JPH0625510A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH0625510A JPH0625510A JP18947191A JP18947191A JPH0625510A JP H0625510 A JPH0625510 A JP H0625510A JP 18947191 A JP18947191 A JP 18947191A JP 18947191 A JP18947191 A JP 18947191A JP H0625510 A JPH0625510 A JP H0625510A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- weight
- present
- type epoxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半田耐熱性と高温環境下における信頼性に優れ
たエポキシ樹脂組成物特に半導体封止用エポキシ樹脂組
成物の提供。 【構成】ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂を必
須成分とするエポキシ樹脂、フェノール性硬化剤、硬化
促進剤及び無機充填剤を含有してなり、しかも、全組成
物中、０．１〜１０重量％の四酸化アンチモンを含んで
なることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
たエポキシ樹脂組成物特に半導体封止用エポキシ樹脂組
成物の提供。 【構成】ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂を必
須成分とするエポキシ樹脂、フェノール性硬化剤、硬化
促進剤及び無機充填剤を含有してなり、しかも、全組成
物中、０．１〜１０重量％の四酸化アンチモンを含んで
なることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半田付け時の耐クラッ
ク性と高温状態における信頼性に優れたエポキシ樹脂組
成物に関する。
ク性と高温状態における信頼性に優れたエポキシ樹脂組
成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】エポキシ樹脂組成物は、耐熱性、機械的
特性、電気的特性等に優れているので半導体封止剤、電
気絶縁材料、塗料をはじめ幅広い分野で使用されてい
る。なかでも、半導体封止剤の分野においてはそれらの
特性に加えて経済性、量産性等が優れていることから、
現在、半導体素子の９０％以上がエポキシ樹脂組成物に
よる封止となっている。
特性、電気的特性等に優れているので半導体封止剤、電
気絶縁材料、塗料をはじめ幅広い分野で使用されてい
る。なかでも、半導体封止剤の分野においてはそれらの
特性に加えて経済性、量産性等が優れていることから、
現在、半導体素子の９０％以上がエポキシ樹脂組成物に
よる封止となっている。
【０００３】近年、電子部品の小型化、薄型化により、
パッケ−ジ形状も従来のピン挿入タイプであるＤＩＰ
（Dual Inline Package ）から高密度実装に適したＱＦ
Ｐ（Quad Flat Package ）、ＳＯＰ（Small Outline Pa
ckage ）、ＰＬＣＣ（PlasticLeaded Chip Carrier ）
のような表面実装型のパッケ−ジが半導体パッケ−ジの
４０％近くを占めるようになってきた。最近に至って
は、ＴＳＯＰ（Thin SmallOutline Package）などのパ
ッケ−ジも現れ、さらに薄型化が進みつつある。
パッケ−ジ形状も従来のピン挿入タイプであるＤＩＰ
（Dual Inline Package ）から高密度実装に適したＱＦ
Ｐ（Quad Flat Package ）、ＳＯＰ（Small Outline Pa
ckage ）、ＰＬＣＣ（PlasticLeaded Chip Carrier ）
のような表面実装型のパッケ−ジが半導体パッケ−ジの
４０％近くを占めるようになってきた。最近に至って
は、ＴＳＯＰ（Thin SmallOutline Package）などのパ
ッケ−ジも現れ、さらに薄型化が進みつつある。
【０００４】表面実装の場合、封止したパッケージの配
線基盤への実装の際には、従来のピン挿入型の場合とは
異なり、リ−ドをプリント基板に直接半田付けするた
め、赤外線リフロ−（InfraRed Soldering）、ＶＰＳ
（Vaper Phase Soldering ）や半田浸漬（Solder Dippi
ng）などのパッケ−ジ全体を加熱する方法がとられてお
り、その際、パッケ−ジ全体が２１０〜２６０℃にさら
される。この急激な熱衝撃で半導体素子と封止剤との界
面での剥離さらにはクラックが発生し、断線、耐湿性の
低下等を引き起こす。この現象があると、通常の環境下
で実装されるまでの間に、放置された成形体は水分を吸
湿し、それが実装の際の急激な温度上昇で爆発的な気化
膨張を起こし、樹脂とリードフレーム間、樹脂と半導体
素子間の界面剥離、ひいては樹脂にクラックを生じさせ
る。このような現象は、半田耐熱と言われている。
線基盤への実装の際には、従来のピン挿入型の場合とは
異なり、リ−ドをプリント基板に直接半田付けするた
め、赤外線リフロ−（InfraRed Soldering）、ＶＰＳ
（Vaper Phase Soldering ）や半田浸漬（Solder Dippi
ng）などのパッケ−ジ全体を加熱する方法がとられてお
り、その際、パッケ−ジ全体が２１０〜２６０℃にさら
される。この急激な熱衝撃で半導体素子と封止剤との界
面での剥離さらにはクラックが発生し、断線、耐湿性の
低下等を引き起こす。この現象があると、通常の環境下
で実装されるまでの間に、放置された成形体は水分を吸
湿し、それが実装の際の急激な温度上昇で爆発的な気化
膨張を起こし、樹脂とリードフレーム間、樹脂と半導体
素子間の界面剥離、ひいては樹脂にクラックを生じさせ
る。このような現象は、半田耐熱と言われている。
【０００５】従来より、半田耐熱性改良のために種々の
検討がなされてきた。半導体メーカー側では、リードフ
レームの形状に工夫を凝らしたり、成形体に乾燥剤を入
れて梱包することなどが行われている（NIKKEI MICRODE
VICES １９８８年５月号 ３６頁、NIKKEI MICRODEVICE
S １９８８年６月号 １０５頁）。一方、成形材料メー
カー側では、フィラーを高充填して耐熱衝撃性を向上さ
せたり（特開昭６１ー９７３２２号公報）、熱可塑性樹
脂を添加したり（特開昭６２ー２６０８１５号公報）、
従来のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂のかわりに
４，４′−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，
３′，５，５′−テトラメチルビフェニルを用いたり
（特開昭６３ー２５１４１９号公報）することが提案さ
れている。
検討がなされてきた。半導体メーカー側では、リードフ
レームの形状に工夫を凝らしたり、成形体に乾燥剤を入
れて梱包することなどが行われている（NIKKEI MICRODE
VICES １９８８年５月号 ３６頁、NIKKEI MICRODEVICE
S １９８８年６月号 １０５頁）。一方、成形材料メー
カー側では、フィラーを高充填して耐熱衝撃性を向上さ
せたり（特開昭６１ー９７３２２号公報）、熱可塑性樹
脂を添加したり（特開昭６２ー２６０８１５号公報）、
従来のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂のかわりに
４，４′−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，
３′，５，５′−テトラメチルビフェニルを用いたり
（特開昭６３ー２５１４１９号公報）することが提案さ
れている。
【０００６】本発明者らは、このエポキシ樹脂に着目し
て種々検討したところ、このエポキシ樹脂を用いたエポ
キシ樹脂組成物で封止すると確かに半田耐熱性は向上し
たが、高温における保存安定性が悪くなる問題を確認し
た。
て種々検討したところ、このエポキシ樹脂を用いたエポ
キシ樹脂組成物で封止すると確かに半田耐熱性は向上し
たが、高温における保存安定性が悪くなる問題を確認し
た。
【０００７】一方、一般にエポキシ樹脂をベ−スとする
半導体封止剤は、難燃性を保持するためにＢｒ化合物と
Ｓｂ2 Ｏ3 の添加が行われている。しかし、これらによ
り封止された半導体素子を高温下に放置すると封止剤の
熱劣化によるＢｒ化合物が生成して金線とアルミパッド
の接合部での劣化を生じ、それによる電気抵抗値の増
加、ひいては導通不良を引き起こすと言われている。こ
れらの対策として、Ｂｒを解離し難いＢｒ化合物や硬化
促進剤の検討（特開平２−１７８３１８号公報、特開昭
６４−５９８３６号公報など）、トラップ剤の添加（日
東技報 １９８９年 VOL.27 NO.1 ３４頁）等が行わ
れている。
半導体封止剤は、難燃性を保持するためにＢｒ化合物と
Ｓｂ2 Ｏ3 の添加が行われている。しかし、これらによ
り封止された半導体素子を高温下に放置すると封止剤の
熱劣化によるＢｒ化合物が生成して金線とアルミパッド
の接合部での劣化を生じ、それによる電気抵抗値の増
加、ひいては導通不良を引き起こすと言われている。こ
れらの対策として、Ｂｒを解離し難いＢｒ化合物や硬化
促進剤の検討（特開平２−１７８３１８号公報、特開昭
６４−５９８３６号公報など）、トラップ剤の添加（日
東技報 １９８９年 VOL.27 NO.1 ３４頁）等が行わ
れている。
【０００８】本発明者らもこれらの手法を検討してみた
ところ、接合部が断線するまでの時間は長くなり確かに
信頼性の向上がみられたが、信頼性がより重視される劣
化の初期段階（抵抗値が２０〜３０％程度増加する範
囲）においては、効果は十分でなかった。
ところ、接合部が断線するまでの時間は長くなり確かに
信頼性の向上がみられたが、信頼性がより重視される劣
化の初期段階（抵抗値が２０〜３０％程度増加する範
囲）においては、効果は十分でなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
欠点を解決を解決し、実装時の半田耐熱性に優れ、かつ
高温雰囲気中に長時間放置しても優れた信頼性を有する
エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
欠点を解決を解決し、実装時の半田耐熱性に優れ、かつ
高温雰囲気中に長時間放置しても優れた信頼性を有する
エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ビ
スヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂を必須成分とす
るエポキシ樹脂、フェノール性硬化剤、硬化促進剤及び
無機充填剤を含有してなり、しかも、全組成物中、０．
１〜１０重量％の四酸化アンチモンを含んでなることを
特徴とするエポキシ樹脂組成物である。
スヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂を必須成分とす
るエポキシ樹脂、フェノール性硬化剤、硬化促進剤及び
無機充填剤を含有してなり、しかも、全組成物中、０．
１〜１０重量％の四酸化アンチモンを含んでなることを
特徴とするエポキシ樹脂組成物である。
【００１１】以下、さらに詳しく本発明について説明す
る。
る。
【００１２】本発明で使用されるビスヒドロキシビフェ
ニル型エポキシ樹脂は、下記一般式〔１〕で表される構
造を有するエポキシ樹脂が最適である。
ニル型エポキシ樹脂は、下記一般式〔１〕で表される構
造を有するエポキシ樹脂が最適である。
【００１３】
【化１】
【００１４】（Ｒ1 〜Ｒ9 ：同種又は異種の水素原子、
メチル基、エチル基、イソプロピル基又はフェニル基 ｎ ：０〜５の整数）
メチル基、エチル基、イソプロピル基又はフェニル基 ｎ ：０〜５の整数）
【００１５】一般式〔１〕において、ｎが大きくなると
ガラス転移点が低下するので、０〜１が好ましい。具体
的にはＲ1 〜Ｒ9 が水素原子であるものや、Ｒ1 、
Ｒ3 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ8 が水素原子でＲ2 、Ｒ4 、
Ｒ7 、Ｒ9 がメチル基であるものなどである。
ガラス転移点が低下するので、０〜１が好ましい。具体
的にはＲ1 〜Ｒ9 が水素原子であるものや、Ｒ1 、
Ｒ3 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ8 が水素原子でＲ2 、Ｒ4 、
Ｒ7 、Ｒ9 がメチル基であるものなどである。
【００１６】また、本発明においては、物性を損なわな
い範囲で上記一般式〔１〕で表される構造を有するエポ
キシ樹脂と他のエポキシ樹脂とを併用することもでき
る。この場合において、一般式〔１〕で表される構造を
有するエポキシ樹脂の割合は、５重量％以上が好まし
く、特に７重量％以上さらには１０重量％以上が好まし
い。
い範囲で上記一般式〔１〕で表される構造を有するエポ
キシ樹脂と他のエポキシ樹脂とを併用することもでき
る。この場合において、一般式〔１〕で表される構造を
有するエポキシ樹脂の割合は、５重量％以上が好まし
く、特に７重量％以上さらには１０重量％以上が好まし
い。
【００１７】他のエポキシ樹脂としては、１分子中にエ
ポキシ基を２個以上含有するものであれば特に制限はな
く、その具体例をあげれば、クレゾ−ルノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ビ
スフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＦ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＳ型エポキシ樹脂、線状脂
肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポ
キシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂、スピロ環含有エポ
キシ樹脂、トリフェニルグリシジル型エポキシ樹脂、ア
ルキル変性多官能エポキシ樹脂、β−ナフト−ルノボラ
ック型エポキシ樹脂、１，６−ジヒドロキシナフタレン
型エポキシ樹脂、２，７−ジヒドロキシナフタレン型エ
ポキシ樹脂などである。
ポキシ基を２個以上含有するものであれば特に制限はな
く、その具体例をあげれば、クレゾ−ルノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ビ
スフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＦ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＳ型エポキシ樹脂、線状脂
肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポ
キシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂、スピロ環含有エポ
キシ樹脂、トリフェニルグリシジル型エポキシ樹脂、ア
ルキル変性多官能エポキシ樹脂、β−ナフト−ルノボラ
ック型エポキシ樹脂、１，６−ジヒドロキシナフタレン
型エポキシ樹脂、２，７−ジヒドロキシナフタレン型エ
ポキシ樹脂などである。
【００１８】本発明で使用されるフェノール性硬化剤と
しては、１分子中に２個又は３個以上のフェノール性水
酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えばフェ
ノール、レゾルシノール、クレゾール、キシレノール、
プロピルフェノール、アミノフェノール、ブチルフェノ
ール、オクチルフェノール、フェニルフェノール、アリ
ルフェノール、ビスフェノールＡ等の１種又は２種以上
を用いて合成されるノボラック樹脂や、ポリイソプロピ
ルフェノール、ポリビニルフェノール類及びこれらにハ
ロゲン基を導入したフェノール型硬化剤などがあげら
れ、これらの１種又は２種以上が使用される。これらの
うち未縮合のフェノール性化合物が１重量％以下である
ノボラック樹脂が好適である。
しては、１分子中に２個又は３個以上のフェノール性水
酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えばフェ
ノール、レゾルシノール、クレゾール、キシレノール、
プロピルフェノール、アミノフェノール、ブチルフェノ
ール、オクチルフェノール、フェニルフェノール、アリ
ルフェノール、ビスフェノールＡ等の１種又は２種以上
を用いて合成されるノボラック樹脂や、ポリイソプロピ
ルフェノール、ポリビニルフェノール類及びこれらにハ
ロゲン基を導入したフェノール型硬化剤などがあげら
れ、これらの１種又は２種以上が使用される。これらの
うち未縮合のフェノール性化合物が１重量％以下である
ノボラック樹脂が好適である。
【００１９】フェノール性硬化剤の配合量は、硬化剤の
フェノール性水酸基とエポキシ樹脂のエポキシ基の比が
０．５〜１．５、特に０．７〜１．２となる範囲が好ま
しい。この範囲外では耐湿信頼性等が低下する恐れがあ
る。
フェノール性水酸基とエポキシ樹脂のエポキシ基の比が
０．５〜１．５、特に０．７〜１．２となる範囲が好ま
しい。この範囲外では耐湿信頼性等が低下する恐れがあ
る。
【００２０】本発明で使用される硬化促進剤については
特に制限はなく、例えば１，８−ジアザビシクロ［５，
４，０］−７−ウンデセン等のアミン類、トリフェニル
ホスフィン、トリフェニルホスフィンオキシド、テトラ
フェニルホスホニウムテトラフェニルボレ−ト等の有機
ホスフィン類、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾ
ール類から選ばれた１種又は２種以上が使用される。こ
れらの割合は、エポキシ樹脂全組成物中、０．１〜５重
量％が好ましい。
特に制限はなく、例えば１，８−ジアザビシクロ［５，
４，０］−７−ウンデセン等のアミン類、トリフェニル
ホスフィン、トリフェニルホスフィンオキシド、テトラ
フェニルホスホニウムテトラフェニルボレ−ト等の有機
ホスフィン類、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾ
ール類から選ばれた１種又は２種以上が使用される。こ
れらの割合は、エポキシ樹脂全組成物中、０．１〜５重
量％が好ましい。
【００２１】本発明で用いられる無機充填剤としては、
例えば溶融シリカ，生シリカ等の各種シリカ、アルミ
ナ、ガラス繊維、炭酸カルシウム、クレー、マイカ、タ
ルク等をあげることができるが、好ましくはシリカであ
る。
例えば溶融シリカ，生シリカ等の各種シリカ、アルミ
ナ、ガラス繊維、炭酸カルシウム、クレー、マイカ、タ
ルク等をあげることができるが、好ましくはシリカであ
る。
【００２２】無機充填剤の割合は、エポキシ樹脂全組成
物中、７０重量％以上特に７５重量％以上が好ましく、
成形性を損なわせない範囲において多い方が好ましい。
特に球状フィラーを用いることにより８０重量％以上の
配合を可能とする。
物中、７０重量％以上特に７５重量％以上が好ましく、
成形性を損なわせない範囲において多い方が好ましい。
特に球状フィラーを用いることにより８０重量％以上の
配合を可能とする。
【００２３】本発明の主たる特徴は、上記エポキシ樹脂
組成物に０．１〜１０重量％好ましくは０．３〜９．５
重量％特に好ましくは０．５〜９重量％の四酸化アンチ
モンを存在させることである。四酸化アンチモンの割合
が０．１重量％未満では高温状態における信頼性の改良
効果が認め難く、一方、１０重量％を越えると、封止時
の成形性が悪化する。また、四酸化アンチモンは、難燃
助剤全体の１〜１００重量％好ましくは１．５〜１００
重量％特に好ましくは５〜１００重量％の四酸化アンチ
モンを含むことを満足すれば、他の難燃助剤、例えば三
酸化アンチモンや五酸化アンチモン等と併用することも
できる。
組成物に０．１〜１０重量％好ましくは０．３〜９．５
重量％特に好ましくは０．５〜９重量％の四酸化アンチ
モンを存在させることである。四酸化アンチモンの割合
が０．１重量％未満では高温状態における信頼性の改良
効果が認め難く、一方、１０重量％を越えると、封止時
の成形性が悪化する。また、四酸化アンチモンは、難燃
助剤全体の１〜１００重量％好ましくは１．５〜１００
重量％特に好ましくは５〜１００重量％の四酸化アンチ
モンを含むことを満足すれば、他の難燃助剤、例えば三
酸化アンチモンや五酸化アンチモン等と併用することも
できる。
【００２４】本発明のエポキシ樹脂組成物においては、
必要に応じて、難燃剤、難燃助剤、可とう性付与剤、着
色剤、離型剤、イオントラップ剤等を適宜配合すること
ができる。
必要に応じて、難燃剤、難燃助剤、可とう性付与剤、着
色剤、離型剤、イオントラップ剤等を適宜配合すること
ができる。
【００２５】本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記した
各成分の所定量をヘンシェルミキサー等により十分に混
合後、ロールミル、バンバリーミキサー、らいかい機、
２軸押出機、１軸押出機等の公知の混練手段により加熱
混練することにより製造することができる。
各成分の所定量をヘンシェルミキサー等により十分に混
合後、ロールミル、バンバリーミキサー、らいかい機、
２軸押出機、１軸押出機等の公知の混練手段により加熱
混練することにより製造することができる。
【００２６】
【実施例】以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的
に本発明を説明する。 実施例１〜４ 比較例１〜３ 表１に示す各材料を表２に示す割合に計量し、ミキサー
で混合してから加熱ロールで混練後、冷却粉砕してエポ
キシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物に
ついて、成形性、半田耐熱性及び高温状態における信頼
性を評価した。その結果を表３に示す。
に本発明を説明する。 実施例１〜４ 比較例１〜３ 表１に示す各材料を表２に示す割合に計量し、ミキサー
で混合してから加熱ロールで混練後、冷却粉砕してエポ
キシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物に
ついて、成形性、半田耐熱性及び高温状態における信頼
性を評価した。その結果を表３に示す。
【００２７】なお、シリコーン変性フェノール樹脂は次
のようにして製造した。すなわち、フェノールノボラッ
ク樹脂（水酸基当量１０５、軟化点８２℃）１００重量
部を１７０〜１８０℃に加熱溶融し、攪拌しながらエポ
キシ基を２個分子鎖に含む分子量１５００のポリジメチ
ルシロキサンを６０重量部添加混合して反応させて製造
した。
のようにして製造した。すなわち、フェノールノボラッ
ク樹脂（水酸基当量１０５、軟化点８２℃）１００重量
部を１７０〜１８０℃に加熱溶融し、攪拌しながらエポ
キシ基を２個分子鎖に含む分子量１５００のポリジメチ
ルシロキサンを６０重量部添加混合して反応させて製造
した。
【００２８】（１）成形性 流動性は１７５℃におけるスパイラルフローで評価し
た。バリは２、５、１０及び３０μm 間隙を有する金型
でトランスファー成形し、その間隙に出たバリの長さの
平均値で評価した。
た。バリは２、５、１０及び３０μm 間隙を有する金型
でトランスファー成形し、その間隙に出たバリの長さの
平均値で評価した。
【００２９】（２）半田耐熱性 ６ｍｍ角のＳｉ3 Ｎ4 チップをステージに接着したリー
ドフレームをエポキシ樹脂組成物でトランスファー成形
し８０ピンＱＦＰ成形体を得た。これをアフターキュア
ーし、温度８５℃、湿度８５％ＲＨの条件で７２時間又
は２４０時間吸湿させた後、２６０℃の半田浴中に１０
秒間浸漬した。それらのパッケージの外観は顕微鏡で、
また内部は超音波映像探査装置（日立建機社製）で観察
し、外部クラックと内部クラックの有無を調べた。その
数を表の下段に示す。また、チップと樹脂間、リードフ
レームと樹脂間の密着状態も合わせて評価した。その以
下に従う評価を表の上段に示す。なお、パッケージ数は
１０個づつとした。 Ａ：完全密着 Ｂ：一部剥離 Ｃ：完全剥
離
ドフレームをエポキシ樹脂組成物でトランスファー成形
し８０ピンＱＦＰ成形体を得た。これをアフターキュア
ーし、温度８５℃、湿度８５％ＲＨの条件で７２時間又
は２４０時間吸湿させた後、２６０℃の半田浴中に１０
秒間浸漬した。それらのパッケージの外観は顕微鏡で、
また内部は超音波映像探査装置（日立建機社製）で観察
し、外部クラックと内部クラックの有無を調べた。その
数を表の下段に示す。また、チップと樹脂間、リードフ
レームと樹脂間の密着状態も合わせて評価した。その以
下に従う評価を表の上段に示す。なお、パッケージ数は
１０個づつとした。 Ａ：完全密着 Ｂ：一部剥離 Ｃ：完全剥
離
【００３０】（３）高温状態における信頼性 金線でワイヤーボンディングされた評価用シリコン素子
を１６ピンＤＩＰにエポキシ樹脂組成物でトランスファ
ー成形した。アフターキュアー後、１９０℃又は２４０
℃の乾燥雰囲気下に所定時間放置した際における回路抵
抗値の経時変化より金−アルニミウム接合部の劣化の進
行を調べた。素子は各サンプル２０個づつ用い、抵抗測
定は４端子法で行い、１９０℃での信頼性評価は抵抗値
が初期値より２０％増大した時点における個数を、また
２４０℃での評価は断線した個数を測定した。
を１６ピンＤＩＰにエポキシ樹脂組成物でトランスファ
ー成形した。アフターキュアー後、１９０℃又は２４０
℃の乾燥雰囲気下に所定時間放置した際における回路抵
抗値の経時変化より金−アルニミウム接合部の劣化の進
行を調べた。素子は各サンプル２０個づつ用い、抵抗測
定は４端子法で行い、１９０℃での信頼性評価は抵抗値
が初期値より２０％増大した時点における個数を、また
２４０℃での評価は断線した個数を測定した。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、半田耐
熱性と高温環境下における信頼性に優れているので、電
子部品特に半導体、ＩＣ、ＬＳＩ等の封止剤として好適
である。
熱性と高温環境下における信頼性に優れているので、電
子部品特に半導体、ＩＣ、ＬＳＩ等の封止剤として好適
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】 ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹
脂を必須成分とするエポキシ樹脂、フェノール性硬化
剤、硬化促進剤及び無機充填剤を含有してなり、しか
も、全組成物中、０．１〜１０重量％の四酸化アンチモ
ンを含んでなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18947191A JPH0625510A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18947191A JPH0625510A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625510A true JPH0625510A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16241821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18947191A Pending JPH0625510A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625510A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156865A (en) * | 1998-11-19 | 2000-12-05 | Nec Corporation | Flame retardant thermosetting resin composition |
| KR100766758B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2007-10-17 | 로레알 | 진주광택제 및 진주광택 조성물로서의 시클로덱스트린의용도 |
-
1991
- 1991-07-04 JP JP18947191A patent/JPH0625510A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156865A (en) * | 1998-11-19 | 2000-12-05 | Nec Corporation | Flame retardant thermosetting resin composition |
| KR100766758B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2007-10-17 | 로레알 | 진주광택제 및 진주광택 조성물로서의 시클로덱스트린의용도 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06102714B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH08157561A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| KR100585945B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 | |
| JPH0625510A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH11130936A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH10324795A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2963260B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3259968B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JP2991849B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH07216054A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH09143345A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2001329142A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH05105739A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPH0567702A (ja) | 半導体装置およびその製法 | |
| JP3568654B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2004155841A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH09129786A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11100491A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2703057B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH07238147A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH01275626A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| KR100673622B1 (ko) | 흐름성, 휨 특성 및 저장안정성이 우수한 반도체 소자밀봉용 에폭시 수지 조성물 | |
| JP3279084B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3533976B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH03201468A (ja) | 半導体装置 |