TWI291976B - Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same - Google Patents

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TWI291976B
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epoxy resin
resin composition
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less
biphenyl
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TW090123963A
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Akira Nagai
Takao Miwa
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Hitachi Ltd
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1291976 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 發明領域 本發明係關於一種供半導體用之封裝材料，使用彼之 半導體裝置，及關於製造此封裝材料之方法。 相關技藝之討論 典型地，作爲用於半導體封裝的樹脂，將環氧樹脂用 作樹脂成分，酚系樹脂作爲硬化劑且進一步的將無機塡料 調製於其中。此樹脂具有良好的性質如可模製性、機械特 性及黏合性質及在量產與可靠度的卓越性。 供半導體封裝用之樹脂組成物，通常使用環氧樹脂化 合物而彼在分子中具有二或更多甘油基醚基團，與酚系樹 脂硬化劑彼在分子中具有羥基基團。在半導體裝置的封裝 方法中，環氧樹脂與酚系樹脂硬化劑進行介於甘油基醚基 團及羥基基團之間反應，而此反應係在合適的硬化觸媒之 存在下，從而提供一種硬化產物。反應速度，即自模具中 移出硬化產物之前的時間，係取決於觸媒的類型及用量。 調製在供半導體封裝用之樹脂組成物中的酚系樹脂硬 化劑在分子中具有羥基基團且容易吸收濕氣。若酚系樹脂 硬化劑其中吸有濕氣，與環氧樹脂之硬化反應將變得緩慢 ，將傾向有問題在於最後得到的硬化產物具有低硬度，如 此將減慢半導體裝置之量產。 爲達此目的，鄰-甲酚酚醛淸漆型環氧樹脂已慣常使用 在供半導體封裝用之環氧樹脂組成物之中以避開濕氣吸收 之問題。然而，當矽晶片尺寸隨半導體程度整合提高而增 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1· r 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 1291976 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明（2 ) 加，封裝樹脂層須要爲儘可能的薄。但，當製作薄的封裝 層，裂縫將易於發生，此係由於介於矽晶片與封裝樹脂層 之間的熱應力。爲避開此，變得必須抑制熱膨脹。爲達此 目的，已頻繁地使用環氧樹脂，彼相較於慣常的鄰-甲酚酚 醛清漆型環氧樹脂有較低的黏度及熱膨脹，且允許調製以 較大量的二氧化矽塡料。 因此，聯苯型環氧樹脂已廣汎的使用，此係因爲其改 進的物理特性。但，如上述，聯苯類型環氧樹脂遭受可能 的濕氣吸收。當其中包含此類型聯苯型環氧樹脂的樹脂組 成物，於貯存期間吸收濕氣，將發生的硬化問題在於模製 中的阻礙，由於硬化時間之增加而降低產量，及於硬化之 後得到的模製物之耐熱性的減低。此外，必須小心練習在 於製造場所維持低溼度及避免在貯存及運送中濕氣吸收之 影響，如此，將提高成本。 傳統上，爲了減輕經由濕氣吸收導致的硬化阻礙或麻 煩之影響，將增加針對環氧樹脂的硬化促進劑之量。然而 ，在此案例中，樹脂組成物於貯存期間逐漸進行硬化反應 ，且黏度增加而造成失效，如在半導體包封期間發生未封 裝、彎曲的金導線及導線破斷。此外，增加硬化促進劑的 量將導致問題在於半導體裝置之中電氣接合點在防濕氣之 可靠度及耐熱性。 t發明槪要 本發明提供供半導體封裝用之環氧樹脂組成物，彼具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1291976 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3) 有防濕氣性且可克服上述的問題。 爲達成上述目標，將鹼土金屬氧化物，較佳者爲氧化 鈣，使用在一聯苯型環氧樹脂之中，而此聯苯型環氧樹脂 係作爲供半導體封裝用的環氧樹脂。本發明中供半導體封 裝用的環氧樹脂，在其中有將硬化促進劑加入者，應至少 含有由（如下化學式1展示者）代表的類型之環氧樹脂作爲基 本的成分，且應帶有硬度變化速率於25 °C與相對溼度50% 針對72小時在少於10%，及流動長度變化速率於25 °C與 相對溼度20%或更低之下放置72小時後在少於20%。 在此環氧樹脂組成物中內含有，至少，環氧樹脂由（化 學式1)代表的環氧樹脂，此組成物調製有添加劑彼能吸收 在環氧樹脂組成物中的濕氣當環氧樹脂組成物作硬化反應 ，且能釋放此吸收的濕氣當將環氧樹脂組成物加熱·，且可 展現阻燃性效應。 該添加劑係由氧化鈣製作，且硬化劑係由酚系樹脂製 作，而酚系樹脂之用量係使酚系樹脂的羥基基團對環氧樹 脂的環氧基基團之當量比例範圍在1.3至1.5。此氧化鈣調 製用量在0.5 wt%至50wt%，相對於硬化劑。將二氧化矽調 製爲部分的無機塡料而彼用量至少在78 vol%，且可將偏硼 酸鈣調製於其中。 而在本發明另一目的之中，至少一部分的半導體係封 裝以如上述之環氧樹脂組成物。 以此方式，可得到一帶有高程度整合之供半導體裝置 封裝用的樹脂層可作成薄的，且此供半導體封裝用之樹脂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 1291976 A7 _B7__ 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 組成物能預防濕氣吸收。此外，此不僅可達到大量生產高 度整合的半導體裝置，且亦可實現一供半導體封裝用之樹 脂組成物而彼具有卓越的可硬化性與可模製性，及半導體 裝置使用組成物。 圖示簡要敘述 由以下提供的連接以伴隨的圖示之詳細描述，將可更 淸楚地瞭解上述本發明的優點及特色。 圖1爲一示圖彼顯示在貯存於下列的條件之下之前及 之後的變化速率：25 °C與相對溼度50%及25 °C與相對溼 度20%或更低，考量一在加熱條件之下，在本發明的實施 例1及比較例1中環氧樹脂組成物的硬度値及螺旋流動長 度値，相對於貯存時間； 圖2爲曲線圖彼係顯示，爲作比較，本發明環氧樹脂 組成物於硬化之前與於硬化之後的X-射線繞射強度； 圖3爲封裝以本發明環氧樹脂組成物的半導體裝置之 切面圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖4爲另一類型封裝以本發明環氧樹脂組成物的半導 體裝置之切面圖； 圖5爲再另一類型封裝以本發明環氧樹脂組成物的半 導體裝置之切面圖；及 圖6爲更另一類型的封裝以本發明環氧樹脂組成物的 半導體裝置之切面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） 1291976 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 主要元件對照表 1 外殻 2 半導體元件 3 金導線 4 外導線 5 壓模墊 6 黏合層 7 黏合層 8 有機印刷電路板 9 焊料球 10 氧化鋁陶瓷印刷電路板 發明之詳細說明 本發明舉例的具體實施例將配合圖示而記述如下。可 利用其它具體實施例，且可作結構或邏輯的改變而未偏離 本發明的精神或範圍。遍佈圖示中，類似的項目將遍佈圖 示引用類似的參考文獻數字。 使用在本發明中的添加劑其特色在彼能吸收在環氧樹 脂之中的濕氣當樹脂作硬化反應中，且於硬化之後可穩定 地存在於環氧樹脂中，且當硬化產物燃燒，在硬化中吸收 的濕氣將釋出.，從而展現阻焰性而此係歸因於主要經由濕 氣導致的冷卻效應。 更特別地，鹼土金屬氧化物係適合的且包含氧化鈣、 氧化鋇、氧化鎂、氧化鈹及氧化緦。此類在硬化反應中與 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 1291976 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 濕氣反應將將形成氫氧化物。此氫氧化物穩定地存在於生 成的硬化產物中，且於此硬化產物燃燒的高溫條件之下將 釋出濕氣。在使用於本發明的鹼土金屬氧化物之中，氧化 鈣爲較佳的，此係基於濕氣吸收及在硬化產物中的穩定性 〇 使用本發明中的氧化鈣較佳省應呈粉末的形式。更佳 者，平均粒度範圍在大約0.1// m至100// m。若平均粒度小 於0.1 /z m，生成的環氧樹脂組成物變得高度觸變性且黏度 增加，使彼難以模製組成物。另一方面，當平均粒度超過 100// m，將會使不能在狹窄的材料部分之中流過包裝材料 ，或樹脂成分及塡料將易於相互分離，而使不能穩定地得 到模製品。此係因爲當平均粒度超過100 // m，加入氧化鈣 之效應將變得極度小。此撒粉之方法非屬關鍵性的，且可 經由任何已知的方法執行。 本發明中使用鹼土金屬氧化物之用量較佳者應介於0.5 wt%至50wt%，此係基於在環氧樹脂組成物中的硬化劑。此 係因爲若用量爲0.5 wt%或更低，在環氧樹脂之硬化反應中 將不能預期卓越的效應，且當用量超過50wt%，將有黏度 增加的問題。氧化鈣用量完全地基於環氧樹脂組成物’且 取決於合倂使用的無機塡料比重及用量之不同。爲了預防 硬化反應被內含在無機塡料之中的濕氣或現存的呈冷凝的 水所阻礙，宜配料氧化鈣使彼用量在〇·〇5 wt%至5 wt%，相 對於環氧樹脂組成物整體。若用量少於〇·〇5 wt%，效應將 不顯著，且當用量超過5 wt%，將發生黏度提高的問題。 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1291976 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7) 在本發明的供半導體封裝用之環氧樹脂組成物中，當 使用聯苯型環氧樹脂而彼於吸收濕氣後具有較低的程度可 硬化性，將可得到較高的本發明效應。其它類型的環氧樹 脂未嚴格限制，且可獲得改進效應，當使用該類型環氧樹 脂且經由合倂以硬化劑及其它塡料，以確保降低濕氣吸收 。此類環氧樹脂可爲慣常地用於半導體封裝者。例如，酚 酚醛淸漆型環氧樹脂、甲酚酚醛淸漆型環氧樹脂，雙酚爲 主的環氧樹脂如雙酚A、雙酚F及雙酚S型環氧樹脂，彼 具有三或更高官能性的酚或甲酚爲主的多官能基環氧樹脂 ，彼具有聯苯基團、萘基團及二環戊二烯基團及二或更多 甘油基醚基團的環氧樹脂。 在實施本發明中，硬化劑較佳者係由酚系化合物製作 的而彼具有一或更多酚系羥基基團在每分子上。更·佳者， 使用具有二或更多酚系羥基基團的化合物。例如，酚系酚 醛淸漆樹脂、酚與芳烷基醚類的縮聚物、雙酚樹脂、鄰·甲 酚酚醛淸漆樹脂及聚對乙烯基酚。此硬化促進劑可爲已知 者彼包含胺類如1，8-二吖雙環（5,4，b)十一烷烯-7、咪唑如2-甲基咪唑、磷化合物如苯基膦及其衍生物。 在實施本發明中，可進一步的調製塡料、塑化劑、耦 合劑、潤滑劑、著色劑及其類似者，若須要用以改良特性 如韌性、低彈性模數、黏著性及離型性質。可使用的塡料 包含無機及有機塡充材料。在此類之中，下列的細微粉末-爲較佳的：融合的二氧化矽、結晶二氧化矽、氧化鋁、碳 酸鈣、矽酸鈣、滑石粉、黏土、雲母及其類似者’以俊平 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -10- 1291976
發明説明（8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衡可模製性、熱膨脹係數、電氣特性及機械強度。塡料之 粒度較佳者其範圍0.1/z m至30/z m，更佳者爲0·5# m至 10/z m。若平均粒度少於〇·1/ζ m，生成的環氧樹脂組成物將 變化觸變性且黏度增加而使模製困難。當粒度超過3〇 # m ，將會使不能在狹窄的材料部分之中流過包裝材料，或樹 脂成分及塡料將易於相互分離，而使不能穩定地得到模製 品。 考量塑化劑、耦合劑、潤滑劑、著色劑及黏著賦予藥 劑’可使用任何已知者。將此類成分調製、混合、碎成片 斷及，且須要，作顆粒狀以得到本發明環氧樹脂組成物。 捏和通常係使用熱滾筒、押出機或其類似者而執行。本發 明的半導體裝置係使用如此得到環氧樹脂組成物封裝而得 。此製造方法係以一般的方法執行。一般而言，使用低壓 力轉注成形。在一些案例中，可使用壓縮模製、射出成形 及其類似方法。爲改良半導體裝置之可靠度，於將環氧樹 脂組成物模製之後，宜於150°C或更高之溫度進行熱處理一 段時間，以使得到令人滿意的硬化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明環氧樹脂組成物展現良好的可硬化性，且當組 成物用於半導體封裝，可改進量產。在實施本發明中，有 害地影響長時間可靠度如耐熱性及防濕氣性的硬化觸媒， 其用量將可降低，且生成的硬化產物將具有高耐熱性，從 而提供一種具有卓越可靠度的半導體裝置。 本發明中使用鹼土金屬氧化物之效應，在於在環氧樹 脂組成物之反應硬化期間降低歸因於在環氧樹脂組成物中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇X297公釐） -11 - 1291976 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9) 的濕氣硬化問題。如在此技藝中熟知者，鹼土金屬氧化物 與水反應而提供一種氫氧化物。在本發明環氧樹脂組成物 中，鹼土金屬氧化物將經歷相似的改變而展現彼在環氧樹 脂組成物之硬化反應中的效應。當在模製中加熱至度10(TC 或更高之溫，在環氧樹脂組成物中的濕氣將保持在組成物 中，此係因爲於其上的壓力，從而造成硬化問題。當在硬 化中，鹼土金屬氧化物會吸收濕氣而將氧化物改變爲氫氧 化物，造成硬化反應之增進。此氧化物於環氧樹脂組成物 後續的硬化處理及貯存期間將穩定地存在。而此氧化鈣， 彼將逐步地改變爲更穩定的碳酸鈣。當環氧樹脂組成物燃 燒且變爲高溫，形成於硬化期間的氫氧化物能釋放水，允 許組成物具有阻燃性。此將貢獻於可減少有機阻焰劑的量 ，如溴化環氧樹脂及磷化合物，無機阻焰劑如氧化銻，彼 係先前已調製在供半導體封裝用之環氧樹脂組成物之中。 此類阻焰劑將會能降低半導體裝置的高溫持續特性及防濕 氣性，且如此，高度可靠的半導體裝置可得自降低阻焰劑 的量。 在先前技藝中，彼已慣常的增加硬化觸媒用量，以在 其中吸收濕氣時可改良可硬化性。特別地，在半導體裝置 之領域，一般的實施已如上述增加硬化觸媒的量。在此方 法中，其中用於半導體封裝的環氧樹脂模製材料係儲存在 乾燥條件之中且在室溫下，環氧樹脂之硬化反應逐步地進 行而使環氧樹脂的分子量升高，此將傾向有問題在於所謂 的壽期，當在模製中黏度增加，使不能得到流動性。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 1291976 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（10) 如以上記述在本發明方法使用鹼土金屬氧化物將經由 吸收濕氣於硬化中而改進可硬化性，彼不須要增加硬化觸 媒的量，且有可能降低用量。鹼土金屬氧化物本身不參與 環氧樹脂之硬化反應，而使彼不影響在乾燥條件之中在室 溫下的硬化反應。如此，可預期二項效應：改進濕氣吸收 狀態之中的可硬化性在及改進壽命。更特別地，其中將環 氧樹脂模製材料儲存於25 °C與相對溼度50%的條件之下 72小時，在貯存之前與於貯存之後降低比率可抑制在少於 10%的水準，考量巴可（Barcol)硬度或Shore D硬度或其類似 者，此係得自立即於模製之後。同時，其中材料模製於於 25 °C與相對溼度20%或更低的乾燥條件之下者貯存72小 時之後，貯存之前與於貯存之後流動長度降低之比率可少 於20%，此係在一流動長度測試如螺旋流動之中。· 圖1爲一示圖彼顯示於加熱條件之下的硬度變化速率 ，及流動長度變化速率，此係經由測定下列的螺旋流動： 在實施例1使用本發明的供半導體封裝用，及比較例1之 環氧樹脂組成物，在貯存之前及於貯存於下列的條件之下 之後：在25 °C與相對溼度50%的條件，與25 °C與相對溼 度20%或更低的乾燥條件，將彼對貯存時間作圖。 彼分別地展示，立即於模製之後的巴可（Barcol)硬度之 變化，當實施例1中本發明的供半導體封裝用之環氧樹脂 組成物儲存於25 °C與相對溼度50%的條件之下，及流動長 度之變化當其中該組成物儲存於25 t與相對溼度20%或更 低的乾燥條件之下。爲作比較，亦展示比較例1中本發明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -13- (請先閲讀背面之注意事項再. -fr填寫本頁
、1T 1291976 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7 _五、發明説明（11) 的半導體封裝環氧模製材料之結果。當使用如在本發明中 的鹼土金屬氧化物，於加熱之下條件的硬度及流動長度可 抑制降低。 雖然乾燥藥劑如二氧化矽凝膠及硫酸鎂係考量將展現 相似的濕氣吸收效應，此類乾燥藥劑在其上將物理性吸附 濕氣，而使彼吸收大量的濕氣，在硬化之前且然後於環氧 樹脂硬化反應之溫度，所吸收之濕氣將釋出，如此將引起 相反的效應。此外，此類存在作爲乾燥藥劑於完成硬化反 應之後，將使生成的硬化產物吸收濕氣的量在大於非調製 的產物。此使得半導體裝置導致焊料流動中將脫水，從而 造成裂縫或降低電氣特性的防濕氣性之可靠度。 圖2顯示本發明實施例1供半導體封裝用之環氧樹脂 組成物與彼之硬化產物的X-射線繞射之強度。在環氧樹脂 組成物硬化之前，偵測到氧化鈣及微量的氫氧化鈣。據暸 解此氫氧化鈣係於材料混合中自氧化鈣變化而來。於檢視 於硬化之後的X-射線繞射強度，氧化鈣強度降低而氫氧化 鈣之強度變高。由上述，據信氧化鈣之效應可於環氧樹脂 組成物之硬化中有效地吸收濕氣，且促進硬化反應以使於 硬化之後改變爲更穩定的化合物且可存在於環氧樹脂組成 物中。 本發明更特別地描述於以下實施例之方法中。（實施例 卜6)及（比較例1-5) 表1顯示本發明供半導體封裝用之環氧樹脂組成物之 起始材料。表2顯示在本發明供半導體封裝用之環氧樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -14 - 1291976 A7 B7 五、發明説明（12) 組成物之實施例的起始材料之調製劑比例以及特性。表3 顯示本發明供半導體封裝用之環氧樹脂組成物之比較例的 起始材料之調製劑比例及特性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
[式1] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291976 A7 _B7 __五、發明説明（15) 均粒度在10/z m，碳黑用作著色劑，7 -縮水甘油氧基丙基 三乙氧基矽烷用作爲耦合劑，廿九烷酸酯用作爲離型劑及 偏硼酸鈣用作阻焰劑且彼具有平均粒度在3-10 // m，環氧樹 脂組成的實施例與比較例分別地提供於表2及3。 使用雙滾筒混合磨機，各自混合不同類型的配製的起 始材料，加熱至65 °C及90°C約15分鐘。之後，經由粉碎 機將生成的混合物硏磨，接著經由使用藥片模製機器模製 成爲片狀而帶有所給予的尺寸，以得到供半導體封裝用之 環氧樹脂組成物。 流動性測定係依據SPI-EMM11-66，其中螺旋模製物係 ，在180°C自90秒的條件之下，以測定流動長度，且流動 長度在25英寸式更長視爲可接受的。可硬化性之測定係經 由測量模製物的表面硬度，此係立即於從模具上去除螺旋 測試件之後，採用巴可（Barcol)硬度測試機（No.935)，其中 硬度在75或更高爲可接受爲良好的。 環氧樹脂組成物硬化產物之玻璃轉移溫度其測定係使 用圓筒狀的試樣，彼係已於180°C與90秒的條件之下轉注 成形，且於180°C進一步的硬化6小時。以5 t/分鐘之速 率將試樣加熱，此係經由使用熱物理測試機，以測定在線 性膨脹試樣的彎曲點，作爲玻璃轉移溫度。 圖3爲半導體裝置之切面圖，彼係封裝以本發明供半 導體封裝用之環氧樹脂組成物。針對生產半導體裝置展示 於圖3，將半導體元件2固定地黏合至銅導線框架的壓模墊 5，此係經由一種黏合層6如銀膠。之後，將半導體元件2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -18- 1291976 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7 _五、發明説明（16) 上的鋁墊部分與局部銀金屬化的銅導線框架的外導線4連 接，此係將經由導線連接以金導線3。使用本發明環氧樹脂 組成物將所生成的裝置作低壓轉注成形，在1 80°C與90秒 的條件下且模壓在70公斤/CM2。其後，於18(TC執行硬化6 小時之後，接著將將導線框架作條狀測試棒切割，焊接電 鍍的外導線4且彎曲以得到展示於圖3的半導體裝置。 圖4爲另一類型封裝以本發明環氧樹脂組成物的半導 體裝置之切面圖。爲製造展示於圖4的半導體裝置，半導 體元件及，將彼具有外導線4的銅導線框架黏合且固定， 此係經由一種黏合層7如聚醯亞胺雙面塗覆的膠黏劑。之 後，使用金導線3將半導體元件2上鋁墊部分及局部銀鍍 層的銅導線框架之外導線4作電氣連結。此類成員將作低 壓力轉注成形，使用本發明供半導體封裝用之環氧樹脂組 成物，在180°C與90秒的條件下成形，且模壓在70公斤 /CM2。其後，於180°C後硬化6小時之後，將導線框架的條 狀測試棒切下且將外導線4作焊接電鍍且彎曲以得到展示 於圖4的半導體裝置。 圖5爲另一類型封裝以本發明環氧樹脂組成物的半導 體裝置之切面圖。針對製造展示於圖5的半導體裝置，將 半導體元件2固定地黏合至有機印刷電路板8彼經由一種 黏合層6如銀膠而具有四層的接線層。使用金導線3，將 半導體元件2的鋁墊部分及印刷電路板的墊部分作導線連 接。使用本發明供半導體封裝用之環氧樹脂組成物，將此 類成員的半導體鑲嵌的表面作低壓力轉注成形，在180t與 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 1291976 A7 B7 五、發明説明（17) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 90秒的條件下，且模壓在70公斤/CM2。於180°C後硬化6 小時之後，將焊料球9接合，從而得到展示於圖5的半導 體裝置。 圖6爲更另一類型封裝以本發明環氧樹脂組成物的半 導體裝置之切面圖。針對製造展示於圖6的半導體裝置， 焊料球9形成在半導體元件2的墊部分。之後，經由熔融 此焊料，將焊料球9半導體元件2上與氧化鋁陶瓷印刷電 路板10的墊部分連接且固定地黏合。使用本發明供半導體 封裝用之環氧樹脂組成物，將此類成員半導體鑲嵌的表面 作低壓力轉注成形，在1 80°C與90秒的條件下，且模壓在 70公斤/CM2。於180°C後硬化6小時之後，將焊料球9接合 ，從而得到展示於圖6的半導體裝置。 (實施例7〜15)及（比較例7〜14) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在實施例7中，可靠度測試之執行係經由使用本發明 的實施例1以製作展示於圖3類型的半導體裝置，使用一 般的方式。表4顯示實施例與比較例中半導體裝置之高溫 持續可靠度及抗濕氣可靠度。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 1291976
7 7 A B 五、發明説明（18)[表4] 實施例 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 實施例15 供半導體封裝用環氧樹 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例1 實施例1 實施例1 脂組成物製作 的半導體裝置 圖3 圖3 圖3 圖3 圖3 圖3 圖4 圖5 圖6 模製週期渺） 50 50 50 50. 65 65 50 50 50 內含在封裝層之中的 氧化鈣(X-射線分析） 未測得 未測得 未測得 未測得 未測得 未測得 未測得 未測得 未測得 高溫持續可靠度(小時） 670 600 650 750 850 800 700 650 400 抗濕氣性(小時） 1000 900 800 1200 1500 1300 1000 900 600 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 1291976 A7 B7 五、發明説明（19) 比較例 比較例7 比較例8 比較例9 比較例10 比較例11 比較例12 比較例13 比較例14 供半導體封 裝用環氧 樹脂組成物 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例1 實施例1 實施例1 製作的半 導體裝置 圖3 圖3 圖3 圖3 圖3 圖4 圖5 圖6 模製週期(秒） 65 65 50 65 未模製 65 65 65 內含在封裝層 之中的氧化鈣 (X-射線分析） 未測得 未測得 未測得 未測得 未測得 未測得 未測得 未測得 高溫持續可靠 度(小時） 500 500 500 550 - 550 450 200 抗濕氣性(小時） 800 800 700 850 800 750 450 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同樣地，執行實施例8、9、10、11、12、13、14、15 及比較例7、8、9、10、11、12、13、14，使用在表4中供 半導體封裝用之環氧樹脂組成物之組成及半導體裝置，以 實施模製週期測試、高溫持續可靠度測試及抗濕氣可靠度 測試。 執行各實施例與比較例的模製週期測試，使用轉注成 形機器，測量量產可製造的模製時間。於模製供半導體封 裝用之環氧樹脂組成物之後，檢查生成的封裝層，考量裂 解、變形，在模具之中澆道部分餘留，揀選物的硬度及其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 1291976 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（20) 類似者。 執行實施例與比較例半導體裝置的高溫持續可靠度測 試，係使個別實施例與比較例的50半導體裝置放置於2〇〇 °C貯存條件之下，且每一小時作電導測試，以紀錄半導體 裝置電導失效之數目。表中展示了貯存時間彼係50個裝置 中缺陷之數目達到於50%。 執行實施例與比較例的抗濕氣可靠度測試，係使半導 體裝置放置在於壓力鍋測試條件之下（12TC，2 atms，相對 溼度100%)，且每一小時作電導測試，以紀錄半導體裝置電 導失效之數目。表中展示了貯存時間彼係50個裝置中缺陷 之數目達到於50%。 在表2中及3，展示可模製性及玻璃轉移溫度，彼爲實 施例1至6及比較例1至5的供半導體封裝用之環氧樹脂 組成物之指數耐熱性。 介於實施例1與比較例1之間的比較顯示，如本發明 中調製以氧化鈣的環氧樹脂組成物，將改進可硬化性而使 於模製之後在180°C的硬度增加至85，在實施例1中，相 對於在比較例1中的82。指示硬化產物之耐熱性的玻璃轉 移溫度在實施例1中爲125 t，彼改進了在比較例1中的 120°C。比較於加熱之下硬度，此係於25 °C且相對溼度 50%貯存72小時之後，顯示硬度在實施例1中爲81，降低 了 4.7%，且在比較例1中爲30，降低了 63%。由此，彼將 被領會加入氧化鈣可貢獻以降低當濕氣吸收下的硬度降低 。螺旋流動値之比較，展示於於25 t與相對溼度20%或更 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 1291976 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（21) 低的乾燥條件之下貯存72小時之後，在實施例1中其値爲 32英寸，降低了 15.8%，且在比較例1中爲25英寸，降低 了 35.9%。此考量針對一原因，在比較例1中，以苯基膦用 作爲硬化促進劑增加而超過實施例，而使硬化反應在室溫 下可逐漸地進行。 彼將可看出比較例2其中加入氧化鈣的量改變爲0.4% ，相對於硬化劑，展現較小的之效應•改進可硬化性，當 相較於實施例1。針對比較例3，其中氧化鈣加入用量係佔 硬化劑的59.9%，可硬化性及玻璃轉移溫度係令人滿意地改 進的，相較於那些在實施例1中者。然而，由於加入氧化 鈣將使流動性降低，而使螺旋流動値降至20英寸。 已確定在實施例2、3而其中加入的鹼土金屬氧化物分 別地改變爲氧化鎂及氧化鋇，可改進可模製性且增加玻璃 轉移溫度，當相較於比較例1。 介於實施例4及比較例4之間的比較，其中在實施例4 中用作爲阻焰劑的溴化環氧樹脂與氧化銻之用量降低，顯 示UL94標準燃燒測試的總燃燒時間爲3秒，且對實施例4 判定爲V-0，而對比較例4其中未調製氧化鈣高，UL94燃 燒測試的總燃燒時間爲124秒，如此判定爲V-1。 介於實施例5與比較例.5之間的比較，其中未調製溴 化環氧樹脂或氧化銻用作爲阻焰劑，且酚系樹脂硬化劑對 環氧樹脂當量之比例係1.5倍高，顯示在比較例5中，可 硬化性極度降低且在貯存之前的巴可（Barcol)硬度爲10，如 此使其不可能模製針對玻璃轉移溫度測試件及針對UL94 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁.) 衣· -Π-填寫太 訂 -24- 1291976 A7 B7 五、發明説明（22) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 燃燒測試測量之測試件。相反地，在實施例5中，得到令 人滿意的可硬化性自可模製測試片。在UL94燃燒測試中 ，總燃燒時間爲20秒而判斷爲V = 0。 在實施例6中，其中可進一步的將偏硼酸鈣加入實施 例5之組成中，得到於吸收濕氣之後改進可硬化性之效應 ，且玻璃轉移溫度超過那些在比較例5中者。在UL94燃 燒測試中總燃燒時間爲5秒，相對於在實施例5中的20秒 ，且如此，發現可進一步的改進阻焰性水準。 表4顯示實施例7-15及比較例7-14之結果。介於實施 例 7、8、9、10、11 ' 12 及比較例 7、8、9、10、11 之間的 比較，顯示兩者改進了高溫持續可靠度及抗濕氣可靠度。 模製週期時間確保在實施例中可以較短時間大量生產製作 ，從而確定改進了量產。實施例10、11、12其中溴化環氧 樹脂及氧化銻降低量或未內含者，係改進而超越其它實施 例7 - 9 ’此係考量局溫持續可靠度及抗濕氣可靠度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如可由先前看出之的，本發明供半導體封裝用之環氧 樹脂組成物具有良好的可硬化性及耐熱性。本發明的半導 體裝置在耐熱性及防濕氣上具有良好的可靠度。 依據本發明，可達成供半導體封裝用之環氧樹脂組成 物彼當儲存中不似會吸收濕氣且當模製中阻礙硬化，以及 一使用此組成物的半導體裝置。 亦可達成供半導體封裝用之環氧樹脂組成物而彼不允 許降低量產速率，且允許於硬化之後得到的模製物降低耐 熱性，及使用彼之半導體裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - 25- 1291976 A7 B7 五、發明説明（π) 此外，可達成供半導體封裝用之環氧樹脂組成物而彼 當模製中帶有良好的可硬化性，彼可提供一種硬化產物而 具有高耐熱性且具有高阻焰性，以及使用彼的高度可靠的 半導體裝置。 此外，可達成供半導體封裝用之環氧樹脂組成物而彼 具有卓越的可硬化性、可模製性及量產，及以此組成物封 裝的半導體裝置且如此彼具有卓越的長期可靠度。 雖然本發明已配合舉例的具體實施例作上述之說明， 明顯地可作許多改良及取代而未偏離本發明的精神或範圍 。據此，本發明不是考量爲受限於前述的描述，但僅受限 於所附加的申請專利範圍之範圍。 '1!- ί i— I - -I 11 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -^1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26-

Claims (1)

1291976 A8 B8 C8 D8 年Ά 90 1 23963號專利|申請案 六、申請專利範圍 第 中文申請專利範圍修正本 民國95年11月13日修正 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1· 一種環氧樹脂組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂； 硬化劑；及 0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之無機 塡料，該無機塡料進一步包括氧化$丐； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於2 0 %。 2. 如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物，其中 該氧化鈣之調製用量在0.5 wt%至50wt%，相對於該硬化 劑。 3. 如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物，其中 該硬化劑爲酚系樹脂。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 如申請專利範圍第3項之環氧樹脂組成物，其中 該酚系樹脂的羥基基團與該聯苯爲主的環氧樹脂之環氧基 基團兩者比例爲約1. 3至1.5。 5. —種環氧樹脂組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂； 硬化劑；及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-1 _ 1291976 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍2 0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之無機 塡料；其中該無機塡料包含氧化鈣。 (請先閱·#背面之注意事項再填寫本頁) 6. 如申請專利範圍第5項之環氧樹脂組成物，其中 該氧化鈣之調製用量在0.5 wt%至50wt%，相對於該硬化 劑。 7. 如申請專利範圍第5項之環氧樹脂組成物，其中 該無機塡料包含至少78%二氧化矽且進一步包含偏硼酸鈣 〇 8 . —種環氧樹脂組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂； 硬化劑；及 0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之無機 塡料，該無機塡料進一步包括至少78vol%之二氧化矽及 偏硼酸鈣； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9.一種環氧樹脂組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂；及 0.5重量％至50重量％之含有氧化鈣之無機塡料； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 2 - 1291976 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍3 時後在少於20%。 (請先閱部背面之注意事項再填寫本頁) 10.如申請專利範圍第9項之環氧樹脂組成物，其中 該環氧樹脂組成物進一步包括硬化劑，及該氧化鈣之含量 在0.5 wt%至50 wt%，相對於該硬化劑。 1 1 · 一種環氧樹脂組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂； 含有酚系樹脂之硬化劑；及 0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之無機 塡料； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 12. 如申請專利範圍第11項之環氧樹脂組成物，其中 該酚系樹脂的羥基基團與該聯苯爲主的環氧樹脂之環氧基 基團兩者比例爲約1.3至1.5。 13. —種環氧樹脂組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之無機 塡料，該無機塡料進一步包括至少78 vol%二氧化矽及偏 硼酸鈣； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度5 0 %之下放置7 2小時後在少於1 0 %，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-3 - 1291976 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 時後在少於2 0 %。 (請先閲·#背面之注意事項再填寫本頁) 14.一種以環氧樹脂封裝的半導體裝置，該環氧樹月旨 爲組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂； 硬化劑；及 0.5重量％至50重量％之含有氧化鈣之無機塡料； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於2 5 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之裝置，其中該氧化鈣 之調製用量在0.5 wt%至50wt%，相對於該硬化劑。 1 6.如申請專利範圍第1 4項之裝置，其中該硬化劑 爲酚系樹脂。 17. —種以環氧樹脂封裝的半導體裝置，該環氧樹脂 爲組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂； 硬化劑；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之無機 塡料；其中該無機塡料包含氧化鈣。 18. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中該氧化鈣 之調製用量在0.5 wt %至50 wt%，.相對於該硬化劑。 19·如申請專利範圍第17項之裝置，其中該無機塡 料包含至少78 %二氧化矽且進一步包含偏硼酸鈣。 本紙張尺度適用中國國家襟準（€阳）厶4規格（210/297公釐）_4 1291976 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍5 20.—種以環氧樹脂封裝的半導體裝置’該環氧樹脂 爲組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂； 硬化劑；及 0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之無機 塡料，該無機塡料進一步包括至少78vol%二氧化矽及偏 硼酸鈣； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度5 0 %之下放置7 2小時後在少於1 0 %，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 2 1. —種以環氧樹脂封裝的半導體裝置，該環氧樹脂 爲組成物，其包含： 0.5重量％至50重量％之含有氧化鈣之無機塡料；及 以聯苯爲主的環氧樹脂； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 t與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 22. 如申請專利範圍第2 1項之裝置，其中該氧化鈣 之調製用量在0 · 5 w t %至5 0 w t %，相對於硬化劑。 23. —種以環氧樹脂封裝的半導體裝置，該環氧樹脂 爲組成物，其包含： 0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之無機 請 先 閱 之 注 I 旁 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-5 - 1291976 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍6 塡料，該無機塡料進一步包括至少78vq1%二氧化矽及偏 硼酸鈣；及 (請先閱·#背面之注意事項再填寫本頁) 以聯苯爲主的環氧樹脂； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度5 0 %之下放置7 2小時後在少於1 〇 %，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 24. —種製造環氧樹脂組成物之方法，其包含下列步 驟： 提供以聯苯爲主的環氧樹脂； 使用0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之 無機塡料塡充該以聯苯爲主的環氧樹脂，該無機塡料進一 步包括氧化鈣；及 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該氧化鈣 之調製用量在0.5 w t %至5 0 w t %，相對於該硬化劑。 2 6.如申請專利範圍第24項之方法，其中該硬化劑 爲酚系樹脂。 2 7.如申請專利範圍第26項之方法，其中該酚系樹 脂的羥基基團與該聯苯爲主的環氧樹脂之環氧基基團兩者 比例爲約1. 3至1. 5。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-6 - 1291976 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍7 2 8. —種製造環氧樹脂組成物之方法，其包含下列步 驟： 提供以聯苯爲主的環氧樹脂； 使用0.5重量％至50重量％之含有氧化鈣之無機塡料 塡充該以聯苯爲主的環氧樹脂；及 使用硬化劑硬化該經塡充的以聯苯爲主的環氧樹脂； 其中該環氧樹脂組合物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20 %或更低之下放置7 2小 時後在少於20%。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之方法’其中該氧化鈣 之調製用量在0.5 wt%至5Owt%，相對於該硬化劑。 3 0.如申請專利範圍第28項之方法’其中該硬化劑 爲酚系樹脂。 3 1.如申請專利範圍第30項之方法’其中該酚系樹 脂的羥基基團與該聯苯爲主的環氧樹脂之環氧基基團兩者 比例爲約1. 3至1. 5。 3 2.如申請專利範圍第28項之方法’其中該無機塡 料包含至少78vol%二氧化矽且進一步包含偏硼酸鈣。 3 3 . —種製造環氧樹脂組成物之方法’其包含下列步 驟： 提供以聯苯爲主的環氧樹脂； 使用0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之 無機塡料塡充該以聯苯爲主的環氧樹脂；及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-7 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) \ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291976 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍8 使用硬化劑將該以聯苯爲主的環氧樹脂硬化； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該無機塡料包括氧化鈣，及該環氧樹脂組成物的 硬度變化速率於25 °C與相對溼度50%之下放置72小時 後在少於10%。 34. 如申請專利範圍第33項之方法，其中該氧化鈣 之調製用量在0.5 wt%至50wt%，相對於該硬化劑。 35. 如申請專利範圍第33項之方法，其中該無機塡 料包含至少78vol%二氧化矽且進一步包含偏硼酸鈣。 3 6. —種製造環氧樹脂組成物之方法，其包含下列步 驟： 提供以聯苯爲主的環氧樹脂； 使用0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之 無機塡料塡充該以聯苯爲主的環氧樹脂，該無機塡料進一 步包含至少78vol%二氧化矽且包含偏硼酸鈣；及 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 7.—種製造環氧樹脂組成物之方法，其包含下列步 驟： 提供以聯苯爲主的環氧樹脂；及 使用0.5重量％至50重量％之含有氧化鈣之無機塡料 塡充該以聯苯爲主的環氧樹脂； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)· 8 - 1291976 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍9 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 38. 如申請專利範圍第37項之方法，其進一步包括 使用硬化劑硬化該經塡充的以聯苯爲主的環氧樹脂的步驟 ，其中該氧化鈣之調製用量在0.5 wt%至50wt%，相對於 該硬化劑。 39. 如申請專利範圍第37項之方法，其中更包含提 供一種酚系樹脂作爲硬化劑之步驟。 40. —種環氧樹脂組成物，其包括以聯苯爲主的環氧 樹脂，酚系硬化劑，及0.5重量％至50重量％之含有氧化 鈣之無機塡料； 其中該環氧樹脂組成物顯示出彼硬度變化速率於25 °C與相對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼 流動性變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置 72小時後在少於20%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 1.如申請專利範圍第40項之環氧樹脂組成物，其中 該酚系硬化劑的羥基基團與該以聯苯爲主的環氧樹脂之環 氧基基團兩者比例爲約1. 3至1. 5。 42.—種以環氧樹脂封裝的半導體裝置，該環氧樹脂 組成物包括以聯苯爲主的環氧樹脂，酚系硬化劑，及0.5 重量％至50重量％之含有氧化鈣之無機塡料； 其中該環氧樹脂組成物顯示出彼硬度變化速率於25 °C與相對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-9 - 1291976 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍1G 流動性變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置 72小時後在少於20%。 43. 如申請專利範圍第42項之半導體裝置，其中該酣 系硬化劑的羥基基團與該以聯苯爲主的環氧樹脂之環氧基 基團兩者比例爲約1. 3至1.5。 44. 如申請專利範圍第42項之半導體裝置’其中該氧 化鈣之調製用量在0.5 wt%至5Owt%，相對於該硬化劑。 45. 如申請專利範圍第44項之半導體裝置，其中該酚 系硬化劑的羥基基團與該以聯苯爲主的環氧樹脂之環氧基 基團兩者比例爲約1.3至1.5。 46. —種環氧樹脂組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂； 硬化劑；及 0.5重量％至50重量％之無機塡料，該無機料包含至 少78vol%二氧化矽且進一步包括偏硼酸鈣及鹼土金屬氧 化物， 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%。 47. —種以環氧樹脂封裝的半導體裝置，該環氧樹脂 爲組成物，其包含： 以聯苯爲主的環氧樹脂； 硬化劑；及 0.5重量％至50重量％之無機塡料，該無機塡料包括 至少78vol%二氧化矽及進一步包括偏硼酸鈣及鹼土金屬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 1〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291976 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍11 氧化物， 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%。 48·—種製造環氧樹脂組成物之方法，其包含下列步 驟·· 提供以聯苯爲主的環氧樹脂； 使用0.5重量％至50重量％之無機塡料塡充該以聯苯 爲主的環氧樹脂，該無機塡料包括至少78vol%二氧化矽 且進一步包括偏硼酸鈣及鹼土金屬氧化物；及 使用硬化劑硬化該經塡充的以聯苯爲主的環氧樹脂， 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%。 49. 一種製造環氧樹脂組成物之方法，其包含下列步 驟： 提供以聯苯爲主的環氧樹脂；及 使用0.5重量％至50重量％之含有鹼土金屬氧化物之 無機塡料塡充該以聯苯爲主的環氧樹脂，該無機塡料進一 步包括至少78vol%二氧化砂及偏硼酸耗； 其中該環氧樹脂組成物的硬度變化速率於25 °C與相 對溼度50%之下放置72小時後在少於10%，且彼流動性 變化速率於25 °C與相對溼度20%或更低之下放置72小 時後在少於20%。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐）-11 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
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