TWI291072B

TWI291072B - Liquid crystal display unit

Info

Publication number: TWI291072B
Application number: TW091121850A
Authority: TW
Inventors: Shinichiro Tanaka; Takuo Kinoshita; Osamu Kobayashi
Original assignee: Sanyo Electric Co; Tokyo Sanyo Electric Co
Priority date: 2001-09-28
Filing date: 2002-09-24
Publication date: 2007-12-11
Also published as: WO2003029891A1; US20050007533A1; CN1561471A; KR20040052220A; EP1435539A1; CN1308759C; KR100610994B1; EP1435539A4

Description

1291072 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種防止顯示區域内之配紐路而提高良品率之液晶顯示裝置。拉出線之【先前技術】電力：裝置’具有所謂薄型輕量化及低消耗至大型電m泛地利用在由小型攜帶式終端機開始為主流。該構造传進為Λ關元件之TFT型液晶顯示裝置，成瞄線、閘極絕緣膜、旦彡你6离土板上，知照順序地層積掃閘極絕緣膜或保護膜：二：：二。像素電極係形成在 :掃瞒線，源極電極電連；之:極電極電連接案化，藉由由光微影法等而進行圖線、像素電極。此萨，"、、"卩7刀，形成掃瞄線或影像刻而殘留時，在Α ^ 不必要部分之一部分無法進行蝕為顯示不良之2殘留部分和其他配線間，產生短路，成作為像這樣問題所進行之修補作業^，、隹—糸在進行習知之圖案化後之離短路部分之作業。订不必要部分照射雷射等而分 2119-5213-PF(N)；Ahddub.ptd 第4頁 1291072 五、發明說明（3) ::=成為短路狀態，也藉由在置溝槽，而除去殘留物。夺像素電極間，設 —般在像素内’大多藉由A1 (鋁）或Γγ r 二線或影像線，藉由IT0 (Indium τ ·(鉻）而形成物）而形成像素電極，藉由包含Si ( 1 e .銦，氧形成保護膜’因此，在保護膜 ':機絕緣膜 :2金屬之以卜爪。因此，在/4’：，同時-後因此，必須在保護二於增加殘留物之勤刻處理，以致曰加衣化作業。特別是並無可除去Al 双之狀態下，必須進行複數個之縫隙内ί;留此外，即使是在配線等之殘留物並盔直接地诖垃你 =透=緣膜來進行接近之狀態下：也會在 == 儘：能地由配線所切斷，掃瞒線係也不例外。為 :應付知r田線之殘留物’因此’使得形成於保護膜之溝 Ϊ在=極絕緣膜為止。但是’由平面來看的話，則素電極和影像線間、在相同於择猫線之同一面上而之狀態發生，在該形態，由於遮光膜和溝槽之宜，因此，無法在最適當之位置上，形成溝槽。此外，由於來自驅動電路之訊號，流動至掃瞄線、影各，因此，在基板上，由掃瞄線、影像線開始延伸之掃第6頁 2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 1291072 - — 五、發明說明（4) 影像拉出線，係形成在由複像素區域外。再形成這些時，恐怕 =所、-且成之 =绝成之殘留物而導致拉出線間呈短路。， = 文獻中，並無就該課題而進行考慮。疋在刖述【發明内容】本發明之目的，係有鑑於前述問，素區域内外藉由簡單之製造：由：提供-種能地切斷殘留物以便於能夠得到最適告^ ，配線確貫示裝置。田之”、、貝不狀態的液晶顯為了解決前述課題，因此，本封至基板間之-對基板、μ “ ς二$ .將液晶密之像素電極、連接在像素電極之開關元件ί —邊基板上件同時互相幾乎呈平行地 ^ 、連接在開關元開關元件同時垂直於影像線而進行個f像線、連接像素電極間，並設2 # 濩膜，其特徵在於··在保護膜，形成溝槽又2。條〜像線’在相鄰接之影像線間，於此外’本發明係陣狀地配置在某—邊基板上之：對基板、呈矩之開關元件、連接在開電極、連接在像素電極配置之.複數個影像線、連接關¥ f相，乎呈平行地進行進行配置之複數個掃瞄線^ =牛同時垂直於影像線而之保護膜，其特徵在於、:y二於影像線和像素電極間在像素電極内，於其邊緣附近， 2119-5213-PF(N)；Ahddub.ptd 第7頁 1291072 五、發明說明（5) 第1成豊t乎平订於影像線之第1溝槽，在保護膜，在對應於弟1溝槽之位置，形成第2溝槽。性材2:: t發？係包括：由形成在某-邊基板上之導電絕浐腹、2之複數條配線、層積在該配線上之保護膜和以：失住& :;、象素電#之複數則象素所•成之像素區域立特ί ΐI 邊基板和液晶而呈對向之其他邊基板，在：：在前述某-邊基板上之前述像素區域以外，緣：近’在前述保護膜或前述保護膜和前述絕形成t m，：將液晶密封至基板間之-對基板、由由=;ί之導電性材料所組成之複數條配線、路之拉出線、層積ΙΚΐΓΐ 述配線之驅動電像素所構成之像素區ΐ出f上之保護膜以及由複數個在前述像I F μ冰°σ $ ，'特徵在於：前述拉出線係形成 ^ u &❼卜’在前述拉出線或财述保護膜和前述絕緣膜，形成溝槽。…漢膜電性材二而2，盤其特徵在於：在絕緣基板上’藉由導電性材料而形成複數條影像拉出峻別^ L::膜上’精由導影像拉出線上，形成保2出I ’在別34絕緣膜和前述形成貫通前述絕緣膜和U膜出線之鄰近’ i:i有=二:述保護膜之溝槽，在前述保護膜上，八^明膜，藉由蝕刻而除去露出於前述溝第8頁 2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 1291072

2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 第9頁 1291072 五、發明說明（7) 保護膜q μ J ,, , 例如該第2保護膜9係可以使得苴I s 4、 5而作用成為平坦化膜，此外，也由；^面/為平 9。^兩=護膜δ、9，在對應於TFT7之沒極成第=膜刀叹置接觸孔21，透過接觸孔21，而電之電極。在閘極絕緣膜4上，於面對著輔助電Λ極6 極線3之部分，^恶θ , 有獨助電各用電位从丄权置島狀電極（並未圖示），孕良邾Φ』 :?由相同於影像線5之同一材料而狀：極電極係透過形成S兩個保護膜8、9之 =开ς成。島狀電極θ，藉由島狀電極 “、接像素素之輔助電容。稞助“用電極線3而形成各個像像素電極6之邊緣部係在由箆彳、行觀察時，在苹一邱八 # Β 土之法線方向而進電極6内，Λ ιΐ刀重登知瞒線2或影像線5，在像素而L像縫隙10係藉由光微影法等平行於相鄰接之縫隙10而進行配置更於:成縫隙10，幾乎縫隙10係對於影像線5，沿¥大、此外’在該實施例，以輔助電容用電極線3作為境向，進行延伸， 9〇度。在像素電極6之輪廊；界夢：吏：延伸方向’偏離係’而使得液晶分子之配列狀能曰容由易和，雜齒狀。隨著該部分，而使分’形成為係也形成為錯齒狀。符號u係覆蓋像素；n =: 施加垂直配向處理。 ’、電極6之配向膜，符號22係形成在相鄰接之影像線⑽之溝槽。在圖工，第10頁 2119-5213-PF(N)；Ahddub.ptd 1291072 五、發明說明（8) 於溝槽22，施加斜線。該溝槽22係連續地連接終 4和兩個保護膜8、9進行嗖、連接閘極、、，巴、，水膜旦Μ复魂5所带成而進仃认置此外，該溝槽22係沿著 =技：端部分係位處在掃晦線2或輔助電容用電極線3附近。接著，可以在掃晦物殘留於溝槽22之狀態下，藉由在采“ 4之殘邊方丨、六二门β Μ +丨 ^ r精田在形成像素電極6時之蝕剡液而同時蝕刻溝槽22内之殘留物，可以由像線5而切斷殘留物。一般而十田、，、 ^ i日闩夕^> 奴而口 A1、Cr和ΙΤ0係無法藉由 π ί! / 行蝕刻，但是，A1和1το係可以藉由相 = <丁钮刻，因此，可以藉由利心而形成掃目田線2或衫像線5，藉由ΙΖ〇而形成像素電極6，卩便於即使不3又置多餘之作業，也能夠银刻殘留物。符號1 2係玻璃基板等之透明第2基板，在第2基板i & ^ ’形成黑色矩陣’讀於隔開各個像素，對應於各個像 ^ ’而層積彩色濾、光片14。彩色遽光片14係對應於各個像素而配置紅色（R) '綠色（G)和藍色（B)中之某一種顏色之彩色濾光片1 4。在彩色濾光片j 4上，層積例如由 ιτο或ιζο等所組成之透明電極15，在透明電極15上，形成既定圖案之帶狀突起16 °突起16係藉由光微影法而使得例如由丙烯酸樹脂等所組成之阻劑，成為既定圖案，以便於形成突起1 6。在由第2基板1 2之法線方向而進行觀察時，於各個像素内，突起16係位處在縫隙1〇之幾乎中間，平行於相鄰接之縫隙10。突起16之延伸方向係也相同於縫隙 10，以輔助電容用電極線3作為境界，偏離9〇度，並且，在像素電極6之邊緣，突起1 6a係沿著其邊緣而進行延伸。

1291072 五、發明說明（9) 藉由施加垂直配向處理之配向膜丨7而覆蓋透明電極丨5 起16。〇在兩個基板1、12間，夾住由液晶分子18所組成且介電係數異方性成為負值之液晶層。接著，在像素電極6和透明電祕間而並無產生電場時，液晶分子18係限制在配向膜11、17而進垂直配列，在像素電極6和透明電極^間產生電場時，液晶分子18係沿著水平方向，進行傾斜。此時，液晶分子18係可以限制在縫隙1〇或突起16，而严著既定方向，/進行傾斜，在丨個像素内，形成複數個區域。此外，圖2係呈示意地顯示在像素電極6和透明電極1 5 電場之狀態。、2 0之透過軸，可以最有效液晶分子1 8 進行傾斜分別在第1基板1之外側，配置第i偏光板】9，在第2基板12之外側，配置第2偏光板20，設定第i偏光板19和第2 偏光板2 0，以便於使得相互之透過軸呈垂直。在由第2基板1 2之法線方向而進行觀察時，於偏光板j 9 和液晶分子1 8之傾斜方向形成為大約4 5度時率地使得透過光，通過第2偏光板2 0。接著，係對於突起1 6或縫隙1 〇，沿著大約9 〇度方向，因此丄配置兩個偏光板1 9、20，以便於使得像素内之=隙 10或突起16之延伸方向和第2偏光板2〇之透過軸形成為大約45度、。在該實施例，進行設定，以便於使得第i偏光板 19之透過軸和掃目苗線2之延伸方向呈-致，第2偏光板20之透過軸=影像線5之延伸方向呈一致。接著在像素電極6和透明電極1 5間而並無產生電場

1291072 五、發明說明（10) 之Si:18係進行垂直配列，因此’通過第1偏光板直線偏光之透過光係在仍然為直線偏光之狀態下， ‘ίΐ由ίί分子18所組成之液晶層，藉由第2偏光板雪Μ ί ί i成為黑色顯示。此外，在像素電極6施加既定 ” i而在像素電極6和透明電極15間產生電場時，由於液沿著水平方向而進行傾斜，因此，通過第;偏 ^19之直線偏光之透過光，係在液晶分州所組成之液曰曰層為橢圓偏光，通過第2偏光板2〇，成為彩片1 4之顏色顯示。，著，根據圖4A〜圖4F，說明在第1基板丨形成各個膜〇 :、在圖4A，於玻璃基板1上，形成A1膜，進行曝光處理及蝕刻，形成掃瞄線2和輔助電容用電極線3。此外，圖4 A係顯不不存在掃瞄線2或輔助電容用電極線3之部分之剖面，符號23係顯示由於A1之蝕刻不良所造成之殘留物。在圖4B，於掃瞄線2等之上面，層積閘極絕緣膜4，在面對著閘極電極之部分，形成島狀半導體層（並未圖示）。在圖4C ^於閘極絕緣膜4±，形成，藉由曝光處理和蝕刻而形成景^像線5、源極電極β和汲極電極6等。此外，符號24係顯示由於银刻不良所造成之殘留物，相鄰接之影像線5係由於殘留物2 4而造成短路。在圖4 D，於閘極絕緣膜4 或影像線5上，層積第！保護膜8和第2保護膜9。在圖4E，於兩個保護膜8、9或閘極絕緣膜4之既定部位，進行蝕刻，而形成接觸孔21 (並未圖示）或溝槽22。此時，在保濩膜8、9用之蝕刻液，成為A 1之殘留物2 3、2 4係無法進行

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五、發明說明（11) 蝕刻，因此，殘留物2 3、2 4係以仍然露出於溝槽内之狀熊而進行殘留。在圖4F，於第2保護膜9上，形成IZ〇膜，藉〜、由曝光處理和#刻而形成既定形狀之像素電極6。此時，9 也可以藉由除去I Z0之蝕刻液而除丨，因此，存在於溝槽22内之殘留物23、24係被除去。然後，在像素電極6或第2保護膜9上，層積配向膜11。

像這樣，在本發明，可以在形成像素電極6時，也除去溝槽22内之殘留物，因此，並不需要特別設置除去溝槽 22内之殘留物之作業。此外，就藉由人丨而形成掃瞄線2或影像線5之狀悲，進行說明，但是，也可以考量和I z 〇間之電氣接點之相容性而成為A 1和Μ 〇等之層積構造。接著’根據圖式而說明第2實施形態。圖5係具有像素電極之第1基板之俯視圖，圖6係沿著圖5之Β-Β，線之概略剖面圖。此外，該實施例係顯示ΤΝ型（Twisted Nematic :扭轉陣列）液晶之狀態。

符號3 1係由玻璃基板等所組成之第1基板，符號3 2係形成在第1基板3 1上之掃瞄線。該掃瞄線3 2係藉由a 1所形成’呈平行地配置複數條掃瞄線32。符號34係閘極絕緣膜，層積在第1基板31或掃瞄線32。符號35係形成在閘極絕緣膜3 4上之影像線，影像線3 5係藉由A 1等所形成，呈垂直於掃目苗線32地進行配置。在掃瞄線32和影像線35之交差部分’配置成為開關元件之TFT36，該TFT36係正如以下敘述所構成。藉由閘極絕緣膜34而覆蓋由掃瞄線32開始突出之閘極電極，在閘極絕緣膜34上，面對著閘極電極而層積

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1291072 五、發明說明（12) 半導，層。在半導體層上，形成源極區域和汲極區域，分別使得源極區域連接源極電及，汲極區域連接汲極電極: 該源極電極和汲極電極係在形成影像線35時，同時地形成，，極電極係成為由影像線35開始突出之形狀。符7 係，蓋影像線35或閘極絕緣膜34之保護膜，在保護膜^，於藉$掃瞄線32和影像線35所包圍之區域，形成像素電極 38。符號33係形成在第1基板31上之帶狀遮光膜，由第1基板31之法線方向而進行觀察時，在影像線35和像素 1 間，沿著像素電極38之邊緣而進行配置，防止來自 35和像素電極38間之光漏。在圖5，於遮光膜”，施加斜線。該遮光膜33係相同於掃瞄線32，藉由A1所形成，夢、相同於掃瞄線32之同一作業而同時形成。在像素電極3:，形成後面所敘述之第！溝槽39a，在閘極絕緣膜34和保蠖膜 37，形成後面所敘述之第2溝槽39b。符號4〇係層積傻夸 ::38 3保濩膜37之配向膜，例如在朝向平行於掃瞄線32 i十仃方向，施加配向處理。符號41係藉由玻璃基板等所組成之第2基板，和第j美 ^，幾乎隔開等間隔而呈對向地進行配置。符號42係形成玻璃基板上而面對著掃瞄線或影像線所形成之黑色矩 11 。忒黑色矩陣42係由Cr等所形成，分隔各個像素間。，系對應於各個像素而形成之彩色遽光片，在=個； :丄配置紅色（R )、綠色（G )和藍色（B )中之某一種涵。在彩色濾光片43上，層積例如由IT〇或12〇等所組之、明電極44，透明電極44係藉由配向膜45所覆蓋。在該

第15頁 1291072 五、發明說明（14) :3:39:39Γ:ί部分’同時地進行#刻而除去。因此，溝 35，會比可能，及位處在掃I線32或影像線在遮光膜^ 1但疋，在影像線35和像素電極38間，存素電極38 —邱二且，為了形成輔助電容，因此，鄰接於像 σ卩为之像素之掃瞄線3 2係呈重疊，以致於六進行溝槽39a、39b之配置。因此，將溝#3 , ' ^ 32之位置。 4可能地形成在接近遮光膜33或掃瞄線 32，： 1 : 第V冓槽…係沿著遮光膜33或掃I線成為、、，田長狀，分成為複數個而進行設w。1、，μ & <平央口Ρ刀和位處在比起第1溝槽3 ::::=之電氣接"夠 :=同電位。此外，在第1溝槽39a之幅寬變得：J q 、’]對於液晶分子46之限制力變弱，但是 T上幅寬變窄之狀態下，則能夠保持相同於並二= 溝槽39a之狀態下之同樣限制 …又置第1 應於第1溝槽39a之位置上。二係形成在對笛9、蓉訊〇在形成兩個溝槽39a、39h ΒΦ，溝槽39b之外側（掃目,'線32或影像線35 二 :二處在比起第i溝槽39a之外㈣（掃肖線：二 :)之邊緣還更加内側（像素之中央側）之位置：線3j j 該位置關係，而至少在第2溝槽39b外側之邊八。= 地除去存在於溝槽39a、39b之殘留物，因此,二二被3貫除去溝槽内之織，同時，也可以使丄Ϊ:3確8:;

1291072 五、發明說明（17) 像線10 3或TFT1 05而由絕緣性膜所組成之保護膜上，由ιζο等之透明電極所組成之像素電極1〇6。透過·己置護膜之接觸孔1〇7，而電連接TFT1〇5之汲極電極和7成在j呆，106。此外’在像素區域1〇4，也包含在所謂虛擬像素之貫際上而無法使用作為顯示者。在此，簡單地說明像域之形悲，但是，也可以使得像素區域，第^ 施形態之構造。木i 4弟2貫掃目^拉出線m、影像拉出線13()係形成在像素區域 1 04外，由各個掃瞄線丨〇2和影像線丨〇3開始，延 Ο 電路（並未圖示）。該驅動電路係用以使得用以啟動 TFT105之訊號，流動至掃瞄線1〇2和影像線1〇3。此乂例士對於複數個掃瞄線1 〇 2，使用1個驅動電路，而二訊號，流動至全部之掃瞄線102，或者是也可以使用于個=動電路，而使得訊號，流動至掃瞄線102。此外，在，貝靶例，呈一體地形成掃瞄線1 〇 2等和掃瞄拉出線丨2 〇 η ’也可以使用例如不同導電性之材料，分別地形成而互相地得到接點。 ν 、在本實施例，使用複數個影像線1 03之驅動電路，形成1向由各個衫像線1 〇 3開始延伸之影像拉出線1 3 〇所對應之驅動電路，成為收束。因此，相鄰接之影像拉出線13〇〜、之間隔係變窄。此外，液晶顯示裝置係越變成大型，則會有形成在基板上之配線電阻變得越大之問題產生。因此: =I在配線材料使用低電阻之A1以外，還儘可能地使得拉、、之巾田見變寬。但是，例如如果使得影像拉出線1 3 0之

第20頁 1291072 五、發明說明（18) 中田見變見的話，則相鄰接之影像拉出線1 3 0之間隔變窄。此外’不論是小型、大型，則隨著液晶顯示裝置之高度精細化二1個像素變得越小，則相鄰接之影像拉出線1 3 〇之間隔變得更加地窄。因此，即使是在相鄰接之影像拉出線 1 3 0間’ ^由於餘刻殘渣而發生短路之可能性係非常地高。但是’在本發明之實施例，於層積在影像拉出線丨3 〇上之保漠膜’投置位處於影像拉出線1 3 〇鄰近之溝槽 1 y8b。孩溝槽1 〇8b係可以至少沿著垂直方向而貫通層積在影像，出線130上之保護膜，能夠藉由設置溝槽1〇8b，而由保遵膜，露出使得閘極絕緣膜上之相鄰接之影像拉出線 130呈短路之殘留物。因此，在相鄰接之影像拉出線，，存在殘留物，即使是在拉出線間，發生短路，也能夠藉由在形成溝槽1 〇 8b後，施加蝕刻處理，而除去溝槽丨〇 8b 内之殘留#;，可以斷絕短路。&外，即使是關於掃瞒拉出線120，也相同於前述影像拉出線13〇，也在掃瞄拉出線 120之鄰近，設置相同之溝槽1〇8a，貫通保護膜和閘極絕緣膜。圖10係顯示擴大影像拉出線丨30之端子131週邊之俯視圖。在第1基板1 0 1上，形成端子丨3 J。該端子丨3 i係分史置在各個影像拉出線130，在影像拉出線丨3〇上之所層 1 保護膜上，藉由例如具有相同於像素電極丨〇6之同曰雷性之IZO而形成端子131。此外，透過設置在保護膜之孔（並未圖示）而連接影像拉出線13〇。透過端子Η 連接影像拉出線1 3 0和驅動電路。此外，該遠 ’ 次逆接係考慮使

1291072 五、發明說明（19) 用藉由TAB (Tape Automat ic Bonding :自動捲帶式晶粒接合）方式而製造之TCP (Tape Carrier Package :輸送

膠f封裝體）方式來進行連接者、或者是藉由所謂c〇G (Chip 〇n Glass :玻璃基板晶片銲接）方式而進行連接 ^等。此外，在本實施例，透過端子131而使得影像拉出線1 30，連接驅動電路，但是，也可以例如在第工基板丨〇工 ^ γ直接地形成驅動電路，直接地連接驅動電路和影像拉出線1 3 0。雷二卜二則像拉出線13°，以便於使用複數個驅動，路（並未圖示），朝向所對應之驅動電路，此，影像拉出線13。之長度係不一定。在本，束數個驅動電路之某“固之影像拉出線13〇，係形成由漸地變長。因&，通常= : = 使得其長度逐和幅窄部m之比例，隨著、=13° ’改變幅寬部132 線U。開始而朝向成為最短之= =之影像拉出漸地增加幅窄部丨33所佔有之〜象拉出線1 30，來逐個影像拉出線1 30之電阻值，成袅’因此，可以使得每一 ^ ^ ^130 ^，Μ32 Λ Λΐ3〇3 ίΐΐ f" ； # ί 部1 32之電阻變小，在幅窄邛33所構成，在幅覓在每-個影像拉出線！ 3〇 \電=大。此外’由於比例’因此，可以a ,文巾田見部1 32和幅窄部1 33之了以在母一個影像拉出線13〇，調整電阻 2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 第22貝· 1 1291072 五、發明說明（20) 值0 此外’第1基板1 〇 1和第2基板（並未圖示）係在基板間’密封入液晶，進行貼合。此時，在藉由圖丨〇之1點虛線所示之i兄界線1 3 4，塗敷用以貼合兩基板之密封材。也就疋說，位處在比起境界線丨3 4還更加外側之外侧（端子

1 3 1側）之影像拉出線j 3 〇之一部分係露出於外部。此外，該第2基板係例如對應於第}基板丨〇 !之像素而層積彩色濾光^。形成於影像拉出線丨3〇鄰近之溝槽1〇8b係形成延伸至境界線134為止。也就是說，在貼合第丨基板1〇1和第2羞板之狀態下，溝槽l〇8b係形成在不露出於外部之範圍内，並無形成在露出於外部之位置上。通常透過端子131而連接驅動電路，藉由樹脂等而覆蓋在驅動電路和第2基板間，因此，即使溝槽108b露出於外部，也在最後，土遮斷讀槽108b和外氣。但是，在—直到藉由樹脂等而覆蓋驅動, 路和，2基板間為止之時間，溝槽1〇81)係並非完全不接到外氣。因此，恐怕會使得藉由設置溝槽1〇扑所切斷之留物之剖面，接觸到外氣，可能透過該剖面而使得影出線130發生腐蝕。一般而纟，比起。等，M之電阻

η。因此’特別是在大型液晶顯示裝置；線之電阻，因此，經常使用A1。但是，也有所比卩制酉( 而A1比較容易腐蝕之問題產生。因此，如果像 r ’ 合第1基板101和第2基板時，一直到不露出於外部之在剧為止而設置溝槽l〇8b的話，則可以防止來自殘留物置影像拉出線1 3 0之腐|虫。 σ面之

1291072 五、發明說明（21) 、一此外，為了在比起境界線丨34還更加外側之外側，形成幅窄部1 3 3，因此，在端子丨3 i側，設置幅窄部丨3 3。藉由這樣構造，而使得相鄰接之影像拉出線13〇間之間隔^ 寬之幅窄部133，形成在無溝槽1〇8b存在之位置上，因，，比起幅寬部132形成在無溝槽丨08b存在之位置上之狀態，相鄰接之影像拉出線丨3〇間之間隔變得更寬，僅此就使得短路發生之可能性變低。此外’即使疋就掃瞄線丨0 2而言，也成為同樣構造。此外，影像線103係不僅是延伸至驅動電路側之影像拉出線1 3 0側即使是在例如其相反側，也延伸至像素區域丨〇 4 之外側，連接稱為用以透過非線性元件而防止靜電破壞之所謂短路環者。因此，& 了防止由於㈣殘渣所造成之短路，所以，不僅是影像拉出線丨3〇側，即使是在其相反側，也可以在延伸至像素區域丨〇4外側之影像線丨近，設置溝槽l〇8b。接著，根據圖11，而說明圖8所示之c — c，剖面之形成作業：在圖11A，於由破璃等所組成之第）基板1〇1上，形成A 1膜進^行曝光處理和蝕刻，形成掃瞄拉出線丨2 〇。符號112係表示由於A1之蝕刻不良所造成之殘留物。由於古亥殘留物112而使得鄰接之掃瞄拉出線12〇發生短路。在圖11 B ’於第1基板1 〇 1和掃瞄拉出線1 2 0上，層積間極絶^膜1 0 9。接著’纟問極絕緣膜丨Q 9上，層積半導體層藉^蝕刻而在面對著閘極電極之部分，體（並未圖示）。田匈狀

1291072 五、發明說明（22) 在圖nc ’於閘極絕緣膜109上，形成^膜，藉由曝光處理和蝕刻，而形成影像拉出線1 3 〇、源極電極或汲極電 i極（並未圖示）等。符號113係表示由於蝕刻不良所造成之殘留物，由於該殘留物113而使得鄰接之影像拉出線13〇發生短路。層在圖1 1 D，於閘極絕緣膜1 〇 9或影像拉出線丨3 〇上積由絕緣性者所組成之保護膜11 〇。在圖1 1 E ’於保護膜1 1 〇或閘極絕緣膜1 〇 9之既定部位，進行蝕刻而形成接觸孔（並未圖示）。此時，分°別在掃瞄拉出線120之鄰近，形成溝槽1〇8a，在影像拉出線13〇之鄰近，形成溝槽l〇8b。此時，在就保護膜11〇而言之蝕刻’無法钱刻成為A1之殘留物112、113，因此，殘留物 ϋ、、Π3係以仍然露出於溝槽内之狀態而進行殘留。也就是說，該溝槽108a、108b係用以至少貫通層積在掃瞄拉出線120^、影像拉出線13〇上之保護膜丨1〇或閘極絕緣膜ι〇9，由保濩膜11 0或閘極絕緣膜丨〇 9，露出殘留物丨丨2、】丨3。此外在圖11E /冓槽係也在無殘留物113存在之部位，形成於閘極絕緣膜9，但是，也可以設法進行溝槽1〇讣之蝕刻，而僅使得溝槽10813形成在保護膜u〇上。在圖11F，於保護膜11〇上，形成IZ〇膜，藉由曝光處理和蝕刻而形成既定形狀之像素電極丨〇 6或端子丨3 ^ (並未圖示）。此時，也可以藉由用以除去以〇之蝕刻而除去 A1 ’因此’除去存在於溝槽1〇8a、1〇讣内之殘留物ιΐ2、 113。然後，在像素電極1〇6 (並未圖示）或保護膜11() 2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 第25頁 1291072 五、發明說明（23) 上’層積配向膜（並未圖示）。此外，一般而言，並不容易在Cr和ΙΖ0之組合而同時進行蝕刻，但是，A1和IZ〇係可以藉由例如同樣之蝕刻液而進行蝕刻，因此，可以藉由利用A 1而形成掃瞄拉出線1 2 〇或影像拉出線丨3 〇，利用丨z〇而形成像素電極1 06，以便於即使不刻意設置多餘作業，也能夠蝕刻殘留物112、113。像這樣，在本發明，於形成像素電極1 0 6時，也可以除去溝槽i 〇 8 a、丨〇 8b内之殘留物 1 1 2、1 1 3，因此，並不需要特別地設置除去溝槽丨〇 “、 10 8b内之殘留物112、113之作業。口此外，如果是在不脫離本發明要旨之範圍的話，則也可以是前述實施形態以外之形態。例如藉由A1而形成掃瞄線或影像線，藉由IZ0而形成像素電極，但是，也可以在該組合以外，使用能夠同時地蝕刻像素電極和掃瞄線、影，線之材料。此外，說明藉由A1而形成掃瞄線1〇2或影像像素等之層積構造。此外，i不需要在形成 ,^ —定同時地除去溝槽内之殘留物，例如在藉出線1 2 0洋1你此外，在刀別藉由不同材料而形成掃瞄拉除？。拉此外，在貝知例，就MVA方式和ΤΝ方式，丁祝月’但是，也可以是這個以外之方式。【產業上可利性】

2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 第26頁 1291072 五、發明說明（24) 如果藉由本發明間，而是在相鄰接之近，設置形成在保護於影像線等之蝕刻不像素電極重疊於影像極和影像線間形成遮槽内之影像線等之殘生。此外，可以藉由 ΙΖ0而形成像素電極種金屬之蝕刻，能夠此外，在由掃瞄出線之鄰近，形成溝拉出線和拉出線間之夠防止拉出線間之短此外，即使相鄰出線間之短路之可能可以達到液晶顯示裝化。此外，並不需要拉出線之短路部分之達到成本之削減。像這樣，本發明以利用在以攜帶式終的話’則不是在像素電極和影像線影像線間或像素電極内，於邊緣附膜等之溝槽，透過其溝槽，而除去由足所造成之殘留物，因此，即使是在線之程度變大之狀態或者是在像素電光膜之狀態下，也可以除去存在於溝留物，防止和其他配線間之短路發利用A1而形成掃瞄線或影像線，利用，藉由相同之蝕刻液，以便於進行各使得製造作業，成為簡單化。線或影像線開始延伸至驅動槽，透過該溝槽，而除去由於形成；蝕刻不良所造成之殘留物，因此，能路0 接之拉出線之間隔變窄而性變高’也可以除去殘留物，^拉置之大型化、小型化以及高度精細匕刻意地進行在修補作業中除去作業，因此，縮短修補：i仃: 之液晶顯示裝置係*有端機或電視為首之具有顯示=各： 1291072

2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 第28頁 1291072 圖式簡單說明圖1係具有成為本發明之第1實施例之液晶像素電極之第1基板之俯視圖。衣置之圖2係沿著圖1之A-A，之剖面概略圖。圖3係7顯示像素電極和突起間之位置關係之示意圖。之圖圖4 A係說明對於第1實施形態之第1基板上“。 ’顯示第1作業之圖。膜作業圖4B係顯示第2作業之圖。圖4 C係顯示第3作業之圖。圖4D係顯示第4作業之圖。 <1 圖4 E係顯示第5作業之圖。圖4 F係顯示第6作業之圖。卜圖5係具有第2實施形態之液晶顯示裝置之像素電極之第1基板之俯視圖。 μ 圖6係沿著圖5之β — β，之剖面概略圖。圖7Α係說明對於第2實施形態之第1基板上之成膜作業之圖，顯示第1作業之圖。圖7Β係顯示第2作業之圖。圖7 C係顯示第3作業之圖。圖7 D係顯示第4作業之圖。圖7 Ε係顯示第5作業之圖。圖7 F係顯示第6作業之圖。圖8係第3貫施形態之第1基板之擴大俯視圖。圖9係第3實施形態之顯示部週邊之擴大俯視圖。圖1 0係弟3貫施形態之端子週邊之擴大俯視圖。

2119-5213-PF(N)；Ahddub.ptd 第29頁 1291072 圖式簡單說明圖1 1 A係說明圖8所示之第1基板C-C’剖面之形成作業之圖，顯示第1作業之圖。圖11 B係顯示第2作業之圖。圖11 C係顯示第3作業之圖。圖11 D係顯示第4作業之圖。圖11 E係顯示第5作業之圖。圖11 F係顯示第6作業之圖。圖1 2係具有習知液晶顯示裝置之像素電極之基板之俯視圖。圖13係沿著圖12之D-D’之剖面概略圖。【符號說明】 1〜第1基板； 2〜掃瞄線； 3〜輔助電容用電極線； 4、 v閘極絕緣膜； 5〜影像線； 6、 v像素電極； 7〜 TFT (薄膜電晶體）； 8 - 。第1保護膜； 9〜第2保護膜； 10 〜縫隙； 11 - …配向膜； 12 〜第2基板； 13 - …黑色矩陣； 14 〜彩色濾光片； 15， -透明電極； 16 〜帶狀突起； 16a 〜突起； 17 〜配向膜； 18 - ^液晶分子； 19 〜第1偏光板； 20 - -第2偏光板； 21 〜接觸孔； 22 - ^溝槽； 23 〜殘留物；

2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 第30頁 1291072 圖式簡單說明 24〜殘留物； 31〜第1基板； 32〜掃瞄線； 33〜帶狀遮光膜； 34〜閘極絕緣膜； 35〜影像線； 36〜 TFT ； 37〜保護膜； 38〜像素電極； 39a - -第1溝槽； 39b〜第2溝槽； 4 0〜配向膜； 4 1〜第2基板； 42〜黑色矩陣； 43〜彩色濾光片； 44〜透明電極； 4 5〜配向膜； 4 6〜液晶分子， 47〜第1偏光板； 4 8〜第2偏光板； 4 9〜殘留物； 5 0〜殘留物； 101 - 、第1基板； 1 0 2〜掃瞄線； 103 - V影像線； 104 - 〜像素區域； 105 〜TFT ； 106 - ^像素電極； 1 0 7〜接觸孔； 108a 〜溝槽； 108b 〜溝槽； 1 0 9〜閘極絕緣膜 110 - …保護膜； 112 - 〜殘留物； 113、 …殘留物； 1 2 0〜掃瞄拉出線 1 3 0〜影像拉出線； 1 3 1〜端子； 1 3 2〜幅寬部； 1 3 3〜幅窄部； 134 - …境界線； 2 0 0 - ^玻璃電極； 2 0 1〜掃瞄線； 201a 〜閘極電極 201b 〜輔助電容用電極； 2 0 2 - <閘極絕緣膜 203 - V半導體層； 2 04 - ^源極區域； Ο

2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 第31頁 1291072 圖式簡單說明 205 209 211 汲極區域保護膜；殘留物。 206 210 影像線縫隙； ❶

2119-5213-PF(N);Ahddub.ptd 第32頁

Claims

1291072 修JE辛 -—---案號 9Π21850 六、申請專利範圍 J · 一種液晶顯示裝置—Γϋ二一一對基板’將液晶密封至基; ΐ:電：’ ί矩陣狀地配置在某-邊基板上；開，件，連接在前述像素電極; 平行地進行配置；接在則述開關元件同時互相幾乎呈複數個掃瞄線，連接前像線而進行配置；以及j述開闕元件同時垂直於前述影保護膜，形成於前过前述像素電極間，〜A次上並夾住於前述影像線和其特徵在於：在别述像素電極問， ^ 述影像線間，於前述保護7^=線’在相鄰接之前 2·如申請專利範圍第1項曰一各個像素電極，連接2個開關元曰顯示褒置’其中，在 3 =申請專利範圍第1項之液晶 :述基板之法線方向觀察時，冑述衣、、中’在存在之部分而沿著影像線所形成。4 9係除去掃猫線所前述影像線K f 1 # 顯示袭置’其中，在

由二項之液晶心和前述像素電極。^所除去之材質’而形成前述影像日線 2119-5213-PFl(N).ptc 第33頁 1291072 j--— Q119lfi^n 六、申請專利範圍曰由AI (紹）而形成前述：晦線二晶顯示裝置，其中、形成前述像素電極。、’、^則述影像線，葬由τ藉 7.-種液晶顯示裳置，包括： “咖而一對基板，密封入液晶；像素電極，呈矩陣狀地配置在 ”元件，連接在前述像素電極,·邊基板上；、，禝數個影像線，連接在前述門關_ 平行地進行配置； I關^件同時互相幾、/ 複數個掃瞄線，連接前、乎呈像線而進行配置；以及汗元件同時垂直於< 保護膜，形成於前述影像繞κ * 、別述影前述像素電極間，、並夾住於前述，傻& 其特徵在於： &線和在前述像素電極内，於其邊给之第1溝槽，在前述保護膜V:對二成幾乎平行於之位置，形成第2溝槽。對應於前述第1溝槽 8·:種液晶顯示裝置，包括·· 一對基板，密封入液晶；像素電極，呈矩陣狀地配開關元件，連接在前述像素邊基板上；平行Ξι:;【線，連接在前述開關元件同時互相幾乎呈複數個掃晦線’連接前述開關元件同時垂直於前述影 2119-5213-PFl(N).ptc 第34頁 1291072 ^ 月曰 j多正 ---j 號六、申請專利範圍像線而進行配置；以及 ^ Ϊ膜，形成於前述影像線上並夾住於‘ + 則述像素電極間，於別述影像線和其特徵在於：之位置，形成第2溝槽，在苹一邊 jf於別述第1溝槽影像線和像素電極 /、透之基板上，具有位處於 2先；，W述第1及第2溝槽係位處在比起平面中央之像素中央側。 I遮光膜還更加㈣= = 示〃，其中，閉極絕緣膜，在相當於保護㈣；之絕緣膜，在前述 10.如申請專利範圍第9項之顧刀，形成溝槽。 *能夠利用相同姓刻液所除去材:二其中，藉和前述像素電極。何貝而形成則述影像線而形成前述==:』述掃晦線和前述影像線，藉由⑽ 1—2. —種液晶顯示裝置，包括·· 組成；条配、線自形成在某-邊基板上之導電性材料所保濩膜，層積在前述配線上；像素區域，由且右# 八象素電極之複數個像素所構成；以 mm 2119-5213-PFl(N).ptc 第35頁 -------- 9112185Π 六、申請專利範圍及，：邊基板’夾住前述某一邊基板其特徵在於：饮日日而呈對向，在前述某一邊基板上之前述像素線之鄰近，名兮、+、位咕 ’、&域从外，於前述配乂冲迎，在别述保護膜，形成溝槽。 + 1 3.如申請專利範圍第丨2項之液雨述溝槽係設置在相鄰接之配線間。貞丁衣置，其中， 14.如申請專利範圍第12項之液晶顯 “溝槽係貼合前述某一邊基板衣置,、中於不形成在露出於外部之位置上。c他邊基板，以便置，中如申Λ1Γ範圍第12、13或14項之液晶顯示裝成前i僮去：鋁）而形成前述配線，藉由ιζ〇而形欣刖述像素電極。 16 · 一種液晶顯示裝置，包括·· 一對基板，將液晶密封至基板間；組成後數條配線’由形成在某一邊基板上之導電性材料所拉出線，由垓配線開始而延伸至用以流動訊配線之驅動電路；月』述保濃膜’層積在前述拉出線上·，以及像素區域，由複數個像素所構成，其特徵在於：月）述拉出線係形成在前述像素區域外，在前述拉出線之鄰近，於前述保護膜，形成溝槽。

案號 91121RR0 1291072 六、申請專利範圍其中其中其中 1 7·如申請專利範圍第1 6項之液晶前述溝槽係設置在相鄰接之拉出線間。•、不裝置 18·如申請專利範圍第17項之液晶一前述拉出線係藉由幅寬部和幅窄部所構7^羞置 19?申請專利範圍第18項之液晶顯示則述幅I部和幅窄部之佔有比例係凌置線而不同。者母—個之前述杈出 20.如申請專利範圍第19項之液晶顯對於所對應之驅動電路而由前述複數條配衣八置，其中，出線，係由最長之拉出線開始，朝向最短^ =別延伸之杈地增加幅窄部所佔有之比例。之妆出綠’遂漸 21·如申請專利範圍第2〇項之液晶 Μ选溝槽係貼合前述某—邊基板和成對之其、置’其中，便於不形成在露出於外部之位置上。 ”他邊基板，以 ,22·如中請專利範圍第18項之液晶顯示务在前1露出於外部之位置上，形成前述幅窄、置，其中， .如申請專利範圍第16、17、18、19、；η :之=示裝置’其t，前述二、叉或22 線，前述拉出線係由命、+、^ Θ何目田線和影像 i，、f旦彡庶綠问K 則迷知目苗線開始延伸之掃目苗拉出線和月、、汗〇延伸之影像拉出線，前述掃瞄線和前述影像線係相互地交差，在該交差區域，設置連接前述掃= 線和前述影像線之開關元件以及連接至該開關元件之像素電極。

η 曰 ―072雜叫麵六、申請專利範圍，由Α1 (鋁）而形成前述掃瞄拉出線和前藉由ΙΖΘ而形成前述像素電極。 k〜像拉出線， 25· —種液晶顯示裝置之製造方法，其特述絕緣I: = U成絕緣膜，在前在別述絕緣膜和前述影像拉出線上，形成保:蒦】拉，f 槽，在前述影像拉出線和保護膜之溝刻而=去露出於前述溝槽内之前述導電性材料。、錯由名法，盆中々，申^比專導利雷^圍第25項之液晶顯示震置之製造方、八中刚迷^電性材料係A丨（鋁），前、十、目亡道發从之透明膜係I Z0，在蝕刻前述j z〇時二:"肉前述導電性材料係也藉由钱刻而除去路出於别述溝槽内之 2 7 · —種液晶顯示裝置，包括·· 一對基板，將液晶密封至基板間；像素區域，由具有呈矩陣狀像素電極之複數個像素所構成；也配置在某—邊基板上之開關元件，連接在前述像素電極· 進行=之=互相幾… 前述影像線而進行配置之複數個掃；：=:同時垂直於絶緣膜，形成於前述掃瞄線上；以及成， 2119-5213.PFl(N).ptc 第38頁

1291072 ------- 91121 脱) /、、申請專利範圍保護膜，形成於前述影像線上，其特徵在於：在前述像素區域内，於前述像素電極間，並設2條巧像線，在相鄰接之前述影像線間，於前述保護膜，形^、、，，在前述像素區域外’於前述某一邊基板上，、在前:f ，·友之鄰近，於前述保護膜，形成溝槽。 u配 28· 一種液晶顯示裝置，包括·· 一對基板，密封入液晶；像素區域，由具有呈矩陣狀地配置像素電極之複數個像素所構成. “邊土板上之 ::元件、，連接在前述像素電極；進行配晋夕〒連接在前述開關元件同時互相幾半呈工進仃配置之複數個影像線釦 J卞立相成千呈平行地前述影像線而進行配置妾别述開關元件同時垂直於絕緣膜，形成於前述3數個掃蹈線所構成；、保護膜，形成於前ΐ”線上；以及其特徵在於：⑴魂影像線上，在前述像素區域内，影像線之第丨溝槽，在前迷保^邊j彖附近’形成幾乎平行於之位置，形成第2溝槽，右二二膜，在對應於前述第1溝样邊基板上，在前述配線別述像素區域外，於前述某一曰槽。近，於前述保護膜，形成溝 2 9 · —種液晶顯示穿 -對基板，將液晶密封至包二 2119-5213-PFl(N).ptc 第39頁像素區域由具有呈矩陣狀地配置在某一逷基板上之像素電極之複數個像素所構成，開關元件，連接在前述像素電極；配線’由連接在前述開關元件同時互 / 進仃配置之複數個影像線和連接 ^干仃地前述影像線而進行配置之複數 2關兀件同枯垂直於拉屮綠+ # s ^乏禝數個知瞄線所構成；拉出線，由该配線開始而延伸至用w β π 線之驅動電路；甲至用以▲動矾唬至該配絕緣膜，形成於前述掃瞄線上；以保護膜，形成於前述影像線上，其特徵在於：在别述像素區域内，於前述像像線，在相鄰接之前述影像線間，於_ ^間;並設2條影槽，前述拉出線係形成在前述^述保護膜，形成溝之鄰近，於前述保護膜，形成溝槽=或外，在前述拉出線 3 0. —種液晶顯示裝置，包括· 一對基板，密封入液晶；像素區域，由具有呈矩陣狀地配像素電極之複數個像素所構成；在某一邊基板上之開關元件，連接在前述像素電極· 配線，由連接在前述開關元件— 進行配置之複數個影像線和連接矿 τ互相幾乎呈平行地前述影像線而進行配置之複數個^ j開關元件同時垂直於拉出線，由該配線開始而延I =線所構成；用以流動訊號至該配 1291072 案號91121850_年月曰修正_ 六、申請專利範圍線之驅動電路；絕緣膜，形成於前述掃瞄線上；以及保護膜，形成於前述影像線上，其特徵在於：在前述像素區域内，於其邊緣附近，形成幾乎平行於影像線之第1溝槽，在前述保護膜，在對應於前述第1溝槽之位置，形成第2溝槽，前述拉出線係形成在前述像素區域外，在前述拉出線之鄰近，於前述保護膜，形成溝槽。

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