KR100408768B1 - 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기로 완성한 수지계평판표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기로 완성한 수지계평판표시소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수지계 평판표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 물리기상증착법(PVD:Physical Vapor Deposition) 공정의 박막 패턴을 형성함에 있어서, 액정표시소자(LCD: Liguid Crystal Display), 플라즈마표시소자(PDP: Plasma Display Panel) 및 EL 등 평판형 디스플레이(FPD: Flat Pannel Display) 제작시 핵심 요소 소자로 사용되는 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극 증착막의 패턴을 수지계의 기판상에 이온빔을 보조하여PMMA(Polymethyl Methacrylate), PC(Poly Carbonate), PET(Poly Ethylene Terephehalate)등의 수지가 변형되지 않은 저온에서 10Ω/cm - 1KΩ/cm의 면 저항과 80% 이상의 광 투과율을 갖는 투명도전막을 형성할 수 있게 한 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)로 완성한 수지계 평판표시소자 및 그제조방법에 관한 것으로, 수지계 기판상에 투명 ITO(Imdium Tin Oxide) 전극 패턴을 이온빔 보조 전자빔 증착장비로 투명도전막을 증착하는 과정에서 별도의 공정없이 증착막을 원하는 패턴대로 패턴을 형성할 수 있게 하여 종래의 건식식각(Dry Etching), 습식식각(Wet Etching)등으로 전극을 패턴 할 때와 비교해 여섯내지 일곱공정을 생략하고도 전극을 패턴형성 할 수 있어 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극기판의 생산수율 및 생산성 향상으로 최대의 효율을 꾀하고 이온빔을 보조하여PMMA(Polymethyl Methacrylate), PC(Polycarbonate), PET(Poly Ethylene Terephehalate)등의 수지가 변형되지 않은 저온에서 10Ω/㎝ - 1KΩ/㎝ 의 면 저항과 80% 이상의 광 투과율을 갖는 투명도전막을 형성함으로써 제조공정이 단순할 뿐만 아니라 투명도전막의 제조에 주류를 이루는 스퍼터링 방식에 비하여 저렴한 가격으로 우수한 특성의 투명도전막을 제조할 수 있어 수입대체 효과를 기대할 수 있다는 이점이 있다.

Description

이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기로 완성한 수지계 평판표시소자 및 그제조방법{ion beam e-beam have a ion beam assisted e-beam evaporator made platictype display panel a manufacturing process}
본 발명은 수지계평판표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 물리기상증착법(PVD: Physical Vapor Deposition) 공정의 박막 패턴을 형성함에 있어서, 액정표시소자(LCD: Liguid Crystal Display), 플라즈마표시소자(PDP: Plasma Display Panel) 및 EL 등 평판형 디스플레이(FPD: Flat Pannel Display) 제작시 핵심 요소 소자로 사용되는 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극 증착막의 패턴을 수지계의 기판상에 이온빔을 보조하여PMMA(Polymethyl Methacrylate), PC(Polycarbonate), PET(Poly Ethylene Terephehalate)등의 수지가 변형되지 않은 저온에서 10Ω/㎝ - 1KΩ/㎝ 의 면 저항과 80% 이상의 광 투과율을 갖는 투명도전막을 형성할 수 있게 한 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)로 완성한 수지계 평판표시소자 및 그제조방법에 관한 것이다.
화상정보시대에 있어서, 정보전달의 최대 담당자인 표시장치에 많은 기대가 모아지고 있으며 이로 인해 지금까지의 음극선관을 대신한 각종 평면표지장치가 개발되어 급속히 보급되고 있다.
특히 그 동안 유리 기판 위에 투명전극(인듐틴옥사이드:ITO(Imdium Tin Oxide)), SnO2등 투명전도성 박막을 코팅하여 터치 패널 스크린, 디스플레이용 투명 전극재료, 표면발열체, 열선반사재료, 성애 방지막 등으로 개발되어 각종 전자재료, 건축재료, 운송수단의 창문재료 등에 이용되어왔다.
현재 폴리에스터(Polyester)필름,PMMA(Polymethyl Methacrylate), 폴리카보나이트(Polycarbonate) 등과 같은 투명 플라스틱상에 투명 도전막을 코팅한 제품이 제안되었으나 전량 수입에 의존하고 있는 실정이다.
투명 도전막의 제조방법으로는 스프레이법, 도포법 등과 같은 화학적 방법과 스퍼터링이나 진공 증착을 이용한 물리기상증착법이 있으며, 여기서 스퍼터링에서는 산화물을 직접 증착시키는 방법이 주종을 이루고 있고 지금까지 국내에서는 스퍼터링 방식이 주로 사용되고 있으며, 진공 증착을 이용한 물리기상증착법의 경우 산소 분위기에서 전자빔을 통하여 인듐이나 인듐-주석의 합금을 증발시키는 방법이 주를 이루고 있으며, 최근에는 투과율 및 도전성이 우수하고 재현성도 용이한 물리기상증착법을 주로 이용하고 있다.
그러나 스퍼트링 방식은 스퍼터장비가 진공증착장비에 비하여 고가이고 산화물을 소결하여 타겟의 형상으로 만들어야하는 공정상의 어려움으로 인하여 ITO(Imdium Tin Oxide)의 타겟의 가격이 비싸지고 낮은 증착률은 결국 제품의 가격 상승 요인으로 직결되었고, 타겟을 여러 번 반복 사용할 경우 타겟의 성분비가 원래의 성분비와 달라질 수 있어 박막특성이 변할 수 있다는 문제점을 안고 있으며, 진공증착을 이용한 물리기상증착법의 경우 인듐, 인듐-주석을 산소 분위기에서 증착시피막의 특성이 우수한 투명도전막을 얻기 위해서는 300℃이상의 고온이 필요하기 때문에 플라스틱과 같이 열변형 온도가 낮은 기판에 투명도전막을 성막하기가 불가능하다는 문제점과, ITO(Imdium Tin Oxide)를 직접 진공 증착하는 경우에는 전자빔으로 ITO(Imdium Tin Oxide)를 증발시 산소의 분해로 인하여 산소결핍현상이 발생하기 때문에 고온의 산소분위기가 필요하므로 지금까지는 이들 방법으로 수지상의 기판에 투명전도막을 성막하는 것이 불가능하였다.
따라서 수지계상 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명도전막은 액정표시소자(LCD: Liguid Crystal Display), 플라즈마표시소자(PDP: Plasma Display Panel) 및 EL(박막형전계발광소자 포함) 디스플레이의 소자로 종래 패턴방법은 염산계 용액이나 염화 제2철계 식각액을 사용한 습식식각(Wet Etching)과 미국 특허 제517,401호의 기술의 하나인 CH4와 H2또는 CH3와Ar+이온을 이용한 건식식각(Dry Etching) 및 레이저 조사에 의한 레이저식각 등이 널리 사용되어지고 있다.
그리고 TiW(Titanium-Tungsten)등의 금속막을 ITO(Imdium Tin Oxide)상부에 형성 한 후 마스크를 사용하여 에칭함으로서 패턴 특성을 향상시킨 기술이 개발(한국 특허 제1996-012270호)되어 사용되어지고 있기도 한다.
이처럼 종래의 수지계상 ITO(Imdium Tin Oxide) 형성기술과 패턴 형성기술은 보편적으로 수지계상에 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명도전막을 형성하는데 많은 어려움과 문제점을 가지고 있으며 또한 패턴과정에서 일곱 번내지 여덟번 정도의 공정을 거치면서 패턴을 형성하게 됨으로써 불량으로 인한 생산수율과 제조비용 증가의 원인을 야기하는 등의 문제점을 안고 있었다. 따라서 현재 국내에서는 플라스틱에 도전성과 광투과율이 우수한 투명도전막이 형성된 제품 및 패턴된 투명도전막이 전무한 실정이다.
본 발명에서는 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 발명된 것으로, 스퍼터 장비보다 저가인 이온빔 증착기(Ion beam evaporator) 장비에 아르곤, 산소 등과 같은 가스를 이온화시킬 수 있는 이온건을 설치한 이온빔 보조 전자빔 증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)를 통하여 수지계 기판상에 투명 ITO(Imdium Tin Oxide) 전극을 형성하는 PVD공정으로 투명도전막을 증착하는 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)로 완성한 수지계 평판표시소자 및 그제조방법으로, 별도의 공정없이 증착막을 원하는 패턴대로 패턴을 형성할 수 있게 하여 종래의 건식식각(Dry Etching), 습식식각(Wet Etching)등으로 전극을 패턴 할 때와 비교해 여섯내지 일곱공정을 생략하고도 전극을 패턴형성 할 수 있어 투명전극(ITO(Imdium Tin Oxide)전극) 기판의 생산수율 및 생산성 향상으로 최대의 효율을 꾀하는 것과 함께 저온에서PMMA(Polymethyl Methacrylate), PC(Poly Carbonate), PET(Poly Ethylene Terephehalate)필름 등의 수지계상에 85% 이상의 투과율과 10Ω/㎝ - 1KΩ/㎝ 의 면 저항을 갖는 투명도전막을 형성이 가능하게 하여서 현재 전량 수입에 의존하고 있는 스퍼터링에 의하여 제조된 수지계상의 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명도전막 제품을 보다 저렴한 가격으로 제조함에 그 목적이 있는 것이다.
도 1은 본 발명의 패턴된 전극을 제작하기 위한 전자빔 증착장비 개략도.
도 2는 본 발명이 적용 패턴 제조공정을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 패턴 제조공정을 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 제2실시 예에 따른 패턴 제조공정을 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 제3실시 예에 따른 패턴 제조공정을 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에 의해 패턴된 음각부위로 증착막이 패터닝되는 것을 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2-a,3-a,4-a,5-a; 기판지지대
2-b,4-b,5-b; 피자석
3-c,4-c,5-c,6-c; 기판(피증착물)
3-d,4-d,5-d,6-d; 패턴마스크
본 발명은 100℃ 이하의 저온에서 플라스틱 기판에 투명도전막을 제조하는 기존 진공증착 장비를 개선하여 박막증착시 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 형성하고 동시에 패턴마스크를 사용하여 패턴된 증착막을 형성하는 기술로 평판형 디스플레이(액정표시소자(LCD: Liguid Crystal Display), 플라즈마표시소자(PDP:Plasma Display Panel), 전계발광디스플레이(ELD: Electro Luminescent Display), ECD, EPID SPD등)의 발광시 전원을 공급하기 위한 투명전극(ITO(Imdium Tin Oxide), In/Sn 등 포함)과 절연체 박막(Y2O3, S2O2, TiO2, BaTiO3, Ta2O5, Al2O3)등을 포토레지스트, 도포, 노광, 현상, 에칭 공정을 거치지 않고 수지계상에 투명전극을 증착하는것과 투명전극을 직접 패터닝 하는데 그 특징이 있는 것이다.
이와같은 본 발명은, 공지의 진공증착기(Ion beam evaporator)내부에 수지계 기판상에 투명 ITO(Imdium Tin Oxide) 전극을 형성하는 PVD공정으로 투명도전막을 증착하기 위하여 아르곤, 산소 등과 같은 가스를 이온화시킬 수 있는 이온빔과, ITO(Imdium Tin Oxide), SnO2, ZnO등의 산화물을 증발시킬수 있는 보조 전자빔을 발생시키는 이온건을 설치함을 특징으로하는 이온빔 보조전자빔을 발생시키는 이온건을 갖는 진공증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)를 구비하고, 진공펌프를 이용하여 내부압력이 1×10-5토르 이하의 압력이 되도록 배기한 진공증착기(진공챔버)내에PMMA(Polymethyl Methacrylate), 폴리카보나이트, 폴리에스터 등의 수지계 기판을 내장하고, In-O, Zn-O, Sn-O계를 기본구성 원소로 형성하여, ITO(Imdium Tin Oxide), SnO2, ZnO등의 산화물을 증발시킬수 있는 전자빔과, 아르곤, 산소 등과 같은 가스를 이온화시킬 수 있는 이온빔을 보조하여 100℃ 이하의 저온에서 수지계 기판상에 10Ω/㎝-1KΩ/㎝까지의 면 저항과 80%이상의 광 투과율을 갖는 투명도전막을 얻는 방법으로, 여기서 수지계 기판상에 투명도전막은 ITO(Imdium Tin Oxide)박막과, PMMA(Polymethyl Methacrylate), PC(PolyCarbonate)-폴리에스터(Polyester) 등의 수지계 기판과의 밀착력을 향상시키기 위하여 SiO2, TiO2, Al2O3, ZrO2등의 산화물을 500Å이하의 두께를 형성한 뒤 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 제조하며, 투명도전막을 포함한 박막을 증착시킴에 있어서는 별도의 공정처리 없이 수지계의 기판(3-c, 4-c, 5-c) 상부에 물리기상증착(PVD) 공정의 패턴마스크(2-a, 3-a, 4-a, 5-a)를 밀착시켜 증착함으로서 패턴을 형성하거나, 증착막의 증발원이 패턴마스크(2-a, 3-a, 4-a, 5-a) 상부에 위치한 PVD 공정에 패턴마스크를 사용하여 패턴 박막을 직접 형성하거나, 증착막의 증발원이 패턴마스크(2-a, 3-a, 4-a, 5-a) 하부에 위치하여 자석을 이용해 패턴마스크가 기판(3-c, 4-c 5-c)에서 이탈되지 않도록 밀착시켜 박막패턴을 직접 형성하면 된다.
이때, 평판형디스플레이에 수지계상의 평면강화 코팅 처리한 투명전극패턴을 직접 형성하면 더욱효과적이다.
이와같은 본 발명을 첨부 도면에 의거 상세히 설명하면, 도 1은 전자빔 진공증착기(e-beam evaporator)에 본 발명의 이온소스를 설치한 이온빔 보조 전자빔 증착기를 도시하고 있다.밀폐된 공간을 구성하고 진공압을 실현하기 위한 진공펌프(111)를 구성한 단일챔버(100) 내부에 가스유량조절기(103)에 의하여 이온 주입량이 제어되는 플라즈마이온빔(102)과 전자빔셔터(105)를 구비한 다층박막증착용 전자빔(101)을 바닥측면에 설치하고 그 주변의 내부 벽면에는 등 간격으로 적어도 1개 이상의 할로겐히터(104)를 설치하며, 그 상측에는 두께보정판(106)을 구성한다.그리고 중앙 상측에 두께측정기(107)를 구비한 기판지지대(108)를 회동하도록 위측에 설치하므로 이온빔(ion beam)과 전자빔(e-beam)을 동시에 구성한다.
상기 ITO(Imdium-Tim-Oxide) 투명전극 형성 및 패턴의 제조공정은 도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이 기판지지대(피증착물: Polyester,PMMA(Polymethyl Methacrylate), Polycarbonate 등)(2-a, 3-a, 4-a, 5-a)에 중성세재, 탈이온수, 알콜 등으로 초음파 세척을 한 기판(3-c, 4-c, 5-c)을 진공증착장비에 장착하고 그 상부에 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)를 놓고 셋팅 한다. 이때 초음파 세척을 한 기판(피증착물)은 필요에 따라 질소가스를 사용해 수분을 완전히 제거할 수 있다.
또한 기판지지대(2-a, 3-a, 4-a, 5-a)에 기판(3-c, 4-c 5-c)을 놓고 그 상부에 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)를 셋팅한 후 진공조에 투명도전막을 형성할 수지계 기판을 지지하면서 회전할 수 있는 기판지지대를 전자빔 증발원과 대향되게 설치한다.
진공펌프를 이용하여 진공조의 내부압력이 1×10-5torr 이하의 압력이 되도록 배기한다.
그 후 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d) 상부에 이온빔 보조 전자빔 증착방법으로 증착막을 형성시키면 도 6에 나타낸 바와 같이 패턴된 음각부위로 증착막이 패터닝 되어 형성하게 된다.기판지지대(2-a, 3-a, 4-a, 5-a)와 기판(3-c, 4-c 5-c)과 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d) 순으로 되어 있는 기판 셋트에 전자빔으로부터 증발된 입자들이 쌓이게 되면 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)의 음각부분에 증발입자가 쌓여 원하는 패턴을 피치로 전극을 형성하게 된다.
이때 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)의 두께는 증착시 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)에 야기되는 그림자 현상을 최소화시키기 위해서는 전극 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)의 두께는 0.1mm이하로 하고 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)가 기판(3-c, 4-c 5-c)에 최대한 미착시키고 증발원과 기판(3-c, 4-c 5-c)이 직각이 되게 회전되어 증발입자가 기판(3-c, 4-c 5-c)에 수직입사 되어야 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)에 대한 그림자현상을 최소화 할 수 있다.
도 3는 본 발명의 제 1실시 예에 따른 투명도전막 및 금속전극을 포함한 박막의 패턴제조 공정으로 도시한 단면도를 나타낸 것이다.
증착막을 형성하는 증발원이 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)의 상부에 위치하는 PVD 공정에 사용 할 수 있는 방법이다.
기판지지대(2-a, 3-a, 4-a, 5-a)에 전처리 공정을 마친 기판(피증착물)(3-c,4-c 5-c)을 장입하고 그 위에 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)를 놓고 셋팅 후 증착을 진행하고 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)를 제거하면 피증착물에 박막이 패턴되어 형성된다.
도 4은 본 발명의 제 2실시 예에 따른 박막 패턴제조 공정을 도시한 단면도를 도시하고 있는 것으로, 증발원이 패턴 도면의 하부에 위치한 PVD 공정에 사용 할 수 있는 방법으로 도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)의 재질은 자력에 의해 패턴마스크(3-d, 4-d, 5-d)가 기판(3-c, 4-c 5-c)에 밀착되게 하여 기판지지대(2-a, 3-a, 4-a, 5-a)와 이탈되지 않도록 하였다.
이후 공정은 제 1실시 예에서 설명한 바와 모두 동일하게 이루어지고 있다.
도 5는 제 3실시 예에 따른 공정을 도시한 단면도를 나타낸 것으로, 제 1실시 예와 제 2실시 예를 혼합한 PVD 공정에 사용 할 수 있는 제조 방법이다.
이처럼 본 발명에 의하여 제조된 투명도전막의 경우 가시광선 투과율이 80% 이상, 비저항이 3.0 × 10-4Ω㎝이하로서 우수한 투과율 및 비저항을 나타내고 ITO(Imdium Tin Oxide) 식각 화학약품에 내성이 있는 금속막을 마스크층(masking layer)으로 하여 금속성 전도막질 패턴을 습식식각법으로 형성함으로써 포토레지스트의 떨어짐과 같은 현상을 방지할 수 있는 투명 도전성기판을 제공받을 수 있는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 진공조(진공챔버)내에ITO(Imdium Tin Oxide), SnO2, ZnO등의 산화물을 증발시킬수 있는 전자빔과 상기의 증발원들이 정확한 화학적 조성을 위해 이온소스(ion beam source)와 동일한 진공조내에서 상기의 전자빔과 특정한 위치에 위치하게 하여 진공조 내에서 전자빔과 대향되게 위치한 수지계상의 기판상에 이온빔을 보조하여PMMA(Polymethyl Methacrylate), PC(Polycarbonate), PET(Poly Ethylene Terephehalate)등의 수지가 변형되지 않은 100℃ 저온에서 10Ω/㎝ - 1KΩ/㎝ 의 면 저항과 80% 이상의 광 투과율을 갖는 투명도전막을 형성함으로써 제조공정이 단순할 뿐만 아니라 수지계 기판상에 투명 ITO(Imdium Tin Oxide) 전극 패턴 PVD공정으로 투명도전막을 증착하는 과정에서 별도의 공정없이 증착막을 원하는 패턴대로 패턴을 형성함으로써 종래의 건식식각(Dry Etching), 습식식각(Wet Etching)등으로 전극을 패턴 할 때와 비교해 6가지에서 7가지 공정을 생략하고도 양호한 전극 패턴을 형성하고 투명도전막의 제조에 주류를 이루는 스퍼터링 방식에 비하여 저렴한 가격으로 우수한 특성의 투명전도막을 제조할 수 있게 되는 장점이 있게 된다.
그러므로 패턴된 투명전극의 생산수율 및 생산량에 있어 최대의 효율 향상을 기대할 수 있는 것이다.

Claims (5)

  1. 공지의 진공증착기(Ion beam evaporator)내부에 수지계 기판상에 투명 ITO(Imdium Tin Oxide) 전극을 형성하는 PVD공정으로 투명도전막을 증착하기 위하여 아르곤, 산소 등과 같은 가스를 이온화시킬 수 있는 이온빔과, ITO(Imdium Tin Oxide), SnO2, ZnO등의 산화물을 증발시킬수 있는 보조 전자빔을 발생시키는 이온건을 설치하고,PMMA(Polymethyl Methacrylate), 폴리카보나이트, 폴리에스터 등의 수지계 기판을 내장한후, 그 상부에 물리기상증착(PVD) 공정의 패턴마스크를 밀착시키고, 진공펌프를 이용하여 내부압력이 1×10-5토르 이하의 압력이 되도록 배기한 다음, In-O, Zn-O, Sn-O계를 기본구성 원소로 형성하여, ITO(Imdium Tin Oxide), SnO2, ZnO등의 산화물을 증발시킬수 있는 전자빔과, 아르곤, 산소 등과 같은 가스를 이온화시킬 수 있는 이온빔을 보조하여 100℃ 이하의 저온에서 수지계 기판상에 10Ω/㎝-1KΩ/㎝까지의 면 저항과 80%이상의 광 투과율을 갖는 투명도전막을 형성한 수지계평판표시소자를 얻는 것을 특징으로 하는 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)를 통한 수지계 평판표시소자제조방법.
  2. ITO(Imdium Tin Oxide)박막과PMMA(Polymethyl Methacrylate), PC(Polycarbonate)-폴리에스터(Polyester) 등의 수지계 기판위에 밀착력을 향상시키기 위하여 SiO2, TiO2, Al2O3, ZrO2등의 산화물을 500Å이하의 두께를 형성한 뒤가시광선 투과율이 80% 이상, 비저항이 3.0 × 10-4Ω㎝이하로서 우수한 투과율 및 비저항을 나타내고 ITO(Imdium Tin Oxide) 식각 화학약품에 내성이 있는 금속막을 마스크층(masking layer)으로 하여 금속성 전도막질 패턴을 습식식각법으로 투명도전막을 형성함을 특징으로 하는 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)로 완성한 수지계 평판표시소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투명도전막 형성시, 증착막의 증발원이 패턴마스크의 상부에 위치한 PVD 공정에 패턴 박막을 직접 형성하도록 함을 특징으로하는 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)를 통한 수지계 평판표시소자제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투명도전막 형성시, 증착막의 증발원이 패턴마스크 하부에 위치하여 자석을 이용해 패턴마스크가 기판에서 이탈되지 않도록 밀착시켜 박막패턴을 직접 형성하는 것을 특징으로하는 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)를 통한 수지계 평판표시소자제조방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 투명도전막 패턴을 형성하는 수지계기판은 평면강화 코팅처리한 위에 평판형 디스플레이 투명도전막패턴을 직접 형성하여 구성함을 특징으로하는 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기(Ion beam assisted e-beam evaporator)로 완성한 수지계 평판표시소자.
KR10-2001-0017001A 2001-03-30 2001-03-30 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기로 완성한 수지계평판표시소자 및 그 제조방법 KR100408768B1 (ko)

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