係經第3個導電性路徑作相互的電氣連 接’該第3個導電性路徑係使第2電極相互成並聯連接 〇 2·如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中該第3個 導電性路徑包括金屬接合,係在該等第2電極間施以焊 接而成。 3.如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中該第2個 導電性路徑包含覆蓋該等第1電極之導電性膏及覆蓋該 -22- 1299875 導電性膏至少一部分之金屬構件。 4·如申請專利範圍第3項之堆疊式電容器,其中該金屬構 件爲金屬箔,係圍繞在該等第1與第2條帶間之該導體 板設置。 5 .如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中各該第1 電極具有導電性膏層作爲最外層。 6 ·如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中該第1電 極具有電鍍層作爲最外層。 7 .如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中 各該電容器元件包括金屬板,具有至少施以電鍍並連 接於至少1個該第2電極的1個表面;及 該金屬板係經其電鍍之表面連接於該第2電極。 8 .如申請專利範圍第7項之堆疊式電容器,其中該電鍍係 施設在該金屬板的兩面上。 9 .如申請專利範圍第7項之堆疊式電容器,其中該電鍍爲 鎳鍍。 1 0 .如申請專利範圍第7項之堆疊式電容器,其中該電鍍爲 銀鍍。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中各該電容 器元件之至少1個第2電極係以蒸鍍的金屬膜加以覆蓋 ’且該蒸鍍的金屬膜係以電鍍覆蓋。 1 2 .如申請專利範圍第1項之堆疊式電容器,其中尙包恬電 氣連接於該等電容器元件之諸個第1電極的兩個端子, 及電氣連接於該等第2電極的兩個端子。 23 1299875 1 3 · —種堆疊式電容器的製造方法,係使複數個電容器堆疊 在一起所成,包括的步驟爲: 準備複數個電容器元件,各電容器元件包含第1條帶 與第2條帶,兩者係位在以絕緣被覆所覆蓋的導體板上 ,該第1條帶包含絕緣體並係圍繞該導體板設置,而該 第2條帶包含絕緣體及圍繞該導體板配置以便在實質上 與該第1條帶係相平行;陰極層,係位在該等第1與第2 條帶間之該絕緣被覆上;及陽極,其包括在該等第1與第 2條帶之至少一條帶外側上的該導體板; 形成第1導電性路徑,係將鄰近的兩個電容器元件之 面對的兩個陰極層予以相鄰而成,並形成第2導電性路 徑,其係使該等複數個電容器元件之該等陰極層成並聯 相互連接;及 形成第3導電性路徑,係將該陽極以並聯相互連接。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 該形成該第3導電性路徑之步驟包括在該陽極間以焊接 形成金屬接於之步驟。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 該形成該第2導電性路徑之步驟包括以導電膏覆蓋該等 陰極層及以金屬構件覆蓋該導電性膏至少一部分的步驟 〇 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之堆疊式電容器製造方法,其中 各該金屬構件包含圍繞在該等第1與第2環帶間之該 導體設置的金屬箔。 -24- 1299875 1 7 .如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 各該陰極層具有導電性膏層作爲最外層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 各該陰極層有電鍍層作爲外層。 1 9 ·如申請專利範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 該準備步驟尙包括以下步驟: 在金屬板之至少1個表面施以電鍍;及 將該金屬板經由其施加有電鍍之表面連接於該陽極。 I 20 ·如申請專利範圍第1 9項之堆疊式電容器製造方法,其中 該電鍍係施加於該金屬板的兩個表面上。 2 1 ·如申請專利範圍第丨9項之堆疊式電容器製造方法,其中 該電鍍爲鎳鍍。 2 2 ·如申請專請範圍第1 9項之堆疊式電容器製造方法,其中 該電鍍爲銀鍍。 23 ·如申請專請範圍第1 3項之堆疊式電容器製造方法,其中 該準備步驟尙包括以下步驟: I 以蒸鍍的金屬膜覆蓋各電容器元件之至少1個的該陽 極;及以電鍍覆蓋該蒸鍍的金屬膜。 -25-
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