TWI298354B - Method for producing smooth indium-tin-oxide layers on substrates and a substrate coating of indium-tin-oxide - Google Patents

Method for producing smooth indium-tin-oxide layers on substrates and a substrate coating of indium-tin-oxide Download PDF

Info

Publication number
TWI298354B
TWI298354B TW93115237A TW93115237A TWI298354B TW I298354 B TWI298354 B TW I298354B TW 93115237 A TW93115237 A TW 93115237A TW 93115237 A TW93115237 A TW 93115237A TW I298354 B TWI298354 B TW I298354B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tin
oxide layer
substrate
indium
organic light
Prior art date
Application number
TW93115237A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200500437A (en
Inventor
Marcus Bender
Original Assignee
Applied Materials Gmbh & Co Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Gmbh & Co Kg filed Critical Applied Materials Gmbh & Co Kg
Publication of TW200500437A publication Critical patent/TW200500437A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI298354B publication Critical patent/TWI298354B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Description

1298354 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領 本發明係提供在 是製作錮-錫—氧化層 發光一極體。此外， 基板與具有一平滑 銦 【先前 有 電層塗 利用各 有機層 邊緣造 而其顯 助電極 平 鍍的方 程便是 為陰極 便意謂 OLED 顯 在於需 HOLED 當 良好的 技術】 機發光二極體 附玻璃基板上 種不同的有機 相當薄，一般 成的短路或缺 示功能係利用 凡成0 滑銦-錫-氧化 式來沉 此類製 之外， 著可觀 示器的 要一額 顯示器 使用一 電性及 積，該 程中相 離子輔 設備成 成本上 外的機 的成本 般標準 光學性 域】 基板上製作一平滑金屬氧化層，尤其 之方法，該基板特別係、^ ‘造有^ 本發明亦提供一銦-錫-氧化物塗佈之 -錫-氧化層的有機發光二極體。 (OLEDs ) —般製法是將一透明的導 使該導電層做為一電極使用。其包括 材質層沉積在此透明電極上，而這些 只有數十奈米。為防止因表層突起^ ，该透明電極表面必須非常平滑。 經封膠（encapsulate)製程之金屬輔 層通常是以離子輔助濺鍍法或離子電 衣程可於低溫下完成。例如g k丨0 n製 當常見的一種。然而除了濺：鍍法源做 助濺鍍法製程尚需一離子來源；如此 本的增加，自然也就反應到製造此_ 。而採用一般標準濺鍍法製程的缺點 械磨平步驟，同樣的也增加了製造此 〇 濺鍍源，尤其是DC磁電管，為了得到 質’濺鍵導電層於基板上時所採用的
3039-6357-PF(N2).ptd 第6頁 1298354
^度需高於物質再結晶的溫度（於ΙΤ〇上約15〇。〇 ，通常 11 ί基板至約200 °c。此一加熱過程是必需#，因為在 蚪所得到的銦一錫—氧化層其電阻率及透射比並不符合 =未每且薄膜以微小晶片狀生成，薄膜表面也會有突起形 只驗上顯不以DC磁電管將銦-錫—氧化物沉積在2〇〇 〇c 白基板上時其均方根（rms)粗糙度為2.3nm而最大粗糙度為 ^.1 nm。若將此有機物質層應用在生產有機發光二極體 =丄為避免因表層突起或邊緣造成的短路或缺陷，機械研 驟是必要的’如此將使製造此類有機發光二極體更複 雜’且其成本也更高。
【發明内容】 有鑑於此，本發明的課題在於採用一簡單且經濟的方 式’尤其是使用如DC磁電管或RF/DC_plused磁電管製程 (direct-current aputtering or radio-frequency-pluse direct-current aputtering) 以於基板上形成平滑金屬氧化層，特別是平滑銦_錫_氧化
根據冷沉積層，尤其是銦_錫_氧化層，其晶種甚至 基板退火後，也只於沉積層厚度大於7〇nm時殘留之 因此本，明利用該特性，一開始只濺鍍沉積部分厚度 終，屬氧化層於基板上，並且控制溫度避免晶種形^， 接著將基板加熱至高於再結晶溫度之上，該溫度對銦袭 氧化層而言約15(TC。然後再濺鍍法沉積剩下之銦_筹
1298354 五、發明說明（3) 化層厚度。 於弟個塗佈步驟’銦-錫-氧化層的厚度以小於7 〇 n m 較有利，而其較佳厚度約25舰至5〇·。將該銦—錫—氧化層 塗佈於冷基板，或至少基板溫度低於丨5〇艺，即銦—錫一氧 化層的再結晶溫度是較有利的，此塗佈之優先採用溫度為 〇 〇 C或更低溫的基板，尤其是介於1 $它至3 〇 °c之間，換 吕之，室溫是最佳的選擇。 剩下之銦-錫-氧化層的濺鍍沉積較佳溫度約18〇。〇或 更高。 本發明揭不以常用之技術流程，即一般標準濺鍍法製 程如DC磁電管或RF/DC —Plused磁電管製程以形成平滑銦一 錫-氧化層，而無需增加額外的下游步驟，尤其是避免使 用複雜、、昂貴又難以掌控的離子輔助濺鍍法歧術，此一目 的的達成乃取決於銦-錫—氧化層形成對溫度依存的特性。 【實施方式】 第一實施例 於至/里下利用DC磁電官以2W/cm2的電核密度濺鍍厚度 35mn的ITO層於玻璃基板上，再於相同電荷密度下加埶此 玻璃基板至20(TC ’直到另—厚度1〇5_的11〇層塗佈，。此 時玻璃基板上的ΙΤ0層厚度為14〇11111，電阻率為2〇〇Α ω cm，55〇·波長透射比為85%，均方根粗糙度為^⑽而最 大粗鏠度為10.8nm (第1圖）。 第二實施例 3039-6357-PF(N2).ptd 第8頁 1298354 五、發明說明（4) 於室溫下利用RF/DC-pi used磁電管以2· 25 W/cm2的電核 密度濺鍍厚度49 nm的I TO層於玻璃基板上，再將於相同電 荷密度下加熱此玻璃基板至2〇 〇 °C，直到另一厚度9 1 nffl的 ιτο層塗佈。此時玻璃基板上的IT〇層厚度為14〇ηπι，電阻 率為20 0 // Qcm，55 0nm波長透射比為88 %，均方根粗糙度 為0· 42nm而最大粗糙度為4· 7ηπι (第2圖）。 錫ϊΐίΐ明所揭示的方法可製造出低電阻，透明的銦 外的：：：：電㊁實ί特：在：：_度極低且不需額 需的薄有機材質二應= = =光二極體所
1298354
圖式簡單說明 為讓本發明能更明顯 並配合所附圖式作詳細說明如^下文特舉出兩個實施例， 第1圖係緣示出根據本 ^ ^ .A ^ Τ SL , . . ^ „ 界今知月見施例一之玻璃基板上的 I TO層之粗I度即厚度對寬度之關係圖；以及 第2圖係繪不出根據本發明實施例二之玻璃基板上的 I TO層之粗糙度即厚度對寬度之關係圖。
3039-6357-PF(N2).ptd 第10頁

Claims (1)

  1. 上 $曰 1 · 一種於基板上製作平、、M t layers )之方法，談 π銦—錫—虱化層（ITO 體，其方法包括·· / "特別係用於製造有機發光二極 -電；供-透明導電錮-錫1化廣於-破壤基板上以做為 其中:：:賤鍍法沉積部分屢度之該銦〜錫-氧化層， 、肀忒/儿積h度控制在避免晶種形成的條件下； 晶的ΐί該:：塗佈之基板至高於該銦-錫-氧化層的再結 利用第二次濺鍍法沉積剩下的該銦—錫-氧化層厚度。 2.如申請專利範圍第1項所述之於基板上曰夂 =二氧化層m〇 layers)之方法，該氧化4::; = 製造有機發光二極體，其中該第/次濺鍍法沉積之部分該 鋼〜錫-氧化層厚度小於70nm。 3·如申請專利範圍第1項所述之於基板上製作平滑銦_ 锡氧化層（I T 0 1 a y e r s )之方法’该氧化層特別係用於 ‘造有機發光二極體，其中該第〆次錢鍍法沉積之部分該 鋼—錫-氧化層厚度為25nm到50nm。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之於基板上製作平滑銦-錫氧化層（I T 0 1 a y e r s )之方法’该氧化層特別係用於 製造有機發光二極體，其中該濺鍍法係利用DC或Rf?/DC磁 電管來完成。 5·如申請專利範圍第1項所述之於基板上製作平滑銦一 錫-氧化層（ITO layers )之方法，該氧化層特別係用於
    2066-5383-PF2(Nl).ptc 第11頁 1298354
    ----- 案號 93115M7 六、申請專利範圍 製造有機發光二極體，其中該第一次濺鍍法之部分氧化層 是沉積在一冷的基板上，該冷的基板的溫度低於1 5 0 °C。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之於基板上製作平滑銦一 錫-氧化層（I TO 1 ayers )之方法’該氧化層特別係用於 製造有機發光二極體，其中該第一次濺錢法之部分氧化層 是沉積在一冷的基板上，該冷的基板的溫度低於1 〇 〇 或 7 ·如申請專利範圍第 錫-氧化層（ITO layers ； 製作有機發光二極體，其 1 5 0 C或更高。 8 ·如申請專利範圍第 錫-氧化層（IT0 1 ayers : 製作有機發光二極體，其 1 8 0 °C或更高。 9 · 一種錮-錫-氧化物 機發光二極體，包括： 1項所述之於基板上製作平滑銦— 丨之方法，該氧化層特別係用於 中該部份塗佈之基板係加熱至 1項所述之於基板上製作平滑銦一 1之方法，該氧化層特別係用於 中該部份塗佈之基板係加熱至 塗佈之基板，尤其係用於製造有 上；以及 一剩餘厚度之銦-錫〜 些塗佈方法係根據申請專 法0 t度小於70nm之無結晶銦-錫-氧化層塗佈於一基板 氧化層塗佈於該基板上，其中該 利範圍第1到第5項所提.供之方
    10 · —種具有一平滑銦—錫 其中該有機發光二極體係、 〜氧化層的有機發光二極 根據如申請專利範圍第1到
    1298354 案號93Π5237_年月日 修正 六、申請專利範圍 第5項所提供之方法製造 Hi! 第13頁 2066-5383-PF2(Nl).ptc
TW93115237A 2003-06-20 2004-05-28 Method for producing smooth indium-tin-oxide layers on substrates and a substrate coating of indium-tin-oxide TWI298354B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2003127897 DE10327897B4 (de) 2003-06-20 2003-06-20 Verfahren zur Herstellung glatter Indium-Zinn-Oxidschichten auf Substraten, sowie Substratbeschichtung aus Indium-Zinn-Oxid und organische Leuchtdiode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200500437A TW200500437A (en) 2005-01-01
TWI298354B true TWI298354B (en) 2008-07-01

Family

ID=33394917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW93115237A TWI298354B (en) 2003-06-20 2004-05-28 Method for producing smooth indium-tin-oxide layers on substrates and a substrate coating of indium-tin-oxide

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7041588B2 (zh)
EP (1) EP1489196A1 (zh)
JP (1) JP2005011809A (zh)
KR (1) KR100676420B1 (zh)
CN (1) CN1321221C (zh)
DE (1) DE10327897B4 (zh)
TW (1) TWI298354B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101202980B1 (ko) * 2005-04-06 2012-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 반도체물질을 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판 및그의 제조 방법
JP5190758B2 (ja) * 2005-10-05 2013-04-24 住友金属鉱山株式会社 透明導電層付フィルムとフレキシブル機能性素子、フレキシブル分散型エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びにそれを用いた電子デバイス
US8845866B2 (en) * 2005-12-22 2014-09-30 General Electric Company Optoelectronic devices having electrode films and methods and system for manufacturing the same
KR100855489B1 (ko) * 2006-09-12 2008-09-01 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자 및 그 제조방법
KR101025932B1 (ko) * 2008-10-06 2011-03-30 김용환 전자빔 후처리를 이용한 투명성 산화 전극 제조 방법
WO2013049379A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Soladigm, Inc Improved optical device fabrication
DE102009051345B4 (de) * 2009-10-30 2013-07-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer transparenten Elektrode
US8658262B2 (en) 2010-01-16 2014-02-25 Cardinal Cg Company High quality emission control coatings, emission control glazings, and production methods
US9862640B2 (en) 2010-01-16 2018-01-09 Cardinal Cg Company Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
US10000965B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US10060180B2 (en) 2010-01-16 2018-08-28 Cardinal Cg Company Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology
US11155493B2 (en) 2010-01-16 2021-10-26 Cardinal Cg Company Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
US10000411B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
KR101145362B1 (ko) * 2011-08-23 2012-05-14 주식회사 나우테크 투명전극용 기판의 제조방법
US8524526B1 (en) * 2012-08-14 2013-09-03 Guardian Industries Corp. Organic light emitting diode with transparent electrode and method of making same
CN103345341B (zh) * 2013-06-14 2017-08-15 浙江金徕镀膜有限公司 一种薄膜制作方法
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2633340B2 (ja) * 1989-01-17 1997-07-23 日本板硝子株式会社 透明導電膜の形成方法
JPH03120874A (ja) * 1989-10-04 1991-05-23 Fuji Xerox Co Ltd 透明電極パターン形成方法
JPH0743735A (ja) * 1993-07-30 1995-02-14 Sony Corp 表示素子用電極基板及びその製造方法
JP3426660B2 (ja) * 1993-09-08 2003-07-14 日本板硝子株式会社 インライン型スパッタ装置
WO2001015244A1 (en) * 1999-08-20 2001-03-01 Emagin Corporation Organic light emitting diode device with high work function metal-oxide anode layer and method of fabrication of same
DE10023459A1 (de) * 2000-05-12 2001-11-15 Balzers Process Systems Gmbh Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben

Also Published As

Publication number Publication date
US20040258920A1 (en) 2004-12-23
EP1489196A1 (de) 2004-12-22
US7041588B2 (en) 2006-05-09
DE10327897B4 (de) 2010-04-01
CN1572899A (zh) 2005-02-02
CN1321221C (zh) 2007-06-13
KR20040110091A (ko) 2004-12-29
JP2005011809A (ja) 2005-01-13
KR100676420B1 (ko) 2007-01-31
TW200500437A (en) 2005-01-01
DE10327897A1 (de) 2005-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI298354B (en) Method for producing smooth indium-tin-oxide layers on substrates and a substrate coating of indium-tin-oxide
Wong et al. Flexible organic light-emitting device based on magnetron sputtered indium-tin-oxide on plastic substrate
KR100514952B1 (ko) 씨앗층과 벌크층의 성막 시퀀스 방법을 이용한 인듐 주석산화물 박막 형성 방법
Choi et al. ITO/Ag/ITO multilayer films for the application of a very low resistance transparent electrode
Han et al. ITO-free flexible organic light-emitting diode using ZnS/Ag/MoO3 anode incorporating a quasi-perfect Ag thin film
Zhang et al. High-performance large-scale flexible optoelectronics using ultrathin silver films with tunable properties
JPH11218751A (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
EP2831707A1 (en) Transparent body for use in a touch screen panel manufacturing method and system
TW200947021A (en) Display substrate and manufacturing method thereof and display device
US20080053819A1 (en) Method of fabricating conductive carbon thin-film of high-hardness and application of the carbon thin-film as electrode for thin-film electro-luminescent device
JP2013152827A (ja) 透明電極付き基板およびその製造方法
KR20090066245A (ko) 투명전도막 및 이의 제조방법
Kim et al. Fabrication and characterization of Ag intermediate transparent and conducting TiON/Ag/TiON multilayer films
KR100859148B1 (ko) 고평탄 투명도전막 및 그 제조 방법
TWI321966B (en) Organic electro-luminescence device and method of manufacturing the same
JP2005268616A (ja) 透明導電膜およびその製造方法
JP3865358B2 (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法
US20160163984A1 (en) Production of a gate electrode by dewetting silver
Kawamura et al. Ag thin film on an organic silane monolayer applied as anode of organic light emitting diode
KR100408768B1 (ko) 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기로 완성한 수지계평판표시소자 및 그 제조방법
WO2003101158A1 (fr) Substrat comprenant un film conducteur transparent et dispositif electroluminescent organique
JP2003258267A (ja) 有機薄膜半導体素子及びその製造方法
JP2014148734A (ja) 透明電極付き基板の製造方法及び透明電極付き基板
JP6404064B2 (ja) 透明導電性フィルム及びその製造方法
JP2901370B2 (ja) 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees