JP2003258267A - 有機薄膜半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
有機薄膜半導体素子及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドレイン及びソース電極との間のリーク電流
の発生を抑制した有機薄膜スイッチング素子及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 ソース及びドレイン電極間に成膜された
キャリア移動性の有機半導体層を備えた有機薄膜半導体
素子であって、有機半導体層に包埋されたゲート電極を
備えている。有機半導体層の融解によりゲート電極が包
埋される。
の発生を抑制した有機薄膜スイッチング素子及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 ソース及びドレイン電極間に成膜された
キャリア移動性の有機半導体層を備えた有機薄膜半導体
素子であって、有機半導体層に包埋されたゲート電極を
備えている。有機半導体層の融解によりゲート電極が包
埋される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、キャリア移動性の
有機化合物を利用し、かかる有機材料からなる有機半導
体層を備えた有機薄膜半導体素子及びその製造方法に関
する。
有機化合物を利用し、かかる有機材料からなる有機半導
体層を備えた有機薄膜半導体素子及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】有機薄膜に電圧を加えると有機薄膜に電
荷が存在でき、有機薄膜上に１対の電極を設けその間に
電流を流すことが可能になる。例えば、ＭＩＭ（金属、
絶縁体、金属）構造の有機薄膜トランジスタなどの有機
薄膜半導体素子においては、有機薄膜上のソース及びド
レイン電極を配置し、その間のゲート電極で有機薄膜の
厚さ方向に電圧を印加し、有機薄膜に沿った方向の電流
をスイッチングできる。
荷が存在でき、有機薄膜上に１対の電極を設けその間に
電流を流すことが可能になる。例えば、ＭＩＭ（金属、
絶縁体、金属）構造の有機薄膜トランジスタなどの有機
薄膜半導体素子においては、有機薄膜上のソース及びド
レイン電極を配置し、その間のゲート電極で有機薄膜の
厚さ方向に電圧を印加し、有機薄膜に沿った方向の電流
をスイッチングできる。
【０００３】また、有機薄膜トランジスタとして縦型構
造のＳＩＴ（静電誘導形トランジスタ）が提案されてい
る。ＳＩＴでは膜厚方向の電流をスイッチングできる。
ＳＩＴは図１に示すように有機膜１３を１対の電極１
１，１５で挟み、有機膜の厚さ方向の真ん中にゲート電
極１４を形成した３端子構造を有する。そのゲート電極
に電圧を印加し、有機膜にできる空乏層１２によってド
レイン及びソース間電流を制御することができる。
造のＳＩＴ（静電誘導形トランジスタ）が提案されてい
る。ＳＩＴでは膜厚方向の電流をスイッチングできる。
ＳＩＴは図１に示すように有機膜１３を１対の電極１
１，１５で挟み、有機膜の厚さ方向の真ん中にゲート電
極１４を形成した３端子構造を有する。そのゲート電極
に電圧を印加し、有機膜にできる空乏層１２によってド
レイン及びソース間電流を制御することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＩＴ
構造の有機薄膜スイッチング素子は有機膜膜厚がたかだ
か数千Åと薄膜構造の有機薄膜半導体素子であり、その
中間層に形成されるべきゲート電極も５００〜１０００
Åといった厚さとなる。そうすると有機膜、ゲート電
極、有機膜と順次成膜していった時、従来の有機薄膜半
導体素子は、短冊形のゲート電極形状がそのままその後
の有機膜やドレイン電極層に転写され、電界の均一性、
リーク電流などが問題となる。
構造の有機薄膜スイッチング素子は有機膜膜厚がたかだ
か数千Åと薄膜構造の有機薄膜半導体素子であり、その
中間層に形成されるべきゲート電極も５００〜１０００
Åといった厚さとなる。そうすると有機膜、ゲート電
極、有機膜と順次成膜していった時、従来の有機薄膜半
導体素子は、短冊形のゲート電極形状がそのままその後
の有機膜やドレイン電極層に転写され、電界の均一性、
リーク電流などが問題となる。
【０００５】本発明の目的は、上記問題点に鑑みて、透
明電極と金属電極との間のリーク電流の発生を抑制した
有機薄膜半導体素子とその製造方法を提供することであ
る。
明電極と金属電極との間のリーク電流の発生を抑制した
有機薄膜半導体素子とその製造方法を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の有機薄膜半導体
素子は、ソース及びドレイン電極間に成膜されたキャリ
ア移動性の有機半導体層を備えた有機薄膜半導体素子で
あって、前記有機半導体層に包埋されたゲート電極を備
えたことを特徴とする。本発明の有機薄膜半導体素子に
おいては、前記有機半導体層を軟化せしめる加熱処理に
より前記ゲート電極が包埋されたことを特徴とする。
素子は、ソース及びドレイン電極間に成膜されたキャリ
ア移動性の有機半導体層を備えた有機薄膜半導体素子で
あって、前記有機半導体層に包埋されたゲート電極を備
えたことを特徴とする。本発明の有機薄膜半導体素子に
おいては、前記有機半導体層を軟化せしめる加熱処理に
より前記ゲート電極が包埋されたことを特徴とする。
【０００７】本発明の有機薄膜半導体素子においては、
前記有機半導体層は互いに積層された第１及び第２有機
半導体層であることを特徴とする。本発明の有機薄膜半
導体素子においては、前記有機半導体層は電子輸送性及
び正孔輸送性の少なくとも一方の材料であることを特徴
とする。本発明の有機薄膜半導体素子においては、前記
ゲート電極は櫛状又は簾状であることを特徴とする。
前記有機半導体層は互いに積層された第１及び第２有機
半導体層であることを特徴とする。本発明の有機薄膜半
導体素子においては、前記有機半導体層は電子輸送性及
び正孔輸送性の少なくとも一方の材料であることを特徴
とする。本発明の有機薄膜半導体素子においては、前記
ゲート電極は櫛状又は簾状であることを特徴とする。
【０００８】本発明の有機薄膜半導体素子製造方法は、
ソース及びドレイン電極間に成膜されかつゲート電極が
包埋されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機
薄膜半導体素子の製造方法であって、第１の有機半導体
層を形成する第１の有機半導体層積層工程と、前記有機
半導体層上にゲート電極を形成するゲート電極積層工程
と、前記有機半導体層及び前記ゲート電極上に、第２の
有機半導体層を形成する第２の有機半導体層積層工程
と、前記第１及び第２の有機半導体層を軟化せしめ前記
ゲート電極を包埋する包埋工程と、を含むことを特徴と
する。
ソース及びドレイン電極間に成膜されかつゲート電極が
包埋されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機
薄膜半導体素子の製造方法であって、第１の有機半導体
層を形成する第１の有機半導体層積層工程と、前記有機
半導体層上にゲート電極を形成するゲート電極積層工程
と、前記有機半導体層及び前記ゲート電極上に、第２の
有機半導体層を形成する第２の有機半導体層積層工程
と、前記第１及び第２の有機半導体層を軟化せしめ前記
ゲート電極を包埋する包埋工程と、を含むことを特徴と
する。
【０００９】本発明の有機薄膜半導体素子製造方法にお
いては、前記包埋工程は、前記第１の有機半導体層をそ
のガラス転移点以上融点以下の温度に加熱することを特
徴とする。本発明の有機薄膜半導体素子製造方法におい
ては、前記有機半導体層は、蒸着により形成されること
を特徴とする。
いては、前記包埋工程は、前記第１の有機半導体層をそ
のガラス転移点以上融点以下の温度に加熱することを特
徴とする。本発明の有機薄膜半導体素子製造方法におい
ては、前記有機半導体層は、蒸着により形成されること
を特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明による有機薄膜半導体素子
として有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例
を図面を参照しつつ説明する。まず、図２に示すよう
に、基板１０上にソース電極１１を形成する。例えばス
パッタ法によりＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる
ソース電極を膜厚１５００Åで成膜する。ソース電極に
限らず各電極形成には蒸着、スパッタ、ＣＶＤなどの方
法を用いることができるとともに、電極材料も構造に応
じて各種金属を用いることができる。また、膜厚も適宜
最適なものに変更できる。
として有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例
を図面を参照しつつ説明する。まず、図２に示すよう
に、基板１０上にソース電極１１を形成する。例えばス
パッタ法によりＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる
ソース電極を膜厚１５００Åで成膜する。ソース電極に
限らず各電極形成には蒸着、スパッタ、ＣＶＤなどの方
法を用いることができるとともに、電極材料も構造に応
じて各種金属を用いることができる。また、膜厚も適宜
最適なものに変更できる。
【００１１】次に、図３に示すように、ソース電極１１
上に、第１有機半導体層１３として、４，４’ビス［Ｎ
−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニ
ル（いわゆる、ＮＰＢ）を膜厚２０００Åで抵抗加熱蒸
着により成膜する。次に、図４に示すように、第１有機
半導体層１３上に、櫛又は簾状のゲート電極１４として
シャドウマスクを用いてＡｌを膜厚５００Åで抵抗加熱
蒸着法によりストライプ状に形成する。
上に、第１有機半導体層１３として、４，４’ビス［Ｎ
−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニ
ル（いわゆる、ＮＰＢ）を膜厚２０００Åで抵抗加熱蒸
着により成膜する。次に、図４に示すように、第１有機
半導体層１３上に、櫛又は簾状のゲート電極１４として
シャドウマスクを用いてＡｌを膜厚５００Åで抵抗加熱
蒸着法によりストライプ状に形成する。
【００１２】次に、図５に示すように、第１有機半導体
層１３上に、第２有機半導体層１３aとして第１有機半
導体層１３と同じくＮＰＢを膜厚２０００Å程度で成膜
する。次に、図６に示すように、基板１０全体を第２有
機半導体層１３aのガラス転移点以上融点以下の温度に
加熱する。すなわち、ＮＰＢのガラス転移温度である９
６℃よりも１０〜５０℃高い温度、例えば１３０℃で１
０分間ホットプレートを用いて加熱してゲート電極１４
を第２有機半導体層１３aで包埋して、第２有機半導体
層１３aの平坦化処理を行う。第２有機半導体層１３aが
軟化して、重力及び表面張力によって溶けた材料が周囲
の第１有機半導体層１３上に積層された第２有機半導体
層１３aと融合して、ゲート電極１４を包埋するように
なる。加熱処理は大気中でも可能であるが、材料劣化や
汚染防止の点から真空チャンバ内又は窒素置換されたチ
ャンバ内で処理される方が好ましい。軟化温度として
は、ガラス転移点が９６℃の有機材料の場合、１５０℃
程度の加熱温度で軟化にかかる加熱時間は５分程度であ
る。なお、基板全体は減圧又は真空チャンバ内でヒータ
で加熱されるが、加熱手段はハライドランプなどでもよ
い。
層１３上に、第２有機半導体層１３aとして第１有機半
導体層１３と同じくＮＰＢを膜厚２０００Å程度で成膜
する。次に、図６に示すように、基板１０全体を第２有
機半導体層１３aのガラス転移点以上融点以下の温度に
加熱する。すなわち、ＮＰＢのガラス転移温度である９
６℃よりも１０〜５０℃高い温度、例えば１３０℃で１
０分間ホットプレートを用いて加熱してゲート電極１４
を第２有機半導体層１３aで包埋して、第２有機半導体
層１３aの平坦化処理を行う。第２有機半導体層１３aが
軟化して、重力及び表面張力によって溶けた材料が周囲
の第１有機半導体層１３上に積層された第２有機半導体
層１３aと融合して、ゲート電極１４を包埋するように
なる。加熱処理は大気中でも可能であるが、材料劣化や
汚染防止の点から真空チャンバ内又は窒素置換されたチ
ャンバ内で処理される方が好ましい。軟化温度として
は、ガラス転移点が９６℃の有機材料の場合、１５０℃
程度の加熱温度で軟化にかかる加熱時間は５分程度であ
る。なお、基板全体は減圧又は真空チャンバ内でヒータ
で加熱されるが、加熱手段はハライドランプなどでもよ
い。
【００１３】最後に、図７に示すように、第２有機半導
体層１３a上に、ドレイン電極１５としてＡｌを膜厚２
０００Åで抵抗加熱蒸着法で形成積層形成する。２層目
の有機膜成膜後に熱処理を行ったため有機膜が平坦化さ
れ、凹凸のない均一な有機半導体層を有する有機薄膜ト
ランジスタが作製できる。すなわち、本発明ではゲート
電極形成後の、２層目の有機膜成膜後に、その有機材料
のガラス転移温度近傍で熱処理を行うことにより有機膜
最表面を平坦化する。
体層１３a上に、ドレイン電極１５としてＡｌを膜厚２
０００Åで抵抗加熱蒸着法で形成積層形成する。２層目
の有機膜成膜後に熱処理を行ったため有機膜が平坦化さ
れ、凹凸のない均一な有機半導体層を有する有機薄膜ト
ランジスタが作製できる。すなわち、本発明ではゲート
電極形成後の、２層目の有機膜成膜後に、その有機材料
のガラス転移温度近傍で熱処理を行うことにより有機膜
最表面を平坦化する。
【００１４】なお、上記実施形態では、第１及び第２有
機半導体層１３、１３aを同一材料としているが、異な
る材料としてもよい。有機半導体層は電子輸送性及び正
孔輸送性の少なくとも一方の材料であることが好まし
い。さらに、上記ＳＩＴ構造に加え、本発明はＭＩＭ構
造の有機薄膜トランジスタにおいても、適用できる。さ
らに、図８に示すように、上記ＳＩＴ構造の有機薄膜ト
ランジスタの構造において、第１及び第２有機半導体層
１３、１３aを正孔輸送層としてソース電極１１及び第
１有機半導体層１３間に電子輸送性の有機発光層１６を
設けることによって、有機薄膜トランジスタ一体型有機
エレクトロルミネッセンス素子を構成できる。これによ
り、電流の注入によって発光するエレクトロルミネッセ
ンス（以下、ＥＬともいう）を呈する有機化合物材料の
少なくとも１つの薄膜からなる発光層を含む有機材料層
（以下、単に、有機材料層ともいう）を各々がアクティ
ブ素子を備えた複数の有機ＥＬ素子を、マトリクスなど
の所定パターンにて表示パネル基板上に形成できる。
機半導体層１３、１３aを同一材料としているが、異な
る材料としてもよい。有機半導体層は電子輸送性及び正
孔輸送性の少なくとも一方の材料であることが好まし
い。さらに、上記ＳＩＴ構造に加え、本発明はＭＩＭ構
造の有機薄膜トランジスタにおいても、適用できる。さ
らに、図８に示すように、上記ＳＩＴ構造の有機薄膜ト
ランジスタの構造において、第１及び第２有機半導体層
１３、１３aを正孔輸送層としてソース電極１１及び第
１有機半導体層１３間に電子輸送性の有機発光層１６を
設けることによって、有機薄膜トランジスタ一体型有機
エレクトロルミネッセンス素子を構成できる。これによ
り、電流の注入によって発光するエレクトロルミネッセ
ンス（以下、ＥＬともいう）を呈する有機化合物材料の
少なくとも１つの薄膜からなる発光層を含む有機材料層
（以下、単に、有機材料層ともいう）を各々がアクティ
ブ素子を備えた複数の有機ＥＬ素子を、マトリクスなど
の所定パターンにて表示パネル基板上に形成できる。
【００１５】有機ＥＬ素子は、光を取り出す側を透明材
料で構成して基板上の１対の電極層間に、有機ＥＬ媒体
層を順次積層されて構成される。例えば、有機ＥＬ媒体
は、有機発光層の単一層、あるいは有機正孔輸送層、有
機発光層及び有機電子輸送層の３層構造の媒体、又は有
機正孔輸送層及び有機発光層の２層構造の媒体、さらに
これらの適切な層間に電子或いは正孔の注入層を挿入し
た積層体の媒体などである。
料で構成して基板上の１対の電極層間に、有機ＥＬ媒体
層を順次積層されて構成される。例えば、有機ＥＬ媒体
は、有機発光層の単一層、あるいは有機正孔輸送層、有
機発光層及び有機電子輸送層の３層構造の媒体、又は有
機正孔輸送層及び有機発光層の２層構造の媒体、さらに
これらの適切な層間に電子或いは正孔の注入層を挿入し
た積層体の媒体などである。
【００１６】
【発明の効果】このように本発明によれば、縦型構造の
ＳＩＴなどの有機薄膜トランジスタで、ゲート電極形成
による有機半導体及びドレイン電極の界面の凹凸による
印加電界不均一や特性劣化を回避するために、ゲート電
極上の有機半導体膜成膜後に熱処理を行うことで、有機
半導体膜、ドレイン電極界面を平坦化したことによっ
て、印加電界の均一化、特性劣化を回避でき、素子とし
ての特性を改善できる。
ＳＩＴなどの有機薄膜トランジスタで、ゲート電極形成
による有機半導体及びドレイン電極の界面の凹凸による
印加電界不均一や特性劣化を回避するために、ゲート電
極上の有機半導体膜成膜後に熱処理を行うことで、有機
半導体膜、ドレイン電極界面を平坦化したことによっ
て、印加電界の均一化、特性劣化を回避でき、素子とし
ての特性を改善できる。
【図１】有機薄膜トランジスタを示す断面図。
【図２】本発明による有機薄膜トランジスタの製造工程
の一部を示す断面図。
の一部を示す断面図。
【図３】本発明による有機薄膜トランジスタの製造工程
の一部を示す断面図。
の一部を示す断面図。
【図４】本発明による有機薄膜トランジスタの製造工程
の一部を示す断面図。
の一部を示す断面図。
【図５】本発明による有機薄膜トランジスタの製造工程
の一部を示す断面図。
の一部を示す断面図。
【図６】本発明による有機薄膜トランジスタの製造工程
の一部を示す断面図。
の一部を示す断面図。
【図７】本発明による有機薄膜トランジスタを示す断面
図。
図。
【図８】本発明による有機薄膜トランジスタ一体型有機
エレクトロルミネッセンス素子を示す断面図。
エレクトロルミネッセンス素子を示す断面図。
１０ 基板
１１ ソース電極
１３ 第１有機半導体層
１４ ゲート電極
１３a 第２有機半導体層
１５ ドレイン電極
Claims (8)
- 【請求項１】 ソース及びドレイン電極間に成膜された
キャリア移動性の有機半導体層を備えた有機薄膜半導体
素子であって、前記有機半導体層に包埋されたゲート電
極を備えたことを特徴とする有機薄膜半導体素子。 - 【請求項２】 前記有機半導体層を軟化せしめる加熱処
理により前記ゲート電極が包埋されたことを特徴とする
請求項１記載の有機薄膜半導体素子。 - 【請求項３】 前記有機半導体層は互いに積層された第
１及び第２有機半導体層であることを特徴とする請求項
１記載の有機薄膜半導体素子。 - 【請求項４】 前記有機半導体層は電子輸送性及び正孔
輸送性の少なくとも一方の材料であることを特徴とする
請求項２記載の有機薄膜半導体素子。 - 【請求項５】 前記ゲート電極は櫛状又は簾状であるこ
とを特徴とする請求項１記載の有機薄膜半導体素子。 - 【請求項６】 ソース及びドレイン電極間に成膜されか
つゲート電極が包埋されたキャリア移動性の有機半導体
層を備えた有機薄膜半導体素子の製造方法であって、 第１の有機半導体層を形成する第１の有機半導体層積層
工程と、 前記有機半導体層上にゲート電極を形成するゲート電極
積層工程と、 前記有機半導体層及び前記ゲート電極上に、第２の有機
半導体層を形成する第２の有機半導体層積層工程と、 前記第１及び第２の有機半導体層を軟化せしめ前記ゲー
ト電極を包埋する包埋工程と、を含むことを特徴とする
有機薄膜半導体素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記包埋工程は、前記第１の有機半導体
層をそのガラス転移点以上融点以下の温度に加熱するこ
とを特徴とする請求項６記載の有機薄膜半導体素子の製
造方法。 - 【請求項８】 前記有機半導体層は、蒸着により形成さ
れることを特徴とする請求項６記載の有機薄膜半導体素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002058537A JP2003258267A (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 有機薄膜半導体素子及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2004128028A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Ricoh Co Ltd | 縦型有機トランジスタ |
| JP2005093955A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子及びその製造方法 |
| JP2006269323A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体装置 |
| JP2006303476A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 底面発光型の有機発光素子 |
| JP2012094810A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び撮像素子 |
| JP2014521207A (ja) * | 2011-07-04 | 2014-08-25 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 暗電流又はリーク電流を制御するためのキャパシタを含むフォトダイオード装置 |
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2002
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004128028A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Ricoh Co Ltd | 縦型有機トランジスタ |
| JP2005093955A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子及びその製造方法 |
| JP2006269323A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体装置 |
| US7811852B2 (en) | 2005-03-25 | 2010-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor device |
| JP4667096B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体装置及びその作製方法 |
| JP2006303476A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 底面発光型の有機発光素子 |
| JP2012094810A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び撮像素子 |
| JP2014521207A (ja) * | 2011-07-04 | 2014-08-25 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 暗電流又はリーク電流を制御するためのキャパシタを含むフォトダイオード装置 |
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