JP5795168B2 - 熱伝導性樹脂組成物及び半導体パッケージ - Google Patents
熱伝導性樹脂組成物及び半導体パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5795168B2 JP5795168B2 JP2011024149A JP2011024149A JP5795168B2 JP 5795168 B2 JP5795168 B2 JP 5795168B2 JP 2011024149 A JP2011024149 A JP 2011024149A JP 2011024149 A JP2011024149 A JP 2011024149A JP 5795168 B2 JP5795168 B2 JP 5795168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- group
- conductive resin
- thermally conductive
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
(1)酸化マグネシウム粉末が、硬焼酸化マグネシウム粉末もしくは電融酸化マグネシウム粉末である。
(2)酸化マグネシウム粉末が、1〜100μmの範囲に平均粒子径を有する。
(3)二酸化ケイ素粉末が、球状粒子の粉末である。
(4)二酸化ケイ素粉末が、1〜100μmの範囲に平均粒子径を有する。
(5)熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む。
(6)半導体パッケージの封止用である。
(A)熱硬化性樹脂組成物:ビフェニル型エポキシ樹脂100質量部に対して、フェノールノボラック樹脂を57.22質量部、そしてトリフェニルホスフィンを2.50質量部の割合となるように混合して調製したもの。
(B)酸化マグネシウム粉末:表面がオリゴマー状反応性シロキサン(Dynasylan1146、エボニックデグサ ジャパン(株)製)で処理された硬焼酸化マグネシウム粉末(平均粒子径:10μm)。硬焼酸化マグネシウム粉末は、ロータリーキルンで水酸化マグネシウム粉末を1800℃の温度で焼成して製造した。オリゴマー状反応性シロキサンによる表面処理は、硬焼酸化マグネシウム粉末6kgを、ヘンシェルミキサー(FM10B、三井三池化工機(株)製)に投入し、ヘンシェルミキサーの回転速度を1000rpmとして、硬焼酸化マグネシウム粉末を撹拌しながら、硬焼酸化マグネシウム粉末にオリゴマー状反応性シロキサン30gを添加して5分間撹拌を続けた後、ヘンシェルミキサーの回転速度を2000rpmに上げ、さらに40分間撹拌することにより行なった。
(C)二酸化ケイ素粉末:平均粒子径が25.1μmの球状粒子からなる溶融シリカ粉末。
下記表1に示す配合量にて採取した、(A)熱硬化性樹脂組成物と(B)酸化マグネシウム粉末と(C)二酸化ケイ素粉末とを混合した。表1に、酸化マグネシウム粉末の容量と二酸化ケイ素粉末の容量との比(B:C)と、熱硬化性樹脂組成物の容量と、酸化マグネシウム粉末と二酸化ケイ素粉末の合計容量との比(A:B+C)を示す。
得られた混合物を、二軸ニーダーを用いて100℃の温度に加熱しながら混練した。得られた混練物を室温まで放冷した後、ミルを用いて粉砕して粉末にした。得られた粉末を加圧し、タブレットを得た。得られたタブレットを用いて、成形性、流動性(スパイラルフロー値)とを下記の方法により評価し、さらに該タブレットを用いてトランスファー成形により製造した成形体を試験片として、単位体積当たりの吸水量、熱伝導率、弾性率及び最大点応力を下記の方法により測定した。表2に、その結果を示す。
試料のタブレットを、マイクロ波加熱機を用いて予備加熱した後、トランスファー成形機の金型の上にセットする。トランスファー成形機にて、175℃の温度に加熱した金型を用いて、タブレットを6.9MPaの圧力で30秒間加圧した後、3MPaの圧力で120秒間加圧する条件にて、成形体を作成する。成形体が作成できたものを合格、成形体が作成できなかったものを不合格とする。
試料のタブレットを、電子機能材料工業規格(EIMS)のT901:2006で規定するスパイラルフロー測定用金型にセットする。トランスファー成形機にて、175℃の温度に加熱した金型を用いて、タブレットを6.9MPaの圧力で60秒間加圧した後、40秒間保持する条件にて、成形体を作成し、その長さを測定する。試験は4回行ない、その平均値を求める。長さが長い方が流動性が良好である。
前記(1)の成形性の評価と同様にして作成した成形体を試験片とする。試験片の質量(W1)を測定した後、試験片を95℃の温度に加熱した純水に投入して、該温度で24時間保持する。次いで、試験片を純水から取り出し、水分を拭き取った後、その質量(W2)を測定する。吸水量は下記の式より算出する。
吸水量(g/cm3)={W2(g)−W1(g)}/試験片の体積(cm3)
縦50mm×横100mm×高さ4mmの金型を用いること以外は、前記(1)の成形性の評価と同様にして作成した成形体を試験片とする。この試験片の熱伝導率を京都電子工業(株)製QTM−500を用いて測定する。
縦10mm×横80mm×高さ4mmの金型を用いること以外は、前記(1)の成形性の評価と同様にして作成した成形体を試験片とする。この試験片の弾性率と最大点応力を、3点曲げ法にて、室温で2.0mm/分の条件にて測定する。
────────────────────────────────────────
配合量(g) 容量比
───────────────────── ─────────────
A B C B:C A:B+C
────────────────────────── ─────────────
実施例1 143.93 289.47 534.13 25:75 27:73
実施例2 143.93 381.06 477.59 33:67 27:73
────────────────────────── ─────────────
比較例1 159.92 0 792.03 0:100 27:73
比較例2 127.94 513.21 316.81 50:50 27:73
────────────────────────────────────────
A:熱硬化性樹脂組成物
B:酸化マグネシウム粉末
C:二酸化ケイ素粉末
────────────────────────────────────────
成形性 流動性 吸水量 熱伝導率 弾性率 最大点応力
(cm) (g/cm3) (W/m・K)(GPa) (MPa)
────────────────────────────────────────
実施例1 合格 106.5 0.0032 1.20 21.8 117
実施例2 合格 81.5 0.0032 1.33 22.7 108
────────────────────────────────────────
比較例1 合格 180.5 0.0032 0.91 19.5 155
比較例2 不合格 − − − − −
────────────────────────────────────────
2 半導体素子
3 ボンディングワイヤー
4 封止材
Claims (7)
- 熱硬化性樹脂組成物に無機酸化物フィラーが分散されてなる熱伝導性樹脂組成物であって、熱硬化性樹脂組成物と無機酸化物フィラーとの容量比が70:30〜5:95の範囲にあり、該無機酸化物フィラーが、ビニル基、アミノ基、エポキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基及びメルカプト基からなる群より選ばれる反応性基を有するアルコキシシランの単独重合体、又は該反応性基を有するアルコキシシランと該反応性基を有しないアルコキシシランとの共重合体であるオリゴマー状反応性シロキサンで表面処理されている硬焼酸化マグネシウム粉末と二酸化ケイ素粉末とを容量比で5:95〜40:60の範囲にて含むことを特徴とするトランスファー成形による成形体製造用の熱伝導性樹脂組成物。
- 硬焼酸化マグネシウム粉末が、1〜100μmの範囲に平均粒子径を有する請求項1に記載の熱伝導性樹脂組成物。
- 二酸化ケイ素粉末が、球状粒子の粉末である請求項1もしくは2に記載の熱伝導性樹脂組成物。
- 二酸化ケイ素粉末が、1〜100μmの範囲に平均粒子径を有する請求項1乃至3のうちのいずれかの項に記載の熱伝導性樹脂組成物。
- 熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む請求項1乃至4のうちのいずれかの項に記載の熱伝導性樹脂組成物。
- 半導体パッケージの封止用である請求項1乃至5のうちのいずれかの項に記載の熱伝導性樹脂組成物。
- 半導体素子の周囲が封止材で封止された半導体パッケージであって、上記封止材が、熱硬化性樹脂組成物に無機酸化物フィラーが分散されてなる熱伝導性樹脂組成物であって、熱硬化性樹脂組成物と無機酸化物フィラーとの容量比が70:30〜5:95の範囲にあり、該無機酸化物フィラーが、ビニル基、アミノ基、エポキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基及びメルカプト基からなる群より選ばれる反応性基を有するアルコキシシランの単独重合体、又は該反応性基を有するアルコキシシランと該反応性基を有しないアルコキシシランとの共重合体であるオリゴマー状反応性シロキサンで表面処理されている硬焼酸化マグネシウム粉末と二酸化ケイ素粉末とを容量比で5:95〜40:60の範囲にて含むことを特徴とする熱伝導性樹脂組成物を用いて、トランスファー成形により成形した硬化物である半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011024149A JP5795168B2 (ja) | 2011-02-07 | 2011-02-07 | 熱伝導性樹脂組成物及び半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011024149A JP5795168B2 (ja) | 2011-02-07 | 2011-02-07 | 熱伝導性樹脂組成物及び半導体パッケージ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012162650A JP2012162650A (ja) | 2012-08-30 |
JP2012162650A5 JP2012162650A5 (ja) | 2013-11-07 |
JP5795168B2 true JP5795168B2 (ja) | 2015-10-14 |
Family
ID=46842362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011024149A Active JP5795168B2 (ja) | 2011-02-07 | 2011-02-07 | 熱伝導性樹脂組成物及び半導体パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5795168B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015059130A (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-30 | 明和化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物、その用途及びエポキシ樹脂組成物用充填材 |
JP6156061B2 (ja) * | 2013-10-29 | 2017-07-05 | 株式会社デンソー | 送風装置 |
JP6879690B2 (ja) | 2016-08-05 | 2021-06-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 放熱用樹脂組成物、その硬化物、及びこれらの使用方法 |
JP6335374B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2018-05-30 | 明和化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物及びその用途 |
JPWO2022181429A1 (ja) * | 2021-02-25 | 2022-09-01 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6185474A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-01 | Daicel Chem Ind Ltd | 熱伝導性樹脂組成物 |
JPH0710939B2 (ja) * | 1985-07-17 | 1995-02-08 | 宇部興産株式会社 | 電子部品封止用樹脂組成物 |
JPS62135516A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | Polyplastics Co | 電気部品封止剤 |
JPH01236270A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Showa Denko Kk | 樹脂組成物 |
JPH08143781A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
JPH08157693A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH11260839A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Toray Ind Inc | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート |
JP2002038010A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 電気絶縁・放熱部品用成形材料及びそれを用いた画像形成装置用部品 |
JP3995421B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2007-10-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP5507477B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2014-05-28 | パナソニック株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
-
2011
- 2011-02-07 JP JP2011024149A patent/JP5795168B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012162650A (ja) | 2012-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5795168B2 (ja) | 熱伝導性樹脂組成物及び半導体パッケージ | |
JPH0697325A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP4279521B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物用金属酸化物粉体、その製造方法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP7155929B2 (ja) | モールドアンダーフィル材料および電子装置 | |
JP3468996B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
JP2006233016A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
WO2019131097A1 (ja) | ボールグリッドアレイパッケージ封止用エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物及び電子部品装置 | |
JPH0418445A (ja) | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP7343096B2 (ja) | 封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP3603483B2 (ja) | 半導体素子用封止材及びそれを用いた半導体装置 | |
JP5029063B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2023109966A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
JP2023067951A (ja) | 封止組成物及び半導体装置 | |
JP2018044079A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
KR20130064000A (ko) | 전자 부품 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 사용하는 전자 부품이 장착된 장치 | |
JP4950010B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2021138864A (ja) | 封止用樹脂組成物および電子装置 | |
JP7263765B2 (ja) | 封止組成物及び半導体装置 | |
JP5347979B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP6249332B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH03287654A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2004115747A (ja) | ヒートシンク形成用樹脂組成物および電子部品封止装置 | |
JP7238789B2 (ja) | 封止組成物及び半導体装置 | |
JP2013189490A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5592174B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130917 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150731 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5795168 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |