CN103345341B - 一种薄膜制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜制作方法。该薄膜制作方法包括如下步骤：提供一具有第一表面的基板；在所述第一表面制作一缓冲层，并使所述缓冲层完全覆盖所述基板的第一表面；在所述缓冲层上制作一第一子层，并使所述第一子层完全覆盖所述缓冲层；在所述第一子层上制作一第二子层，并使所述第二子层完全覆盖所述第一子层。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜制作方法。
背景技术
在手机上应用电容式触摸屏已成为当今社会之主流趋势，电容式触控面板作为一种新型的人机交互界面，逐步被广泛地应用于各种数字信息系统上，从小型产品如手机、PDA、数码产品、e-Book，到中型产品如车载导航仪、游戏机、家用电器、工控仪器，再到大型产品如POS系统、公共查询和自助系统、便携电脑、医疗仪器以及电视新闻节日中常用的触摸式PDP上都可以看到电容式触控面板产品。因此，电容式触控面板具有广泛的市场前景。
电容式触控面板包括玻璃基板以及形成于玻璃基板上的触控感应层。
该触控感应层通常由透明导电材料经磁控溅射制作而成。在透明导电材料制作触控感应层时，需先形成一透明导电层，该透明导电层经光刻、显影、蚀刻后，得到触控图形，由触控图形形成所述触控感应层。在所述玻璃基板上形成透明导电层，通常采用磁控溅射方式来实现。业界目前常使用氧化铟锡制作透明导电层，然而，由于氧化铟锡材料在磁控溅射过程中产生的亚价态的铟、锡或铟锡金属等，该等铟、锡或铟锡金属在玻璃基板表面形成颗粒状，使透明导电层出现多个针孔。该等针孔将影响后续制作的触控感应层的触控性能。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可有效减少薄膜表面出现气孔的薄膜制作方法。
一种薄膜制作方法，包括如下步骤：提供一具有第一表面的基板；在所述第一表面制作一缓冲层，并使所述缓冲层完全覆盖所述基板的第一表面；在所述缓冲层上制作一第一子层，并使所述第一子层完全覆盖所述缓冲层；在所述第一子层上制作一第二子层，并使所述第二子层完全覆盖所述第一子层。
本发明提供的所述薄膜制作方法中，所述薄膜制作方法还包括对制作有所述缓冲层和第一子层的基板进行清洗的步骤。
本发明提供的所述薄膜制作方法中，所述第一子层和第二子层采用相同的材料制成，且所述第一子层采用磁控溅射方式制作而成，所述第二子层亦采用磁控溅射方式制作而成。
本发明提供的所述薄膜制作方法中，所述第一子层和第二子层在垂直于所述第一表面方向上的厚度相同。
本发明提供的所述薄膜制作方法中，第一表面是光滑且平整的表面。
本发明提供的薄膜制作方法中，通过先后制作第一子层和第二子层，并在制作完第一子层后进行一次清洗，有效减少所述薄膜出现气孔的几率，提升使用该薄膜制作触控功能层或显示功能能层的良品率。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1为本发明提供的一较佳实施方式的薄膜的结构示意图。
图2为图1所示的薄膜制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为说明本发明提供的薄膜制作方法，以下结合说明书附图进行详细阐述。
请同时参阅图1，其为本发明提供的一较佳实施方式的薄膜的结构示意图。所述薄膜100形成于一基板200上，在所述薄膜100形成于所述基板200上之前，需先在所述基板200上制作一缓冲层300。在本实施方式中，所述基板200由透明材料如玻璃或树脂制作而成，所述缓冲层300亦由透明材料如二氧化硅、氮化硅等制作而成。所述基板200具有一平整且光滑的第一表面210，所述缓冲层300形成于所述基板200的第一表面210上，并完全覆盖所述基板200的第一表面210。
所述薄膜包括第一子层110及第二子层120。所述第一子层110由透明导电材料经磁控溅射方式形成于所述缓冲层300上，并完全覆盖所述缓冲层300，所述第二子层120亦由透明导电材料经磁控溅射方式形成于所述第一子层110上，并完全覆盖所述第一子层110。但，在制作完所述第一子层110后、制作所述第二子层120之前，制作完所述第一子层110的基板200需再进行一次清洗，以清洗掉制作第一子层110时出现气孔处的颗粒，以便制作第二子层120时，在所述气孔处形成第二子层120。
所述薄膜的制作方法，请参阅图2所示的薄膜制作方法的流程示意图。
所述薄膜制作方法包括如下步骤：
步骤S401：提供一具有光滑且平整的第一平面的基板。该基板在本实施方式中由透明的材料如玻璃或树脂制成，在其他实施方式中，该基板也可由不透明的材料制成；或者所述基板亦可由透明导电材料或非透明的导电材料制成。
步骤S402：在所述第一表面制作一缓冲层，并使该缓冲层完全覆盖所述基板的第一表面。在本实施方式中，所述缓冲层由透明绝缘材料如二氧化硅或氮化硅等经磁控溅射方式制作而成，在其他实施方式中，所述缓冲层还可由非透明绝缘材料制作而成。
步骤S403：在所述缓冲层上制作一第一子层，并使所述第一子层完全覆盖所述缓冲层。所述第一子层在本实施方式中由透明导电材料如氧化铟锡经磁控溅射方式制作而成，在其他实施方式中，该第一子层亦可由非透明导电材料如金属经磁控溅射方式制作而成。
步骤S404：对制作有所述缓冲层和第一子层的基板进行清洗。对所述基板的清洗，可以去除第一子层上形成气孔位置处的颗粒状脏污。
步骤S405：在第一子层上形成一第二子层，并使所述第二子层完全覆盖所述第一子层。所述第二子层亦采用制作所述第一子层的材料经磁控溅射方式制作而成，在本实施方式中，所述第二子层采用透明导电材料如氧化铟锡经磁控溅射方式制作而成。所述第一子层与第二子层比较优选地是，在垂直于所述基板的第一表面的方向上具有相同的厚度。
本发明提供的薄膜制作方法中，通过先后制作第一子层和第二子层，并在制作完第一子层后进行一次清洗，有效减少所述薄膜出现气孔的几率，提升使用该薄膜制作触控功能层或显示功能能层的良品率。
以上为本发明提供的一种薄膜制作方法的较佳实施方式，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以权利要求为准。
Claims (4)
1.一种薄膜制作方法，包括如下步骤：
提供一具有第一表面的基板；
在所述第一表面制作一缓冲层，并使所述缓冲层完全覆盖所述基板的第一表面；
在所述缓冲层上制作一第一子层，并使所述第一子层完全覆盖所述缓冲层，所述第一子层为氧化铟锡透明导电层；
对制作有所述缓冲层和所述第一子层的基板进行清洗；
在所述第一子层上制作一第二子层，并使所述第二子层完全覆盖所述第一子层，所述第二子层为氧化铟锡透明导电层。
2.如权利要求1所述的薄膜制作方法，其特征在于：所述第一子层和第二子层采用相同的材料制成，且所述第一子层采用磁控溅射方式制作而成，所述第二子层亦采用磁控溅射方式制作而成。
3.如权利要求2所述的薄膜制作方法，其特征在于：所述第一子层和第二子层在垂直于所述第一表面方向上的厚度相同。
4.如权利要求3所述的薄膜制作方法，其特征在于：所述第一表面是光滑且平整的表面。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201310241532.XA CN103345341B (zh) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | 一种薄膜制作方法 |
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Publications (2)
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| CN103345341A CN103345341A (zh) | 2013-10-09 |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW512182B (en) * | 1997-10-13 | 2002-12-01 | Japan Energy Corp | ITO sputtering target and its cleaning method |
| CN1572899A (zh) * | 2003-06-20 | 2005-02-02 | 应用薄膜有限责任与两合公司 | 在基片上生成光滑铟锡氧化物层的方法及一种基片铟锡氧化物覆层 |
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2013
- 2013-06-14 CN CN201310241532.XA patent/CN103345341B/zh active Active
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